JPH0817066A - 電流電圧変換回路 - Google Patents
電流電圧変換回路Info
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- JPH0817066A JPH0817066A JP17183594A JP17183594A JPH0817066A JP H0817066 A JPH0817066 A JP H0817066A JP 17183594 A JP17183594 A JP 17183594A JP 17183594 A JP17183594 A JP 17183594A JP H0817066 A JPH0817066 A JP H0817066A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、電流電圧変換回路について、ＲＦ成
分及びサーボ成分の検出に兼用し得ると共に低電源電圧
で駆動し得る。 【構成】光検出器（１１）より出力される受光電流（Ｉ
in及びｉin）を第１の増幅手段（（２３）、（３３
Ａ）、（３３Ｂ））で電圧に変換して利得を与え、当該
電圧を第２の増幅手段（（２４）、（２４Ａ）、（２４
Ｂ）、（４４Ａ）、（４４Ｂ））でＲＦ成分及びサーボ
成分に周波数分割し、当該ＲＦ成分及びサーボ成分を別
個の利得で増幅して加算又は減算する。
分及びサーボ成分の検出に兼用し得ると共に低電源電圧
で駆動し得る。 【構成】光検出器（１１）より出力される受光電流（Ｉ
in及びｉin）を第１の増幅手段（（２３）、（３３
Ａ）、（３３Ｂ））で電圧に変換して利得を与え、当該
電圧を第２の増幅手段（（２４）、（２４Ａ）、（２４
Ｂ）、（４４Ａ）、（４４Ｂ））でＲＦ成分及びサーボ
成分に周波数分割し、当該ＲＦ成分及びサーボ成分を別
個の利得で増幅して加算又は減算する。
Description
【０００１】
【目次】以下の順序で本発明を説明する。 産業上の利用分野 従来の技術 発明が解決しようとする課題 課題を解決するための手段（図３〜図５） 作用（図３〜図５） 実施例 （１）光ピツクアツプの全体構成（図１及び図２） （２）第１の実施例（図３） （３）第２の実施例（図４） （４）第３の実施例（図５） （５）他の実施例 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は電流電圧変換回路に関
し、例えば光デイスクにレーザ光を照射して得られる戻
り光を検出して電流に変換するフオトデイテクタより出
力される受光電流を電圧に変換する際に適用し得る。
し、例えば光デイスクにレーザ光を照射して得られる戻
り光を検出して電流に変換するフオトデイテクタより出
力される受光電流を電圧に変換する際に適用し得る。
【０００３】
【従来の技術】従来、光ピツクアツプ装置においては、
光デイスクにレーザ光を照射して得られる戻り光をフオ
トデイテクタの受光部で検出し、各受光部で得られる光
量に応じた受光電流を電流−電圧変換アンプ（Ｉ−Ｖア
ンプ）で電圧に変換して、この電圧に基づいて後段の演
算回路で加算及び又は減算することにより、サーボ成分
としてフオーカスエラー信号及びトラツキングエラー信
号を得、ＲＦ成分としてピツト信号（又はＭＯ信号）を
得るようになされている。
光デイスクにレーザ光を照射して得られる戻り光をフオ
トデイテクタの受光部で検出し、各受光部で得られる光
量に応じた受光電流を電流−電圧変換アンプ（Ｉ−Ｖア
ンプ）で電圧に変換して、この電圧に基づいて後段の演
算回路で加算及び又は減算することにより、サーボ成分
としてフオーカスエラー信号及びトラツキングエラー信
号を得、ＲＦ成分としてピツト信号（又はＭＯ信号）を
得るようになされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところでフオトデイテ
クタの各受光部には、それぞれＩ−Ｖアンプが配置され
ており、各Ｉ−Ｖアンプは各受光部で受光するサーボ成
分又はＲＦ成分に応じた特性を有するように設計されて
いる。すわなちサーボ成分を受光する受光部には低利得
かつ高ダイナミツクレンジ（以下ＤＲという）のＩ−Ｖ
アンプが配置され、ＲＦ成分を受光する受光部には高利
得かつ低ＤＲのＩ−Ｖアンプが配置されている。
クタの各受光部には、それぞれＩ−Ｖアンプが配置され
ており、各Ｉ−Ｖアンプは各受光部で受光するサーボ成
分又はＲＦ成分に応じた特性を有するように設計されて
いる。すわなちサーボ成分を受光する受光部には低利得
かつ高ダイナミツクレンジ（以下ＤＲという）のＩ−Ｖ
アンプが配置され、ＲＦ成分を受光する受光部には高利
得かつ低ＤＲのＩ−Ｖアンプが配置されている。
【０００５】ところが、このように各受光部で受光する
受光成分に応じた特性を有するＩ−Ｖアンプを別々に設
計しなければならないため、それぞれの特性に応じたパ
ターンをチツプ上に形成しなければならず、手間がかか
ると共に光ピツクアツプを小型化するのが困難であると
いう問題があつた。このような問題点を解決するため、
サーボ成分及びＲＦ成分の検出に兼用し得るように高利
得かつ高ＤＲに設定されたＩ−Ｖアンプが実現されてお
り、このＩ−Ｖアンプを各受光部に配置して、チツプの
作製を容易にすると共に光ピツクアツプを小型化してい
るものがある。
受光成分に応じた特性を有するＩ−Ｖアンプを別々に設
計しなければならないため、それぞれの特性に応じたパ
ターンをチツプ上に形成しなければならず、手間がかか
ると共に光ピツクアツプを小型化するのが困難であると
いう問題があつた。このような問題点を解決するため、
サーボ成分及びＲＦ成分の検出に兼用し得るように高利
得かつ高ＤＲに設定されたＩ−Ｖアンプが実現されてお
り、このＩ−Ｖアンプを各受光部に配置して、チツプの
作製を容易にすると共に光ピツクアツプを小型化してい
るものがある。
【０００６】ところが光ピツクアツプを小型化するため
に、上述のようにＩ−ＶアンプをＲＦ成分及びサーボ成
分の検出に兼用し得る構成にした場合、光ピツクアツプ
（又はＩ−Ｖアンプ）を高電源電圧で駆動しなければな
らい。この場合、Ｉ−Ｖアンプの利得を下げてＤＲを圧
縮することにより光ピツクアツプ（又はＩ−Ｖアンプ）
の電源電圧を下げることができるが、ＲＦ成分とサーボ
成分の利得が同一になり、ＲＦ成分のＣ／Ｎが劣化する
という問題が生ずる。従つてこの種のＩ−Ｖアンプで
は、ＲＦ成分及びサーボ成分の検出に兼用し得、かつ低
電源電圧で駆動させることができないため、光学ピツク
アツプ装置を小型化すると同時に省電力化することが困
難であるという問題があつた。
に、上述のようにＩ−ＶアンプをＲＦ成分及びサーボ成
分の検出に兼用し得る構成にした場合、光ピツクアツプ
（又はＩ−Ｖアンプ）を高電源電圧で駆動しなければな
らい。この場合、Ｉ−Ｖアンプの利得を下げてＤＲを圧
縮することにより光ピツクアツプ（又はＩ−Ｖアンプ）
の電源電圧を下げることができるが、ＲＦ成分とサーボ
成分の利得が同一になり、ＲＦ成分のＣ／Ｎが劣化する
という問題が生ずる。従つてこの種のＩ−Ｖアンプで
は、ＲＦ成分及びサーボ成分の検出に兼用し得、かつ低
電源電圧で駆動させることができないため、光学ピツク
アツプ装置を小型化すると同時に省電力化することが困
難であるという問題があつた。
【０００７】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、ＲＦ成分及びサーボ成分の検出に兼用し得ると共に
省電力化し得る電流電圧変換回路を提案しようとするも
のである。
で、ＲＦ成分及びサーボ成分の検出に兼用し得ると共に
省電力化し得る電流電圧変換回路を提案しようとするも
のである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、光デイスクにレーザ光を照射して
得られる戻り光を検出して電流に変換する光検出器（１
１）より出力される受光電流（Ｉin、ｉin）を電圧に変
換する電流電圧変換回路（（２０）、（３０Ａ）、（３
０Ｂ）、（４０Ａ）、（４０Ｂ））において、受光電流
を電圧に変換して利得を与える演算増幅器構成でなる第
１の増幅手段（（２３）、（３３Ａ）、（３３Ｂ））
と、第１の増幅手段（（２３）、（３３Ａ）、（３３
Ｂ））より出力される電圧をＲＦ成分及びサーボ成分に
周波数分割し、当該ＲＦ成分及びサーボ成分を別個の利
得で増幅して加算又は減算する演算増幅器構成でなる第
２の増幅手段（（２４）、（２４Ａ）、（２４Ｂ）、
（４４Ａ）、（４４Ｂ））とを設けるようにした。
め本発明においては、光デイスクにレーザ光を照射して
得られる戻り光を検出して電流に変換する光検出器（１
１）より出力される受光電流（Ｉin、ｉin）を電圧に変
換する電流電圧変換回路（（２０）、（３０Ａ）、（３
０Ｂ）、（４０Ａ）、（４０Ｂ））において、受光電流
を電圧に変換して利得を与える演算増幅器構成でなる第
１の増幅手段（（２３）、（３３Ａ）、（３３Ｂ））
と、第１の増幅手段（（２３）、（３３Ａ）、（３３
Ｂ））より出力される電圧をＲＦ成分及びサーボ成分に
周波数分割し、当該ＲＦ成分及びサーボ成分を別個の利
得で増幅して加算又は減算する演算増幅器構成でなる第
２の増幅手段（（２４）、（２４Ａ）、（２４Ｂ）、
（４４Ａ）、（４４Ｂ））とを設けるようにした。
【０００９】
【作用】光検出器（１１）より出力される受光電流（Ｉ
in、ｉin）を第１の増幅手段（（２３）、（３３Ａ）、
（３３Ｂ））で電圧に変換して利得を与え、当該電圧を
第２の増幅手段（（２４）、（２４Ａ）、（２４Ｂ）、
（４４Ａ）、（４４Ｂ））でＲＦ成分及びサーボ成分に
周波数分割し、当該ＲＦ成分及びサーボ成分を別個の利
得で増幅して加算又は減算する。これにより、ＲＦ成分
及びサーボ成分の検出に兼用できると共に低電源電圧で
駆動し得る電流電圧変換回路を実現し得る。
in、ｉin）を第１の増幅手段（（２３）、（３３Ａ）、
（３３Ｂ））で電圧に変換して利得を与え、当該電圧を
第２の増幅手段（（２４）、（２４Ａ）、（２４Ｂ）、
（４４Ａ）、（４４Ｂ））でＲＦ成分及びサーボ成分に
周波数分割し、当該ＲＦ成分及びサーボ成分を別個の利
得で増幅して加算又は減算する。これにより、ＲＦ成分
及びサーボ成分の検出に兼用できると共に低電源電圧で
駆動し得る電流電圧変換回路を実現し得る。
【００１０】
【実施例】以下図面について、本発明の一実施例を詳述
する。
する。
【００１１】（１）光ピツクアツプの全体構成 図１において、１は全体として光ピツクアツプ装置の概
略構成を示している。光ピツクアツプ装置１において、
レーザ光源としてレーザダイオード２より射出されたレ
ーザ光は、回折格子でなるグレーテイングホルダ３を通
じてメインビームと２つのサブビームとに分離された
後、コリメータレンズ４を介して平行光に変換され、ビ
ームスプリツタ５を透過して立ち上げミラー６で折り曲
げられ、対物レンズ７を介して光デイスク（図示せず）
に入射する。
略構成を示している。光ピツクアツプ装置１において、
レーザ光源としてレーザダイオード２より射出されたレ
ーザ光は、回折格子でなるグレーテイングホルダ３を通
じてメインビームと２つのサブビームとに分離された
後、コリメータレンズ４を介して平行光に変換され、ビ
ームスプリツタ５を透過して立ち上げミラー６で折り曲
げられ、対物レンズ７を介して光デイスク（図示せず）
に入射する。
【００１２】光デイスクで反射して得られる戻り光は、
対物レンズ７を介して立ち上げミラー６で折り曲げられ
てビームスプリツタ５で反射した後、ウオラストンプリ
ズム８に入射する。ウオラストンプリズム８で戻り光は
さらに３つのビームに分離されて合計９つのビームに分
離され、コリメータレンズ９で平行光に変換された後、
マルチホルダ１０を介してフオトデイテクタ（ＰＤ）１
１に入射する。
対物レンズ７を介して立ち上げミラー６で折り曲げられ
てビームスプリツタ５で反射した後、ウオラストンプリ
ズム８に入射する。ウオラストンプリズム８で戻り光は
さらに３つのビームに分離されて合計９つのビームに分
離され、コリメータレンズ９で平行光に変換された後、
マルチホルダ１０を介してフオトデイテクタ（ＰＤ）１
１に入射する。
【００１３】ここでフオトデイテクタ１１のパターンを
図２に示す。図５に示すように、フオトデイテクタ１１
のパターンは、受光部１３〜１７でなり、受光部１４は
４分割構成の受光素子でなる。この場合、受光部１４の
受光素子Ａ〜Ｄで得られる受光量に基づき（Ａ＋Ｃ）−
（Ｂ＋Ｄ）を演算してフオーカスエラー信号を検出し、
受光部Ｅ及びＦの出力の差（Ｅ−Ｆ）を演算してトラツ
キングエラー信号を検出している。また受光部１６及び
受光部１７の出力の和（Ｉ＋Ｊ）を演算してピツト信号
（ＲＦ信号）を検出し、その差（Ｉ−Ｊ）を演算して光
磁気（ＭＯ）信号（ＲＦ信号）を検出している。
図２に示す。図５に示すように、フオトデイテクタ１１
のパターンは、受光部１３〜１７でなり、受光部１４は
４分割構成の受光素子でなる。この場合、受光部１４の
受光素子Ａ〜Ｄで得られる受光量に基づき（Ａ＋Ｃ）−
（Ｂ＋Ｄ）を演算してフオーカスエラー信号を検出し、
受光部Ｅ及びＦの出力の差（Ｅ−Ｆ）を演算してトラツ
キングエラー信号を検出している。また受光部１６及び
受光部１７の出力の和（Ｉ＋Ｊ）を演算してピツト信号
（ＲＦ信号）を検出し、その差（Ｉ−Ｊ）を演算して光
磁気（ＭＯ）信号（ＲＦ信号）を検出している。
【００１４】ここで各受光部Ａ〜Ｊで得られる受光電流
は、それぞれの受光部に設けられているＩ−Ｖアンプで
電圧に変換された後、後段の演算回路で上述のような加
算及び又は演算を行うことにより、それぞれの信号を得
るようになされている。
は、それぞれの受光部に設けられているＩ−Ｖアンプで
電圧に変換された後、後段の演算回路で上述のような加
算及び又は演算を行うことにより、それぞれの信号を得
るようになされている。
【００１５】（２）第１の実施例 図３において、２０は全体として本発明の第１の実施例
によるＩ−Ｖアンプを示している。Ｉ−Ｖアンプ２０は
それぞれ演算増幅器構成の前段アンプ２１及び後段アン
プ２２の２段構成でなり、前段アンプ２１ではＰＤ１１
の受光電流が電圧に変換され、この電圧は抵抗Ｒ１、コ
ンデンサＣ1 及び抵抗Ｒ２でなるローパスフイルタと、
コンデンサＣ２、抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４でなるハイパス
フイルタとによつて周波数分割された後、後段アンプ２
２でそれぞれに別個の利得が与えられて加算され、Ｉ−
Ｖアンプ出力として出力されるようになされている。
によるＩ−Ｖアンプを示している。Ｉ−Ｖアンプ２０は
それぞれ演算増幅器構成の前段アンプ２１及び後段アン
プ２２の２段構成でなり、前段アンプ２１ではＰＤ１１
の受光電流が電圧に変換され、この電圧は抵抗Ｒ１、コ
ンデンサＣ1 及び抵抗Ｒ２でなるローパスフイルタと、
コンデンサＣ２、抵抗Ｒ３及び抵抗Ｒ４でなるハイパス
フイルタとによつて周波数分割された後、後段アンプ２
２でそれぞれに別個の利得が与えられて加算され、Ｉ−
Ｖアンプ出力として出力されるようになされている。
【００１６】前段アンプ２１は反転増幅器２３及び抵抗
Ｒｆ１で構成されており、反転増幅器２３の反転入力端
子（−）にはフオトデイテクタ１１がアノードコモンに
接続されている。また反転増幅器２３の反転入力端子
（−）から反転増幅器２３の出力端子に抵抗Ｒｆ１が接
続され、非反転入力端子（＋）には基準電圧Ｖc が印加
される。また後段アンプ２２は反転増幅器２４及び抵抗
Ｒｆ２で構成されており、反転増幅器２４の出力端子か
ら反転入力端子（−）に抵抗Ｒｆ２が接続され、非反転
入力端子（＋）には基準電圧Ｖc が印加される。
Ｒｆ１で構成されており、反転増幅器２３の反転入力端
子（−）にはフオトデイテクタ１１がアノードコモンに
接続されている。また反転増幅器２３の反転入力端子
（−）から反転増幅器２３の出力端子に抵抗Ｒｆ１が接
続され、非反転入力端子（＋）には基準電圧Ｖc が印加
される。また後段アンプ２２は反転増幅器２４及び抵抗
Ｒｆ２で構成されており、反転増幅器２４の出力端子か
ら反転入力端子（−）に抵抗Ｒｆ２が接続され、非反転
入力端子（＋）には基準電圧Ｖc が印加される。
【００１７】またこの実施例においては、前段アンプ２
１及び後段アンプ２２の間にローパスフイルタ及びハイ
パスフイルタが設けられ、反転増幅器２３からの出力を
周波数分割して反転増幅器２４に出力するようになされ
ている。すなわちローパスフイルタを構成する抵抗Ｒ１
の一端が抵抗Ｒｆ１及び反転増幅器２３の出力端子間に
接続され、抵抗Ｒ１の他端はコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ
２の一端に接続されている。またコンデンサＣ１の他端
は接地に接続され、抵抗Ｒ２の他端は反転増幅器２４の
反転入力端子（−）及び抵抗Ｒｆ２間に接続されてい
る。
１及び後段アンプ２２の間にローパスフイルタ及びハイ
パスフイルタが設けられ、反転増幅器２３からの出力を
周波数分割して反転増幅器２４に出力するようになされ
ている。すなわちローパスフイルタを構成する抵抗Ｒ１
の一端が抵抗Ｒｆ１及び反転増幅器２３の出力端子間に
接続され、抵抗Ｒ１の他端はコンデンサＣ１及び抵抗Ｒ
２の一端に接続されている。またコンデンサＣ１の他端
は接地に接続され、抵抗Ｒ２の他端は反転増幅器２４の
反転入力端子（−）及び抵抗Ｒｆ２間に接続されてい
る。
【００１８】ハイパスフイルタを構成するコンデンサＣ
２の一端は抵抗Ｒｆ１及び反転増幅器２３の出力端子間
に接続され、コンデンサＣ２の他端は抵抗Ｒ３及び抵抗
Ｒ４の一端に接続されている。また抵抗Ｒ３の他端には
基準電圧Ｖc が印加され、抵抗Ｒ４の他端は反転増幅器
２４の反転入力端子（−）及び抵抗Ｒｆ２間に接続され
ている。ここで後段アンプ２２の抵抗Ｒｆ２は抵抗Ｒ１
＋抵抗Ｒ２に設定されている。以下、ＲＦ成分とサーボ
成分とに分けてＩ−Ｖアンプ２０の動作を説明する。ま
たｖ、ｉはＲＦ成分の電流、電圧を表し、Ｖ、Ｉはサー
ボ成分の電流、電圧を表す。
２の一端は抵抗Ｒｆ１及び反転増幅器２３の出力端子間
に接続され、コンデンサＣ２の他端は抵抗Ｒ３及び抵抗
Ｒ４の一端に接続されている。また抵抗Ｒ３の他端には
基準電圧Ｖc が印加され、抵抗Ｒ４の他端は反転増幅器
２４の反転入力端子（−）及び抵抗Ｒｆ２間に接続され
ている。ここで後段アンプ２２の抵抗Ｒｆ２は抵抗Ｒ１
＋抵抗Ｒ２に設定されている。以下、ＲＦ成分とサーボ
成分とに分けてＩ−Ｖアンプ２０の動作を説明する。ま
たｖ、ｉはＲＦ成分の電流、電圧を表し、Ｖ、Ｉはサー
ボ成分の電流、電圧を表す。
【００１９】以上の構成において、例えば図２の受光部
Ｅで受光された受光電流Ｉin及びｉinは反転増幅器２３
の反転入力端子（−）に入力され、電圧Ｖ及びｖに変換
されて反転増幅器２３より出力される。ここで反転増幅
器２３からの出力電圧Ｖ及びｖはそれぞれ次式
Ｅで受光された受光電流Ｉin及びｉinは反転増幅器２３
の反転入力端子（−）に入力され、電圧Ｖ及びｖに変換
されて反転増幅器２３より出力される。ここで反転増幅
器２３からの出力電圧Ｖ及びｖはそれぞれ次式
【数１】 によつて表される。すなわち前段アンプ２１では、ＲＦ
成分及びサーボ成分それぞれに利得Ｒｆ１が与えられ、
またサーボ成分には基準電圧Ｖc が加算され、電圧Ｖ及
びｖに変換されて反転増幅器２３より出力される。
成分及びサーボ成分それぞれに利得Ｒｆ１が与えられ、
またサーボ成分には基準電圧Ｖc が加算され、電圧Ｖ及
びｖに変換されて反転増幅器２３より出力される。
【００２０】反転増幅器２３より出力された電圧Ｖ及び
ｖはローパスフイルタ及びハイパスフイルタでサーボ成
分の電圧ＶとＲＦ成分の電圧ｖに周波数分割された後、
後段アンプ２２の反転増幅器２４の反転入力端子（−）
に入力され、それぞれに別個の利得が与えられて加算さ
れ、電圧Ｖout 及びｖout として反転増幅器２４の出力
端子より出力される。反転増幅器２４からの出力Ｖout
及びｖout は次式
ｖはローパスフイルタ及びハイパスフイルタでサーボ成
分の電圧ＶとＲＦ成分の電圧ｖに周波数分割された後、
後段アンプ２２の反転増幅器２４の反転入力端子（−）
に入力され、それぞれに別個の利得が与えられて加算さ
れ、電圧Ｖout 及びｖout として反転増幅器２４の出力
端子より出力される。反転増幅器２４からの出力Ｖout
及びｖout は次式
【数２】 によつて表すことができる。ここでＲｆ２＝Ｒ１＋Ｒ２
に設定されているので、後段アンプ２２から出力された
電圧Ｖには利得Ｒｆ１が与えられており、電圧ｖには利
得Ｒｆ１×Ｒｆ２／Ｒ４が与えられていることになる。
従つてサーボ成分のダイナミツクレンジを圧縮して低電
源電圧にするために利得Ｒｆ１を下げた場合でも、ＲＦ
成分の利得はＲｆ２／Ｒ４で相殺し得るので、ＲＦ成分
の利得は補償され、ＲＦ成分のＣ／Ｎの劣化を回避する
ことができる。
に設定されているので、後段アンプ２２から出力された
電圧Ｖには利得Ｒｆ１が与えられており、電圧ｖには利
得Ｒｆ１×Ｒｆ２／Ｒ４が与えられていることになる。
従つてサーボ成分のダイナミツクレンジを圧縮して低電
源電圧にするために利得Ｒｆ１を下げた場合でも、ＲＦ
成分の利得はＲｆ２／Ｒ４で相殺し得るので、ＲＦ成分
の利得は補償され、ＲＦ成分のＣ／Ｎの劣化を回避する
ことができる。
【００２１】以上の構成によれば、Ｉ−Ｖアンプ２０で
ＲＦ成分及びサーボ成分の検出を兼用し得るので、各受
光部Ａ〜ＪにＩ−Ｖアンプ２０を適用し得、従つて光ピ
ツクアツプ装置を小型化することができる。またＩ−Ｖ
アンプ２０の内部でＲＦ成分とサーボ成分に周波数分割
してＲＦ成分及びサーボ成分にそれぞれ別個に利得を与
えることができるので、ＲＦ成分のＣ／Ｎを劣化させず
にサーボ成分のダイナミツクレンジを圧縮することがで
き、従つて光ピツクアツプ装置の電源電圧を下げること
ができる。かくして光ピツクアツプ装置の小型化及び省
電力化を同時に実現し得るＩ−Ｖアンプを実現できる。
ＲＦ成分及びサーボ成分の検出を兼用し得るので、各受
光部Ａ〜ＪにＩ−Ｖアンプ２０を適用し得、従つて光ピ
ツクアツプ装置を小型化することができる。またＩ−Ｖ
アンプ２０の内部でＲＦ成分とサーボ成分に周波数分割
してＲＦ成分及びサーボ成分にそれぞれ別個に利得を与
えることができるので、ＲＦ成分のＣ／Ｎを劣化させず
にサーボ成分のダイナミツクレンジを圧縮することがで
き、従つて光ピツクアツプ装置の電源電圧を下げること
ができる。かくして光ピツクアツプ装置の小型化及び省
電力化を同時に実現し得るＩ−Ｖアンプを実現できる。
【００２２】（３）第２の実施例 図３との対応部分に同一符号を付して示す図４（Ａ）及
び（Ｂ）において、３０Ａ及び３０Ｂは全体として本発
明の第２の実施例によるＩ−Ｖアンプを示している。す
なわちＩ−Ｖアンプ３０Ａ及び３０Ｂでは、前段アンプ
３１Ａ及び３１Ｂを差動増幅器構成とし、差動増幅器３
３Ａ及び３３Ｂからの各出力をＲＦ成分及びサーボ成分
に割り当てており、後段アンプ２２Ａ及び２２ＢではＲ
Ｆ成分とサーボ成分とが逆相で加算されるようになされ
ている。
び（Ｂ）において、３０Ａ及び３０Ｂは全体として本発
明の第２の実施例によるＩ−Ｖアンプを示している。す
なわちＩ−Ｖアンプ３０Ａ及び３０Ｂでは、前段アンプ
３１Ａ及び３１Ｂを差動増幅器構成とし、差動増幅器３
３Ａ及び３３Ｂからの各出力をＲＦ成分及びサーボ成分
に割り当てており、後段アンプ２２Ａ及び２２ＢではＲ
Ｆ成分とサーボ成分とが逆相で加算されるようになされ
ている。
【００２３】Ｉ−Ｖアンプ３０Ａにおいて、差動増幅器
３３Ａはフオトデイテクタ１１で受光した受光電流を電
圧に変換して、出力端子Ｘ及びＹからそれぞれ逆相の電
圧を出力する。出力端子ＸはコンデンサＣ２に接続され
ており、当該出力端子Ｘより出力された電圧のうち、Ｒ
Ｆ成分である電圧はハイパスフイルタを通る。一方、出
力端子Ｙは抵抗Ｒｆ１を介して差動増幅器３３Ａの反転
入力端子（−）に接続されると共に抵抗Ｒ１に接続され
ており、出力端子Ｙより出力された電圧のうち、サーボ
成分である電圧がローパスフイルタを通る。このときＲ
Ｆ成分の電圧とサーボ成分の電圧は逆相になつている。
従つてＲＦ成分の電圧とサーボ成分の電圧は逆相で加算
され、その後反転増幅器２４Ａの反転入力端子（−）に
入力される。反転増幅器２４Ａでは、ＲＦ成分及びサー
ボ成分が反転され、それぞれに別個の利得が与えらて反
転増幅器２４Ａの出力端子から出力される。
３３Ａはフオトデイテクタ１１で受光した受光電流を電
圧に変換して、出力端子Ｘ及びＹからそれぞれ逆相の電
圧を出力する。出力端子ＸはコンデンサＣ２に接続され
ており、当該出力端子Ｘより出力された電圧のうち、Ｒ
Ｆ成分である電圧はハイパスフイルタを通る。一方、出
力端子Ｙは抵抗Ｒｆ１を介して差動増幅器３３Ａの反転
入力端子（−）に接続されると共に抵抗Ｒ１に接続され
ており、出力端子Ｙより出力された電圧のうち、サーボ
成分である電圧がローパスフイルタを通る。このときＲ
Ｆ成分の電圧とサーボ成分の電圧は逆相になつている。
従つてＲＦ成分の電圧とサーボ成分の電圧は逆相で加算
され、その後反転増幅器２４Ａの反転入力端子（−）に
入力される。反転増幅器２４Ａでは、ＲＦ成分及びサー
ボ成分が反転され、それぞれに別個の利得が与えらて反
転増幅器２４Ａの出力端子から出力される。
【００２４】Ｉ−Ｖアンプ３０Ｂにおいては、Ｉ−Ｖア
ンプ３０Ａとは逆に、差動増幅器３３Ｂの出力端子Ｘは
抵抗Ｒｆ１を介して差動増幅器３３Ｂの反転入力端子
（−）に接続されていると共に抵抗Ｒ１に接続されてい
る。出力端子Ｘより出力された電圧のうち、サーボ成分
である電圧がローパスフイルタを通る。一方出力端子Ｙ
はコンデンサＣ２に接続されており、出力端子Ｙより出
力された電圧のうち、ＲＦ成分である電圧がハイパスフ
イルタを通る。このときサーボ成分の電圧とＲＦ成分の
電圧は逆相となつている。従つてサーボ成分の電圧とＲ
Ｆ成分の電圧は逆相で加算され、その後反転増幅器２４
Ｂの反転入力端子（−）に入力される。反転増幅器２４
Ｂでは、ＲＦ成分及びサーボ成分が反転され、それぞれ
に別個の利得が与えらて反転増幅器２４Ｂから出力され
る。
ンプ３０Ａとは逆に、差動増幅器３３Ｂの出力端子Ｘは
抵抗Ｒｆ１を介して差動増幅器３３Ｂの反転入力端子
（−）に接続されていると共に抵抗Ｒ１に接続されてい
る。出力端子Ｘより出力された電圧のうち、サーボ成分
である電圧がローパスフイルタを通る。一方出力端子Ｙ
はコンデンサＣ２に接続されており、出力端子Ｙより出
力された電圧のうち、ＲＦ成分である電圧がハイパスフ
イルタを通る。このときサーボ成分の電圧とＲＦ成分の
電圧は逆相となつている。従つてサーボ成分の電圧とＲ
Ｆ成分の電圧は逆相で加算され、その後反転増幅器２４
Ｂの反転入力端子（−）に入力される。反転増幅器２４
Ｂでは、ＲＦ成分及びサーボ成分が反転され、それぞれ
に別個の利得が与えらて反転増幅器２４Ｂから出力され
る。
【００２５】ここでＩ−Ｖアンプ３０Ａにおいて、反転
増幅器２４Ａより出力されるＲＦ成分の電圧には利得Ｒ
ｆ１×Ｒｆ２／Ｒ４が与えられ、サーボ成分の電圧には
利得Ｒｆ１が与えられている。またＩ−Ｖアンプ３０Ｂ
においては、反転増幅器２４Ｂより出力されるＲＦ成分
の電圧には利得Ｒｆ１×Ｒｆ２／Ｒ４が与えられ、サー
ボ成分の電圧Ｖには利得Ｒｆ１が与えられている。従つ
て第１の実施例と同様にサーボ成分のダイナミツクレン
ジを圧縮して低電源電圧にするために利得Ｒｆ１を下げ
た場合でも、ＲＦ成分の利得はＲｆ２／Ｒ４で相殺し得
るので、ＲＦ成分の利得は補償され、ＲＦ成分のＣ／Ｎ
の劣化を回避することができる。
増幅器２４Ａより出力されるＲＦ成分の電圧には利得Ｒ
ｆ１×Ｒｆ２／Ｒ４が与えられ、サーボ成分の電圧には
利得Ｒｆ１が与えられている。またＩ−Ｖアンプ３０Ｂ
においては、反転増幅器２４Ｂより出力されるＲＦ成分
の電圧には利得Ｒｆ１×Ｒｆ２／Ｒ４が与えられ、サー
ボ成分の電圧Ｖには利得Ｒｆ１が与えられている。従つ
て第１の実施例と同様にサーボ成分のダイナミツクレン
ジを圧縮して低電源電圧にするために利得Ｒｆ１を下げ
た場合でも、ＲＦ成分の利得はＲｆ２／Ｒ４で相殺し得
るので、ＲＦ成分の利得は補償され、ＲＦ成分のＣ／Ｎ
の劣化を回避することができる。
【００２６】以上の構成によれば、第１の実施例と同様
の効果を得ることができると共に、反転増幅器２４Ａ及
び２４Ｂより出力される電圧は、ＲＦ成分及びサーボ成
分が逆相となつているので、Ｉ−Ｖアンプ３０Ａ又は３
０Ｂをフオトデイテクタ１１の各受光部Ａ〜Ｊに適用す
ることにより、後段の演算回路を全体として簡略化する
ことができるので、演算を効率よく行うことができる。
の効果を得ることができると共に、反転増幅器２４Ａ及
び２４Ｂより出力される電圧は、ＲＦ成分及びサーボ成
分が逆相となつているので、Ｉ−Ｖアンプ３０Ａ又は３
０Ｂをフオトデイテクタ１１の各受光部Ａ〜Ｊに適用す
ることにより、後段の演算回路を全体として簡略化する
ことができるので、演算を効率よく行うことができる。
【００２７】（４）第３の実施例 図４（Ａ）及び（Ｂ）との対応部分に同一符号付して示
す図５（Ａ）及び（Ｂ）において、４０Ａ及び４０Ｂは
第３の実施例によるＩ−Ｖアンプを示している。すなわ
ちＩ−Ｖアンプ４０Ａ及び４０Ｂでは、後段アンプ４２
Ａ及び４２Ｂを差動増幅器構成とし、差動増幅器３３Ａ
及び３３Ｂの差動出力と対応させて、ＲＦ成分及びサー
ボ成分が逆相で減算されるようになされている。
す図５（Ａ）及び（Ｂ）において、４０Ａ及び４０Ｂは
第３の実施例によるＩ−Ｖアンプを示している。すなわ
ちＩ−Ｖアンプ４０Ａ及び４０Ｂでは、後段アンプ４２
Ａ及び４２Ｂを差動増幅器構成とし、差動増幅器３３Ａ
及び３３Ｂの差動出力と対応させて、ＲＦ成分及びサー
ボ成分が逆相で減算されるようになされている。
【００２８】Ｉ−Ｖアンプ４０Ａにおいて、差動増幅器
３３Ａはフオトデイテクタ１１で受光した受光電流を電
圧に変換して、出力端子Ｘ及びＹからそれぞれ逆相の電
圧を出力する。出力端子ＸはコンデンサＣ２に接続され
ており、当該出力端子Ｘより出力された電圧のうち、Ｒ
Ｆ成分である電圧はハイパスフイルタを通つて減算回路
４４Ａの反転入力端子（−）に入力される。一方、出力
端子Ｙは抵抗Ｒｆ１を介して差動増幅器３３Ａの反転入
力端子（−）に接続されると共に抵抗Ｒ１に接続されて
おり、出力端子Ｙより出力された電圧のうち、サーボ成
分である電圧がローパスフイルタを通つて減算回路４４
Ａの非反転入力端子（＋）に入力される。このとき減算
回路４４Ａに入力されるＲＦ成分及びサーボ成分は逆相
となつている。従つて減算回路４４Ａでは、ＲＦ成分及
びサーボ成分が逆相で減算（すなわち同相で加算される
ことと同じことになる）され、それぞれに別個の利得が
与えらて出力される。
３３Ａはフオトデイテクタ１１で受光した受光電流を電
圧に変換して、出力端子Ｘ及びＹからそれぞれ逆相の電
圧を出力する。出力端子ＸはコンデンサＣ２に接続され
ており、当該出力端子Ｘより出力された電圧のうち、Ｒ
Ｆ成分である電圧はハイパスフイルタを通つて減算回路
４４Ａの反転入力端子（−）に入力される。一方、出力
端子Ｙは抵抗Ｒｆ１を介して差動増幅器３３Ａの反転入
力端子（−）に接続されると共に抵抗Ｒ１に接続されて
おり、出力端子Ｙより出力された電圧のうち、サーボ成
分である電圧がローパスフイルタを通つて減算回路４４
Ａの非反転入力端子（＋）に入力される。このとき減算
回路４４Ａに入力されるＲＦ成分及びサーボ成分は逆相
となつている。従つて減算回路４４Ａでは、ＲＦ成分及
びサーボ成分が逆相で減算（すなわち同相で加算される
ことと同じことになる）され、それぞれに別個の利得が
与えらて出力される。
【００２９】Ｉ−Ｖアンプ４０Ｂにおいては、Ｉ−Ｖア
ンプ４０Ａとは逆に、差動増幅器３３Ｂの出力端子Ｘは
抵抗Ｒｆ１を介して差動増幅器３３Ｂの反転入力端子
（−）に接続されていると共に抵抗Ｒ１に接続されてい
る。出力端子Ｘより出力された電圧のうち、サーボ成分
である電圧がローパスフイルタを介して減算回路４４Ｂ
の反転入力端子（−）に入力される。一方、出力端子Ｙ
はコンデンサＣ2 に接続されており、出力端子Ｙより出
力された電圧のうち、ＲＦ成分である電圧がハイパスフ
イルタを介して減算回路４４Ｂの非反転入力端子（＋）
に入力される。このとき減算回路４４Ｂに入力されるＲ
Ｆ成分及びサーボ成分は逆相となつている。従つて減算
回路４４Ｂでは、ＲＦ成分及びサーボ成分が逆相で減算
され、それぞれに別個の利得が与えられて出力される。
ンプ４０Ａとは逆に、差動増幅器３３Ｂの出力端子Ｘは
抵抗Ｒｆ１を介して差動増幅器３３Ｂの反転入力端子
（−）に接続されていると共に抵抗Ｒ１に接続されてい
る。出力端子Ｘより出力された電圧のうち、サーボ成分
である電圧がローパスフイルタを介して減算回路４４Ｂ
の反転入力端子（−）に入力される。一方、出力端子Ｙ
はコンデンサＣ2 に接続されており、出力端子Ｙより出
力された電圧のうち、ＲＦ成分である電圧がハイパスフ
イルタを介して減算回路４４Ｂの非反転入力端子（＋）
に入力される。このとき減算回路４４Ｂに入力されるＲ
Ｆ成分及びサーボ成分は逆相となつている。従つて減算
回路４４Ｂでは、ＲＦ成分及びサーボ成分が逆相で減算
され、それぞれに別個の利得が与えられて出力される。
【００３０】ここでＩ−Ｖアンプ４０Ａにおいて、減算
回路４４Ａの出力端子から出力されるＲＦ成分の電圧に
は利得Ｒｆ１×Ｒｆ２／Ｒ４が与えられ、サーボ成分の
電圧には利得Ｒｆ１が与えられている。またＩ−Ｖアン
プ４０Ｂにおいては、差動増幅器４４Ｂの出力端子から
出力されるＲＦ成分の電圧には利得Ｒｆ１×Ｒｆ２／Ｒ
４が与えられ、サーボ成分の電圧には利得Ｒｆ１が与え
られている。従つて第１の実施例と同様にサーボ成分の
ダイナミツクレンジを圧縮して低電源電圧にするために
利得Ｒｆ１を下げた場合でも、ＲＦ成分の利得はＲｆ２
／Ｒ４で相殺し得るので、ＲＦ成分の利得は補償され、
ＲＦ成分のＣ／Ｎの劣化を回避することができる。
回路４４Ａの出力端子から出力されるＲＦ成分の電圧に
は利得Ｒｆ１×Ｒｆ２／Ｒ４が与えられ、サーボ成分の
電圧には利得Ｒｆ１が与えられている。またＩ−Ｖアン
プ４０Ｂにおいては、差動増幅器４４Ｂの出力端子から
出力されるＲＦ成分の電圧には利得Ｒｆ１×Ｒｆ２／Ｒ
４が与えられ、サーボ成分の電圧には利得Ｒｆ１が与え
られている。従つて第１の実施例と同様にサーボ成分の
ダイナミツクレンジを圧縮して低電源電圧にするために
利得Ｒｆ１を下げた場合でも、ＲＦ成分の利得はＲｆ２
／Ｒ４で相殺し得るので、ＲＦ成分の利得は補償され、
ＲＦ成分のＣ／Ｎの劣化を回避することができる。
【００３１】以上の構成によれば、第１の実施例及び第
２の実施例と同様の効果を得ることができると共に、配
線時において、特にＲＦラインのノードが不必要に伸び
ず、ＲＦラインを個別化し得るので、第１の実施例及び
第２の実施例のＩ−Ｖアンプ２０、３０Ａ、３０Ｂに比
して耐ノイズ性を向上させることができる。
２の実施例と同様の効果を得ることができると共に、配
線時において、特にＲＦラインのノードが不必要に伸び
ず、ＲＦラインを個別化し得るので、第１の実施例及び
第２の実施例のＩ−Ｖアンプ２０、３０Ａ、３０Ｂに比
して耐ノイズ性を向上させることができる。
【００３２】（５）他の実施例 なお上述の実施例においては、フオトデイテクタ１１を
アノードコモンで反転増幅器２３、３３Ａ、３３Ｂの反
転入力端子（−）に接続した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、フオトデイテクタ１１をカソード
コモンで反転増幅器２３、３３Ａ、３３Ｂの反転入力端
子（−）に接続するようにしてもよい。
アノードコモンで反転増幅器２３、３３Ａ、３３Ｂの反
転入力端子（−）に接続した場合について述べたが、本
発明はこれに限らず、フオトデイテクタ１１をカソード
コモンで反転増幅器２３、３３Ａ、３３Ｂの反転入力端
子（−）に接続するようにしてもよい。
【００３３】また上述の実施例においては、Ｉ−Ｖアン
プ２０、３０Ａ、３０Ｂ、４０Ａ、４０Ｂをフオトデイ
テクタ１１の受光部Ａ〜Ｊに適用した場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、Ｉ−Ｖアンプ３０Ａ及び
３０Ｂ又はＩ−Ｖアンプ４０Ａ及び４０Ｂを、ＲＦ成分
を検出する受光部及びサーボ成分を検出する受光部に応
じて配置したり、カソードコモンに接続されたＩ−Ｖア
ンプ３０Ａとアノードコモンに接続されたＩ−Ｖアンプ
３０Ｂやカソードコモンに接続されたＩ−Ｖアンプ４０
Ａとアノードコモンに接続されたＩ−Ｖアンプ４０Ｂと
を、ＲＦ成分を検出する受光部及びサーボ成分を検出す
る受光部に応じて配置してもよい。
プ２０、３０Ａ、３０Ｂ、４０Ａ、４０Ｂをフオトデイ
テクタ１１の受光部Ａ〜Ｊに適用した場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、Ｉ−Ｖアンプ３０Ａ及び
３０Ｂ又はＩ−Ｖアンプ４０Ａ及び４０Ｂを、ＲＦ成分
を検出する受光部及びサーボ成分を検出する受光部に応
じて配置したり、カソードコモンに接続されたＩ−Ｖア
ンプ３０Ａとアノードコモンに接続されたＩ−Ｖアンプ
３０Ｂやカソードコモンに接続されたＩ−Ｖアンプ４０
Ａとアノードコモンに接続されたＩ−Ｖアンプ４０Ｂと
を、ＲＦ成分を検出する受光部及びサーボ成分を検出す
る受光部に応じて配置してもよい。
【００３４】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、光検出器
より出力される受光電流を第１の増幅手段で電圧に変換
して利得を与え、当該電圧を第２の増幅手段でＲＦ成分
及びサーボ成分に周波数分割し、当該ＲＦ成分及びサー
ボ成分を別個の利得で増幅して加算又は減算するように
したことにより、ＲＦ成分及びサーボ成分の検出に兼用
できると共に低電源電圧で駆動し得る電流電圧変換回路
を実現し得る。
より出力される受光電流を第１の増幅手段で電圧に変換
して利得を与え、当該電圧を第２の増幅手段でＲＦ成分
及びサーボ成分に周波数分割し、当該ＲＦ成分及びサー
ボ成分を別個の利得で増幅して加算又は減算するように
したことにより、ＲＦ成分及びサーボ成分の検出に兼用
できると共に低電源電圧で駆動し得る電流電圧変換回路
を実現し得る。
【図１】光ピツクアツプ装置の全体構成を示す略線図で
ある。
ある。
【図２】フオトデイテクタのパターンを示す略線図であ
る。
る。
【図３】本発明の第１の実施例によるＩ−Ｖアンプの構
成を示す回路図である。
成を示す回路図である。
【図４】本発明の第２の実施例によるＩ−Ｖアンプ
（Ａ）及び（Ｂ）の構成を示す回路図である。
（Ａ）及び（Ｂ）の構成を示す回路図である。
【図５】本発明の第３の実施例によるＩ−Ｖアンプ
（Ａ）及び（Ｂ）の構成を示す回路図である。
（Ａ）及び（Ｂ）の構成を示す回路図である。
１……光ピツクアツプ装置、２……レーザダイオード、
３……グレーテイングホルダ、４、９……コリメータレ
ンズ、５……ビームスプリツタ、６……立ち上げミラ
ー、７……対物レンズ、８……ウオラストンプリズム、
１０……マルチホルダ、１１……フオトデイテクタ、２
０、３０Ａ、３０Ｂ、４０Ａ、４０Ｂ……Ｉ−Ｖアン
プ、２１、３１Ａ、３１Ｂ……前段アンプ、２２、２２
Ａ、２２Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ……後段アンプ、２３、２
４、２４Ａ、２４Ｂ……反転増幅器、３３Ａ、３３Ｂ…
…差動増幅器、４４Ａ、４４Ｂ……減算回路。
３……グレーテイングホルダ、４、９……コリメータレ
ンズ、５……ビームスプリツタ、６……立ち上げミラ
ー、７……対物レンズ、８……ウオラストンプリズム、
１０……マルチホルダ、１１……フオトデイテクタ、２
０、３０Ａ、３０Ｂ、４０Ａ、４０Ｂ……Ｉ−Ｖアン
プ、２１、３１Ａ、３１Ｂ……前段アンプ、２２、２２
Ａ、２２Ｂ、４２Ａ、４２Ｂ……後段アンプ、２３、２
４、２４Ａ、２４Ｂ……反転増幅器、３３Ａ、３３Ｂ…
…差動増幅器、４４Ａ、４４Ｂ……減算回路。
Claims (4)
- 【請求項１】光デイスクにレーザ光を照射して得られる
戻り光を検出して電流に変換する光検出器より出力され
る受光電流を電圧に変換する電流電圧変換回路におい
て、 上記受光電流を電圧に変換して利得を与える演算増幅器
構成でなる第１の増幅手段と、 上記第１の増幅手段より出力される電圧をＲＦ成分及び
サーボ成分に周波数分割し、当該ＲＦ成分及びサーボ成
分を別個の利得で増幅して加算又は減算する演算増幅器
構成でなる第２の増幅手段とを具えることを特徴とする
電流電圧変換回路。 - 【請求項２】上記第１の増幅手段及び第２の増幅手段は
反転増幅器構成でなり、上記第１の増幅手段で上記受光
電流を電圧に変換して利得を与えた後、上記電圧を上記
ＲＦ成分及びサーボ成分に周波数分割して、上記第２の
増幅手段で当該ＲＦ成分及びサーボ成分を別個の利得で
増幅して加算するようにしたことを特徴とする請求項１
に記載の電流電圧変換回路。 - 【請求項３】上記第１の増幅手段は差動増幅器構成でな
り、上記第２の増幅手段は反転増幅器構成でなり、上記
差動増幅器で当該差動増幅器より出力される第１又は第
２の差動出力に利得を与えて上記第１及び第２の差動出
力を上記ＲＦ成分又はサーボ成分に対応させて加算した
後、上記反転増幅器で上記ＲＦ成分及びサーボ成分を別
個の利得で増幅するようにしたことを特徴とする請求項
１に記載の電流電圧変換回路。 - 【請求項４】上記第１の増幅手段は差動増幅器構成でな
り、上記第２の増幅手段は減算回路構成でなり、上記差
動増幅器で当該差動増幅器の第１又は第２の差動出力に
利得を与え、当該第１又は第２の差動出力を上記ＲＦ成
分又はサーボ成分に対応させて上記減算回路の第１又は
第２の入力とし、当該減算回路で上記ＲＦ成分及びサー
ボ成分を別個の利得で増幅して減算するようにしたこと
を特徴とする請求項１に記載の電流電圧変換回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17183594A JPH0817066A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 電流電圧変換回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17183594A JPH0817066A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 電流電圧変換回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817066A true JPH0817066A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15930643
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17183594A Pending JPH0817066A (ja) | 1994-06-29 | 1994-06-29 | 電流電圧変換回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0817066A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7737733B2 (en) | 2005-07-12 | 2010-06-15 | Rohm Co., Ltd. | Current-voltage conversion circuit |
-
1994
- 1994-06-29 JP JP17183594A patent/JPH0817066A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7737733B2 (en) | 2005-07-12 | 2010-06-15 | Rohm Co., Ltd. | Current-voltage conversion circuit |
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