JPH0817020A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0817020A JPH0817020A JP6149891A JP14989194A JPH0817020A JP H0817020 A JPH0817020 A JP H0817020A JP 6149891 A JP6149891 A JP 6149891A JP 14989194 A JP14989194 A JP 14989194A JP H0817020 A JPH0817020 A JP H0817020A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲヘッドのフラックスガイドを、容易に形
成でき、磁気特性に優れたものとすることにより、ＭＲ
ヘッドの製造工程を複雑化することなく、ＭＲヘッドの
再生出力を向上させることを目的とする。 【構成】 磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果
膜に効率よく導くためのフラックスガイド５を有して成
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記フラッ
クスガイド５を、パーマロイ膜５ｂとＴｉ膜５ｃを交互
に、パーマロイ膜５ｂが２層以上となるように積層され
た積層膜で構成する。なお、フラックスガイド５は、下
地層５ａと、前記下地層５ａ上に形成された前記積層膜
から構成してもよい。また、前記パーマロイ膜５ｂの膜
厚Ｔ１は０ｎｍ＜Ｔ１≦５０ｎｍ、前記Ｔｉ膜５ｃの膜
厚Ｔ２は０ｎｍ＜Ｔ２≦６ｎｍであることが好ましい。
成でき、磁気特性に優れたものとすることにより、ＭＲ
ヘッドの製造工程を複雑化することなく、ＭＲヘッドの
再生出力を向上させることを目的とする。 【構成】 磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果
膜に効率よく導くためのフラックスガイド５を有して成
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記フラッ
クスガイド５を、パーマロイ膜５ｂとＴｉ膜５ｃを交互
に、パーマロイ膜５ｂが２層以上となるように積層され
た積層膜で構成する。なお、フラックスガイド５は、下
地層５ａと、前記下地層５ａ上に形成された前記積層膜
から構成してもよい。また、前記パーマロイ膜５ｂの膜
厚Ｔ１は０ｎｍ＜Ｔ１≦５０ｎｍ、前記Ｔｉ膜５ｃの膜
厚Ｔ２は０ｎｍ＜Ｔ２≦６ｎｍであることが好ましい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの信
号磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果膜を用
い、その磁気抵抗効果膜の抵抗変化を再生出力電圧とし
て検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、特に
前記信号磁界を効率よく磁気抵抗効果膜に引き込むため
のフラックスガイドの改良に関する。
号磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果膜を用
い、その磁気抵抗効果膜の抵抗変化を再生出力電圧とし
て検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、特に
前記信号磁界を効率よく磁気抵抗効果膜に引き込むため
のフラックスガイドの改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体からの信号磁界によって抵
抗率が変化する磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と称す
る。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、媒体速
度が遅くても高再生出力が得られるという特徴を有して
おり、例えば、ハードディスク装置の小型大容量化を実
現する磁気ヘッドとして注目されている。
抗率が変化する磁気抵抗効果膜（以下、ＭＲ膜と称す
る。）の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称す
る。）は、その再生出力が媒体速度に依存せず、媒体速
度が遅くても高再生出力が得られるという特徴を有して
おり、例えば、ハードディスク装置の小型大容量化を実
現する磁気ヘッドとして注目されている。
【０００３】このようなＭＲヘッドにおいて、ＭＲ膜の
抵抗変化は磁気記録媒体からの信号磁界によるため、再
生信号出力を向上させるためには前記信号磁界が効率よ
くＭＲ膜に導かれることが望ましい。そこで、信号磁界
を効率よくＭＲ膜に導くために、ＭＲ膜に接するよう
に、磁性体薄膜よりなるフラックスガイドを配すること
が検討されている。
抵抗変化は磁気記録媒体からの信号磁界によるため、再
生信号出力を向上させるためには前記信号磁界が効率よ
くＭＲ膜に導かれることが望ましい。そこで、信号磁界
を効率よくＭＲ膜に導くために、ＭＲ膜に接するよう
に、磁性体薄膜よりなるフラックスガイドを配すること
が検討されている。
【０００４】このようなフラックスガイドとしては、例
えば、パーマロイメッキよりなるフラックスガイドや、
Ｔａとパーマロイの積層膜よりなるフラックスガイドが
提案されている。
えば、パーマロイメッキよりなるフラックスガイドや、
Ｔａとパーマロイの積層膜よりなるフラックスガイドが
提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、フラックス
ガイドの磁気特性は、信号磁界をより効率良くＭＲ膜に
導くために透磁率が高いことが望ましく、また、ＭＲ膜
から安定した再生出力を得るために磁気的に安定である
必要がある。さらに、このような磁気特性の条件を満た
しながら容易に形成できることがフラックスガイドには
求められる。
ガイドの磁気特性は、信号磁界をより効率良くＭＲ膜に
導くために透磁率が高いことが望ましく、また、ＭＲ膜
から安定した再生出力を得るために磁気的に安定である
必要がある。さらに、このような磁気特性の条件を満た
しながら容易に形成できることがフラックスガイドには
求められる。
【０００６】ところが、パーマロイより成るフラックス
ガイドでは、透磁率が１５００程度と低く、またフラッ
クスガイド面内に磁壁を持つために磁気的に不安定であ
る。
ガイドでは、透磁率が１５００程度と低く、またフラッ
クスガイド面内に磁壁を持つために磁気的に不安定であ
る。
【０００７】また、Ｔａとパーマロイの積層膜よりなる
フラックスガイドでは、フラックスガイドを単磁区化す
ることができるために、磁気的に安定で、且つ高い透磁
率が期待できるが、Ｔａは高融点材料なのでスパッタリ
ング等により成膜する必要があり、容易な成膜方法であ
る連続蒸着により成膜することは困難である。
フラックスガイドでは、フラックスガイドを単磁区化す
ることができるために、磁気的に安定で、且つ高い透磁
率が期待できるが、Ｔａは高融点材料なのでスパッタリ
ング等により成膜する必要があり、容易な成膜方法であ
る連続蒸着により成膜することは困難である。
【０００８】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、ＭＲヘッドのフラックス
ガイドを、容易に形成でき、磁気特性に優れたものとす
ることにより、ＭＲヘッドの製造工程を複雑化すること
なく、ＭＲヘッドの再生出力を向上させることを目的と
する。
鑑みて提案されたものであり、ＭＲヘッドのフラックス
ガイドを、容易に形成でき、磁気特性に優れたものとす
ることにより、ＭＲヘッドの製造工程を複雑化すること
なく、ＭＲヘッドの再生出力を向上させることを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明のＭＲヘッドは、磁気記録媒体からの信号磁
界を磁気抵抗効果膜に効率よく導くためのフラックスガ
イドを有して成るＭＲヘッドであって、前記フラックス
ガイドが、パーマロイ膜とＴｉ膜が交互に、パーマロイ
膜が２層以上となるように積層された積層膜を有するも
のである。
めに本発明のＭＲヘッドは、磁気記録媒体からの信号磁
界を磁気抵抗効果膜に効率よく導くためのフラックスガ
イドを有して成るＭＲヘッドであって、前記フラックス
ガイドが、パーマロイ膜とＴｉ膜が交互に、パーマロイ
膜が２層以上となるように積層された積層膜を有するも
のである。
【００１０】上記ＭＲヘッドのフラックスガイドは、通
常、ＭＲ素子等の上に所定の材料にて成膜した後、エッ
チングを施すことにより所定の形状に形成されるため、
フラックスガイドとＭＲ素子とのエッチング選択比が得
られるようにすることが望ましい。そこで、フラックス
ガイドの最下層に、ＭＲ素子とのエッチング選択比が得
られるＴａ等の下地層を形成することが好ましい。した
がって、上記フラックスガイドは、Ｔａよりなる下地層
と、前記下地層上に形成された前記積層膜から成ること
が好ましい。ただし、前記下地層は、ＭＲ素子とのエッ
チング選択比が得られるものであればよく、Ｔａに限定
されるものではない。
常、ＭＲ素子等の上に所定の材料にて成膜した後、エッ
チングを施すことにより所定の形状に形成されるため、
フラックスガイドとＭＲ素子とのエッチング選択比が得
られるようにすることが望ましい。そこで、フラックス
ガイドの最下層に、ＭＲ素子とのエッチング選択比が得
られるＴａ等の下地層を形成することが好ましい。した
がって、上記フラックスガイドは、Ｔａよりなる下地層
と、前記下地層上に形成された前記積層膜から成ること
が好ましい。ただし、前記下地層は、ＭＲ素子とのエッ
チング選択比が得られるものであればよく、Ｔａに限定
されるものではない。
【００１１】また、上記ＭＲヘッドのフラックスガイド
において、パーマロイ膜の膜厚Ｔ１は、厚すぎるとフラ
ックスガイドに磁壁が生じてしまい単磁区化が達成され
なくなってしまうため、５０ｎｍ以下とすることが好ま
しい。また、Ｔｉ膜の膜厚Ｔ２は、パーマロイ膜の軟磁
気特性を維持するために薄い方がよく、具体的には６ｎ
ｍ以下とすることが好ましい。したがって、上記フラッ
クスガイドは、パーマロイ膜の膜厚Ｔ１が０ｎｍ＜Ｔ１
≦５０ｎｍ、かつＴｉ膜の膜厚Ｔ２が０ｎｍ＜Ｔ２≦６
ｎｍであることが好ましい。
において、パーマロイ膜の膜厚Ｔ１は、厚すぎるとフラ
ックスガイドに磁壁が生じてしまい単磁区化が達成され
なくなってしまうため、５０ｎｍ以下とすることが好ま
しい。また、Ｔｉ膜の膜厚Ｔ２は、パーマロイ膜の軟磁
気特性を維持するために薄い方がよく、具体的には６ｎ
ｍ以下とすることが好ましい。したがって、上記フラッ
クスガイドは、パーマロイ膜の膜厚Ｔ１が０ｎｍ＜Ｔ１
≦５０ｎｍ、かつＴｉ膜の膜厚Ｔ２が０ｎｍ＜Ｔ２≦６
ｎｍであることが好ましい。
【００１２】なお、本発明のＭＲヘッドは、フラックス
ガイドを有するＭＲヘッドであれば、どのようなＭＲヘ
ッドでもよく、例えば、ＭＲ膜にバイアス磁界を印加す
るバイアス導体を有するＭＲヘッドや、ＭＲ膜とバイア
ス導体が直列に接続されたＭＲヘッド等であってもよ
い。また、本発明のＭＲヘッドは、単独で用いて再生専
用としてもよいし、誘導型薄膜磁気ヘッドのように記録
が行える磁気ヘッドと一体化して複合型ヘッドとしても
よい。
ガイドを有するＭＲヘッドであれば、どのようなＭＲヘ
ッドでもよく、例えば、ＭＲ膜にバイアス磁界を印加す
るバイアス導体を有するＭＲヘッドや、ＭＲ膜とバイア
ス導体が直列に接続されたＭＲヘッド等であってもよ
い。また、本発明のＭＲヘッドは、単独で用いて再生専
用としてもよいし、誘導型薄膜磁気ヘッドのように記録
が行える磁気ヘッドと一体化して複合型ヘッドとしても
よい。
【００１３】
【作用】フラックスガイドをパーマロイ膜とＴｉ膜の積
層膜で構成することにより、フラックスガイドを単磁区
化することができ磁気的に安定なものになるともに、高
い透磁率が得られるようになる。
層膜で構成することにより、フラックスガイドを単磁区
化することができ磁気的に安定なものになるともに、高
い透磁率が得られるようになる。
【００１４】また、パーマロイとＴｉの融点は共に１５
００℃程度であるため、フラックスガイドを構成する積
層膜の成膜を連続蒸着により容易に行うことができる。
００℃程度であるため、フラックスガイドを構成する積
層膜の成膜を連続蒸着により容易に行うことができる。
【００１５】
【実施例】本発明を適用したＭＲヘッドの実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【００１６】実施例１ 本実施例のＭＲヘッドは、ＭＲ膜にバイアス磁界を印加
するバイアス導体をＭＲ膜の上に配して成るＭＲヘッド
である。
するバイアス導体をＭＲ膜の上に配して成るＭＲヘッド
である。
【００１７】上記ＭＲヘッドは、図１に示すように、磁
性体よりなる下部シールド層１と、前記下部シールド層
１上に形成される非磁性体よりなる下部ギャップ層２
と、前記下部ギャップ層２上の端部に形成されるＭＲ膜
３と、前記ＭＲ膜３の先端部（磁気記録媒体摺動面側）
の上に形成される非磁性体より成る上部ギャップ層４
と、前記ＭＲ膜３の後端部に一部が重なるように形成さ
れるフラックスガイド５と、前記ＭＲ膜３及び前記フラ
ックスガイド５上に形成される絶縁層６と、前記絶縁層
６の内部に前記ＭＲ膜３上を横切るように配されるバイ
アス導体７と、前記上部ギャップ層４及び前記絶縁層６
上に形成される磁性体より成る上部シールド層８より成
る。
性体よりなる下部シールド層１と、前記下部シールド層
１上に形成される非磁性体よりなる下部ギャップ層２
と、前記下部ギャップ層２上の端部に形成されるＭＲ膜
３と、前記ＭＲ膜３の先端部（磁気記録媒体摺動面側）
の上に形成される非磁性体より成る上部ギャップ層４
と、前記ＭＲ膜３の後端部に一部が重なるように形成さ
れるフラックスガイド５と、前記ＭＲ膜３及び前記フラ
ックスガイド５上に形成される絶縁層６と、前記絶縁層
６の内部に前記ＭＲ膜３上を横切るように配されるバイ
アス導体７と、前記上部ギャップ層４及び前記絶縁層６
上に形成される磁性体より成る上部シールド層８より成
る。
【００１８】上記下部シールド層１、下部ギャップ層
２、上部ギャップ層４、及び上部シールド層８は、磁気
記録媒体からの信号磁界のうち、再生対象外の磁界がＭ
Ｒ膜３に引き込まれないようにするためのものである。
すなわち、下部シールド層１及び上部シールド層８が、
ＭＲ膜３の上下に下部ギャップ層２及び上部ギャップ層
４を介して配されているため、磁気記録媒体からの信号
磁界のうち、再生対象以外の磁界は下部シールド層１及
び上部シールド層８に導かれ、再生対象の磁界だけがＭ
Ｒ膜３に引き込まれる。
２、上部ギャップ層４、及び上部シールド層８は、磁気
記録媒体からの信号磁界のうち、再生対象外の磁界がＭ
Ｒ膜３に引き込まれないようにするためのものである。
すなわち、下部シールド層１及び上部シールド層８が、
ＭＲ膜３の上下に下部ギャップ層２及び上部ギャップ層
４を介して配されているため、磁気記録媒体からの信号
磁界のうち、再生対象以外の磁界は下部シールド層１及
び上部シールド層８に導かれ、再生対象の磁界だけがＭ
Ｒ膜３に引き込まれる。
【００１９】上記ＭＲ膜３の両端部には、このＭＲ膜３
にセンス電流を供給するための電極が配される。なお、
これらの電極のうち、ＭＲ膜３の先端部側の電極は、上
部ギャップ層４を導電性を有する非磁性体で形成して、
この上部ギャップ層４が先端部側の電極を兼ねるように
してもよい。また、ＭＲ膜３の後端部側の電極は、フラ
ックスガイド５上に形成しても、フラックスガイド５が
後端部側電極を兼ねるようにしてもよい。
にセンス電流を供給するための電極が配される。なお、
これらの電極のうち、ＭＲ膜３の先端部側の電極は、上
部ギャップ層４を導電性を有する非磁性体で形成して、
この上部ギャップ層４が先端部側の電極を兼ねるように
してもよい。また、ＭＲ膜３の後端部側の電極は、フラ
ックスガイド５上に形成しても、フラックスガイド５が
後端部側電極を兼ねるようにしてもよい。
【００２０】上記フラックスガイド５は、図２に示すよ
うに、ＭＲ膜３の後端部に一部が重なるように、ＭＲ膜
３及び下部ギャップ層２上に形成され、Ｔａよりなる下
地層５ａと、前記下地層５ａ上に形成されるパーマロイ
膜５ｂとＴｉ膜５ｃの積層膜からなる。前記積層膜は、
パーマロイ膜５ｂが２層以上となるように、且つ最下層
及び最上層がパーマロイ膜５ｂと成るように積層され
る。そして、前記パーマロイ膜５ｂの膜厚Ｔ１は０ｎｍ
＜Ｔ１≦５０ｎｍ、前記Ｔｉ膜５ｃの膜厚Ｔ２は０ｎｍ
＜Ｔ２≦６ｎｍとされる。なお、前記積層膜全体の膜厚
Ｔ３は１００ｎｍ≦Ｔ３≦５００ｎｍ程度が好ましい。
うに、ＭＲ膜３の後端部に一部が重なるように、ＭＲ膜
３及び下部ギャップ層２上に形成され、Ｔａよりなる下
地層５ａと、前記下地層５ａ上に形成されるパーマロイ
膜５ｂとＴｉ膜５ｃの積層膜からなる。前記積層膜は、
パーマロイ膜５ｂが２層以上となるように、且つ最下層
及び最上層がパーマロイ膜５ｂと成るように積層され
る。そして、前記パーマロイ膜５ｂの膜厚Ｔ１は０ｎｍ
＜Ｔ１≦５０ｎｍ、前記Ｔｉ膜５ｃの膜厚Ｔ２は０ｎｍ
＜Ｔ２≦６ｎｍとされる。なお、前記積層膜全体の膜厚
Ｔ３は１００ｎｍ≦Ｔ３≦５００ｎｍ程度が好ましい。
【００２１】実施例２ 本実施例のＭＲヘッドは、ＭＲ膜にバイアス磁界を印加
するバイアス導体をＭＲ膜の下に配して成るＭＲヘッド
である。
するバイアス導体をＭＲ膜の下に配して成るＭＲヘッド
である。
【００２２】上記ＭＲヘッドは、図３に示すように、磁
性体よりなる下部シールド層１１と、後述するＭＲ膜１
３の下に対応する位置に前記下部シールド層１１に形成
される溝１１ａと、前記溝１１ａの内部に形成される第
１の絶縁層１６ａと、前記第１の絶縁層１６ａの内部に
後述するＭＲ膜１３の下を横切るように配されるバイア
ス導体１７と、前記下部シールド層１１及び前記第１の
絶縁層１６ａ上に形成される非磁性体よりなる下部ギャ
ップ層１２と、前記下部ギャップ層１２上の端部に形成
されるＭＲ膜１３と、前記ＭＲ膜１３の先端部（磁気記
録媒体摺動面側）に形成される非磁性体より成る上部ギ
ャップ層１４と、ＭＲ膜１３の後端部に一部が重なるよ
うに形成されるフラックスガイド１５と、前記ＭＲ膜１
３及び前記フラックスガイド１５上に形成される第２の
絶縁層１６ｂと、前記上部ギャップ層１４及び前記第２
の絶縁層１６ｂ上に形成される磁性体より成る上部シー
ルド層１８より成る。
性体よりなる下部シールド層１１と、後述するＭＲ膜１
３の下に対応する位置に前記下部シールド層１１に形成
される溝１１ａと、前記溝１１ａの内部に形成される第
１の絶縁層１６ａと、前記第１の絶縁層１６ａの内部に
後述するＭＲ膜１３の下を横切るように配されるバイア
ス導体１７と、前記下部シールド層１１及び前記第１の
絶縁層１６ａ上に形成される非磁性体よりなる下部ギャ
ップ層１２と、前記下部ギャップ層１２上の端部に形成
されるＭＲ膜１３と、前記ＭＲ膜１３の先端部（磁気記
録媒体摺動面側）に形成される非磁性体より成る上部ギ
ャップ層１４と、ＭＲ膜１３の後端部に一部が重なるよ
うに形成されるフラックスガイド１５と、前記ＭＲ膜１
３及び前記フラックスガイド１５上に形成される第２の
絶縁層１６ｂと、前記上部ギャップ層１４及び前記第２
の絶縁層１６ｂ上に形成される磁性体より成る上部シー
ルド層１８より成る。
【００２３】本実施例のＭＲヘッドは、上述のようにバ
イアス導体１７をＭＲ膜１３の下に配する以外は、実施
例１のＭＲヘッドと同様に構成される。
イアス導体１７をＭＲ膜１３の下に配する以外は、実施
例１のＭＲヘッドと同様に構成される。
【００２４】フラックスガイドの評価 上述のようにＭＲヘッドに用いられるフラックスガイド
について磁気特性を評価した。評価には、Ｔａよりなる
下地層上に膜厚５０ｎｍのパーマロイと膜厚５ｎｍのＴ
ｉを６層積層して形成したフラックスガイドを用いた。
について磁気特性を評価した。評価には、Ｔａよりなる
下地層上に膜厚５０ｎｍのパーマロイと膜厚５ｎｍのＴ
ｉを６層積層して形成したフラックスガイドを用いた。
【００２５】まず、上記フラックスガイドの磁化曲線を
調べた。図４に容易軸方向の磁化曲線、図５に困難軸方
向の磁化曲線を示す。この結果、容易軸方向の保磁力Ｈ
ｃは０．３３Ｏｅ、困難軸方向の保磁力Ｈｃは０．２４
Ｏｅであった。なお、通常のパーマロイでは保磁力Ｈｃ
は２Ｏｅ程度である。したがって、本フラックスガイド
は、軟磁気特性に優れていると言える。
調べた。図４に容易軸方向の磁化曲線、図５に困難軸方
向の磁化曲線を示す。この結果、容易軸方向の保磁力Ｈ
ｃは０．３３Ｏｅ、困難軸方向の保磁力Ｈｃは０．２４
Ｏｅであった。なお、通常のパーマロイでは保磁力Ｈｃ
は２Ｏｅ程度である。したがって、本フラックスガイド
は、軟磁気特性に優れていると言える。
【００２６】次に、上記フラックスガイドの透磁率の周
波数特性について調べた。結果を図６に示す。なお、図
６には、として上記フラックスガイドの透磁率の周波
数特性の測定結果を示すとともに、比較のために、と
して通常のパーマロイの透磁率の周波数特性についても
記載した。図６から、上記フラックスガイドは、通常の
パーマロイに比べて高透磁率であるととも、高周波数領
域においても安定であることがわかる。したがって、こ
のフラックスガイドを用いれば、記録信号の周波数が高
くなっても、磁界をＭＲ膜に安定して引き込むことがで
きる。
波数特性について調べた。結果を図６に示す。なお、図
６には、として上記フラックスガイドの透磁率の周波
数特性の測定結果を示すとともに、比較のために、と
して通常のパーマロイの透磁率の周波数特性についても
記載した。図６から、上記フラックスガイドは、通常の
パーマロイに比べて高透磁率であるととも、高周波数領
域においても安定であることがわかる。したがって、こ
のフラックスガイドを用いれば、記録信号の周波数が高
くなっても、磁界をＭＲ膜に安定して引き込むことがで
きる。
【００２７】次に、実際に上記のようなフラックスガイ
ドをＭＲヘッドに適用した場合の効果についてシミュレ
ーションを行った。結果を図７に示す。図７において、
縦軸は磁場強度Ｍを示し、横軸はＭＲヘッドの磁気記録
媒体摺動面からの奥行き方向の位置を示しており、は
磁気記録媒体摺動面からの奥行き方向の位置が３μｍ以
上の位置にフラックスガイドを配した場合、は磁気記
録媒体摺動面からの奥行き方向の位置が６μｍ以上の位
置にフラックスガイドを配した場合、は磁気記録媒体
摺動面からの奥行き方向の位置が１０μｍ以上の位置に
フラックスガイドを配した場合、はフラックスガイド
を配さなかった場合である。この結果から、フラックス
ガイドを配することにより、磁界が効率よくＭＲヘッド
内に引き込まれるようになることが判る。また、フラッ
クスガイドを配することにより、磁気記録媒体摺動面近
傍での磁場強度Ｍが強くなるため、ＭＲ膜の奥行き方向
の長さを短くしても、充分な磁界がＭＲ膜に導かれるよ
うになる。したがって、ＭＲ膜の長さを短くしてインピ
ーダンスを減少させることにより、ＭＲヘッドの再生効
率を向上させることができる。
ドをＭＲヘッドに適用した場合の効果についてシミュレ
ーションを行った。結果を図７に示す。図７において、
縦軸は磁場強度Ｍを示し、横軸はＭＲヘッドの磁気記録
媒体摺動面からの奥行き方向の位置を示しており、は
磁気記録媒体摺動面からの奥行き方向の位置が３μｍ以
上の位置にフラックスガイドを配した場合、は磁気記
録媒体摺動面からの奥行き方向の位置が６μｍ以上の位
置にフラックスガイドを配した場合、は磁気記録媒体
摺動面からの奥行き方向の位置が１０μｍ以上の位置に
フラックスガイドを配した場合、はフラックスガイド
を配さなかった場合である。この結果から、フラックス
ガイドを配することにより、磁界が効率よくＭＲヘッド
内に引き込まれるようになることが判る。また、フラッ
クスガイドを配することにより、磁気記録媒体摺動面近
傍での磁場強度Ｍが強くなるため、ＭＲ膜の奥行き方向
の長さを短くしても、充分な磁界がＭＲ膜に導かれるよ
うになる。したがって、ＭＲ膜の長さを短くしてインピ
ーダンスを減少させることにより、ＭＲヘッドの再生効
率を向上させることができる。
【００２８】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、フラックスガイドを単磁区化することができ磁
気的に安定なものになるともに、高い透磁率（３０００
程度）が得られるようになる。したがって、磁気記録媒
体からの信号磁界を効率よく安定してＭＲ膜に引き込む
ことができるため、ＭＲヘッドの再生出力を安定的に向
上させることができる。
よれば、フラックスガイドを単磁区化することができ磁
気的に安定なものになるともに、高い透磁率（３０００
程度）が得られるようになる。したがって、磁気記録媒
体からの信号磁界を効率よく安定してＭＲ膜に引き込む
ことができるため、ＭＲヘッドの再生出力を安定的に向
上させることができる。
【００２９】特に、本発明で用いるフラックスガイド
は、数１０ＭＨｚという高い周波数領域においても安定
して高い透磁率が維持される。したがって、磁気記録媒
体の記録信号の周波数が高くなっても、フラックスガイ
ドによるＭＲ膜への磁界の引き込み効果が安定して得ら
れる
は、数１０ＭＨｚという高い周波数領域においても安定
して高い透磁率が維持される。したがって、磁気記録媒
体の記録信号の周波数が高くなっても、フラックスガイ
ドによるＭＲ膜への磁界の引き込み効果が安定して得ら
れる
【００３０】また、本発明で用いるフラックスガイド
は、パーマロイとＴｉより成る積層膜を有するが、パー
マロイとＴｉの融点は共に１５００℃程度であるため、
積層膜の成膜を連続蒸着により容易に行うことができ
る。したがって、ＭＲヘッドの製造工程を複雑化するこ
となく、優れたフラックスガイドの効果が得られるよう
になる。なお、フラックスガイドの形成は、もちろん連
続蒸着に限られるものではなく、スパッタリング法等に
よっても行える。したがって、ＭＲヘッドの製造プロセ
スに合わせて、適当な方法でフラックスガイドを成膜す
ることができる。
は、パーマロイとＴｉより成る積層膜を有するが、パー
マロイとＴｉの融点は共に１５００℃程度であるため、
積層膜の成膜を連続蒸着により容易に行うことができ
る。したがって、ＭＲヘッドの製造工程を複雑化するこ
となく、優れたフラックスガイドの効果が得られるよう
になる。なお、フラックスガイドの形成は、もちろん連
続蒸着に限られるものではなく、スパッタリング法等に
よっても行える。したがって、ＭＲヘッドの製造プロセ
スに合わせて、適当な方法でフラックスガイドを成膜す
ることができる。
【図１】本発明を適用したＭＲヘッドの一例を示す横断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示すＭＲヘッドのフラックスガイド部分
の要部拡大横断面図である。
の要部拡大横断面図である。
【図３】本発明を適用したＭＲヘッドの他の例を示す横
断面図である。
断面図である。
【図４】本発明を適用したＭＲヘッドに用いられるフラ
ックスガイドの容易軸方向の磁化曲線の一例を示す特性
図である。
ックスガイドの容易軸方向の磁化曲線の一例を示す特性
図である。
【図５】本発明を適用したＭＲヘッドに用いられるフラ
ックスガイドの困難軸方向の磁化曲線の一例を示す特性
図である。
ックスガイドの困難軸方向の磁化曲線の一例を示す特性
図である。
【図６】本発明を適用したＭＲヘッドに用いられるフラ
ックスガイドの透磁率の周波数特性の一例を示す特性図
である。
ックスガイドの透磁率の周波数特性の一例を示す特性図
である。
【図７】本発明を適用したＭＲヘッド内の磁場強度の分
布をシミュレーションした結果を示すグラフである。
布をシミュレーションした結果を示すグラフである。
１，１１ 下部シールド層 ２，１２ 下部ギャップ層 ３，１３ ＭＲ膜 ４，１４ 上部ギャップ層 ５，１５ フラックスガイド ６，１６ａ，１６ｂ 絶縁層 ７，１７ バイアス導体 ８，１８ 上部シールド層 ５ａ 下地層 ５ｂ パーマロイ膜 ５ｃ Ｔｉ膜
Claims (3)
- 【請求項１】 磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗
効果膜に効率よく導くためのフラックスガイドを有して
成る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記フラックスガイドが、パーマロイ膜とＴｉ膜が交互
に、パーマロイ膜が２層以上となるように積層された積
層膜を有することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項２】 前記フラックスガイドが、Ｔａよりなる
下地層と、前記下地層上に形成された前記積層膜から成
ることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項３】 前記パーマロイ膜の膜厚Ｔ１が０ｎｍ＜
Ｔ１≦５０ｎｍ、かつ前記Ｔｉ膜の膜厚Ｔ２が０ｎｍ＜
Ｔ２≦６ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記
載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6149891A JPH0817020A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
| US08/483,793 US5617276A (en) | 1994-06-30 | 1995-06-07 | Magneto-resistance effect thin-film magnetic head having a laminated flux guide of permalloy and titanium films |
| DE69516215T DE69516215T2 (de) | 1994-06-30 | 1995-06-28 | Magneto-Widerstandseffekt-Dünnfilmmagnetkopf |
| EP95110109A EP0690438B1 (en) | 1994-06-30 | 1995-06-28 | Magneto-resistance effect thin-film magnetic head |
| KR1019950018030A KR960002146A (ko) | 1994-06-30 | 1995-06-29 | 자기저항효과형 박막자기헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6149891A JPH0817020A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0817020A true JPH0817020A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15484895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6149891A Withdrawn JPH0817020A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5617276A (ja) |
| EP (1) | EP0690438B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0817020A (ja) |
| KR (1) | KR960002146A (ja) |
| DE (1) | DE69516215T2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6583967B2 (en) | 2000-06-30 | 2003-06-24 | Tdk Corporation | Thin-film magnetic head and method of manufacturing same |
| US7057864B2 (en) | 2001-07-10 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for achieving physical connection between the flux guide and the free layer and that insulates the flux guide from the shields |
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| KR20020021087A (ko) * | 1999-04-14 | 2002-03-18 | 추후 | 자체-정합 자기소거-필드 밸런스 부재를 사용한 고감도스핀 밸브 헤드 |
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| JP2002260204A (ja) * | 2001-02-27 | 2002-09-13 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド |
| US6680830B2 (en) | 2001-05-31 | 2004-01-20 | International Business Machines Corporation | Tunnel valve sensor and flux guide with improved flux transfer therebetween |
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| US7382574B2 (en) * | 2004-12-06 | 2008-06-03 | Seagate Technology Llc | Layered perpendicular writer with pole tip partially embedded in yoke |
| US7352540B1 (en) * | 2004-12-20 | 2008-04-01 | Storage Technology Corporation | Giant magneto-resistive (GMR) transducer having separation structure separating GMR sensor from head-tape interface |
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| NL8102148A (nl) * | 1981-05-01 | 1982-12-01 | Philips Nv | Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. |
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-
1994
- 1994-06-30 JP JP6149891A patent/JPH0817020A/ja not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-06-07 US US08/483,793 patent/US5617276A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-28 EP EP95110109A patent/EP0690438B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-28 DE DE69516215T patent/DE69516215T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-29 KR KR1019950018030A patent/KR960002146A/ko not_active Application Discontinuation
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| US7237322B2 (en) | 2001-07-10 | 2007-07-03 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for making a tunnel valve head with a flux guide |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR960002146A (ko) | 1996-01-26 |
| DE69516215D1 (de) | 2000-05-18 |
| US5617276A (en) | 1997-04-01 |
| DE69516215T2 (de) | 2000-10-19 |
| EP0690438A2 (en) | 1996-01-03 |
| EP0690438B1 (en) | 2000-04-12 |
| EP0690438A3 (en) | 1996-06-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |