JPH0817020A - 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH0817020A JPH0817020A JP6149891A JP14989194A JPH0817020A JP H0817020 A JPH0817020 A JP H0817020A JP 6149891 A JP6149891 A JP 6149891A JP 14989194 A JP14989194 A JP 14989194A JP H0817020 A JPH0817020 A JP H0817020A
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- magnetic
- permalloy
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 MRヘッドのフラックスガイドを、容易に形
成でき、磁気特性に優れたものとすることにより、MR
ヘッドの製造工程を複雑化することなく、MRヘッドの
再生出力を向上させることを目的とする。 【構成】 磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果
膜に効率よく導くためのフラックスガイド5を有して成
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記フラッ
クスガイド5を、パーマロイ膜5bとTi膜5cを交互
に、パーマロイ膜5bが2層以上となるように積層され
た積層膜で構成する。なお、フラックスガイド5は、下
地層5aと、前記下地層5a上に形成された前記積層膜
から構成してもよい。また、前記パーマロイ膜5bの膜
厚T1は0nm<T1≦50nm、前記Ti膜5cの膜
厚T2は0nm<T2≦6nmであることが好ましい。
成でき、磁気特性に優れたものとすることにより、MR
ヘッドの製造工程を複雑化することなく、MRヘッドの
再生出力を向上させることを目的とする。 【構成】 磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗効果
膜に効率よく導くためのフラックスガイド5を有して成
る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、前記フラッ
クスガイド5を、パーマロイ膜5bとTi膜5cを交互
に、パーマロイ膜5bが2層以上となるように積層され
た積層膜で構成する。なお、フラックスガイド5は、下
地層5aと、前記下地層5a上に形成された前記積層膜
から構成してもよい。また、前記パーマロイ膜5bの膜
厚T1は0nm<T1≦50nm、前記Ti膜5cの膜
厚T2は0nm<T2≦6nmであることが好ましい。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体からの信
号磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果膜を用
い、その磁気抵抗効果膜の抵抗変化を再生出力電圧とし
て検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、特に
前記信号磁界を効率よく磁気抵抗効果膜に引き込むため
のフラックスガイドの改良に関する。
号磁界によって抵抗率が変化する磁気抵抗効果膜を用
い、その磁気抵抗効果膜の抵抗変化を再生出力電圧とし
て検出する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドに関し、特に
前記信号磁界を効率よく磁気抵抗効果膜に引き込むため
のフラックスガイドの改良に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気記録媒体からの信号磁界によって抵
抗率が変化する磁気抵抗効果膜(以下、MR膜と称す
る。)の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド(以下、MRヘッドと称す
る。)は、その再生出力が媒体速度に依存せず、媒体速
度が遅くても高再生出力が得られるという特徴を有して
おり、例えば、ハードディスク装置の小型大容量化を実
現する磁気ヘッドとして注目されている。
抗率が変化する磁気抵抗効果膜(以下、MR膜と称す
る。)の抵抗変化を再生出力電圧として検出する磁気抵
抗効果型薄膜磁気ヘッド(以下、MRヘッドと称す
る。)は、その再生出力が媒体速度に依存せず、媒体速
度が遅くても高再生出力が得られるという特徴を有して
おり、例えば、ハードディスク装置の小型大容量化を実
現する磁気ヘッドとして注目されている。
【0003】このようなMRヘッドにおいて、MR膜の
抵抗変化は磁気記録媒体からの信号磁界によるため、再
生信号出力を向上させるためには前記信号磁界が効率よ
くMR膜に導かれることが望ましい。そこで、信号磁界
を効率よくMR膜に導くために、MR膜に接するよう
に、磁性体薄膜よりなるフラックスガイドを配すること
が検討されている。
抵抗変化は磁気記録媒体からの信号磁界によるため、再
生信号出力を向上させるためには前記信号磁界が効率よ
くMR膜に導かれることが望ましい。そこで、信号磁界
を効率よくMR膜に導くために、MR膜に接するよう
に、磁性体薄膜よりなるフラックスガイドを配すること
が検討されている。
【0004】このようなフラックスガイドとしては、例
えば、パーマロイメッキよりなるフラックスガイドや、
Taとパーマロイの積層膜よりなるフラックスガイドが
提案されている。
えば、パーマロイメッキよりなるフラックスガイドや、
Taとパーマロイの積層膜よりなるフラックスガイドが
提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、フラックス
ガイドの磁気特性は、信号磁界をより効率良くMR膜に
導くために透磁率が高いことが望ましく、また、MR膜
から安定した再生出力を得るために磁気的に安定である
必要がある。さらに、このような磁気特性の条件を満た
しながら容易に形成できることがフラックスガイドには
求められる。
ガイドの磁気特性は、信号磁界をより効率良くMR膜に
導くために透磁率が高いことが望ましく、また、MR膜
から安定した再生出力を得るために磁気的に安定である
必要がある。さらに、このような磁気特性の条件を満た
しながら容易に形成できることがフラックスガイドには
求められる。
【0006】ところが、パーマロイより成るフラックス
ガイドでは、透磁率が1500程度と低く、またフラッ
クスガイド面内に磁壁を持つために磁気的に不安定であ
る。
ガイドでは、透磁率が1500程度と低く、またフラッ
クスガイド面内に磁壁を持つために磁気的に不安定であ
る。
【0007】また、Taとパーマロイの積層膜よりなる
フラックスガイドでは、フラックスガイドを単磁区化す
ることができるために、磁気的に安定で、且つ高い透磁
率が期待できるが、Taは高融点材料なのでスパッタリ
ング等により成膜する必要があり、容易な成膜方法であ
る連続蒸着により成膜することは困難である。
フラックスガイドでは、フラックスガイドを単磁区化す
ることができるために、磁気的に安定で、且つ高い透磁
率が期待できるが、Taは高融点材料なのでスパッタリ
ング等により成膜する必要があり、容易な成膜方法であ
る連続蒸着により成膜することは困難である。
【0008】そこで本発明は、このような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、MRヘッドのフラックス
ガイドを、容易に形成でき、磁気特性に優れたものとす
ることにより、MRヘッドの製造工程を複雑化すること
なく、MRヘッドの再生出力を向上させることを目的と
する。
鑑みて提案されたものであり、MRヘッドのフラックス
ガイドを、容易に形成でき、磁気特性に優れたものとす
ることにより、MRヘッドの製造工程を複雑化すること
なく、MRヘッドの再生出力を向上させることを目的と
する。
【0009】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに本発明のMRヘッドは、磁気記録媒体からの信号磁
界を磁気抵抗効果膜に効率よく導くためのフラックスガ
イドを有して成るMRヘッドであって、前記フラックス
ガイドが、パーマロイ膜とTi膜が交互に、パーマロイ
膜が2層以上となるように積層された積層膜を有するも
のである。
めに本発明のMRヘッドは、磁気記録媒体からの信号磁
界を磁気抵抗効果膜に効率よく導くためのフラックスガ
イドを有して成るMRヘッドであって、前記フラックス
ガイドが、パーマロイ膜とTi膜が交互に、パーマロイ
膜が2層以上となるように積層された積層膜を有するも
のである。
【0010】上記MRヘッドのフラックスガイドは、通
常、MR素子等の上に所定の材料にて成膜した後、エッ
チングを施すことにより所定の形状に形成されるため、
フラックスガイドとMR素子とのエッチング選択比が得
られるようにすることが望ましい。そこで、フラックス
ガイドの最下層に、MR素子とのエッチング選択比が得
られるTa等の下地層を形成することが好ましい。した
がって、上記フラックスガイドは、Taよりなる下地層
と、前記下地層上に形成された前記積層膜から成ること
が好ましい。ただし、前記下地層は、MR素子とのエッ
チング選択比が得られるものであればよく、Taに限定
されるものではない。
常、MR素子等の上に所定の材料にて成膜した後、エッ
チングを施すことにより所定の形状に形成されるため、
フラックスガイドとMR素子とのエッチング選択比が得
られるようにすることが望ましい。そこで、フラックス
ガイドの最下層に、MR素子とのエッチング選択比が得
られるTa等の下地層を形成することが好ましい。した
がって、上記フラックスガイドは、Taよりなる下地層
と、前記下地層上に形成された前記積層膜から成ること
が好ましい。ただし、前記下地層は、MR素子とのエッ
チング選択比が得られるものであればよく、Taに限定
されるものではない。
【0011】また、上記MRヘッドのフラックスガイド
において、パーマロイ膜の膜厚T1は、厚すぎるとフラ
ックスガイドに磁壁が生じてしまい単磁区化が達成され
なくなってしまうため、50nm以下とすることが好ま
しい。また、Ti膜の膜厚T2は、パーマロイ膜の軟磁
気特性を維持するために薄い方がよく、具体的には6n
m以下とすることが好ましい。したがって、上記フラッ
クスガイドは、パーマロイ膜の膜厚T1が0nm<T1
≦50nm、かつTi膜の膜厚T2が0nm<T2≦6
nmであることが好ましい。
において、パーマロイ膜の膜厚T1は、厚すぎるとフラ
ックスガイドに磁壁が生じてしまい単磁区化が達成され
なくなってしまうため、50nm以下とすることが好ま
しい。また、Ti膜の膜厚T2は、パーマロイ膜の軟磁
気特性を維持するために薄い方がよく、具体的には6n
m以下とすることが好ましい。したがって、上記フラッ
クスガイドは、パーマロイ膜の膜厚T1が0nm<T1
≦50nm、かつTi膜の膜厚T2が0nm<T2≦6
nmであることが好ましい。
【0012】なお、本発明のMRヘッドは、フラックス
ガイドを有するMRヘッドであれば、どのようなMRヘ
ッドでもよく、例えば、MR膜にバイアス磁界を印加す
るバイアス導体を有するMRヘッドや、MR膜とバイア
ス導体が直列に接続されたMRヘッド等であってもよ
い。また、本発明のMRヘッドは、単独で用いて再生専
用としてもよいし、誘導型薄膜磁気ヘッドのように記録
が行える磁気ヘッドと一体化して複合型ヘッドとしても
よい。
ガイドを有するMRヘッドであれば、どのようなMRヘ
ッドでもよく、例えば、MR膜にバイアス磁界を印加す
るバイアス導体を有するMRヘッドや、MR膜とバイア
ス導体が直列に接続されたMRヘッド等であってもよ
い。また、本発明のMRヘッドは、単独で用いて再生専
用としてもよいし、誘導型薄膜磁気ヘッドのように記録
が行える磁気ヘッドと一体化して複合型ヘッドとしても
よい。
【0013】
【作用】フラックスガイドをパーマロイ膜とTi膜の積
層膜で構成することにより、フラックスガイドを単磁区
化することができ磁気的に安定なものになるともに、高
い透磁率が得られるようになる。
層膜で構成することにより、フラックスガイドを単磁区
化することができ磁気的に安定なものになるともに、高
い透磁率が得られるようになる。
【0014】また、パーマロイとTiの融点は共に15
00℃程度であるため、フラックスガイドを構成する積
層膜の成膜を連続蒸着により容易に行うことができる。
00℃程度であるため、フラックスガイドを構成する積
層膜の成膜を連続蒸着により容易に行うことができる。
【0015】
【実施例】本発明を適用したMRヘッドの実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【0016】実施例1 本実施例のMRヘッドは、MR膜にバイアス磁界を印加
するバイアス導体をMR膜の上に配して成るMRヘッド
である。
するバイアス導体をMR膜の上に配して成るMRヘッド
である。
【0017】上記MRヘッドは、図1に示すように、磁
性体よりなる下部シールド層1と、前記下部シールド層
1上に形成される非磁性体よりなる下部ギャップ層2
と、前記下部ギャップ層2上の端部に形成されるMR膜
3と、前記MR膜3の先端部(磁気記録媒体摺動面側)
の上に形成される非磁性体より成る上部ギャップ層4
と、前記MR膜3の後端部に一部が重なるように形成さ
れるフラックスガイド5と、前記MR膜3及び前記フラ
ックスガイド5上に形成される絶縁層6と、前記絶縁層
6の内部に前記MR膜3上を横切るように配されるバイ
アス導体7と、前記上部ギャップ層4及び前記絶縁層6
上に形成される磁性体より成る上部シールド層8より成
る。
性体よりなる下部シールド層1と、前記下部シールド層
1上に形成される非磁性体よりなる下部ギャップ層2
と、前記下部ギャップ層2上の端部に形成されるMR膜
3と、前記MR膜3の先端部(磁気記録媒体摺動面側)
の上に形成される非磁性体より成る上部ギャップ層4
と、前記MR膜3の後端部に一部が重なるように形成さ
れるフラックスガイド5と、前記MR膜3及び前記フラ
ックスガイド5上に形成される絶縁層6と、前記絶縁層
6の内部に前記MR膜3上を横切るように配されるバイ
アス導体7と、前記上部ギャップ層4及び前記絶縁層6
上に形成される磁性体より成る上部シールド層8より成
る。
【0018】上記下部シールド層1、下部ギャップ層
2、上部ギャップ層4、及び上部シールド層8は、磁気
記録媒体からの信号磁界のうち、再生対象外の磁界がM
R膜3に引き込まれないようにするためのものである。
すなわち、下部シールド層1及び上部シールド層8が、
MR膜3の上下に下部ギャップ層2及び上部ギャップ層
4を介して配されているため、磁気記録媒体からの信号
磁界のうち、再生対象以外の磁界は下部シールド層1及
び上部シールド層8に導かれ、再生対象の磁界だけがM
R膜3に引き込まれる。
2、上部ギャップ層4、及び上部シールド層8は、磁気
記録媒体からの信号磁界のうち、再生対象外の磁界がM
R膜3に引き込まれないようにするためのものである。
すなわち、下部シールド層1及び上部シールド層8が、
MR膜3の上下に下部ギャップ層2及び上部ギャップ層
4を介して配されているため、磁気記録媒体からの信号
磁界のうち、再生対象以外の磁界は下部シールド層1及
び上部シールド層8に導かれ、再生対象の磁界だけがM
R膜3に引き込まれる。
【0019】上記MR膜3の両端部には、このMR膜3
にセンス電流を供給するための電極が配される。なお、
これらの電極のうち、MR膜3の先端部側の電極は、上
部ギャップ層4を導電性を有する非磁性体で形成して、
この上部ギャップ層4が先端部側の電極を兼ねるように
してもよい。また、MR膜3の後端部側の電極は、フラ
ックスガイド5上に形成しても、フラックスガイド5が
後端部側電極を兼ねるようにしてもよい。
にセンス電流を供給するための電極が配される。なお、
これらの電極のうち、MR膜3の先端部側の電極は、上
部ギャップ層4を導電性を有する非磁性体で形成して、
この上部ギャップ層4が先端部側の電極を兼ねるように
してもよい。また、MR膜3の後端部側の電極は、フラ
ックスガイド5上に形成しても、フラックスガイド5が
後端部側電極を兼ねるようにしてもよい。
【0020】上記フラックスガイド5は、図2に示すよ
うに、MR膜3の後端部に一部が重なるように、MR膜
3及び下部ギャップ層2上に形成され、Taよりなる下
地層5aと、前記下地層5a上に形成されるパーマロイ
膜5bとTi膜5cの積層膜からなる。前記積層膜は、
パーマロイ膜5bが2層以上となるように、且つ最下層
及び最上層がパーマロイ膜5bと成るように積層され
る。そして、前記パーマロイ膜5bの膜厚T1は0nm
<T1≦50nm、前記Ti膜5cの膜厚T2は0nm
<T2≦6nmとされる。なお、前記積層膜全体の膜厚
T3は100nm≦T3≦500nm程度が好ましい。
うに、MR膜3の後端部に一部が重なるように、MR膜
3及び下部ギャップ層2上に形成され、Taよりなる下
地層5aと、前記下地層5a上に形成されるパーマロイ
膜5bとTi膜5cの積層膜からなる。前記積層膜は、
パーマロイ膜5bが2層以上となるように、且つ最下層
及び最上層がパーマロイ膜5bと成るように積層され
る。そして、前記パーマロイ膜5bの膜厚T1は0nm
<T1≦50nm、前記Ti膜5cの膜厚T2は0nm
<T2≦6nmとされる。なお、前記積層膜全体の膜厚
T3は100nm≦T3≦500nm程度が好ましい。
【0021】実施例2 本実施例のMRヘッドは、MR膜にバイアス磁界を印加
するバイアス導体をMR膜の下に配して成るMRヘッド
である。
するバイアス導体をMR膜の下に配して成るMRヘッド
である。
【0022】上記MRヘッドは、図3に示すように、磁
性体よりなる下部シールド層11と、後述するMR膜1
3の下に対応する位置に前記下部シールド層11に形成
される溝11aと、前記溝11aの内部に形成される第
1の絶縁層16aと、前記第1の絶縁層16aの内部に
後述するMR膜13の下を横切るように配されるバイア
ス導体17と、前記下部シールド層11及び前記第1の
絶縁層16a上に形成される非磁性体よりなる下部ギャ
ップ層12と、前記下部ギャップ層12上の端部に形成
されるMR膜13と、前記MR膜13の先端部(磁気記
録媒体摺動面側)に形成される非磁性体より成る上部ギ
ャップ層14と、MR膜13の後端部に一部が重なるよ
うに形成されるフラックスガイド15と、前記MR膜1
3及び前記フラックスガイド15上に形成される第2の
絶縁層16bと、前記上部ギャップ層14及び前記第2
の絶縁層16b上に形成される磁性体より成る上部シー
ルド層18より成る。
性体よりなる下部シールド層11と、後述するMR膜1
3の下に対応する位置に前記下部シールド層11に形成
される溝11aと、前記溝11aの内部に形成される第
1の絶縁層16aと、前記第1の絶縁層16aの内部に
後述するMR膜13の下を横切るように配されるバイア
ス導体17と、前記下部シールド層11及び前記第1の
絶縁層16a上に形成される非磁性体よりなる下部ギャ
ップ層12と、前記下部ギャップ層12上の端部に形成
されるMR膜13と、前記MR膜13の先端部(磁気記
録媒体摺動面側)に形成される非磁性体より成る上部ギ
ャップ層14と、MR膜13の後端部に一部が重なるよ
うに形成されるフラックスガイド15と、前記MR膜1
3及び前記フラックスガイド15上に形成される第2の
絶縁層16bと、前記上部ギャップ層14及び前記第2
の絶縁層16b上に形成される磁性体より成る上部シー
ルド層18より成る。
【0023】本実施例のMRヘッドは、上述のようにバ
イアス導体17をMR膜13の下に配する以外は、実施
例1のMRヘッドと同様に構成される。
イアス導体17をMR膜13の下に配する以外は、実施
例1のMRヘッドと同様に構成される。
【0024】フラックスガイドの評価 上述のようにMRヘッドに用いられるフラックスガイド
について磁気特性を評価した。評価には、Taよりなる
下地層上に膜厚50nmのパーマロイと膜厚5nmのT
iを6層積層して形成したフラックスガイドを用いた。
について磁気特性を評価した。評価には、Taよりなる
下地層上に膜厚50nmのパーマロイと膜厚5nmのT
iを6層積層して形成したフラックスガイドを用いた。
【0025】まず、上記フラックスガイドの磁化曲線を
調べた。図4に容易軸方向の磁化曲線、図5に困難軸方
向の磁化曲線を示す。この結果、容易軸方向の保磁力H
cは0.33Oe、困難軸方向の保磁力Hcは0.24
Oeであった。なお、通常のパーマロイでは保磁力Hc
は2Oe程度である。したがって、本フラックスガイド
は、軟磁気特性に優れていると言える。
調べた。図4に容易軸方向の磁化曲線、図5に困難軸方
向の磁化曲線を示す。この結果、容易軸方向の保磁力H
cは0.33Oe、困難軸方向の保磁力Hcは0.24
Oeであった。なお、通常のパーマロイでは保磁力Hc
は2Oe程度である。したがって、本フラックスガイド
は、軟磁気特性に優れていると言える。
【0026】次に、上記フラックスガイドの透磁率の周
波数特性について調べた。結果を図6に示す。なお、図
6には、として上記フラックスガイドの透磁率の周波
数特性の測定結果を示すとともに、比較のために、と
して通常のパーマロイの透磁率の周波数特性についても
記載した。図6から、上記フラックスガイドは、通常の
パーマロイに比べて高透磁率であるととも、高周波数領
域においても安定であることがわかる。したがって、こ
のフラックスガイドを用いれば、記録信号の周波数が高
くなっても、磁界をMR膜に安定して引き込むことがで
きる。
波数特性について調べた。結果を図6に示す。なお、図
6には、として上記フラックスガイドの透磁率の周波
数特性の測定結果を示すとともに、比較のために、と
して通常のパーマロイの透磁率の周波数特性についても
記載した。図6から、上記フラックスガイドは、通常の
パーマロイに比べて高透磁率であるととも、高周波数領
域においても安定であることがわかる。したがって、こ
のフラックスガイドを用いれば、記録信号の周波数が高
くなっても、磁界をMR膜に安定して引き込むことがで
きる。
【0027】次に、実際に上記のようなフラックスガイ
ドをMRヘッドに適用した場合の効果についてシミュレ
ーションを行った。結果を図7に示す。図7において、
縦軸は磁場強度Mを示し、横軸はMRヘッドの磁気記録
媒体摺動面からの奥行き方向の位置を示しており、は
磁気記録媒体摺動面からの奥行き方向の位置が3μm以
上の位置にフラックスガイドを配した場合、は磁気記
録媒体摺動面からの奥行き方向の位置が6μm以上の位
置にフラックスガイドを配した場合、は磁気記録媒体
摺動面からの奥行き方向の位置が10μm以上の位置に
フラックスガイドを配した場合、はフラックスガイド
を配さなかった場合である。この結果から、フラックス
ガイドを配することにより、磁界が効率よくMRヘッド
内に引き込まれるようになることが判る。また、フラッ
クスガイドを配することにより、磁気記録媒体摺動面近
傍での磁場強度Mが強くなるため、MR膜の奥行き方向
の長さを短くしても、充分な磁界がMR膜に導かれるよ
うになる。したがって、MR膜の長さを短くしてインピ
ーダンスを減少させることにより、MRヘッドの再生効
率を向上させることができる。
ドをMRヘッドに適用した場合の効果についてシミュレ
ーションを行った。結果を図7に示す。図7において、
縦軸は磁場強度Mを示し、横軸はMRヘッドの磁気記録
媒体摺動面からの奥行き方向の位置を示しており、は
磁気記録媒体摺動面からの奥行き方向の位置が3μm以
上の位置にフラックスガイドを配した場合、は磁気記
録媒体摺動面からの奥行き方向の位置が6μm以上の位
置にフラックスガイドを配した場合、は磁気記録媒体
摺動面からの奥行き方向の位置が10μm以上の位置に
フラックスガイドを配した場合、はフラックスガイド
を配さなかった場合である。この結果から、フラックス
ガイドを配することにより、磁界が効率よくMRヘッド
内に引き込まれるようになることが判る。また、フラッ
クスガイドを配することにより、磁気記録媒体摺動面近
傍での磁場強度Mが強くなるため、MR膜の奥行き方向
の長さを短くしても、充分な磁界がMR膜に導かれるよ
うになる。したがって、MR膜の長さを短くしてインピ
ーダンスを減少させることにより、MRヘッドの再生効
率を向上させることができる。
【0028】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、フラックスガイドを単磁区化することができ磁
気的に安定なものになるともに、高い透磁率(3000
程度)が得られるようになる。したがって、磁気記録媒
体からの信号磁界を効率よく安定してMR膜に引き込む
ことができるため、MRヘッドの再生出力を安定的に向
上させることができる。
よれば、フラックスガイドを単磁区化することができ磁
気的に安定なものになるともに、高い透磁率(3000
程度)が得られるようになる。したがって、磁気記録媒
体からの信号磁界を効率よく安定してMR膜に引き込む
ことができるため、MRヘッドの再生出力を安定的に向
上させることができる。
【0029】特に、本発明で用いるフラックスガイド
は、数10MHzという高い周波数領域においても安定
して高い透磁率が維持される。したがって、磁気記録媒
体の記録信号の周波数が高くなっても、フラックスガイ
ドによるMR膜への磁界の引き込み効果が安定して得ら
れる
は、数10MHzという高い周波数領域においても安定
して高い透磁率が維持される。したがって、磁気記録媒
体の記録信号の周波数が高くなっても、フラックスガイ
ドによるMR膜への磁界の引き込み効果が安定して得ら
れる
【0030】また、本発明で用いるフラックスガイド
は、パーマロイとTiより成る積層膜を有するが、パー
マロイとTiの融点は共に1500℃程度であるため、
積層膜の成膜を連続蒸着により容易に行うことができ
る。したがって、MRヘッドの製造工程を複雑化するこ
となく、優れたフラックスガイドの効果が得られるよう
になる。なお、フラックスガイドの形成は、もちろん連
続蒸着に限られるものではなく、スパッタリング法等に
よっても行える。したがって、MRヘッドの製造プロセ
スに合わせて、適当な方法でフラックスガイドを成膜す
ることができる。
は、パーマロイとTiより成る積層膜を有するが、パー
マロイとTiの融点は共に1500℃程度であるため、
積層膜の成膜を連続蒸着により容易に行うことができ
る。したがって、MRヘッドの製造工程を複雑化するこ
となく、優れたフラックスガイドの効果が得られるよう
になる。なお、フラックスガイドの形成は、もちろん連
続蒸着に限られるものではなく、スパッタリング法等に
よっても行える。したがって、MRヘッドの製造プロセ
スに合わせて、適当な方法でフラックスガイドを成膜す
ることができる。
【図1】本発明を適用したMRヘッドの一例を示す横断
面図である。
面図である。
【図2】図1に示すMRヘッドのフラックスガイド部分
の要部拡大横断面図である。
の要部拡大横断面図である。
【図3】本発明を適用したMRヘッドの他の例を示す横
断面図である。
断面図である。
【図4】本発明を適用したMRヘッドに用いられるフラ
ックスガイドの容易軸方向の磁化曲線の一例を示す特性
図である。
ックスガイドの容易軸方向の磁化曲線の一例を示す特性
図である。
【図5】本発明を適用したMRヘッドに用いられるフラ
ックスガイドの困難軸方向の磁化曲線の一例を示す特性
図である。
ックスガイドの困難軸方向の磁化曲線の一例を示す特性
図である。
【図6】本発明を適用したMRヘッドに用いられるフラ
ックスガイドの透磁率の周波数特性の一例を示す特性図
である。
ックスガイドの透磁率の周波数特性の一例を示す特性図
である。
【図7】本発明を適用したMRヘッド内の磁場強度の分
布をシミュレーションした結果を示すグラフである。
布をシミュレーションした結果を示すグラフである。
1,11 下部シールド層 2,12 下部ギャップ層 3,13 MR膜 4,14 上部ギャップ層 5,15 フラックスガイド 6,16a,16b 絶縁層 7,17 バイアス導体 8,18 上部シールド層 5a 下地層 5b パーマロイ膜 5c Ti膜
Claims (3)
- 【請求項1】 磁気記録媒体からの信号磁界を磁気抵抗
効果膜に効率よく導くためのフラックスガイドを有して
成る磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記フラックスガイドが、パーマロイ膜とTi膜が交互
に、パーマロイ膜が2層以上となるように積層された積
層膜を有することを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項2】 前記フラックスガイドが、Taよりなる
下地層と、前記下地層上に形成された前記積層膜から成
ることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果型薄膜
磁気ヘッド。 - 【請求項3】 前記パーマロイ膜の膜厚T1が0nm<
T1≦50nm、かつ前記Ti膜の膜厚T2が0nm<
T2≦6nmであることを特徴とする請求項1又は2記
載の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6149891A JPH0817020A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
US08/483,793 US5617276A (en) | 1994-06-30 | 1995-06-07 | Magneto-resistance effect thin-film magnetic head having a laminated flux guide of permalloy and titanium films |
DE69516215T DE69516215T2 (de) | 1994-06-30 | 1995-06-28 | Magneto-Widerstandseffekt-Dünnfilmmagnetkopf |
EP95110109A EP0690438B1 (en) | 1994-06-30 | 1995-06-28 | Magneto-resistance effect thin-film magnetic head |
KR1019950018030A KR960002146A (ko) | 1994-06-30 | 1995-06-29 | 자기저항효과형 박막자기헤드 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6149891A JPH0817020A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0817020A true JPH0817020A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15484895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6149891A Withdrawn JPH0817020A (ja) | 1994-06-30 | 1994-06-30 | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5617276A (ja) |
EP (1) | EP0690438B1 (ja) |
JP (1) | JPH0817020A (ja) |
KR (1) | KR960002146A (ja) |
DE (1) | DE69516215T2 (ja) |
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US7057864B2 (en) | 2001-07-10 | 2006-06-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method and apparatus for achieving physical connection between the flux guide and the free layer and that insulates the flux guide from the shields |
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NL8102148A (nl) * | 1981-05-01 | 1982-12-01 | Philips Nv | Magnetisch overdrachtselement alsmede magnetisch permeabel onderdeel voor een magnetisch overdrachtselement. |
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- 1994-06-30 JP JP6149891A patent/JPH0817020A/ja not_active Withdrawn
-
1995
- 1995-06-07 US US08/483,793 patent/US5617276A/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-28 EP EP95110109A patent/EP0690438B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-06-28 DE DE69516215T patent/DE69516215T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-06-29 KR KR1019950018030A patent/KR960002146A/ko not_active Application Discontinuation
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---|---|
KR960002146A (ko) | 1996-01-26 |
DE69516215D1 (de) | 2000-05-18 |
US5617276A (en) | 1997-04-01 |
DE69516215T2 (de) | 2000-10-19 |
EP0690438A2 (en) | 1996-01-03 |
EP0690438B1 (en) | 2000-04-12 |
EP0690438A3 (en) | 1996-06-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20010904 |