JPH08164331A - 電子ビーム照射ガス処理用反応容器 - Google Patents
電子ビーム照射ガス処理用反応容器Info
- Publication number
- JPH08164331A JPH08164331A JP30799794A JP30799794A JPH08164331A JP H08164331 A JPH08164331 A JP H08164331A JP 30799794 A JP30799794 A JP 30799794A JP 30799794 A JP30799794 A JP 30799794A JP H08164331 A JPH08164331 A JP H08164331A
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- Japan
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- electron beam
- magnetic field
- electron
- reaction vessel
- reaction
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子ビームの反応容器壁面でのロスを低減
し、しかも反応容器全体での反応効率を低下させないよ
うな、電子ビーム照射ガス処理用反応容器を提供する。 【構成】 反応容器内に電子ビームの拡散を抑制するよ
うな磁場を与える。その必要磁束密度は、電子のビーム
束の周縁部で約１０〜１００００ガウスである。磁場の
形態としては種々のものが可能であるが、電子のビーム
束の周縁部にあり、かつ電子の入射方向から見て反時計
回りの向きの磁場、あるいは電子の入射方向と並行の向
きの磁場がある。
し、しかも反応容器全体での反応効率を低下させないよ
うな、電子ビーム照射ガス処理用反応容器を提供する。 【構成】 反応容器内に電子ビームの拡散を抑制するよ
うな磁場を与える。その必要磁束密度は、電子のビーム
束の周縁部で約１０〜１００００ガウスである。磁場の
形態としては種々のものが可能であるが、電子のビーム
束の周縁部にあり、かつ電子の入射方向から見て反時計
回りの向きの磁場、あるいは電子の入射方向と並行の向
きの磁場がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビームを透過させ
る窓をもち、その窓を通して内部のガスに電子ビームを
照射することによって化学反応を起こさせる電子ビーム
照射ガス処理用反応容器に関する。
る窓をもち、その窓を通して内部のガスに電子ビームを
照射することによって化学反応を起こさせる電子ビーム
照射ガス処理用反応容器に関する。
【０００２】
【従来の技術】反応容器内のガスに、当該反応容器に付
属する窓を通して電子ビーム照射して当該ガスに化学反
応を生じさせる電子ビーム照射ガス処理法は実用化され
ている。しかし、反応容器に関しては、ガス中に拡散す
る電子ビームの拡がりに合わせる工夫はなされている
が、電子ビームの拡散そのものを調整することはなされ
ていない。
属する窓を通して電子ビーム照射して当該ガスに化学反
応を生じさせる電子ビーム照射ガス処理法は実用化され
ている。しかし、反応容器に関しては、ガス中に拡散す
る電子ビームの拡がりに合わせる工夫はなされている
が、電子ビームの拡散そのものを調整することはなされ
ていない。
【０００３】また、走査型の電子加速器においては、走
査によって偏向させられた電子の進路を、電子が窓に入
射する直前に窓に垂直に入射するように磁場で曲げる考
案がなされているが、通常は薄い金属箔で作られている
窓を透過する際の散乱、および反応容器内のガスによる
散乱に起因する電子ビームの拡散を抑制することはなさ
れていない。
査によって偏向させられた電子の進路を、電子が窓に入
射する直前に窓に垂直に入射するように磁場で曲げる考
案がなされているが、通常は薄い金属箔で作られている
窓を透過する際の散乱、および反応容器内のガスによる
散乱に起因する電子ビームの拡散を抑制することはなさ
れていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】反応容器内の電子ビー
ムの拡散を抑制しない従来の方法では、拡散した電子が
反応容器の壁面に衝突し、化学反応を引き起こすために
有効に使われずロスを発生するという問題があった。一
方、そのような壁面でのロスを減らすため、反応容器を
電子ビームの到達範囲を含むように十分大きくすると、
電子ビームの強度が弱く、化学反応が十分進まない部分
が生じて、結果として全体の反応効率が低くなるという
問題があった。
ムの拡散を抑制しない従来の方法では、拡散した電子が
反応容器の壁面に衝突し、化学反応を引き起こすために
有効に使われずロスを発生するという問題があった。一
方、そのような壁面でのロスを減らすため、反応容器を
電子ビームの到達範囲を含むように十分大きくすると、
電子ビームの強度が弱く、化学反応が十分進まない部分
が生じて、結果として全体の反応効率が低くなるという
問題があった。
【０００５】本発明は、電子ビームの反応容器壁面での
ロスを低減し、しかも反応容器全体での反応効率を低下
させないような電子ビーム照射ガス処理用反応容器を提
供することを目的とする。
ロスを低減し、しかも反応容器全体での反応効率を低下
させないような電子ビーム照射ガス処理用反応容器を提
供することを目的とする。
【０００６】
【発明を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、反応容器内に電子ビームの拡散を抑制
するような磁場を与えることにした。その必要磁束密度
は、電子のビーム束の周縁部で約１０〜１００００ガウ
スである。磁場の形態としては種々のものが可能である
が、電子のビーム束の周縁部にあり、かつ電子の入射方
向から見て反時計回りの向きの磁場（図３、５、７、
８）、あるいは電子の入射方向と並行あるいは反並行の
向きの磁場（図９、１０）が考えられる。このうち、電
子のビーム束の周縁部にあり、かつ電子の入射方向から
見て反時計回りの向きの磁場を生じる態様としては、電
子のビーム束の周縁部に複数の永久磁石をＮ極とＳ極を
向い合うように間隔をもって配置（図３、５、８）す
る。永久磁石の配置方法としては、必要磁束密度を満た
し、かつ排ガスの通過を妨げなければどのような配置で
もよいが、例えば、図５の永久磁石の間隔約６００ｍｍ
で，該磁石の表面での磁束密度は１０００ガウスであつ
た。また、電子の入射方向と並行の向きの磁場を生じる
態様としては、電子のビーム束を束ねるように螺旋状に
巻かれた電線を直流電流を流す（図１０）方式がある。
この方式でも、必要磁束密度を満たし、かつ排ガスの通
過を妨げなければどのような配置でもよいが、例えば、
図１０の方式で１００ガウスを得るためには、１Ａの電
流を流す電線を１ｍ当たり１００００回、あるいは１０
Ａの電流を流す電線を１ｍ当たり１０００回巻く必要が
ある。この場合、特に、電子のビーム束を束ねるように
螺旋状に巻かれた電線を流れる直流電流を、電子ビーム
発生装置に供給すれば、電子ビームの拡散を抑制するた
めの余分の電力が不必要になる。
に、本発明では、反応容器内に電子ビームの拡散を抑制
するような磁場を与えることにした。その必要磁束密度
は、電子のビーム束の周縁部で約１０〜１００００ガウ
スである。磁場の形態としては種々のものが可能である
が、電子のビーム束の周縁部にあり、かつ電子の入射方
向から見て反時計回りの向きの磁場（図３、５、７、
８）、あるいは電子の入射方向と並行あるいは反並行の
向きの磁場（図９、１０）が考えられる。このうち、電
子のビーム束の周縁部にあり、かつ電子の入射方向から
見て反時計回りの向きの磁場を生じる態様としては、電
子のビーム束の周縁部に複数の永久磁石をＮ極とＳ極を
向い合うように間隔をもって配置（図３、５、８）す
る。永久磁石の配置方法としては、必要磁束密度を満た
し、かつ排ガスの通過を妨げなければどのような配置で
もよいが、例えば、図５の永久磁石の間隔約６００ｍｍ
で，該磁石の表面での磁束密度は１０００ガウスであつ
た。また、電子の入射方向と並行の向きの磁場を生じる
態様としては、電子のビーム束を束ねるように螺旋状に
巻かれた電線を直流電流を流す（図１０）方式がある。
この方式でも、必要磁束密度を満たし、かつ排ガスの通
過を妨げなければどのような配置でもよいが、例えば、
図１０の方式で１００ガウスを得るためには、１Ａの電
流を流す電線を１ｍ当たり１００００回、あるいは１０
Ａの電流を流す電線を１ｍ当たり１０００回巻く必要が
ある。この場合、特に、電子のビーム束を束ねるように
螺旋状に巻かれた電線を流れる直流電流を、電子ビーム
発生装置に供給すれば、電子ビームの拡散を抑制するた
めの余分の電力が不必要になる。
【０００７】
【作用】電子ビームが、通常は薄い金属箔で作られてい
る窓および反応容器内のガスで散乱されると、電子の進
路は最初の入射方向からずらされる。また、散乱の際に
二次電子が発生した際も、一次電子の入射方向とは異な
った方向に進行する。一方、電子の進路に磁場がある
と、ローレンツ力によって、電子の速さを変えずに、し
たがって電子のエネルギーを失わせることなく電子の進
路を曲げることができる。したがって、反応容器内に適
当な向きの磁場を与えることによって、電子がもともと
の入射方向から逸脱して反応容器の壁面に電子が衝突す
ることを防ぐことができる。
る窓および反応容器内のガスで散乱されると、電子の進
路は最初の入射方向からずらされる。また、散乱の際に
二次電子が発生した際も、一次電子の入射方向とは異な
った方向に進行する。一方、電子の進路に磁場がある
と、ローレンツ力によって、電子の速さを変えずに、し
たがって電子のエネルギーを失わせることなく電子の進
路を曲げることができる。したがって、反応容器内に適
当な向きの磁場を与えることによって、電子がもともと
の入射方向から逸脱して反応容器の壁面に電子が衝突す
ることを防ぐことができる。
【０００８】電子のビーム束の周縁部に、電子の入射方
向から見て反時計回りの磁場がある場合、電子の入射方
向をｘ軸、周縁部の各点での磁場の向きをｙ軸に選ぶ
と、電子がもともとのビーム束から逸脱しようとする速
度成分は、座標系を右手系にすればｚ軸の正方向にな
る。一方、電子が受けるローレンツ力のｚ軸方向の成分
は、電子のｘ軸方向（＝入射方向）の速度をｖx とする
と−ｅＢｖx で、これは必ず負である。ここで、ｅは素
電荷、Ｂは磁束密度である。したがって、ローレンツ力
は、上記のビーム束から逸脱しようとするｚ軸の正方向
の向きの速度を打ち消すように作用し、これによって、
電子の拡散が抑制されることになる。
向から見て反時計回りの磁場がある場合、電子の入射方
向をｘ軸、周縁部の各点での磁場の向きをｙ軸に選ぶ
と、電子がもともとのビーム束から逸脱しようとする速
度成分は、座標系を右手系にすればｚ軸の正方向にな
る。一方、電子が受けるローレンツ力のｚ軸方向の成分
は、電子のｘ軸方向（＝入射方向）の速度をｖx とする
と−ｅＢｖx で、これは必ず負である。ここで、ｅは素
電荷、Ｂは磁束密度である。したがって、ローレンツ力
は、上記のビーム束から逸脱しようとするｚ軸の正方向
の向きの速度を打ち消すように作用し、これによって、
電子の拡散が抑制されることになる。
【０００９】なお、このような磁場は、電子のビーム束
の周縁部に複数の永久磁石をＮ極とＳ極を向い合うよう
に間隔をもって配置（図５、８）することによって生じ
させることができる。
の周縁部に複数の永久磁石をＮ極とＳ極を向い合うよう
に間隔をもって配置（図５、８）することによって生じ
させることができる。
【００１０】次に、電子の入射方向と並行または反並行
の向きの磁場がある場合には、電子が入射方向から逸脱
する速度成分をもっても、その速度成分によってそのま
ま直進することは起こらず、螺旋状の運動をするため、
この場合も電子が拡散することが抑制されるようにな
る。そして、このような磁場は、電子のビーム束を束ね
るように螺旋状に巻かれた電線を直流電流を流す方式
（図１０）によって生じさせることができる。
の向きの磁場がある場合には、電子が入射方向から逸脱
する速度成分をもっても、その速度成分によってそのま
ま直進することは起こらず、螺旋状の運動をするため、
この場合も電子が拡散することが抑制されるようにな
る。そして、このような磁場は、電子のビーム束を束ね
るように螺旋状に巻かれた電線を直流電流を流す方式
（図１０）によって生じさせることができる。
【００１１】以下、本発明を実施例により説明するが、
本発明はこれに限定されるものではない。
本発明はこれに限定されるものではない。
【００１２】
【実施例】図１に示す水平設置型の反応容器１で、入口
２から窒素酸化物２００ｐｐｍを含み、温度が６０°Ｃ
である排ガス１２,５００ｍ3Ｎ／ｈを導き、加速電圧が
８００ｋＶである３台の電子加速器３〜５で合計９０ｍ
Ａの電子ビームを照射したところ、７０％の窒素酸化物
が除去された。この場合、反応容器断面での電子ビーム
の強度分布は図２のようになっており、発生した電子ビ
ームの約２５％が反応容器の壁面でロスしている。
２から窒素酸化物２００ｐｐｍを含み、温度が６０°Ｃ
である排ガス１２,５００ｍ3Ｎ／ｈを導き、加速電圧が
８００ｋＶである３台の電子加速器３〜５で合計９０ｍ
Ａの電子ビームを照射したところ、７０％の窒素酸化物
が除去された。この場合、反応容器断面での電子ビーム
の強度分布は図２のようになっており、発生した電子ビ
ームの約２５％が反応容器の壁面でロスしている。
【００１３】次に、図１に示すものと反応容器の外底部
に、図３に示すように加速器１台ごとに１組の永久磁石
６〜７を設置したところ、反応器内部に図中の矢印付き
曲線で示すように、電子のビーム束の周縁部に、電子ビ
ームの入射方向に向かって反時計回りの向きで強さが２
０〜３０ガウスの磁場が生じた。この磁場付き反応器の
入口から窒素酸化物２００ｐｐｍを含み、温度が６０°
Ｃ である排ガス１２,５００ｍ3Ｎ／ｈを導き、加速電
圧が８００ｋＶである３台の電子加速器で合計９０ｍＡ
の電子ビームを照射したところ、７５％の窒素酸化物が
除去された。この場合、反応容器断面での電子ビームの
強度分布は図４のようになっており、磁場によって反応
容器底面でのロスが減少することによって、壁面全体で
のロスは約２０％となっている。
に、図３に示すように加速器１台ごとに１組の永久磁石
６〜７を設置したところ、反応器内部に図中の矢印付き
曲線で示すように、電子のビーム束の周縁部に、電子ビ
ームの入射方向に向かって反時計回りの向きで強さが２
０〜３０ガウスの磁場が生じた。この磁場付き反応器の
入口から窒素酸化物２００ｐｐｍを含み、温度が６０°
Ｃ である排ガス１２,５００ｍ3Ｎ／ｈを導き、加速電
圧が８００ｋＶである３台の電子加速器で合計９０ｍＡ
の電子ビームを照射したところ、７５％の窒素酸化物が
除去された。この場合、反応容器断面での電子ビームの
強度分布は図４のようになっており、磁場によって反応
容器底面でのロスが減少することによって、壁面全体で
のロスは約２０％となっている。
【００１４】最後に、図１に示すものと同じ反応容器の
内部に、図５に示すように加速器１台ごとに永久磁石８
〜２３を設置したところ、反応器内部に図中の矢印付き
曲線で示すように、電子のビーム束の周縁部に、電子の
入射方向に向かって反時計回りの向きで５０〜１０００
ガウスの磁場が生じた。この磁場付き反応器の入口から
窒素酸化物２００ｐｐｍを含み、温度が６０°Ｃ であ
る排ガス１２,５００ｍ3Ｎ／ｈを導き、加速電圧が８０
０ｋＶである３台の電子加速器で合計９０ｍＡの電子ビ
ームを照射したところ、８５％の窒素酸化物が除去され
た。この場合、反応容器断面での電子ビームの強度分布
は図６のようになっており、磁場によって反応容器底部
でのロスが減少することによって、壁面全体でのロスは
約１０％となっている。
内部に、図５に示すように加速器１台ごとに永久磁石８
〜２３を設置したところ、反応器内部に図中の矢印付き
曲線で示すように、電子のビーム束の周縁部に、電子の
入射方向に向かって反時計回りの向きで５０〜１０００
ガウスの磁場が生じた。この磁場付き反応器の入口から
窒素酸化物２００ｐｐｍを含み、温度が６０°Ｃ であ
る排ガス１２,５００ｍ3Ｎ／ｈを導き、加速電圧が８０
０ｋＶである３台の電子加速器で合計９０ｍＡの電子ビ
ームを照射したところ、８５％の窒素酸化物が除去され
た。この場合、反応容器断面での電子ビームの強度分布
は図６のようになっており、磁場によって反応容器底部
でのロスが減少することによって、壁面全体でのロスは
約１０％となっている。
【００１５】反応容器壁面でのロスは（Ｐ3％）、以下
のように算出する。
のように算出する。
【００１６】電子加速器から出力された電子ビームのパ
ワーＰ0は、次のように分配される。
ワーＰ0は、次のように分配される。
【００１７】Ｐ0＝Ｐ1（照射窓部でのロス）＋Ｐ2（反
応容器内のガスに吸収されるパワー）＋Ｐ3（反応容器
壁面でのロス） 従って、Ｐ3(%)＝Ｐ3／Ｐ0ｘ１００＝（Ｐ0−Ｐ1ー
Ｐ2）／Ｐ0ｘ１００ Ｐ1： 照射窓部は薄い金属箔と冷却ガス層（空気,ヘリ
ウムあるいは窒素）からなり、それぞれの物質を透過す
る際のロスに関しては実測データが公開されており、照
射窓部でのロスは公開データをもとに計算される。
応容器内のガスに吸収されるパワー）＋Ｐ3（反応容器
壁面でのロス） 従って、Ｐ3(%)＝Ｐ3／Ｐ0ｘ１００＝（Ｐ0−Ｐ1ー
Ｐ2）／Ｐ0ｘ１００ Ｐ1： 照射窓部は薄い金属箔と冷却ガス層（空気,ヘリ
ウムあるいは窒素）からなり、それぞれの物質を透過す
る際のロスに関しては実測データが公開されており、照
射窓部でのロスは公開データをもとに計算される。
【００１８】Ｐ2： 反応容器内にＣＴＡフイルムを張
り巡らせた状態で電子ビームを照射すると、照射電子ビ
ームの強度に比例して、ＣＴＡフイルムの吸光度が変化
する。従って、張り巡らせたＣＴＡフイルムの吸光度か
ら反応容器内各所でガスに吸収された電子ビームのパワ
ー（ｋＷ）が計算され、それを反応容器内すべてにわた
つて積分すると、反応容器内にあるガス全体に吸収され
た電子ビームのパワーの総量Ｐ2（ｋＷ）が計算され
る。
り巡らせた状態で電子ビームを照射すると、照射電子ビ
ームの強度に比例して、ＣＴＡフイルムの吸光度が変化
する。従って、張り巡らせたＣＴＡフイルムの吸光度か
ら反応容器内各所でガスに吸収された電子ビームのパワ
ー（ｋＷ）が計算され、それを反応容器内すべてにわた
つて積分すると、反応容器内にあるガス全体に吸収され
た電子ビームのパワーの総量Ｐ2（ｋＷ）が計算され
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、電子ビームの反応容器
壁面でのロスを低減し、しかも反応容器全体での反応効
率を向上させる電子ビーム照射ガス処理用反応容器を提
供することができる。
壁面でのロスを低減し、しかも反応容器全体での反応効
率を向上させる電子ビーム照射ガス処理用反応容器を提
供することができる。
【図１】実施例に使用した水平設置型の反応容器の概略
図である。
図である。
【図２】電子ビームの拡散抑制をしない時の、反応容器
断面での電子ビームの強度分布を示す。
断面での電子ビームの強度分布を示す。
【図３】加速器１台ごとに１組の永久磁石を、反応容器
の外底部に設置した時の、電子ビームの入射方向から見
て反時計回り向きの磁場の発生を示す。
の外底部に設置した時の、電子ビームの入射方向から見
て反時計回り向きの磁場の発生を示す。
【図４】図３に示す磁場による、反応容器断面での電子
ビームの強度分布を示す。
ビームの強度分布を示す。
【図５】加速器１台ごとに反応容器の内部に、電子のビ
ーム束の全周縁部に、複数の永久磁石をＮ極とＳ極を向
い合うように間隔をもって設置した状態を示す。
ーム束の全周縁部に、複数の永久磁石をＮ極とＳ極を向
い合うように間隔をもって設置した状態を示す。
【図６】図５の電子のビーム束の全周縁部に複数の永久
磁石を設置による、反応容器断面での電子ビームの強度
分布を示す。
磁石を設置による、反応容器断面での電子ビームの強度
分布を示す。
【図７】反応容器内の磁場が、電子のビーム束の周縁部
にあり、かつ電子の入射方向から見て反時計回りの向き
の状態を示す。
にあり、かつ電子の入射方向から見て反時計回りの向き
の状態を示す。
【図８】電子のビーム束の周縁部に複数の永久磁石を、
Ｎ極とＳ極を向い合うように間隔をもって配置すること
により、磁場が電子のビーム束の周縁部にあり、かつ電
子の入射方向から見て反時計回りの向きに起る状態を示
す。
Ｎ極とＳ極を向い合うように間隔をもって配置すること
により、磁場が電子のビーム束の周縁部にあり、かつ電
子の入射方向から見て反時計回りの向きに起る状態を示
す。
【図９】反応容器内の磁場が、電子の入射方向と並行の
向きの状態を示す。
向きの状態を示す。
【図１０】電子のビーム束を束ねるように螺旋状に巻か
れた電線に直流電流を流すことにより、磁場が電子の入
射方向と並行の向きに起る状態を示す。
れた電線に直流電流を流すことにより、磁場が電子の入
射方向と並行の向きに起る状態を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 南波 秀樹 群馬県高崎市綿貫町1233番地 日本原子力 研究所高崎研究所内 (72)発明者 田中 雅 愛知県名古屋市緑区大高町字北関山20番地 の１ 中部電力株式会社電力技術研究所内 (72)発明者 小倉 義己 愛知県名古屋市緑区大高町字北関山20番地 の１ 中部電力株式会社電力技術研究所内 (72)発明者 土居 祥孝 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内 (72)発明者 井筒 政弘 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (7)
- 【請求項１】 電子ビームを透過させる窓をもち、その
窓を通して内部のガスに電子ビームを照射することによ
って化学反応を起こさせる反応容器において、容器内に
電子ビームの拡散を抑制する磁場を持つことを特徴とす
る電子ビーム照射ガス処理用反応容器。 - 【請求項２】 反応容器内の磁場が、電子のビーム束の
周縁部にあり、かつ電子の入射方向から見て反時計回り
の向きであることを特徴とする、請求項１に記載の反応
容器。 - 【請求項３】 電子のビーム束の周縁部にあり、かつ電
子の入射方向から見て反時計回りの向きの磁場が、電子
のビーム束の周縁部に複数の永久磁石をＮ極とＳ極を向
い合うように間隔をもって配置することによって生じて
いることを特徴とする、請求項２に記載の反応容器。 - 【請求項４】 反応容器内の磁場が、電子の入射方向と
並行または反並行の向きであることを特徴とする、請求
項１に記載の反応容器。 - 【請求項５】 電子の入射方向と並行の向きの磁場が、
電子のビーム束を束ねるように螺旋状に巻かれた電線を
流れる直流電流によって生じていることを特徴とする、
請求項４に記載の反応容器。 - 【請求項６】 電子のビーム束を束ねるように螺旋状に
巻かれた電線を流れる直流電流が、電子ビーム発生装置
に供給されていることを特徴とする、請求項５に記載の
反応容器。 - 【請求項７】 磁場の強さが、電子のビーム束の周縁部
で少なくとも１０ガウスであることを特徴とする、請求
項１〜６のいずれかに記載の反応容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30799794A JPH08164331A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 電子ビーム照射ガス処理用反応容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30799794A JPH08164331A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 電子ビーム照射ガス処理用反応容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08164331A true JPH08164331A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=17975665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30799794A Pending JPH08164331A (ja) | 1994-12-12 | 1994-12-12 | 電子ビーム照射ガス処理用反応容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08164331A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5939026A (en) * | 1997-01-31 | 1999-08-17 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for processing gas by electron beam |
| CN110519906A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-29 | 无锡爱邦辐射技术有限公司 | 卧式电子加速器钢筒与电极的连接装置 |
-
1994
- 1994-12-12 JP JP30799794A patent/JPH08164331A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5939026A (en) * | 1997-01-31 | 1999-08-17 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for processing gas by electron beam |
| CN110519906A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-29 | 无锡爱邦辐射技术有限公司 | 卧式电子加速器钢筒与电极的连接装置 |
| CN110519906B (zh) * | 2019-08-23 | 2024-05-07 | 无锡爱邦辐射技术有限公司 | 卧式电子加速器钢筒与电极的连接装置 |
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