JPH08155670A - レーザ加工機とその加工方法 - Google Patents
レーザ加工機とその加工方法Info
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- JPH08155670A JPH08155670A JP6300769A JP30076994A JPH08155670A JP H08155670 A JPH08155670 A JP H08155670A JP 6300769 A JP6300769 A JP 6300769A JP 30076994 A JP30076994 A JP 30076994A JP H08155670 A JPH08155670 A JP H08155670A
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/362—Laser etching
- B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
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- Laser Beam Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】加工残渣を微細孔や微細溝から効率良く排出
し、より細く深い微細孔や微細溝を良好に加工すること
ができるレーザ加工機と加工方法を提供する。 【構成】真空槽１内の被加工物にパルス状のレーザ光を
照射して被加工物を加工するレーザ加工機である。基板
電極２と対向電極３が被加工物近傍に電界を発生させる
ために配設され、両電極に電界発生用電源装置１１が接
続される。基板電極２又は対向電極３の電源線に設けら
れた電流検出器が検出する電流値により、レーザ光の照
射時に被加工物から放出される放出粒子の電荷量を検出
する。そして、電界発生用電源装置１１は、検出された
放出粒子の電荷量の正負に応じて被加工物近傍に電界を
交番・発生させる。
し、より細く深い微細孔や微細溝を良好に加工すること
ができるレーザ加工機と加工方法を提供する。 【構成】真空槽１内の被加工物にパルス状のレーザ光を
照射して被加工物を加工するレーザ加工機である。基板
電極２と対向電極３が被加工物近傍に電界を発生させる
ために配設され、両電極に電界発生用電源装置１１が接
続される。基板電極２又は対向電極３の電源線に設けら
れた電流検出器が検出する電流値により、レーザ光の照
射時に被加工物から放出される放出粒子の電荷量を検出
する。そして、電界発生用電源装置１１は、検出された
放出粒子の電荷量の正負に応じて被加工物近傍に電界を
交番・発生させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空槽内の被加工物に
レーザ光を照射し、被加工物近傍に電界をかけながら、
微細孔や微細溝の加工を良好に行うレーザ加工機及びそ
の加工方法に関する。
レーザ光を照射し、被加工物近傍に電界をかけながら、
微細孔や微細溝の加工を良好に行うレーザ加工機及びそ
の加工方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】被加工物にレーザ光を照射し、その照射
箇所を加熱、溶融、蒸発させて加工を行うレーザ加工が
広く実施されている。
箇所を加熱、溶融、蒸発させて加工を行うレーザ加工が
広く実施されている。
【０００３】しかし、例えば内径１０μｍ以下の微細孔
や微細溝をレーザ光の照射により加工する場合、加工残
渣が微細孔や微細溝内に残留しやすく、細く深い微細孔
等は良好に穿設することができにくい問題があった。
や微細溝をレーザ光の照射により加工する場合、加工残
渣が微細孔や微細溝内に残留しやすく、細く深い微細孔
等は良好に穿設することができにくい問題があった。
【０００４】このため、本発明者らは、特開平６−３１
０４７３号公報により、レーザ光の入射方向に電界を印
加させることによって、被加工物を帯電させ、微細孔内
の加工残渣にクーロン力を生じさせて、微細孔から加工
残渣を排出させるレーザ加工装置を提案した。
０４７３号公報により、レーザ光の入射方向に電界を印
加させることによって、被加工物を帯電させ、微細孔内
の加工残渣にクーロン力を生じさせて、微細孔から加工
残渣を排出させるレーザ加工装置を提案した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このレーザ加工装置
は、加工残渣を微細孔等からある程度効率良く排出する
ことができるものの、極めて細く深い微細孔等を加工す
る場合、残渣の排出が難しく加工限界が生じていた。こ
のため、さらなる研究実験を行った結果、電界の印加す
る方向は残渣の電荷を排出する方向と一致させる必要が
あるが、レーザ光の照射時、照射面の電荷が反転すると
考えられる現象が見られた。
は、加工残渣を微細孔等からある程度効率良く排出する
ことができるものの、極めて細く深い微細孔等を加工す
る場合、残渣の排出が難しく加工限界が生じていた。こ
のため、さらなる研究実験を行った結果、電界の印加す
る方向は残渣の電荷を排出する方向と一致させる必要が
あるが、レーザ光の照射時、照射面の電荷が反転すると
考えられる現象が見られた。
【０００６】即ち、上記公報で提案したレーザ加工機で
は、レーザ光の照射時に被加工物に生じる正電荷イオン
を加工孔から引き出すために、被加工物に対し対向電極
を負とする電界を発生させた。
は、レーザ光の照射時に被加工物に生じる正電荷イオン
を加工孔から引き出すために、被加工物に対し対向電極
を負とする電界を発生させた。
【０００７】しかし、実験の結果、パルス状のレーザ光
を被加工物に照射して微細孔を加工する場合、図２に示
すように、レーザ光の照射時、被照射面から先ず負電荷
の電子が放出され、その後、正電荷のイオンが放出され
ることが判明した。
を被加工物に照射して微細孔を加工する場合、図２に示
すように、レーザ光の照射時、被照射面から先ず負電荷
の電子が放出され、その後、正電荷のイオンが放出され
ることが判明した。
【０００８】このため、被加工物近傍に一定の電界を印
加した場合には、負電荷の電子、或は正電荷のイオンの
どちらかの電荷が放出されにくくなり、微細孔からの残
渣の放出が良好に行われにくく、加工可能な微細孔や微
細溝の径や深さには少なからず限界が生じていた。
加した場合には、負電荷の電子、或は正電荷のイオンの
どちらかの電荷が放出されにくくなり、微細孔からの残
渣の放出が良好に行われにくく、加工可能な微細孔や微
細溝の径や深さには少なからず限界が生じていた。
【０００９】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
で、加工残渣を微細孔や微細溝から効率良く排出し、よ
り細く深い微細孔や微細溝を良好に加工することができ
るレーザ加工機と加工方法を提供することを目的とす
る。
で、加工残渣を微細孔や微細溝から効率良く排出し、よ
り細く深い微細孔や微細溝を良好に加工することができ
るレーザ加工機と加工方法を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のレーザ加工機は、真空槽内の被加工物にパ
ルス状のレーザ光を照射して被加工物を加工するレーザ
加工機において、被加工物近傍に電界を発生させるため
に配設された電極と、電極に電界発生用の電源を供給す
る電源装置と、レーザ光の照射時に被加工物から放出さ
れる放出粒子の電荷量を検出する検出手段と、検出手段
により検出された放出粒子の電荷量の正負に応じて前記
電源装置を制御し被加工物近傍に電界を交番させて発生
させる電界制御手段と、を備えたことを特徴とする。
に、本発明のレーザ加工機は、真空槽内の被加工物にパ
ルス状のレーザ光を照射して被加工物を加工するレーザ
加工機において、被加工物近傍に電界を発生させるため
に配設された電極と、電極に電界発生用の電源を供給す
る電源装置と、レーザ光の照射時に被加工物から放出さ
れる放出粒子の電荷量を検出する検出手段と、検出手段
により検出された放出粒子の電荷量の正負に応じて前記
電源装置を制御し被加工物近傍に電界を交番させて発生
させる電界制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】ここで、検出手段は、電極に流れる電流を
検出することにより電荷量を検出し、或は、被加工物の
上方に配置された電荷検出用部材に流れる電流を検出す
ることにより電荷量を検出することができる。
検出することにより電荷量を検出し、或は、被加工物の
上方に配置された電荷検出用部材に流れる電流を検出す
ることにより電荷量を検出することができる。
【００１２】また、本発明のレーザ加工方法は、真空槽
内の被加工物にパルス状のレーザ光を照射して被加工物
を加工するレーザ加工方法において、被加工物近傍に電
界が印加され、レーザ光の照射によって被加工物から放
出される放出粒子の電荷量を検出し、放出粒子の電荷量
の正負に応じて電界を交番させることを特徴とする。
内の被加工物にパルス状のレーザ光を照射して被加工物
を加工するレーザ加工方法において、被加工物近傍に電
界が印加され、レーザ光の照射によって被加工物から放
出される放出粒子の電荷量を検出し、放出粒子の電荷量
の正負に応じて電界を交番させることを特徴とする。
【００１３】ここで、放出粒子の電荷量は、電界印加用
の電極に流れる電流により検出することができる。
の電極に流れる電流により検出することができる。
【００１４】
【作用・効果】このような構成のレーザ加工機及びレー
ザ加工方法では、パルス状のレーザ光を真空槽内の被加
工物に照射すると共に、被加工物近傍に電界を発生させ
る。このとき、レーザ光の照射によって被加工物から放
出される放出粒子の電荷量を検出し、電界は、放出粒子
の電荷量の正負に応じて交番するように発生させる。
ザ加工方法では、パルス状のレーザ光を真空槽内の被加
工物に照射すると共に、被加工物近傍に電界を発生させ
る。このとき、レーザ光の照射によって被加工物から放
出される放出粒子の電荷量を検出し、電界は、放出粒子
の電荷量の正負に応じて交番するように発生させる。
【００１５】つまり、例えば、被加工物から電子が放出
される間は電子が被加工物から引き出される方向に電界
を発生させ、正電荷イオンが放出される間は正電荷イオ
ンが引き出される方向に電界を発生させる。
される間は電子が被加工物から引き出される方向に電界
を発生させ、正電荷イオンが放出される間は正電荷イオ
ンが引き出される方向に電界を発生させる。
【００１６】このため、レーザ光の照射時、被加工物か
ら先ず負電荷の電子が放出され、その後、正電荷のイオ
ンが放出されるが、このように交番・発生する電界によ
って、電子及び正電荷イオンの粒子つまり加工残渣を外
側に引き出し、加工する微細孔や微細溝からそれらの粒
子を効率良く排出することができる。したがって、より
細くより深い微細孔や微細溝を高い効率で加工すること
ができ、より高いアスペクト比の孔や溝を加工すること
ができる。
ら先ず負電荷の電子が放出され、その後、正電荷のイオ
ンが放出されるが、このように交番・発生する電界によ
って、電子及び正電荷イオンの粒子つまり加工残渣を外
側に引き出し、加工する微細孔や微細溝からそれらの粒
子を効率良く排出することができる。したがって、より
細くより深い微細孔や微細溝を高い効率で加工すること
ができ、より高いアスペクト比の孔や溝を加工すること
ができる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【００１８】図１はレーザ加工機の概略構成図を示して
いる。１は加工を行う真空槽であり、槽内は図示しな真
空ポンプに接続され、所定の真空度まで減圧される。真
空槽１内には、被加工物近傍に電界を発生するための基
板電極２と対向電極３が配設され、基板電極２上に被加
工物Ｗが載置される。
いる。１は加工を行う真空槽であり、槽内は図示しな真
空ポンプに接続され、所定の真空度まで減圧される。真
空槽１内には、被加工物近傍に電界を発生するための基
板電極２と対向電極３が配設され、基板電極２上に被加
工物Ｗが載置される。
【００１９】対向電極３は基板電極２の上方に配設され
る。対向電極３は中央に下方の被加工物側に突出した突
出孔部３ａを有し、この突出孔部３ａを通してレーザ光
が下方の被加工物上に照射される。
る。対向電極３は中央に下方の被加工物側に突出した突
出孔部３ａを有し、この突出孔部３ａを通してレーザ光
が下方の被加工物上に照射される。
【００２０】真空槽１の上部には透光窓４が取付けら
れ、透光窓４の上方に対物レンズ５が配置される。対物
レンズ５は、レーザ発振器６から照射されたレーザ光を
ミラー７を介して受け、被加工物Ｗ上で集光させる。レ
ーザ発振器６は、例えばＡｒＦガスを使用するエキシマ
レーザ装置の場合、波長１９３ｎｍのレーザ光を出力１
００〜２００ｍＪで発振・出力する。
れ、透光窓４の上方に対物レンズ５が配置される。対物
レンズ５は、レーザ発振器６から照射されたレーザ光を
ミラー７を介して受け、被加工物Ｗ上で集光させる。レ
ーザ発振器６は、例えばＡｒＦガスを使用するエキシマ
レーザ装置の場合、波長１９３ｎｍのレーザ光を出力１
００〜２００ｍＪで発振・出力する。
【００２１】１０はレーザ発振器６の制御装置であり、
所定幅のレザーパルスを一定時間間隔で発振させるよう
に、レーザ発振器６を制御する。１１は、基板電極２と
対向電極３間に電界を発生させるために両電極２、３間
に電圧を印加する電界発生用電源装置である。
所定幅のレザーパルスを一定時間間隔で発振させるよう
に、レーザ発振器６を制御する。１１は、基板電極２と
対向電極３間に電界を発生させるために両電極２、３間
に電圧を印加する電界発生用電源装置である。
【００２２】この電界発生用電源装置１１は、電源を供
給する電源部とその電位を反転させるように制御する制
御部とからなり、レーザパルスが照射される僅か前に基
板電極２と対向電極３間に対向電極３を正とする電圧を
印加して、電界の発生を開始し、レーザ光の照射により
被加工物から放出される電子が正電荷イオンに変るタイ
ミング、つまり電荷が負から正に変るタイミングに同期
して対向電極側を負とする電圧に切り換え、電界を交番
させながら印加するように構成される。
給する電源部とその電位を反転させるように制御する制
御部とからなり、レーザパルスが照射される僅か前に基
板電極２と対向電極３間に対向電極３を正とする電圧を
印加して、電界の発生を開始し、レーザ光の照射により
被加工物から放出される電子が正電荷イオンに変るタイ
ミング、つまり電荷が負から正に変るタイミングに同期
して対向電極側を負とする電圧に切り換え、電界を交番
させながら印加するように構成される。
【００２３】即ち、被加工物Ｗが導体の場合、レーザ光
の照射により被加工物Ｗは電荷を保存することから電子
がそこに流れ込み、これによって電流が流れ出すため、
基板電極２と電界発生用電源装置１１間の電源線に電流
検出器１２を接続し、基板電極２から流れ出す電流を検
出する。そして、この基板電極２からの電流がゼロにな
った時点が電子から正電荷イオンの放出に変り電荷が負
から正に変る時であり、この時点で電界を反転させる。
の照射により被加工物Ｗは電荷を保存することから電子
がそこに流れ込み、これによって電流が流れ出すため、
基板電極２と電界発生用電源装置１１間の電源線に電流
検出器１２を接続し、基板電極２から流れ出す電流を検
出する。そして、この基板電極２からの電流がゼロにな
った時点が電子から正電荷イオンの放出に変り電荷が負
から正に変る時であり、この時点で電界を反転させる。
【００２４】一方、被加工物Ｗが不導体或は半導体の場
合、レーザ光が被加工物Ｗに照射されると、先ず電子が
対向電極３に向けて放出されるため、対向電極３と電界
印加用電源装置１１間の電源線に電流検出器１３を接続
し、この電子によって対向電極３に流れる電流を電流検
出器１３により検出する。そして、この対向電極３から
の電流がゼロになった時点が電子から正電荷イオンの放
出に変り電荷が負から正に変る時であり、この時点で電
界を反転させる。
合、レーザ光が被加工物Ｗに照射されると、先ず電子が
対向電極３に向けて放出されるため、対向電極３と電界
印加用電源装置１１間の電源線に電流検出器１３を接続
し、この電子によって対向電極３に流れる電流を電流検
出器１３により検出する。そして、この対向電極３から
の電流がゼロになった時点が電子から正電荷イオンの放
出に変り電荷が負から正に変る時であり、この時点で電
界を反転させる。
【００２５】なお、図３に示すように、対向電極３の上
方に電界検出用部材としてマイクロチャネルプレート８
とその電極９を配置し、このマイクロチャネルプレート
８に電流検出器１４を接続し、電極９にマイクロチャン
ネルプレート用高圧電源を接続し、被加工物Ｗから放出
される電子或はイオンの電荷を、増幅して電流検出器１
４の電流検出により検出することもできる。
方に電界検出用部材としてマイクロチャネルプレート８
とその電極９を配置し、このマイクロチャネルプレート
８に電流検出器１４を接続し、電極９にマイクロチャン
ネルプレート用高圧電源を接続し、被加工物Ｗから放出
される電子或はイオンの電荷を、増幅して電流検出器１
４の電流検出により検出することもできる。
【００２６】次に、上記構成のレーザ加工機の動作を説
明する。
明する。
【００２７】レーザ発振器６は制御装置１０から出力さ
れるトリガ信号に応じて発振し、図２に示すように、所
定幅のパルスレーザ光を一定時間間隔で出力する。この
とき、電界発生用電源装置１１はパルスレーザ光が出力
される時点の少し前から対向電極３と基板電極２間に正
の電圧（対向電極側に高い電圧）の印加を開始し、両電
極間つまり被加工物近傍に正の電界を生じさせる。
れるトリガ信号に応じて発振し、図２に示すように、所
定幅のパルスレーザ光を一定時間間隔で出力する。この
とき、電界発生用電源装置１１はパルスレーザ光が出力
される時点の少し前から対向電極３と基板電極２間に正
の電圧（対向電極側に高い電圧）の印加を開始し、両電
極間つまり被加工物近傍に正の電界を生じさせる。
【００２８】パルス状のレーザ光が、ミラー７と対物レ
ンズ５を通して集光され、被加工物Ｗに照射されると、
被加工物Ｗが導体の場合、レーザ光の照射により被加工
物Ｗは電荷を保存するため電子がそこに流れ込み、これ
によって電流が被加工物、基板電極２へと流れ出すた
め、基板電極２と電界発生用電源装置１１間の電流検出
器１２によりその電流が検出される。
ンズ５を通して集光され、被加工物Ｗに照射されると、
被加工物Ｗが導体の場合、レーザ光の照射により被加工
物Ｗは電荷を保存するため電子がそこに流れ込み、これ
によって電流が被加工物、基板電極２へと流れ出すた
め、基板電極２と電界発生用電源装置１１間の電流検出
器１２によりその電流が検出される。
【００２９】また、被加工物Ｗが不導体或は半導体の場
合、レーザ光の照射により、電子が対向電極３に向けて
放出されるため、対向電極３と電界印加用電源装置１１
間の電源線に接続した電流検出器１３、又は図３のよう
なマイクロチャネルプレート８に接続された電流検出器
１４によりその電流が検出される。
合、レーザ光の照射により、電子が対向電極３に向けて
放出されるため、対向電極３と電界印加用電源装置１１
間の電源線に接続した電流検出器１３、又は図３のよう
なマイクロチャネルプレート８に接続された電流検出器
１４によりその電流が検出される。
【００３０】そして、被加工物Ｗからの電子の放出は、
その後すぐに正電荷イオンの放出に変るが、この電子か
ら正電荷イオンへの変化時点が、電流検出器１２によっ
て検出される電流がゼロになった時点に対応して検出さ
れ、電界発生用電源装置１１は、図２に示すように、こ
の時点で電界を反転、つまり基板電極２に対し対向電極
３の電位を負にして電界を反転させる。この負の電界の
発生は、次のレーザパルスが照射される時点の少し前ま
で継続される。
その後すぐに正電荷イオンの放出に変るが、この電子か
ら正電荷イオンへの変化時点が、電流検出器１２によっ
て検出される電流がゼロになった時点に対応して検出さ
れ、電界発生用電源装置１１は、図２に示すように、こ
の時点で電界を反転、つまり基板電極２に対し対向電極
３の電位を負にして電界を反転させる。この負の電界の
発生は、次のレーザパルスが照射される時点の少し前ま
で継続される。
【００３１】このように、パルスレーザの照射の開始時
点に被加工物Ｗから電子が放出される間は、対向電極側
に正となる電界を発生させるため、負の電荷を持つ電子
が被加工物Ｗから効率良く引き出され、その後、被加工
物Ｗから正電荷イオンが放出される間は、対向電極側が
負となる電界を発生させるため、正電荷イオンを被加工
物Ｗから効率良く引き出すことができる。
点に被加工物Ｗから電子が放出される間は、対向電極側
に正となる電界を発生させるため、負の電荷を持つ電子
が被加工物Ｗから効率良く引き出され、その後、被加工
物Ｗから正電荷イオンが放出される間は、対向電極側が
負となる電界を発生させるため、正電荷イオンを被加工
物Ｗから効率良く引き出すことができる。
【００３２】したがって、微細孔や微細溝の加工におい
ても、加工残渣が孔や溝から効率良く排出され、効率良
く微細孔や微細溝の加工を行うことができると共に、よ
りアスペクト比の高い、つまりより細く深い微細孔等を
加工することできる。
ても、加工残渣が孔や溝から効率良く排出され、効率良
く微細孔や微細溝の加工を行うことができると共に、よ
りアスペクト比の高い、つまりより細く深い微細孔等を
加工することできる。
【００３３】なお、レーザ光の照射時、被加工物Ｗから
放出された電子が対向電極３或はマイクロチャネルプレ
ート８に到達するまでの時間（非常に短い時間）が、電
界を反転させるタイミングを僅かに遅らせることが考え
られるが、この遅れは検出電流のピーク発生時（負電荷
のピーク時）等を検出した時点から、この遅れを見込ん
で算出すれば、遅れを補正することができる。
放出された電子が対向電極３或はマイクロチャネルプレ
ート８に到達するまでの時間（非常に短い時間）が、電
界を反転させるタイミングを僅かに遅らせることが考え
られるが、この遅れは検出電流のピーク発生時（負電荷
のピーク時）等を検出した時点から、この遅れを見込ん
で算出すれば、遅れを補正することができる。
【図１】本発明の一実施例を示すレーザ加工機の概略構
成図である。
成図である。
【図２】被加工物からの放出電荷量、レーザ光の強度、
及び対向電極の電位の変化を示すタイミングチャートで
ある。
及び対向電極の電位の変化を示すタイミングチャートで
ある。
【図３】他の実施例のレーザ加工機の要部断面図であ
る。
る。
１−真空槽、 ２−基板電極、 ３−対向電極、 ６−レーザ発振器、 １０−制御装置、 １１−電界発生用電源装置、 １２、１３、１４−電流検出器、 Ｗ−被加工物。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/302 (72)発明者 井戸垣 孝治 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 真空槽内の被加工物にパルス状のレーザ
光を照射して被加工物を加工するレーザ加工機におい
て、 該被加工物近傍に電界を発生させるために配設された電
極と、 該電極に電界発生用の電源を供給する電源装置と、 レーザ光の照射時に被加工物から放出される放出粒子の
電荷量を検出する検出手段と、 該検出手段により検出された放出粒子の電荷量の正負に
応じて前記電源装置を制御し該被加工物近傍に電界を交
番させて発生させる電界制御手段と、 を備えたことを特徴とするレーザ加工機。 - 【請求項２】 前記検出手段は前記電極に流れる電流を
検出することにより前記電荷量を検出する請求項１記載
のレーザ加工機。 - 【請求項３】 前記検出手段は、被加工物の上方に配置
された電荷検出用部材に流れる電流を検出することによ
り、前記電荷量を検出する請求項１記載のレーザ加工
機。 - 【請求項４】 真空槽内の被加工物にパルス状のレーザ
光を照射して被加工物を加工するレーザ加工方法におい
て、 該被加工物近傍に電界が印加され、レーザ光の照射によ
って該被加工物から放出される放出粒子の電荷量を検出
し、該放出粒子の電荷量の正負に応じて該電界を交番さ
せることを特徴とするレーザ加工方法。 - 【請求項５】 前記放出粒子の電荷量が電界印加用の電
極に流れる電流により検出される請求項４記載のレーザ
加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300769A JPH08155670A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | レーザ加工機とその加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6300769A JPH08155670A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | レーザ加工機とその加工方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08155670A true JPH08155670A (ja) | 1996-06-18 |
Family
ID=17888876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6300769A Pending JPH08155670A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | レーザ加工機とその加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08155670A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| EP0767025A1 (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-09 | Agency of Industrial Science and Technology of Ministry of International Trade and Industry | Laser guided discharge machining apparatus |
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-
1994
- 1994-12-05 JP JP6300769A patent/JPH08155670A/ja active Pending
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