JPH08153685A - Special material gas supply device for semiconductor - Google Patents
Special material gas supply device for semiconductorInfo
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- JPH08153685A JPH08153685A JP31554994A JP31554994A JPH08153685A JP H08153685 A JPH08153685 A JP H08153685A JP 31554994 A JP31554994 A JP 31554994A JP 31554994 A JP31554994 A JP 31554994A JP H08153685 A JPH08153685 A JP H08153685A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体製造装置にお
いて使用される種々の半導体用特殊材料ガスの各成分ご
との濃度或いは流量等を確認し制御することのできる半
導体用特殊材料ガス供給装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor special material gas supply device capable of confirming and controlling the concentration or flow rate of each component of various semiconductor special material gases used in a semiconductor manufacturing apparatus. .
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体製造装置におけるシリコンウェ−
ハ上への薄膜形成、酸化及びエッチング処理等の工程で
は半導体用特殊材料ガスを用いて所定の処理が行われ
る。このような半導体製造装置においては、各種の半導
体用特殊材料ガス、例えばモノシラン（NiH4）、ホスフ
ィン（PH3 ）、アルシン（AsH3）等はガスボンベに充填
され所定の成分ガス及び各成分濃度を所定の流量で混合
させてから半導体製造装置に供給する。これらの特殊材
料ガスの中には極めて有毒なもの、可燃性のもの、また
汚れの極めて少ないものが使用されておりガス供給装置
で混合成分濃度や流量が管理されている。2. Description of the Related Art Silicon wafers in semiconductor manufacturing equipment
In the steps such as thin film formation on the c, oxidation and etching treatment, a predetermined treatment is performed using a special material gas for semiconductor. In such a semiconductor manufacturing apparatus, various special material gases for semiconductors, such as monosilane (NiH 4 ), phosphine (PH 3 ), and arsine (AsH 3 ), are filled in a gas cylinder to obtain a predetermined component gas and each component concentration. It is mixed at a predetermined flow rate and then supplied to a semiconductor manufacturing apparatus. Among these special material gases, those that are extremely toxic, those that are flammable, and those that have very little contamination are used, and the concentration and flow rate of the mixed components are controlled by the gas supply device.
【０００３】上記半導体製造装置における半導体用特殊
材料ガスの供給に際しては各ガスの成分、成分濃度、流
量等を予め定めてから混合する。しかしガスボンベに充
填されている半導体用特殊材料ガスのガス成分及び濃度
等を実際の製造プロセスライン（インライン）で測定出
来る計測器は市販されていない。従って、現在使用して
いる或いはこれから使用しようとするガスの成分や濃度
等は、ガスボンベに表示されている組成及び濃度をその
まま信用して使用しているのが現状である。In supplying the semiconductor special material gas in the semiconductor manufacturing apparatus, the components, the component concentrations, the flow rates, etc. of the respective gases are determined in advance and then mixed. However, there is no commercially available measuring instrument that can measure the gas component and concentration of the special material gas for semiconductors filled in the gas cylinder in an actual manufacturing process line (in-line). Therefore, as for the components and concentrations of the gas currently used or to be used in the future, the composition and concentration shown on the gas cylinder are used as they are.
【０００４】ガスボンベの特殊材料ガスの濃度を測定す
る手段としては半導体製造装置やガスボンベ収納庫のガ
ス配管系の一部にサンプリング用の配管を設け、ガスク
ロマトグラフで分析する方法がある。また、ガス濃度を
計測する他の手段としては超音波式濃度計、光の屈折率
計等で計測する方法がある。しかしガスクロマトグラフ
を用いる方法はガス配管系に『溜まり部分』ができるの
でパ−ジ操作が煩わしい上にサンプリングしたガスの廃
棄のための無害化処理が必要となる。また、超音波式濃
度計や光の屈折率計はガスの種類を検出するための選択
性がなく、例えば測定中数値が変化した場合、ガスの濃
度が変わったのか或いはガスの種類が異なるのかを判別
することが出来ない。As a means for measuring the concentration of the special material gas in the gas cylinder, there is a method in which a sampling pipe is provided in a part of the gas pipe system of the semiconductor manufacturing apparatus or the gas cylinder storage and the gas chromatograph is used for analysis. Further, as another means for measuring the gas concentration, there is a method of measuring with an ultrasonic densitometer, a light refractometer or the like. However, in the method using a gas chromatograph, a "reserved portion" can be formed in the gas piping system, so that the purge operation is troublesome and detoxification treatment for discarding the sampled gas is required. In addition, ultrasonic densitometers and optical refractometers do not have selectivity for detecting the type of gas.For example, if the numerical value changes during measurement, is the gas concentration changed or the gas type is different? Cannot be determined.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】半導体用特殊材料ガス
の成分や濃度は、ガスメ−カ−により分析計測されガス
ボンベに貼付して表示されたり、分析表が添付されたり
して使用者（半導体製造メ−カ−等）に知らされる。半
導体製造メ−カ−においてはガス供給装置で混合成分濃
度や流量が管理されているが、安全上及び各モニタ−項
目（成分、濃度、流量等）のチェック機構が不完全であ
る。例えば、ガスメ−カ−ではボンベに表示してあるガ
ス成分及び濃度等の項目を人が読み取り、これらのパラ
メ−タを設定器により制御装置に入力して流量制御用マ
スフロ−コントロ−ラの出力値として各ガス流量が設定
される。しかし、２成分以上のガスを混合する場合、半
導体製造装置に供給される各成分ガスの組成は管理でき
ない。従って、誤ってガスボンベを接続したり、間違っ
て別のボンベを使用したりするといった誤接続、誤配
管、誤交換等が生じた場合このような誤使用を完全に防
止する方法はないのが現状である。しかもこのような誤
接続や誤配管の発生を防ぎきれず管理室でも集中点検で
きないので安全管理上常に問題となっている。The components and concentrations of the special material gas for semiconductors are analyzed and measured by a gas maker and attached to a gas cylinder and displayed, or an analysis table is attached to the user (semiconductor manufacturing). To the manufacturer). In semiconductor manufacturing manufacturers, the gas supply device controls the concentration and flow rate of mixed components, but for safety and the check mechanism of each monitor item (component, concentration, flow rate, etc.) is incomplete. For example, in a gas manufacturer, a person reads items such as gas components and concentrations displayed on a cylinder, inputs these parameters to a controller by a setting device, and outputs the mass flow controller for flow control. Each gas flow rate is set as a value. However, when mixing two or more component gases, the composition of each component gas supplied to the semiconductor manufacturing apparatus cannot be controlled. Therefore, there is no method to completely prevent such misuse when misconnection such as accidentally connecting a gas cylinder or accidentally using another cylinder, wrong piping, wrong replacement, etc. Is. Moreover, it is not possible to prevent the occurrence of such incorrect connections and incorrect piping, and centralized inspection cannot be performed even in the control room, which is always a problem in safety management.
【０００６】この発明は上記する課題に着目してなされ
たものであり、ガスボンベ収納庫から半導体製造装置へ
のガス配管系にガス成分、濃度、流量等を監視するモニ
タ−をプロセスライン（インライン）として組み込むこ
とが可能で、特に混合ガス配管内を流通する混合ガスの
各成分ガスの種類や濃度及び流量を計測することにより
各ガスボンベから供給される各成分ガスの種類や濃度及
び流量を照合し、誤接続や誤配管或いは誤交換といった
事故を防止することのできる半導体用特殊材料ガス供給
装置を提供することを目的とする。The present invention was made in view of the above-mentioned problems, and a process line (in-line) has a monitor for monitoring gas components, concentration, flow rate, etc. in a gas piping system from a gas cylinder storage to a semiconductor manufacturing apparatus. It is possible to check the type, concentration and flow rate of each component gas supplied from each gas cylinder by measuring the type, concentration and flow rate of each component gas of the mixed gas flowing through the mixed gas pipe. An object of the present invention is to provide a semiconductor special material gas supply device capable of preventing accidents such as erroneous connection, erroneous piping, and erroneous replacement.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】即ち、この発明は上記す
る課題を解決するために、半導体用特殊材料ガス供給装
置が、半導体用特殊材料ガスを収納した複数本のガス
ボンベに連結された各管路にマスフロ−コントロ−ラを
配置するとともに、これらの管路の合流点と半導体製造
装置との間の管路途中にインラインガスモニタ−を配置
し、前記マスフロ−コントロ−ラ及びインラインガスモ
ニタ−を半導体用ガス供給装置の制御装置に接続して成
ることを特徴とする。また前記インラインガスモニタ
−のガス成分及び濃度の出力信号と前記マスフロ−コン
トロ−ラの入力又は／及び出力信号と照合させ、これら
の信号の一致或いは不一致によりガス供給を制御するこ
とを特徴とする。或いは半導体用特殊材料ガス供給装
置が、半導体用特殊材料ガスを収納した複数本のガスボ
ンベに連結された各管路にマスフロ−コントロ−ラ及び
インラインガスモニタ−を配置するとともに、これらの
管路の合流点と半導体製造装置との間を合流管路で連結
し、前記マスフロ−コントロ−ラ及びインラインガスモ
ニタ−を半導体用ガス供給装置の制御装置に接続して成
ることを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a pipe for connecting a special material gas for semiconductors to a plurality of gas cylinders containing the special material gas for semiconductors. A mass flow controller is arranged in the passage, and an inline gas monitor is arranged in the middle of the pipeline between the confluence of these pipelines and the semiconductor manufacturing apparatus, and the mass flow controller and the inline gas monitor are arranged in the semiconductor. It is characterized by being connected to a control device of a gas supply device for use. Further, it is characterized in that the output signal of the gas component and the concentration of the in-line gas monitor is collated with the input or / and output signal of the mass flow controller, and the gas supply is controlled by the coincidence or non-coincidence of these signals. Alternatively, the special material gas supply device for semiconductors arranges a mass flow controller and an in-line gas monitor in each pipe line connected to a plurality of gas cylinders containing the special material gas for semiconductors, and joins these pipe lines. The point and the semiconductor manufacturing apparatus are connected by a merging pipe, and the mass flow controller and the in-line gas monitor are connected to a control device of the semiconductor gas supply apparatus.
【０００８】[0008]
【作用】半導体用特殊材料ガス供給装置を上記手段とす
ると、いずれの手段でも各ガスボンベ中の充填ガスの正
確さ及び各管路に配置されたマスフロ−コントロ−ラ
（ＭＦＣ）の精度等をチェックすることが出来る。そし
て若し各マスフロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）の信号とイ
ンラインガスモニタ−の信号とを照合した結果、許容範
囲内で一致した場合にはそのままガスを供給し、一致し
なかった場合には各管路或いは合流管路に設置した例え
ば電磁弁を制御してガスの供給を停止させることができ
る。When the special material gas supply device for semiconductors is used as the above means, the accuracy of the filling gas in each gas cylinder and the accuracy of the mass flow controller (MFC) arranged in each pipeline are checked by any means. You can do it. Then, as a result of comparing the signal of each mass flow controller (MFC) with the signal of the in-line gas monitor, if they match within the allowable range, the gas is supplied as it is, and if they do not match, each pipe is supplied. The supply of gas can be stopped by controlling, for example, a solenoid valve installed in the passage or the confluent conduit.
【０００９】[0009]
【実施例】以下、この発明の具体的実施例について図面
を参照しながら説明する。図１はこの発明の半導体用特
殊材料ガス供給装置において、混合系のガス供給装置に
より同時に複数の半導体用特殊材料ガスを使用する場合
の混合ガス配管図である。この実施例では３種類のガス
（Ａ、Ｂ、Ｃ）を同時に使用する場合で、ガスＡを充填
したガスボンベ１と、ガスＢを充填したガスボンベ２
と、ガスＣを充填したガスボンベ３とは有毒ガス成分や
爆発成分が漏洩しないような密閉空間を有するボンベ収
納庫４に収容される。ガスボンベ１に連結された管路５
とガスボンベ２に連結された管路６とガスボンベ３に連
結された管路７とは合流点８で一本の合流管路１０に連
結され、更に該合流管路１０は半導体製造装置１４へ連
結されるが、この場合、ガスＡとガスＢとガスＣとは前
記合流点８に配置された図示しない混合装置で混合され
たあと半導体製造装置１４へ供給される。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Specific embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a mixed gas piping diagram in the case where a plurality of semiconductor special material gases are simultaneously used by a gas supply apparatus of a mixed system in the semiconductor special material gas supply apparatus of the present invention. In this embodiment, when three kinds of gases (A, B, C) are used at the same time, a gas cylinder 1 filled with the gas A and a gas cylinder 2 filled with the gas B are used.
Then, the gas cylinder 3 filled with the gas C is housed in a cylinder container 4 having a closed space in which a toxic gas component and an explosive component do not leak. Pipe line 5 connected to gas cylinder 1
The pipe line 6 connected to the gas cylinder 2 and the pipe line 7 connected to the gas cylinder 3 are connected to a single merging pipe line 10 at a merging point 8, and the merging pipe line 10 is connected to a semiconductor manufacturing apparatus 14. In this case, the gas A, the gas B, and the gas C are mixed by a mixing device (not shown) arranged at the confluence 8 and then supplied to the semiconductor manufacturing apparatus 14.
【００１０】前記ガスボンベ１の管路５にはマスフロ−
コントロ−ラ（ＭＦＣ）１１が配置され、ガスボンベ２
の管路６にはマスフロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）１２が
配置され、ガスボンベ３の管路７にはマスフロ−コント
ロ−ラ（ＭＦＣ）１３が配置される。これらの各ガス
Ａ、Ｂ、Ｃは所定の圧力で供給されるが、各ラインには
専用のマスフロ−コントロ−ラが配置され、所定のガス
成分となるよう予め流量混合比を定めて半導体製造装置
１０へ供給される。尚、これらのマスフロ−コントロ−
ラ（ＭＦＣ）ではゼロ点、スパン点、制御範囲等を確認
しておく。A mass flow is provided in the pipe 5 of the gas cylinder 1.
A gas cylinder 2 with a controller (MFC) 11 installed
A mass flow controller (MFC) 12 is arranged in the pipeline 6 of the gas cylinder 3, and a mass flow controller (MFC) 13 is arranged in the pipeline 7 of the gas cylinder 3. Each of these gases A, B, C is supplied at a predetermined pressure, but a dedicated mass flow controller is arranged in each line, and the flow rate mixing ratio is determined in advance so as to obtain a predetermined gas component, and semiconductor manufacturing is performed. It is supplied to the device 10. In addition, these mass flow control
In La (MFC), check the zero point, span point, control range, etc.
【００１１】前記合流管路１０の途中にはインラインガ
スモニタ−９が配置されている。該インラインガスモニ
タ−９としては後述する構成とした赤外線ガス検出器が
用いられる。このように半導体用特殊材料ガス供給装置
ではガスＡとガスＢとガスＣの混合ガスを合流管路１０
に設置したインラインガスモニタ−９を通過させること
により混合ガス成分や濃度或いは流量をモニタ−しなが
ら半導体製造装置１４へ供給する。尚、この図１には図
示しないが、各管路５、６、７及びこれらを合流させた
管路１０には開閉弁や減圧弁及び電磁弁等が配置され
る。An inline gas monitor 9 is arranged in the middle of the merging conduit 10. As the in-line gas monitor-9, an infrared gas detector having a configuration described later is used. As described above, in the special material gas supply device for semiconductor, the mixed gas of the gas A, the gas B, and the gas C is joined to the merging conduit 10
It is supplied to the semiconductor manufacturing apparatus 14 while monitoring the mixed gas component, concentration or flow rate by passing through the in-line gas monitor 9 installed in. Although not shown in FIG. 1, an opening / closing valve, a pressure reducing valve, an electromagnetic valve, and the like are arranged in each of the pipelines 5, 6, 7 and the pipeline 10 in which they are joined.
【００１２】図２は前記合流管路１０に配置されたイン
ラインガスモニタ−９の構成の詳細を示す断面図であ
る。セルブロック９１にはガス流路９１ａが設けられ両
側には配管継手を連結できるよう雌ねじ部９１ｂ、９１
ｃが設けられている。そして該セルブロック９１の中央
部には流路９１ａに向けて（面して）上下に窓９１ｄ及
び９１ｅが設けられ、上側の窓９１ｄには赤外線光源９
２を取り付けた光源ブロック９３に固定された金属製リ
ング９４が嵌め込まれ、下側の窓９１ｅにはセンサブロ
ック９６に固定された金属リング９５が嵌め込まれてい
る。また、該センサブロック９６には測定ガスの吸収特
性に合致した波長を持つ干渉フィルタ（バンドパスフィ
ルタ）９７とセンサ（例えばパイロセンサ）９８が取り
付けられている。これらの金属リング９４及び９５は鑞
付けして該セルブロック９１に固定してある。このよう
にセルブロック９１内は有毒ガス或いは爆発の危険性の
あるガスが外部へ漏洩しないようタイトな構造としてあ
る。また、前記パイロセンサ９８は増幅器１００に接続
されコネクタ１０１を介して制御装置（ＣＰＵ）へ接続
される。尚、前記セルブロック９１の流路９１ａの途中
には圧力センサ９０が配置され流通ガスの濃度測定と同
時にガス圧を計測するようにしてある。即ち、ガス圧力
と赤外線センサの濃度信号（赤外線吸収率）とは１対１
の関係にあるので、インライガスモニタ−９に圧力セン
サ９０を配置して正確な濃度計測を保証するようにして
ある。FIG. 2 is a sectional view showing the details of the structure of the in-line gas monitor 9 arranged in the merging conduit 10. The cell block 91 is provided with a gas flow passage 91a, and female thread portions 91b, 91 are provided on both sides so that pipe joints can be connected.
c is provided. Further, windows 91d and 91e are provided at the center of the cell block 91 toward the flow path 91a (facing), and the infrared light source 9 is provided at the upper window 91d.
The metal ring 94 fixed to the light source block 93 to which 2 is attached is fitted, and the metal ring 95 fixed to the sensor block 96 is fitted to the lower window 91e. Further, the sensor block 96 is provided with an interference filter (bandpass filter) 97 and a sensor (for example, a pyrosensor) 98 having a wavelength that matches the absorption characteristic of the measurement gas. These metal rings 94 and 95 are brazed and fixed to the cell block 91. As described above, the inside of the cell block 91 has a tight structure so that the toxic gas or the gas having a risk of explosion does not leak to the outside. The pyro sensor 98 is connected to an amplifier 100 and a connector 101 to a control device (CPU). A pressure sensor 90 is arranged in the middle of the flow passage 91a of the cell block 91 so as to measure the gas pressure at the same time as measuring the concentration of the flowing gas. That is, the gas pressure and the concentration signal (infrared absorption rate) of the infrared sensor are 1: 1
Therefore, the pressure sensor 90 is arranged on the in-ry gas monitor 9 to ensure accurate concentration measurement.
【００１３】而して、上記混合ガス管路１０の途中にイ
ンラインガスモニタ−９を配置すると、混合ガス中の各
半導体用特殊材料ガスはそのガス特有の赤外線吸収スペ
クトルを有しているので、インラインガスモニタ−９内
のガス流路９１ａを流通するガスに赤外線を投射して吸
収させることによりそのガス成分の種類や濃度或いは流
量等を同時に計測しモニタすることが可能となる。When the in-line gas monitor 9 is arranged in the mixed gas pipeline 10, each special gas for semiconductors in the mixed gas has an infrared absorption spectrum peculiar to the gas. By projecting and absorbing infrared rays to the gas flowing through the gas flow passage 91a in the gas monitor 9, it is possible to simultaneously measure and monitor the type, concentration, flow rate, etc. of the gas component.
【００１４】次に、図１において、前記各マスフロ−コ
ントロ−ラ（ＭＦＣ）１１、１２、１３及びインライン
ガスモニタ−９は半導体用ガス供給装置用制御装置１５
に接続され、また、該半導体用ガス供給装置用制御装置
１５には設定器１６が接続されている。このように前記
インラインガスモニタ−９の測定成分の出力情報と、各
成分の濃度、流量等を出力させる各マスフロ−コントロ
−ラ（ＭＦＣ）１２、１３、１４の入力又は出力情報と
の一致、不一致を照合させるのである。Next, in FIG. 1, the mass flow controllers (MFCs) 11, 12, and 13 and the in-line gas monitor 9 are the control devices 15 for the semiconductor gas supply device.
Further, a setting device 16 is connected to the control device 15 for the semiconductor gas supply device. In this way, the output information of the measured components of the in-line gas monitor 9 and the input or output information of each mass flow controller (MFC) 12, 13, 14 for outputting the concentration, flow rate, etc. of each component are matched or not matched. To match.
【００１５】即ち、予めガス成分の種類や濃度及びガス
の物性値（ガスメ−カ−の分析値）が設定器１６から半
導体用ガス供給装置用制御装置１５に入力される。各マ
スフロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）１１、１２、１３では
各ガスの設定値に対して所定の流量制御を行い流量信号
として出力する。複数成分ガスの混合後の組成は各マス
フロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）の発生流量の精度により
決定されるが、一般的には常時モニタリングは行ってい
ない。前記インラインガスモニタ−９からの測定結果、
例えばガスＡ／ガスＢ／ガスＣの濃度信号を分析するこ
とで、前記マスフロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）１１、１
２、１３からの流量信号から得られたガスＡ／ガスＢ／
ガスＣの濃度信号を逐一比較照合する。こうして各マス
フロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）１１、１２、１３の精度
及び設定器１６に入力したガスボンベ１、２、３中のガ
ス濃度の正確さについても同時にチェックすることがで
きる。That is, the type and concentration of the gas component and the physical property value of the gas (analysis value of the gas maker) are input from the setter 16 to the controller 15 for the semiconductor gas supply device. Each mass flow controller (MFC) 11, 12, 13 performs a predetermined flow rate control on the set value of each gas and outputs it as a flow rate signal. The composition of a mixture of a plurality of component gases is determined by the accuracy of the generated flow rate of each mass flow controller (MFC), but in general, it is not always monitored. The measurement result from the in-line gas monitor-9,
For example, by analyzing the concentration signals of gas A / gas B / gas C, the mass flow controller (MFC) 11, 1
Gas A / Gas B / obtained from flow signals from 2 and 13
The concentration signals of the gas C are compared and collated one by one. Thus, the accuracy of each mass flow controller (MFC) 11, 12, 13 and the accuracy of the gas concentration in the gas cylinders 1, 2, 3 input to the setting device 16 can be checked at the same time.
【００１６】この発明の半導体用特殊材料ガス供給装置
は以上のような構成から成り、上記するように各ガスボ
ンベ１、２、３中の充填ガスの正確さ及び各管路に設置
されたマスフロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）１１、１２、
１３の精度等をチェックすることが出来る。そして若し
各マスフロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）１１、１２、１３
の信号とインラインガスモニタ−９の信号との照合した
結果、許容範囲内で一致した場合にはそのままガスを供
給し、一致しなかった場合には図示しない各管路５、
６、７或いは合流管路１０に設置した例えば電磁弁を閉
鎖してガスの供給を停止させることができる。The special material gas supply device for semiconductors according to the present invention is constructed as described above, and as described above, the accuracy of the filling gas in each gas cylinder 1, 2 and 3 and the mass flow installed in each pipeline. Controller (MFC) 11, 12,
You can check the accuracy of 13 and so on. And if each mass flow controller (MFC) 11, 12, 13
As a result of the comparison between the signal of No. 1 and the signal of the in-line gas monitor-9, if they match within the permissible range, the gas is supplied as it is.
The supply of gas can be stopped by closing, for example, an electromagnetic valve installed in 6, 7 or the merging conduit 10.
【００１７】この発明の上記実施例においては、インラ
インガスモニタ−９は混合ガス流路１０に設置したが、
マスフロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）とインラインガスモ
ニタ−との組み合わせにおいて、インラインガスモニタ
−が１成分系しかモニタ−できないものであるなら合流
管路１０ではなく各管路５、６、７に配置されたマスフ
ロ−コントロ−ラ（ＭＦＣ）１１、１２、１３の直後に
測定すべき対象ガスを分析することのできるインライン
ガスモニタ−を各々設置しても良い。また、実施例では
インラインガスモニタ−９として非分散形の赤外線検出
器を用いて説明したが、この赤外線検出器の代わりに紫
外線領域に吸収を有するガスを紫外検出器を用いてモニ
タするようにしても良い。In the above-described embodiment of the present invention, the in-line gas monitor 9 is installed in the mixed gas flow passage 10,
In a combination of a mass flow controller (MFC) and an in-line gas monitor, if the in-line gas monitor can monitor only a one-component system, it is arranged in each of the conduits 5, 6 and 7 instead of in the merging conduit 10. Immediately after the mass flow controllers (MFCs) 11, 12, and 13, in-line gas monitors capable of analyzing the target gas to be measured may be installed. Further, in the embodiment, the non-dispersion type infrared detector is used as the in-line gas monitor 9. However, instead of the infrared detector, the gas having absorption in the ultraviolet region is monitored by using the ultraviolet detector. Is also good.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上詳述したように、この発明の半導体
用特殊材料ガス供給装置によれば、半導体製造装置へ供
給するガスの種類（成分名）、組成濃度、流量等の情報
の信頼性が向上する。また、半導体製造のプロセスライ
ンに直接半導体用特殊材料ガスのガスモニタ−を設置す
るとともにマスフロ−コントロ−ラからの信号を中央監
視用の制御装置（ＣＰＵ）に入力して集中管理を行うこ
とができる。更に、マスフロ−コントロ−ラの入力（出
力）情報（ガス成分名、組成濃度、ガス物性値）とイン
ラインガスモニタ−の成分判定、及び濃度情報を照合す
ることで各モニタ−項目に対する信頼性を向上させるこ
とができる。更にまた、ガスボンベの取替や配管ライン
の変更等の際の誤配管、誤接続時におけるガス供給装置
の作動停止によって安全性を確保することができる。As described in detail above, according to the special material gas supply device for a semiconductor of the present invention, the reliability of information such as the type (component name), composition concentration, flow rate, etc. of the gas supplied to the semiconductor manufacturing device. Is improved. In addition, a gas monitor for a special material gas for semiconductors can be installed directly in a semiconductor manufacturing process line, and a signal from a mass flow controller can be input to a central monitoring control unit (CPU) for centralized management. . Furthermore, the reliability of each monitor item is improved by comparing the input (output) information (gas component name, composition concentration, gas physical property value) of the mass flow controller with the component determination of the in-line gas monitor and the concentration information. Can be made. Furthermore, safety can be ensured by erroneous piping at the time of replacing the gas cylinder or changing the piping line, and stopping the operation of the gas supply device at the time of erroneous connection.
【図１】この発明の半導体用特殊材料ガス供給装置にお
いて、混合系のガス供給装置により同時に複数の半導体
用特殊材料ガスを使用する場合の混合ガスの配管図であ
る。FIG. 1 is a piping diagram of a mixed gas in the case where a plurality of semiconductor special material gases are simultaneously used by a mixed gas supply apparatus in the semiconductor special material gas supply apparatus of the present invention.
【図２】合流管路に配置されたインラインガスモニタ−
の構成の詳細を示す断面図である。[Fig. 2] In-line gas monitor arranged in the confluence line
3 is a cross-sectional view showing details of the configuration of FIG.
１、２、３ ガスボンベ ５、６、７ 管路 ９ インラインガスモニタ− １０ 合流管路 １１、１２、１３ マスフロ−コントロ−ラ １４ 半導体製造装置 １５ 制御装置 １６ 設定器 1, 2, 3 Gas cylinders 5, 6, 7 Pipe lines 9 In-line gas monitor-10 Combined pipe lines 11, 12, 13 Mass flow controller 14 Semiconductor manufacturing device 15 Control device 16 Setting device
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宇野 敏彦 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (72)発明者 秋山 重之 京都府京都市南区吉祥院宮の東町２番地 株式会社堀場製作所内 (72)発明者 清水 哲夫 京都府京都市南区久世築山町378番31号 株式会社エステック内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Toshihiko Uno 2 Higashi-cho, Kichijoin-miya, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto Inside HORIBA, Ltd. (72) Inventor Shigeyuki Akiyama 2 Higashi-cho, Kichijoin-miya, Minami-ku, Kyoto, Kyoto Address: HORIBA, Ltd. (72) Inventor Tetsuo Shimizu 378-31, Kuze Tsukiyama-cho, Minami-ku, Kyoto-shi, Kyoto
Claims (3)
のガスボンベに連結された各管路にマスフロ−コントロ
−ラを配置するとともに、これらの管路の合流点と半導
体製造装置との間の管路途中にインラインガスモニタ−
を配置し、前記マスフロ−コントロ−ラ及びインライン
ガスモニタ−を半導体用ガス供給装置の制御装置に接続
して成る半導体用特殊材料ガス供給装置。1. A mass flow controller is arranged in each of the pipelines connected to a plurality of gas cylinders containing a special material gas for semiconductors, and between the confluence of these pipelines and a semiconductor manufacturing apparatus. In-line gas monitor in the middle of the pipeline
And the mass flow controller and the in-line gas monitor are connected to a control device of the semiconductor gas supply device.
濃度の出力信号とマスフロ−コントロ−ラの入力又は／
及び出力信号と照合させ、これらの信号の一致或いは不
一致によりガス供給を制御する請求項第１項記載の半導
体用特殊材料ガス供給装置。2. An output signal of a gas component and a concentration of an in-line gas monitor and an input of a mass flow controller or /
2. The special material gas supply device for a semiconductor according to claim 1, wherein the gas supply is controlled by comparing the output signal with the output signal and matching or non-matching of these signals.
のガスボンベに連結された各管路にマスフロ−コントロ
−ラ及びインラインガスモニタ−を配置するとともに、
これらの管路の合流点と半導体製造装置との間を合流管
路で連結し、前記マスフロ−コントロ−ラ及びインライ
ンガスモニタ−を半導体用ガス供給装置の制御装置に接
続して成る半導体用特殊材料ガス供給装置。3. A mass flow controller and an in-line gas monitor are arranged in each pipeline connected to a plurality of gas cylinders containing a special material gas for semiconductors,
A special material for semiconductors, which is formed by connecting the merging point of these pipelines with a semiconductor manufacturing apparatus by a merging pipeline, and connecting the mass flow controller and the in-line gas monitor to a controller of a gas supply system for semiconductors. Gas supply device.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31554994A JPH08153685A (en) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | Special material gas supply device for semiconductor |
| US08/558,506 US5810928A (en) | 1994-11-21 | 1995-11-16 | Method of measuring gas component concentrations of special material gases for semiconductor, a semiconductor equipment, and an apparatus for supplying special material gases for semiconductor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31554994A JPH08153685A (en) | 1994-11-25 | 1994-11-25 | Special material gas supply device for semiconductor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08153685A true JPH08153685A (en) | 1996-06-11 |
Family
ID=18066686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31554994A Pending JPH08153685A (en) | 1994-11-21 | 1994-11-25 | Special material gas supply device for semiconductor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08153685A (en) |
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- 1994-11-25 JP JP31554994A patent/JPH08153685A/en active Pending
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| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20060214 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |