JPH08148747A - Solid-state laser apparatus - Google Patents
Solid-state laser apparatusInfo
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- JPH08148747A JPH08148747A JP6289557A JP28955794A JPH08148747A JP H08148747 A JPH08148747 A JP H08148747A JP 6289557 A JP6289557 A JP 6289557A JP 28955794 A JP28955794 A JP 28955794A JP H08148747 A JPH08148747 A JP H08148747A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は固体レーザー装置に関
し、特に詳細には、直線偏光した単一縦モードのレーザ
ービームを発生させる固体レーザー装置に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state laser device, and more particularly to a solid-state laser device for generating a linearly polarized single longitudinal mode laser beam.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば特開昭62-189783 号公報に示され
るように、ネオジウムなどの希土類が添加された固体レ
ーザー結晶を半導体レーザー等によってポンピングする
固体レーザー装置が公知となっている。またこの種の固
体レーザー装置においては、より短波長のレーザービー
ムを得るために、その共振器内に非線形光学材料の結晶
を配置して、固体レーザービームを第２高調波等に波長
変換することも広く行なわれている。2. Description of the Related Art As disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-189783, there is known a solid-state laser device for pumping a solid-state laser crystal doped with a rare earth element such as neodymium with a semiconductor laser or the like. Further, in this type of solid-state laser device, in order to obtain a laser beam having a shorter wavelength, a crystal of a nonlinear optical material is placed in the resonator to convert the wavelength of the solid-state laser beam into a second harmonic or the like. Is also widely practiced.
【０００３】ところで、上述のような固体レーザー装置
に対しては、その他の種類のレーザー装置と同様、直線
偏光のレーザービームや、直線偏光でかつ単一縦モード
のレーザービームを発生させたいという要求がある。し
かし、固体レーザー媒質として（波長変換する場合はそ
れに加えて非線形光学材料も）光学的に等方な結晶を使
用する場合は、そのままでは直線偏光したレーザービー
ムを得ることはできない。By the way, the solid-state laser device as described above is required to generate a linearly polarized laser beam or a linearly polarized single-longitudinal-mode laser beam, like other types of laser devices. There is. However, when an optically isotropic crystal is used as the solid-state laser medium (in addition to the nonlinear optical material in the case of wavelength conversion), a linearly polarized laser beam cannot be obtained as it is.
【０００４】そこで本出願人は先に、固体レーザー媒質
や非線形光学材料として光学的に等方な結晶を使用して
も、直線偏光した単一縦モードのレーザービームを発生
させることができる固体レーザー装置を提案した（特開
平6-130328号公報参照）。この固体レーザー装置はその
共振器内に、複屈折性を有する結晶がその光学軸に対し
て光入、出射端面が角度をなすようにカットされてな
り、かつファブリー・ペロー型のエタロンとしての機能
を有するようにその厚さおよび端面反射率が調整された
偏光制御素子を配置したことを特徴とするものである。Therefore, the present applicant has previously proposed that a solid-state laser capable of generating a linearly polarized single longitudinal mode laser beam even if an optically isotropic crystal is used as the solid-state laser medium or the nonlinear optical material. A device was proposed (see Japanese Patent Laid-Open No. 6-130328). In this solid-state laser device, a crystal having birefringence is cut into the cavity so that the light emitting end face forms an angle with the optical axis, and it functions as a Fabry-Perot type etalon. A polarization control element whose thickness and end face reflectance are adjusted so as to have
【０００５】上記のようにアングル・カットされた偏光
制御素子にレーザービームが入射すると、その常光線と
異常光線とが分離される。そこでこの偏光制御素子を共
振器内に有する固体レーザー装置においては、共振器ミ
ラーの位置に応じて、これら２つの光線のうちの一方の
みが選択されて発振する。それにより、共振器から出射
するレーザービームは直線偏光したものとなる。When a laser beam is incident on the angle-controlled polarization control element as described above, its ordinary ray and extraordinary ray are separated. Therefore, in the solid-state laser device having the polarization control element in the resonator, only one of these two light beams is selected and oscillates according to the position of the resonator mirror. As a result, the laser beam emitted from the resonator is linearly polarized.
【０００６】また、上記の偏光制御素子がエタロンとし
ても機能すれば、この素子により発振波長が選択され、
共振器から出射するレーザービームが単一縦モード化さ
れるようになる。If the above polarization control element also functions as an etalon, the oscillation wavelength is selected by this element,
The laser beam emitted from the resonator becomes a single longitudinal mode.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記の固体レーザー装
置は、このようにして直線偏光した単一縦モードのレー
ザービームを発生可能であるが、その半面、偏光制御お
よび単一縦モード化の安定性の点で未だ改良の余地が残
されている。すなわち、上記偏光制御素子の偏光制御能
力はその厚さが大きいほど優れ、一方該素子の波長選択
能力はその厚さが小さいほど優れるという事情があるた
め、偏光制御能力と波長選択能力の双方が十分に高い偏
光制御素子は作成し難いのである。The above-described solid-state laser device can generate a linearly polarized single longitudinal mode laser beam in this way, but on the other hand, it is possible to stabilize polarization control and single longitudinal mode. There is still room for improvement in terms of sex. That is, the polarization control ability of the polarization control element is better as the thickness thereof is larger, while the wavelength selection ability of the element is better as the thickness thereof is smaller. Therefore, both the polarization control ability and the wavelength selection ability are excellent. It is difficult to make a sufficiently high polarization control element.
【０００８】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、直線偏光した単一縦モードのレーザービームを
安定して発生することができる固体レーザー装置を提供
することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a solid-state laser device capable of stably generating a linearly polarized single longitudinal mode laser beam. is there.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明による固体レーザ
ー装置は、複屈折性を有する結晶がその光学軸に対して
光入、出射端面が角度をなすようにカットされてなる偏
光制御素子、およびこの偏光制御素子と別体のエタロン
が共振器内に配置されていることを特徴とするものであ
る。A solid-state laser device according to the present invention is a polarization control element in which a crystal having birefringence is cut so that a light-incident end face and an emission end face are angled with respect to an optical axis thereof, and An etalon separate from this polarization control element is arranged in the resonator.
【００１０】なお、上記偏光制御素子としてさらに好ま
しくは、ファブリー・ペロー型のエタロンとしての機能
も有するようにその厚さおよび端面反射率が調整された
ものが用いられる。Further, as the above-mentioned polarization control element, it is more preferable to use one whose thickness and end face reflectance are adjusted so as to have a function as a Fabry-Perot type etalon.
【００１１】[0011]
【作用および発明の効果】上記の構成においては、偏光
制御機能は偏光制御素子から、そして波長選択正はエタ
ロンからと、それぞれ独立して得ることができる。そこ
で、偏光制御素子は偏光制御のみの観点から適正な厚さ
に決定し、一方エタロンは波長選択のみの観点から適正
な厚さに決定することができるので、偏光制御および単
一縦モード化の双方の機能が安定するようになる。In the above structure, the polarization control function can be obtained independently from the polarization control element, and the wavelength selection function can be obtained independently from the etalon. Therefore, the polarization control element determines the proper thickness from the viewpoint of polarization control only, while the etalon can determine the proper thickness from the perspective of wavelength selection only. Both functions become stable.
【００１２】また、上記偏光制御素子がエタロンとして
の機能も有するようにその厚さおよび端面反射率が調整
されたものである場合は、第２のエタロンであるこの偏
光制御素子と、本来設けられているエタロンによる波長
選択性とが相乗して、より高い波長選択能力が得られる
ようになる。Further, when the thickness and the end face reflectance are adjusted so that the polarization control element also has a function as an etalon, this polarization control element which is the second etalon is originally provided. With the wavelength selectivity of the etalon, the higher wavelength selection ability can be obtained.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の第１実施例によるレ
ーザーダイオードポンピング固体レーザーを示すもので
ある。このレーザーダイオードポンピング固体レーザー
は、ポンピング光としてのレーザービーム10を発する半
導体レーザー11と、発散光である上記レーザービーム10
を集光する屈折率分布形レンズ12と、ネオジウム（Ｎ
ｄ）がドーピングされた固体レーザー媒質であるＹＡＧ
結晶（以下、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶と称する）13と、このＮ
ｄ：ＹＡＧ結晶13の前方側（図中右方側）に配された共
振器ミラー14とを有している。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described in detail below based on the embodiments shown in the drawings. FIG. 1 shows a laser diode pumped solid state laser according to a first embodiment of the present invention. This laser diode pumped solid-state laser includes a semiconductor laser 11 that emits a laser beam 10 as pumping light and the laser beam 10 that is divergent light.
Gradient index lens 12 for condensing light, and neodymium (N
d) YAG which is a solid-state laser medium doped
Crystal (hereinafter referred to as Nd: YAG crystal) 13 and this N
The d: YAG crystal 13 has a resonator mirror 14 arranged on the front side (right side in the drawing).
【００１４】そしてこの共振器ミラー14とＮｄ：ＹＡＧ
結晶13との間には、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13側から順に、周
期ドメイン反転構造15ａを有するＬｉＮｂＯ3 結晶から
なる光波長変換素子15、偏光制御素子かつ第１のエタロ
ンとしてのカルサイトエタロン16、および第２のエタロ
ンとしての石英エタロン17が配置されている。The resonator mirror 14 and Nd: YAG
Between the crystal 13 and, in order from the Nd: YAG crystal 13 side, a light wavelength conversion element 15 made of a LiNbO 3 crystal having a periodic domain inversion structure 15a, a polarization control element and a calcite etalon 16 as a first etalon, And a quartz etalon 17 as a second etalon is arranged.
【００１５】上に述べた要素13〜17は熱伝導率の高い例
えば銅製の筐体20に固定され、そしてこの筐体20の固体
レーザー共振器（後述のように共振器ミラー14およびＮ
ｄ：ＹＡＧ結晶13で構成される）に近い部分には、温度
制御素子としてのペルチェ素子21が配されている。また
筐体20内には、共振器内部の温度を検出する温度センサ
22が配設されている。ペルチェ素子21の駆動は、この温
度センサ22の出力を受ける温調回路23によって制御さ
れ、それにより共振器内温度が所定温度に保たれる。The above-mentioned elements 13 to 17 are fixed to a housing 20 made of, for example, copper having a high thermal conductivity, and the solid-state laser resonator of the housing 20 (the resonator mirrors 14 and N as will be described later).
A Peltier element 21 as a temperature control element is arranged in a portion close to (d: YAG crystal 13). In addition, a temperature sensor for detecting the temperature inside the resonator is provided in the housing 20.
22 are provided. The driving of the Peltier element 21 is controlled by the temperature control circuit 23 which receives the output of the temperature sensor 22, and thereby the temperature inside the resonator is maintained at a predetermined temperature.
【００１６】半導体レーザー11としては、波長809 ｎｍ
のレーザービーム10を発するものが用いられている。ま
たＮｄ：ＹＡＧ結晶13はＮｄ濃度が１atm ％のものであ
る。このＮｄ：ＹＡＧ結晶13は入射したレーザービーム
10によってネオジウムイオンが励起されて、波長が946
ｎｍのレーザービーム18を発する。このレーザービーム
18は光波長変換素子15により、波長が１／２すなわち47
3 ｎｍの第２高調波19に変換される。The semiconductor laser 11 has a wavelength of 809 nm.
A laser beam that emits a laser beam 10 is used. The Nd: YAG crystal 13 has an Nd concentration of 1 atm%. This Nd: YAG crystal 13 is an incident laser beam
The neodymium ion is excited by 10 and the wavelength is 946.
emits a laser beam 18 of nm. This laser beam
18 is a wavelength of 1/2, that is, 47 due to the optical wavelength conversion element 15.
Converted to 3 nm second harmonic 19.
【００１７】Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の後側端面13ａには、
上記レーザービーム10を良好に透過させる一方、レーザ
ービーム18および第２高調波19は良好に反射させるコー
ティングが施されている。一方共振器ミラー14のミラー
面14ａには、レーザービーム18を良好に反射させる一
方、第２高調波19は一部透過させるコーティングが施さ
れている。On the rear end face 13a of the Nd: YAG crystal 13,
The laser beam 18 and the second harmonic wave 19 are coated so as to be well transmitted while the laser beam 10 is well transmitted. On the other hand, the mirror surface 14a of the resonator mirror 14 is provided with a coating that allows the laser beam 18 to be favorably reflected while partially transmitting the second harmonic wave 19.
【００１８】カルサイトエタロン16は複屈折性を有する
方解石（カルサイト）の結晶からなり、図２に詳しく示
す通りその両端面16ａ、16ｂが光学軸（ｚ軸）に対して
45°の角度をなす状態にして厚さ１ｍｍにカットされて
いる。そして上記端面16ａ、16ｂの波長946 ｎｍに対す
る反射率は10％に調整されている。また石英エタロン17
は、カルサイトエタロン16よりも薄い厚さ0.3 ｍｍにカ
ットされており、その両端面17ａ、17ｂの波長946 ｎｍ
に対する反射率は20％に調整されている。The calcite etalon 16 is composed of a calcite crystal having a birefringence, and both end surfaces 16a and 16b thereof have an optical axis (z axis) as shown in detail in FIG.
It is cut to a thickness of 1 mm with an angle of 45 °. The reflectance of the end faces 16a and 16b for the wavelength of 946 nm is adjusted to 10%. Quartz etalon 17
Is cut to a thickness of 0.3 mm, which is thinner than the calcite etalon 16. The wavelength of both end faces 17a and 17b is 946 nm.
Is adjusted to 20%.
【００１９】上記の構成においては、カルサイトエタロ
ン16の両端面16ａ、16ｂ間および石英エタロン17の両端
面17ａ、17ｂ間に波長946 ｎｍの定在波が生じ、この波
長946 ｎｍのレーザービーム18のみがＮｄ：ＹＡＧ結晶
端面13ａとミラー面14ａとの間で強く共振する。そして
このレーザービーム18が光波長変換素子15に入射して波
長473 ｎｍの第２高調波19に変換され、該第２高調波19
の一部が共振器ミラー14から出射する。In the above structure, a standing wave with a wavelength of 946 nm is generated between both end surfaces 16a and 16b of the calcite etalon 16 and between both end surfaces 17a and 17b of the quartz etalon 17, and the laser beam 18 with a wavelength of 946 nm is generated. Only strongly resonates between the Nd: YAG crystal end face 13a and the mirror face 14a. Then, this laser beam 18 enters the optical wavelength conversion element 15 and is converted into a second harmonic wave 19 having a wavelength of 473 nm.
Is emitted from the resonator mirror 14.
【００２０】なお本実施例では、カルサイトエタロン16
の両端面16ａ、16ｂおよび石英エタロン17の両端面17
ａ、17ｂに適宜のコーティングを施してそれらをファブ
リー・ペロー型のエタロンとして機能させているが、こ
のようなコーティングによらず、エタロンを構成する結
晶自身のフレネル反射を利用して同様の機能を得ること
も可能である。In this example, calcite etalon 16
Both end faces 16a, 16b of quartz and both end faces 17 of quartz etalon 17
Although a and 17b are appropriately coated to make them function as a Fabry-Perot type etalon, the same function can be achieved by using the Fresnel reflection of the crystal itself that constitutes the etalon, regardless of such coating. It is also possible to obtain.
【００２１】また、光学的に等方なＮｄ：ＹＡＧ結晶13
から出射した波長946 ｎｍのレーザービーム18は、図２
に示すように、複屈折性を有するカルサイトエタロン16
において常光線18Ａと異常光線18Ｂとに分離される。そ
こで共振器ミラー14を、これら常光線18Ａと異常光線18
Ｂの分離方向に適当に位置調整することにより、常光線
18Ａと異常光線18Ｂの一方のみを発振させることができ
る。このようにしてレーザービーム18を直線偏光とする
ことができ、ひいては第２高調波19を直線偏光とするこ
とができる。Also, an optically isotropic Nd: YAG crystal 13
The laser beam 18 with a wavelength of 946 nm emitted from
As shown in, calcite etalon 16 having birefringence
In, the ray is separated into the ordinary ray 18A and the extraordinary ray 18B. Therefore, the resonator mirror 14 is set to the ordinary ray 18A and the extraordinary ray 18
By properly adjusting the position in the separation direction of B, the ordinary ray
Only one of 18A and extraordinary ray 18B can be oscillated. In this way, the laser beam 18 can be linearly polarized, and thus the second harmonic 19 can be linearly polarized.
【００２２】以下、カルサイトエタロン16および石英エ
タロン17によるレーザービーム18の単一縦モード化につ
いて、図３および４を参照して説明する。図３は本実施
例の固体レーザーの波長と利得との概略関係を示してい
る。また図４は、上記実施例の固体レーザーから石英エ
タロン17を省いた構成における波長と利得との概略関係
を示している。A single longitudinal mode of the laser beam 18 by the calcite etalon 16 and the quartz etalon 17 will be described below with reference to FIGS. 3 and 4. FIG. 3 shows a schematic relationship between the wavelength and the gain of the solid-state laser of this embodiment. Further, FIG. 4 shows a schematic relationship between the wavelength and the gain in the configuration in which the quartz etalon 17 is omitted from the solid-state laser of the above embodiment.
【００２３】図４において、１点鎖線で示す利得変化は
Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の利得特性によるものであり、また
それよりも短周期の利得変化はカルサイトエタロン16に
よるものである。この場合は、利得が発振可能なしきい
値を超える波長が複数（図示の例では３つ）存在する可
能性が高くなり、単一縦モード化が困難である。In FIG. 4, the gain change indicated by the alternate long and short dash line is due to the gain characteristic of the Nd: YAG crystal 13, and the gain change with a shorter period than that is due to the calcite etalon 16. In this case, there is a high possibility that there are a plurality of wavelengths (three in the illustrated example) in which the gain exceeds the threshold at which oscillation is possible, and it is difficult to achieve a single longitudinal mode.
【００２４】それに対して図３の場合は、上記２つの利
得変化にさらに石英エタロン17による利得変化が重畳す
る。つまり図中破線で示すのが、Ｎｄ：ＹＡＧ結晶13の
利得特性に石英エタロン17による利得変化が重畳したも
のである。この場合は、利得が発振可能なしきい値を超
える波長が１つしか存在しないので、安定して単一縦モ
ード化が実現される。On the other hand, in the case of FIG. 3, the gain change by the quartz etalon 17 is further superimposed on the above two gain changes. That is, the broken line in the figure shows the gain characteristic of the Nd: YAG crystal 13 superposed with the gain change by the quartz etalon 17. In this case, since there is only one wavelength whose gain exceeds the threshold value at which oscillation is possible, stable single longitudinal mode is realized.
【００２５】次に、図５を参照して本発明の第２実施例
について説明する。図５は、本発明の第２実施例による
レーザーダイオードポンピング固体レーザーを示すもの
である。なおこの図５において、図１中の要素と同等の
要素には同番号を付し、それらについての重複した説明
は省略する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 shows a laser diode pumped solid state laser according to a second embodiment of the present invention. In FIG. 5, elements that are the same as the elements in FIG. 1 are given the same numbers, and duplicated description thereof will be omitted.
【００２６】この第２実施例のレーザーダイオードポン
ピング固体レーザーは、第１実施例のレーザーダイオー
ドポンピング固体レーザーと比べると、カルサイトエタ
ロン16に代えて、エタロン機能は備えないカルサイト板
30が用いられている点のみが異なるものである。このカ
ルサイト板30は高い偏光制御機能を有するように、例え
ば厚さ2.5 ｍｍと、第１実施例のカルサイトエタロン16
よりも厚めにカットされ、その両端面30ａ、30ｂが共振
器軸に対して垂直となる状態に配置されている。Compared with the laser diode pumped solid-state laser of the first embodiment, the laser diode pumped solid-state laser of the second embodiment has a calcite plate having no etalon function instead of the calcite etalon 16.
The only difference is that 30 is used. This calcite plate 30 has a thickness of, for example, 2.5 mm so that the calcite etalon 16 of the first embodiment has a high polarization control function.
It is cut to be thicker than the other, and both end faces 30a and 30b are arranged so as to be perpendicular to the resonator axis.
【００２７】本実施例においては、第１実施例の場合と
異なって、２つのエタロンによる相乗的な波長選択性は
得られないが、カルサイト板30とは別に形成された石英
エタロン17を十分に薄く形成することにより、エタロン
縦モード間隔を図６に示すように広げることができる。
それにより、利得が発振可能なしきい値を超える波長を
１つにして、単一縦モード化を実現できる。In the present embodiment, unlike the case of the first embodiment, a synergistic wavelength selectivity due to the two etalons cannot be obtained, but a quartz etalon 17 formed separately from the calcite plate 30 is sufficient. By making the etalon longitudinally thin, the etalon longitudinal mode interval can be widened as shown in FIG.
This makes it possible to realize a single longitudinal mode by setting one wavelength at which the gain exceeds the threshold at which oscillation is possible.
【００２８】なお本発明における偏光制御素子を形成す
る材料としては、上に挙げたカルサイトの他に、ＬｉＮ
ｂＯ3 、ルチル、水晶、ＹＶＯ4 、ＫＴｉＯＰＯ4 （Ｋ
ＴＰ）、ＫＮｂＯ3 さらにはＬｉＴａＯ3 等も使用可能
である。As materials for forming the polarization control element in the present invention, in addition to the above-mentioned calcite, LiN
bO 3 , rutile, crystal, YVO 4 , KTiOPO 4 (K
TP), KNbO 3 and LiTaO 3 can also be used.
【図１】本発明の第１実施例による固体レーザー装置を
示す側面図FIG. 1 is a side view showing a solid-state laser device according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１の装置における第１のエタロンを詳しく示
す側面図FIG. 2 is a side view showing in detail a first etalon in the apparatus of FIG.
【図３】上記第１実施例における発光波長と利得との概
略関係を示すグラフFIG. 3 is a graph showing a schematic relationship between the emission wavelength and the gain in the first embodiment.
【図４】従来装置における発光波長と利得との概略関係
を示すグラフFIG. 4 is a graph showing a schematic relationship between emission wavelength and gain in a conventional device.
【図５】本発明の第２実施例による固体レーザー装置を
示す側面図FIG. 5 is a side view showing a solid-state laser device according to a second embodiment of the present invention.
【図６】上記第２実施例における発光波長と利得との概
略関係を示すグラフFIG. 6 is a graph showing a schematic relationship between the emission wavelength and the gain in the second embodiment.
10 レーザービーム（ポンピング光） 11 半導体レーザー 12 集光レンズ 13 Ｎｄ：ＹＡＧ結晶 14 共振器ミラー 15 光波長変換素子 16 カルサイトエタロン（第１のエタロン） 17 石英エタロン（第２のエタロン） 18 固体レーザービーム 18Ａ 常光線 18Ｂ 異常光線 19 第２高調波 30 カルサイト板 10 Laser beam (pumping light) 11 Semiconductor laser 12 Condenser lens 13 Nd: YAG crystal 14 Resonator mirror 15 Optical wavelength conversion element 16 Calcite etalon (first etalon) 17 Quartz etalon (second etalon) 18 Solid-state laser Beam 18A Ordinary ray 18B Extraordinary ray 19 Second harmonic wave 30 Calcite plate
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/042 3/08 3/094 3/098 3/109 3/13 3/16 Ｈ０１Ｓ 3/094 Ｓ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01S 3/042 3/08 3/094 3/098 3/109 3/13 3/16 H01S 3 / 094 S
Claims (2)
して光入、出射端面が角度をなすようにカットされてな
る偏光制御素子、およびこの偏光制御素子と別体のエタ
ロンが共振器内に配置されていることを特徴とする固体
レーザー装置。1. A polarization control element in which a crystal having birefringence is cut in such a manner that light is incident on the optical axis of the crystal and its output end face forms an angle, and an etalon separate from the polarization control element is a resonator. A solid-state laser device characterized by being arranged inside.
ー型のエタロンとしての機能も有するようにその厚さお
よび端面反射率が調整されたものであることを特徴とす
る請求項１記載の固体レーザー装置。2. The solid-state laser according to claim 1, wherein the polarization control element has its thickness and end face reflectance adjusted so as to also function as a Fabry-Perot type etalon. apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6289557A JPH08148747A (en) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | Solid-state laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6289557A JPH08148747A (en) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | Solid-state laser apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08148747A true JPH08148747A (en) | 1996-06-07 |
Family
ID=17744784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6289557A Withdrawn JPH08148747A (en) | 1994-11-24 | 1994-11-24 | Solid-state laser apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08148747A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012080013A (en) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Canon Inc | Light source device and imaging apparatus using same |
-
1994
- 1994-11-24 JP JP6289557A patent/JPH08148747A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012080013A (en) * | 2010-10-05 | 2012-04-19 | Canon Inc | Light source device and imaging apparatus using same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020205 |