JPH08146405A - カラーフィルターの製造方法 - Google Patents
カラーフィルターの製造方法Info
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- JPH08146405A JPH08146405A JP28636894A JP28636894A JPH08146405A JP H08146405 A JPH08146405 A JP H08146405A JP 28636894 A JP28636894 A JP 28636894A JP 28636894 A JP28636894 A JP 28636894A JP H08146405 A JPH08146405 A JP H08146405A
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- light
- transparent conductive
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
- G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】カラー液晶表示装置等に内装されるカラーフィ
ルターの製造方法に係わり、特に、パターン精度の良い
低反射率の遮光層をもつカラーフィルターの製造方法に
関する。 【構成】透明基板上に透明導電膜を成膜し、該透明導電
膜上にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法、
エッチング法および電着法を用いることで、黒色顔料を
含有した高分子樹脂が電着析出した透明導電膜よりなる
遮光層を透明基板に形成し、しかるのち該透明基板上に
ＲＧＢ画素層を形成することを特徴とするカラーフィル
ターの製造方法。
ルターの製造方法に係わり、特に、パターン精度の良い
低反射率の遮光層をもつカラーフィルターの製造方法に
関する。 【構成】透明基板上に透明導電膜を成膜し、該透明導電
膜上にレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ法、
エッチング法および電着法を用いることで、黒色顔料を
含有した高分子樹脂が電着析出した透明導電膜よりなる
遮光層を透明基板に形成し、しかるのち該透明基板上に
ＲＧＢ画素層を形成することを特徴とするカラーフィル
ターの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、カラー液晶表示装置等
に内装されるカラーフィルターの製造方法に係わり、特
に、パターン精度の良い低反射率の遮光層をもつカラー
フィルターの製造方法に関する。
に内装されるカラーフィルターの製造方法に係わり、特
に、パターン精度の良い低反射率の遮光層をもつカラー
フィルターの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、カラーフィルターの製造方法とし
て以下の例に示すような、製造方法が知られている。ま
ず、図３（ａ）に示すように、透明基板１上に黒色顔料
を分散したネガ型のフォトレジスト２を塗布する。
て以下の例に示すような、製造方法が知られている。ま
ず、図３（ａ）に示すように、透明基板１上に黒色顔料
を分散したネガ型のフォトレジスト２を塗布する。
【０００３】次いで、図３（ｂ）に示すように、遮光層
パターン部を光透過部としたマスク３を用い、パターン
露光を行い、フォトレジスト２の光硬化を行う。次い
で、現像を行うことで未露光未硬化のフォトレジスト２
を除去後、残ったフォトレジスト２に定着、ベーキング
を行い、図３（ｃ）に示すように遮光層４を得る。な
お、遮光層４の形成手段としてはこの他に、例えば、金
属クロムを透明基板１上にスパッタ法または真空蒸着法
等で成膜する方法等もある。
パターン部を光透過部としたマスク３を用い、パターン
露光を行い、フォトレジスト２の光硬化を行う。次い
で、現像を行うことで未露光未硬化のフォトレジスト２
を除去後、残ったフォトレジスト２に定着、ベーキング
を行い、図３（ｃ）に示すように遮光層４を得る。な
お、遮光層４の形成手段としてはこの他に、例えば、金
属クロムを透明基板１上にスパッタ法または真空蒸着法
等で成膜する方法等もある。
【０００４】次いで、図３（ｄ）に示すように、透明基
板１および遮光層４上に、公知の方法、例えば、染色
法、顔料分散法、または印刷法にてＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）のＲＧＢ画素層５を形成する。ここ
で、ＲＧＢ画素層とは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
よりなるカラーフィルター画素の層を示している。
板１および遮光層４上に、公知の方法、例えば、染色
法、顔料分散法、または印刷法にてＲ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）のＲＧＢ画素層５を形成する。ここ
で、ＲＧＢ画素層とは、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）
よりなるカラーフィルター画素の層を示している。
【０００５】上記工程中、遮光層４は、図３に示すよう
にＲＧＢ画素層５の周囲に格子状または、ストライプ状
に形成され、ＲＧＢ画素５の輪郭がこの遮光層４ではっ
きりと区切られることでカラー液晶表示のコントラスト
を向上させている。なお、カラーフィルターを製造する
上で、遮光層４の縁と、ＲＧＢ画素層５の縁を接して製
造することは困難であるため、図３（ｄ）に示すように
遮光層４とＲＧＢ画素層５を一部重なりをもって形成す
るものである。このことでＲＧＢ画素層５の輪郭を遮光
層４ではっきりと区切る方法が普通となっている。
にＲＧＢ画素層５の周囲に格子状または、ストライプ状
に形成され、ＲＧＢ画素５の輪郭がこの遮光層４ではっ
きりと区切られることでカラー液晶表示のコントラスト
を向上させている。なお、カラーフィルターを製造する
上で、遮光層４の縁と、ＲＧＢ画素層５の縁を接して製
造することは困難であるため、図３（ｄ）に示すように
遮光層４とＲＧＢ画素層５を一部重なりをもって形成す
るものである。このことでＲＧＢ画素層５の輪郭を遮光
層４ではっきりと区切る方法が普通となっている。
【０００６】前述したようにこの遮光層は、透明基板上
に例えば金属クロムを蒸着したり、黒色顔料を含有した
フォトレジストを塗布して作ることが一般的となってい
る。
に例えば金属クロムを蒸着したり、黒色顔料を含有した
フォトレジストを塗布して作ることが一般的となってい
る。
【０００７】しかし、遮光層形成に金属クロム等の金属
を使用した場合、遮光層パターンの巾精度は良いという
長所がある反面、遮光層面が鏡面と同様になり光反射率
が非常に高くなる。このため、カラーフィルターの外部
より入射した光が遮光層部で反射を起こしカラー液晶表
示のコントラストを低下させ、カラー液晶表示の品位を
劣化させるという問題がある。
を使用した場合、遮光層パターンの巾精度は良いという
長所がある反面、遮光層面が鏡面と同様になり光反射率
が非常に高くなる。このため、カラーフィルターの外部
より入射した光が遮光層部で反射を起こしカラー液晶表
示のコントラストを低下させ、カラー液晶表示の品位を
劣化させるという問題がある。
【０００８】また、黒色顔料を含有したフォトレジスト
を使用し、前述した図３で示すようなフォトリソグラフ
ィ法を用いて遮光層を形成した場合、光反射率が低く、
かつスパッタ装置等の高価な設備を必要としないため遮
光層の形成が安価にすむという長所がある。しかしその
反面、形成された遮光層パターンの線巾が目標値より太
ったり、細くなるバラツキが生じパターン巾精度が悪い
という問題がある。これは十分な遮光性を得るため遮光
層を厚くしなければならないため、パターン露光時にレ
ジスト内の顔料による光散乱等による入射光の減衰が大
きくなりレジストが十分に光硬化を起こさない、現像工
程でのレジストへのサイドエッチ現象が大きくなる、ま
た、同一現像条件の設定維持が困難である等が原因とし
て考えられる。このパターン線巾の目標値からのバラツ
キは4 μm 以上にもなることがあり、これによってもカ
ラー液晶表示の品位を劣化させるという問題が生じてい
る。
を使用し、前述した図３で示すようなフォトリソグラフ
ィ法を用いて遮光層を形成した場合、光反射率が低く、
かつスパッタ装置等の高価な設備を必要としないため遮
光層の形成が安価にすむという長所がある。しかしその
反面、形成された遮光層パターンの線巾が目標値より太
ったり、細くなるバラツキが生じパターン巾精度が悪い
という問題がある。これは十分な遮光性を得るため遮光
層を厚くしなければならないため、パターン露光時にレ
ジスト内の顔料による光散乱等による入射光の減衰が大
きくなりレジストが十分に光硬化を起こさない、現像工
程でのレジストへのサイドエッチ現象が大きくなる、ま
た、同一現像条件の設定維持が困難である等が原因とし
て考えられる。このパターン線巾の目標値からのバラツ
キは4 μm 以上にもなることがあり、これによってもカ
ラー液晶表示の品位を劣化させるという問題が生じてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に鑑み、カラー液晶表示装置等に内装されるカラ
ーフィルターの製造方法において、光反射率が低く、か
つパターン巾精度の良い遮光層を形成することで、上記
したような欠点の生じないカラーフィルターの製造方法
を提供しようとするものである。
な事情に鑑み、カラー液晶表示装置等に内装されるカラ
ーフィルターの製造方法において、光反射率が低く、か
つパターン巾精度の良い遮光層を形成することで、上記
したような欠点の生じないカラーフィルターの製造方法
を提供しようとするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、透
明基板上に透明導電膜を膜付けする工程、および該透明
導電膜上に絶縁性のレジストを塗布する工程を有し、透
明導電膜およびレジストを塗布後、遮光層パターンを形
成すべき部位の透明導電膜を残し、その他の部位の透明
導電膜およびレジストの除去を行った後、電着法にて該
部位の透明導電膜上に黒色顔料含有の高分子樹脂を電着
析出することで、透明基板上に黒色顔料含有の高分子樹
脂および透明導電膜からなる遮光層を形成し、しかるの
ち赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層を形成することを特
徴とするカラーフィルターの製造方法を提供することで
上記の課題を解決したものである。
明基板上に透明導電膜を膜付けする工程、および該透明
導電膜上に絶縁性のレジストを塗布する工程を有し、透
明導電膜およびレジストを塗布後、遮光層パターンを形
成すべき部位の透明導電膜を残し、その他の部位の透明
導電膜およびレジストの除去を行った後、電着法にて該
部位の透明導電膜上に黒色顔料含有の高分子樹脂を電着
析出することで、透明基板上に黒色顔料含有の高分子樹
脂および透明導電膜からなる遮光層を形成し、しかるの
ち赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層を形成することを特
徴とするカラーフィルターの製造方法を提供することで
上記の課題を解決したものである。
【００１１】次いで、本課題解決の手段の変形として
は、透明基板上に透明導電膜を膜付けする工程、および
該透明導電膜上に絶縁性のレジストを塗布する工程を有
し、透明導電膜およびレジスト塗布後、遮光層パターン
を形成すべき部位のレジストを除去後、電着法にて該部
位の透明導電膜上に黒色顔料含有の高分子樹脂を電着析
出し、その後透明導電膜へのエッチングおよびレジスト
の剥膜を行うことで、透明基板上に黒色顔料含有の高分
子樹脂および透明導電膜からなる遮光層を形成し、しか
るのち赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層を形成しカラー
フィルターとすることも有効な手段といえる。
は、透明基板上に透明導電膜を膜付けする工程、および
該透明導電膜上に絶縁性のレジストを塗布する工程を有
し、透明導電膜およびレジスト塗布後、遮光層パターン
を形成すべき部位のレジストを除去後、電着法にて該部
位の透明導電膜上に黒色顔料含有の高分子樹脂を電着析
出し、その後透明導電膜へのエッチングおよびレジスト
の剥膜を行うことで、透明基板上に黒色顔料含有の高分
子樹脂および透明導電膜からなる遮光層を形成し、しか
るのち赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層を形成しカラー
フィルターとすることも有効な手段といえる。
【００１２】また、酸化インジウムと酸化スズからなる
透明導電膜を、例えば、スパッター法や真空蒸着法にて
透明基板上に成膜すること、および、レジストにフォト
レジストを用い、レジスト上に遮光層パターンを形成す
る手段としてフォトリソグラフィ法を用いることも本課
題解決の手段として有効といえる。
透明導電膜を、例えば、スパッター法や真空蒸着法にて
透明基板上に成膜すること、および、レジストにフォト
レジストを用い、レジスト上に遮光層パターンを形成す
る手段としてフォトリソグラフィ法を用いることも本課
題解決の手段として有効といえる。
【００１３】なお、形成される遮光層パターンの形状
は、製造するカラーフィルターの種類により、格子状ま
たはストライプ状のどちらであっても構わない。
は、製造するカラーフィルターの種類により、格子状ま
たはストライプ状のどちらであっても構わない。
【００１４】次いで、透明基板上にＲＧＢ画素層を形成
する手段としては以下の方法があげられる。すなわち、
透明基板上に、例えばゼラチン等の染色用の層を形成
後、フォトリソグラフィ法等でＲＧＢ画素層形成領域以
外の染色用の層を除去し、残った領域を各々赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）の染料で染める染色法。また、例え
ば、透明基板上に粒径0.01〜1 μm の各々赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の顔料を含有する感光性樹脂を塗布
し、フォトリソグラフィ法等でＲＧＢ画素層形成領域以
外の感光性樹脂を除去し、残った領域をＲＧＢ画素層と
する顔料分散法。また、各々赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の顔料を含有するインキを、スクリーン印刷方
式、または凹版オフセット方式等にて透明基板上に印刷
する印刷法もあげられる。
する手段としては以下の方法があげられる。すなわち、
透明基板上に、例えばゼラチン等の染色用の層を形成
後、フォトリソグラフィ法等でＲＧＢ画素層形成領域以
外の染色用の層を除去し、残った領域を各々赤（Ｒ）、
緑（Ｇ）、青（Ｂ）の染料で染める染色法。また、例え
ば、透明基板上に粒径0.01〜1 μm の各々赤（Ｒ）、緑
（Ｇ）、青（Ｂ）の顔料を含有する感光性樹脂を塗布
し、フォトリソグラフィ法等でＲＧＢ画素層形成領域以
外の感光性樹脂を除去し、残った領域をＲＧＢ画素層と
する顔料分散法。また、各々赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
（Ｂ）の顔料を含有するインキを、スクリーン印刷方
式、または凹版オフセット方式等にて透明基板上に印刷
する印刷法もあげられる。
【００１５】以下に図１を用い、本発明の具体的な説明
を行う。まず、透明基板１上に酸化インジウムと酸化ス
ズからなる透明導電膜６を公知の方法、例えば、スパッ
タ法にて0.05〜0.3 μm の膜厚で膜付けする。次いで、
透明導電膜６上に例えばポジ型の絶縁性フォトレジスト
２を塗布し、図１（ａ）を得る。なお、フォトレジスト
としてネガ型のフォトレジストでもよく、この場合、後
述するパターンマスク３は遮光層パターン部を光透過部
とし、その他の部位を遮光部としたパターンマスクを用
いる。
を行う。まず、透明基板１上に酸化インジウムと酸化ス
ズからなる透明導電膜６を公知の方法、例えば、スパッ
タ法にて0.05〜0.3 μm の膜厚で膜付けする。次いで、
透明導電膜６上に例えばポジ型の絶縁性フォトレジスト
２を塗布し、図１（ａ）を得る。なお、フォトレジスト
としてネガ型のフォトレジストでもよく、この場合、後
述するパターンマスク３は遮光層パターン部を光透過部
とし、その他の部位を遮光部としたパターンマスクを用
いる。
【００１６】次いで、図１（ｂ）に示すように、遮光層
パターン部を遮光部とし、その他の部位を光透過部とし
たパターンマスク３を用い、例えば紫外線光を用いフォ
トレジスト２にパターン露光を行う。次いで現像を行い
露光部、すなわち遮光層パターン部以外のフォトレジス
トの除去を行い遮光層パターン部位のフォトレジスト
２’が残った図１（ｃ）を得る。
パターン部を遮光部とし、その他の部位を光透過部とし
たパターンマスク３を用い、例えば紫外線光を用いフォ
トレジスト２にパターン露光を行う。次いで現像を行い
露光部、すなわち遮光層パターン部以外のフォトレジス
トの除去を行い遮光層パターン部位のフォトレジスト
２’が残った図１（ｃ）を得る。
【００１７】次いで、スプレー法または浸漬法等により
エッチング液を透明導電膜６に接触させることで透明導
電膜６のエッチング処理を行った後、フォトレジスト
２’の剥膜を行い図１（ｄ）を得る。なおこのエッチン
グ処理の際、フォトレジスト２’が耐エッチング膜とな
るため、遮光層パターン部位の透明導電膜６’が透明基
板１上に残る。
エッチング液を透明導電膜６に接触させることで透明導
電膜６のエッチング処理を行った後、フォトレジスト
２’の剥膜を行い図１（ｄ）を得る。なおこのエッチン
グ処理の際、フォトレジスト２’が耐エッチング膜とな
るため、遮光層パターン部位の透明導電膜６’が透明基
板１上に残る。
【００１８】次いで、透明基板１を、例えば、黒色顔料
を含有した高分子樹脂の電着水溶液に浸漬し、直流電流
を用い、透明導電膜６’を電極にした電着法を行うこと
で、図１（ｅ）に示すように、透明導電膜６’上に黒色
顔料を含有した高分子樹脂７が電着析出した遮光層４が
得られる。これが本発明の特徴である。
を含有した高分子樹脂の電着水溶液に浸漬し、直流電流
を用い、透明導電膜６’を電極にした電着法を行うこと
で、図１（ｅ）に示すように、透明導電膜６’上に黒色
顔料を含有した高分子樹脂７が電着析出した遮光層４が
得られる。これが本発明の特徴である。
【００１９】なおこのとき形成される遮光層パターンの
形状がストライプ状である場合には、例えば、パターン
露光の際に使用するパターンマスク３において、カラー
フィルターとする領域外でストライプ状の遮光層パター
ン同志が一点に接続するようなパターンを追加したもの
を用いる等で、電着処理の際に、隣接する透明導電膜
６’同志を同一電位とすることが望ましいといえる。
形状がストライプ状である場合には、例えば、パターン
露光の際に使用するパターンマスク３において、カラー
フィルターとする領域外でストライプ状の遮光層パター
ン同志が一点に接続するようなパターンを追加したもの
を用いる等で、電着処理の際に、隣接する透明導電膜
６’同志を同一電位とすることが望ましいといえる。
【００２０】次いで、電着処理の終了した透明基板１上
に公知の方式、例えば、染色法、顔料分散法、または印
刷法等にて赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層５を形成し
図１（ｆ）に示すようなカラーフィルター８を得る。
に公知の方式、例えば、染色法、顔料分散法、または印
刷法等にて赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層５を形成し
図１（ｆ）に示すようなカラーフィルター８を得る。
【００２１】次いで、本発明の他の具体例を、図２を用
い説明を行う。まず、透明基板１上に酸化インジウムと
酸化スズからなる透明導電膜６を公知の方法、例えば、
スパッタ法にて0.05〜0.3 μm の膜厚で膜付けする。次
いで、透明導電膜６上に例えばポジ型の絶縁性フォトレ
ジスト２を塗布し、図２（ａ）を得る。なお、フォトレ
ジストとしてネガ型のフォトレジストでもよく、この場
合、後述するパターンマスク３は遮光層パターン部を遮
光部とし、その他の部位を光透過部としたパターンマス
クを用いる。
い説明を行う。まず、透明基板１上に酸化インジウムと
酸化スズからなる透明導電膜６を公知の方法、例えば、
スパッタ法にて0.05〜0.3 μm の膜厚で膜付けする。次
いで、透明導電膜６上に例えばポジ型の絶縁性フォトレ
ジスト２を塗布し、図２（ａ）を得る。なお、フォトレ
ジストとしてネガ型のフォトレジストでもよく、この場
合、後述するパターンマスク３は遮光層パターン部を遮
光部とし、その他の部位を光透過部としたパターンマス
クを用いる。
【００２２】次いで、図２（ｂ）に示すように、遮光層
パターン部を光透過部とし、その他の部位を遮光部とし
たパターンマスク３を用い、例えば紫外線光を用いフォ
トレジスト２にパターン露光を行う。次いで現像を行い
露光部、すなわち遮光層パターン部位のフォトレジスト
の除去を行い遮光層パターン部位以外のフォトレジスト
２’が残った図２（ｃ）を得る。
パターン部を光透過部とし、その他の部位を遮光部とし
たパターンマスク３を用い、例えば紫外線光を用いフォ
トレジスト２にパターン露光を行う。次いで現像を行い
露光部、すなわち遮光層パターン部位のフォトレジスト
の除去を行い遮光層パターン部位以外のフォトレジスト
２’が残った図２（ｃ）を得る。
【００２３】次いで、透明基板１を、例えば、黒色顔料
を含有した高分子樹脂の電着水溶液に浸漬し、直流電流
を用い、透明導電膜６を電極にした電着法を行うこと
で、図２（ｄ）に示すように、フォトレジスト２’から
露出した、すなわち遮光層パターン部位の透明導電膜６
上に黒色顔料を含有した高分子樹脂７が電着析出する。
を含有した高分子樹脂の電着水溶液に浸漬し、直流電流
を用い、透明導電膜６を電極にした電着法を行うこと
で、図２（ｄ）に示すように、フォトレジスト２’から
露出した、すなわち遮光層パターン部位の透明導電膜６
上に黒色顔料を含有した高分子樹脂７が電着析出する。
【００２４】次いで、フォトレジスト２’を剥膜後、ス
プレー法または浸漬法などでエッチング液を透明導電膜
６に接触させ、透明導電膜６のエッチングを行う。この
エッチングの際、高分子樹脂７が耐エッチング膜となる
ため、遮光層パターン部位の透明導電膜６’が透明基板
１上に残り、図２（ｅ）に示すように透明基板１上に遮
光層４が形成される。これも、本発明の特徴といえる。
プレー法または浸漬法などでエッチング液を透明導電膜
６に接触させ、透明導電膜６のエッチングを行う。この
エッチングの際、高分子樹脂７が耐エッチング膜となる
ため、遮光層パターン部位の透明導電膜６’が透明基板
１上に残り、図２（ｅ）に示すように透明基板１上に遮
光層４が形成される。これも、本発明の特徴といえる。
【００２５】次いで、エッチング処理の終了した透明基
板１上に公知の方式、例えば、染色法、顔料分散法、ま
たは印刷法等にて赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層５を
形成し図２（ｆ）に示すようなカラーフィルター８を得
る。
板１上に公知の方式、例えば、染色法、顔料分散法、ま
たは印刷法等にて赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層５を
形成し図２（ｆ）に示すようなカラーフィルター８を得
る。
【００２６】なお、上記の図１または図２の電着法とし
てアニオン電着またはカチオン電着の二種類があげられ
る。アニオン電着法の場合、透明導電膜を正電極側に接
続し、電着水溶液として例えば、有機アミンで中和され
たカルボキシル官能基をもつポリエステル樹脂または、
ポリアミド酸、メタクリル酸およびアクリル酸と各種ア
クリレートとの共重合樹脂よりなるアニオン型水溶性樹
脂を用いることが考えられる。
てアニオン電着またはカチオン電着の二種類があげられ
る。アニオン電着法の場合、透明導電膜を正電極側に接
続し、電着水溶液として例えば、有機アミンで中和され
たカルボキシル官能基をもつポリエステル樹脂または、
ポリアミド酸、メタクリル酸およびアクリル酸と各種ア
クリレートとの共重合樹脂よりなるアニオン型水溶性樹
脂を用いることが考えられる。
【００２７】また、カチオン電着法の場合、透明導電膜
を負電極側に接続し、電着水溶液として、酸で中和され
た塩基性官能基をもつポリマー、例えばアミン変成エポ
キシ樹脂よりなるカチオン型水溶性樹脂を用いることが
考えられる。
を負電極側に接続し、電着水溶液として、酸で中和され
た塩基性官能基をもつポリマー、例えばアミン変成エポ
キシ樹脂よりなるカチオン型水溶性樹脂を用いることが
考えられる。
【００２８】なお、電着処理の際の印加電圧および加電
時間は、水溶液濃度、必要とする析出膜厚等の条件によ
り異なるため、製造条件により適宜設定することが望ま
しいといえる。
時間は、水溶液濃度、必要とする析出膜厚等の条件によ
り異なるため、製造条件により適宜設定することが望ま
しいといえる。
【００２９】
【作用】本発明により得られるカラーフィルターは、遮
光層パターン形成の手段としてエッチング法を用いるた
め遮光層パターンは巾精度の良いものが得られ、かつ、
遮光層は透明導電膜上に黒色の高分子樹脂が電着析出し
ているため表面の光反射率が低いものが得られる。この
ため、コントラストの高い高品位のカラー液晶表示が可
能となる。
光層パターン形成の手段としてエッチング法を用いるた
め遮光層パターンは巾精度の良いものが得られ、かつ、
遮光層は透明導電膜上に黒色の高分子樹脂が電着析出し
ているため表面の光反射率が低いものが得られる。この
ため、コントラストの高い高品位のカラー液晶表示が可
能となる。
【００３０】
【実施例】本発明の実施例を以下に示す。 ＜実施例１＞前述した（課題を解決するための手段）の
項で示した図１の工程に従い、厚さ1.1mm の透明ガラス
基板上に酸化インジウムと酸化スズからなる透明導電膜
をスパッタ法を用い、膜厚0.05μm にて成膜した。次い
で、透明導電膜上にポジ型のフォトレジスト（東京応化
工業（株）製商品名「ＯＦＰＲ」）をスピンコート法を
用い膜厚1.5 μm にて塗布し、図１（ａ）を得た。
項で示した図１の工程に従い、厚さ1.1mm の透明ガラス
基板上に酸化インジウムと酸化スズからなる透明導電膜
をスパッタ法を用い、膜厚0.05μm にて成膜した。次い
で、透明導電膜上にポジ型のフォトレジスト（東京応化
工業（株）製商品名「ＯＦＰＲ」）をスピンコート法を
用い膜厚1.5 μm にて塗布し、図１（ａ）を得た。
【００３１】次いで、図１（ｂ）に示すように、格子状
の遮光層パターン部が遮光部となったパターンマスクを
用い、紫外線光を照射することでフォトレジストにパタ
ーン露光を行った。次いで、アルカリ性現像液を用い露
光部のフォトレジストの除去を行い、図１（ｃ）を得
た。
の遮光層パターン部が遮光部となったパターンマスクを
用い、紫外線光を照射することでフォトレジストにパタ
ーン露光を行った。次いで、アルカリ性現像液を用い露
光部のフォトレジストの除去を行い、図１（ｃ）を得
た。
【００３２】次いで、塩酸系エッチング液に透明基板を
浸漬し、透明導電膜のエッチングを行い、次いで、アル
カリ性剥膜液でフォトレジストの剥膜を行い、図１
（ｄ）を得た。
浸漬し、透明導電膜のエッチングを行い、次いで、アル
カリ性剥膜液でフォトレジストの剥膜を行い、図１
（ｄ）を得た。
【００３３】次いで、ピグメントレッド、フタロシアニ
ングリーン、およびフタロシアニンブルー顔料を混合し
たものを黒色顔料として含有した電着用高分子樹脂とし
て、東亞合成化学工業（株）製商品名「フォトイマージ
ュＥＤ ＴＨ−１」を用い、この電着水溶液中に透明ガ
ラス基板を浸漬した。次いで、透明導電膜を電極とし、
印加電圧100Vの直流電流にて、電着時間20秒間の電着処
理を行うことで、遮光層パターン部位の透明導電膜上に
膜厚1.5 μm の黒色の電着被膜を析出し図１（ｅ）の遮
光層を得た。
ングリーン、およびフタロシアニンブルー顔料を混合し
たものを黒色顔料として含有した電着用高分子樹脂とし
て、東亞合成化学工業（株）製商品名「フォトイマージ
ュＥＤ ＴＨ−１」を用い、この電着水溶液中に透明ガ
ラス基板を浸漬した。次いで、透明導電膜を電極とし、
印加電圧100Vの直流電流にて、電着時間20秒間の電着処
理を行うことで、遮光層パターン部位の透明導電膜上に
膜厚1.5 μm の黒色の電着被膜を析出し図１（ｅ）の遮
光層を得た。
【００３４】次いで、顔料分散法を用い、透明基板上に
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）画素層を形成し、図１
（ｆ）に示すカラーフィルターを得た。
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）画素層を形成し、図１
（ｆ）に示すカラーフィルターを得た。
【００３５】次いで、本発明の他の実施例を以下に示
す。 ＜実施例２＞前述した（課題を解決するための手段）の
項で示した図２の工程に従い、厚さ1.1mm の透明ガラス
基板上に酸化インジウムと酸化スズからなる透明導電膜
をスパッタ法を用い、膜厚0.05μm にて成膜した。次い
で、透明導電膜上にポジ型のフォトレジスト（東京応化
工業（株）製商品名「ＯＦＰＲ」）をスピンコート法を
用い膜厚1.5 μm にて塗布し、図２（ａ）を得た。
す。 ＜実施例２＞前述した（課題を解決するための手段）の
項で示した図２の工程に従い、厚さ1.1mm の透明ガラス
基板上に酸化インジウムと酸化スズからなる透明導電膜
をスパッタ法を用い、膜厚0.05μm にて成膜した。次い
で、透明導電膜上にポジ型のフォトレジスト（東京応化
工業（株）製商品名「ＯＦＰＲ」）をスピンコート法を
用い膜厚1.5 μm にて塗布し、図２（ａ）を得た。
【００３６】次いで、図２（ｂ）に示すように、ストラ
イプ状の遮光層パターン部が光透過部となったパターン
マスクを用い、紫外線光を照射することでフォトレジス
トにパターン露光を行った。次いで、アルカリ性現像液
を用い露光部のフォトレジストの除去を行い、図２
（ｃ）を得た。
イプ状の遮光層パターン部が光透過部となったパターン
マスクを用い、紫外線光を照射することでフォトレジス
トにパターン露光を行った。次いで、アルカリ性現像液
を用い露光部のフォトレジストの除去を行い、図２
（ｃ）を得た。
【００３７】次いで、ピグメントレッド、フタロシアニ
ングリーン、およびフタロシアニンブルー顔料を混合し
たものを黒色顔料として含有した電着用高分子樹脂とし
て、東亞合成化学工業（株）社製商品名「フォトイマー
ジュＥＤ ＴＨ−１」を用い、この電着水溶液中に透明
ガラス基板を浸漬した。次いで、透明導電膜を電極と
し、印加電圧100Vの直流電流にて、電着時間20秒間の電
着処理を行うことで、遮光層パターン部位の透明導電膜
上に膜厚1.5 μm の黒色の電着被膜を析出し図２（ｄ）
を得た。
ングリーン、およびフタロシアニンブルー顔料を混合し
たものを黒色顔料として含有した電着用高分子樹脂とし
て、東亞合成化学工業（株）社製商品名「フォトイマー
ジュＥＤ ＴＨ−１」を用い、この電着水溶液中に透明
ガラス基板を浸漬した。次いで、透明導電膜を電極と
し、印加電圧100Vの直流電流にて、電着時間20秒間の電
着処理を行うことで、遮光層パターン部位の透明導電膜
上に膜厚1.5 μm の黒色の電着被膜を析出し図２（ｄ）
を得た。
【００３８】次いで、アルカリ性剥膜液でフォトレジス
トの剥膜を行った後、塩酸系エッチング液に透明基板を
浸漬し、透明導電膜のエッチングを行い、図２（ｅ）の
遮光層を得た。
トの剥膜を行った後、塩酸系エッチング液に透明基板を
浸漬し、透明導電膜のエッチングを行い、図２（ｅ）の
遮光層を得た。
【００３９】次いで、顔料分散法を用い、透明基板上に
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）画素層を形成し、図２
（ｆ）に示すカラーフィルターを得た。
赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）画素層を形成し、図２
（ｆ）に示すカラーフィルターを得た。
【００４０】次いで、上記の＜実施例１＞および＜実施
例２＞で得られた遮光層におけるパターン巾のパターン
精度すなわち目標値からのバラツキを測定したところ 2
μm以下に抑えられており、また、遮光層の光反射率お
よび光学濃度（ＯＤ）値も、それぞれ 1％以下、2.0 以
上と実用上問題無いものであった。
例２＞で得られた遮光層におけるパターン巾のパターン
精度すなわち目標値からのバラツキを測定したところ 2
μm以下に抑えられており、また、遮光層の光反射率お
よび光学濃度（ＯＤ）値も、それぞれ 1％以下、2.0 以
上と実用上問題無いものであった。
【００４１】
【発明の効果】以上のように、本発明により得られるカ
ラーフィルターは、遮光層パターン形成の手段としてエ
ッチング法を用いるため遮光層パターンは巾精度の良い
ものが得られ、かつ、遮光層は透明導電膜上に黒色の高
分子樹脂が電着析出しているため表面の光反射率の低い
ものが得られる。このため、コントラストの高い高品位
のカラー液晶表示が可能となるという点で、本発明は実
用上優れているといえる。
ラーフィルターは、遮光層パターン形成の手段としてエ
ッチング法を用いるため遮光層パターンは巾精度の良い
ものが得られ、かつ、遮光層は透明導電膜上に黒色の高
分子樹脂が電着析出しているため表面の光反射率の低い
ものが得られる。このため、コントラストの高い高品位
のカラー液晶表示が可能となるという点で、本発明は実
用上優れているといえる。
【００４２】
【図１】（ａ）〜（ｆ）は、本発明によるカラーフィル
ターの製造方法の一実施例を工程順に示す説明図。
ターの製造方法の一実施例を工程順に示す説明図。
【図２】（ａ）〜（ｆ）は、本発明によるカラーフィル
ターの製造方法の他の実施例を工程順に示す説明図。
ターの製造方法の他の実施例を工程順に示す説明図。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、従来のカラーフィルターの
製造方法の一例を工程順に示す説明図。
製造方法の一例を工程順に示す説明図。
１ 透明基板 ２ レジスト ３ マスク ４ 遮光層 ５ ＲＧＢ画素層 ６ 透明導電膜 ７ 樹脂 ８ カラーフィルター
Claims (5)
- 【請求項１】透明基板上に透明導電膜を膜付けする工
程、および該透明導電膜上に絶縁性のレジストを塗布す
る工程を有し、透明導電膜およびレジストを塗布後、遮
光層パターンを形成すべき部位の透明導電膜を残し、そ
の他の部位の透明導電膜およびレジストの除去を行った
後、電着法にて該部位の透明導電膜上に黒色顔料含有の
高分子樹脂を電着析出することで、透明基板上に黒色顔
料含有の高分子樹脂および透明導電膜からなる遮光層を
形成し、しかるのち赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層を
形成することを特徴とするカラーフィルターの製造方
法。 - 【請求項２】透明基板上に透明導電膜を膜付けする工
程、および該透明導電膜上に絶縁性のレジストを塗布す
る工程を有し、透明導電膜およびレジスト塗布後、遮光
層パターンを形成すべき部位のレジストを除去後、電着
法にて該部位の透明導電膜上に黒色顔料含有の高分子樹
脂を電着析出し、その後透明導電膜へのエッチングおよ
びレジストの剥膜を行うことで、透明基板上に黒色顔料
含有の高分子樹脂および透明導電膜からなる遮光層を形
成し、しかるのち赤（Ｒ）緑（Ｇ）青（Ｂ）画素層を形
成することを特徴とするカラーフィルターの製造方法。 - 【請求項３】レジストをフォトレジストとし、レジスト
上への遮光層パターン形成にフォトリソグラフィ法を用
いた請求項１または２記載のカラーフィルターの製造方
法。 - 【請求項４】透明導電膜が酸化インジウムと酸化スズか
らなる請求項１、２または３記載のカラーフィルターの
製造方法。 - 【請求項５】ＲＧＢ画素層形成の手段が染色法、顔料分
散法、または印刷法である請求項１、２、３または４記
載のカラーフィルターの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28636894A JPH08146405A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | カラーフィルターの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28636894A JPH08146405A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | カラーフィルターの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08146405A true JPH08146405A (ja) | 1996-06-07 |
Family
ID=17703488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28636894A Pending JPH08146405A (ja) | 1994-11-21 | 1994-11-21 | カラーフィルターの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08146405A (ja) |
-
1994
- 1994-11-21 JP JP28636894A patent/JPH08146405A/ja active Pending
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