JPH08139452A

JPH08139452A - 多層配線基板の製造方法

Info

Publication number: JPH08139452A
Application number: JP27905694A
Authority: JP
Inventors: Isamu Tanaka; 勇田中; Hisashi Sugiyama; 寿杉山; Makio Watabe; 真貴雄渡部; Yoshihide Yamaguchi; 欣秀山口; Hitoshi Oka; 齊岡; Satoru Hashimoto; 悟橋本; Shigeru Fujita; 繁藤田; Terutake Kato; 輝武加藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-11-14
Filing date: 1994-11-14
Publication date: 1996-05-31

Abstract

(57)【要約】【目的】絶縁層と導体回路との接着強度をさらに増強
し、信頼性の高い多層配線基板の製造方法を提供するこ
とにある。【構成】導体回路形成工程〔図１（ａ）〜図１（ｃ）工
程〕と層間絶縁膜形成工程〔図１（ｄ）図１〜（ｈ）工
程〕とを交互に繰り返し、ビルドアップ方式により多層
配線基板を製造するに際し、導体回路形成工程後の導体
表面の粗化処理を、導体腐食抑制剤を含有する粗化液で
処理する工程〔図１（ｃ）工程〕とするか、層間絶縁膜
形成工程後の絶縁膜表面の粗化処理を、アルカリ性の過
マンガン酸塩水溶液で粗化した後、表面に形成された二
酸化マンガンを溶解除去し、次いで界面活性剤を含む水
溶液で絶縁層表面に生じた劣化層を除去する工程〔図１
（ｅ）工程〕とする。好ましくは、この導体表面の粗化
処理と絶縁膜表面の粗化処理とを併用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、多層配線基板の製造方
法に係わり、特に、絶縁層と導体回路とを交互に複数層
積層する、所謂ビルドアップ方式に好適な多層配線基板
の製造方法に関する。

【０００２】

【従来技術】層間絶縁層に感光性樹脂を用いたビルドア
ップ法による多層配線基板の製造法については、例えば
特開昭５８−２０９１９５号公報、特開平３−３２９７
号公報に開示されている。多層配線基板の積層体を構成
する絶縁層と導体回路とは互いに強固に接着しているこ
とが重要である。この接着強度を向上させるには、製造
工程の上から導体回路上に絶縁層を形成する場合と、絶
縁層上に導体回路を形成する場合とに大別される。

【０００３】先ず、前者については、導体回路上に絶縁
層を強固に接着するための技術が、例えば下記の（１）
〜（３）に示すように種々提案されている。（１）アルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液や過マンガ
ン酸により、導体を形成している銅の表面を酸化して粗
化することにより、導体と絶縁層とを強固に接着させる
方法。（２）アルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液やアルカリ
性過硫酸カリ水溶液、硫化カリ／塩化アンモニア水溶液
などにより、導体を形成している銅の表面を酸化して酸
化第２銅として、その後還元処理を行うことにより導体
層の表面を粗化し、それによって導体と絶縁層とを強固
に接着させる方法（例えば特公昭６４−８４７９号公
報）。（３）導体層の表面に、予め硬化させた熱硬化性樹脂の
微粒子を含む複合めっき層を形成することにより、導体
と絶縁層とを強固に接着させる方法（例えば特開昭５９
−１０６９１８号公報）。

【０００４】一方、後者の絶縁層上に導体回路を形成す
る場合にも、導体回路を強固に接着するための技術が、
例えば下記の（４）〜（５）に示すように種々提案され
ている。（４）基板上に所定の充填材を入れた接着剤層ないし樹
脂層を形成し、この表面を選択的に粗化する方法（例え
ば特公昭６３−４９３９７号公報）。（５）過マンガン酸カリ溶液で絶縁層を粗化し、その表
面に導体層を形成して多層配線板を製造する方法（例え
ば特開平４−１４８５９０号公報）。

【０００５】また、上記の特開平３−３２９７号公報の
ように、前者と後者の両方の処理を併合し、導体回路と
絶縁層の接着を強固にして積層するビルドアップ法も提
案されている。（６）この方法は、導体パターン表面の粗化処理をアル
カリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液の酸化溶液と、ホルマ
リンおよび水酸化カリウムのアルカリ水溶液から成る還
元溶液との２種類の処理液により行ない、さらに層間絶
縁層表面の粗化処理をクロム酸水溶液の粗化液で行なう
ものである。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のビルドアップ法では、以下に説明するように導体回
路と絶縁層との接着性を高める上で技術上の種々の問題
点があった。すなわち、導体層上に形成する絶縁層を強
固に接着させる方法として、上記（１）の方法は、導体
の表面が銅酸化物で覆われているため、後工程における
酸洗浄等の薬品処理により、銅の酸化物が還元されて絶
縁層が部分剥離して起こるハローイング或いはピンクリ
ング現象が生じ易く、電気絶縁性などのプリント配線板
の信頼性低下の原因となる欠点があった。また、上記
（２）の方法は、導体表面の銅酸化物は還元除去されて
おり、絶縁層との接着性は良好であるが、導体表面の酸
化処理による粗化を行った後に還元処理することが必須
で、酸化および還元の２つの処理液を必要とし、かつ作
業が煩雑であるという問題があった。さらにまた、上記
（３）の方法は、導体表面の複合めっき層を介して、導
体と絶縁層を強固に接着させる方法であるが、導体層の
表面に形成された複合めっき層が導通抵抗となるため、
ビアホールによって多層配線板を製造しようとする場
合、ビアホールの接続信頼性が低いという欠点があっ
た。

【０００７】一方、絶縁層上にめっきにより形成した導
体層を強固に接着させる方法として、上記（４）の方法
は、所定の充填材を入れた特殊な接着剤ないし樹脂組成
物が新たに必要となり多層板の製造コストを高めるとい
う問題がある。また、（５）の方法は、特殊な接着剤な
いし樹脂組成物を用いないで、市販の絶縁材料（エポキ
シ樹脂）を層間絶縁膜とし利用して、この表面を過マン
ガン酸カリ溶液で粗化し、この上にめっきで導体層を作
るものであるが、接着強度が不十分であるという難点が
ある。接着強度は通常、ピール強度（ｇ／ｃｍ）で評価
されるが、この種の過マンガン酸カリ溶液を使用した場
合、高々４０（ｇ／ｃｍ）程度のピール強度であった。

【０００８】また、（６）の方法は、導体層表面の粗化
処理について上記（２）と同様の酸化、還元の２種の粗
化液を使用する問題があり、絶縁膜表面の粗化処理につ
いては（５）の過マンガン酸カリ溶液の代わりにクロム
酸水溶液を用いているが、接着強度については同様の問
題があった。

【０００９】したがって、本発明の目的は、上記従来の
問題点を解決することにあり、絶縁層と導体回路との接
着強度をさらに増強し、信頼性の高い多層配線基板の製
造方法を提供することにある。具体的には、導体回路表
面の粗化処理を１種の粗化液で行っても高い接着強度が
得られ、しかも粗化液の管理が容易であると共に、絶縁
層を過マンガン酸カリ溶液で粗化しても導体層との接着
強度が飛躍的に向上する粗化処理を実現することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、接着強度
を高めるために種々実験検討した結果、導体回路表面の
粗化処理には導体腐食抑制剤を含有してなる粗化液でエ
ッチングすることが有効で、ピール強度が飛躍的に向上
することを見出した。すなわち、この粗化処理により、
導体回路上に表面積の大きな極めて複雑な形状をした粗
化表面が作られ、この上に形成した絶縁層が強固に接着
する。従来の導体回路表面の粗化処理として使用された
酸化・還元処理では処理液の数が多く、それぞれの処理
条件の管理が煩雑であった。

【００１１】ここで本発明者等が用いた粗化液は１液性
で取扱い易く経済的に有利である。また、通常の還元処
理を行わない粗化面で起こりがちな、後工程の酸洗浄等
の薬液処理により導体の酸化物が還元されて絶縁層が部
分剥離して起こるハローイング或いはピンクリング現象
が生じない特徴を有する。

【００１２】好ましい粗化液としては、例えば過硫酸塩
／酸／導体腐食抑制剤系、硫酸／過酸化水素／導体腐食
抑制剤系、塩化第二鉄／導体腐食抑制剤系、塩化第二銅
／導体腐食抑制剤系、塩化テトラアンミン銅／導体腐食
抑制剤系等が挙げられる。いずれの粗化液も導体層をエ
ッチングする粗化成分と導体層の表面に部分的に吸着し
て導体の腐食を部分的に抑制する成分（これを導体腐食
抑制剤と云う）とを有していることが特徴である。この
ような、粗化液中では導体腐食抑制剤が導体層で形成さ
れた回路の表面に部分的に吸着し、その吸着された部分
の導体層のエッチングを防ぐため、極めて複雑な粗化面
が得られると推定される。

【００１３】粗化液中の導体腐食抑制剤としては、導体
層を構成する金属材料に適した腐食抑制剤を使用するこ
とであり、以下、導体層として通常使用される銅の場合
を例に説明すると、好ましい銅腐食抑制剤としては、例
えばベンゾトリアゾール誘導体〔１，２，３−ベンゾト
リアゾール、４−ｏｒ５−メチルベンゾトリアゾール、
４−ｏｒ５−アミノベンゾトリアゾールなど、導体表面
への吸着にベンゾトリアゾール骨格が有効〕、チアゾー
ル誘導体〔ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチ
アゾール、２−メチルベンゾチアゾール、２−フェニル
チアゾールなど、導体表面への吸着にチアゾール骨格が
有効〕、イミダゾール誘導体〔イミダゾール、ベンゾイ
ミダゾール、２−メチルベンゾイミダゾール、２−エチ
ル−５−メチルベンゾイミダゾール、２−メルカプトベ
ンゾイミダゾール、２−（４−チアゾール）ベンゾイミ
ダゾールなど、導体表面への吸着にイミダゾール骨格が
有効〕、インダゾール類〔６−アミノインダゾール〕、
メラミン誘導体（メラミン、Ｎ，Ｎ−ジアリルメラミ
ン、２−Ｎ−ｎ−ブチルメラミンなど、導体表面への吸
着にメラミン骨格が有効）、トリアジン誘導体〔２，４
−ジアミノ−６−フェニルトリアジン、２，４−ジアミ
ノ−６−メチル−ｓ−トリアジン、２−ビニル−４，６
−ジアミノ−ｓ−トリアジンなど、導体表面への吸着に
トリアジン骨格が有効〕、２−メルカプトベンゾキシア
ゾール、ピリミジン誘導体〔ジアミノピリミジン、トリ
アミノピリミジン、テトラアミノピリミジン、ジアミノ
−メルカプトピリミジンなど、導体表面への吸着にピリ
ミジン骨格が有効〕、３，５−ジアミノ−１，２，４−
トリアゾール、アルカンチオール類〔ＣnＨ2n+1Ｓ
Ｈ〕、チオ尿素誘導体〔チオ尿素、１−フェニル−２−
チオ尿素、エチレンチオ尿素など、導体表面への吸着に
チオ尿素骨格が有効〕、エタノールチオール、ドデシル
メルカプタン、２−メルカプトエタノールなどが挙げら
れる。好ましくは、２−メルカプトベンゾイミダゾー
ル、６−アミノインダゾール、２，４−ジアミノ−６−
フェニルトリアジン、２−ビニル−４，６−ジアミノ−
ｓ−トリアジン、２−メチルベンゾチアゾール、メラミ
ン、２−Ｎ−ｎ−ブチルメラミンである。また、粗化液
中の銅腐食抑制剤の濃度としては０．０１〜１０ｇ／
ｌ、好ましくは０．１〜２ｇ／ｌの範囲が良好である。

【００１４】次に、導体回路を絶縁層上に強固に接着す
るための絶縁層表面の粗化処理についても本発明者等は
詳細な実験検討を行なった。その結果、以下に説明する
ような極めて有効な知見が得られた。すなわち、絶縁層
の表面をアルカリ性の過マンガン酸塩の水溶液で粗化処
理し、その後、表層に形成された二酸化マンガンを、例
えばヒドロキシルアミン塩等の溶解液で溶解除去し、次
いで粗化処理で絶縁層表面に生じた劣化層を界面活性剤
の水溶液を用いて除去することが、極めて有効であるこ
とを見出した。特に、導体回路を絶縁層上に強固に接着
するためには、この劣化層の除去が極めて重要であるこ
とを見出したものである。

【００１５】劣化層を除去するためには、例えばブラシ
等で機械的に除去方法、超音波洗浄等の方法も考えられ
るが、これらの方法はこの種の微細パターンを有する配
線基板では、パターン崩れ等のダメージの恐れがあり、
また、絶縁層の微細部での除去には不向きで均一性に乏
しいことがわかった。そこで本発明者は上記のように界
面活性剤水溶液に浸漬するだけで、極めて短時間に劣化
層を除去することが可能であることを見出したものであ
る。

【００１６】本発明に使われる界面活性剤としては、ア
ニオン系ないし必要に応じて可溶化や増粘効果があるカ
チオン系の界面活性剤を併用して用いる。具体的には、
以下に示すような界面活性剤が有効なものとして例示で
きる。（１）アニオン系：アルキルナフタレンスルフォン酸
類、アルキルスルフォコハク酸類の金属塩のいずれか或
いはそれらの混合物（２）カチオン系：炭素総数８〜５０の第４級アンモニ
ウム塩の混合物の何れか或いは、それらの混合物等を挙
げることができる。さらに具体的な化合物名を挙げる
と、例えば、アニオン系界面活性剤としては、ドデシル
硫酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルフォン酸ナトリ
ウム、スルフォコハク酸ジ−２−エチルヘキシルナトリ
ウム等がある。一方、カチオン系界面活性剤を例示する
と、トリエタノールアミントルエンスルフォン酸塩、ト
リエタノールアミンドデシルベンゼンスルフォン酸塩、
セチルトリメチルアンモニウムクロリド等が代表的であ
る。界面活性剤の濃度としては１〜５００ｇ／ｌ、好ま
しくは５〜２００ｇ／ｌの範囲が良好である。

【００１７】以上、ビルドアップ方式で多層配線基板を
製造するに際し、配線導体層と層間絶縁層との接着強度
を向上させるための導体層表面の粗化処理および絶縁層
表面の粗化処理について説明したが、本発明ではこれら
何れか一方の粗化処理を、さらに好ましくは双方の粗化
処理を行なうことである。

【００１８】以下に本発明の目的達成手段を具体的に総
括して説明すると、上記目的は、導体回路形成工程と層
間絶縁膜形成工程とを交互に繰り返し、ビルドアップ方
式により多層配線基板を製造する方法において、前記導
体回路形成工程後の導体表面の粗化処理を、導体腐食抑
制剤を含有する粗化液で処理する工程として成る多層配
線基板の製造方法により、達成される。

【００１９】また、上記目的は、導体回路形成工程と層
間絶縁膜形成工程とを交互に繰り返し、ビルドアップ方
式により多層配線基板を製造する方法において、前記層
間絶縁膜形成工程後の絶縁膜表面の粗化処理を、アルカ
リ性の過マンガン酸塩水溶液で粗化した後、表面に形成
された二酸化マンガンを溶解除去し、次いで界面活性剤
を含む水溶液で絶縁層表面に生じた劣化層を除去する工
程として成る多層配線基板の製造方法によっても、達成
される。

【００２０】さらに上記目的は、導体回路形成工程と層
間絶縁膜形成工程とを交互に繰り返し、ビルドアップ方
式により多層配線基板を製造する方法において、前記導
体回路形成工程後の導体表面の粗化処理を、導体腐食抑
制剤を含有する粗化液で処理する工程とすると共に、前
記層間絶縁膜形成工程後の絶縁膜表面の粗化処理を、ア
ルカリ性の過マンガン酸塩水溶液で粗化した後、表面に
形成された二酸化マンガンを溶解除去し、次いで界面活
性剤を含む水溶液で絶縁層表面に生じた劣化層を除去す
る工程として成る多層配線基板の製造方法により、達成
される。

【００２１】ここで、多層配線基板を製造する際に用い
られる基板と層間絶縁層を形成する絶縁樹脂について説
明すると、先ず、基板としては通常使用されているもの
と同様に、例えばガラス繊維を樹脂で成形した絶縁シー
トに、銅箔等の導体薄膜を両面もしくは片面に形成した
基板（一般に銅張り積層板と呼ばれているもの、代表的
なものとしてガラスエポキシ銅張り積層板として市販さ
れている）、もしくは内層として、既に回路パターンが
形成されているシートを複数枚積層し、プレス成形した
積層板などが用いられる。また、用途によってはこのよ
うな樹脂基板の代わりにセラミックスシートを使用した
積層板も使用される。

【００２２】層間絶縁層を形成する絶縁樹脂としては、
例えば感光性を有するエポキシ樹脂、エポキシアクリレ
ート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹
脂等が挙げられる。好ましくは、その成分が（１）アク
リル酸エステル、またはメタクリル酸エステルを部分構
造として含み、ノボラック型エポキシ樹脂から得られる
樹脂を主成分とするネガ型感光性樹脂組成物である。ま
たは（２）（ａ）クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂、フェノールボラック型エポキシ樹脂からなる群より
選ばれる１種または２種以上のノボラック型エポキシ樹
脂と不飽和カルボン酸とを酸当量／エポキシ当量比が
０．１〜０．９８の範囲で付加反応して得られる不飽和
化合物の２級水酸基に、イソシアネートエチルメタクリ
レートをイソシアネート当量／水酸基当量比が０．１〜
１．２の範囲で反応して得られる光重合性不飽和化合物
を１００重量部と、（ｂ）２−ベンジル−２−ジメチル
アミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−
１−オンを０．１〜２０重量部とを含有するネガ型感光
性樹脂組成物。または（３）必須成分として（ａ）分子
量３，０００〜３０，０００のジアリルフタレートのプ
レポリマーと、（ｂ）ポリヒドロキシ化合物のアクリレ
ートまたはメタクリレート及びオリゴエステルメタクリ
レートからなる群より選ばれた少なくとも１種以上の多
官能不飽和化合物と、（ｃ）光重合開始剤と、（ｄ）エ
ポキシ樹脂と、（ｅ）エポキシ樹脂の硬化剤と、（ｆ）
メラミンまたはその誘導体とを含むネガ型感光性樹脂組
成物。ないしは（４）（ａ）平均して１分子当たり複数
個のエポキシ基を持ったエポキシ樹脂と不飽和カルボン
酸との反応生成物である室温で固形状の多官能化合物
と、（ｂ）１分子当たり複数個のエチレン結合を持つ室
温で液体状の多官能アクリレートまたは多官能メタクリ
レートと、（ｃ）光重合開始剤と、（ｄ）エポキシ樹脂
と、（ｅ）エポキシ樹脂の硬化剤と、（ｆ）メラミンま
たはその誘導体とを含むネガ型感光性樹脂組成物、など
である。

【００２３】また、積層する導体層としては、銅が一般
的であるがその他必要に応じて例えばニッケル等のその
他の導体金属を使用することもできる。また、基板上の
２層目以上に積層する導体層は周知のようにめっき層が
使用される。さらに、めっき層としては、無電解めっき
により形成することもできるが、めっき時間が長くなる
ため通常は下地層を薄く無電解めっきにより形成した
後、電気めっきで必要な厚さだけ形成する。

【００２４】本発明が目的とする多層配線基板の具体的
な製造方法については、実施例の項で詳述するが、代表
的な製造工程の手順について概要を示すと以下の工程Ａ
〜Ｄようになる。これらの各工程を適宜組み合わせて、
所望とする導体回路間の種々の接続構成がとれる多層配
線基板を製造する。（Ａ）工程：銅張り積層板→貫通孔形成→エッチングレ
ジスト→導体回路形成→導体表面粗化→絶縁層形成・パ
ターニング、または、銅張り積層板→エッチングレジス
ト→導体回路形成→貫通孔形成→導体表面粗化→絶縁層
形成・パターニング（Ｂ）工程：絶縁層粗化→表面劣化層除去→めっき触媒
付与→銅めっき→エッチングレジスト→導体回路形成→
導体表面粗化→絶縁層形成・パターニング（Ｃ）工程：銅張り積層板→エッチングレジスト→導体
回路形成→導体表面粗化→絶縁層形成・パターニング（Ｄ）工程：貫通孔形成→絶縁層粗化→表面劣化層除去
→めっき触媒付与→銅めっき→エッチングレジスト→導
体回路形成→導体表面粗化→絶縁層形成・パターニングなお、銅張り積層板としては、両面２層板か、その内層
に回路を有する積層板プレス方式の３層以上の積層板で
あることが好ましい。

【００２５】

【作用】導体回路を絶縁層上に強固に接着するための絶
縁層表面の粗化技術として、本発明では、絶縁層をアル
カリ性の過マンガン酸塩の水溶液で粗化後、表層に形成
された二酸化マンガンを溶解除去し（例えばヒドロキシ
ルアミン塩で溶解する）、次に絶縁層表面に生じた劣化
層を界面活性剤の水溶液を用いて除去するが、この方法
では、界面活性剤の作用が極めて重要となる。そこで界
面活性剤の作用について説明すると、先ず、湿潤、浸透
作用によって劣化層をほぐし、劣化物が表面から分離、
次いで界面活性剤に吸着し、粗化表面から脱落して微細
な粒子に分散または懸濁され、これにより、劣化層を絶
縁層の粗化面から容易に除去することができる。このよ
うにして形成された粗化面は表面積が大きく複雑な組織
を構成しているため、その上に形成される回路導体は強
固に接着する。導体回路を絶縁層上に強固に接着させる
ためには、劣化層の除去が極めて重要である。また、こ
のような粗化面に導体回路を強固に接着するためには、
導体回路の少なくとも下地を無電解めっきにより形成
し、複雑な組織に導体を食い込ませることが重要とな
る。

【００２６】次に、導体層とこの導体層上部に形成され
る樹脂絶縁層との接着性を高めるために、本発明では導
体腐食抑制剤を含有してなる粗化液で導体層表面をエッ
チングする。これは粗化液中の導体腐食抑制剤が導体表
面に部分的に吸着し、この個所のエッチング速度が低下
し、導体表面が不均一にエッチングされるため、導体回
路上に表面積の大きな極めて複雑な形状をした粗化表面
が得られたためと考えられる。

【００２７】前述したように、従来方法では、複雑な形
状の銅粗化面を得るには、２種の粗化液を要し、銅表面
に一度酸化処理により酸化銅を成長させ、この酸化銅の
表面を還元処理して得ていた。この方法は実用可能レベ
ルの接着力とすることが可能であるが、新たな液相還元
処理工程と、かつ還元処理条件を厳密に管理する必要が
あった。しかし、本発明の粗化液は１液性で工程管理や
取扱いが容易で経済的に有利である。また、本発明で
は、従来の粗化処理で起こりがちな、後工程の酸洗浄等
の薬液処理による銅の酸化物が還元されて上部に形成さ
れた絶縁層が部分剥離して起こるハローイング、或いは
ピンクリング現象が生じない特徴を有する。また、この
ような導体回路と絶縁層の接着性を向上させる工程を入
れることにより、信頼性の高いビルドアップ多層配線基
板の製造が可能になった。

【００２８】

【実施例】以下、図１および図２に示した製造工程図に
したがって、本発明をさらに詳しく説明する。なお、本
発明の多層配線基板は、導体回路（配線パターン）形成
工程と、層間絶縁膜形成工程とを交互に複数回繰り返し
て積層する、所謂ビルドアップ方式により製造するもの
であり、具体的には、先に示したと同様の工程Ａ〜Ｄに
記載の代表的な工程を任意に組合わせて、要求される導
体回路間に種々の接続構成がとれる多層配線基板を製造
した。

【００２９】（Ａ）工程：銅張り積層板→貫通孔形成→
エッチングレジスト→導体回路形成→導体表面粗化→絶
縁層形成・パターニング、もしくは銅張り積層板→エッ
チングレジスト→導体回路形成→貫通孔形成→導体表面
粗化→絶縁層形成・パターニング。（Ｂ）工程：絶縁層粗化→表面劣化層除去→めっき触媒
付与→銅めっき→エッチングレジスト→導体回路形成→
導体表面粗化→絶縁層形成・パターニング。（Ｃ）工程：銅張り積層板→エッチングレジスト→導体
回路形成→導体表面粗化→絶縁層形成・パターニング。（Ｄ）工程：貫通孔形成→絶縁層粗化→表面劣化層除去
→めっき触媒付与→銅めっき→エッチングレジスト→導
体回路形成→導体表面粗化→絶縁層形成・パターニン
グ。

【００３０】〈実施例１〉この実施例は、上記工程Ａと
工程Ｂとを組み合わせて両面合計４層（片面２層）の多
層配線基板を製造した例について説明するものであり、
以下図１の断面工程図にしたがって順次説明する。

【００３１】図１（ａ）工程：ガラスエポキシ積層板１
０１の両面に銅箔１０２を張り合わせた銅張り積層板を
基板１００として準備する。図１（ｂ）工程：基板１００にドリルで貫通孔１０３を
あける。図１（ｃ）工程：基板両面に図示されていないレジスト
作成用のドライフィルムをラミネートし、予め所定の回
路パターンが形成されたマスクをあて露光、現像してレ
ジストの抜きパターンを形成した。これをエッチングレ
ジストとして銅箔１０２をエッチングして導体回路１０
４を形成した。レジストを除去した後、この基板の導体
表面を過硫酸塩／酸／銅腐食抑制剤系の粗化液で粗化処
理し、導体粗化面１０５を形成した。用いた粗化液及び
その粗化条件は、次の通りである。粗化液の組成：過
硫酸塩としてＮａ₂Ｓ₂Ｏ₈（２００ｇ／ｌ）、酸として
９８％Ｈ₂ＳＯ₄（１０ｍｌ／ｌ）、銅腐食抑制剤として
２−メルカプトベンゾイミダゾール（０．５ｇ／ｌ）の
組成。粗化条件：液温４０℃でスプレーエッチング。図１（ｄ）工程：粗化処理後、水洗・乾燥し、この基板
上に絶縁層１０６を形成した。用いた絶縁樹脂は、感光
性樹脂組成物で、調整法は次の通りである。（１）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂ＥＯＣＮ１
０２（日本化薬製）（１０９５重量部）のエチルセロソ
ルブアセテート（８００重量部）溶液を、アクリル酸
（６９重量部）と塩化ベンジルトリメチルアンモニウム
塩（７重量部）とｐ−メトキシフェノール（３重量部）
とのエチルセロソルブアセテート（１００重量部）溶液
とを６０℃で混合し、８０℃で１５時間反応させた。得
られた不飽和化合物溶液を、イソシアネートエチルメタ
クリレート（１６３重量部）とジブチルチンジラウレー
ト（０．５重量部）とのエチルセロソルブアセテート
（１００重量部）溶液に混合して６０℃で反応させ、さ
らにメタノール（１０重量部）を加えて光重合性不飽和
化合物の溶液を得た。

【００３２】この溶液（１７５重量部）に、２−ベンジ
ル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェ
ニル）−ブタン−１−オン（チバガイギー社製 IRGACU
RE３６９）（１０重量部）、ミクロエースＰ−４（日本
タルク製、微粒子タルク）（７重量部）、クリスタライ
ト５Ｖ（龍森製、微粒子シリカ）（３６重量部）、トー
ラッド７１００（東都化成製、アミンアクリレート）
（５重量部）、フタロシアニングリーン（１重量部）、
２−メチルイミダゾール（３重量部）、モダフロー（三
菱モンサント製）（０．１重量部）を配合し、三本ロー
ルミルを用いて均一に混合して感光性樹脂組成物溶液を
調整した。

【００３３】図１（ｅ）工程：上記樹脂組成物の塗膜か
らなる絶縁層１０６を８０℃で３０分間予備乾燥を施
し、次いで、高圧水銀ランプを用い６００ｍＪ／ｃｍ²
で２層目の導体回路形成に備えて、図示されていない所
定のマスクを介して露光し、溶剤現像を行って絶縁樹脂
１０６を選択的にエッチングしてパターニングし、電気
的接続に必要な下地導体回路１０４の所定領域を露出さ
せ、さらに絶縁樹脂の膜質を高めるため１５０℃で３０
分間加熱した。次いで、パターニングされた上記絶縁樹
脂層１０６を、アルカリ性の過マンガン酸塩の水溶液で
粗化し、粗化面１１０を形成した。用いた粗化液及びそ
の粗化条件は、次の通りである。粗化液の組成および粗化条件：ＫＭｎＯ₄（６０ｇ／
ｌ）、ＮａＯＨ（４０ｇ／ｌ）：液温８０℃で３０分間
浸漬。

【００３４】この基板表面に付着した二酸化マンガン１
０８を３％塩酸ヒドロキシルアミン水溶液で溶解し、次
に絶縁層表面に生じた劣化層１０９を界面活性剤の水溶
液を用いて除去した。用いた界面活性剤の水溶液及びそ
の処理条件は、次の通りである。ドデシル硫酸ナトリウム（５０ｇ／ｌ）：液温２５℃で
６０秒間浸漬。

【００３５】図１（ｆ）工程：次に、粗化面を活性化す
るため、めっき触媒液に浸漬し、下地導電膜を無電解め
っきで０．２μｍ形成した後、厚付け電気銅めっきを２
５μｍ施し、銅めっき層１１１を形成した。いずれも処
理液は市販品を使用し、周知のめっき方法にて行なった
ものである。

【００３６】図１（ｇ）工程：再度図１（ｃ）工程と同
じ方法を繰り返す。すなわち、銅めっき層１１１上にエ
ッチングレジストを形成し、露光、現像、エッチング、
レジスト剥離の工程を経て導体回路層１１２を形成す
る。次いで、導体回路表面を同一方法で粗化し、粗化面
１１３を形成する。

【００３７】図１（ｈ）工程：最後に図１（ｄ）を繰り
返し、絶縁層１１４（ソルダレジストとする）を形成し
てから、図１（ｅ）の一部と同様の方法でパターニング
を行い接続に必要な導体回路面を露出させる。このよう
にして、図示したように片面２層積層構造の配線基板を
得た。

【００３８】このようにして得られた配線基板の導体層
と絶縁層との接着強度をＪＩＳ−Ｃ−６４８１の評価方
法に準じてピール強度（ｇ／ｃｍ）を測定し、また、導
体回路上のハローの有無を観察し、その結果を表１中に
表示した。表中には後述する比較例の結果についても示
した。この表から明らかなように、本実施例のピール強
度は８５２を示しており、比較例（最高のもので３８）
と対比して著しく向上している。また、ハローも無く、
密着性がよく極めて接着強度にすぐれ、信頼性の高い多
層配線基板が実現された。

【００３９】

【表１】

【００４０】〈実施例２〉この例は片面３層、両面合計
６層の多層配線基板を製造したものである。すなわち、
実施例１で得られた配線基板上に、さらに両面共に導体
層と絶縁層とを１層づつ積層したものであるため、その
分だけパターン形成の繰り返し工程が増加した。先ず、
実施例１の最終工程（図１（ｈ）工程）の後に、図１
（ｅ）工程の絶縁層表面の粗化処理と同様にして、絶縁
層１１４の表面粗化処理を行ない、次いで図１（ｆ）の
めっき工程〜図１（ｈ）の絶縁層のパターニング工程ま
でを繰り返し、基本的には実施例１と同様の製造工程で
処理した。

【００４１】なお、材料および処理方法で実施例１と異
なる点を工程順に述べると、以下の通りである。（１）先ず、図１（ｃ）の導体回路１０４の表面粗化処
工程において、粗化液中の銅腐食抑制剤「２−メルカプ
トベンゾイミダゾール」を、メラミンに変更した。

【００４２】（２）図１（ｄ）の絶縁層形成工程におい
て、絶縁樹脂１０６の組成を次のように変更した。すな
わち、ジアリルオルトフタレート樹脂（平均分子量１
０，０００）（１００重量部）、ペンタエリスリトール
テトラアクリレート（２０重量部）、ベンゾフェノン
（４重量部）、４，４’−ビス（Ｎ，Ｎ’−ジメチルア
ミノ）ベンゾフェノン（２重量部）、ビスフェノールＡ
型エポキシ樹脂（３０重量部）、２−フェニルイミダゾ
ール（１重量部）、メラミン（５重量部）、シリコーン
オイル（５重量部）、フタロシアニングリーン（２重量
部）、エチルセロソルブアセテート（３０重量部）、ブ
チルセロソルブアセテート（３０重量部）を配合し、三
本ロールミルを用いて均一に混合して感光性樹脂組成物
溶液を調整した。（３）図１（ｅ）の絶縁樹脂１０６をパターニングする
工程において、高圧水銀ランプでの露光量を６００ｍＪ
／ｃｍ²から９００ｍＪ／ｃｍ²に変更した。

【００４３】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度９３５であり、接着強度は
実施例１よりさらに向上している。

【００４４】〈実施例３〉実施例１と基本的に同一製造
工程により片面２層積み上げ、両面合計８層の多層配線
基板を製造した。この実施例で実施例１と異なる点は、
以下の通りである。（１）先ず、図１（ａ）の両面銅張り積層板１００とし
て、内層回路入りガラスエポキシ両面銅張り４層積層板
を用いた。（２）図１（ｃ）の導体回路１０４の表面粗化処工程に
おいて、粗化液中の銅腐食抑制剤「２−メルカプトベン
ゾイミダゾール」を、２−Ｎ−ｎ−ブチルメラミンに変
更した。

【００４５】（３）図１（ｄ）の絶縁層形成工程におい
て、絶縁樹脂１０６の組成を次のように変更した。（ａ）エポキシ当量２２５のクレゾールノボラックエポ
キシ樹脂（１７５重量部）とブチルセロソルブアセテー
ト（７５重量部）とを混合し、９０℃まで昇温して溶解
させる。ここに、２，５−ジターシャルブチルヒドロキ
ノン（０．０２重量部）、Ｎ，Ｎ’ジメチルアニリン
（１．７５重量部）、アクリル酸（２２．４重量部）を
加えて反応させ、エポキシビニル（エポキシ当量５６
０）を得た。（ｂ）得られたエポキシビニル（１００重量部）、ペン
タエリスリトールテトラアクリレート（２０重量部）、
ベンゾフェノン（４重量部）、４，４’−ビス（Ｎ，
Ｎ’−ジメチルアミノ）ベンゾフェノン（２重量部）、
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（４０重量部）、イミ
ダゾール（１’）エチル−ｓ−トリアジン（２重量
部）、メラミン（３重量部）、シリコーンオイル（５重
量部）、フタロシアニングリーン（２重量部）、エチル
セロソルブアセテート（３０重量部）、ブチルセロソル
ブアセテート（３０重量部）を配合し、三本ロールミル
を用いて均一に混合して感光性樹脂組成物溶液を調整し
た。

【００４６】（４）図１（ｅ）の絶縁樹脂１０６をパタ
ーニングする工程において、高圧水銀ランプでの露光量
を実施例２と同様に６００ｍＪ／ｃｍ²から９００ｍＪ
／ｃｍ²に変更した。

【００４７】（５）図１（ｅ）の絶縁樹脂１０６の表面
粗化処理工程において、界面活性剤水溶液中への浸漬時
間を６０秒から３０秒に短縮して劣化層を除去処理し
た。

【００４８】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度６２８であり、接着強度は
実施例１より少し劣るものの従来の比較例と比較して著
しく向上していることがわかる。

【００４９】〈実施例４〉この例は実施例２と同様に片
面３層、両面合計６層の多層配線基板を製造したもので
ある。この実施例で実施例２と異なる点は、以下の通り
である。（１）図１（ｃ）の導体回路１０４の表面粗化処工程に
おいて、粗化液中の銅腐食抑制剤「メラミン」を、６−
アミノインダゾールに変更した。（２）図１（ｄ）の絶縁層形成工程において、絶縁樹脂
１０６の組成を実施例１と同様のものに変更した。（３）図１（ｅ）の絶縁樹脂１０６をパターニングする
工程において、高圧水銀ランプでの露光量を実施例１と
同様に６００ｍＪ／ｃｍ²とした。

【００５０】（４）図１（ｅ）の絶縁樹脂１０６の表面
粗化処理工程において、界面活性剤の水溶液による劣化
層除去処理を次の条件に変更した。界面活性剤として１
−ｏ−ウンデセン酸ナトリウム（５０ｇ／ｌ）：液温２
５℃で３０秒間浸漬。

【００５１】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度９６０であり、接着強度は
実施例２よりもさらに向上した。

【００５２】〈実施例５〉この実施例は、片面４層積み
上げ、両面合計８層の多層配線基板の製造例を示すもの
である。実施例４で得られた配線基板上に、さらに両面
共に導体層と絶縁層とを１層づつ積層したものであるた
め、実施例４よりもその分だけパターン形成の繰り返し
工程が増加した。すなわち、実施例４の最終工程後に、
図１（ｅ）〜（ｈ）工程をさらに繰り返し、片面４層積
み上げとしたものである。基本的な各製造工程は、実施
例１と同様の製造工程で処理した。

【００５３】なお、材料および処理方法で実施例１と異
なる点を工程順に述べると、以下の通りである。（１）図１（ｃ）の導体回路１０４の表面粗化処工程に
おいて、粗化液中の銅腐食抑制剤「２−メルカプトベン
ゾイミダゾール」を、６−ビニル−４，６−ジアミノ−
ｓ−トリアジンに変更した。（２）図１（ｅ）の絶縁樹脂１０６の表面粗化処理工程
において、界面活性剤の水溶液による劣化層除去処理を
次の条件に変更した。界面活性剤としてスルフォコハク
酸ジ−２−エチルヘキシルナトリウム（５０ｇ／ｌ）：
液温２５℃で６０秒間浸漬。

【００５４】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度８８２であり、接着強度は
実施例１によりもさらに向上した。

【００５５】〈実施例６〉この実施例は、上記工程Ｃと
工程Ｄとを組み合わせて両面合計４層（片面２層積層）
の多層配線基盤を製造した例について説明するものであ
り、以下、図２の断面工程図にしたがって順次説明す
る。なお、この例も基本的には、実施例１に示した図１
の各工程と同一である。ただし、貫通口１０３を開ける
タイミングと、材料および処理方法の一部を変更してい
る。

【００５６】図２（ａ）工程：実施例１の図１（ａ）工
程と同一工程で、ガラスエポキシ積層板１０１の両面に
銅箔１０２を張り合わせた銅張り積層板を基板１００と
して準備する。図２（ｂ）工程：実施例１の図１（ｃ）に該当する工程
で、基板両面に図示されていないレジスト作成用のドラ
イフィルムをラミネートし、予め所定の回路パターンが
形成されたマスクをあて露光、現像してレジストの抜き
パターンを形成した。これをエッチングレジストとして
銅箔１０２をエッチングして導体回路１０４を形成し
た。レジストを除去した後、この基板の導体表面を過硫
酸塩／酸／銅腐食抑制剤系の粗化液で粗化処理し、導体
粗化面１０５を形成した。用いた粗化液及びその粗化条
件は、次の通りである。

【００５７】粗化液の組成：過硫酸塩としてＮａ₂Ｓ₂Ｏ
₈（２００ｇ／ｌ）、酸として９８％Ｈ₂ＳＯ₄（１０ｍ
ｌ／ｌ）、銅腐食抑制剤として２−メルカプトベンゾチ
アゾール（０．５ｇ／ｌ）：液温４０℃でスプレーエッ
チング。図２（ｃ）工程：実施例１の図１（ｄ）に該当する工程
で、粗化処理後、水洗・乾燥し、この基板上に絶縁層１
０６を形成した。用いた絶縁樹脂は、実施例２に使用し
た感光性樹脂組成物と同一である。図２（ｄ）工程：実施例１の図１（ｅ）に該当する工程
で、上記樹脂層を８０℃で３０分間予備乾燥を施し、次
いで、高圧水銀ランプを用い６００ｍＪ／ｃｍ²で２層
目の導体回路形成に備えて、図示されていない所定のマ
スクを介して露光し、溶剤現像を行って絶縁樹脂１０６
を選択的にエッチングしてパターニングし、電気的接続
に必要な下地導体回路１０４の所定領域を露出させ、さ
らに絶縁樹脂の膜質を高めるため１５０℃で３０分間加
熱した。続いて、パターニングされた絶縁樹脂層１０６
をアルカリ性の過マンガン酸塩の水溶液で粗化し、粗化
面１１０を形成した。用いた粗化液及びその粗化条件
は、次の通りである。ＫＭｎＯ₄（６０ｇ／ｌ）、ＮａＯＨ（４０ｇ／ｌ）：
液温８０℃で４０分間浸漬。この基板表面に付着した二酸化マンガン１０８を３％塩
酸ヒドロキシルアミン水溶液で溶解し、次に絶縁層表面
に生じた劣化層１０９を界面活性剤の水溶液を用いて除
去した。用いた界面活性剤の水溶液及びその処理条件
は、次の通りである。スルフォコハク酸ジ−２−エチルヘキシルナトリウム
（５０ｇ／ｌ）：液温２５℃で６０秒間浸漬。

【００５８】図２（ｅ）工程：実施例１の図１（ｂ）に
該当する工程で、スルーホール形成領域にドリルで貫通
孔１０３を開ける。図２（ｆ）工程〜（ｈ）工程：実施例１の図１（ｆ）〜
（ｈ）工程とそれぞれ同一工程である。

【００５９】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度９５３であり、接着強度は
実施例１によりもさらに向上し、実施例２に比較的近い
特性を示した。

【００６０】〈実施例７〉この実施例は、実施例２と同
様に片面３層、両面合計６層の積層体から構成される多
層配線基板の製造例を示すものであるが、ドリルにより
貫通口を形成する工程のタイミングが異なっている。積
層数は異なるが製造工程の順序が、実施例６に示した図
２の工程に比較的類似しているので、以下、図２を引用
して説明する。

【００６１】まず、図２（ａ）〜図２（ｃ）工程まで
は、実施例６と同様に処理する。ただし、図２（ｂ）工
程の導体パターン１０４の表面粗化処理工程における粗
化液および処理条件は実施例６の場合とは異なり、以下
のようにした。過硫酸塩として（ＮＨ₄）₂Ｓ₂Ｏ₈（２００ｇ／ｌ）、酸
として９８％Ｈ₂ＳＯ₄（１０ｍｌ／ｌ）、銅腐食抑制剤
として２−メチルベンゾチアゾール（０．５ｇ／ｌ）：
液温４０℃でスプレーエッチング。次に図２（ｅ）のド
リルによる貫通口の形成工程と、図２（ｄ）の絶縁樹脂
層１０６のパターン形成からその表面粗化処理までの工
程を入れ変え、先に図２（ｅ）のドリルによる貫通口の
形成工程を行ない、その後に図２（ｄ）の工程〔図１
（ｅ）に該当する工程〕を実施する。以後の工程は、実
施例６の図２（ｆ）〜図２（ｈ）と同一である。ただ
し、図２（ｄ）のパターン形成後の絶縁樹脂層１０６の
表面粗化処理工程において、界面活性剤の水溶液を用い
る劣化層１０９の除去工程は、以下に示す条件とした。アルキルジフェニルエーテルジスルフォン酸ナトリウム
（５０ｇ／ｌ）、アルキルアルカノールドアミド（２０
ｇ／ｌ：アミノーンＬ−０１、花王製）：液温２５℃で
３０秒間浸漬。

【００６２】このようにして片面２層の積層構造を得た
後、さらに図２（ｄ）における絶縁樹脂層の表面粗化処
理、および図２（ｆ）〜図２（ｈ）工程を繰り返すこと
により、片面３層、両面合計６層構造の配線基板を得
た。

【００６３】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度６８２であり、接着強度は
実施例６より劣るものの、実施例３に比較的近い特性を
示した。

【００６４】〈実施例８〉実施例５と同様に片面４層、
両面合計８層の積層体から構成される多層配線基板の製
造例を示すものであるが、ドリルにより貫通口を形成す
る工程のタイミングが異なっている。積層数は異なるが
製造工程の順序は、実施例７と基本的に同一工程であ
る。したがって、ここでは重複する説明を省略し、実施
例７と異なる点についてのみ以下に示す。

【００６５】（１）先ず、図２（ｂ）工程の導体パター
ン１０４の表面粗化処理工程における粗化液および処理
条件は実施例６の場合とは異なり、以下のようにした。９８％Ｈ₂ＳＯ₄（１２０ｍｌ／ｌ）、３５％Ｈ₂Ｏ₂（８
０ｍｌ／ｌ）、２−メルカプトベンゾイミダゾール
（０．５ｇ／ｌ）：液温４０℃でスプレーエッチング。（２）図２（ｃ）工程の絶縁樹脂１０６は、実施例２、
６と同一絶縁樹脂を用いた。（３）図２（ｄ）のパターン形成後の絶縁樹脂層１０６
の表面粗化処理工程において、界面活性剤の水溶液を用
いる劣化層１０９の除去工程の処理条件は、実施例１と
同様のドデシル硫酸ナトリウム（５ｇ／ｌ）：液温２５
℃で３０秒間浸漬とした。

【００６６】このようにして片面２層の積層構造を得た
後、さらに図２（ｄ）における絶縁樹脂層の表面粗化処
理、および図２（ｆ）〜図２（ｈ）工程を２回繰り返す
ことにより、片面４層、両面合計８層構造の配線基板を
得た。

【００６７】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度９８０であり、接着強度は
著しく向上した。

【００６８】〈実施例９〉実施例７と同様の処理工程に
より、片面５層、両面合計１０層の積層体から構成され
る多層配線基板を製造した。積層数は異なるが製造工程
の順序は、実施例７と基本的に同一工程である。したが
って、ここでは重複する説明を省略し、実施例７と異な
る点についてのみ以下に示す。

【００６９】（１）先ず、図２（ｂ）工程の導体パター
ン１０４の表面粗化処理工程における粗化液および処理
条件は実施例６の場合とは異なり、以下のようにした。ＦｅＣｌ₃（３７０ｇ／ｌ）、２−メルカプトベンゾイ
ミダゾール（０．０５ｇ／ｌ）：液温４０℃でスプレー
エッチング。（２）図２（ｃ）工程の絶縁樹脂１０６は、実施例３と
同一絶縁樹脂を用いた。（３）図２（ｄ）のパターン形成後の絶縁樹脂層１０６
の表面粗化処理工程において、界面活性剤の水溶液を用
いる劣化層１０９の除去工程の処理条件は、１−ｏ−ウ
ンデセン酸ナトリウム（２０ｇ／ｌ）：液温２５℃で３
０秒間浸漬とした。このようにして片面２層の積層構
造を得た後、さらに図２（ｄ）における絶縁樹脂層の表
面粗化処理、および図２（ｆ）〜図２（ｈ）工程を３回
繰り返すことにより、片面５層、両面合計１０層構造の
配線基板を得た。

【００７０】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度９８５であり、接着強度は
著しく向上した。

【００７１】〈実施例１０〉この実施例は、実施例２と
同様に片面３層、両面合計６層の積層体から構成される
多層配線基板の製造例を示すものであるが、ドリルによ
り貫通口を形成する工程のタイミングが異なっている。
積層数は異なるが製造工程の順序が、実施例６に示した
図２の工程に比較的類似しているので、以下、図２を引
用して説明する。

【００７２】まず、図２（ａ）〜図２（ｂ）工程まで
は、実施例６と同様に処理する。ただし、図２（ｂ）工
程の導体パターン１０４の表面粗化処理工程における粗
化液および処理条件は実施例６の場合とは異なり、以下
のようにした。ＣｕＣｌ₂（２５０ｇ／ｌ）、３６％ＨＣｌ（１３０ｍ
ｌ／ｌ）、６−アミノインダゾール（０．２ｇ／ｌ）：
液温４０℃でスプレーエッチング。

【００７３】次いで、図２（ｃ）の絶縁樹脂１０６の形
成工程においては、実施例３および９に使用したものと
同一の樹脂を用いた。

【００７４】次いで、図２（ｄ）のパターン形成後の絶
縁樹脂層１０６の表面粗化処理工程において、界面活性
剤の水溶液を用いる劣化層１０９の除去工程の処理条件
としては、ドデシニルベンゼンスルフォン酸ナトリウム
（２０ｇ／ｌ）：液温２５℃で６０秒間浸漬とした。

【００７５】この後、図２（ｅ）のドリルによる貫通口
１０３の形成工程を、図２（ｆ）〜図２（ｇ）の後にず
らし、図２（ｈ）工程の直前に移動して、それぞれの工
程を実施する。

【００７６】このようにして片面２層の積層構造を得た
後、さらに図２（ｄ）における絶縁樹脂層の表面粗化処
理、および図２（ｆ）〜図２（ｈ）工程を繰り返すこと
により、片面３層、両面合計６層構造の配線基板を得
た。

【００７７】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度７６６であり、接着強度は
著しく向上した。

【００７８】〈実施例１１〉この実施例は、実施例５と
同様に片面４層、両面合計８層の積層体から構成される
多層配線基板の製造例を示すものであるが、ドリルによ
り貫通口を形成する工程のタイミングが異なっている。
積層数は異なるが製造工程の順序が、実施例６に示した
図２の工程に比較的類似しているので、以下、図２を引
用して説明する。

【００７９】まず、図２（ａ）〜図２（ｂ）工程まで
は、実施例６と同様に処理する。ただし、図２（ｂ）工
程の導体パターン１０４の表面粗化処理工程における粗
化液および処理条件は実施例６の場合とは異なり、以下
のようにした。Ｃｕ（ＮＨ₃）₄Ｃｌ₂（４５０ｇ／ｌ）、ＮＨ₄Ｃｌ、２
８％アンモニア水（１５ｍｌ／ｌ）、２，４−ジアミノ
−６−フェニルトリアジン（０．５ｇ／ｌ）：液温４０
℃でスプレーエッチング。

【００８０】次いで、図２（ｃ）の絶縁樹脂１０６の形
成工程においては、実施例１、４および５に使用したも
のと同一の樹脂を用いた。

【００８１】次いで、図２（ｄ）のパターン形成後の絶
縁樹脂層１０６の表面粗化処理工程において、界面活性
剤の水溶液を用いる劣化層１０９の除去工程の処理条件
としては、スルフォコハク酸ジ−２−エチルヘキシルナ
トリウム（５０ｇ／ｌ）：液温２５℃で３０秒間浸漬と
した。

【００８２】次に、図２（ｅ）のドリルによる貫通口１
０３の形成工程を後回しにして、図２（ｆ）〜図２
（ｈ）を実施して、片面２層構造を得る。この後、図２
（ｄ）および図２（ｆ）〜図２（ｈ）を再度繰り返し片
面３層構造を得る。この段階で図２（ｅ）のドリルによ
る貫通口１０３の形成工程を実施する。続いて、図２
（ｄ）および図２（ｆ）〜図２（ｈ）を再度繰り返し、
最終的に片面４層構造、両面合計８層に積層された配線
基板を得る。

【００８３】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度７６８であり、接着強度は
著しく向上した。

【００８４】〈実施例１２〉実施例１の各工程の中で導
体表面の粗化処理工程と絶縁層表面の劣化層を除去する
工程で用いる液組成と処理条件を、下記のように変更し
てして実施例１と同様の配線基板を製造した。

【００８５】（１）導体層の粗化液と粗化処理条件は、
次の通りである。過硫酸塩としてＮａ₂Ｓ₂Ｏ₈（２００ｇ／ｌ）、酸とし
て９８％Ｈ₂ＳＯ₄（１０ｍｌ／ｌ）、銅腐食抑制剤とし
て２−メルカプトベンゾイミダゾール（０．１ｇ／
ｌ）：液温４０℃の粗化槽に浸漬、エアーブロー撹拌・
揺動によりエッチング。

【００８６】（２）絶縁層の表面粗化処理時に生じた劣
化層を除去するための界面活性剤の水溶液及びその処理
条件は、次の通りである。１−ｏ−ウンデセン酸ナトリウム（５ｇ／ｌ）：液温２
５℃で２分間浸漬。

【００８７】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度６２７であり、実施例３の
場合と同程度の接着強度を示した。

【００８８】〈実施例１３〉実施例１の各工程の中で導
体表面の粗化処理工程と絶縁層表面の劣化層を除去する
工程で用いる液組成と処理条件を、下記のように変更し
てして実施例１と同様の配線基板を製造した。

【００８９】（１）導体層の粗化液と粗化処理条件は、
次の通りである。過硫酸塩としてＮａ₂Ｓ₂Ｏ₈（２００ｇ／ｌ）、酸とし
て９８％Ｈ₂ＳＯ₄（１０ｍｌ／ｌ）、銅腐食抑制剤とし
て６−ビニル−４，６−ジアミノ−ｓ−トリアジン（２
ｇ／１）：液温４０℃の粗化槽に浸漬、エアーブロー攪
拌・揺動によりエッチング。

【００９０】（２）絶縁層の表面粗化処理時に生じた劣
化層を除去するための界面活性剤の水溶液及びその処理
条件は、次の通りである。ドデシル硫酸ナトリウム（２００ｇ／１）：液温２５℃
で３０秒間浸漬。

【００９１】このようにして製造した多層配線基板につ
いて、実施例１と同様に導体層と絶縁層との接着強度、
密着性の評価試験をした結果を表１中に表示した。表か
ら明らかなようにピール強度８９０であり、比較例に比
べて著しく優れた接着強度を示した。

【００９２】〈比較例１〉この例は、実施例１の各工程
の中で導体表面の粗化処理工程〔図１（ｂ）工程〕と、
絶縁層表面の粗化処理時における劣化層を除去する工程
〔図１（ｅ）工程〕を省略して製造したものであり、そ
の結果を表１に表示した。ピール強度は３８と劣り、ま
た、ハローが観察された。

【００９３】〈比較例２〉実施例７の各工程の中で導体
表面の粗化処理工程〔図２（ｃ）工程〕と、絶縁層表面
の粗化処理時における劣化層を除去する工程〔図２
（ｅ）工程〕を省略して製造したものであり、その結果
を表１に表示した。ピール強度は１５と著しく特性が劣
り、また、ハローも観察された。

【００９４】〈比較例３〉実施例９の各工程の中で導体
表面の粗化処理工程〔図２（ｃ）工程〕と、絶縁層表面
の粗化処理時における劣化層を除去する工程〔図２
（ｅ）工程〕を省略して製造したものであり、その結果
を表１に表示した。ピール強度は２８と著しく特性が劣
り、また、ハローも観察された。

【００９５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明により所期
の目的を達成することができた。すなわち、導体回路と
樹脂絶縁層との密着性が極めて優れた、ビルドアップ多
層配線基板を容易に製造することができ、産業上に寄与
する効果は極めて大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例となる多層配線基板の製造工
程を示す断面工程図。

【図２】本発明の他の実施例となる多層配線基板の製造
工程を示す断面工程図。

【符号の説明】

１００…両面銅張り積層基板、１０１…基板（積層板）、１０２…銅箔、１０３…貫通口、１０４…導体回路、１０５…導体の粗化面、１０６…絶縁層（樹脂）、１０８…ＭｎＯ₂、１０９…劣化層、１１０…絶縁層の粗化面、１１１…めっき、１１２…導体回路、１１３…導体の粗化面、１１４…絶縁層（樹脂）のパターニング。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者山口欣秀神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者岡齊神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者橋本悟神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地株式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者藤田繁神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地株式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者加藤輝武神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地株式会社日立製作所情報通信事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】導体回路形成工程と層間絶縁膜形成工程と
を交互に繰り返し、ビルドアップ方式により多層配線基
板を製造する方法において、前記導体回路形成工程後の
導体表面の粗化処理を、導体腐食抑制剤を含有する粗化
液で処理する工程として成る多層配線基板の製造方法。
【請求項２】導体回路形成工程と層間絶縁膜形成工程と
を交互に繰り返し、ビルドアップ方式により多層配線基
板を製造する方法において、前記層間絶縁膜形成工程後
の絶縁膜表面の粗化処理を、アルカリ性の過マンガン酸
塩水溶液で粗化した後、表面に形成された二酸化マンガ
ンを溶解除去し、次いで界面活性剤を含む水溶液で絶縁
層表面に生じた劣化層を除去する工程として成る多層配
線基板の製造方法。
【請求項３】導体回路形成工程と層間絶縁膜形成工程と
を交互に繰り返し、ビルドアップ方式により多層配線基
板を製造する方法において、前記導体回路形成工程後の
導体表面の粗化処理を、導体腐食抑制剤を含有する粗化
液で処理する工程とすると共に、前記層間絶縁膜形成工
程後の絶縁膜表面の粗化処理を、アルカリ性の過マンガ
ン酸塩水溶液で粗化した後、表面に形成された二酸化マ
ンガンを溶解除去し、次いで界面活性剤を含む水溶液で
絶縁層表面に生じた劣化層を除去する工程として成る多
層配線基板の製造方法。
【請求項４】上記層間絶縁膜形成工程を、アクリル酸エ
ステル、もしくはメタクリル酸エステルを部分構造とし
て含み、ノボラック型エポキシ樹脂から得られる樹脂を
主成分とするネガ型感光性樹脂組成物で形成する工程と
して有して成る請求項１乃至３いずれか一つに記載の多
層配線基板の製造方法。
【請求項５】上記ネガ型感光性樹脂組成物を、（ａ）ク
レゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールボラッ
ク型エポキシ樹脂からなる群より選ばれる１種または２
種以上のノボラック型エポキシ樹脂と不飽和カルボン酸
とを酸当量／エポキシ当量比が０．１〜０．９８の範囲
で付加反応して得られる不飽和化合物の２級水酸基に、
イソシアネートエチルメタクリレートをイソシアネート
当量／水酸基当量比が０．１〜１．２の範囲で反応して
得られる光重合性不飽和化合物１００重量部と、（ｂ）
２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフ
ォリノフェニル）−ブタン−１−オン０．１〜２０重量
部とを含有する組成物で構成して成る請求項４記載の多
層配線基板の製造方法。
【請求項６】上記ネガ型感光性樹脂組成物を、必須成分
として（ａ）分子量３，０００〜３０，０００のジアリ
ルフタレートのプレポリマーと、（ｂ）ポリヒドロキシ
化合物のアクリレート、もしくはメタクリレート及びオ
リゴエステルメタクリレートからなる群より選ばれた少
なくとも１種以上の多官能不飽和化合物と、（ｃ）光重
合開始剤と、（ｄ）エポキシ樹脂と、（ｅ）エポキシ樹
脂の硬化剤と、（ｆ）メラミン、もしくはその誘導体と
を含む組成物で構成して成る請求項４記載の多層配線基
板の製造方法。
【請求項７】上記ネガ型感光性樹脂組成物を、（ａ）平
均して１分子当たり複数個のエポキシ基を持ったエポキ
シ樹脂と不飽和カルボン酸との反応生成物である室温で
固形状の多官能化合物と、（ｂ）１分子当たり複数個の
エチレン結合を持つ室温で液体状の多官能アクリレー
ト、もしくは多官能メタクリレートと、（ｃ）光重合開
始剤と、（ｄ）エポキシ樹脂と、（ｅ）エポキシ樹脂の
硬化剤と、（ｆ）メラミン、もしくはその誘導体とを含
む組成物で構成して成る請求項４記載の多層配線基板の
製造方法。
【請求項８】上記界面活性剤を、アニオン系界面活性剤
で構成して成る請求項２乃至７いずれか一つに記載の多
層配線基板の製造方法。
【請求項９】上記界面活性剤を、アニオン系界面活性剤
を主成分とし、副成分として可溶性のカチオン系界面活
性剤を含む界面活性剤で構成して成る請求項２乃至７い
ずれか一つに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】上記アニオン系界面活性剤を、疎水性ア
ルキル鎖炭素数が８〜３０であるアルキルベンゼンスル
ホン酸類、アルキルナフタレンスルフォン酸類、もしく
はアルキルスルフォコハク酸類の金属塩のいずれか一
つ、もしくはそれらの混合物で構成して成る請求項８も
しくは９記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１１】上記導体回路を銅層で構成すると共に、
導体腐食抑制剤を含有する粗化液を、過硫酸塩／酸／銅
腐食抑制剤系、硫酸／過酸化水素／銅腐食抑制剤系、塩
化第二鉄／銅腐食抑制剤系、塩化第二銅／銅腐食抑制剤
系、および塩化テトラアンミン銅／銅腐食抑制剤系いず
れか一つの溶液で構成して成る請求項１もしくは３乃至
１０いずれか一つに記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１２】上記銅腐食抑制剤を、２−メルカプトベ
ンゾイミダゾール、６−アミノインダゾール、２，４−
ジアミノ−６−フェニルトリアジン、２−ビニル−４，
６−ジアミノ−ｓ−トリアジン、２−メチルベンゾチア
ゾール、メラミン、２−Ｎ−ｎ−ブチルメラミンの少な
くとも１種で構成して成る請求項１１記載の多層配線基
板の製造方法。