JPH08139215A - Marking method and apparatus for semiconductor device - Google Patents
Marking method and apparatus for semiconductor deviceInfo
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- JPH08139215A JPH08139215A JP6274029A JP27402994A JPH08139215A JP H08139215 A JPH08139215 A JP H08139215A JP 6274029 A JP6274029 A JP 6274029A JP 27402994 A JP27402994 A JP 27402994A JP H08139215 A JPH08139215 A JP H08139215A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のパッケー
ジ表面に製品名、製品番号等を表示するための捺印方法
及び捺印装置に関する。半導体装置は年々微細化する傾
向にあり、これに伴って静電耐量が低下しているため
に、製造時の静電破壊が問題となっている。特に捺印工
程では捺印時、及び捺印面の異物除去時の摩擦等により
静電気が発生し易いため、確実な静電破壊防止対策が要
求されている。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a marking method and a marking device for displaying a product name, a product number, etc. on a package surface of a semiconductor device. The semiconductor devices tend to be miniaturized year by year, and the electrostatic withstand capability is accordingly reduced, so that electrostatic breakdown during manufacturing has become a problem. Particularly in the marking process, static electricity is easily generated due to friction during marking and when removing foreign matter on the marking surface, and therefore reliable electrostatic breakdown prevention measures are required.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置に対する捺印は、インクを塗
布するインク捺印から、処理能力の高いレーザー照射に
よるレーザー捺印に代わりつつある。即ち、インク捺印
には、リードフレームを切断，整形した単体の半導体装
置に対して捺印を行う曲面捺印機を用いるものと、リー
ドフレームを切断，整形する前のシート状の半導体装置
に対して捺印を行うシート捺印機を用いるものがある
が、曲面捺印はリード端子を切断してそれぞれ分離した
後に行うものであるため、各リード端子間に電位差が生
じ易く静電破壊を多発する。またシート捺印は処理能力
が低く生産性が劣るという欠点がある。2. Description of the Related Art Imprinting on a semiconductor device is being replaced with laser imprinting by applying a laser having a high processing capability, from ink imprinting for applying ink. That is, the ink marking uses a curved surface marking machine for marking a single semiconductor device obtained by cutting and shaping a lead frame, and the marking for a sheet-shaped semiconductor device before cutting and shaping the lead frame. There is a sheet marking machine for performing the above. However, since the curved surface stamping is performed after cutting the lead terminals and separating them from each other, a potential difference easily occurs between the lead terminals, and electrostatic breakdown frequently occurs. Further, the sheet marking has a drawback that it has a low processing capacity and is inferior in productivity.
【０００３】更にインク捺印においては、捺印品質を向
上させるために、捺印前に捺印面の異物除去が必要であ
り、有機溶剤を用いる洗浄処理を行っているが、このよ
うな有機溶剤を用いる洗浄は、環境状の理由で実施が難
しくなっている。以上の理由により、半導体装置に対す
る捺印は、レーザー照射によって表示を行うレーザー捺
印が増えてきている。Further, in the ink imprinting, in order to improve the imprinting quality, it is necessary to remove foreign matters on the imprinting surface before imprinting, and a cleaning process using an organic solvent is performed. Is difficult to implement due to environmental conditions. For the above reasons, the number of laser markings for displaying a semiconductor device by laser irradiation is increasing.
【０００４】図１２は、従来のレーザー捺印を説明する
ための側面図であり、捺印前の半導体装置５１を収納す
るローダー５９と、ローダー５９より搬送される捺印前
の半導体装置５１の捺印面における樹脂カス等を除去す
る前処理部５２と、レーザー照射により捺印を行う捺印
部５３と、捺印後のスス等を除去する後処理部５４と、
捺印後の半導体装置５１を収納するアンローダー６０と
を有している。FIG. 12 is a side view for explaining a conventional laser marking, and shows a loader 59 for accommodating a semiconductor device 51 before marking and a marking surface of the semiconductor device 51 before marking conveyed by the loader 59. A pretreatment unit 52 for removing resin dust and the like, a marking unit 53 for marking by laser irradiation, a post-treatment unit 54 for removing soot and the like after marking,
It has an unloader 60 for housing the semiconductor device 51 after marking.
【０００５】ローダー５９に収納される半導体装置５１
は、リードフレームの複数のステージ上にそれぞれ搭載
される半導体素子が樹脂封止されてなるシート状態のも
のであり、一枚ずつ搬出されて搬送路５５上を搬送され
る。まず、半導体装置５１は前処理部５２に送られ、捺
印品質を良好にするために捺印面に付着する樹脂カス等
の異物を異物除去材５６により除去する。異物除去材５
６は、ブラシ、スポンジ、或いは不織布等の導電性異物
除去材からなり、回転させることで捺印面を拭って異物
除去を行う。Semiconductor device 51 housed in loader 59
Is in a sheet state in which semiconductor elements mounted on a plurality of stages of the lead frame are resin-sealed, and they are unloaded one by one and transported on the transport path 55. First, the semiconductor device 51 is sent to the pretreatment unit 52, and foreign matter such as resin dust adhered to the marking surface is removed by the foreign matter removing material 56 in order to improve the printing quality. Foreign matter removing material 5
Reference numeral 6 is made of a conductive foreign matter removing material such as a brush, sponge, or non-woven fabric, and is rotated to wipe the marking surface to remove the foreign matter.
【０００６】前処理を終了した半導体装置５１は、捺印
部５３に搬送されてレーザー照射機５７により所定の文
字等が捺印される。その後、半導体装置５１は、前処理
部５２と同様な構成の後処理部５４に搬送されて、レー
ザー照射によって生成されたススを異物除去材５８が除
去する。その後、半導体装置５１はアンローダー６０に
収納されて捺印工程を終了する。The semiconductor device 51 that has undergone the pretreatment is conveyed to the marking unit 53, and a predetermined character or the like is marked by the laser irradiator 57. After that, the semiconductor device 51 is transported to the post-processing section 54 having the same configuration as the pre-processing section 52, and the foreign matter removing material 58 removes the soot generated by the laser irradiation. After that, the semiconductor device 51 is housed in the unloader 60 and the marking process is completed.
【０００７】上記捺印方法によれば、前処理部５２及び
後処理部５４における導電性の異物除去材５６，５８と
半導体装置５１との摩擦によって、図１３Ａに示すよう
に半導体装置５１は徐々に帯電する。この場合、半導体
装置５１はリードフレームの切断，整形前のシート状態
であり、リード端子はショート状態になっているため、
リード端子間に電位差を生ずることなく捺印工程で静電
破壊が起こることはない。しかしながら、リードフレー
ムの切断，整形工程において、帯電したリード端子が開
放状態となり、この時点でリード端子間に電位差が生じ
て静電破壊を引き起こす。According to the above marking method, the semiconductor device 51 is gradually rubbed as shown in FIG. 13A due to the friction between the conductive foreign matter removing materials 56, 58 and the semiconductor device 51 in the pretreatment section 52 and the posttreatment section 54. Get charged. In this case, the semiconductor device 51 is in the sheet state before cutting and shaping of the lead frame, and the lead terminals are in the short state,
There is no potential difference between the lead terminals and no electrostatic breakdown occurs in the marking process. However, in the process of cutting and shaping the lead frame, the charged lead terminals are opened, and at this time, a potential difference occurs between the lead terminals, causing electrostatic breakdown.
【０００８】また、切断，整形を行った後の半導体装置
に対して捺印を実施する場合には、帯電した半導体装置
のリード端子が低抵抗材料に接触する際に放電するた
め、捺印工程時で静電破壊が発生する。更に、半導体装
置が切断，整形後で、小型軽量である場合には、静電気
の力学的現象であるクーロン力によって、搬送装置によ
る半導体装置の搬送が妨げられることもある。Further, when the marking is performed on the semiconductor device after being cut and shaped, the charged lead terminals of the semiconductor device are discharged when they come into contact with the low resistance material, so that the marking process is performed during the marking process. Electrostatic breakdown occurs. Further, when the semiconductor device is small and lightweight after being cut and shaped, the Coulomb force, which is a mechanical phenomenon of static electricity, may hinder the transfer of the semiconductor device by the transfer device.
【０００９】以上の問題を回避するための手段として図
１４に示すような捺印方法が実施されている。図１４
は、図１２における捺印方法を改良した従来例を説明す
るための断面図であり、前処理部、後処理部に使用する
素材の変更、及びローダー，アンローダーと前処理部、
後処理部へのイオナイザー設置が前述した従来例と異な
る点である。As a means for avoiding the above problems, a marking method as shown in FIG. 14 is implemented. 14
FIG. 13 is a cross-sectional view for explaining a conventional example in which the marking method in FIG. 12 is improved, in which the materials used for the pretreatment unit and the posttreatment unit are changed, and a loader, an unloader and a pretreatment unit,
The installation of the ionizer in the post-treatment part is different from the above-mentioned conventional example.
【００１０】まず、前処理部６２と後処理部６４には、
処理部自身の帯電を防止するために、カーボンや金属繊
維等が混入されたブラシを異物除去材６６，６８とし
て、これを接地した状態としている。更に、この帯電防
止対策は完全ではないため、帯電した静電気を除去する
ためにイオナイザー（イオン化除去装置）７１〜７４を
所定位置に設置している。First, the pre-processing section 62 and the post-processing section 64 include
In order to prevent the processing unit itself from being charged, brushes mixed with carbon, metal fibers, etc. are used as the foreign matter removing materials 66 and 68, which are grounded. Further, since this antistatic measure is not perfect, ionizers (ionization removing devices) 71 to 74 are installed at predetermined positions in order to remove the charged static electricity.
【００１１】前処理部６２における異物除去材６６の直
前に設置されるイオナイザー７１’は、クーロン力によ
り付着している異物及び半導体装置６１の静電気の除去
を行って異物除去材６６における異物除去効果を高めて
おり、異物除去材６６の後部に設置されるイオナイザー
７１は、異物除去材６６と半導体装置６１との摩擦によ
って帯電した半導体装置及び異物の静電気を除去し、ク
ーロン力によって異物の半導体装置への再付着を防止し
ている。The ionizer 71 'installed immediately before the foreign matter removing material 66 in the pretreatment section 62 removes the foreign matter attached by the Coulomb force and the static electricity of the semiconductor device 61 to remove the foreign matter in the foreign matter removing material 66. The ionizer 71 installed at the rear of the foreign matter removing material 66 removes the static electricity of the semiconductor device and the foreign matter charged by the friction between the foreign matter removing material 66 and the semiconductor device 61, and the semiconductor device of the foreign matter by the Coulomb force. To prevent reattachment.
【００１２】そして、異物除去材６８の後部に設置され
るイオナイザー７２は、前述したイオナイザー７１，７
１’と同様な作用を有するもので、捺印部６３のレーザ
ー照射機６７によるレーザー照射の際に生成されるスス
の再付着を防止するものである。また、イオナイザー７
１〜７２を送風式のものにすれば、送風により異物が吹
き飛ばされて、異物除去の効果が高まる。The ionizer 72 installed at the rear of the foreign matter removing material 68 is the ionizer 71, 7 described above.
It has the same effect as 1 ', and prevents the re-adhesion of soot generated during laser irradiation of the marking portion 63 by the laser irradiation device 67. Ionizer 7
If the air blowers 1 to 72 are used, the foreign matter is blown off by the blown air, and the effect of removing the foreign matter is enhanced.
【００１３】ローダー６９、アンローダー７０に設置す
るイオナイザー７３，７４は、前処理部６２及び後処理
部６４に設置するイオナイザーの帯電除去効果が十分で
ない場合に、必要に応じて付加するものである。このよ
うに、イオナイザー所定位置に設置した場合、半導体装
置６２の帯電量は、図１３Ｂに示すように低減する。The ionizers 73 and 74 installed in the loader 69 and the unloader 70 are added as needed when the charge removing effect of the ionizers installed in the pretreatment section 62 and the posttreatment section 64 is not sufficient. . Thus, when the ionizer is installed at the predetermined position, the charge amount of the semiconductor device 62 is reduced as shown in FIG. 13B.
【００１４】[0014]
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来技術
によれば、捺印装置内、更に捺印工程完了後にも半導体
装置はほとんど帯電することがないため、半導体装置の
帯電による搬送トラブルや、半導体装置の静電破壊は発
生しない。しかしながら、リードフレームが切断，整形
された半導体装置である場合、捺印装置内でリード端子
が開放状態となるため、イオナイザーを設置しても、捺
印装置内での半導体装置の静電破壊が発生し易い。According to the prior art described above, since the semiconductor device is hardly charged in the marking device and even after the marking process is completed, there is a conveyance trouble due to the charging of the semiconductor device and the semiconductor device. Electrostatic breakdown does not occur. However, in the case of a semiconductor device in which the lead frame is cut and shaped, the lead terminals are opened in the marking device, so even if an ionizer is installed, electrostatic breakdown of the semiconductor device occurs in the marking device. easy.
【００１５】これは、イオナイザーの除電時間に比べ
て、帯電した半導体装置のリード端子から捺印装置の搬
送レール、トレー、チューブマガジン（コンテナ）等の
低抵抗物質へ放電する時間の方がはるかに短いためであ
る。具体的にはイオナイザーの半導体装置が除電するの
に少なくとも数秒を有するのに対して、半導体装置のリ
ード端子から低抵抗物質へ放電するのにはｎｓ（１０-3
秒）〜μｓ（１０-6秒）オーダーしかかからない。この
ため、捺印装置内での静電破壊が生じ易くなっている。This is because the time required for discharging from the charged lead terminals of the semiconductor device to the low-resistance substance such as the transfer rail, tray, or tube magazine (container) of the marking device is much shorter than that of the ionizer. This is because. Specifically, it takes at least several seconds for a semiconductor device of an ionizer to discharge electricity, whereas it takes ns (10-3 for discharging from a lead terminal of the semiconductor device to a low resistance substance).
It takes only seconds) -μs (10-6 seconds) order. Therefore, electrostatic breakdown is likely to occur in the marking device.
【００１６】また、イオナイザーの除電対象面である半
導体装置の帯電面は、前処理部及び後処理部の非帯電性
異物除去材との摩擦面であり、帯電初期には非帯電性異
物除去材で覆われているため、イオナイザーのイオン風
が除電対象面に当たり難く、帯電した半導体装置の除電
を完全に行うことはできない。この間に半導体装置のリ
ード端子が低抵抗物質に接触或いは接近すれば、放電が
起きて半導体装置が破壊する。The charged surface of the semiconductor device, which is the surface of the ionizer to be destaticized, is a friction surface with the non-charged foreign matter removing material in the pre-treatment portion and the post-treatment portion, and the non-chargeable foreign matter removal material in the initial charging stage. Since it is covered with, it is difficult for the ion wind of the ionizer to hit the surface to be neutralized, and it is not possible to completely neutralize the charged semiconductor device. If the lead terminals of the semiconductor device come into contact with or come close to the low resistance material during this period, a discharge occurs and the semiconductor device is destroyed.
【００１７】以上のように、リードフレームを切断，整
形した半導体装置に対して捺印を行う場合、上記従来技
術では十分な帯電防止ができない。更にイオナイザーは
除電対象物に近づけなければ、その除電効果は薄れるた
め、図１４に示すように除電対象物毎にイオナイザーを
設置しなければならず、コスト高になっていた。本発明
は、上記課題を解決して、リードフレームを切断，整形
する前の半導体装置及びリードフレームを切断，整形し
た半導体装置いずれの場合にも、容易且つ十分なる帯電
防止を可能として静電破壊を防止する捺印方法及び捺印
装置を提供することを目的としている。As described above, in the case of marking a semiconductor device obtained by cutting and shaping the lead frame, the above-mentioned conventional technique cannot sufficiently prevent static electricity. Further, if the ionizer is not brought close to the static elimination target, the static elimination effect is weakened, so that an ionizer must be installed for each static elimination target as shown in FIG. 14, resulting in high cost. The present invention solves the above-mentioned problems, and in any of a semiconductor device before cutting and shaping the lead frame and a semiconductor device in which the lead frame is cut and shaped, it is possible to easily and sufficiently prevent electrification and electrostatic breakdown. It is an object of the present invention to provide a marking method and a marking device that prevent the above.
【００１８】[0018]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明は、半導体装置１のパッケージ表面に各種情報
を表示するための捺印を行う捺印方法において、前記半
導体装置１の捺印面に付着する異物を除去すると共に、
半導体装置１に所定極性の電荷を帯電させる前処理工程
と、前記半導体装置１の捺印面に所定表示を行う捺印工
程と、該捺印工程の際に付着する捺印面の異物を除去す
ると共に、前記前処理工程で帯電された電荷に対して同
等な大きさで逆極性の電荷を帯電させる後処理工程とを
順次行うことを特徴としている。According to the present invention for solving the above-mentioned problems, in a marking method for marking various information on a package surface of a semiconductor device 1, the marking surface of the semiconductor device 1 is attached. Remove foreign matter
A pretreatment step of charging the semiconductor device 1 with electric charges of a predetermined polarity, a marking step of performing a predetermined display on the marking surface of the semiconductor device 1, and removing foreign matter on the marking surface that adheres during the marking step. The method is characterized in that a post-treatment step of charging an electric charge having an opposite polarity with an equal magnitude to the charge charged in the pre-treatment step is sequentially performed.
【００１９】[0019]
【作用】上記本発明の半導体装置の捺印方法によれば、
捺印工程の前後に行う捺印面に対する異物除去工程にお
いて、半導体装置をそれぞれ異なる極性に帯電させる、
即ち、例えば前処理時に正電荷を帯電させた場合、後処
理時に等量の負電荷を帯電させるため、それぞれの電荷
が相殺されて、半導体装置の帯電量がほぼ０Ｖに保たれ
ることになり、静電破壊の発生を防止することができ
る。According to the marking method for a semiconductor device of the present invention,
In the foreign matter removing process for the marking surface before and after the marking process, the semiconductor devices are charged with different polarities,
That is, for example, when a positive charge is charged during the pretreatment, an equal amount of negative charge is charged during the posttreatment, so that the respective charges are offset and the charge amount of the semiconductor device is maintained at approximately 0V. It is possible to prevent the occurrence of electrostatic breakdown.
【００２０】[0020]
【実施例】以下に本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。図１は本発明の第１実施例を説明する
ための捺印装置側面図であり、レーザー捺印に適用した
例を示している。本実施例における捺印装置は、切断，
整形後の単体となった半導体装置１に対応するものであ
り、半導体装置１のパッケージ表面に捺印を行うに先だ
って捺印面に付着した異物を除去する前処理部２と、捺
印面にレーザー照射することによって製品名や製品番号
を表示する捺印部３と、捺印時に発生した異物を除去す
るための後処理部４と、半導体装置を搬送する搬送路５
を主構成部としている。Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. FIG. 1 is a side view of a marking device for explaining a first embodiment of the present invention, showing an example applied to a laser marking. The marking device according to the present embodiment has a cutting,
It corresponds to the semiconductor device 1 that has become a unit after shaping, and prior to imprinting the package surface of the semiconductor device 1, the pretreatment unit 2 that removes foreign matter adhering to the imprinting surface and laser irradiation to the imprinting surface. As a result, a marking unit 3 for displaying a product name and a product number, a post-processing unit 4 for removing foreign matters generated at the time of marking, and a conveyance path 5 for conveying a semiconductor device.
Is the main component.
【００２１】半導体装置１は、図示せぬローダー部より
搬出され、搬送路５上を複数連続した状態で搬送され、
まず前処理部２に到達する。前処理部２は、回転するこ
とにより半導体装置１表面を拭う異物除去材６を有して
おり、半導体装置１を搬送させながら、この搬送方向と
は異なる方向に回転させることで半導体装置１上に付着
する樹脂カスや埃等を除去する。The semiconductor device 1 is unloaded from a loader unit (not shown), and is transported on the transport path 5 in a continuous state.
First, it reaches the preprocessing unit 2. The pretreatment unit 2 has a foreign matter removing material 6 that wipes the surface of the semiconductor device 1 by rotating the semiconductor device 1. While the semiconductor device 1 is being conveyed, the pretreatment unit 2 is rotated in a direction different from the conveying direction so that the semiconductor device 1 has a top surface. Remove resin dust, dust, etc. adhering to the.
【００２２】この異物除去材６は、帯電列を考慮して材
料を選定してあるため半導体装置を僅かにブラスに帯電
させる。下の表１に代表的な材料による帯電列を示す。Since the material for the foreign matter removing material 6 is selected in consideration of the charging sequence, the semiconductor device is slightly charged with brass. Table 1 below shows the charging trains for representative materials.
【００２３】[0023]
【表１】 [Table 1]
【００２４】半導体装置１の帯電部分であるパッケージ
がエポキシ樹脂である場合、異物除去材６には、表１に
示すようにエポキシ樹脂に近接するマイナス側の材料で
ある例えばＰＰ（ポリプロピレン）樹脂にカーボン又は
金属粉を入れたブラシを用いたものを使用して、これを
接地する。When the package which is the charged portion of the semiconductor device 1 is an epoxy resin, the foreign matter removing material 6 is made of a material on the minus side close to the epoxy resin as shown in Table 1, for example, PP (polypropylene) resin. Use a brush containing carbon or metal powder and ground it.
【００２５】上記異物除去材６によって半導体装置１上
の異物除去を行うと、両者の摩擦によって、図１に模式
的に示すように半導体装置１表面に僅かにプラス電荷９
が帯電される。この時、異物除去材６には逆極性である
マイナス電荷１０が等量だけ発生するが、異物除去材６
自体が非帯電性の材料であり、しかも接地されているた
め帯電することはない。When the foreign matter removing material 6 is used to remove the foreign matter on the semiconductor device 1, friction between the two causes a slight positive charge 9 on the surface of the semiconductor device 1 as schematically shown in FIG.
Is charged. At this time, an equal amount of negative charge 10 having the opposite polarity is generated in the foreign matter removing material 6, but the foreign matter removing material 6
Since it is a non-chargeable material itself and is grounded, it is not charged.
【００２６】前処理部２において捺印面の異物除去が行
われ、プラス電荷９を帯びた半導体装置１は、搬送路５
上を搬送され捺印部３に到達する。捺印部３にはレーザ
ー照射機７が備えられており、所定位置に搬送された半
導体装置１に対してレーザーを照射する。レーザー照射
が行われた半導体装置１表面は、レーザーが当たった部
分のみ変色して、所定の文字等が捺印される。The semiconductor device 1 having a positive charge 9 after the foreign matter on the marking surface is removed in the pre-processing section 2 has the carrier path 5
It is conveyed over and reaches the marking unit 3. The marking unit 3 is provided with a laser irradiator 7 and irradiates the semiconductor device 1 conveyed to a predetermined position with a laser. The surface of the semiconductor device 1 which has been irradiated with the laser is discolored only at the portion where the laser is applied, and a predetermined character or the like is imprinted.
【００２７】レーザー照射では、半導体装置１表面を高
温にすることで変色させて文字等を表示しているため、
表面が焼かれた状態となっており、ススが発生する。そ
こでススを除去する処理が必要となる。捺印部３にて捺
印処理を終えた半導体装置１は、搬送路５上を搬送され
後処理部４に到達する。In laser irradiation, since the surface of the semiconductor device 1 is heated to a high temperature to cause discoloration and display of characters and the like,
The surface is burnt and soot is generated. Therefore, a process for removing soot is required. The semiconductor device 1 that has completed the marking process in the marking unit 3 is transported on the transport path 5 and reaches the post-processing unit 4.
【００２８】後処理部４は前処理部２同様、回転するこ
とにより半導体装置１表面を拭う異物除去材８を有して
おり、半導体装置１を搬送させながら、この搬送方向と
は異なる方向に回転させることで半導体装置１上に付着
するススを除去する。前処理部２の異物除去材６がプラ
ス電荷を帯電させる材料であるのに対して、後処理部４
における異物除去材８は、これを相殺するようにマイナ
ス電荷を帯電させる材料を選定している。即ち、半導体
装置１のパッケージがエポキシ樹脂であるため、エポキ
シ樹脂に近接するプラス側の材料である例えばナイロン
樹脂（表１参照）にカーボン又は金属粉を入れたブラシ
を用いたものを使用して、これを接地する。Like the pretreatment unit 2, the post-treatment unit 4 has a foreign matter removing material 8 that wipes the surface of the semiconductor device 1 by rotating, and while the semiconductor device 1 is being conveyed, it is moved in a direction different from this conveyance direction. The soot removes the soot adhering to the semiconductor device 1. Whereas the foreign matter removing material 6 of the pre-processing section 2 is a material that is charged with a positive charge, the post-processing section 4
As the foreign matter removing material 8 in (1), a material that negatively charges is selected so as to cancel it. In other words, since the package of the semiconductor device 1 is an epoxy resin, a positive side material close to the epoxy resin, for example, a nylon resin (see Table 1) using a brush containing carbon or metal powder is used. , Ground this.
【００２９】上記異物除去材８によって半導体装置１上
の異物除去を行うと、両者の摩擦によって、僅かにマイ
ナス電荷が発生する。このマイナス電荷と前処理部２で
帯電したプラス電荷９とが相殺されて、結果的に半導体
装置１は０Ｖになり、非帯電状態となる。このように、
捺印後にスス等の異物を除去された半導体装置１は、図
示しないアンローダーに順次収納されていく。When foreign matter on the semiconductor device 1 is removed by the foreign matter removing material 8, a slight negative charge is generated due to friction between the two. This negative charge and the positive charge 9 charged in the pretreatment unit 2 cancel each other, and as a result, the semiconductor device 1 becomes 0 V and is in the non-charged state. in this way,
The semiconductor devices 1 from which foreign substances such as soot have been removed after marking are sequentially stored in an unloader (not shown).
【００３０】以上説明した本実施例によれば、環境破壊
に繋がる有害薬品を使用することのない捺印時の異物除
去にもかかわらず、半導体装置１の帯電による静電破壊
や搬送妨害、更には静電気による異物付着を防止するこ
とができる。図２は本発明の第２実施例を説明するため
のレーザー捺印装置側面図である。本実施例は、半導体
装置の異物除去材に対する耐久性や異物除去材の諸特
性、例えば帯電量、発塵量等の理由から、捺印部の前後
に逆極性の電荷を等量だけ帯電させる材料を用いること
ができない場合に有効となる。According to the present embodiment described above, despite the removal of foreign substances at the time of marking without using harmful chemicals that may lead to environmental damage, electrostatic breakdown due to electrification of the semiconductor device 1, conveyance interruption, and further It is possible to prevent adhesion of foreign matter due to static electricity. FIG. 2 is a side view of a laser marking device for explaining a second embodiment of the present invention. This embodiment is a material that charges the opposite polarity charges before and after the imprinted portion by an equal amount due to the durability of the semiconductor device with respect to the foreign substance removal material and various characteristics of the foreign matter removal material, such as the charge amount and the dust generation amount. Is effective when cannot be used.
【００３１】本実施例のレーザー捺印装置は、第１実施
例と同様、前処理部１２と、捺印部１３と、後処理部１
４、及び搬送路１５とからなっており、前処理部１２に
は半導体装置１１をマイナス電荷に帯電させる異物除去
材１６が、捺印部１３にはレーザー照射機１７が、後処
理部１４には２つの異物除去材１８ａ，１８ｂが備えら
れている。The laser marking apparatus of this embodiment is similar to the first embodiment in that the pretreatment unit 12, the marking unit 13 and the posttreatment unit 1 are used.
4 and a transport path 15. A foreign matter removing material 16 for negatively charging the semiconductor device 11 is provided in the pretreatment section 12, a laser irradiation machine 17 is provided in the marking section 13, and a post-treatment section 14 is provided in the post-treatment section 14. Two foreign matter removing materials 18a and 18b are provided.
【００３２】図示しないローダーより搬出され搬送路１
５上を搬送される半導体装置１１は、まず前処理部１２
に到達する。前処理部１２の異物除去材１６は、半導体
装置１１表面の異物を除去しながら摩擦力によって半導
体装置１１をプラス電荷１９に帯電させるものである。
異物除去材１６自身には半導体装置１１の帯電量と等量
のマイナス電荷２０が発生するが、非帯電性材料を用い
ていると共に、接地されているため、帯電することはな
い。A transport path 1 carried out from a loader (not shown)
First, the semiconductor device 11 transported on the upper side 5 is first processed by the pretreatment unit 12.
To reach. The foreign matter removing material 16 of the pretreatment unit 12 removes foreign matter on the surface of the semiconductor device 11 and charges the semiconductor device 11 to a positive charge 19 by frictional force.
The foreign material removing member 16 itself generates a negative charge 20 in an amount equal to the charge amount of the semiconductor device 11. However, since it uses a non-chargeable material and is grounded, it is not charged.
【００３３】その後、半導体装置１１は、搬送路１５を
搬送されて捺印部１３に到達する。捺印部１３では、第
１実施例同様、レーザー照射機１７により半導体装置１
１表面にレーザーが照射されて、所定文字等の捺印が行
われる。捺印部１３にて捺印処理を終えた半導体装置１
１は、搬送路１５上を搬送されて後処理部１４に到達す
る。After that, the semiconductor device 11 is transported through the transport path 15 and reaches the marking portion 13. In the marking portion 13, as in the first embodiment, the semiconductor device 1 is processed by the laser irradiation device 17.
The surface 1 is irradiated with a laser to imprint a predetermined character or the like. The semiconductor device 1 that has completed the marking process in the marking unit 13.
1 is transported on the transport path 15 and reaches the post-processing section 14.
【００３４】後処理部１４には、半導体装置１１表面の
異物を除去すると共に、摩擦力によって半導体装置１１
にマイナス電荷を帯電させる異物除去材１８ａ，１８ｂ
が備えられている。半導体装置１１の耐久性や異物除去
材の諸特性等の理由から、前処理部１２の異物除去材１
６のプラス帯電量に対して、後処理部１４に等量のマイ
ナス電荷を帯電させる材料を用いることができないこと
から、本実施例では、連続する２段の異物除去材１８
ａ，１８ｂを配置している。The post-processing section 14 removes foreign matter from the surface of the semiconductor device 11 and also uses the frictional force to remove the foreign substance from the semiconductor device 11.
Foreign matter removing materials 18a and 18b that are charged with negative charges
Is provided. Due to the durability of the semiconductor device 11 and various characteristics of the foreign matter removing material, the foreign matter removing material 1 of the pretreatment unit 12
Since it is not possible to use a material that charges the post-processing portion 14 with an equal amount of negative charge with respect to the positive charge amount of 6, the foreign matter removing material 18 in two consecutive stages is used in this embodiment.
a and 18b are arranged.
【００３５】後処理部１４に搬送された半導体装置１１
は、まず前段の異物除去材１８ａにて異物除去が行われ
ると共に、マイナス電荷が発生される。このマイナス電
荷により前処理部１６で帯電されたプラス電荷が一部相
殺されて、プラス電荷の帯電量は減少する。更に、半導
体装置１１が後段の異物除去材１８ｂを通過すると、摩
擦力により半導体装置１１にはマイナス電荷が発生する
ため、残っているプラス電荷が相殺されて、半導体装置
１１に帯電している電荷はなくなる。The semiconductor device 11 conveyed to the post-processing section 14.
First, the foreign matter is removed by the foreign matter removing material 18a in the preceding stage, and a negative charge is generated. The negative charges partially cancel out the positive charges charged in the pretreatment unit 16, and the amount of the positive charges is reduced. Further, when the semiconductor device 11 passes through the foreign matter removing material 18b in the subsequent stage, a negative charge is generated in the semiconductor device 11 due to a frictional force, so that the remaining positive charge is offset and the charge charged in the semiconductor device 11 is charged. Disappears.
【００３６】本実施例では、前処理部１２の異物除去材
１６でプラス電荷を帯電させて、後処理部１４のマイナ
ス電荷を発生させる２段の異物除去材１８ａ，１８ｂに
よって相殺したが、異物除去材１６と異物除去材１８ａ
との位置を代えることで、半導体装置１１に一時的に帯
電される帯電量を抑えることも可能である。図３のグラ
フに前処理部１２から後処理部１４における半導体装置
１１の帯電量を示しているが、第２実施例の場合には実
線で示すように、前処理部でプラス側に一旦大きく帯電
して、後処理部の前段及び後段で徐々に減って０とな
る。In this embodiment, the foreign matter removing material 16 of the pretreatment section 12 is charged with a positive charge, and the foreign matter removing materials 18a and 18b of the posttreatment section 14 which generate negative charges cancel each other out. Removal Material 16 and Foreign Material Removal Material 18a
By changing the positions of and, it is possible to suppress the amount of charge temporarily charged in the semiconductor device 11. The graph of FIG. 3 shows the charge amounts of the semiconductor device 11 in the pre-treatment section 12 to the post-treatment section 14, but in the case of the second embodiment, as shown by the solid line, the pre-treatment section temporarily increases to the plus side. It becomes electrically charged and gradually decreases to 0 at the front and rear stages of the post-treatment section.
【００３７】これに対して、異物除去材１６と異物除去
材１８ａの配置を代えた場合、一点鎖線で示すように、
半導体装置１１の帯電は、マイナス側、プラス側と交互
となり、一時的な帯電の絶対量を抑えることができる。
そのため、特に切断，整形後の単体状態の半導体装置の
捺印を行うような場合に、処理途中における静電破壊等
の障害を防止することができる。On the other hand, when the dispositions of the foreign matter removing material 16 and the foreign matter removing material 18a are changed, as shown by the one-dot chain line,
The charging of the semiconductor device 11 alternates between the negative side and the positive side, so that the absolute amount of temporary charging can be suppressed.
Therefore, in the case of imprinting a semiconductor device in a single state after cutting and shaping, obstacles such as electrostatic breakdown during the process can be prevented.
【００３８】図４は、本発明の第３実施例を説明するた
めの断面図であり、曲面捺印機に適用した例を説明する
ものである。本実施例における曲面捺印機は、切断，整
形後の単体となった半導体装置２１に対応するものであ
り、半導体装置２１のパッケージ表面にインク捺印を行
うに先だって捺印面に付着した異物を除去する前処理部
２２と、捺印面にインクを転写することによって製品名
や製品番号を表示する捺印部２３と、半導体装置２１を
搬送する搬送レール２５を主構成部としている。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the third embodiment of the present invention, and illustrates an example applied to a curved surface stamping machine. The curved surface stamping machine according to the present embodiment corresponds to the semiconductor device 21 that has been cut and shaped as a single body, and removes foreign matter adhering to the stamping surface before performing ink marking on the package surface of the semiconductor device 21. The main components are a pre-processing unit 22, a marking unit 23 for displaying a product name and a product number by transferring ink onto the marking surface, and a carrying rail 25 for carrying the semiconductor device 21.
【００３９】半導体装置２１は、図示せぬローダー部よ
り搬出され、搬送レール２５上を複数連続した状態で搬
送され、まず前処理部２２に到達する。前処理部２２
は、回転することにより半導体装置２１表面を拭う異物
除去材２６を有しており、半導体装置２１を搬送させな
がら、この搬送方向とは異なる方向に回転させることで
半導体装置２１上に付着する樹脂カスや埃等を除去す
る。The semiconductor device 21 is unloaded from a loader unit (not shown), and is continuously transported on the transport rail 25 to reach the pretreatment unit 22. Pre-processing unit 22
Has a foreign matter removing material 26 that wipes the surface of the semiconductor device 21 by rotating, and while the semiconductor device 21 is being conveyed, the resin that adheres onto the semiconductor device 21 by rotating in a direction different from this conveying direction. Remove dust and dirt.
【００４０】この異物除去材２６は、接地されていると
共に帯電列を考慮して材料を選定してあるため半導体装
置２１に僅かにプラス電荷２９を帯電させる。半導体装
置２１にプラス電荷２９が帯電すると同時に、異物除去
材２６には、マイナス電荷３０が発生するが、異物除去
材２６自体は非帯電性の材料で構成しており、且つ接地
されているため、帯電することはない。Since the foreign matter removing material 26 is grounded and the material is selected in consideration of the charging sequence, the semiconductor device 21 is slightly charged with the positive charge 29. At the same time that the semiconductor device 21 is charged with a positive charge 29, a negative charge 30 is generated in the foreign matter removing material 26, but the foreign matter removing material 26 itself is made of a non-chargeable material and is grounded. , Never charged.
【００４１】前処理部２２における処理終了後、半導体
装置２１は搬送レール２５上を搬送され、捺印部２３に
到達する捺印部２３は、表面にインク材を被着させてい
ると共に、接地される転写ローラ２７を有している。具
体的材料は後述するが、転写ローラ２７には、非帯電性
であり、半導体装置２１を僅かにマイナス電荷に帯電さ
せるゴム材料を選定して用いている。After the processing in the pretreatment section 22 is completed, the semiconductor device 21 is conveyed on the conveyance rail 25, and the marking section 23 reaching the marking section 23 has the surface thereof coated with the ink material and is grounded. It has a transfer roller 27. Although a specific material will be described later, a rubber material, which is non-chargeable and charges the semiconductor device 21 to a slight negative charge, is selected and used for the transfer roller 27.
【００４２】従って、半導体装置２１に対して、転写ロ
ーラ２７を回転させながら接触させることでインク捺印
を行うと、摩擦力によりマイナス電荷が発生して、前処
理部２２にて帯電したプラス電荷が相殺されて、半導体
装置２１は、非帯電状態となり、静電破壊を防止するこ
とができる。尚、転写ローラ２７には、半導体装置２１
にマイナス電荷が発生すると同時にプラス電荷が発生す
るが、非帯電性であると共に接地されていることから帯
電することはない。Therefore, when ink transfer is performed by bringing the transfer roller 27 into contact with the semiconductor device 21 while rotating, a negative charge is generated due to a frictional force, and a positive charge charged in the pretreatment section 22 is generated. By being offset, the semiconductor device 21 is brought into a non-charged state, and electrostatic breakdown can be prevented. In addition, the transfer roller 27 includes the semiconductor device 21.
A negative charge is generated at the same time as a positive charge is generated, but since it is non-chargeable and is grounded, it is not charged.
【００４３】本実施例における半導体装置２１のパッケ
ージ部はエポキシ樹脂であり、前処理部２２における異
物除去材２６には半導体装置２１を僅かにプラス側に帯
電させる材料、即ち表１において例えばエポキシ樹脂に
最も近いマイナス側に位置するＰＰ（ポリプロピレン）
樹脂を使用して、捺印部２３における転写ローラ２７に
は、例えばプラス側でエポキシ樹脂に最も近いゴム材で
あるウレタンゴムを使用する。The package portion of the semiconductor device 21 in this embodiment is an epoxy resin, and the foreign matter removing material 26 in the pretreatment portion 22 is a material that charges the semiconductor device 21 slightly to the positive side, that is, for example, an epoxy resin in Table 1. PP (polypropylene) located closest to the minus side
Urethane rubber, which is the rubber material closest to the epoxy resin on the plus side, is used for the transfer roller 27 in the marking portion 23 using resin.
【００４４】以上の材料を選択することで、プラス電荷
とマイナス電荷が相殺されて、上述したように半導体装
置２１の帯電による静電破壊を防止することができる。
図５〜図１１は、本発明の第１実施例を基本にした変形
例である第４実施例〜第１０実施例を説明するためのレ
ーザー捺印装置断面図であり、第１実施例と同一部分に
は同一符号を付している。By selecting the above materials, the positive charge and the negative charge are canceled out, and the electrostatic breakdown due to the charging of the semiconductor device 21 can be prevented as described above.
5 to 11 are sectional views of a laser marking device for explaining the fourth to tenth embodiments, which are modifications based on the first embodiment of the present invention, and are the same as the first embodiment. The same reference numerals are given to the parts.
【００４５】まず、図５に示す第４実施例においては、
前処理部２及び後処理部４にモーター３１，３１’等の
駆動手段を設けて、このモーター３１，３１’と異物除
去材６，８とをそれぞれ連結ベルト３２，３２’にて連
結することでモーター３１，３１’によって、異物除去
材６，８の回転数を制御可能にしている。本実施例によ
れば、搬送路５上を搬送される半導体装置１に付着する
異物量や帯電量に応じて、異物除去材６，８の回転数を
変化させることにより、半導体装置１との摩擦数を制御
して、後処理後における半導体装置１の帯電量が０に近
づくよう制御する。このような方法により、電荷の発生
量の微妙な制御を行うことができる。First, in the fourth embodiment shown in FIG.
The pretreatment unit 2 and the posttreatment unit 4 are provided with driving means such as motors 31 and 31 ′, and the motors 31 and 31 ′ and the foreign matter removing materials 6 and 8 are coupled by coupling belts 32 and 32 ′, respectively. The motors 31 and 31 'can control the number of revolutions of the foreign matter removing materials 6 and 8. According to this embodiment, the number of revolutions of the foreign matter removing materials 6 and 8 is changed according to the amount of foreign matter and the amount of electrification adhering to the semiconductor device 1 conveyed on the conveyance path 5, so that the semiconductor device 1 The friction number is controlled so that the charge amount of the semiconductor device 1 after the post-treatment approaches 0. By such a method, it is possible to perform delicate control of the amount of generated electric charges.
【００４６】次に、図６に示す本発明の第５実施例で
は、半導体装置１を搬送する搬送路の構成を工夫してい
る。搬送路３５は、半導体装置１が載せられる位置に載
置部３６を設けており、図示せぬモーターやエアーシリ
ンダーにより、搬送路３５の搬送動作（矢印ａ）とは別
に搬送方向の前後に振動する動作（矢印ｂ）が可能とな
っている。Next, in the fifth embodiment of the present invention shown in FIG. 6, the structure of the transfer path for transferring the semiconductor device 1 is devised. The carrying path 35 is provided with a mounting portion 36 at a position where the semiconductor device 1 is placed, and is vibrated back and forth in the carrying direction separately from the carrying operation (arrow a) of the carrying path 35 by a motor or an air cylinder (not shown). The operation (arrow b) is possible.
【００４７】本実施例は、前述した第４実施例と同様、
半導体装置１に付着する異物量や帯電量に応じて、載置
部３６を振動させることにより、前処理部２の異物除去
材６及び後処理部４の異物除去材８と半導体装置１との
摩擦数を制御する。これによって、後処理後における半
導体装置１の帯電量が０に近づくように、電荷の発生量
の微妙な制御を行うことができる。This embodiment is similar to the fourth embodiment described above.
By vibrating the mounting portion 36 in accordance with the amount of foreign matter and the amount of charge adhered to the semiconductor device 1, the foreign matter removing material 6 of the pretreatment part 2 and the foreign matter removing material 8 of the posttreatment part 4 are separated from the semiconductor device 1. Control the number of frictions. This makes it possible to perform delicate control of the amount of generated electric charges so that the amount of charge of the semiconductor device 1 after the post-treatment approaches 0.
【００４８】図７に示す本発明の第６実施例は、前処理
部２及び後処理部４にヒーター３３，３３’等の加熱手
段を設けたものであり、このヒーター３３，３３’によ
り半導体装置１と接触する異物除去材６，８を加熱す
る。ヒーター３３，３３’にて半導体装置１に接触する
異物除去材６，８を加熱することにより、この熱が半導
体装置１にも伝わり高温になるため、異物除去材６，８
及び半導体装置１の帯電量を抑える。In the sixth embodiment of the present invention shown in FIG. 7, the pretreatment section 2 and the posttreatment section 4 are provided with heating means such as heaters 33 and 33 '. The foreign matter removing materials 6 and 8 that come into contact with the apparatus 1 are heated. By heating the foreign matter removing materials 6 and 8 in contact with the semiconductor device 1 by the heaters 33 and 33 ′, this heat is also transmitted to the semiconductor device 1 and reaches a high temperature.
Also, the charge amount of the semiconductor device 1 is suppressed.
【００４９】即ち、半導体装置１のパッケージ及び異物
除去材６，８に使用されるエポキシ樹脂等のプラスチッ
ク材は、高温になると電気抵抗が低下して、静電気を逃
がし易くなる。従って、半導体装置１の帯電量は減少し
て、静電破壊を生じることがなくなる。本実施例では、
異物除去材を加熱したが、搬送路５を加熱することで、
半導体装置１を高温にすることもできる。当然、異物除
去材及び搬送路の両方を加熱してもよい。That is, the plastic material such as the epoxy resin used for the package of the semiconductor device 1 and the foreign matter removing materials 6 and 8 has a low electric resistance at high temperature, and the static electricity is easily released. Therefore, the charge amount of the semiconductor device 1 is reduced, and electrostatic breakdown does not occur. In this embodiment,
Although the foreign matter removing material is heated, by heating the transport path 5,
The semiconductor device 1 can also be heated to a high temperature. Of course, both the foreign matter removing material and the transport path may be heated.
【００５０】図８に示す本発明の第７実施例は、捺印を
行うレーザー照射機７の両側にある異物除去材６，８の
前後に、それぞれ制御装置３４に接続される帯電量測定
用プローブ３７を設けたものである。前処理による異物
除去の前後、レーザー照射を行った後、即ち後処理によ
る異物除去前、更に異物除去後の各地点において、帯電
量測定用プローブ３７を用いて帯電量を測定して制御装
置３４がこれを認識する。A seventh embodiment of the present invention shown in FIG. 8 is a charge amount measuring probe connected to a controller 34 before and after the foreign matter removing materials 6 and 8 on both sides of a laser irradiator 7 for marking. 37 is provided. Before and after removing the foreign matter by the pretreatment, after performing laser irradiation, that is, before removing the foreign matter by the posttreatment and further after removing the foreign matter, the charge amount is measured using the charge amount measuring probe 37 to control the controller 34. Recognize this.
【００５１】このように、制御装置３４が受ける測定結
果に基づき異物除去材６，８と半導体装置１との摩擦数
を変化させる等して、半導体装置１の帯電量を制御す
る。即ち、各地点で半導体装置１の帯電量が半導体装置
１を破壊する静電耐量を超えないようにすると共に、異
物除去材８での処理後に帯電量が０に近づくように制御
する。In this way, the charge amount of the semiconductor device 1 is controlled by changing the friction number between the foreign matter removing materials 6 and 8 and the semiconductor device 1 based on the measurement result received by the control device 34. That is, the charge amount of the semiconductor device 1 is controlled so as not to exceed the electrostatic withstand amount that destroys the semiconductor device 1 at each point, and the charge amount is controlled to approach 0 after the treatment with the foreign matter removing material 8.
【００５２】また、測定結果が半導体装置１の静電耐量
を超えた場合には、捺印装置全体を停止したり、アラー
ム等を鳴らすことにより、できる限り半導体装置１の静
電破壊を防止する。上記半導体装置１の帯電量を制御す
る方法は、第４実施例或いは第５実施例の手段を用いて
行うことができる。When the measurement result exceeds the electrostatic withstand capability of the semiconductor device 1, the marking device is stopped as a whole or an alarm or the like is sounded to prevent electrostatic breakdown of the semiconductor device 1 as much as possible. The method of controlling the charge amount of the semiconductor device 1 can be performed by using the means of the fourth or fifth embodiment.
【００５３】即ち、第４実施における異物除去材６，８
の回転数を制御するモーター３１，３１’または、第５
実施例における搬送路３５の載置部３６を制御するモー
ターを本実施例の制御装置３４に接続して、帯電量測定
用プローブ３７の測定結果に基づいて、モーター回転数
を変化させることで、半導体装置１の帯電量を制御す
る。That is, the foreign matter removing materials 6 and 8 in the fourth embodiment
The motor 31, 31 'for controlling the rotation speed of the
By connecting the motor for controlling the mounting portion 36 of the transport path 35 in the embodiment to the control device 34 of the present embodiment and changing the motor rotation speed based on the measurement result of the charge amount measurement probe 37, The charge amount of the semiconductor device 1 is controlled.
【００５４】図９に示す本発明の第８実施例は、捺印を
行うレーザー照射機７の両側にある異物除去材６，８の
前後に、それぞれ制御装置４０に接続される可視光又は
レーザーセンサーや、カメラ又はマイクロスコープ等の
異物検出プローブ３８を設けると共に、レーザー照射機
７の両側に、制御装置４０に接続される圧縮空気を噴出
するノズル３９を設けるものである。The eighth embodiment of the present invention shown in FIG. 9 is a visible light or laser sensor connected to the control device 40 before and after the foreign matter removing materials 6 and 8 on both sides of the laser irradiation machine 7 for marking. Alternatively, a foreign matter detection probe 38 such as a camera or a microscope is provided, and nozzles 39 for ejecting compressed air, which are connected to the control device 40, are provided on both sides of the laser irradiator 7.
【００５５】前処理による異物除去の前後、レーザー照
射を行った後、即ち後処理による異物除去前、更に異物
除去後の各地点において、異物検出プローブ３８を用い
て異物除去材の効果や捺印状態を検出して、制御装置４
０がこれを認識する。この結果、例えば異物除去効果が
ない場合や、捺印状態が悪い場合には、ノズル３９より
圧縮空気を噴出させて異物を吹き飛ばすことにより、異
物除去効果を高める。また、圧縮空気を用いたイオナイ
ザーを使用すると、静電気のクーロン力による異物の半
導体装置への再付着や半導体装置の帯電を防ぐことがで
き、更に効果が上がる。Before and after the foreign matter removal by the pretreatment, after laser irradiation, that is, before the foreign matter removal by the posttreatment, and at each point after the foreign matter removal, the foreign matter detection probe 38 is used to detect the effect of the foreign matter removing material and the marking state. Is detected and the control device 4
0 recognizes this. As a result, for example, when there is no foreign matter removing effect or when the imprinting condition is poor, the foreign matter removing effect is enhanced by ejecting compressed air from the nozzle 39 to blow off the foreign matter. Further, when an ionizer using compressed air is used, it is possible to prevent re-adhesion of foreign matter to the semiconductor device and electrostatic charge of the semiconductor device due to Coulomb force of static electricity, and the effect is further enhanced.
【００５６】本実施例では、異物除去効果或いは捺印状
態が悪い場合に、ノズル３９より圧縮空気を噴出した
が、アラーム発生や捺印装置の停止を行う、また再度異
物除去材による処理及び捺印を行う、更に第４実施例及
び第５実施例の方法により、半導体装置１への異物量を
制御する等の対策も考えられる。図１０に示す本発明の
第９実施例は、捺印を行うレーザー照射機７の両側に位
置する異物除去材に対す１１１ーニング手段、及び帯電
手段等を付加したものであり、異物除去材による異物除
去効果の増大をはかるものである。In this embodiment, when the foreign matter removing effect or the imprinting condition is poor, compressed air is ejected from the nozzle 39. However, an alarm is generated, the marking device is stopped, and the treatment and imprinting with the foreign matter removing material are performed again. Further, it is possible to consider measures such as controlling the amount of foreign matter to the semiconductor device 1 by the methods of the fourth and fifth embodiments. The ninth embodiment of the present invention shown in FIG. 10 is one in which 111-ning means for charging the foreign matter removing material located on both sides of the laser irradiation machine 7 for imprinting, charging means, etc. are added. The removal effect is increased.
【００５７】異物除去材は、例えばＰＰ（ポリプロピレ
ン）樹脂を主成分とする材料より構成されており、使用
を重ねるうちに汚れてきて、半導体装置１の異物除去効
果が低減したり、半導体装置１及び異物除去材６，８の
帯電量或いは極性が変化する。そのため、クリーニング
等の処置が必要になる。本実施例における異物除去材６
の周囲には、ウレタンフォーム材等からなる乾式のも
の、或いはウレタンフォーム材にエタノール等の薬品を
浸した湿式のクリーニングローラー４１が設けられてお
り、このクリーニングローラー４１により異物除去材６
で除去された異物が半導体装置１に再付着することがな
いよう、除去された異物を吸引するための異物吸引機４
４，４５が備えられている。The foreign matter removing material is made of, for example, a material containing PP (polypropylene) resin as a main component, and becomes dirty with repeated use to reduce the foreign matter removing effect of the semiconductor device 1, or the semiconductor device 1 Also, the charge amount or polarity of the foreign matter removing materials 6 and 8 changes. Therefore, it is necessary to take measures such as cleaning. Foreign material removing material 6 in this embodiment
A dry type cleaning roller 41 made of urethane foam material or a wet type cleaning roller 41 in which a chemical such as ethanol is immersed in the urethane foam material is provided around the periphery of the foreign material removing material 6 by the cleaning roller 41.
The foreign matter suction device 4 for sucking the removed foreign matter so that the foreign matter removed in step S1 does not reattach to the semiconductor device 1.
4, 45 are provided.
【００５８】また、クリーニングローラー４１が湿式の
場合には、異物除去材６が湿って半導体装置１にも影響
を与えるため、これを乾燥させるためのドライエアー用
ノズル４３が設けられ、その近傍には異物除去材６を例
えばプラス電荷に帯電させる帯電ローラー４２が備えら
れる。更に、異物除去材８の周囲にも同様に、クリーニ
ングローラー４１’及び帯電ローラー４２’等が設けら
れており、同様な機能を有している。When the cleaning roller 41 is wet, the foreign matter removing material 6 gets wet and affects the semiconductor device 1. Therefore, a dry air nozzle 43 for drying the foreign material removing material 6 is provided, and in the vicinity thereof. Is provided with a charging roller 42 that charges the foreign matter removing material 6 to, for example, a positive charge. Further, a cleaning roller 41 ′, a charging roller 42 ′, and the like are similarly provided around the foreign matter removing material 8 and have the same function.
【００５９】以上の本実施例によれば、異物除去材６，
８が常に清浄な状態であると共に、所定の電荷に帯電さ
れているため、異物除去材からの異物の再付着が防止さ
れ、クーロン力による集塵効果も衰えることがないた
め、時間が経過しても異物除去材による異物除去効果は
安定したものとなる。本実施例においては、第８実施例
の如く異物検出プローブにより半導体装置１上の異物量
を検出して、その結果に応じてクリーニングローラー及
び帯電ローラーの回転数、或いは吸引機の能力等調整す
ることで、より効率の良い異物除去が可能となる。According to the present embodiment described above, the foreign matter removing material 6,
Since 8 is always in a clean state and charged with a predetermined electric charge, re-adhesion of foreign matter from the foreign matter removing material is prevented, and the dust collection effect due to the Coulomb force does not deteriorate. However, the foreign matter removing effect of the foreign matter removing material becomes stable. In the present embodiment, the amount of foreign matter on the semiconductor device 1 is detected by the foreign matter detection probe as in the eighth embodiment, and the rotation speeds of the cleaning roller and the charging roller or the capacity of the suction device are adjusted according to the result. As a result, the foreign matter can be removed more efficiently.
【００６０】また、本実施例では、半導体装置１が誘導
帯電するため、静電耐圧の高い半導体装置や切断，整形
前のシート状の半導体装置に対して好適である。図１１
に示す本発明の第１０実施例は、第９実施例と同様、異
物除去材に対するクリーニング手段、及び帯電手段等を
付加したものであり、例えば導電性ナイロンブラシから
なる異物除去材の異物除去効果の増大をはかるものであ
る。Further, in the present embodiment, the semiconductor device 1 is inductively charged, so that it is suitable for a semiconductor device having a high electrostatic breakdown voltage and a sheet-shaped semiconductor device before cutting and shaping. Figure 11
Similar to the ninth embodiment, the tenth embodiment of the present invention is provided with a cleaning means for the foreign matter removing material, a charging means, etc., and the foreign matter removing effect of the foreign matter removing material made of, for example, a conductive nylon brush. To increase.
【００６１】異物除去材６，８に接触するクリーニング
ローラー４１，４１’及び異物吸引機４４，４５，４
４’４５’は、第９実施例と同じものであるが、異物除
去材６，８を帯電させる手段が異なっている。異物除去
材に導電性ナイロンブラシを用いる本実施例では、異物
除去材６，８に直流高圧電源４６，４６’を接続してお
り、高電圧を印加することで導電性ナイロンブラシの帯
電を可能としている。Cleaning rollers 41, 41 'and foreign matter suction devices 44, 45, 4 contacting the foreign matter removing materials 6, 8
4'45 'is the same as that of the ninth embodiment, but the means for charging the foreign matter removing materials 6, 8 is different. In this embodiment, in which the conductive nylon brush is used as the foreign matter removing material, the high voltage DC power supplies 46 and 46 'are connected to the foreign matter removing materials 6 and 8, and the conductive nylon brush can be charged by applying a high voltage. I am trying.
【００６２】本実施例においては、第８実施例の如く異
物検出プローブにより半導体装置１上の異物量を検出し
て、その結果に応じて印加電圧、吸引機の能力更にクリ
ーニングローラーの回転数等調整することで、より効率
の良い異物除去を行うことができる。In the present embodiment, the amount of foreign matter on the semiconductor device 1 is detected by the foreign matter detection probe as in the eighth embodiment, and the applied voltage, the capacity of the suction device, the rotation speed of the cleaning roller, etc. are determined according to the result. By adjusting, foreign matter can be removed more efficiently.
【００６３】[0063]
【効果】以上説明した本発明による半導体装置の捺印方
法によれば、捺印工程の前後に行う捺印面に対する異物
除去工程において、半導体装置をそれぞれ異なる極性に
帯電させるため、それぞれの電荷が相殺されて、半導体
装置の帯電量がほぼ０Ｖに保たれることになり、静電破
壊の発生を防止することができる。According to the method for imprinting a semiconductor device according to the present invention described above, since the semiconductor devices are charged with different polarities in the foreign matter removing process on the imprinting surface before and after the imprinting process, the respective charges are offset. Therefore, the charge amount of the semiconductor device is maintained at approximately 0 V, and the occurrence of electrostatic breakdown can be prevented.
【図１】本発明の第１実施例を説明するための捺印装置
側面図である。FIG. 1 is a side view of a marking device for explaining a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２実施例を説明するための捺印装置
側面図である。FIG. 2 is a side view of a marking device for explaining a second embodiment of the present invention.
【図３】本発明による捺印装置内での半導体装置の帯電
量の変化を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing changes in the charge amount of the semiconductor device in the marking device according to the present invention.
【図４】本発明の第３実施例を説明するための曲面捺印
機側面図である。FIG. 4 is a side view of a curved surface marking machine for explaining a third embodiment of the present invention.
【図５】本発明の第４実施例を説明するための捺印装置
側面図である。FIG. 5 is a side view of a marking device for explaining a fourth embodiment of the present invention.
【図６】本発明の第５実施例を説明するための捺印装置
側面図である。FIG. 6 is a side view of a marking device for explaining a fifth embodiment of the present invention.
【図７】本発明の第６実施例を説明するための捺印装置
側面図である。FIG. 7 is a side view of a marking device for explaining a sixth embodiment of the present invention.
【図８】本発明の第７実施例を説明するための捺印装置
側面図である。FIG. 8 is a side view of a marking device for explaining a seventh embodiment of the present invention.
【図９】本発明の第８実施例を説明するための捺印装置
側面図である。FIG. 9 is a side view of a marking device for explaining an eighth embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の第９実施例を説明するための捺印装
置側面図である。FIG. 10 is a side view of a marking device for explaining a ninth embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の第１０実施例を説明するための捺印
装置側面図である。FIG. 11 is a side view of a marking device for explaining a tenth embodiment of the present invention.
【図１２】従来のレーザー捺印を説明するための側面図
である。FIG. 12 is a side view for explaining a conventional laser marking.
【図１３】従来の捺印装置内での半導体装置の帯電量の
変化を示すグラフである。FIG. 13 is a graph showing changes in the charge amount of a semiconductor device in a conventional marking device.
【図１４】イオナイザーを設置した従来の捺印装置を説
明する側面図である。FIG. 14 is a side view illustrating a conventional marking device provided with an ionizer.
Claims (11)
種情報を表示するための捺印を行う捺印方法において、 前記半導体装置（１）の捺印面に付着する異物を除去す
ると共に、半導体装置（１）に所定極性の電荷を帯電さ
せる前処理工程と、 前記半導体装置（１）の捺印面に所定表示を行う捺印工
程と、 該捺印工程の際に付着する捺印面の異物を除去すると共
に、前記前処理工程で帯電された電荷に対して同等な大
きさで逆極性の電荷を帯電させる後処理工程とを順次行
うことを特徴とする半導体装置の捺印方法。1. A stamping method for stamping for displaying various kinds of information on a package surface of a semiconductor device (1), wherein foreign matter adhering to a stamping surface of the semiconductor device (1) is removed and the semiconductor device (1 ) Is charged with a charge of a predetermined polarity, a marking step for performing a predetermined display on the marking surface of the semiconductor device (1), and a foreign material on the marking surface that adheres during the marking step is removed. A method of marking a semiconductor device, which comprises sequentially performing a post-treatment step of charging an electric charge having an opposite polarity and having an equal magnitude to the charge charged in the pre-treatment step.
路（５）上を搬送される半導体装置（１）に対して、回
転することで前記半導体装置（１）に接触して異物を除
去すると共に、接触時の摩擦力にて半導体装置（１）を
所定の極性に帯電させる非帯電性ブラシからなる異物除
去材（６，８）により行われ、 前記捺印工程は、前記半導体装置（１）に対してレーザ
ー照射機（７）によるレーザー照射を行うことを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の捺印方法。2. In the pre-treatment step and the post-treatment step, the semiconductor device (1) conveyed on a conveyance path (5) is rotated to come into contact with the semiconductor device (1) to remove foreign matter. The foreign matter removing material (6, 8), which removes and charges the semiconductor device (1) to a predetermined polarity by frictional force at the time of contact, is performed by the foreign matter removing material (6, 8). 2. The method for imprinting a semiconductor device according to claim 1, wherein the laser irradiation is performed on 1) by a laser irradiation device (7).
各種情報を表示するための捺印を行う捺印方法におい
て、 前記半導体装置（２１）の捺印面に付着する異物を除去
すると共に、半導体装置（２１）に所定極性の電荷を帯
電させる前処理工程と、 前記半導体装置（２１）の捺印面に所定表示を行うと共
に、前記前処理工程で帯電された電荷に対して同等な大
きさで逆極性の電荷を帯電させる捺印工程とを順次行う
ことを特徴とする半導体装置の捺印方法。3. A stamping method for stamping for displaying various information on a package surface of a semiconductor device (21), the foreign matter adhering to the stamping surface of the semiconductor device (21) being removed, and the semiconductor device (21). ) Is charged with a charge of a predetermined polarity, and a predetermined display is performed on the marking surface of the semiconductor device (21). A marking method for a semiconductor device, which comprises sequentially performing a marking step of charging electric charges.
上を搬送される半導体装置（２１）に対して、回転する
ことで接触して異物を除去すると共に、接触時の摩擦力
にて半導体装置（２１）を所定の極性に帯電させる非帯
電性ブラシからなる異物除去材（２６）により行われ、 前記捺印工程は、回転しながら半導体装置（２１）に接
触することでインク材を該半導体装置（２１）表面に転
写すると共に、接触時の摩擦力にて半導体装置（２１）
を前処理工程とは逆の極性に帯電させる転写ローラ（２
７）により行われることを特徴とする請求項３記載の半
導体装置の捺印方法。4. The transport rail (25) in the pretreatment step.
A non-chargeable brush that contacts the semiconductor device (21) conveyed above by rotating to remove foreign matter and charges the semiconductor device (21) to a predetermined polarity by the frictional force at the time of contact. The foreign substance removing material (26) is made of, and the imprinting step transfers the ink material to the surface of the semiconductor device (21) by contacting the semiconductor device (21) while rotating, and the friction force at the time of contact. At Semiconductor Device (21)
Of the transfer roller (2
7. The method for imprinting a semiconductor device according to claim 3, which is performed according to 7).
種情報を表示するための捺印を行う捺印装置において、 前記半導体装置（１）の捺印面に付着する異物を除去す
ると共に、半導体装置（１）に所定極性の電荷を帯電さ
せる異物除去材（６）を有する前処理部（２）と、 前記半導体装置（１）の捺印面にレーザー照射を行うこ
とで所定表示を行うレーザー照射機（７）を有する捺印
部（３）と、 該捺印部（３）でのレーザー照射時に付着する捺印面の
異物を除去すると共に、前記前処理部（２）で帯電され
た電荷に対して同等な大きさで逆極性の電荷を帯電させ
る異物除去材（８）を有する後処理部（４）と、 前記半導体装置（１）を搬送する搬送路（５）とを少な
くとも備えることを特徴とする捺印装置。5. A marking device for performing marking for displaying various information on a package surface of a semiconductor device (1), wherein foreign matter adhering to a marking surface of the semiconductor device (1) is removed, and at the same time, the semiconductor device (1 ) Has a pretreatment part (2) having a foreign matter removing material (6) for charging a predetermined polarity, and a laser irradiator (7) for performing a predetermined display by irradiating the marking surface of the semiconductor device (1) with laser. And a foreign matter on the marking surface adhered at the time of laser irradiation in the marking portion (3) and having a size equal to the charge charged in the pretreatment portion (2). A marking device comprising at least a post-processing section (4) having a foreign matter removing material (8) for charging electric charges of opposite polarities, and a transport path (5) for transporting the semiconductor device (1). .
各種情報を表示するための捺印を行う捺印装置におい
て、 前記半導体装置（２１）の捺印面に付着する異物を除去
すると共に、半導体装置（２１）に所定極性の電荷を帯
電させる異物除去材（２６）を有する前処理部（２２）
と、 前記半導体装置（２１）の捺印面にインク転写すること
で所定表示を行うと共に、前記前処理部（２２）で帯電
された電荷に対して同等な大きさで逆極性の電荷を帯電
させる転写ローラー（２７）を有する捺印部（２３）
と、 前記半導体装置（２１）を搬送する搬送レール（２５）
とを少なくとも備えることを特徴とする捺印装置。6. A marking device for performing marking for displaying various information on a package surface of a semiconductor device (21), wherein foreign matter adhering to a marking surface of the semiconductor device (21) is removed, and at the same time, the semiconductor device (21). ) Having a foreign matter removing material (26) for charging a charge of a predetermined polarity to ()
And a predetermined display is performed by transferring the ink to the imprinting surface of the semiconductor device (21), and an electric charge having a polarity opposite to that of the electric charge charged by the pretreatment unit (22) is charged. Marking part (23) having transfer roller (27)
And a transfer rail (25) for transferring the semiconductor device (21)
A marking device comprising at least.
的に配置される複数の異物除去材（１８ａ，１８ｂ）が
備えられており、該複数の異物除去材（１８ａ，１８
ｂ）により前記半導体装置（１１）に対する帯電量を調
整していることを特徴とする請求項５及び６記載の捺印
装置。7. The pretreatment unit or the posttreatment unit is provided with a plurality of foreign matter removing materials (18a, 18b) that are continuously arranged, and the plurality of foreign matter removing materials (18a, 18b).
7. The marking device according to claim 5, wherein the charge amount with respect to the semiconductor device (11) is adjusted by b).
及び帯電量に応じて、該半導体装置（１）と前記異物除
去材（６，８）との摩擦度を調整する手段（３１，３
６）を有することを特徴とする請求項５〜７記載の捺印
装置。8. Means (31, 31) for adjusting the degree of friction between the semiconductor device (1) and the foreign matter removing material (6, 8) according to the amount of foreign matter adhered to the surface of the semiconductor device (1) and the charge amount. Three
The marking device according to claims 5 to 7, further comprising 6).
装置（１）の所定位置における帯電量或いは異物付着量
を検出する手段（３７，３８）を有することを特徴とす
る請求項５〜８記載の捺印装置。9. The device according to claim 5, further comprising means (37, 38) for detecting a charge amount or a foreign substance adhesion amount at a predetermined position of the semiconductor device (1) transported on the transport path (5). The marking device according to any one of 8 to 8.
るクリーニング手段（４１）を有することを特徴とする
請求項５〜９記載の捺印装置。10. The marking device according to claim 5, further comprising a cleaning means (41) for cleaning the foreign matter removing material (6, 8).
に帯電させる帯電手段（４２，４６）を有することを特
徴とする請求項５〜１０記載の捺印装置。11. The marking apparatus according to claim 5, further comprising a charging unit (42, 46) for charging the foreign matter removing material (6, 8) to a predetermined polarity.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6274029A JPH08139215A (en) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | Marking method and apparatus for semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6274029A JPH08139215A (en) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | Marking method and apparatus for semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08139215A true JPH08139215A (en) | 1996-05-31 |
Family
ID=17535971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6274029A Withdrawn JPH08139215A (en) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | Marking method and apparatus for semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08139215A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002263867A (en) * | 2001-03-14 | 2002-09-17 | Tokyo Weld Co Ltd | Laser marking device and laser marking method |
| JP2018094563A (en) * | 2016-12-08 | 2018-06-21 | パナソニック デバイスＳｕｎｘ株式会社 | Laser machining device |
| CN115223447A (en) * | 2022-06-27 | 2022-10-21 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel and display device |
-
1994
- 1994-11-08 JP JP6274029A patent/JPH08139215A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US10888953B2 (en) | 2016-12-08 | 2021-01-12 | Panasonic Industrial Devices Sunx Co., Ltd. | Laser processing device |
| CN115223447A (en) * | 2022-06-27 | 2022-10-21 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel and display device |
| CN115223447B (en) * | 2022-06-27 | 2023-09-29 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel and display device |
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|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |