JPH08138886A - 磁場中の高周波放電の点火装置 - Google Patents
磁場中の高周波放電の点火装置Info
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- JPH08138886A JPH08138886A JP6273952A JP27395294A JPH08138886A JP H08138886 A JPH08138886 A JP H08138886A JP 6273952 A JP6273952 A JP 6273952A JP 27395294 A JP27395294 A JP 27395294A JP H08138886 A JPH08138886 A JP H08138886A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、不純物による化学反応の阻害や反応
生成物に不純物がそのまま混入するという不具合を回避
することができる。磁場中の高周波放電の点火装置を適
することを目的とする。 【構成】本発明に係る磁場中の高周波放電の点火装置
は、磁場発生用コイル１の内空間に設置した円筒状のガ
ラス管２と、前記ガラス管２の周囲に設けたアンテナ４
と、前記アンテナ４の一端に接続した高周波電源３と、
前記ガラス管２の軸方向に設置したレーザ発振器８と、
前記レーザ発振器８から出力するレーザ光線１０をガラ
ス管２の内に入射するように調整するレンズ９とを具備
し、プラズマ生成における放電点火にレーザ光線１０を
用いることを特徴とする。
生成物に不純物がそのまま混入するという不具合を回避
することができる。磁場中の高周波放電の点火装置を適
することを目的とする。 【構成】本発明に係る磁場中の高周波放電の点火装置
は、磁場発生用コイル１の内空間に設置した円筒状のガ
ラス管２と、前記ガラス管２の周囲に設けたアンテナ４
と、前記アンテナ４の一端に接続した高周波電源３と、
前記ガラス管２の軸方向に設置したレーザ発振器８と、
前記レーザ発振器８から出力するレーザ光線１０をガラ
ス管２の内に入射するように調整するレンズ９とを具備
し、プラズマ生成における放電点火にレーザ光線１０を
用いることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマを利用したプ
ロセス装置における、プラズマの生成、制御装置に関す
る。
ロセス装置における、プラズマの生成、制御装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】磁場中の誘導型高周波放電によるプラズ
マ生成（通称、ヘリコン波によるプラズマ生成）技術
は、従来のプラズマ生成法である無磁場中の高周波放電
や電子サイクロトロン共鳴法等に比べて、より高い電子
密度を有するプラズマを生成できる特徴を持っている。
マ生成（通称、ヘリコン波によるプラズマ生成）技術
は、従来のプラズマ生成法である無磁場中の高周波放電
や電子サイクロトロン共鳴法等に比べて、より高い電子
密度を有するプラズマを生成できる特徴を持っている。
【０００３】そして、この特徴が、プロセス（エッチン
グ、成膜等）の反応速度向上に有効であると期待されて
いる。図３に磁場中の誘導型高周波放電によるプラズマ
生成を行なうための装置の一例を示す。複数のソレノイ
ド状の磁場発生用コイル１の内空間に、円筒状のガラス
管２が、双方の軸を合わせて設置されている。ガラス管
２の周囲には、アンテナ４が設置されている。アンテナ
４としては銅パイプをガラス管２に螺旋状に巻き付けて
使用する。アンテナ４の端の一方には、高周波電源３が
接続され、他端は接地されている。
グ、成膜等）の反応速度向上に有効であると期待されて
いる。図３に磁場中の誘導型高周波放電によるプラズマ
生成を行なうための装置の一例を示す。複数のソレノイ
ド状の磁場発生用コイル１の内空間に、円筒状のガラス
管２が、双方の軸を合わせて設置されている。ガラス管
２の周囲には、アンテナ４が設置されている。アンテナ
４としては銅パイプをガラス管２に螺旋状に巻き付けて
使用する。アンテナ４の端の一方には、高周波電源３が
接続され、他端は接地されている。
【０００４】図４に、図３の側面図を示す。この様な状
態で、磁場発生用コイル１により、磁束密度方向５に磁
場を印加する。ガラス管２の内に目的に応じたガスを目
的の圧力で充填する。最後に、高周波電源３からアンテ
ナ４に高周波電力を印加し、ガラス管２の内に波動（電
磁波）を励起すると、磁場方向５に沿って、その波動が
伝搬する。波動が伝搬する空間においてプラズマが生成
される。
態で、磁場発生用コイル１により、磁束密度方向５に磁
場を印加する。ガラス管２の内に目的に応じたガスを目
的の圧力で充填する。最後に、高周波電源３からアンテ
ナ４に高周波電力を印加し、ガラス管２の内に波動（電
磁波）を励起すると、磁場方向５に沿って、その波動が
伝搬する。波動が伝搬する空間においてプラズマが生成
される。
【０００５】ここで、プラズマが生成される機構を詳細
にみると次のようになっている。アンテナ４に高周波電
源３から高周波電力が印加されると、アンテナ４に高周
波電流が流れる。この高周波電流によって誘導磁場が高
周波電流と垂直方向に誘起される。更に、この誘導磁場
に従って誘導電場が高周波電流と逆方向に誘起される。
にみると次のようになっている。アンテナ４に高周波電
源３から高周波電力が印加されると、アンテナ４に高周
波電流が流れる。この高周波電流によって誘導磁場が高
周波電流と垂直方向に誘起される。更に、この誘導磁場
に従って誘導電場が高周波電流と逆方向に誘起される。
【０００６】ガラス管内に誘起された誘導電場によっ
て、充填されているガス中の自由電子が加速され、中性
粒子として衝突し、これを電離させる。この作用が連続
的に起こり、誘導電場に起因するプラズマがガラス管２
の内壁近傍で発生する。
て、充填されているガス中の自由電子が加速され、中性
粒子として衝突し、これを電離させる。この作用が連続
的に起こり、誘導電場に起因するプラズマがガラス管２
の内壁近傍で発生する。
【０００７】このプラズマが発生することで、磁場中に
波動を励起することができる。波動が励起されると、ガ
ラス管軸を中心として、磁場方向５に沿って波動が伝搬
する。波動が伝搬すると、そのエネルギが電子に移り、
加速された電子は中性粒子と衝突し、これを電離させ
る。そして、ガラス管壁近傍ではなく、管中心軸上にプ
ラズマが生成される。
波動を励起することができる。波動が励起されると、ガ
ラス管軸を中心として、磁場方向５に沿って波動が伝搬
する。波動が伝搬すると、そのエネルギが電子に移り、
加速された電子は中性粒子と衝突し、これを電離させ
る。そして、ガラス管壁近傍ではなく、管中心軸上にプ
ラズマが生成される。
【０００８】このとき、誘導電場に起因するガラス管壁
近傍のプラズマの密度は、管中心軸上のプラズマに比べ
て何桁も低くなる。しかし、このように構成されている
装置においてプラズマを生成すると、ガラス管素材
（例、ＳｉＯ2 ）や、ガラス管壁に吸着しているガス
（例、Ｏ2 ）が放出されて、本来充填したガス以外の不
純物として混入してしまう。
近傍のプラズマの密度は、管中心軸上のプラズマに比べ
て何桁も低くなる。しかし、このように構成されている
装置においてプラズマを生成すると、ガラス管素材
（例、ＳｉＯ2 ）や、ガラス管壁に吸着しているガス
（例、Ｏ2 ）が放出されて、本来充填したガス以外の不
純物として混入してしまう。
【０００９】つまり、プロセス装置において上記のまま
プラズマを生成すると、不純物が目的の化学反応を阻害
する。又、反応生物に不純物がそのまま混入するという
不具合がある。
プラズマを生成すると、不純物が目的の化学反応を阻害
する。又、反応生物に不純物がそのまま混入するという
不具合がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来装置
において、ガラス管材や、それに吸着しているガスが不
純物として混入する理由は、プラズマ生成初期に、誘導
電場に起因してガラス管壁近傍にプラズマが発生し、こ
のプラズマがガラス管を侵食するからである。
において、ガラス管材や、それに吸着しているガスが不
純物として混入する理由は、プラズマ生成初期に、誘導
電場に起因してガラス管壁近傍にプラズマが発生し、こ
のプラズマがガラス管を侵食するからである。
【００１１】波動に起因してガラス管中心軸上にプラズ
マが生成されてしまえば、プラズマがガラス管を侵食す
ることはなくなる。しかし、この波動を励起する条件
は、磁場雰囲気でプラズマが存在することであり、上記
装置において波動を励起するために必要なプラズマは、
誘導電場に起因して発生するものだけである。つまり、
誘導電場に起因するプラズマを利用するかぎりは、ガラ
ス管から発生する不純物を避けられないという問題点が
あった。 本発明は、上記の問題点を解決し、誘導電場
を使わずに波動を励起するためのプラズマを生成するこ
とができる装置を提供することを目的とする。
マが生成されてしまえば、プラズマがガラス管を侵食す
ることはなくなる。しかし、この波動を励起する条件
は、磁場雰囲気でプラズマが存在することであり、上記
装置において波動を励起するために必要なプラズマは、
誘導電場に起因して発生するものだけである。つまり、
誘導電場に起因するプラズマを利用するかぎりは、ガラ
ス管から発生する不純物を避けられないという問題点が
あった。 本発明は、上記の問題点を解決し、誘導電場
を使わずに波動を励起するためのプラズマを生成するこ
とができる装置を提供することを目的とする。
【００１２】
（第１の手段）本発明に係る磁場中の高周波放電の点火
装置は、（Ａ）磁場発生用コイルの内空間に設置した円
筒状のガラス管と、（Ｂ）前記ガラス管の周囲に設けた
アンテナと、（Ｃ）前記アンテナの一端に接続した高周
波電源と、（Ｄ）前記ガラス管の軸方向に設置したレー
ザ発振器と、（Ｅ）前記レーザ発振器から出力するレー
ザ光線をガラス管の内に入射するように調整するレンズ
とを具備し、（Ｆ）プラズマ生成における放電点火にレ
ーザ光線を用いることを特徴とする。 （第２の手段）本発明に係る磁場中の高周波放電の点火
装置は、（Ａ）磁場発生用コイルの内空間に設置した円
筒状のガラス管と、（Ｂ）前記ガラス管の周囲に設けた
アンテナと、（Ｃ）前記アンテナの一端に接続した高周
波電源と、（Ｄ）前記ガラス管の軸方向に設置した電子
ビーム発生装置と、（Ｅ）前記電子ビーム発生装置から
の電子ビームを透過してガラス管に入射する電子ビーム
透過フォイールとを具備し、（Ｆ）プラズマ生成におけ
る放電点火に電子ビームを用いることを特徴とする。す
なわち、本発明によれば、磁場を発生するための磁場発
生用コイルと、プラズマを生成する場であるガラス管
と、プラズマ生成のエネルギを供給する高周波電源と、
波動を励起するアンテナからなる装置においてプラズマ
生成を行う場合、レーザ光、電子ビーム、紫外線より短
波長より光を利用してガスを電離させて、磁力線に沿っ
て伝搬する波動を励起させるプラズマを発生させること
を特徴とする。
装置は、（Ａ）磁場発生用コイルの内空間に設置した円
筒状のガラス管と、（Ｂ）前記ガラス管の周囲に設けた
アンテナと、（Ｃ）前記アンテナの一端に接続した高周
波電源と、（Ｄ）前記ガラス管の軸方向に設置したレー
ザ発振器と、（Ｅ）前記レーザ発振器から出力するレー
ザ光線をガラス管の内に入射するように調整するレンズ
とを具備し、（Ｆ）プラズマ生成における放電点火にレ
ーザ光線を用いることを特徴とする。 （第２の手段）本発明に係る磁場中の高周波放電の点火
装置は、（Ａ）磁場発生用コイルの内空間に設置した円
筒状のガラス管と、（Ｂ）前記ガラス管の周囲に設けた
アンテナと、（Ｃ）前記アンテナの一端に接続した高周
波電源と、（Ｄ）前記ガラス管の軸方向に設置した電子
ビーム発生装置と、（Ｅ）前記電子ビーム発生装置から
の電子ビームを透過してガラス管に入射する電子ビーム
透過フォイールとを具備し、（Ｆ）プラズマ生成におけ
る放電点火に電子ビームを用いることを特徴とする。す
なわち、本発明によれば、磁場を発生するための磁場発
生用コイルと、プラズマを生成する場であるガラス管
と、プラズマ生成のエネルギを供給する高周波電源と、
波動を励起するアンテナからなる装置においてプラズマ
生成を行う場合、レーザ光、電子ビーム、紫外線より短
波長より光を利用してガスを電離させて、磁力線に沿っ
て伝搬する波動を励起させるプラズマを発生させること
を特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明によれば、磁力線に沿って伝搬する波動
を励起させるためのプラズマを、ガスを充填したガラス
管内にレンズ、又は電子ビーム透過用フォイルを介し
て、レーザ光線、又は電子ビームを入射し、ガラス管の
軸中心上に生成するようにし、誘導電場によって発生さ
せることがないので、ガラス管近傍で発生したプラズマ
によってガラス管が侵食されることがなくなる。
を励起させるためのプラズマを、ガスを充填したガラス
管内にレンズ、又は電子ビーム透過用フォイルを介し
て、レーザ光線、又は電子ビームを入射し、ガラス管の
軸中心上に生成するようにし、誘導電場によって発生さ
せることがないので、ガラス管近傍で発生したプラズマ
によってガラス管が侵食されることがなくなる。
【００１４】従って、ガラス管から不純物を発生せず、
不純物による目的の化学反応の阻害、反応生成物に不純
物がそのまま混入するという不具合を回避することがで
きる。
不純物による目的の化学反応の阻害、反応生成物に不純
物がそのまま混入するという不具合を回避することがで
きる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例を図１〜図２に基づき説明す
る。図１は、本発明の第１実施例の概略構成を示す。図
１において、複数のソレノイド状の磁場発生用コイル１
の内空間に、円筒状のガラス管２を、双方の軸を合わせ
て設置する。ガラス管２の周囲に、アンテナ４を設置す
る。この例では、アンテナ４として銅パイプをガラス管
２に螺旋状に巻き付ける。アンテナ４の一端には、高周
波電源３を接続し、他端は接地する。ガラス管２の軸方
向にレーザ発振器８とレンズ９を配置し、レーザ発振器
８から出力するレーザ光線１０がレンズ９を透過して、
ガラス管２の管内に入射するように調整して設置する。
更にこの時、レンズ９によって集光される光が、アンテ
ナ４が囲む空間の中心（ガラス管２の軸中心上）に焦点
を結ぶように、レーザ発振器８と、レンズ９の配置を決
める。
る。図１は、本発明の第１実施例の概略構成を示す。図
１において、複数のソレノイド状の磁場発生用コイル１
の内空間に、円筒状のガラス管２を、双方の軸を合わせ
て設置する。ガラス管２の周囲に、アンテナ４を設置す
る。この例では、アンテナ４として銅パイプをガラス管
２に螺旋状に巻き付ける。アンテナ４の一端には、高周
波電源３を接続し、他端は接地する。ガラス管２の軸方
向にレーザ発振器８とレンズ９を配置し、レーザ発振器
８から出力するレーザ光線１０がレンズ９を透過して、
ガラス管２の管内に入射するように調整して設置する。
更にこの時、レンズ９によって集光される光が、アンテ
ナ４が囲む空間の中心（ガラス管２の軸中心上）に焦点
を結ぶように、レーザ発振器８と、レンズ９の配置を決
める。
【００１６】次に、以上の様に構成した第１実施例の動
作を説明する。まず、ガラス管２の内にガスを充填して
から、磁場発生用コイル１に通電し、磁場方向５に磁場
を発生させる。
作を説明する。まず、ガラス管２の内にガスを充填して
から、磁場発生用コイル１に通電し、磁場方向５に磁場
を発生させる。
【００１７】次に、レーザ発振器８をプラズマ生成のタ
イミングに合わせて動作させ、レーザ光線１０を出力さ
せる。プラズマ生成のタイミングとは次のことを意味す
る。 （Ａ）連続的にプラズマを生成する場合は、「初めにプ
ラズマを点火する時に」、（Ｂ）パルス的（間欠的）に
プラズマを生成する場合は、「繰り返し点火する毎に」
という意味である。
イミングに合わせて動作させ、レーザ光線１０を出力さ
せる。プラズマ生成のタイミングとは次のことを意味す
る。 （Ａ）連続的にプラズマを生成する場合は、「初めにプ
ラズマを点火する時に」、（Ｂ）パルス的（間欠的）に
プラズマを生成する場合は、「繰り返し点火する毎に」
という意味である。
【００１８】レーザ光線１０は、アンテナ４が囲む空間
に集光され、そこに、プラズマ７が生成される。注意す
べき点は、図１のプラズマ７のエネルギ源は、レーザ光
線１０であり、図３のプラズマ６のエネルギ源は、高周
波電源３からアンテナ４に供給される高周波電力である
ことである。
に集光され、そこに、プラズマ７が生成される。注意す
べき点は、図１のプラズマ７のエネルギ源は、レーザ光
線１０であり、図３のプラズマ６のエネルギ源は、高周
波電源３からアンテナ４に供給される高周波電力である
ことである。
【００１９】プラズマ７が生成された後、高周波電源３
からアンテナ４に高周波電力を供給し、プラズマ７中に
波動を励起する。波動は磁場方向５に伝搬し、ガラス管
２の内に目的のプラズマを生成する。波動を励起した以
降の動作は従来の技術と同様である。
からアンテナ４に高周波電力を供給し、プラズマ７中に
波動を励起する。波動は磁場方向５に伝搬し、ガラス管
２の内に目的のプラズマを生成する。波動を励起した以
降の動作は従来の技術と同様である。
【００２０】従って、この様な実施例によれば、ガスを
充填したガラス管２の内にレンズ９を介してレーザ光線
１０を導入し、アンテナ４が囲む空間の中心（ガラス管
２の軸中心上）にプラズマ７を生成するようにしたの
で、従来、波動を励起するために、ガラス管壁近傍の誘
導電場によってプラズマを生成していたものに比べて、
ガラス管内面がプラズマによって侵されにくくなり、ガ
ラス管材の成分や、ガラス管壁に吸着しているガスが、
不純物として現われにくくなる。
充填したガラス管２の内にレンズ９を介してレーザ光線
１０を導入し、アンテナ４が囲む空間の中心（ガラス管
２の軸中心上）にプラズマ７を生成するようにしたの
で、従来、波動を励起するために、ガラス管壁近傍の誘
導電場によってプラズマを生成していたものに比べて、
ガラス管内面がプラズマによって侵されにくくなり、ガ
ラス管材の成分や、ガラス管壁に吸着しているガスが、
不純物として現われにくくなる。
【００２１】図２は、本発明の第２時実施例の概略構成
を示す。図２において、磁場発生用コイル１から磁場方
向５までの構成は、第１実施例と同様である。ガラス管
２の一端を電子ビーム透過フォイール１２を以て真空境
界とし、更にこのフォイルを介して、ガラス管２の軸方
向に電子ビーム発生装置１１を接続する。電子ビーム発
生装置１１から出力する電子ビーム１３が電子ビーム透
過フォイール１２を透過してガラス管２の内に入射する
ように調整して設置する。
を示す。図２において、磁場発生用コイル１から磁場方
向５までの構成は、第１実施例と同様である。ガラス管
２の一端を電子ビーム透過フォイール１２を以て真空境
界とし、更にこのフォイルを介して、ガラス管２の軸方
向に電子ビーム発生装置１１を接続する。電子ビーム発
生装置１１から出力する電子ビーム１３が電子ビーム透
過フォイール１２を透過してガラス管２の内に入射する
ように調整して設置する。
【００２２】次に、以上のように構成した第２実施例の
動作を説明する。まず、ガラス管２の内に目的のガスを
充填してから、磁場発生用コイル１に通電し、磁場方向
５に磁場を発生させる。
動作を説明する。まず、ガラス管２の内に目的のガスを
充填してから、磁場発生用コイル１に通電し、磁場方向
５に磁場を発生させる。
【００２３】次に、電子ビーム発生装置１１をプラズマ
生成のタイミングに合わせて動作させ、電子ビーム１３
を出力させる。プラズマ生成のタイミングは、第１実施
例の場合と同様である。
生成のタイミングに合わせて動作させ、電子ビーム１３
を出力させる。プラズマ生成のタイミングは、第１実施
例の場合と同様である。
【００２４】電子ビーム１３が電子ビーム透過フォイー
ル１２を透過して、ガラス管２の軸方向に入射すると、
そこにプラズマ７が生成される。注意すべき点は、この
プラズマ７のエネルギ源は、電子ビーム１３であり、図
３のプラズマ６のエネルギ源は、高周波電源３からアン
テナ４に供給される高周波電力であることである。
ル１２を透過して、ガラス管２の軸方向に入射すると、
そこにプラズマ７が生成される。注意すべき点は、この
プラズマ７のエネルギ源は、電子ビーム１３であり、図
３のプラズマ６のエネルギ源は、高周波電源３からアン
テナ４に供給される高周波電力であることである。
【００２５】プラズマ７が生成された後、高周波電源３
からアンテナ４に高周波電力を供給し、プラズマ７中に
波動を励起する。波動は磁場方向５に伝搬し、ガラス管
２の内に目的のプラズマを生成する。波動を励起した以
降の動作は従来の技術と同様である。
からアンテナ４に高周波電力を供給し、プラズマ７中に
波動を励起する。波動は磁場方向５に伝搬し、ガラス管
２の内に目的のプラズマを生成する。波動を励起した以
降の動作は従来の技術と同様である。
【００２６】従って、このような実施例によれば、ガス
を充填したガラス管２の内に、電子ビーム透過フォイー
ル１２を介して電子ビーム１３を入射し、ガラス管２の
軸中心上にプラズマ７を生成するようにしているので、
従来、波動を励起するために、ガラス管壁近傍の誘導電
場によってプラズマを生成していたものに比べて、ガラ
ス管内面がプラズマによって侵されにくくなり、ガラス
管材の成分や、ガラス管壁に吸着しているガスが、不純
物として現われにくくなる。
を充填したガラス管２の内に、電子ビーム透過フォイー
ル１２を介して電子ビーム１３を入射し、ガラス管２の
軸中心上にプラズマ７を生成するようにしているので、
従来、波動を励起するために、ガラス管壁近傍の誘導電
場によってプラズマを生成していたものに比べて、ガラ
ス管内面がプラズマによって侵されにくくなり、ガラス
管材の成分や、ガラス管壁に吸着しているガスが、不純
物として現われにくくなる。
【００２７】なお、本発明は上記実施例にのみ限定され
ず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施できる。
例えば、ガラス管２はガラス材に限らず、誘電体材料な
らば材料は問わない。又、アンテナ４として銅パイプを
ガラス管２に螺旋状に巻き付けるが、銅パイプの代わり
に線状導体や、リボン状導体を用いても構わない。又、
磁場方向５はこれと反対方向でも構わない。
ず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施できる。
例えば、ガラス管２はガラス材に限らず、誘電体材料な
らば材料は問わない。又、アンテナ４として銅パイプを
ガラス管２に螺旋状に巻き付けるが、銅パイプの代わり
に線状導体や、リボン状導体を用いても構わない。又、
磁場方向５はこれと反対方向でも構わない。
【００２８】
【発明の効果】本発明は前述のように構成されているの
で、以下に記載する様な効果を奏する。 （１）本発明の放電点火方法によれば、プラズマプロセ
ス装置において、磁力線に沿って伝搬する波動を励起さ
せるためのプラズマを、ガスを充填したガラス管内にレ
ンズ、又は電子ビーム透過用フォイルを介して、レーザ
光線、又は電子ビームを入射し、ガラス管の軸中心上に
生成することができる。 （２）そのためガラス管内面がプラズマによって侵され
にくくなり、ガラス管材の成分や、ガラス管壁に吸着し
ているガスが、不純物として現れにくくなる。 （３）従って、これらの不純物による、目的の化学反応
の阻害、又は、反応生成物に不純物がそのまま混入する
という不具合を回避することができる。
で、以下に記載する様な効果を奏する。 （１）本発明の放電点火方法によれば、プラズマプロセ
ス装置において、磁力線に沿って伝搬する波動を励起さ
せるためのプラズマを、ガスを充填したガラス管内にレ
ンズ、又は電子ビーム透過用フォイルを介して、レーザ
光線、又は電子ビームを入射し、ガラス管の軸中心上に
生成することができる。 （２）そのためガラス管内面がプラズマによって侵され
にくくなり、ガラス管材の成分や、ガラス管壁に吸着し
ているガスが、不純物として現れにくくなる。 （３）従って、これらの不純物による、目的の化学反応
の阻害、又は、反応生成物に不純物がそのまま混入する
という不具合を回避することができる。
【図１】本発明の第１実施例の概略構成を示す図。
【図２】本発明の第２の実施例の概略構成を示す図。
【図３】従来の磁場中の誘導型高周波放電によるプラズ
マ生成を行なうための装置の一例を示す図。
マ生成を行なうための装置の一例を示す図。
【図４】図３の装置の側面図。
１…磁場発生用コイル、 ２…ガラス管、 ３…高周波電源、 ４…アンテナ、 ５…磁場方向、 ６…プラズマ（波動が伝搬することによって生成される
プラズマ）、 ７…プラズマ（レーザ光線、又は電子ビームによって生
成されるプラズマ）、 ８…レーザ発振器、 ９…レンズ、 １０…レーザ光線、 １１…電子ビーム発生装置、 １２…電子ビーム透過用フォイル、 １３…電子ビーム。
プラズマ）、 ７…プラズマ（レーザ光線、又は電子ビームによって生
成されるプラズマ）、 ８…レーザ発振器、 ９…レンズ、 １０…レーザ光線、 １１…電子ビーム発生装置、 １２…電子ビーム透過用フォイル、 １３…電子ビーム。
Claims (2)
- 【請求項１】（Ａ）磁場発生用コイル（１）の内空間に
設置した円筒状のガラス管（２）と、（Ｂ）前記ガラス
管（２）の周囲に設けたアンテナ（４）と、（Ｃ）前記
アンテナ（４）の一端に接続した高周波電源（３）と、
（Ｄ）前記ガラス管（２）の軸方向に設置したレーザ発
振器（８）と、（Ｅ）前記レーザ発振器（８）から出力
するレーザ光線（１０）をガラス管（２）の内に入射す
るように調整するレンズ（９）とを具備し、（Ｆ）プラ
ズマ生成における放電点火にレーザ光線（１０）を用い
ることを特徴とする磁場中の高周波放電の点火装置。 - 【請求項２】（Ａ）磁場発生用コイル（１）の内空間に
設置した円筒状のガラス管（２）と、（Ｂ）前記ガラス
管（２）の周囲に設けたアンテナ（４）と、（Ｃ）前記
アンテナ（４）の一端に接続した高周波電源（３）と、
（Ｄ）前記ガラス管（２）の軸方向に設置した電子ビー
ム発生装置（１１）と、（Ｅ）前記電子ビーム発生装置
（１１）からの電子ビーム（１３）を透過してガラス管
（２）に入射する電子ビーム透過フォイール（１２）と
を具備し、（Ｆ）プラズマ生成における放電点火に電子
ビーム（１３）を用いることを特徴とする磁場中の高周
波放電の点火装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27395294A JP3174699B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 磁場中の高周波放電の点火装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27395294A JP3174699B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 磁場中の高周波放電の点火装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08138886A true JPH08138886A (ja) | 1996-05-31 |
| JP3174699B2 JP3174699B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=17534863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27395294A Expired - Fee Related JP3174699B2 (ja) | 1994-11-08 | 1994-11-08 | 磁場中の高周波放電の点火装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3174699B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548381B2 (en) | 2001-04-26 | 2003-04-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion beam irradiation apparatus and method of igniting a plasma for the same |
| JP2009070586A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Imagineering Kk | プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ生成装置用キャビティー及び計測装置 |
| CN106898861A (zh) * | 2017-03-01 | 2017-06-27 | 合肥工业大学 | 一种工作于太赫兹频段的等离子体天线 |
| JPWO2020225920A1 (ja) * | 2019-05-09 | 2021-05-20 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | プラズマ着火方法及びプラズマ生成装置 |
-
1994
- 1994-11-08 JP JP27395294A patent/JP3174699B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6548381B2 (en) | 2001-04-26 | 2003-04-15 | Nissin Electric Co., Ltd. | Ion beam irradiation apparatus and method of igniting a plasma for the same |
| JP2009070586A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-04-02 | Imagineering Kk | プラズマ生成方法、プラズマ生成装置、プラズマ生成装置用キャビティー及び計測装置 |
| CN106898861A (zh) * | 2017-03-01 | 2017-06-27 | 合肥工业大学 | 一种工作于太赫兹频段的等离子体天线 |
| JPWO2020225920A1 (ja) * | 2019-05-09 | 2021-05-20 | Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 | プラズマ着火方法及びプラズマ生成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3174699B2 (ja) | 2001-06-11 |
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