JPH08125185A - 薄膜トランジスタ製造方法並びに製造装置 - Google Patents

薄膜トランジスタ製造方法並びに製造装置

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JPH08125185A
JPH08125185A JP25714694A JP25714694A JPH08125185A JP H08125185 A JPH08125185 A JP H08125185A JP 25714694 A JP25714694 A JP 25714694A JP 25714694 A JP25714694 A JP 25714694A JP H08125185 A JPH08125185 A JP H08125185A
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film transistor
inert gas
gas
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忠弘 大見
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    • H01L21/02041—Cleaning
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、ガラスまたはプラスチック基板上
に高性能薄膜トランジスタを安定して作製可能な製造方
法及び製造装置を提供することを目的とする。 【構成】 ガラス基板またはプラスチック基板上に薄膜
トランジスタを作製する薄膜トランジスタ製造方法であ
って、薄膜トランジスタを構成する薄膜を形成する前
に、前記基板を設置した空間に所定の温度に加熱した不
活性ガスを導入し、前記基板と前記不活性ガスを接触さ
せて基板表面の吸着物を除去することを特徴とする。さ
らに、前記不活性ガスの導入を所定の圧力になるまで行
い、続いて３００（ｌ／ｓｅｃ）以上の排気速度で所定
の圧力まで急激に排気するという操作を、繰り返し行う
ことが好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタ製造方
法並びに製造装置に係わり、特にガラス基板またはプラ
スチック基板上に高特性の薄膜トランジスタを安定して
形成するための製造方法並びに製造装置に関する。
【０００２】
【関連技術】薄膜トランジスタは液晶表示装置等のスイ
ッチング素子として広く用いられており、その基板には
通常ガラス基板が用いられる。
【０００３】本発明者は、薄膜トランジスタ特性の安定
化、歩留まり向上を検討する過程で、従来の方法でガラ
ス基板上に薄膜トランジスタを作製すると、例えばシリ
コンウエハの酸化膜上に作製した場合に比べて、特性が
安定せずまた絶縁破壊による歩留まりが低下するという
知見を得た。
【０００４】そこで、この原因を鋭意検討した結果、ガ
ラス基板の場合は、シリコン基板のように高温処理がで
きないためガラス基板に数分子層の水分や有機物が残存
し、これが薄膜形成時に徐々に脱離し薄膜の特性を低下
させ、その結果として薄膜トランジスタ性能の安定性や
歩留まりを低下させていることが分かった。
【０００５】従って、ガラス基板を用いた場合、より高
性能で特性が安定した薄膜トランジスタを歩留まり良く
製造するには、ガラス基板に吸着した不純物を低温で完
全に除去できる方法、装置が必要となる。
【０００６】一方、ガラス基板は落としたときの衝撃で
破損し易いため、携帯用装置等に用いづらいという欠点
がある。また、一層軽量化したいという要求もある。そ
こで、薄膜トランジスタの基板としてプラスチック基板
を用いる検討がされているが、プラスチック基板の場合
は、より低温で上記不純物除去処理を行う必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上の状況
に鑑み、ガラス基板及びプラスチック基板上に高性能薄
膜トランジスタを安定して作製することが可能な薄膜ト
ランジスタ製造方法並びに製造装置を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜トランジス
タ製造方法は、ガラス基板またはプラスチック基板上に
薄膜トランジスタを作製する薄膜トランジスタ製造方法
であって、薄膜トランジスタを構成する薄膜を形成する
前に、前記基板を設置した空間に所定の温度に加熱した
不活性ガスを導入し、前記基板と前記不活性ガスを接触
させて基板表面の不純物を除去することを特徴とする。
【０００９】本発明の他の薄膜トランジスタ製造方法
は、ガラス基板またはプラスチック基板上に薄膜トラン
ジスタを作製する薄膜トランジスタ製造方法であって、
薄膜トランジスタを構成する薄膜を形成する前に、前記
基板を所定の温度に加熱した状態で前記基板を設置した
空間内に不活性ガスを導入し、前記基板と前記不活性ガ
スを接触させて基板表面の不純物を除去することを特徴
とする。
【００１０】前記不活性ガスの導入を所定の圧力になる
まで行い、続いて３００（ｌ／ｓｅｃ）以上の排気速度
で所定の圧力まで急激に排気するという操作を、繰り返
し行うのが好ましい。また、前記不活性ガス中の不純物
濃度は、１ｐｐｂ以下とするのが好ましい。
【００１１】本発明の薄膜トランジスタ製造方法は、前
記不活性ガスの代わりに、オゾンまたはオゾンを含む混
合ガスを用いることを特徴とする。
【００１２】また、前記不活性ガスによる不純物を除去
する前に、オゾンまたはオゾンを含む混合ガスを前記空
間内に導入して前記基板と接触させ、その後真空状態に
することを特徴とする。
【００１３】本発明の薄膜トランジスタ製造装置は、ガ
ラス基板またはプラスチック基板表面の不純物を除去す
るための真空処理室と、該基板上に薄膜トランジスタを
構成する薄膜を形成するための成膜室を少なくとも１つ
有する薄膜トランジスタ製造装置であって、前記真空処
理室は、不活性ガスまたは／及びオゾンを加熱して吹き
出す手段と、排気手段と、前記成膜室との間で基板を搬
出入するための手段とを有することを特徴とする。さら
に前記真空処理室は、前記基板の加熱手段を設けるのが
好ましい。
【００１４】前記排気手段は、３００（ｌ／ｓｅｃ）以
上の排気速度を有するものが好ましい。また、前記真空
処理室は、内面に酸化クロム不動態膜を形成したもので
あるのが望ましい。
【００１５】本発明は、前記不純物は水分または有機不
純物である場合に、特に効果的である。
【００１６】
【作用】真空中に設置したガラス基板上に加熱した高純
度の不活性ガスを吹き出し、ガラス基板表面と加熱ガス
を接触させることにより、加熱ガスと吸着分子の相互作
用により、通常の真空状態においただけでは脱着しきれ
ない数分子層の吸着水分子を表面から効果的に脱着させ
ることが可能となる。
【００１７】また、ガラス基板を真空室内に設置し内部
を真空にした後、加熱した不活性ガスを吹き出し、真空
室内が所定の圧力になったところで排気して再び真空に
する操作を繰り返すことにより（この操作を以後回分パ
ージと呼ぶ）、水分の脱着効果はより向上する。特に、
排気の際、排気速度を３００（ｌ／ｓｅｃ）以上で急速
に排気すると、吸着水分の除去効率はより一層向上す
る。この理由は現在のところ明かではないが、高い圧力
から真空まで一気に高速で排気すると、特に１０ -2Ｔｏ
ｒｒ程度以上の粘性流領域では、基板表面で高速のガス
流が生じて、吸着している不純物分子を取り去るためと
考えられる。
【００１８】また、加熱したガスを用いる代わりに、ガ
スは加熱せず基板そのものを加熱することによっても、
同様な水分脱着効果が得られる。さらには、加熱ガスと
基板加熱を併用して用いても良い。さらに、ガスは基板
に吹き付けるのが良く、また吹き付け位置を移動させて
も良い。
【００１９】ガスまたは基板の加熱温度は、上記の回分
パージの回数を多くすれば低い温度でも同様な効果が得
られることから、パージ回数との兼ね合いで適宜決めれ
ば良い。また、基板の大きさ、材質等により基板に歪等
が生じることから、基板温度はこれにより制限される。
例えば、ガラス基板の場合、１０ｃｍ角では３００℃以
下、４５×３５ｃｍ角では２５０℃以下が好ましい。ま
た、プラスチック基板では、例えばポリカーボネートの
場合、歪等が起きない１００℃以下とするのが好まし
い。
【００２０】本発明の不活性ガスは、例えばＮ2、Ａｒ
等が好適に用いられ、不活性ガス中の不純物濃度が１ｐ
ｐｍ以下、さらには１ｐｐｂｂ以下のものが好ましい
が、この純度は真空処理室の容積、加熱温度、基板の種
類、または使用目的等によって、これ以下の純度の不活
性ガスを用いても良いことは言うまでもない。
【００２１】基板表面に水分以外に有機物が吸着してい
る場合、上記不活性ガスによる処理により有機物も一部
除去されるが、完全に除去するには、オゾンガスによる
処理を行うのが好ましい。この場合、所定の濃度、圧力
のオゾン雰囲気中に基板を所定時間放置し、その後減圧
する事により表面の有機物は完全に除去できる。また、
上記したように回分パージを行っても良い。オゾンは、
オゾン発生器にＯ2ガス（あるいは１０％程度のＮ2を含
むＯ2ガス等）をオゾン発生器に導入することにより得
られ、濃度は真空処理室内の圧力、基板温度、放置時
間、基板材質等により適宜決定される。
【００２２】本発明のプラスチック基板としては、前述
したポリカーボネートが好適に用いられるが、表面に無
機系のコーティングを施したものでも良い。
【００２３】次に本発明の薄膜トランジスタ製造装置の
真空処理室の一例を図１に示す。
【００２４】図１において、１０１は真空処理室であ
り、ゲートバルブ１０２、１０２’を介してそれぞれ不
図示のロードロック室及びスパッタ装置と接続され、不
図示の搬送機構により、各室間で基板の搬出入が可能な
構造となっている。
【００２５】真空処理室１０１は、排気手段（例えばタ
ーボ分子ポンプ１０４及び粗引きポンプ１０５）に、バ
ルブ１０７、真空排気通路１０８、１０８’を介して接
続され、内部を１０-8〜１０-10Ｔｏｒｒに保つことが
できる。なお、真空処理室１０１及び真空排気通路１０
８、１０８’は、例えば、その内表面は鏡面研磨した後
Ｃｒ2Ｏ3膜の不動態膜を形成したＳＵＳ３１６Ｌ等を用
いるのが好ましい。これにより、放出ガス及び水分の吸
着が極めて少ない表面とすることができる。
【００２６】１０３は基板、１０９は基板支持台で、内
部に加熱手段（ヒータ）１１０が設けられている。１１
１は基板１０３に不活性ガスを吹き出す手段で、ガス供
給通路１１２と接続されている。ガス供給通路１１２に
は、不活性ガスを所定の温度まで加熱するためのヒータ
１１３、マスフローコントローラ１１４、バルブ１１５
が設置されている。
【００２７】一方、１１９はガラス基板上にオゾンガス
を吹き出し手段で、ガス供給通路１２０を介して不図示
のオゾン発生器と接続されている。尚、ガス供給通路１
２０には、マスフローコントローラ１２１、バルブ１２
２が設置されている。
【００２８】以上の図１の装置を用いて基板の吸着不純
物の除去処理を行うには、例えば次のようにして行う。
【００２９】まず、ゲートバルブ１０２を開け、ロード
ロック室からガラス基板を支持台１０９上に搬入、設置
し、真空処理室１０１内部を減圧する。続いて、バルブ
１０７を閉じてバルブ１１５を開け、ガス吹き出し手段
１１１からヒータ１１２で加熱した不活性ガスをガラス
基板１０３上に供給する。
【００３０】圧力計１１６によって真空処理室１０１の
圧力をモニタしながら、所定の値（１．５ｋｇ／ｃｍ2
程度以下）になるまで不活性ガスを供給し続け、その後
バルブ１１５を閉じバルブ１０７を開けて、例えば排気
速度３００（ｌ／ｓｅｃ）以上のターボ分子ポンプ１０
４と粗引きポンプ１０５によって、真空処理室１０１内
を急速に排気する。
【００３１】以上の操作（回分パージ）を数回繰り返す
ことにより、基板表面の吸着不純物を除去することが可
能となる。
【００３２】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより詳細に説
明するが、本発明がこれら実施例に限定されないことは
言うまでもない。
【００３３】（実施例１）図１を用いて本発明の第１の
実施例を説明する。
【００３４】まず、ヒータ１１３によって加熱されたＮ
2ガスをガラス基板１０３上に吹きつけた時、Ｎ2ガスの
吹き出し口１１１におけるＮ2ガスの温度とガラス基板
１０３の温度の関係を調べた。結果を図２に示す。図２
が示すように、Ｎ2ガスの温度を上昇させることによ
り、ガラス基板１０３の温度が上昇することが分かる。
【００３５】以上の実験結果から、本実施例では吹き出
し口１１１におけるＮ2ガスの温度を、３００℃として
ガラス基板１０３上に吹きつけ、ガラス基板１０３の温
度を２００℃とし実験を行った。
【００３６】ゲートバルブ１０２を開けロードロック室
からガラス基板を搬入し、支持台１０９上に設置し、容
積１０Ｌの真空室１０１内部を１０-8Ｔｏｒｒまで減圧
した。続いて、バルブ１０７を閉じてバルブ１１５を開
け、ガス吹き出し口１１１からヒータ１１２で３００℃
に加熱したＮ2ガスを１０００ｓｃｃｍの流量でガラス
基板１０３上に供給した。ガラス基板１０３は徐々に上
昇し２００℃程度まで加熱された。
【００３７】真空処理室１０１の圧力を圧力計１１６に
よってモニタしながら、１．１ｋｇ／ｃｍ2となるまで
Ｎ2ガスを供給し続け、圧力が１．１ｋｇ／ｃｍ2に達し
た後、バルブ１１５を閉じ、バルブ１０７を開けて、排
気速度３００（ｌ／ｓｅｃ）のターボ分子ポンプ１０４
と粗引きポンプ１０５によって、真空処理室１０１内を
約９０秒で１０-7Ｔｏｒｒまで急速排気した。以上のＮ
2ガスの供給、急速排気の操作（回分パージ）を複数回
繰り返した。
【００３８】回分パージ終了後、バルブ１０７を閉じて
室温のＮ2ガスをガス吹き出し口１１１から１２００ｓ
ｃｃｍ供給し、真空処理室１０１内を大気圧とした。大
気圧となったところで、ガス通路１１７に設置したバル
ブ１１８を開け、Ｎ2ガスを不図示の大気圧イオン化質
量分析計に導入した。この時、ヒータ１１０によってガ
ラス基板１０３の温度を略々３００℃まで加熱し、ガラ
ス基板１０３からの放出水分量を大気圧イオン化質量分
析計によって測定できるようにした。
【００３９】図３に、回分パージの回数と放出水分量と
の関係を示す。また、比較のために本実施例の回分パー
ジを行わない時のガラス基板表面からの放出水分量を図
３に併せてに示した。
【００４０】図３が示すように、回分パージを行う前の
ガラス表面からの放出水分量は略々１０００ｐｐｂあっ
たが回分パージを１回行うことによって、放出水分量は
略々２０ｐｐｂとなり、５回行うことによって略々１ｐ
ｐｂと供給ガスの水分濃度まで減少できることが分かっ
た。
【００４１】以上の結果より、本実施例の方法により、
ガラス基板１０３上に吸着している水分を効果的に除去
できることが明らかとなった。
【００４２】次に、上記回分パージを５回とし、Ｎ2ガ
ス吹き出し口１１１のＮ2ガスの温度を変化させた時の
放出水分量を測定した。その結果を図４に示す。図４が
示すように、ガラス基板１０３の温度が室温であって
も、回分パージによって、ガラス基板１０３上の水分を
略々１０ｐｐｂとする事が可能であり、さらに、ガラス
基板の温度を上昇させることによって、吸着水分の除去
効率が上昇することが分かる。
【００４３】本実施例では、回分パージを行うガスにＮ
2ガスを用いたが、Ｎ2ガスに限らずＡｒでも同様の効果
が確認された。また、加熱したＮ2ガスを例えばガラス
基板上に吹きつけたが、基板の温度を直接ヒータ１１０
で加熱した場合も同様な傾向の結果が得られている。
【００４４】また、回分パージを行う際の基板の温度
は、室温以上であれば回分パージの回数をコントロール
する事によって、種々の温度において効果的に吸着水分
を除去することが可能である。
【００４５】（実施例２）図１に示した装置を用いて本
発明の第２の実施例を説明する。本実施例では、オゾン
ガスを基体表面に吹きつけることによって基体表面に付
着している有機不純物を除去する実験を行った。
【００４６】ロードロック室からガラス基板１０３を真
空処理室１０１に搬入し、支持台１０９上に設置し、実
施例１と同様にしてガラス基板１０３の温度を２００℃
とした回分パージによって基板表面から吸着水分を除去
した後、真空処理室１０１を１０-8Ｔｏｒｒまで排気し
た。
【００４７】次にバルブ１２２を開き、オゾンガス５０
０ｓｃｃｍを吹き出し口１１５からガラス基板１０３上
に吹きつけた。なお、オゾンガスは１０％Ｎ2を含むＯ2
ガスをオゾン発生器に導入して発生させたもので、Ｏ3
を２％含むガスである。
【００４８】圧力が３０ｍｍＴｏｒｒとなるようにバル
ブ１０７を調節し、オゾンガスを供給している時間をそ
れぞれ１、２、３、５、１０分間保持した後、バルブ１
２２を閉じ、真空処理室１０１内を１０-8Ｔｏｒｒとな
るまで排気した。
【００４９】ゲートバルブ１０２を開け、ロードロック
室に基板を搬送後、ロードロック室にＮ2ガスを導入
し、大気圧としてガラス基板を取り出した。
【００５０】取りだしたガラス基板１０３の表面に残留
している有機物量をフーリエ変換赤外分光光度計によっ
て評価した。その結果を図５に示す。なお、比較のため
図５には、未処理のガラス基板についての測定結果併せ
て示してある。
【００５１】未処理のガラス基板では、１．２×１０15
分子／ｃｍ2の有機不純物が認められたのに対し、本実
施例のオゾンガス処理を行った基板では、オゾンガスの
処理時間とともに吸着有機物量は急激に減少し、処理時
間を３分以上ではフーリエ変換赤外分光光度計の検出限
界以下となることが分かった。
【００５２】以上の結果より、本発明により基体表面上
に残留している有機不純物を除去できることが明らかと
なった。
【００５３】本実施例ではガラス基板の温度は略々室温
の状態で実験を行ったが、基板を加熱することにより、
一層高い効果が得られることが確認されている。また、
例えば、紫外光を用いオゾンガスを励起させることによ
って、本実施例より低濃度のオゾンガスによって効率よ
く例えばガラス基板上の有機不純物を除去することも可
能である。
【００５４】（実施例３）本実施例では、ポリカーボネ
ート基板を用いて、実施例１と同様な処理を行った。
【００５５】本実施例では、基板の温度を１００℃とな
るように加熱Ｎ2ガスを基板に吹きつけ、真空処理室の
圧力を１．０ｋｇ／ｃｍ2となるまでＮ2ガスを供給し続
け、この後、排気速度３００（ｌ／ｓｅｃ）のターボ分
子ポンプ１０４と粗引きポンプ１０５によって、９０秒
間排気した。この操作を１０回繰り返した。これ以外
は、実施例１と同様である。
【００５６】次に、ゲートバルブ１０２’をあけ基板を
スパッタ装置（不図示）に搬送し、Ｃｒ膜を１００ｎｍ
成膜した。Ｃｒ膜の付着強度をテープ試験で評価した。
Ｃｒ膜をナイフで１ｍｍピッチの傷をつけ、テープを張
りつけた後一気にテープを引きはがした。比較のため、
本実施例の処理を行わずに成膜したＣｒ膜についても同
様な評価を行った。
【００５７】未処理のＣｒ膜では、ほば半数のＣｒ片が
剥離したのに対し、本実施例のＣｒ膜は全く剥離せず、
本実施例の処理により密着性の極めて優れた薄膜が形成
できることが分かった。
【００５８】（実施例４）本実施例では、図７（ａ）、
（ｂ）に示す構造の素子を図６に示す薄膜トランジスタ
製造装置を用いて作製した。
【００５９】図６において、６０１はロードロック室、
６０２は図１と同様の構造を有する真空処理室、６０３
はスパッタ装置、６０４はＳｉＮx用ＰＣＶＤ装置、６
０５はｉ型ａ−Ｓｉ用ＰＣＶＤ装置、６０６はｎ+型ａ
−Ｓｉ用ＰＣＶＤ装置、６０７は基板を各処理装置に振
り分けるためのトランスファー室である。
【００６０】まず、図７（ａ）に示す絶縁耐圧測定用素
子を作製し、絶縁耐圧に及ぼす本発明の処理の効果を調
べた。
【００６１】ガラス基板１０枚入りのカセットにロード
ロック室６０１に設置し内部を真空にした後、真空処理
室６０２内に基板を一枚ずつ搬送設置し、処理を行った
後トランスファー室６０７のカセット内に搬送収納し
た。真空処理室での処理は実施例２と同様にしてオゾン
ガスによる処理を５分間行い、続いて実施例１と同様に
して３００℃のＮ2ガスによる回分パージを５回行っ
た。
【００６２】次に、カセットの基板を一枚ずつスパッタ
室６０３に搬送して、Ｃｒ膜を１００ｎｍ形成した後、
再びトランスファー室のカセットに収納した。全ての基
板にＣｒ膜を形成後、ガラス基板を再びロードロック室
のカセットに戻して、外部に取り出した。
【００６３】Ｃｒ膜を所定の形状にパターニングして下
部電極７０２を形成した後、再びロードロック室６０１
に設置し、上記の方法と同様にしてオゾンおよびＮ2ガ
スによる処理を行い、トランスファー室のカセットに収
納した。続いて、ＳｉＮx用ＰＣＶＤ装置６０４でａ−
ＳｉＮx７０３を３００ｎｍ形成した。全ての基板にａ
−ＳｉＮx膜を形成後、スパッタ室６０３に基板を搬送
しＣｒ膜を１００ｎｍ形成し、上記と同様にしてロード
ロック室から外部に取り出した。
【００６４】Ｃｒ膜を所定の形状にパターニングして上
部電極７０２’を形成し、また下部電極を取り出すため
にＳｉＮx膜の窓開けを行い、基板１枚当たり図７
（ａ）の構造の素子を１００個作製した。
【００６５】また、比較サンプルとして、真空処理室６
０２での処理をしなかったことを除いては、本実施例の
サンプルと同様にして図７（ａ）の構造の素子を作製し
た。
【００６６】以上のようにして作製したサンプルについ
て、それぞれ１０枚の基板で絶縁耐圧を測定したとこ
ろ、比較サンプルの値は６．０±１．０ＭＶ／ｃｍであ
ったのに対し、本実施例のサンプルは９．６±０．２Ｍ
Ｖ／ｃｍと高耐圧の上、ばらつきが小さいことが分かっ
た。
【００６７】次に、図６の装置を用いて、上記図７
（ａ）の素子と同様の操作により、図７（ｂ）に示す薄
膜トランジスタを１００個含む基板を１０枚作製した。
なお、ａ−ＳｉＮx（３００ｎｍ）７０３、ｉ型ａ−Ｓ
ｉ（１００ｎｍ）７０４、ｎ+型ａ−Ｓｉ（２０ｎｍ）
７０５はそれぞれＰＣＶＤ装置６０４、６０５、６０６
で連続して成膜した。また、Ａｌ７０６は他の装置で２
００ｎｍ成膜した。
【００６８】従来の薄膜トランジスタの場合、静電気に
より絶縁膜（ａ−ＳｉＮx）の破壊が計８個のトランジ
スタで起こったが、本実施例の薄膜トランジスタは、絶
縁膜の破壊は全くなく、安定して薄膜トランジスタを製
造できることが分かった。
【００６９】また、トランジスタの特性も安定し、閾値
のバラツキは±０．１Ｖと極めて安定したものであっ
た。一方、従来サンプルは、破壊したサンプルを除いて
±２Ｖであった。
【００７０】
【発明の効果】本発明により、ガラス基板またはプラス
チック基板であっても、付着力が高く、高品質な薄膜が
形成でき、その結果、より高性能で特性の安定した薄膜
トランジスタを高い歩留まりで製造することが可能にな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜トランジスタ製造装置の不純物除
去用真空処理室の一例を示す概念図である。
【図２】Ｎ2ガス温度と基板温度との関係を示すグラフ
である。
【図３】基板からの放出水分量と回分パージ数との関係
を示すグラフである。
【図４】Ｎ2ガス温度と基板からの放出水分濃度の関係
を示すグラフである。
【図５】オゾン処理時間と残留有機不純物量との関係を
示すグラフである。
【図６】本発明の薄膜トランジスタ製造装置の一例を示
す概念図である。
【図７】評価に用いた素子の構造を示す概念図である。
【符号の説明】
１０１ 真空処理室、 １０２、１０２’ ゲートバルブ、 １０３ 基板、 １０４ ターボ分子ポンプ、 １０５ 粗引きポンプ、 １０７、１１５、１２２ バルブ、 １０８、１０８’ 真空排気通路、 １０９ 基板、 １１０ 加熱手段（ヒータ）、 １１１ 不活性ガスを吹き出す手段、 １１２ ガス供給通路、 １１３ ヒータ、 １１４ マスフローコントローラ、 １１６ 圧力計、 １１９ オゾンガス吹き出し手段、 １２０ ガス供給通路、 １２１ マスフローコントローラ、 ６０１ ロードロック室、 ６０２ 真空処理室、 ６０３ スパッタ装置、 ６０４ ＳｉＮx用ＰＣＶＤ装置、 ６０５ ｉ型ａ−Ｓｉ用ＰＣＶＤ装置、 ６０６ ｎ+型ａ−Ｓｉ用ＰＣＶＤ装置、 ６０７ トランスファー室、 ７０１ ガラス基板、 ７０２、７０２’ Ｃｒ膜、 ７０３ ａ−ＳｉＮx、 ７０４ ｉ型ａ−Ｓｉ、 ７０５ ｎ+型ａ−Ｓｉ、 ７０６ Ａｌ膜。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ガラス基板またはプラスチック基板上に
    薄膜トランジスタを作製する薄膜トランジスタ製造方法
    であって、薄膜トランジスタを構成する薄膜を形成する
    前に、前記基板を設置した空間に所定の温度に加熱した
    不活性ガスを導入し、前記基板と前記不活性ガスを接触
    させて基板表面の不純物を除去することを特徴とする薄
    膜トランジスタ製造方法。
  2. 【請求項２】 ガラス基板またはプラスチック基板上に
    薄膜トランジスタを作製する薄膜トランジスタ製造方法
    であって、薄膜トランジスタを構成する薄膜を形成する
    前に、前記基板を所定の温度に加熱した状態で前記基板
    を設置した空間内に不活性ガスを導入し、前記基板と前
    記不活性ガスを接触させて基板表面の不純物を除去する
    ことを特徴とする薄膜トランジスタ製造方法。
  3. 【請求項３】 前記不活性ガスの導入を所定の圧力にな
    るまで行い、続いて３００（ｌ／ｓｅｃ）以上の排気速
    度で所定の圧力まで急激に排気するという操作を、繰り
    返し行うことを特徴とする請求項１または２に記載の薄
    膜トランジスタ製造方法。
  4. 【請求項４】 前記不活性ガス中の不純物濃度は、１ｐ
    ｐｂ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれ
    か１項に記載の薄膜トランジスタ製造方法。
  5. 【請求項５】 前記不活性ガスの代わりに、オゾンまた
    はオゾンを含む混合ガスを用いることを特徴とする請求
    項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ製造
    方法。
  6. 【請求項６】 前記不活性ガスにより不純物を除去する
    前に、オゾンまたはオゾンを含む混合ガスを前記空間内
    に導入して前記基板と接触させ、その後真空状態にする
    ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の
    薄膜トランジスタ製造方法。
  7. 【請求項７】 ガラス基板またはプラスチック基板表面
    の不純物を除去するための真空処理室と、該基板上に薄
    膜トランジスタを構成する薄膜を形成するための成膜室
    を少なくとも１つ有する薄膜トランジスタ製造装置であ
    って、前記真空処理室は、不活性ガスまたは／及びオゾ
    ンを加熱して吹き出す手段と、排気手段と、前記成膜室
    との間で基板を搬出入するための手段とを有することを
    特徴とする薄膜トランジスタ製造装置。
  8. 【請求項８】 前記真空処理室は、前記基板の加熱手段
    を有することを特徴とする請求項７に記載の薄膜トラン
    ジスタ製造装置。
  9. 【請求項９】 前記排気手段は、３００（ｌ／ｓｅｃ）
    以上の排気速度を有することを特徴とする請求項７また
    は８に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
  10. 【請求項１０】 前記真空処理室の内面は、酸化クロム
    不動態膜が形成されていることを特徴とする請求項７〜
    ９のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ製造装置。
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