JPH08125074A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH08125074A JPH08125074A JP26234894A JP26234894A JPH08125074A JP H08125074 A JPH08125074 A JP H08125074A JP 26234894 A JP26234894 A JP 26234894A JP 26234894 A JP26234894 A JP 26234894A JP H08125074 A JPH08125074 A JP H08125074A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- heat dissipation
- heat
- semiconductor element
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置自体の発生させさせる熱を半導体
装置外部に放出するために、半導体装置の熱抵抗値を小
さくし、半導体素子から放熱部品へ直接的に熱を伝達す
る半導体装置を提供する。 【構成】 ダイパッドとしての放熱部品１２に半導体素
子１１と半導体素子の外周を取り囲む放熱部品１３を取
り付け、インナーリード１５と半導体素子を細線１６に
よりボンディングした後、半導体素子の配線パターン形
成面側に取り付ける放熱部品１４を取り付け、パッケー
ジ１７を形成する。 【効果】 半導体素子の周囲に放熱部品を取り付けるこ
とにより半導体装置の熱抵抗を減少させ、半導体素子か
ら放熱部品へ直接的に熱を伝達することにより、半導体
装置の放熱性を向上させることができる。
装置外部に放出するために、半導体装置の熱抵抗値を小
さくし、半導体素子から放熱部品へ直接的に熱を伝達す
る半導体装置を提供する。 【構成】 ダイパッドとしての放熱部品１２に半導体素
子１１と半導体素子の外周を取り囲む放熱部品１３を取
り付け、インナーリード１５と半導体素子を細線１６に
よりボンディングした後、半導体素子の配線パターン形
成面側に取り付ける放熱部品１４を取り付け、パッケー
ジ１７を形成する。 【効果】 半導体素子の周囲に放熱部品を取り付けるこ
とにより半導体装置の熱抵抗を減少させ、半導体素子か
ら放熱部品へ直接的に熱を伝達することにより、半導体
装置の放熱性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱性を向上した半導
体装置に関するものである。
体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、回路の大規模化、
高集積化に伴い、半導体装置自体の発生させる熱による
影響を無視できなくなってきており、半導体装置は、半
導体装置自体の発生させる熱を半導体装置外部に放出す
るために、半導体装置の外部に放熱部品を取り付ける方
法をとっている。
高集積化に伴い、半導体装置自体の発生させる熱による
影響を無視できなくなってきており、半導体装置は、半
導体装置自体の発生させる熱を半導体装置外部に放出す
るために、半導体装置の外部に放熱部品を取り付ける方
法をとっている。
【０００３】図４は、半導体装置の放熱方法の一手法と
してフィンとヒートパイプを放熱部品としてパッケージ
に取り付けた状態を示すものである。図４において、４
１は半導体素子、４２はダイパッド、４３はインナーリ
ード、４４は細線、４５はパッケージ、４６は放熱部品
としてのフィン、４７は放熱部品としてのピートパイ
プ、４８は基板である。このように、従来においては、
半導体装置を冷却する場合には、半導体装置外部に取り
付けた放熱部品により周辺空気、あるいは基板に放熱す
る方法をとっていた。
してフィンとヒートパイプを放熱部品としてパッケージ
に取り付けた状態を示すものである。図４において、４
１は半導体素子、４２はダイパッド、４３はインナーリ
ード、４４は細線、４５はパッケージ、４６は放熱部品
としてのフィン、４７は放熱部品としてのピートパイ
プ、４８は基板である。このように、従来においては、
半導体装置を冷却する場合には、半導体装置外部に取り
付けた放熱部品により周辺空気、あるいは基板に放熱す
る方法をとっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来の構成では、半導体素子と半導体装置外部に取り付け
た放熱部品の間に熱伝導率の低いダイパッドやパッケー
ジがあり、前記ダイパッドやパッケージの影響により半
導体装置の熱抵抗値が大きく、半導体装置内部の半導体
素子で発生した熱を放熱部品に直接的に伝達させること
ができないという問題点を有していた。
来の構成では、半導体素子と半導体装置外部に取り付け
た放熱部品の間に熱伝導率の低いダイパッドやパッケー
ジがあり、前記ダイパッドやパッケージの影響により半
導体装置の熱抵抗値が大きく、半導体装置内部の半導体
素子で発生した熱を放熱部品に直接的に伝達させること
ができないという問題点を有していた。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、半導体装置の熱抵抗値を小さくし、半導体素子か
ら放熱部品へ直接的に熱を伝達する半導体装置を提供す
ることを目的とする。
ので、半導体装置の熱抵抗値を小さくし、半導体素子か
ら放熱部品へ直接的に熱を伝達する半導体装置を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体装置は、半導体素子の周囲に絶縁し
て放熱部品を取り付けるという構成を有している。
めに本発明の半導体装置は、半導体素子の周囲に絶縁し
て放熱部品を取り付けるという構成を有している。
【０００７】
【作用】本発明は上記の方法により、パッケージ内部に
おいて半導体素子の周囲に絶縁して放熱部品を配置し、
半導体装置の熱抵抗値を小さくし、半導体素子から放熱
部品へ直接的に熱を伝達することにより、半導体装置の
放熱性を向上させることができる。
おいて半導体素子の周囲に絶縁して放熱部品を配置し、
半導体装置の熱抵抗値を小さくし、半導体素子から放熱
部品へ直接的に熱を伝達することにより、半導体装置の
放熱性を向上させることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の実施例につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
【０００９】（実施例１）本実施例の半導体装置の構成
を図１を用いて説明する。図１において、ダイパッドと
しての放熱部品１２に半導体素子１１と半導体素子の外
周を取り囲む放熱部品１３を取り付け、インナーリード
１５と半導体素子を細線１６によりボンディングした
後、半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける放
熱部品１４を取り付け、パッケージ１７を形成する。
を図１を用いて説明する。図１において、ダイパッドと
しての放熱部品１２に半導体素子１１と半導体素子の外
周を取り囲む放熱部品１３を取り付け、インナーリード
１５と半導体素子を細線１６によりボンディングした
後、半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける放
熱部品１４を取り付け、パッケージ１７を形成する。
【００１０】このように、放熱部品１２、１３、１４を
半導体素子の周囲に絶縁して設けたことにより、半導体
素子から発生する熱は直接これらの放熱部品に伝達さ
れ、半導体装置の熱抵抗値が低下し、半導体装置の放熱
性が飛躍的に向上する。
半導体素子の周囲に絶縁して設けたことにより、半導体
素子から発生する熱は直接これらの放熱部品に伝達さ
れ、半導体装置の熱抵抗値が低下し、半導体装置の放熱
性が飛躍的に向上する。
【００１１】なお、本実施例では放熱部品１２、１３、
１４を設けたが、これらの放熱部品はそれぞれ単独でも
効果を持つことは云うまでもない。
１４を設けたが、これらの放熱部品はそれぞれ単独でも
効果を持つことは云うまでもない。
【００１２】（実施例２）図２に本発明の第２の実施例
の半導体装置の構成を示す。図２に示すように、ダイパ
ッドとしての放熱部品２２に半導体素子２１と半導体素
子の外周を取り囲む放熱部品２３を取り付け、インナー
リード２５と半導体素子を細線２６によりボンディング
した後、半導体素子の配線パターン形成面側に取り付け
る放熱部品２４を取り付け、ダイパッドとしての放熱部
品と半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける放
熱部品の一部が露出するようにパッケージ２７を形成す
る。
の半導体装置の構成を示す。図２に示すように、ダイパ
ッドとしての放熱部品２２に半導体素子２１と半導体素
子の外周を取り囲む放熱部品２３を取り付け、インナー
リード２５と半導体素子を細線２６によりボンディング
した後、半導体素子の配線パターン形成面側に取り付け
る放熱部品２４を取り付け、ダイパッドとしての放熱部
品と半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける放
熱部品の一部が露出するようにパッケージ２７を形成す
る。
【００１３】本実施例の半導体装置では、放熱部品がパ
ッケージの外部に露出しているため、熱が周辺空気や基
板等に直接放熱され、より効率的な放熱が可能となる。
ッケージの外部に露出しているため、熱が周辺空気や基
板等に直接放熱され、より効率的な放熱が可能となる。
【００１４】さらにフィン２８、ヒートパイプ２９とし
て半導体装置外部に放熱部品その露出部分に取り付ける
ことにより、より放熱効果が高まる。
て半導体装置外部に放熱部品その露出部分に取り付ける
ことにより、より放熱効果が高まる。
【００１５】（実施例３）図３は本発明の第３の実施例
の半導体装置の構成を示す図である。
の半導体装置の構成を示す図である。
【００１６】図３において、形状の一部が半導体素子外
部に取り付けられる放熱部品として加工されたダイパッ
ドとしての放熱部品３２に半導体素子３１と半導体素子
の外周を取り囲む放熱部品３３を取り付け、インナーリ
ード３５と半導体素子を細線３６によりボンディングし
た後、半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける
形状の一部が半導体素子外部に取り付けられる放熱部品
として加工された放熱部品３４を取り付け、形状の一部
が半導体素子外部に取り付けられる放熱部品として加工
されたダイパッドとしての放熱部品と配線パターン形成
面側に取り付ける形状の一部が半導体素子外部に取り付
けられる放熱部品として加工された放熱部品の半導体素
子外部に取り付けられる放熱部品として加工された一部
分が露出するようにパッケージ３７を形成する。
部に取り付けられる放熱部品として加工されたダイパッ
ドとしての放熱部品３２に半導体素子３１と半導体素子
の外周を取り囲む放熱部品３３を取り付け、インナーリ
ード３５と半導体素子を細線３６によりボンディングし
た後、半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける
形状の一部が半導体素子外部に取り付けられる放熱部品
として加工された放熱部品３４を取り付け、形状の一部
が半導体素子外部に取り付けられる放熱部品として加工
されたダイパッドとしての放熱部品と配線パターン形成
面側に取り付ける形状の一部が半導体素子外部に取り付
けられる放熱部品として加工された放熱部品の半導体素
子外部に取り付けられる放熱部品として加工された一部
分が露出するようにパッケージ３７を形成する。
【００１７】本実施例によれば前述の実施例の効果に加
え、半導体装置の周辺に配置された放熱部品とパッケー
ジの外部に取り付けられる放熱部品とを一体に形成して
いるため、より少ない作業工数で半導体装置の製造が可
能となる。
え、半導体装置の周辺に配置された放熱部品とパッケー
ジの外部に取り付けられる放熱部品とを一体に形成して
いるため、より少ない作業工数で半導体装置の製造が可
能となる。
【００１８】
【発明の効果】以上のように本発明は、半導体素子の周
囲に放熱部品を取り付けることにより半導体装置の熱抵
抗を減少させ、半導体素子から放熱部品へ直接的に熱を
伝達することにより、半導体装置の放熱性を向上させる
ことができる。
囲に放熱部品を取り付けることにより半導体装置の熱抵
抗を減少させ、半導体素子から放熱部品へ直接的に熱を
伝達することにより、半導体装置の放熱性を向上させる
ことができる。
【図１】半導体素子の周囲に放熱部品を取り付けた半導
体装置を示す図
体装置を示す図
【図２】半導体素子の周囲に取り付けた放熱部品をパッ
ケージ外部に露出させた半導体装置を示す図
ケージ外部に露出させた半導体装置を示す図
【図３】半導体素子の周囲に取り付ける放熱部品と半導
体装置の外部に取り付ける放熱部品を一体化した半導体
装置を示す図
体装置の外部に取り付ける放熱部品を一体化した半導体
装置を示す図
【図４】従来の半導体装置の構成を示す図
１１ 半導体素子 １２ ダイパッドとしての放熱部品 １３ 半導体素子の外周を取り囲む放熱部品 １４ 半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける
放熱部品 １５ インナーリード １６ 細線 １７ パッケージ ２１ 半導体素子 ２２ ダイパッドとしての放熱部品 ２３ 半導体素子の外周を取り囲む放熱部品 ２４ 半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける
放熱部品 ２５ インナーリード ２６ 細線 ２７ パッケージ ２８ フィンとして半導体装置外部に取り付ける放熱部
品 ２９ ヒートパイプとして半導体装置外部に取り付ける
放熱部品 ３１ 半導体素子 ３２ 形状の一部が半導体素子外部に取り付けられる放
熱部品として加工されたダイパッドとしての放熱部品 ３３ 半導体素子の外周を取り囲む放熱部品 ３４ 半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける
形状の一部が半導体素子外部に取り付けられる放熱部品
として加工された放熱部品 ３５ インナーリード ３６ 細線 ３７ パッケージ ４１ 半導体素子 ４２ ダイパッド ４３ インナーリード ４４ 細線 ４５ パッケージ ４６ 放熱部品としてのフィン ４７ 放熱部品としてのピートパイプ ４８ 基板
放熱部品 １５ インナーリード １６ 細線 １７ パッケージ ２１ 半導体素子 ２２ ダイパッドとしての放熱部品 ２３ 半導体素子の外周を取り囲む放熱部品 ２４ 半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける
放熱部品 ２５ インナーリード ２６ 細線 ２７ パッケージ ２８ フィンとして半導体装置外部に取り付ける放熱部
品 ２９ ヒートパイプとして半導体装置外部に取り付ける
放熱部品 ３１ 半導体素子 ３２ 形状の一部が半導体素子外部に取り付けられる放
熱部品として加工されたダイパッドとしての放熱部品 ３３ 半導体素子の外周を取り囲む放熱部品 ３４ 半導体素子の配線パターン形成面側に取り付ける
形状の一部が半導体素子外部に取り付けられる放熱部品
として加工された放熱部品 ３５ インナーリード ３６ 細線 ３７ パッケージ ４１ 半導体素子 ４２ ダイパッド ４３ インナーリード ４４ 細線 ４５ パッケージ ４６ 放熱部品としてのフィン ４７ 放熱部品としてのピートパイプ ４８ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】パッケージ内部において半導体素子と前記
半導体素子の周囲に絶縁して配置された少なくとも一つ
の放熱部品とを備えた半導体装置。 - 【請求項２】パッケージ内部において半導体素子の周囲
に絶縁して配置された放熱部品の内、少なくとも一つが
パッケージ外部まで延長され、その一部が露出された請
求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】パッケージ内部において半導体素子の周囲
に絶縁して配置された放熱部品と、パッケージ外部に取
り付ける放熱部品とが一体に形成された請求項１記載の
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26234894A JPH08125074A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26234894A JPH08125074A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125074A true JPH08125074A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17374502
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26234894A Pending JPH08125074A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08125074A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244238A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| JP2019096790A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | トヨタ自動車株式会社 | 冷却装置 |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP26234894A patent/JPH08125074A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008244238A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
| JP2019096790A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | トヨタ自動車株式会社 | 冷却装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH02306656A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH06252285A (ja) | 回路基板 | |
| JPH06291225A (ja) | 半導体装置 | |
| US5939781A (en) | Thermally enhanced integrated circuit packaging system | |
| US6643136B2 (en) | Multi-chip package with embedded cooling element | |
| JP2008235576A (ja) | 電子部品の放熱構造及び半導体装置 | |
| JP2003188565A (ja) | 表面実装用電子部品の放熱構造 | |
| JPH0927575A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH08125074A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61144855A (ja) | 半導体回路のためのパツケージ | |
| JPH03174749A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2888183B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH0661408A (ja) | 表面実装型半導体装置 | |
| JP2005327791A (ja) | 半導体装置およびその実装構造 | |
| JPH10313081A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2765242B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JP2815917B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP4632199B2 (ja) | 半導体装置とその製造方法および半導体チップの実装方法 | |
| JPH06104309A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0627956Y2 (ja) | 電子回路モジュール | |
| JPH0722547A (ja) | 半導体装置 | |
| JP4178787B2 (ja) | マルチチップモジュール | |
| JPS5821179Y2 (ja) | 半導体部品の放熱装置 | |
| JPH06181395A (ja) | 放熱形プリント配線板 | |
| JP2004281643A (ja) | 放熱構造 |