JPH08124703A - シーズ抵抗器 - Google Patents

シーズ抵抗器

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JPH08124703A
JPH08124703A JP26035794A JP26035794A JPH08124703A JP H08124703 A JPH08124703 A JP H08124703A JP 26035794 A JP26035794 A JP 26035794A JP 26035794 A JP26035794 A JP 26035794A JP H08124703 A JPH08124703 A JP H08124703A
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JP
Japan
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resistor
metal
resistance wire
resistance
cylinder
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Application number
JP26035794A
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English (en)
Inventor
Masahiro Ashitani
正裕 芦谷
Miyoshi Maki
美好 牧
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TOYO DENKI KK
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
TOYO DENKI KK
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 スナバ抵抗器に好適な耐熱温度が高くしかも
低インダクタンスが実現できる無誘導のシーズ抵抗器を
得ることを目的とする。 【構成】 抵抗線1を金属筒2に同軸状に挿通して一端
を金属筒2の一端に接合した後に、金属筒2の内壁と抵
抗線1の間に絶縁材2を充填すると共に金属筒1の両端
面をエポキシ樹脂5で封止し、金属抵抗線1と金属筒2
の他端にそれぞれ接続端子3a,3bを設けている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、スナバ抵抗器に好適
な耐熱温度が高くしかも低インダクタンスが実現できる
無誘導のシーズ抵抗器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4は一般的なサージ吸収用のスナバ回
路の構成図である。図において、Trはスイッチング素
子としてトランジスタ、Dはダイオード、Cはコンデン
サである。トランジスタTrのコレクタにはダイオード
Dのアノードが、そしてダイオードDのカソードには一
端がトランジスタTrのエミッタに接続されたコンデン
サCが直列接続されている。更に、コンデンサCにはシ
リコン抵抗からなるスナバ抵抗器Rが並列接続されてい
る。
【0003】ここで、スナバ抵抗器Rの性質について述
べると。例えば、大電力用のトランジスタTrが負荷に
電流を流している状態で、オフ動作するとトランジスタ
Trにμsecオーダの時間で瞬時的に2000A近い
サージ電流が流れることがある。
【0004】そのため、トランジスタTrをサージ電流
による永久破壊から保護する目的で、サージ電流をダイ
オードDを通してコンデンサCに充電し、また充電され
た電荷をスナバ抵抗器Rを通して放電させる必要があ
る。
【0005】しかしながら、この充放電は非常に高速で
行われるため充放電電流は数百KHzの高周波電流とな
る。従って、インピーダンスが変化しない低インダクタ
ンスのスナバ抵抗器R、及びコンデンサCが必要とされ
る。そして、スナバ抵抗器Rとしては図5に概略構成を
示した低インダクタンスのシリコン抵抗が使用されてい
た。
【0006】構成としては、耐熱性の高いベークライト
或いはセラミックの基板Aに長手方向に向けて連続した
波形の溝Bを形成し、溝Bに沿って例えば鉄クロームの
抵抗線Cを這わせる。その後、基板A全体をシリコン樹
脂Sで封止して抵抗線Cを外気との接触から遮断する。
その結果、抵抗線C間の絶縁が、外部の湿気、或いは導
電性の塵等により劣化してショートすることはない。
【0007】しかも、抵抗線Cは波形に這わせてあるた
め隣接する抵抗線Cに流れる電流は互いに逆向きとな
り、相互インダクタンスにより抵抗線Cのインダクタン
スが相殺されて低下して低インダクタンス抵抗器が実現
できる。従って、これらダイオードD、コンデンサC、
スナバ抵抗器Rをスナバ回路に用いることで、トランジ
スタTrのオフ時に発生したサージを吸収することがで
きる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従来のスナバ抵抗器は
以上のような構成になっているため、低インダクタンス
は実現できたが全体がシリコン樹脂で封止されているこ
とで放熱性が悪く、通電により抵抗線に発生したジュー
ル熱を効率よく放散することができず、最悪な場合には
熱によって抵抗線が燃損したり絶縁が劣化することがあ
った。
【0009】そのため、大きなサージ電流が流れるよう
な場合に備えてスナバ抵抗器Rを複数個並列に接続して
サージ電流の分散を図り、個々のスナバ抵抗器Rによる
電力消費を抑えて発熱を抑えていた。従って、複数個の
スナバ抵抗器を備えることでスナバ回路全体が大形化す
ると共に、スナバ抵抗器間の接続による手間がかかると
いう問題点があった。
【0010】また、発熱の問題を解消する方法として、
特公昭60ー46788号公報に記載れたシーズヒータ
に用いられている最高使用温度1200°以上の高耐熱
性を有する抵抗材である鉄クローム線をスナバ抵抗器と
して使用することも考えられる。図6はシーズヒータの
一部を示す断面図である。このシーズヒータは両端にタ
ーミナルピンを有するコイル状の電熱線(例えば、鉄ク
ローム)1を金属管2に挿通し、電熱線1と金属管2の
内壁の間に絶縁材(酸化マグネシュームの粉末)3を充
填した後に、金属管2の両端面をエポキシ樹脂等の封口
材4で封止する。
【0011】この結果、サージ電流によって発生するジ
ュール熱に対して十分に耐熱性の高いスナバ抵抗器を実
現できる。しかしながら、シーズヒータに用いられる抵
抗線のインダクタンスは1m当たり1μHあり、スナバ
抵抗器として要求される0.5μH以下の低インダクタ
ンスを抵抗値の関係から実現することは困難であった。
【0012】従って、シリコン抵抗器では鉄クロームの
有する高耐熱性が得られず、鉄クロームによる抵抗材で
は抵抗値の選択から抵抗線の長さが決まりシリコン抵抗
器の有する低インダクタンス性を得ることが出来なかっ
た。
【0013】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、耐熱性に優れると共に低インダ
クタンスなスナバ抵抗器に好適なシーズ抵抗器を得るこ
とを目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】請求項1に係るシーズ抵
抗器は、金属抵抗線を金属筒に同軸状に挿通して一端を
前記金属筒の一端に接合し、前記金属抵抗線と金属筒の
他端にそれぞれ外部接続端子を設けたものである。
【0015】請求項2に係るシーズ抵抗器は、請求項1
に記載のシーズ抵抗器において、金属筒の内壁と金属抵
抗線の間に絶縁材を充填し、前記金属筒の両端面を封口
材で封止したものである。
【0016】請求項3に係るシーズ抵抗器は、請求項1
または2に記載のシーズ抵抗器において、金属筒を絶縁
材を介して放熱管に収納したものである。
【0017】請求項4に係るシーズ抵抗器は、請求項2
または3に記載のシーズ抵抗器において、絶縁材は耐熱
性と共に伝熱性を有している。
【0018】
【作用】請求項1の発明におけるシーズ抵抗器は、金属
筒に同軸状に挿通させた金属抵抗線を電流入路とし、金
属筒を電流入路と逆方向に電流が流れる電流帰路とする
ことで、抵抗線のインダクタンスを低下させた高耐熱性
の抵抗器を実現することができる。
【0019】請求項2の発明におけるシーズ抵抗器は、
金属筒に同軸状に挿通させた金属抵抗線を電流入路と
し、金属筒を電流入路と逆方向に電流が流れる電流帰路
とするとともに、金属筒の内壁面と挿通させた金属抵抗
線の間に絶縁材を充填し金属筒の両端面を封止するこ湿
気による絶縁低下を防止できる。
【0020】請求項3の発明におけるシーズ抵抗器は、
金属筒に同軸状に挿通させた金属抵抗線の一端を金属筒
の一端に接続して構成した抵抗器を放熱管に収納し、放
熱管外壁面と金属管内壁面との間に絶縁材を充填するこ
とで絶縁及び放熱性を確保することができる。
【0021】請求項4の発明におけるシーズ抵抗器は、
金属筒に同軸状に挿通させた金属抵抗線の一端を金属筒
の一端に接続して構成した抵抗器を放熱管に収納し、放
熱管外壁面と金属管内壁面との間に耐熱性および伝熱性
を有した絶縁材を充填することで絶縁と共に放熱効果が
向上する。
【0022】
【実施例】
実施例1.以下、この発明の一実施例を説明する前に低
インダクタンスのシーズ抵抗の基本的な構成について説
明する。例えば、図1の(a)ように2本の抵抗線(金
属抵抗線)1をより合わせてツイストペアー線を構成
し、各抵抗線1の各一端に接続端子3a,3bを接続し
て各他端を共に接続することで各抵抗線は密に隣接する
ことができると共に、各抵抗線1による電流入路と電流
帰路とが逆方向になることで抵抗線1のインダクタンス
を低下させることができる。
【0023】また、同図の(b)に示すように抵抗線1
を金属管2に同軸状に挿通させ、挿通した抵抗線1の一
端部を金属管2の一端面に接続し、金属管2の他端面と
抵抗線1の他端部に接続端子3a,3bを設けること
で、挿通された抵抗線1を電流入路とし金属管2を電流
帰路とした低インダクタンスの抵抗器を形成することが
できる。
【0024】更に、また、構成がより簡易な低インダク
タンス抵抗器としては、同図の(c)に示すように各一
端に接続端子3a,3bを接続した2本の抵抗線1を密
着して平行に配線して各他端部を接続してU字形を形成
することで低インダクタンスの抵抗を形成することがで
きる。即ち、基本的には1本の抵抗線1をU字状に折曲
し2本の抵抗線を平行に隣接させる。
【0025】次に、この発明の一実施例を図1の(b)
を基本構成にした図2に基づいて説明する。図2はこの
発明の一実施例によるシーズ抵抗器の縦断面図である。
図において、1は抵抗線であり、この抵抗線1は最高使
用温度が1,200°以上であり、体積抵抗率1.42
±0.06(μΩ・m)の鉄クロム合金等が抵抗材とし
て使用されている。3aは抵抗線1の一端に接続に接続
されたターミナルピン(接続端子)であって外部電気部
品に接続される。3cは抵抗線1の他端に接続されたタ
ーミナルピンであって接続線3dを介して後述する金属
管の一端面に接続されている。
【0026】2は抵抗線1が同軸状に挿通された円柱状
の金属管であり、この金属管2の内壁面と抵抗線1との
間には絶縁性、耐熱性、伝熱性の共に良好な酸化マグネ
シウムの粉末が絶縁材4として充填されている。金属管
2の両端部にエポキシ樹脂等のような封口材5が充填さ
れてターミナルピン3a,3cを金属管1端面の中央に
固着させる共に、充填された絶縁材4を外気と遮断して
湿気が侵入するのを防いで抵抗線1と金属管2間の絶縁
性を維持している。3bはターミナルピン1aの挿入さ
れる側の金属管1の端部に接続されている接続端子であ
る。
【0027】このように、本来1mつき約1μHの配線
インダクタンスを有する抵抗線1と金属管2でシーズ抵
抗器を構成すると、シーズ抵抗器のインダクタンスはス
ナバ抵抗器Rに要求される0.5μH以下となる。これ
は、即ちターミナルピン3a、抵抗線1、ターミナルピ
ン3cを通して流入したサージ電流は、接続線3d、金
属管2、接続端子4を通して流入方向と逆方向に流れ、
シリコン抵抗器と同様にインダクタンスが低下する。
【0028】また、抵抗線1に電流が流れるとジュール
熱が発生して500°以上の高温になるが、抵抗線1の
最高使用温度は1,200°以上許容されているため焼
損することはない。抵抗線1の発熱は伝熱性に優れた絶
縁材2aを通して金属管2に伝導されると、金属管2は
ヒートヒンカーとなって熱を大気中に発散することで耐
熱性に優れ、且つ、低インダクタンスのシーズ抵抗器が
実現できる。
【0029】実施例2.上記、実施例1におけるシーズ
抵抗器は金属管2にも電流が流れるため、スナバ回路に
シーズ抵抗器をスナバ抵抗器として取り付ける場合は、
他の電材と接触してショートしないように注意する必要
がある。
【0030】従って、本実施例ではシーズ抵抗器自体を
放熱効果の高い金属性の筒体に収納し、この筒体の内壁
とシーズ抵抗器を構成する金属管の間に熱伝導性の高い
酸化マグネシュームの粉末の絶縁材を充填しても良い。
【0031】図3は本実施例に係るシーズ抵抗器の縦断
面図である。尚、図中、図2と同一符号は同一又は相当
部分を示す。図において、6は実施例1に示すシーズ抵
抗器の横断面形状と同様の形状を有した放熱管としての
金属性の筒体であり、この筒体の径は金属管2の径より
十分大きく、且つ、シーズ抵抗器自体の全長より長くす
る。
【0032】7は筒体5に収納された金属管2の外壁面
と筒体6の内壁面の間に充填され酸化マグネシュームの
粉末からなる絶縁材である。金属管2を筒体6内で同軸
状に固定するため、筒体6の両端面にエポキシ樹脂8を
充填して金属管2を筒体6内に膠着させる。
【0033】この時、筒体6の一端面はエポキシ樹脂8
により完全に封止されるが、他端面からはエポキシ樹脂
8を通してシーズ抵抗器のタミナルピン3aと接続端子
3bが外部に延伸している。また、筒体6の上部の外周
面には取り付け用の開口部10a,10bを有したフラ
ンジ9が溶接されている。
【0034】このように、シーズ抵抗器を構成すること
で、ターミナルピン3a、抵抗線1、ターミナルピン3
cを通して流入したサージ電流は、接続線3d、金属管
2、接続端子4を通して流入方向と逆方向に流れ、実施
例1のシーズ抵抗器と同様に抵抗線のインダクタンスが
低下する。
【0035】また、抵抗線1に電流が流れると当然ジュ
ール熱は発生して500°以上の高温になるが、抵抗線
1の最高使用温度は1,200°以上許容されるため焼
損することはない。抵抗線1の発熱は伝熱性に優れた絶
縁材2aを通して金属管2に伝導される。そして、金属
管2に伝導した熱は、金属管2と筒体6の間に充填され
た絶縁材7により筒体6に伝わり筒体6より大気中に放
散される。
【0036】更に、筒体6をフランジ9を介してスナバ
回路を構成する電材に固定し、筒体6より露出されたタ
ーミナルピン3aと接続端子3bをダイオード9(図4
を参照)のカソードとアノードに接続することで、接続
部分にはシーズ抵抗器自体の重みがかからず機械的強度
が保てる。更に、シーズ抵抗器を構成する金属管5と筒
体6との間の絶縁は十分に保たれているため筒体6より
電流がリークすることがなく安全性に優れている。
【0037】尚、本実施例では筒体6の表面を平坦にし
たが、表面積を増やし放熱効果を高めるために筒体表面
に連続して襞を形成しても良い。更に、金属管の内壁と
挿通される2本の抵抗線間の各絶縁距離、2本の抵抗線
間の絶縁距離が十分とれる径を有した金属管が、シーズ
抵抗器として使用可能であれば、各端部に接続端子を設
けた抵抗線をU字状に折曲して金属管に収納し、金属管
に内壁と各抵抗線間、及び各抵抗線間に酸化マグネシュ
ームの粉末等の絶縁材を充填することで、外部機器との
間の絶縁性に優れ、しかも放熱性に優れたシーズ抵抗を
実現することができる。必要に応じて、金属管の外周面
に放熱フィンを形成したり、取り付け用のフランジを設
けても良い。
【0038】
【発明の効果】請求項1の発明によれば、金属抵抗線を
金属筒に同軸状に挿通して一端を前記金属筒の一端に接
合し、前記金属抵抗線と金属筒の他端にそれぞれ外部接
続端子を設けたことで、金属筒に同軸状に挿通させた金
属抵抗線を電流入路とし、金属筒を電流入路と逆方向に
電流が流れる電流帰路とすることで、抵抗線のインダク
タンスを低下させた高耐熱性の抵抗器を実現することが
できるという効果がある。
【0039】請求項2の発明によれば、請求項1の効果
に加えて、金属筒の内壁と金属抵抗線の間に絶縁材を充
填して前記金属筒の両端面を封口材で封止したことで、
湿気による絶縁低下を防止できるという効果がある。
【0040】請求項3の発明によれば、請求項1または
2の効果に加えて、金属筒に同軸状に挿通させた金属抵
抗線の一端を金属筒の一端に接続して構成した抵抗器を
放熱管に収納し、放熱管外壁面と金属管内壁面との間に
絶縁材を充填することで絶縁及び放熱性を確保すること
ができるという効果がある。
【0041】請求項4の発明によれば、請求項2または
3の効果に加えて、金属筒に同軸状に挿通させた金属抵
抗線の一端を金属筒の一端に接続して構成した抵抗器を
放熱管に収納し、放熱管外壁面と金属管内壁面との間に
耐熱性および伝熱性を有した絶縁材を充填することで絶
縁と共に放熱効果が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明の一実施例によるシーズ抵抗器の基
本構成を示す図である。
【図2】 この発明の一実施例によるシーズ抵抗器の縦
断面図である。
【図3】 他の実施例によるシーズ抵抗器の縦断面図で
ある。
【図4】 スナバ回路の構成図である。
【図5】 シリコン抵抗器の概略の構成図である。
【図6】 シーズヒータの縦断面図である。
【符号の説明】
1 抵抗線、2 金属管、4 絶縁材、5 封止体、6
筒体、10 フランジ。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属抵抗線を金属筒に同軸状に挿通して
    一端を前記金属筒の一端に接合し、前記金属抵抗線と金
    属筒の他端にそれぞれ外部接続端子を設けたことを特徴
    とするシーズ抵抗器。
  2. 【請求項2】 金属筒の内壁と金属抵抗線の間に絶縁材
    を充填し、前記金属筒の両端面を封口材で封止したこと
    を特徴とする請求項1に記載のシーズ抵抗器。
  3. 【請求項3】 金属筒を絶縁材を介して放熱管に収納し
    たことを特徴とする請求項1または2に記載のシーズ抵
    抗器。
  4. 【請求項4】 絶縁材は耐熱性と共に伝熱性を有してい
    ることを特徴とする請求項2または3に記載のシーズ抵
    抗器。
JP26035794A 1994-10-25 1994-10-25 シーズ抵抗器 Pending JPH08124703A (ja)

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