JPH08122379A - 微小電磁波測定および強電磁波発生用セル - Google Patents
微小電磁波測定および強電磁波発生用セルInfo
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- JPH08122379A JPH08122379A JP6258619A JP25861994A JPH08122379A JP H08122379 A JPH08122379 A JP H08122379A JP 6258619 A JP6258619 A JP 6258619A JP 25861994 A JP25861994 A JP 25861994A JP H08122379 A JPH08122379 A JP H08122379A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】電磁界分布を均一とし、かつ、周波数特性を広
帯域にした微小電磁波測定および強電磁波発生用セルを
提供することを目的とする。 【構成】同軸管３の中心導体６より導出した中心導体ワ
イヤ８群を水平、かつ等間隔に配設し、同軸管３の外側
導体７より導出した外側導体ワイヤ９群を、前記中心導
体ワイヤ８群の上下において前記中心導体ワイヤ８群と
平行に配設し、中心導体ワイヤ８群と外側導体ワイヤ９
群の各端末間に抵抗１６を接続し、セル両側および終端
側に壁をなす電磁波吸収体４を配した微小電磁波測定お
よび強電磁波発生用セルの構成とする。
帯域にした微小電磁波測定および強電磁波発生用セルを
提供することを目的とする。 【構成】同軸管３の中心導体６より導出した中心導体ワ
イヤ８群を水平、かつ等間隔に配設し、同軸管３の外側
導体７より導出した外側導体ワイヤ９群を、前記中心導
体ワイヤ８群の上下において前記中心導体ワイヤ８群と
平行に配設し、中心導体ワイヤ８群と外側導体ワイヤ９
群の各端末間に抵抗１６を接続し、セル両側および終端
側に壁をなす電磁波吸収体４を配した微小電磁波測定お
よび強電磁波発生用セルの構成とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器その他移動体無
線通信機器等の微小電磁波（信号またはノイズ）の測
定、および電子機器等への強電磁波の照射試験（強電界
イミュニティ試験）に供するセルに関する。
線通信機器等の微小電磁波（信号またはノイズ）の測
定、および電子機器等への強電磁波の照射試験（強電界
イミュニティ試験）に供するセルに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に電子機器より発生する電磁波ノイ
ズや移動体無線通信機器の電磁波信号を測定する手段と
しては、図１４に示すようなオープンフィールドテスト
サイト、あるいは図１５に示す電磁波無響セルが使用さ
れている。
ズや移動体無線通信機器の電磁波信号を測定する手段と
しては、図１４に示すようなオープンフィールドテスト
サイト、あるいは図１５に示す電磁波無響セルが使用さ
れている。
【０００３】前記図１４に示すオープンフィールドテス
トサイトは、野外において供試器２１を供試器支持台２
２上に載置し、前記供試器２１より離れた位置にアンテ
ナポール２３を立設し、これにアンテナ２４を上下方向
にスライド自在に設け、アンテナ２４に対してアンテナ
ケーブル２５で測定器２６を接続した構成をとる。
トサイトは、野外において供試器２１を供試器支持台２
２上に載置し、前記供試器２１より離れた位置にアンテ
ナポール２３を立設し、これにアンテナ２４を上下方向
にスライド自在に設け、アンテナ２４に対してアンテナ
ケーブル２５で測定器２６を接続した構成をとる。
【０００４】そして放射電磁波ノイズ評価を行う場合に
は、前記供試器２１より放射される電磁波をアンテナ２
４で受けて、前記電磁波が規定値以下であるかどうかを
測定し、また、強電界照射試験をする場合には、アンテ
ナ２４より強電界を供試器２１に照射し、供試器２１に
おける異常状態、たとえば供試器２１が誤動作すること
などを測定する。
は、前記供試器２１より放射される電磁波をアンテナ２
４で受けて、前記電磁波が規定値以下であるかどうかを
測定し、また、強電界照射試験をする場合には、アンテ
ナ２４より強電界を供試器２１に照射し、供試器２１に
おける異常状態、たとえば供試器２１が誤動作すること
などを測定する。
【０００５】また、図１５に示す電磁無響セルは、外来
波をシールドするために鉄板２７で囲まれたセル２８を
構成し、その内周壁および天井には発泡ウレタンゴムに
カーボンを混入してなる数多くのくさび状の電磁波吸収
体２９を設け、セル２８内には前述と同様に供試器支持
台２２、アンテナポール２３、アンテナ２４および供試
器２１を設備し、同様な試験をするようにしている。
波をシールドするために鉄板２７で囲まれたセル２８を
構成し、その内周壁および天井には発泡ウレタンゴムに
カーボンを混入してなる数多くのくさび状の電磁波吸収
体２９を設け、セル２８内には前述と同様に供試器支持
台２２、アンテナポール２３、アンテナ２４および供試
器２１を設備し、同様な試験をするようにしている。
【０００６】さらに進んだものとして、図１６に示すＴ
ＥＭセルと、その改良したものとして図１７に示すＧＴ
ＥＭセルがある。前記図１６に示すＴＥＭセルは、高周
波発生器３０に接続された要素は基本的には同軸伝送路
であり、ほぼ矩形状のセル３１内に水平に配置された平
板状の中心導体板３２と、その上下及び側面にそれぞれ
間隔をもって平行に配置された外側導体板３３よりな
り、前記中心導体板３２と外側導体板３３間に電磁界を
発生させ、供試器２１は中心導体板３２と下方の外側導
体板３３の間に位置させて測定に供する構成としてい
る。なお、中心導体板３２と外側導体板３３の端末間に
は負荷３５を接続している。
ＥＭセルと、その改良したものとして図１７に示すＧＴ
ＥＭセルがある。前記図１６に示すＴＥＭセルは、高周
波発生器３０に接続された要素は基本的には同軸伝送路
であり、ほぼ矩形状のセル３１内に水平に配置された平
板状の中心導体板３２と、その上下及び側面にそれぞれ
間隔をもって平行に配置された外側導体板３３よりな
り、前記中心導体板３２と外側導体板３３間に電磁界を
発生させ、供試器２１は中心導体板３２と下方の外側導
体板３３の間に位置させて測定に供する構成としてい
る。なお、中心導体板３２と外側導体板３３の端末間に
は負荷３５を接続している。
【０００７】このＴＥＭセルは、中心導体板３２と外側
導体板３３間に均一な電磁界を発生させ、供試器２１の
測定をするものであり、外部への電磁波の漏洩もなく、
比較的に安定した試験ができる。
導体板３３間に均一な電磁界を発生させ、供試器２１の
測定をするものであり、外部への電磁波の漏洩もなく、
比較的に安定した試験ができる。
【０００８】しかし、前記ＴＥＭセルは、セルの形状が
ほぼ矩形をしており、内部のテーパーコーナ部で電磁波
の異常反射があって使用可能上限周波数が低下すること
から、図１７に示すＧＴＥＭセルが開発され、このＧＴ
ＥＭセルは、セル３６の形状がテーパーコーナ部を持た
ないように構成されている。すなわち、セル３６内にお
いて水平に配設された平板状の中心導体板３７と、その
上下に配置され、かつ放射状に配置された平板状の外側
導体板３８により構成され、供試器２１を前述と同様に
中心導体板３７と下方の外側導体板３８間に配置して測
定するようにしている。図中の３９は高周波発生器、４
０はウレタンゴムよりなる電磁波吸収体である。
ほぼ矩形をしており、内部のテーパーコーナ部で電磁波
の異常反射があって使用可能上限周波数が低下すること
から、図１７に示すＧＴＥＭセルが開発され、このＧＴ
ＥＭセルは、セル３６の形状がテーパーコーナ部を持た
ないように構成されている。すなわち、セル３６内にお
いて水平に配設された平板状の中心導体板３７と、その
上下に配置され、かつ放射状に配置された平板状の外側
導体板３８により構成され、供試器２１を前述と同様に
中心導体板３７と下方の外側導体板３８間に配置して測
定するようにしている。図中の３９は高周波発生器、４
０はウレタンゴムよりなる電磁波吸収体である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで前記図１４に
示すオープンテストサイトは、都会地では外来の環境電
磁波ノイズのレベルが高いために試験ができないことか
ら、野外に設置することを原則としている。したがって
不便であり、また、降雨、降雪、強風などの気象条件に
よって試験ができないことがある。また、外気温度の変
化、温度の変化などにより供試器２１の放射電磁波ノイ
ズのレベルが変化し、測定結果の再現性が得にくい。一
方、測定小屋などの構造物を設置する場合もあるが、そ
れにより供試器２１より放射する電磁波の反射を引き起
こし、特性を低下させる問題がある。特に強電界照射試
験は、他への電磁波妨害を引き起すために実施できな
い。
示すオープンテストサイトは、都会地では外来の環境電
磁波ノイズのレベルが高いために試験ができないことか
ら、野外に設置することを原則としている。したがって
不便であり、また、降雨、降雪、強風などの気象条件に
よって試験ができないことがある。また、外気温度の変
化、温度の変化などにより供試器２１の放射電磁波ノイ
ズのレベルが変化し、測定結果の再現性が得にくい。一
方、測定小屋などの構造物を設置する場合もあるが、そ
れにより供試器２１より放射する電磁波の反射を引き起
こし、特性を低下させる問題がある。特に強電界照射試
験は、他への電磁波妨害を引き起すために実施できな
い。
【００１０】つぎに図１５に示す電磁波無響セルは、シ
ールドセル構成となっているため、前述の欠点を補填す
るが、次のような問題がある。すなわち、電磁波吸収体
２９の長さは吸収すべき電磁波の半波長の長さが必要で
あり、放射される電磁波は周波数３０ＭＨｚ〜１ＧＨｚ
とすると、前記電磁波吸収体２９は少なくとも５ｍ以上
の長さにしなければならない。
ールドセル構成となっているため、前述の欠点を補填す
るが、次のような問題がある。すなわち、電磁波吸収体
２９の長さは吸収すべき電磁波の半波長の長さが必要で
あり、放射される電磁波は周波数３０ＭＨｚ〜１ＧＨｚ
とすると、前記電磁波吸収体２９は少なくとも５ｍ以上
の長さにしなければならない。
【００１１】また、床面が電磁波の全反射面となってい
るためハイトパターンが発生し、無響セル内寸法は有効
高さで５ｍ以上必要である。これらの条件より外殻寸法
で長さ１９ｍ、巾１６ｍ、高さ１０ｍ以上となり、非常
に大型で、かつ高額の設備費を要する。さらに強電界照
射試験では、床が電磁波の全反射面となっているため電
界の乱れを生じ、したがって前記強電界照射試験ができ
ない。
るためハイトパターンが発生し、無響セル内寸法は有効
高さで５ｍ以上必要である。これらの条件より外殻寸法
で長さ１９ｍ、巾１６ｍ、高さ１０ｍ以上となり、非常
に大型で、かつ高額の設備費を要する。さらに強電界照
射試験では、床が電磁波の全反射面となっているため電
界の乱れを生じ、したがって前記強電界照射試験ができ
ない。
【００１２】つぎに図１６に示すＴＥＭセルは、これら
の問題を解決するために開発されたものであり、同軸伝
送路を構成することから比較的に小型のセルで、しかも
安定した試験ができるが、セル内壁がシールド部材であ
る鉄板であることから電磁波の反射があり、また、セル
内部のテーパーコーナ部による電磁波の乱れがあり、ま
た、同軸管基部より中心導体板３２と外側導体板３３が
急激に拡がっていることから入出力インピーダンスのア
ンマッチングがあり、使用可能上限周波数（遮断周波
数）が低下し（供試器１ｍ3 の場合の使用可能周波数：
ＤＣ〜１５０ＭＨｚ）、供試器２１の種類に限界があ
る。特に最近の移動体無線通信機器などでは１ＧＨｚを
大きく越える使用周波数による試験を要するが、これに
対応できないという大きな問題がある。
の問題を解決するために開発されたものであり、同軸伝
送路を構成することから比較的に小型のセルで、しかも
安定した試験ができるが、セル内壁がシールド部材であ
る鉄板であることから電磁波の反射があり、また、セル
内部のテーパーコーナ部による電磁波の乱れがあり、ま
た、同軸管基部より中心導体板３２と外側導体板３３が
急激に拡がっていることから入出力インピーダンスのア
ンマッチングがあり、使用可能上限周波数（遮断周波
数）が低下し（供試器１ｍ3 の場合の使用可能周波数：
ＤＣ〜１５０ＭＨｚ）、供試器２１の種類に限界があ
る。特に最近の移動体無線通信機器などでは１ＧＨｚを
大きく越える使用周波数による試験を要するが、これに
対応できないという大きな問題がある。
【００１３】つぎに図１７に示すＧＴＭセルは、セル内
におけるテーパーコーナを無くして使用周波数（遮断周
波数）を伸ばしているが、中心導体板３７に対して外側
導体板３８が角度をもって伸びているため、ＴＥＭ波伝
送方向に対して垂直方向の電界は斜電界分布となり、セ
ル内部の電磁界が不均一となる。したがって測定、試験
の安定性、再現性に問題がある。
におけるテーパーコーナを無くして使用周波数（遮断周
波数）を伸ばしているが、中心導体板３７に対して外側
導体板３８が角度をもって伸びているため、ＴＥＭ波伝
送方向に対して垂直方向の電界は斜電界分布となり、セ
ル内部の電磁界が不均一となる。したがって測定、試験
の安定性、再現性に問題がある。
【００１４】このようにこれまでの電子機器または移動
体無線通信機器などの微小電磁波（信号またはノイズ）
の測定、および電子機器などへの強電磁波の照射試験
（強電界イミュニティ試験）をするためには、種々の供
試器に対する必要な測定または試験内容に応じて、それ
ぞれの測定、試験設備の性能の使い分けをしなければな
らず、測定、試験のための使用周波数、コスト、効率に
限界があった。
体無線通信機器などの微小電磁波（信号またはノイズ）
の測定、および電子機器などへの強電磁波の照射試験
（強電界イミュニティ試験）をするためには、種々の供
試器に対する必要な測定または試験内容に応じて、それ
ぞれの測定、試験設備の性能の使い分けをしなければな
らず、測定、試験のための使用周波数、コスト、効率に
限界があった。
【００１５】本発明は前記従来の問題に留意し、セルの
形状の大きさにかかわらず電磁界の分布が一様であり、
かつ、使用周波数が数ＧＨｚまで伸び、多種多様の電子
機器および移動体無線通信機器の測定、試験を可能とす
るセルを提供することを目的とする。
形状の大きさにかかわらず電磁界の分布が一様であり、
かつ、使用周波数が数ＧＨｚまで伸び、多種多様の電子
機器および移動体無線通信機器の測定、試験を可能とす
るセルを提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
本発明の微小電磁波測定および強電磁波発生用セルは、
電子機器などより発生する微小電磁波の測定器または電
子機器などに強電磁波を照射してたとえば誤動作などの
試験するために高周波発生器を接続する同軸管を備え、
この同軸管の中心導体より中心導体ワイヤ群を導出して
これを水平に配設し、また、前記同軸管の外側導体より
外側導体ワイヤ群を導出するとともに、これを前記中心
導体ワイヤの上下に分割し、かつ、その主部が中心導体
ワイヤ群と平行になるように配設し、前記中心導体ワイ
ヤ群の各終端と外側導体ワイヤ群の各終端間には負荷お
よび入出力インピーダンス整合を兼ねる抵抗群を接続
し、これらワイヤ群の両側部および終端部に壁をなすよ
うに電磁波吸収体を配設した構成とする。
本発明の微小電磁波測定および強電磁波発生用セルは、
電子機器などより発生する微小電磁波の測定器または電
子機器などに強電磁波を照射してたとえば誤動作などの
試験するために高周波発生器を接続する同軸管を備え、
この同軸管の中心導体より中心導体ワイヤ群を導出して
これを水平に配設し、また、前記同軸管の外側導体より
外側導体ワイヤ群を導出するとともに、これを前記中心
導体ワイヤの上下に分割し、かつ、その主部が中心導体
ワイヤ群と平行になるように配設し、前記中心導体ワイ
ヤ群の各終端と外側導体ワイヤ群の各終端間には負荷お
よび入出力インピーダンス整合を兼ねる抵抗群を接続
し、これらワイヤ群の両側部および終端部に壁をなすよ
うに電磁波吸収体を配設した構成とする。
【００１７】
【作用】上記構成において、供試器を中心導体ワイヤ群
と下側の外側ワイヤ群間に位置させ、微小電磁波測定に
おいては供試器より発生する微小電磁波を中心導体ワイ
ヤ群と外側導体ワイヤ群とで拾ってこれを測定器にて測
定する。
と下側の外側ワイヤ群間に位置させ、微小電磁波測定に
おいては供試器より発生する微小電磁波を中心導体ワイ
ヤ群と外側導体ワイヤ群とで拾ってこれを測定器にて測
定する。
【００１８】また、供試器の強電磁波照射試験において
は、高周波発生器より高周波電流を中心導体ワイヤと外
側導体ワイヤに流し、両者間に電磁界を発生させ、これ
を供試器に照射する。この照射において使用周波数を上
げていき、どの周波数で供試器がたとえば誤動作するか
などを試験する。
は、高周波発生器より高周波電流を中心導体ワイヤと外
側導体ワイヤに流し、両者間に電磁界を発生させ、これ
を供試器に照射する。この照射において使用周波数を上
げていき、どの周波数で供試器がたとえば誤動作するか
などを試験する。
【００１９】この試験において、中心導体ワイヤ群と外
側導体ワイヤ群間の電磁界の分布は均一である。すなわ
ち、セルにテーパーコーナ部がなく、セルの両側および
終端部に電磁波吸収体を配設しているので、電磁波の反
射がほとんどないためであり、これによって使用周波数
を大きく伸ばすことができる。さらに外側導体ワイヤ群
は比較的に狭い間隔で配列されており、これがシールド
部材として機能し、セル内部より電磁波が漏れたり、外
来電磁波がセル内に侵入することがなく、良好な試験が
できることとなる。
側導体ワイヤ群間の電磁界の分布は均一である。すなわ
ち、セルにテーパーコーナ部がなく、セルの両側および
終端部に電磁波吸収体を配設しているので、電磁波の反
射がほとんどないためであり、これによって使用周波数
を大きく伸ばすことができる。さらに外側導体ワイヤ群
は比較的に狭い間隔で配列されており、これがシールド
部材として機能し、セル内部より電磁波が漏れたり、外
来電磁波がセル内に侵入することがなく、良好な試験が
できることとなる。
【００２０】
【実施例】以下に本発明の一実施例の微小電磁波測定お
よび強電磁波発生用セルについて説明する。
よび強電磁波発生用セルについて説明する。
【００２１】図１において１はセルであり、一側の壁に
Ｎ型コネクタ２をもつ同軸管３をとりつけてあり、上下
を除く側面と、終端面にはフェライト板よりなる電磁波
吸収体４を配設している。前記電磁波吸収体４の外側に
はシールド材として厚み１ｍｍのアルミ板５を配設して
いる。前記同軸管３は図２に示すように環状の中心導体
６と外側導体７をもち、真鍮製の削り出しとし、同軸管
３内支持物はテフロン製としている。前記同軸管３の中
心導体６には複数の中心導体ワイヤ８の端部を結合し、
かつ導出しており、また、同軸管３の外側導体７には前
記中心導体ワイヤ８の２倍の数の外側導体ワイヤ９を結
合し、かつ導出している（図３参照）。なお、中心導体
６および外側導体７のワイヤ結合部には適宜に結合用の
溝１０，１１を付している。この中心導体ワイヤ８およ
び外側導体ワイヤ９は、直径２ｍｍの銅線よりなってい
る。
Ｎ型コネクタ２をもつ同軸管３をとりつけてあり、上下
を除く側面と、終端面にはフェライト板よりなる電磁波
吸収体４を配設している。前記電磁波吸収体４の外側に
はシールド材として厚み１ｍｍのアルミ板５を配設して
いる。前記同軸管３は図２に示すように環状の中心導体
６と外側導体７をもち、真鍮製の削り出しとし、同軸管
３内支持物はテフロン製としている。前記同軸管３の中
心導体６には複数の中心導体ワイヤ８の端部を結合し、
かつ導出しており、また、同軸管３の外側導体７には前
記中心導体ワイヤ８の２倍の数の外側導体ワイヤ９を結
合し、かつ導出している（図３参照）。なお、中心導体
６および外側導体７のワイヤ結合部には適宜に結合用の
溝１０，１１を付している。この中心導体ワイヤ８およ
び外側導体ワイヤ９は、直径２ｍｍの銅線よりなってい
る。
【００２２】図３，図４は中心導体ワイヤ８および外側
導体ワイヤ９の導出基部を側方と後方より見た図であ
り、各中心導体ワイヤ８群は基部の円筒配列より先端に
順次径を平たくしながら一平面上に配設した絶縁支持部
材１２に至り、ここにおいては複数の導体ワイヤ８群が
一水平面上において横方向に等間隔、本実施例では使用
周波数の上限、たとえば３ＧＨｚの波長の１／１０以
下、すなわち２ｃｍにして位置づけられる。また、各外
側導体ワイヤ群９は、まず上下２つに分割され、絶縁支
持部材１２に対し上下に所要の間隔をもち、かつ水平に
配設した絶縁支持部材１３に至り、ここにおいて外側導
体ワイヤ群９が同一平面上において横方向に等間隔に、
すなわち２ｃｍの間隔で、かつ、各中心導体ワイヤ８群
と上下に個々に対応するように位置づけられる。
導体ワイヤ９の導出基部を側方と後方より見た図であ
り、各中心導体ワイヤ８群は基部の円筒配列より先端に
順次径を平たくしながら一平面上に配設した絶縁支持部
材１２に至り、ここにおいては複数の導体ワイヤ８群が
一水平面上において横方向に等間隔、本実施例では使用
周波数の上限、たとえば３ＧＨｚの波長の１／１０以
下、すなわち２ｃｍにして位置づけられる。また、各外
側導体ワイヤ群９は、まず上下２つに分割され、絶縁支
持部材１２に対し上下に所要の間隔をもち、かつ水平に
配設した絶縁支持部材１３に至り、ここにおいて外側導
体ワイヤ群９が同一平面上において横方向に等間隔に、
すなわち２ｃｍの間隔で、かつ、各中心導体ワイヤ８群
と上下に個々に対応するように位置づけられる。
【００２３】図５はセル１の内部を上面より見た図であ
り、図６はセル１の内部を側方より見た図である。ここ
で絶縁支持部材１２より中心導体ワイヤ８群は横方向に
等間隔にかつ、水平を保ちながら、終端の絶縁支持部材
１４に至って終端を固定される。同様に絶縁支持部材１
３より外側導体ワイヤ９群は横方向に等間隔を保ち、か
つ中心導体ワイヤ８と平行を保ちながら水平に延び、終
端の絶縁支持部材１５に至って終端を固定される。な
お、図５において、外側導体ワイヤ９群と中心導体ワイ
ヤ８群は上下に重なるので、前記中心導体ワイヤ８群は
図示されない。また、前記絶縁支持部材１２〜１５は入
出力インピーダンスを乱さないため、低誘電率、高絶縁
体材料を用いている。
り、図６はセル１の内部を側方より見た図である。ここ
で絶縁支持部材１２より中心導体ワイヤ８群は横方向に
等間隔にかつ、水平を保ちながら、終端の絶縁支持部材
１４に至って終端を固定される。同様に絶縁支持部材１
３より外側導体ワイヤ９群は横方向に等間隔を保ち、か
つ中心導体ワイヤ８と平行を保ちながら水平に延び、終
端の絶縁支持部材１５に至って終端を固定される。な
お、図５において、外側導体ワイヤ９群と中心導体ワイ
ヤ８群は上下に重なるので、前記中心導体ワイヤ８群は
図示されない。また、前記絶縁支持部材１２〜１５は入
出力インピーダンスを乱さないため、低誘電率、高絶縁
体材料を用いている。
【００２４】図６，図７に示すように、各中心導体ワイ
ヤ８の終端と、これに上下に対応する各外側導体ワイヤ
９の終端間には、負荷として、また同軸管３に接続され
る測定器、高周波発生器などとの入出力インピーダンス
を整合するための抵抗１６を接続している。そして、こ
の抵抗群１６の各抵抗値は、セル側方に近づくにしたが
って順次に低くなるようにしてあり、中央部の抵抗１６
の値が最も高く、本実施例では全体として５０Ωとして
いる。
ヤ８の終端と、これに上下に対応する各外側導体ワイヤ
９の終端間には、負荷として、また同軸管３に接続され
る測定器、高周波発生器などとの入出力インピーダンス
を整合するための抵抗１６を接続している。そして、こ
の抵抗群１６の各抵抗値は、セル側方に近づくにしたが
って順次に低くなるようにしてあり、中央部の抵抗１６
の値が最も高く、本実施例では全体として５０Ωとして
いる。
【００２５】上記構成において、まず電子機器などの微
小電磁波（信号またはノイズ）測定について述べる。セ
ル１内における水平に配設された中心導体ワイヤ８群
と、その下方に配設された外側導体ワイヤ９群間に測定
すべき供試器１７をセットし、この供試器１７を動作さ
せる。前記動作する供試器１７から発生する信号あるい
はノイズは中心導体ワイヤ８群と下方の外側導体ワイヤ
９群に拾われ、同軸管３のＮ型コネクタ２に接続された
測定器（図示せず）で測定される。この測定において、
セル１の上下は外側導体ワイヤ９群のみであるが、前記
信号、ノイズあるいは外来信号などが外側導体ワイヤ９
群によってシールドされ、セル１内の測定に影響はな
い。
小電磁波（信号またはノイズ）測定について述べる。セ
ル１内における水平に配設された中心導体ワイヤ８群
と、その下方に配設された外側導体ワイヤ９群間に測定
すべき供試器１７をセットし、この供試器１７を動作さ
せる。前記動作する供試器１７から発生する信号あるい
はノイズは中心導体ワイヤ８群と下方の外側導体ワイヤ
９群に拾われ、同軸管３のＮ型コネクタ２に接続された
測定器（図示せず）で測定される。この測定において、
セル１の上下は外側導体ワイヤ９群のみであるが、前記
信号、ノイズあるいは外来信号などが外側導体ワイヤ９
群によってシールドされ、セル１内の測定に影響はな
い。
【００２６】つぎに強電磁波の照射試験について説明す
る。前記と同様にセル１内における水平に配設された中
心導体ワイヤ８群と、その下方の外側導体ワイヤ９群間
に供試器１７をセットし、同軸管３のＮ型コネクタ２に
高周波発生器（図示せず）を接続して高周波電流を中心
導体ワイヤ８群から外側導体ワイヤ９群に流す。
る。前記と同様にセル１内における水平に配設された中
心導体ワイヤ８群と、その下方の外側導体ワイヤ９群間
に供試器１７をセットし、同軸管３のＮ型コネクタ２に
高周波発生器（図示せず）を接続して高周波電流を中心
導体ワイヤ８群から外側導体ワイヤ９群に流す。
【００２７】この場合、同軸管３に接続された中心導体
ワイヤ８群および外側導体ワイヤ９群は、ともに円筒形
配列から平行線路に均一の傾斜と膨らみを持ちながら移
行するため、インピーダンス不整合がなく、特性インピ
ーダンスが一定であり、かつ、導体エッジが形成されな
いため、高周波帯域まで電磁波反射のない伝送線路が形
成される。
ワイヤ８群および外側導体ワイヤ９群は、ともに円筒形
配列から平行線路に均一の傾斜と膨らみを持ちながら移
行するため、インピーダンス不整合がなく、特性インピ
ーダンスが一定であり、かつ、導体エッジが形成されな
いため、高周波帯域まで電磁波反射のない伝送線路が形
成される。
【００２８】また図８に示すように中心導体ワイヤ８群
から外側導体ワイヤ９群に向って電界Ａが発生するとと
もに、この電界Ａに直交する磁界Ｂが発生する。そして
大きな特徴は、磁界Ｂがセル１の側方の電磁波吸収体４
に直進するため、磁界の乱れが少なく、供試器１７に均
一な電磁波の照射をすることになる。
から外側導体ワイヤ９群に向って電界Ａが発生するとと
もに、この電界Ａに直交する磁界Ｂが発生する。そして
大きな特徴は、磁界Ｂがセル１の側方の電磁波吸収体４
に直進するため、磁界の乱れが少なく、供試器１７に均
一な電磁波の照射をすることになる。
【００２９】ここで注目すべきは、実際には図８におい
て破線で示すように、磁界Ｂの磁力線が電磁波吸収体４
に当る部分において偏向現象を起こす。このことは電磁
波の乱れを生じさせ、使用周波数の伸びを抑える大きな
原因となっている。本実施例では図７に示す負荷で、か
つ、インピーダンス整合要素である抵抗１６群のうち、
セル１の側方の電磁波吸収体４に近いものほど抵抗値を
小さくしているので、前記中心導体ワイヤ８群および外
側導体ワイヤ９群の前記電磁波吸収体４に近いものほど
大きな電流が乱れ、図８で示すように磁界Ｂは、その端
部になるにしたがって強くなり、すなわち磁界Ｂの磁力
線の偏向を補正し、電磁波の乱れを防止し、使用周波数
の上限を数ＧＨｚ程度まで伸ばし、強電磁波照射試験を
する上において、より有効とすることができる。
て破線で示すように、磁界Ｂの磁力線が電磁波吸収体４
に当る部分において偏向現象を起こす。このことは電磁
波の乱れを生じさせ、使用周波数の伸びを抑える大きな
原因となっている。本実施例では図７に示す負荷で、か
つ、インピーダンス整合要素である抵抗１６群のうち、
セル１の側方の電磁波吸収体４に近いものほど抵抗値を
小さくしているので、前記中心導体ワイヤ８群および外
側導体ワイヤ９群の前記電磁波吸収体４に近いものほど
大きな電流が乱れ、図８で示すように磁界Ｂは、その端
部になるにしたがって強くなり、すなわち磁界Ｂの磁力
線の偏向を補正し、電磁波の乱れを防止し、使用周波数
の上限を数ＧＨｚ程度まで伸ばし、強電磁波照射試験を
する上において、より有効とすることができる。
【００３０】図９はその結果を示すＳＷＲ特性であり、
反射度合は３ＧＨｚ近くまで低い値となっている。もち
ろん、前記中心導体ワイヤ８群と外側導体ワイヤ９群と
は平行な関係にあり、供試器１７には均一に電磁波を照
射することになるので、試験の安定性、再現性が良好で
ある。また、セル１は上下面に外側導体ワイヤ９群が配
設され、シールド板を設けていない。しかし、前記外側
導体ワイヤ９群の間隔は、使用周波数の上限周波数の波
長の１／１０以下としているため、本実施例では２ｃｍ
であるので、使用周波数の上限が３ＧＨｚであっても、
前記３ＧＨｚの電波は外側導体ワイヤ９群によって捕捉
され、外部に漏洩することがなく、他にシールド板を付
設する必要がない。このように本実施例の微小電磁波測
定および強電磁波発生用セルは、形状の大きさにかかわ
らず電磁界の分布が一様であり、かつ、使用周波数が数
ＧＨｚまで伸びるものであり、微小電磁波測定および強
電磁波照射試験の設備として、性能を向上させるととも
に、測定、試験コストを低減する。
反射度合は３ＧＨｚ近くまで低い値となっている。もち
ろん、前記中心導体ワイヤ８群と外側導体ワイヤ９群と
は平行な関係にあり、供試器１７には均一に電磁波を照
射することになるので、試験の安定性、再現性が良好で
ある。また、セル１は上下面に外側導体ワイヤ９群が配
設され、シールド板を設けていない。しかし、前記外側
導体ワイヤ９群の間隔は、使用周波数の上限周波数の波
長の１／１０以下としているため、本実施例では２ｃｍ
であるので、使用周波数の上限が３ＧＨｚであっても、
前記３ＧＨｚの電波は外側導体ワイヤ９群によって捕捉
され、外部に漏洩することがなく、他にシールド板を付
設する必要がない。このように本実施例の微小電磁波測
定および強電磁波発生用セルは、形状の大きさにかかわ
らず電磁界の分布が一様であり、かつ、使用周波数が数
ＧＨｚまで伸びるものであり、微小電磁波測定および強
電磁波照射試験の設備として、性能を向上させるととも
に、測定、試験コストを低減する。
【００３１】図１０は本発明の他の実施例の要部構成を
示す。この実施例の特徴は、セル内における中心導体ワ
イヤ８群に対する外側導体ワイヤ９群の配置を変化させ
たものである。
示す。この実施例の特徴は、セル内における中心導体ワ
イヤ８群に対する外側導体ワイヤ９群の配置を変化させ
たものである。
【００３２】先に述べたように、電磁波吸収体４をセル
の両側に配置したものにおいては、磁界の磁力線端が偏
向する現象を呈す不都合があり、これを補正する必要が
ある。したがって本実施例では配設した中心導体ワイヤ
８群に対応する外側導体ワイヤ９群のうち、両側の電磁
波吸収体４に近いものほど、前記対応する中心導体ワイ
ヤ８との間隔を小さくしたものである。
の両側に配置したものにおいては、磁界の磁力線端が偏
向する現象を呈す不都合があり、これを補正する必要が
ある。したがって本実施例では配設した中心導体ワイヤ
８群に対応する外側導体ワイヤ９群のうち、両側の電磁
波吸収体４に近いものほど、前記対応する中心導体ワイ
ヤ８との間隔を小さくしたものである。
【００３３】この構成により発生する磁界Ｂは、磁界端
になるほど強磁界となり、前述の抵抗１６群の個別に抵
抗値を変えるものと同等の効果をもたらす。図１１は本
発明の他の実施例を示し、たとえば生産工場における試
験設備として構成したものを示している。本実施例の特
徴としては、前述の実施例の構成のセル１の側部より内
部を挿通する非磁性体よりなるコンベア１８を設け、こ
のコンベア１８上に供試器１７を載置してセル１内に自
動的に順次に搬送し、微小電磁波の測定または強電磁波
の照射試験を行なう。したがって、生産ラインに連結し
て効率よく電子機器の測定、試験を行なうことができ
る。なお、セル１におけるコンベア１８の出入口部に
は、電磁波の侵入を防ぎ、また内部の電磁波の反射を抑
える磁性体よりなる案内筒１９を設ける。
になるほど強磁界となり、前述の抵抗１６群の個別に抵
抗値を変えるものと同等の効果をもたらす。図１１は本
発明の他の実施例を示し、たとえば生産工場における試
験設備として構成したものを示している。本実施例の特
徴としては、前述の実施例の構成のセル１の側部より内
部を挿通する非磁性体よりなるコンベア１８を設け、こ
のコンベア１８上に供試器１７を載置してセル１内に自
動的に順次に搬送し、微小電磁波の測定または強電磁波
の照射試験を行なう。したがって、生産ラインに連結し
て効率よく電子機器の測定、試験を行なうことができ
る。なお、セル１におけるコンベア１８の出入口部に
は、電磁波の侵入を防ぎ、また内部の電磁波の反射を抑
える磁性体よりなる案内筒１９を設ける。
【００３４】前記各実施例におけるセル１において、水
平に設けた中心導体ワイヤ８群との上部および下部の外
側導体ワイヤ９群の間隔は、図１２に示すように上部が
１、下部が２の比率にしてもよい。すなわち、供試１７
を位置させる部分のみを大間隔とし、セル全体の高さを
低くできるものであり、たとえば上０．３ｍ、下０．６
ｍ、全体の高さ０．９ｍと小型化することができる。
平に設けた中心導体ワイヤ８群との上部および下部の外
側導体ワイヤ９群の間隔は、図１２に示すように上部が
１、下部が２の比率にしてもよい。すなわち、供試１７
を位置させる部分のみを大間隔とし、セル全体の高さを
低くできるものであり、たとえば上０．３ｍ、下０．６
ｍ、全体の高さ０．９ｍと小型化することができる。
【００３５】また、セル１の上下部には本来はシールド
板は不要であるが、図１３に示すように上下の外側導体
ワイヤ９群の外側にシールド板２０を設けてもよく、こ
の場合、電磁波の漏洩、外部ノイズの侵入などをより完
全に遮断することができる。
板は不要であるが、図１３に示すように上下の外側導体
ワイヤ９群の外側にシールド板２０を設けてもよく、こ
の場合、電磁波の漏洩、外部ノイズの侵入などをより完
全に遮断することができる。
【００３６】
【発明の効果】前記実施例の説明より明らかなように、
本発明の微小電磁波測定および強電磁波発生用セルは、
同軸管より導出して水平に配設した中心導体ワイヤ群
と、同じく前記同軸管より導出され、前記中心導体ワイ
ヤ群の上下に前記中心導体ワイヤ群と平行に配設した外
側ワイヤ群と、前記各中心導体ワイヤと各外側導体ワイ
ヤとの間に接続した負荷兼インピーダンス整合用の抵抗
群と、前記セル両側に配置した電磁波吸収体によって構
成したため、均一な電磁界を発生できるとともに、その
使用周波数上限を大きく伸ばすことができる。しかも一
部のシールド構造も省略できるとともに全体を小型化す
ることができ、電子機器、移動体無線通信機器などの微
小電磁波測定、強電磁波照射試験を正確に、かつ効果的
に行なうことができ、その価値は大きい。
本発明の微小電磁波測定および強電磁波発生用セルは、
同軸管より導出して水平に配設した中心導体ワイヤ群
と、同じく前記同軸管より導出され、前記中心導体ワイ
ヤ群の上下に前記中心導体ワイヤ群と平行に配設した外
側ワイヤ群と、前記各中心導体ワイヤと各外側導体ワイ
ヤとの間に接続した負荷兼インピーダンス整合用の抵抗
群と、前記セル両側に配置した電磁波吸収体によって構
成したため、均一な電磁界を発生できるとともに、その
使用周波数上限を大きく伸ばすことができる。しかも一
部のシールド構造も省略できるとともに全体を小型化す
ることができ、電子機器、移動体無線通信機器などの微
小電磁波測定、強電磁波照射試験を正確に、かつ効果的
に行なうことができ、その価値は大きい。
【図１】本発明の一実施例の微小電磁波測定および強電
磁波発生用セルの一部材をはづした状態の斜視図
磁波発生用セルの一部材をはづした状態の斜視図
【図２】同セルにおける同軸管部の断面図
【図３】同、同軸管部と導出した導体ワイヤ群を示す断
側面図
側面図
【図４】同、同軸管部と導出した導体ワイヤ群を示す背
面図
面図
【図５】同、導体ワイヤ群（外側導体ワイヤ群）を配設
したセルの平断面図
したセルの平断面図
【図６】同、導体ワイヤ群を配設したセルの縦断面図
【図７】同、セルの端面を示す平面図
【図８】同、導体ワイヤ群の配置説明図
【図９】同、セルにおけるＳＷＲ特性図
【図10】本発明の他の実施例における導体ワイヤ群の配
置説明図
置説明図
【図11】本発明の他の実施例のセルの断面図
【図12】本発明の他の実施例のセルの断面図
【図13】本発明の他の実施例のセルの斜視図
【図14】従来のオープンサイト式の測定、試験装置の構
成図
成図
【図15】従来の電磁無響セルの断面図
【図16】従来のＴＥＭセルの一部切欠斜視図
【図17】従来のＧＴＥＭセルの一部切欠斜視図
１ セル ２ Ｎ型コネクタ ３ 同軸管 ４ 電磁波吸収体 ８ 中心導体ワイヤ ９ 外側導体ワイヤ １６ 抵抗 １７ 供試器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 7/26 Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｍ
Claims (9)
- 【請求項１】 測定器または高周波発生器を接続する同
軸管と、前記同軸管の中心導体より導出され、水平に、
かつ等間隔に配設された中心導体ワイヤ群と、前記同軸
管の外側導体より導出され、前記中心導体ワイヤ群の上
下において中心導体ワイヤ群と主部が平行に配設された
外側導体ワイヤ群と、前記中心導体ワイヤ群と外側導体
ワイヤ群の上下各対応する終端間に接続された抵抗群
と、前記中心導体ワイヤ群と外側導体ワイヤ群の両側部
および終端部に配設して壁をなす電磁波吸収体より構成
した微小電磁波測定および強電磁波発生用セル。 - 【請求項２】 中心導体ワイヤ群と外側導体ワイヤ群の
終端間に接続された抵抗群は、セルの両側部に近いもの
ほど抵抗値を小さくしてなる請求項１記載の微小電磁波
測定および強電磁波発生用セル。 - 【請求項３】 外側導体ワイヤ群は、セルの両側部に近
いものほど対向する中心導体ワイヤとの間隔を小さくし
てなる請求項１記載の微小電磁波測定および強電磁波発
生用セル。 - 【請求項４】 外側導体ワイヤ群は、隣り合うものとの
間隔を上限使用周波数の波長の１／１０以下にした請求
項１記載の微小電磁波測定および強電磁波発生用セル。 - 【請求項５】 同軸管の中心導体および外側導体より導
出された中心導体ワイヤ群および外側導体ワイヤ群は、
その導出基部の断面円筒形配列より次第に扁平配列に移
行させた請求項１記載の微小電磁波測定および強電磁波
発生用セル。 - 【請求項６】 電磁波吸収体はフェライト板によって形
成してなる請求項１記載の微小電磁波測定および強電磁
波発生用セル。 - 【請求項７】 請求項１記載のセルにおける外側導体群
の外側にシールド板を配設してなる微小電磁波測定およ
び強電磁波発生用セル。 - 【請求項８】 請求項１記載のセルにおける中心導体ワ
イヤ群と下側導体ワイヤ群の間を通る非磁性材よりなる
供試器搬送用のコンベアを付設した微小電磁波測定およ
び強電磁波発生用セル。 - 【請求項９】 中心導体ワイヤ群に対する上側の外側導
体ワイヤ群の間隔と、中心導体ワイヤ群に対する下側の
外側導体ワイヤ群の間隔を１：２の比率にした請求項１
または８記載の微小電磁波測定および強電磁波発生用セ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258619A JP2738507B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 微小電磁波測定および強電磁波発生用セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6258619A JP2738507B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 微小電磁波測定および強電磁波発生用セル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08122379A true JPH08122379A (ja) | 1996-05-17 |
| JP2738507B2 JP2738507B2 (ja) | 1998-04-08 |
Family
ID=17322800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6258619A Expired - Fee Related JP2738507B2 (ja) | 1994-10-25 | 1994-10-25 | 微小電磁波測定および強電磁波発生用セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2738507B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0989959A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 生産ライン用感度測定ボックス |
| JPH0989960A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 自動感度測定装置 |
| EP0821242A2 (en) * | 1996-07-23 | 1998-01-28 | Thermo Voltek Europe B.V. | An electromagnetic compatibility (EMC) test cell |
| WO1998053333A1 (de) * | 1997-05-21 | 1998-11-26 | Euro Emc Service Dr. Hansen Gmbh | Verfahren und vorrichtungen zur erzeugung und zum empfang von elektromagnetischen feldern zu prüf- und messzwecken |
| WO2007067017A1 (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for measuring inverse scattering wave, and apparatus for identifying inferior rfid transponder and reader using the same |
| JP5786871B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2015-09-30 | 株式会社村田製作所 | 受信感度測定方法 |
-
1994
- 1994-10-25 JP JP6258619A patent/JP2738507B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0989959A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-04-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 生産ライン用感度測定ボックス |
| JPH0989960A (ja) * | 1995-09-26 | 1997-04-04 | Kokusai Electric Co Ltd | 自動感度測定装置 |
| EP0821242A2 (en) * | 1996-07-23 | 1998-01-28 | Thermo Voltek Europe B.V. | An electromagnetic compatibility (EMC) test cell |
| EP0821242A3 (en) * | 1996-07-23 | 1998-09-16 | Thermo Voltek Europe B.V. | An electromagnetic compatibility (EMC) test cell |
| WO1998053333A1 (de) * | 1997-05-21 | 1998-11-26 | Euro Emc Service Dr. Hansen Gmbh | Verfahren und vorrichtungen zur erzeugung und zum empfang von elektromagnetischen feldern zu prüf- und messzwecken |
| WO2007067017A1 (en) * | 2005-12-09 | 2007-06-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for measuring inverse scattering wave, and apparatus for identifying inferior rfid transponder and reader using the same |
| US7847743B2 (en) | 2005-12-09 | 2010-12-07 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for measuring inverse scattering wave, and apparatus for identifying inferior RFID transponder and reader using the same |
| JP5786871B2 (ja) * | 2011-02-08 | 2015-09-30 | 株式会社村田製作所 | 受信感度測定方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2738507B2 (ja) | 1998-04-08 |
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