JPH08122209A - Inspection device for liquid crystal chip wafer in which thin film transistor has been formed - Google Patents
Inspection device for liquid crystal chip wafer in which thin film transistor has been formedInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は薄膜トランジスタが形成
された液晶チップウエーハの検査装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inspection device for a liquid crystal chip wafer having thin film transistors formed thereon.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図７〜図９を参照して、従来の薄膜トラ
ンジスタ（ＭＯＳ−ＦＥＴ等を含む薄膜半導体集積回
路）が形成された液晶チップウエーハの検査装置につい
て説明する。2. Description of the Related Art An inspection apparatus for a liquid crystal chip wafer having a conventional thin film transistor (thin film semiconductor integrated circuit including MOS-FET) will be described with reference to FIGS.
【０００３】図７はこの従来の検査装置を示す。１０は
ハウジングで、その中に金属からなる円板状のステージ
９が設けられ、その上に薄膜トランジスタが形成された
液晶チップの集合からなる円板状のウエーハ８が載置さ
れる。尚、このステージ９は回転可能であると共に、任
意の方向に移動可能である。そのウエーハ８の上面は各
液晶のチップの薄膜トランジスタの形成された面で、そ
の面に対向して円環状のプローブカード１が設けられ、
そのプローブカード１にはこれと同軸心の円形の開口１
ａからその下面側に、２列の複数の接触子（測定ピン）
（プローブ）２が突出せしめられている。FIG. 7 shows this conventional inspection apparatus. Reference numeral 10 denotes a housing, in which a disc-shaped stage 9 made of metal is provided, and a disc-shaped wafer 8 made of a set of liquid crystal chips on which thin film transistors are formed is placed thereon. The stage 9 is rotatable and movable in any direction. The upper surface of the wafer 8 is a surface of each liquid crystal chip on which thin film transistors are formed, and an annular probe card 1 is provided facing the surface.
The probe card 1 has a circular opening 1 coaxial therewith.
Two rows of contacts (measurement pins) from a to the bottom side
The (probe) 2 is projected.
【０００４】図８に示す如く、複数の測定ピン２は、ウ
エーハ８の各液晶チップの薄膜トランジスタの各部から
導出されているパッド８Ｐに接触し得るように、その個
数及び配置が設定されている。As shown in FIG. 8, the number and arrangement of the plurality of measuring pins 2 are set so that they can come into contact with the pads 8P led out from the respective parts of the thin film transistor of each liquid crystal chip of the wafer 8.
【０００５】このプローブカード１の上面には円環状に
配され複数の端子ピン（端子）３が植立され、これら複
数の端子３はプローブカード１の表裏面上に形成された
プリント配線等を通じて接続された端子ピン（端子）３
が円環状に配されている。４は円環状のアダプタで、こ
れと同軸心の開口を有し、プローブカード１の各端子３
が嵌合されてそれぞれ電気的に接続される端子（ソケッ
ト）を備え、このアダプタ４がプローブカード１と同軸
心に結合される。アダプタ４の開口は、プローブカード
１の開口１ａよりその径が大に選定されている。A plurality of terminal pins (terminals) 3 are arranged in an annular shape on the upper surface of the probe card 1, and the plurality of terminals 3 are provided through printed wiring or the like formed on the front and back surfaces of the probe card 1. Connected terminal pin (terminal) 3
Are arranged in an annular shape. Reference numeral 4 denotes an annular adapter, which has an opening coaxial with the adapter and is provided with each terminal 3 of the probe card 1.
Are equipped with terminals (sockets) that are fitted to each other and electrically connected to each other, and the adapter 4 is coaxially coupled to the probe card 1. The diameter of the opening of the adapter 4 is selected to be larger than that of the opening 1a of the probe card 1.
【０００６】これらステージ９、ウエーハ８、プローブ
カード１及びアダプタ４はハウジング１０内に収容され
る。ハウジング１０の外側にスイッチングマトリックス
７が設けられ、その下面にスイッチングマトリックス７
の各端子と接続される接続部を具えた円環状の接続具６
が設けられ、この接続具６はケーブル５を通じて、アダ
プタ４の各ソケットに接続される。この接続具６の開口
の径はアダプタ４の開口と同程度である。尚、図示を省
略するも、スイッチングマトリックス７は薄膜のトラン
ジスタの各種特性を測定する測定器に接続される。尚、
このスイッチングマトリックス７は測定器の一部であ
る。The stage 9, wafer 8, probe card 1 and adapter 4 are housed in a housing 10. The switching matrix 7 is provided outside the housing 10, and the switching matrix 7 is provided on the lower surface thereof.
A ring-shaped connector 6 having a connecting portion to be connected to each terminal of
The connector 6 is connected to each socket of the adapter 4 through the cable 5. The diameter of the opening of the connector 6 is about the same as the diameter of the opening of the adapter 4. Although not shown, the switching matrix 7 is connected to a measuring instrument that measures various characteristics of the thin film transistor. still,
This switching matrix 7 is part of the measuring instrument.
【０００７】測定ピン２をウエーハ８の各液晶チップの
薄膜トランジスタのパッド８Ｐに当てて、測定器より任
意のパッド８Ｐ間に電圧を与え、又は、電流を流して、
任意のパッド８Ｐ間の電流又は電圧を測定して、薄膜ト
ランジスタの各部の特性を測定する。The measuring pin 2 is applied to the pad 8P of the thin film transistor of each liquid crystal chip of the wafer 8, and a voltage is applied between the arbitrary pads 8P from the measuring instrument, or a current is made to flow,
The characteristic of each part of the thin film transistor is measured by measuring the current or voltage between the arbitrary pads 8P.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、液晶チップ
ウエーハの薄膜トランジスタの一部のトランジスタに
は、照射される光の量に応じて、特性が異なるものがあ
る。即ち、例えば、そのトランジスタの２つの電極間を
流れる電流が、光が当たらないときは、図１０のの曲
線のように少ないが、光が当たるとの曲線のように多
くなる。By the way, some of the thin film transistors of the liquid crystal chip wafer have different characteristics depending on the amount of light irradiated. That is, for example, the current flowing between the two electrodes of the transistor is small as shown by the curve in FIG. 10 when light is not applied, but is large as shown by the curve when light is applied.
【０００９】ところが、上述の従来の検査装置ではウエ
ーハ８に光を照射せずに、即ち、暗いところで検査を行
っていたので、そのウエーハ８を構成する各液晶チップ
から構成される液晶表示装置の使用時〔例えば、図１１
に示す如く、ビデオカメラに設けられたビューファイン
ダ用液晶パネル（ＬＣＤパネル）にバックライト光源等
からの光を照射して、その表示画像を目視する場合〕に
おいて、薄膜トランジスタ中に、照射される光の量に応
じて特性の変化するトランジスタが含まれていても、そ
の特性を液晶表示装置の製造時に把握することができな
かった。However, in the above-described conventional inspection apparatus, the wafer 8 is inspected without irradiating the light, that is, in the dark, so that the liquid crystal display device including the liquid crystal chips forming the wafer 8 is used. When using [for example, FIG.
In the case where the viewfinder liquid crystal panel (LCD panel) provided in the video camera is irradiated with light from a backlight light source or the like, and the displayed image is visually observed], Even if the transistor includes a transistor whose characteristics change depending on the amount, the characteristics could not be grasped at the time of manufacturing the liquid crystal display device.
【００１０】かかる点に鑑み、本発明は、薄膜トランジ
スタが形成された液晶チップウエーハが載置されるステ
ージと、液晶チップウエーハの薄膜トランジスタのパッ
ドに接触せしめられる複数の接触子とがハウジング内に
収容され、複数の接触子が接続される測定器とを有する
薄膜トランジスタが形成された液晶チップウエーハの検
査装置において、液晶チップウエーハの薄膜トランジス
タに光を照射した状態で、その薄膜トランジスタを検査
することのできる薄膜トランジスタが形成された液晶チ
ップウエーハの検査装置を提案しようとするものであ
る。In view of the above point, the present invention accommodates a stage on which a liquid crystal chip wafer having thin film transistors is mounted and a plurality of contacts which are brought into contact with the pads of the thin film transistors of the liquid crystal chip wafer, in a housing. , In a liquid crystal chip wafer inspection device in which a thin film transistor having a measuring device to which a plurality of contacts are connected is formed, a thin film transistor capable of inspecting the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer is irradiated with light. It is intended to propose an inspection device for the formed liquid crystal chip wafer.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、薄膜ト
ランジスタが形成された液晶チップウエーハ８が載置さ
れるステージ９と、液晶チップウエーハ８の薄膜トラン
ジスタのパッド８Ｐに接触せしめられる複数の接触子２
とがハウジング１０内に収容され、複数の接触子２が接
続される測定器１３とを有する薄膜トランジスタが形成
された液晶チップウエーハの検査装置において、ハウジ
ング１０内に液晶チップウエーハ８の薄膜トランジスタ
に光を照射する光源１１を配したことを特徴とする薄膜
トランジスタが形成された液晶チップウエーハの検査装
置である。According to a first aspect of the present invention, a stage 9 on which a liquid crystal chip wafer 8 on which thin film transistors are formed is placed, and a plurality of contacts which are brought into contact with pads 8P of the thin film transistors of the liquid crystal chip wafer 8. Child 2
In a device for inspecting a liquid crystal chip wafer in which a thin film transistor having a measuring device 13 to which a plurality of contacts 2 are connected is housed in a housing 10, light is transmitted to the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer 8 in the housing 10. An inspection apparatus for a liquid crystal chip wafer having a thin film transistor, characterized in that a light source 11 for irradiating is arranged.
【００１２】第２の本発明は、第１の本発明において、
光源１１の光量を制御する制御装置１６を設けたことを
特徴とする薄膜トランジスタが形成された液晶チップウ
エーハの検査装置である。The second invention is the same as the first invention,
An inspection device for a liquid crystal chip wafer formed with thin film transistors, characterized in that a control device 16 for controlling the light quantity of the light source 11 is provided.
【００１３】第３の本発明は、第１又は第２の本発明に
おいて、温度を制御する制御装置１５を設けたことを特
徴とする薄膜トランジスタが形成された液晶チップウエ
ーハの検査装置である。A third aspect of the present invention is an inspection device for a liquid crystal chip wafer having a thin film transistor, characterized in that the control device 15 for controlling the temperature is provided in the first or second aspect of the present invention.
【００１４】第４の本発明は、第３の本発明において、
湿度を制御する制御装置１５を設けたことを特徴とする
薄膜トランジスタが形成された液晶チップウエーハの検
査装置である。A fourth aspect of the present invention is the same as the third aspect of the present invention.
The inspection device for a liquid crystal chip wafer having a thin film transistor is characterized in that a control device 15 for controlling humidity is provided.
【００１５】[0015]
【作用】上述せる第１の本発明によれば、ハウジング１
０内に液晶チップウエーハ８の薄膜トランジスタに光源
１１からの光を照射した状態で、その薄膜トランジスタ
の検査を行うことができる。According to the first aspect of the present invention described above, the housing 1
With the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer 8 irradiated with light from the light source 11, the thin film transistor can be inspected.
【００１６】[0016]
【実施例】以下に、図面を参照して、本発明の実施例を
説明するも、図１において、図７と対応する部分には、
同一符号を付して説明する。先ず、図１の実施例を説明
する。１０はハウジングで、その中に金属からなる円板
状ステージ９が設けられ、その上に薄膜トランジスタが
形成された液晶チップの集合からなる円板状のウエーハ
８が載置される。尚、このステージ９は回転可能である
と共に、任意の方向に移動可能である。そのウエーハ８
の上面は各液晶のチップの薄膜トランジスタの形成され
た面で、その面に対向して円環状のプローブカード１が
設けられ、そのプローブカード１のこれと同軸心の円形
の開口１ａからその下面側に、２列の複数の接触子（測
定ピン）（プローブ）２が突出せしめられている（図８
及び図９参照）。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, parts corresponding to those in FIG.
The description will be given with the same reference numerals. First, the embodiment of FIG. 1 will be described. A housing 10 is provided with a disk-shaped stage 9 made of metal, and a disk-shaped wafer 8 made of a set of liquid crystal chips on which thin film transistors are formed is placed on the housing 10. The stage 9 is rotatable and movable in any direction. That wafer 8
The upper surface of is the surface of each liquid crystal chip on which the thin film transistor is formed, and an annular probe card 1 is provided so as to face the surface. The circular opening 1a of the probe card 1 is coaxial with the lower surface of the probe card 1. A plurality of two rows of contacts (measuring pins) (probes) 2 are projected on the (FIG. 8).
And FIG. 9).
【００１７】複数の測定ピン２は、ウエーハ８の各液晶
チップの薄膜トランジスタの各部から導出されているパ
ッド８Ｐに接触し得るように、その個数及び配置が設定
されている（図９参照）。The number and arrangement of the plurality of measuring pins 2 are set so that they can contact the pads 8P led out from the respective parts of the thin film transistor of each liquid crystal chip of the wafer 8 (see FIG. 9).
【００１８】このプローブカード１の上面には円環状に
配され複数の端子ピン（端子）３が植立され、これら複
数の端子３はプローブカード１の表裏面上に形成された
プリント配線等を通じて接続された端子ピン（端子）３
が円環状に配されている。４は円環状のアダプタで、こ
れと同軸心の開口を有し、プローブカード１の各端子３
が嵌合されてそれぞれ電気的に接続される端子（ソケッ
ト）を備え、このアダプタ４がプローブカード１と同軸
心に結合される。アダプタ４の開口は、プローブカード
１の開口１ａよりその径が大に選定されている。A plurality of terminal pins (terminals) 3 are arranged in an annular shape on the upper surface of the probe card 1, and the plurality of terminals 3 are provided through printed wiring or the like formed on the front and back surfaces of the probe card 1. Connected terminal pin (terminal) 3
Are arranged in an annular shape. Reference numeral 4 denotes an annular adapter, which has an opening coaxial with the adapter and is provided with each terminal 3 of the probe card 1.
Are equipped with terminals (sockets) that are fitted to each other and electrically connected to each other, and the adapter 4 is coaxially coupled to the probe card 1. The diameter of the opening of the adapter 4 is selected to be larger than that of the opening 1a of the probe card 1.
【００１９】これらステージ９、ウエーハ８、プローブ
カード１及びアダプタ４はハウジング１０内に収容され
る。ハウジング１０の外側で、アダプタ４の上方にスイ
ッチングマトリックス７が設けられ、その下面にスイッ
チングマトリックス７の各端子と接続される円上に配さ
れた多数の接続子を具えた円環状の接続具６が設けら
れ、この接続具はケーブル５を通じて、アダプタ４の各
端子３に接続される。この接続具６の開口の径はアダプ
タ４の開口と同程度である。スイッチングマトリックス
７は、ケーブル１４を通じて、薄膜トランジスタ中のト
ランジスタの各種特性を測定する測定器１３に接続され
る。The stage 9, wafer 8, probe card 1 and adapter 4 are housed in a housing 10. A switching matrix 7 is provided outside the housing 10 and above the adapter 4, and has a circular ring-shaped connector 6 having a plurality of connectors arranged on a circle on the lower surface thereof to be connected to each terminal of the switching matrix 7. Is provided, and this connector is connected to each terminal 3 of the adapter 4 through the cable 5. The diameter of the opening of the connector 6 is about the same as the diameter of the opening of the adapter 4. The switching matrix 7 is connected via a cable 14 to a measuring instrument 13 that measures various characteristics of the transistors in the thin film transistors.
【００２０】１１は、液晶チップウエーハ８の薄膜トラ
ンジスタに光を照射する光源で、白熱ランプ、蛍光灯等
が可能であり、図１の実施例の場合には、スイッチング
マトリックス７及び接続具６と、アダプタ４及びプロー
ブカード１との間に配されている。そして、アダプタ４
の開口内のプローブカード１の光源１１側の面上に、光
源１１の光量を検出する光センサ１２が取付けられてい
る。Reference numeral 11 denotes a light source for irradiating the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer 8 with light, which can be an incandescent lamp, a fluorescent lamp, or the like. In the case of the embodiment of FIG. 1, the switching matrix 7 and the connector 6 are provided. It is arranged between the adapter 4 and the probe card 1. And adapter 4
An optical sensor 12 for detecting the light amount of the light source 11 is attached on the surface of the probe card 1 on the light source 11 side inside the opening.
【００２１】プローブカード１及びアダプタ４を不透明
材料にて構成するときは、光源１１よりの光は、プロー
ブカード１の開口１ａ（図８参照）を通じて、ウエーハ
８に照射される。プローブカード１及びアダプタ４を透
明材料で構成するときは、光源１１よりの光は、プロー
ブカード１及びアダプタ４を通じて、ウエーハ８に照射
される。アダプタ４が不透明材料で構成し、プローブカ
ード１を透明材料で構成するときは、光源１１よりの光
は、プローブカード１の開口１ａ及びプローブカード１
を通じて、ウエーハ８に照射される。When the probe card 1 and the adapter 4 are made of an opaque material, the light from the light source 11 is applied to the wafer 8 through the opening 1a (see FIG. 8) of the probe card 1. When the probe card 1 and the adapter 4 are made of a transparent material, the light from the light source 11 is applied to the wafer 8 through the probe card 1 and the adapter 4. When the adapter 4 is made of an opaque material and the probe card 1 is made of a transparent material, light from the light source 11 is emitted from the opening 1 a of the probe card 1 and the probe card 1.
Through, the wafer 8 is irradiated.
【００２２】図６に示す如く、光源１１は、光センサ１
２による光量検出出力に基づいて、制御装置１６によっ
て制御され、その光量を０を含めた多段階の一定値に設
定でき、これらのうちの１つを選択し得るようになされ
ている。そして、その選択された各光量に応じて、ウエ
ーハ８の各液晶チップの薄膜トランジスタ中の各トラン
ジスタの各種特性が測定される。この制御装置１６はハ
ウジング１０の内外いずれに設けても良いが、測定器１
３内に設けて、測定器１３と連動させるを可とする。As shown in FIG. 6, the light source 11 includes an optical sensor 1
Based on the light amount detection output of 2, the control device 16 controls the light amount to a constant value in multiple stages including 0, and one of these can be selected. Then, various characteristics of each transistor in the thin film transistors of each liquid crystal chip of the wafer 8 are measured in accordance with each selected light amount. The control device 16 may be provided inside or outside the housing 10, but the measuring device 1
It is provided inside the unit 3 and can be interlocked with the measuring device 13.
【００２３】１５は温度／湿度制御装置で、ハウジング
１０内に設けられ、ハウジング１０内の温度を多段階の
一定値に設定でき、これらのうちの１つを選択し得ると
共に、湿度をいくつかの一定値に設定でき、これのうち
の１つを選択し得る。尚、この温度／湿度制御装置１５
の一部は、必要に応じて、ハウジング１０の外部に設け
ることができる。A temperature / humidity control device 15 is provided in the housing 10 and can set the temperature in the housing 10 to a constant value in multiple stages. Can be set to a constant value, and one of them can be selected. The temperature / humidity controller 15
A part of the above can be provided outside the housing 10 if necessary.
【００２４】ウエーハ８に照射される種々の光照射条件
（光量０を含む、室内の各種照明における光量、晴天
時、曇天時、雨天時等の屋外での光量等の条件）、温度
条件（使用時の種々の温度条件）及び湿度条件（使用時
の種々の湿度条件）の下に、測定ピン２をウエーハ８の
各液晶チップの薄膜トランジスタの任意のパッド８Ｐに
当てて、測定器より任意のパッド８Ｐ間に電圧を与え、
又は、電流を流して、任意のパッド８Ｐ間の電流又は電
圧を測定して、薄膜トランジスタの各部の特性を測定す
る。かかる測定結果は測定器１３の記憶手段に記憶さ
れ、又、その特性が規格特性から許容範囲以上ずれてい
るときは、それを、コンピュータを具えた、又は、具え
ない、表示手段、放声手段、警報音発生手段等にて警告
することができるようになされている。Various light irradiation conditions for irradiating the wafer 8 (light amount in various indoor lighting including light amount 0, conditions such as outdoor light amount in fine weather, cloudy weather, rainy weather, etc.), temperature conditions (use Under various temperature conditions and humidity conditions (various humidity conditions at the time of use), the measuring pin 2 is applied to an arbitrary pad 8P of the thin film transistor of each liquid crystal chip of the wafer 8 and an arbitrary pad is measured by the measuring instrument. Apply voltage between 8P,
Alternatively, a current is passed to measure the current or voltage between any pads 8P to measure the characteristics of each part of the thin film transistor. Such measurement results are stored in the storage means of the measuring device 13, and when the characteristics deviate from the standard characteristics by an allowable range or more, the measurement results are provided with or without a computer, display means, vocalization means, A warning sound generating means or the like can be used to issue a warning.
【００２５】以下に、図２〜図５を参照して、光源及び
光センサに関する変形例（実施例）を説明する。但し、
図２〜図５において、図１と対応する部分には、同一符
号を付して、重複説明は省略する。A modified example (embodiment) relating to the light source and the optical sensor will be described below with reference to FIGS. However,
2 to 5, parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.
【００２６】図２の実施例では、ハウジング１０の天板
の下面の中央及び両側に、それぞれ光源１１Ａ、１１Ｂ
及び１１Ｃを設けた場合である。尚、光センサ１２の位
置は、図１の実施例の場合と同様である。この場合は、
アダプタ４及びプローブカード１は透明材料で構成す
る。尚、光源１１Ａ、１１Ｂ及び１１Ｃの内、任意の１
個又は２個の光源を省略しても良い。In the embodiment shown in FIG. 2, the light sources 11A and 11B are provided at the center and both sides of the lower surface of the top plate of the housing 10, respectively.
And 11C are provided. The position of the optical sensor 12 is the same as that in the embodiment of FIG. in this case,
The adapter 4 and the probe card 1 are made of a transparent material. Any one of the light sources 11A, 11B and 11C
One or two light sources may be omitted.
【００２７】図３の実施例では、ステージ９の下方に、
面光源を可とする光源１１を設けた場合である。この場
合には、ステージ９は合成樹脂からなる透明の円板状ス
テージである。この場合は、プローブカード１の下面に
光センサ１２を設ける。In the embodiment of FIG. 3, below the stage 9,
This is a case where the light source 11 that allows a surface light source is provided. In this case, the stage 9 is a transparent disc-shaped stage made of synthetic resin. In this case, the optical sensor 12 is provided on the lower surface of the probe card 1.
【００２８】図４の実施例では、面光源を可とする光源
１１をステージ９の上面に面一となるように埋め込み、
その上にウエーハ８を載置するようにした場合である。
この場合は、プローブカード１の下面に光センサ１２を
設ける。In the embodiment shown in FIG. 4, the light source 11 which can be a surface light source is embedded in the upper surface of the stage 9 so as to be flush with each other.
This is the case in which the wafer 8 is placed on it.
In this case, the optical sensor 12 is provided on the lower surface of the probe card 1.
【００２９】図５の実施例では、光源１１をハウジング
１０の天板の近くの側面に設けた場合で、ウエーハ８に
光が当たり易いように、光源１１を回動させ得るように
している。光センサ１２は、ハウジング１０の天板の近
くで、光源１１とは反対側の側面に設ける。この光セン
サ１２も光源１１の回動に合わせて回動し得るようにな
されている。In the embodiment shown in FIG. 5, when the light source 11 is provided on the side surface near the top plate of the housing 10, the light source 11 can be rotated so that the wafer 8 is easily exposed to the light. The optical sensor 12 is provided near the top plate of the housing 10 and on the side surface opposite to the light source 11. The optical sensor 12 can also rotate in accordance with the rotation of the light source 11.
【００３０】上述の実施例においては、ウエーハ８及び
ステージ９がそれぞれ円板状である場合について述べた
が、これに限らず、ウエーハ８及びステージ９の形状
は、それぞれ矩形板、正方形板、楕円板等の任意の形状
のものが可能である。又、上述の実施例においては、プ
ローブカード１、アダプタ４及び接続具６がそれぞれ円
環状である場合について述べたが、これに限らず、プロ
ーブカード１、アダプタ４及び接続具６の形状は、矩
形、正方形、楕円等の任意の形状のものが可能であり、
その各開口も、矩形、正方形、楕円等の任意の形状が可
能である。In the above embodiments, the wafer 8 and the stage 9 are each in the shape of a disk. However, the shape of the wafer 8 and the stage 9 is not limited to this. Any shape such as a plate is possible. Further, in the above-described embodiment, the case where the probe card 1, the adapter 4 and the connecting tool 6 are each annular is described, but the shape of the probe card 1, the adapter 4 and the connecting tool 6 is not limited to this. It can be of any shape such as rectangle, square, oval,
Each of the openings can have any shape such as a rectangle, a square, and an ellipse.
【００３１】第１の実施例によれば、薄膜トランジスタ
が形成された液晶チップウエーハ８が載置されるステー
ジ９と、液晶チップウエーハ８の薄膜トランジスタのパ
ッド８Ｐに接触せしめられる複数の接触子（測定ピン）
２とがハウジング１０内に収容され、複数の接触子２が
接続される測定器１３とを有する薄膜トランジスタが形
成された液晶チップウエーハの検査装置において、ハウ
ジング１０内（ハウジング１０内のプローブカード１の
上側、ハウジング１０の天板の下面、ステージ９の下
方、ステージ９の上でウエーハ８の下側、ハウジング１
０の天板の近くの側面等）に液晶チップウエーハ８の薄
膜トランジスタに光を照射する光源１１を配したので、
液晶チップウエーハ８の薄膜トランジスタに光を照射し
た状態で、その薄膜トランジスタの各部の特性を検査す
ることができる。このため、薄膜トランジスタが形成さ
れた液晶チップを含む液晶表示装置の光学的な使用状態
における薄膜トランジスタの各部の特性を検査すること
ができる。従って、液晶表示装置の製造の比較的初期段
階で電気的又は光学的な不良品を選別することができる
ので、プロセス工程への迅速なフィードバックが可能と
なり、液晶表示装置のトータルコストの低減に寄与する
ことができる。又、液晶チップの薄膜トランジスタに光
を照射した場合における特性の変化から、その薄膜トラ
ンジスタの厳密な評価が可能となり、品質向上に寄与す
ることができる。又、特殊の光学的条件下での薄膜トラ
ンジスタの各部の特性も液晶表示装置の製造の比較的初
期段階で知ることができるので、開発期間の短縮化が可
能となる。According to the first embodiment, the stage 9 on which the liquid crystal chip wafer 8 on which the thin film transistor is formed is placed, and a plurality of contacts (measurement pins) which are brought into contact with the pad 8P of the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer 8. )
In the inspection device of the liquid crystal chip wafer formed with the thin film transistor having the measuring instrument 13 to which the plurality of contacts 2 are connected, the inside of the housing 10 (the probe card 1 in the housing 10 The upper side, the lower surface of the top plate of the housing 10, the lower side of the stage 9, the lower side of the wafer 8 on the stage 9, the housing 1
Since the light source 11 for irradiating the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer 8 with light is arranged on the side surface near the top plate of 0).
With the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer 8 irradiated with light, the characteristics of each part of the thin film transistor can be inspected. Therefore, it is possible to inspect the characteristics of each part of the thin film transistor in an optically used state of the liquid crystal display device including the liquid crystal chip on which the thin film transistor is formed. Therefore, it is possible to select an electrically or optically defective product at a relatively early stage of manufacturing the liquid crystal display device, which enables quick feedback to a process step, which contributes to a reduction in the total cost of the liquid crystal display device. can do. Further, from the change in characteristics when the thin film transistor of the liquid crystal chip is irradiated with light, the thin film transistor can be rigorously evaluated, which can contribute to quality improvement. Further, since the characteristics of each part of the thin film transistor under special optical conditions can be known at a relatively early stage of manufacturing the liquid crystal display device, the development period can be shortened.
【００３２】第２の実施例によれば、第１の実施例の薄
膜トランジスタが形成された液晶チップウエーハの検査
装置において、光源１１の光量を制御する制御装置１６
（光センサ１２と共に）を設けたので、光源１１の光量
を任意に設定して、そのときの液晶チップウエーハ８の
薄膜トランジスタの各部の特性を検査することができ
る。従って、第１の実施例の効果に加えて、液晶チップ
の薄膜トランジスタの各部の特性を、光源の光量を様々
に変えて検査できるので、薄膜トランジスタの各部の特
性を定量的に評価することができ、これを基にして、そ
の液晶チップを含む液晶表示装置の電気的又は光学的な
使用可能範囲及び使用可能条件を予想することができ、
液晶チップの薄膜トランジスタの電気的又は光学的な規
格を多様化することができ、結果として液晶表示装置の
歩留りが向上すると共に、新たな特性の薄膜トランジス
タの開発が可能となる。According to the second embodiment, the control device 16 for controlling the light quantity of the light source 11 in the inspection apparatus for the liquid crystal chip wafer having the thin film transistor of the first embodiment.
Since the light sensor 12 (together with the optical sensor 12) is provided, the light amount of the light source 11 can be arbitrarily set and the characteristics of each part of the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer 8 at that time can be inspected. Therefore, in addition to the effects of the first embodiment, since the characteristics of each part of the thin film transistor of the liquid crystal chip can be inspected by changing the light amount of the light source in various ways, the characteristics of each part of the thin film transistor can be quantitatively evaluated. Based on this, it is possible to predict the electrical or optical usable range and usable condition of the liquid crystal display device including the liquid crystal chip,
It is possible to diversify electrical or optical standards of thin film transistors of liquid crystal chips, and as a result, the yield of liquid crystal display devices is improved, and it is possible to develop thin film transistors with new characteristics.
【００３３】第３の実施例によれば、第１又は第２の実
施例の薄膜トランジスタが形成された液晶チップウエー
ハの検査装置において、ハウジング１０内の温度を制御
する制御装置１５を設けたので、第１又は第２の実施例
の効果に加えて、液晶チップの使用環境を考慮した種々
の温度で、液晶チップウエーハ８の薄膜トランジスタの
各部の特性を検査することができる。このため、薄膜ト
ランジスタが形成された液晶チップを含む液晶表示装置
の温度的な使用状態における薄膜トランジスタの各部の
特性を検査することができる。従って、液晶表示装置の
製造の比較的初期段階で温度的な不良品を選別すること
ができるので、プロセス工程への迅速なフィードバック
が可能となり、液晶表示装置のトータルコストの低減に
寄与することができる。又、特殊の温度的条件下での薄
膜トランジスタの各部の特性も液晶表示装置の製造の比
較的初期段階で知ることができるので、開発期間の短縮
化が可能となる。液晶チップの薄膜トランジスタの各部
の特性を、種々の温度の下で検査できるので、薄膜トラ
ンジスタの各部の特性を定量的に評価することができ、
これを基にして、その液晶チップを含む液晶表示装置の
温度的な使用可能範囲及び使用可能条件を予想すること
ができ、結果として液晶表示装置の歩留りが向上する。According to the third embodiment, the control device 15 for controlling the temperature inside the housing 10 is provided in the inspection device for the liquid crystal chip wafer having the thin film transistor of the first or second embodiment. In addition to the effects of the first or second embodiment, the characteristics of each part of the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer 8 can be inspected at various temperatures in consideration of the use environment of the liquid crystal chip. Therefore, it is possible to inspect the characteristics of each part of the thin film transistor in a temperature use state of the liquid crystal display device including the liquid crystal chip on which the thin film transistor is formed. Therefore, since it is possible to select a defective product in terms of temperature at a relatively early stage of manufacturing the liquid crystal display device, quick feedback to a process step is possible, which contributes to a reduction in the total cost of the liquid crystal display device. it can. Further, since the characteristics of each part of the thin film transistor under a special temperature condition can be known at a relatively early stage of manufacturing the liquid crystal display device, the development period can be shortened. Since the characteristics of each part of the thin film transistor of the liquid crystal chip can be inspected under various temperatures, the characteristics of each part of the thin film transistor can be quantitatively evaluated,
Based on this, the temperature usable range and usable condition of the liquid crystal display device including the liquid crystal chip can be predicted, and as a result, the yield of the liquid crystal display device is improved.
【００３４】第４の実施例によれば、第３の実施例の薄
膜トランジスタが形成された液晶チップウエーハ８の検
査装置において、ハウジング１０内の湿度を制御する制
御装置１５を設けたので、第１、第２又は第３の実施例
の効果に加えて、液晶チップの使用環境を考慮した任意
の湿度を実現することができる。According to the fourth embodiment, the inspection device for the liquid crystal chip wafer 8 formed with the thin film transistor of the third embodiment is provided with the control device 15 for controlling the humidity in the housing 10. In addition to the effects of the second or third embodiment, it is possible to realize an arbitrary humidity in consideration of the usage environment of the liquid crystal chip.
【００３５】[0035]
【発明の効果】上述せる第１の本発明によれば、薄膜ト
ランジスタが形成された液晶チップウエーハが載置され
るステージと、液晶チップウエーハの薄膜トランジスタ
のパッドに接触せしめられる複数の接触子とがハウジン
グ内に収容され、複数の接触子が接続される測定器とを
有する薄膜トランジスタが形成された液晶チップウエー
ハの検査装置において、ハウジング内に液晶チップウエ
ーハの薄膜トランジスタに光を照射する光源を配したの
で、液晶チップウエーハ８の薄膜トランジスタに光を照
射した状態で、その薄膜トランジスタの各部の特性を検
査することができる。このため、薄膜トランジスタが形
成された液晶チップを含む液晶表示装置の光学的な使用
状態における薄膜トランジスタの各部の特性を検査する
ことができる。従って、液晶表示装置の製造の比較的初
期段階で電気的又は光学的な不良品を選別することがで
きるので、プロセス工程への迅速なフィードバックが可
能となり、液晶表示装置のトータルコストの低減に寄与
することができる。又、液晶チップの薄膜トランジスタ
に光を照射した場合における特性の変化から、その薄膜
トランジスタの厳密な評価が可能となり、品質向上に寄
与することができる。又、特殊の光学的条件下での薄膜
トランジスタの各部の特性も液晶表示装置の製造の比較
的初期段階で知ることができるので、開発期間の短縮化
が可能となる。According to the first aspect of the present invention described above, the stage on which the liquid crystal chip wafer on which the thin film transistors are formed is placed, and the plurality of contacts which are brought into contact with the pads of the thin film transistors of the liquid crystal chip wafer are housings. In the inspection device of the liquid crystal chip wafer in which a thin film transistor having a measuring device to which a plurality of contacts are connected is housed in, since a light source for irradiating the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer with light is arranged in the housing, With the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer 8 irradiated with light, the characteristics of each part of the thin film transistor can be inspected. Therefore, it is possible to inspect the characteristics of each part of the thin film transistor in an optically used state of the liquid crystal display device including the liquid crystal chip on which the thin film transistor is formed. Therefore, it is possible to select an electrically or optically defective product at a relatively early stage of manufacturing the liquid crystal display device, which enables quick feedback to a process step, which contributes to a reduction in the total cost of the liquid crystal display device. can do. Further, from the change in characteristics when the thin film transistor of the liquid crystal chip is irradiated with light, the thin film transistor can be rigorously evaluated, which can contribute to quality improvement. Further, since the characteristics of each part of the thin film transistor under special optical conditions can be known at a relatively early stage of manufacturing the liquid crystal display device, the development period can be shortened.
【００３６】上述せる第２の本発明によれば、第１の本
発明において、光源の光量を制御する制御装置を設けた
ので、光源の光量を任意に設定して、そのときの液晶チ
ップウエーハの薄膜トランジスタの各部の特性を検査す
ることができる。従って、第１の発明の効果に加えて、
液晶チップの薄膜トランジスタの各部の特性を、光源の
光量を様々に変えて検査できるので、薄膜トランジスタ
の各部の特性を定量的に評価することができ、これを基
にして、その液晶チップを含む液晶表示装置の電気的又
は光学的な使用可能範囲及び使用可能条件を予想するこ
とができ、液晶チップの薄膜トランジスタの電気的又は
光学的な規格を多様化することができ、結果として液晶
表示装置の歩留りが向上すると共に、新たな特性の薄膜
トランジスタの開発が可能となる。According to the second aspect of the present invention described above, since the control device for controlling the light amount of the light source is provided in the first aspect of the present invention, the light amount of the light source is arbitrarily set and the liquid crystal chip wafer at that time is set. The characteristics of each part of the thin film transistor can be inspected. Therefore, in addition to the effect of the first invention,
Since the characteristics of each part of the thin film transistor of the liquid crystal chip can be inspected by changing the light amount of the light source variously, the characteristics of each part of the thin film transistor can be quantitatively evaluated, and based on this, the liquid crystal display including the liquid crystal chip The electrical or optical usable range and usable condition of the device can be predicted, and the electrical or optical standard of the thin film transistor of the liquid crystal chip can be diversified, resulting in the yield of the liquid crystal display device. It is possible to improve the characteristics of the thin film transistor and to develop a thin film transistor having new characteristics.
【００３７】上述せる第３の本発明によれば、第１又は
第２の本発明において、ハウジング内の温度を制御する
制御装置を設けたので、第１又は第２の本発明の効果に
加えて、第１又は第２の本発明の効果に加えて、液晶チ
ップの使用環境を考慮した種々の温度で、液晶チップウ
エーハの薄膜トランジスタの各部の特性を検査すること
ができる。このため、薄膜トランジスタが形成された液
晶チップを含む液晶表示装置の温度的な使用状態におけ
る薄膜トランジスタの各部の特性を検査することができ
る。従って、液晶表示装置の製造の比較的初期段階で温
度的な不良品を選別することができるので、プロセス工
程への迅速なフィードバックが可能となり、液晶表示装
置のトータルコストの低減に寄与することができる。
又、特殊の温度的条件下での薄膜トランジスタの各部の
特性も液晶表示装置の製造の比較的初期段階で知ること
ができるので、開発期間の短縮化が可能となる。液晶チ
ップの薄膜トランジスタの各部の特性を、種々の温度の
下で検査できるので、薄膜トランジスタの各部の特性を
定量的に評価することができ、これを基にして、その液
晶チップを含む液晶表示装置の温度的な使用可能範囲及
び使用可能条件を予想することができ、結果として液晶
表示装置の歩留りが向上する。According to the third aspect of the present invention described above, in addition to the effects of the first or second aspect of the present invention, a control device for controlling the temperature inside the housing is provided in the first or second aspect of the present invention. In addition to the effect of the first or second aspect of the invention, the characteristics of each part of the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer can be inspected at various temperatures in consideration of the use environment of the liquid crystal chip. Therefore, it is possible to inspect the characteristics of each part of the thin film transistor in a temperature use state of the liquid crystal display device including the liquid crystal chip on which the thin film transistor is formed. Therefore, since it is possible to select a defective product in terms of temperature at a relatively early stage of manufacturing the liquid crystal display device, quick feedback to a process step is possible, which contributes to a reduction in the total cost of the liquid crystal display device. it can.
Further, since the characteristics of each part of the thin film transistor under a special temperature condition can be known at a relatively early stage of manufacturing the liquid crystal display device, the development period can be shortened. Since the characteristics of each part of the thin film transistor of the liquid crystal chip can be inspected under various temperatures, the characteristics of each part of the thin film transistor can be quantitatively evaluated. Based on this, the characteristics of the liquid crystal display device including the liquid crystal chip can be evaluated. The temperature usable range and usable condition can be predicted, and as a result, the yield of the liquid crystal display device is improved.
【００３８】上述せる第４の本発明によれば、第３の本
発明において、ハウジング内の湿度を制御する制御装置
を設けたので、第１、第２又は第３の本発明の効果に加
えて、液晶チップの使用環境を考慮した任意の湿度を実
現することができる。According to the fourth aspect of the present invention described above, in the third aspect of the present invention, since the control device for controlling the humidity inside the housing is provided, in addition to the effect of the first, second or third aspect of the present invention. Thus, it is possible to realize an arbitrary humidity in consideration of the usage environment of the liquid crystal chip.
【図１】本発明の一実施例を示す配置図FIG. 1 is a layout diagram showing an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例を示す配置図FIG. 2 is a layout view showing another embodiment of the present invention.
【図３】本発明の更に他の実施例を示す配置図FIG. 3 is a layout view showing still another embodiment of the present invention.
【図４】本発明の更に他の実施例を示す配置図FIG. 4 is a layout view showing still another embodiment of the present invention.
【図５】本発明の更に他の実施例を示す配置図FIG. 5 is a layout view showing still another embodiment of the present invention.
【図６】本発明の各実施例の光量制御システムを示すブ
ロック線図FIG. 6 is a block diagram showing a light amount control system of each embodiment of the present invention.
【図７】従来例を示す配置図FIG. 7 is a layout diagram showing a conventional example.
【図８】従来例のプローブカードを示す平面図FIG. 8 is a plan view showing a conventional probe card.
【図９】そのブローブカードの一部を示す拡大斜視図FIG. 9 is an enlarged perspective view showing a part of the probe card.
【図１０】薄膜トランジスタの一部のトランジスタの電
流特性を示す特性曲線図FIG. 10 is a characteristic curve diagram showing current characteristics of some transistors of thin film transistors.
【図１１】ＬＣＤパネルの活用される場合の例を示す説
明図FIG. 11 is an explanatory diagram showing an example in which an LCD panel is used.
１ プローブカード ２ 測定ピン ３ 端子 ４ アダプタ ５ ケーブル ６ 接続具 ７ スイッチングマトリックス ８ ウエーハ ９ ステージ １０ ハウジング １１ 光源 １１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ光源 １２ 光センサ １３ 測定器 １４ ケーブル １５ 温度／湿度制御装置 １６ 制御装置 1 Probe Card 2 Measuring Pin 3 Terminal 4 Adapter 5 Cable 6 Connector 7 Switching Matrix 8 Wafer 9 Stage 10 Housing 11 Light Source 11A, 11B, 11C Light Source 12 Optical Sensor 13 Measuring Instrument 14 Cable 15 Temperature / Humidity Controller 16 Controller
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/786 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI technical display location H01L 29/786
Claims (4)
プウエーハが載置されるステージと、上記液晶チップウ
エーハの薄膜トランジスタのパッドに接触せしめられる
複数の接触子とがハウジング内に収容され、上記複数の
接触子が接続される測定器とを有する薄膜トランジスタ
が形成された液晶チップウエーハの検査装置において、 上記ハウジング内に上記液晶チップウエーハの薄膜トラ
ンジスタに光を照射する光源を配したことを特徴とする
薄膜トランジスタが形成された液晶チップウエーハの検
査装置。1. A stage on which a liquid crystal chip wafer having thin film transistors formed thereon is mounted, and a plurality of contacts which are brought into contact with pads of the thin film transistors of the liquid crystal chip wafer are housed in a housing, and the plurality of contacts are provided. In a device for inspecting a liquid crystal chip wafer in which a thin film transistor having a measuring device connected to is formed, a thin film transistor characterized in that a light source for irradiating light to the thin film transistor of the liquid crystal chip wafer is arranged in the housing is formed. LCD chip wafer inspection device.
成された液晶チップウエーハの検査装置において、 上記光源の光量を制御する制御装置を設けたことを特徴
とする薄膜トランジスタが形成された液晶チップウエー
ハの検査装置。2. An inspection apparatus for a liquid crystal chip wafer having a thin film transistor formed thereon according to claim 1, further comprising a control device for controlling a light quantity of the light source. Inspection device.
タが形成された液晶チップウエーハの検査装置におい
て、 上記ハウジング内の温度を制御する制御装置を設けたこ
とを特徴とする薄膜トランジスタが形成された液晶チッ
プウエーハの検査装置。3. A liquid crystal chip wafer inspection apparatus having a thin film transistor according to claim 1 or 2, wherein a control device for controlling a temperature in the housing is provided. Chip wafer inspection device.
成された液晶チップウエーハの検査装置において、 上記ハウジング内の湿度を制御する制御装置を設けたこ
とを特徴とする薄膜トランジスタが形成された液晶チッ
プウエーハの検査装置。4. A liquid crystal chip wafer having a thin film transistor formed thereon according to claim 3, wherein a control device for controlling humidity in the housing is provided. Inspection equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26273794A JPH08122209A (en) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Inspection device for liquid crystal chip wafer in which thin film transistor has been formed |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26273794A JPH08122209A (en) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Inspection device for liquid crystal chip wafer in which thin film transistor has been formed |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08122209A true JPH08122209A (en) | 1996-05-17 |
Family
ID=17379891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26273794A Pending JPH08122209A (en) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | Inspection device for liquid crystal chip wafer in which thin film transistor has been formed |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08122209A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006250579A (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Denso Corp | Inspection device and characteristic adjusting method of humidity sensor |
| JP2008066690A (en) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Seiko Instruments Inc | Probe card with surface light source |
| US7829355B2 (en) | 2007-08-07 | 2010-11-09 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method for inspecting semiconductor device |
| KR101031998B1 (en) * | 2008-10-20 | 2011-05-02 | 주식회사 영우디에스피 | Apparatus for probing light element array pannel |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP26273794A patent/JPH08122209A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006250579A (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Denso Corp | Inspection device and characteristic adjusting method of humidity sensor |
| JP2008066690A (en) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Seiko Instruments Inc | Probe card with surface light source |
| US7829355B2 (en) | 2007-08-07 | 2010-11-09 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method for inspecting semiconductor device |
| KR101031998B1 (en) * | 2008-10-20 | 2011-05-02 | 주식회사 영우디에스피 | Apparatus for probing light element array pannel |
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