JPH081160A - 水の製造方法及び得られた水 - Google Patents
水の製造方法及び得られた水Info
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Abstract
(細胞の活性調整)に用いられる水を提供することにあ
る。 【構成】 酸化・還元性能を有する水の製造方法であっ
て、第1の隔壁及び第2の隔壁で遮ることによってアノ
ード室と中間室とカソード室とが構成され、前記第1の
隔壁に密接させてアノード室内にアノード極が設けられ
ると共に、前記第2の隔壁に密接させてカソード室内に
カソード極が設けられてなる電解槽を用い、前記アノー
ド室及び/又はカソード室に水を供給すると共に、前記
中間室には電解質水溶液が存在する条件下で電解処理を
行う水の製造方法。
Description
処理、生物の成長調整(細胞の活性調整)に用いられる
水に関するものである。
処理、微生物や植物などの生物の成長(細胞の活性)に
影響を与えていることは知られている。以下で、これら
の分野において、水のpH及び酸化・還元能が如何なる
役割を果たしているか、又、水のpH及び酸化・還元能
をどのようにコントロールしているかについて、その概
略を説明する。
質や反応生成物、液状、粒子状物質に大別される。イオ
ン状物質の汚染形態には、ガラス表面等に観られるイオ
ン交換による吸着、半導体や金属の表面に観られるイオ
ンの静電的引力による付着、及び半導体、金属、セラミ
ックスの表面層へのイオンの拡散による侵入といったも
のが挙げられる。
のスケールのような水中不純物の沈積付着や金属表面に
発生する酸化皮膜、錆に分類される。これに比べて粒子
状物質による汚染形態は複雑である。すなわち、化学的
な結合による付着、ファンデルワールス力や水素結合等
の物理化学的結合による付着、静電力もしくは磁気力に
よる物理的付着等が挙げられる。
純水又は超純水によって洗浄されるのが一般的である。
例えば、半導体の洗浄に際しては、電気抵抗率が約18
MΩ/cmの超純水が用いられる。反応生成物について
は、通常、化学薬品を用いて洗浄される。例えば、先の
スケール等は酸とキレート剤とを組合わせた薬剤が用い
られ、特に、両者の機能を併せ持つクエン酸、エチレン
ジアミン四酢酸、ニトリロ三酢酸といったものが使用さ
れている。
よって金属表面の酸化皮膜が除去される速度は、水溶液
のpHと酸化・還元能とに大きく依存する。例えば、鉄
の酸化皮膜を構成する四三酸化鉄(Fe3 O4 )は、p
Hが約4以下の酸性であって、かつ、還元性を有する水
溶液中で速やかに溶解する。尚、金属の酸化皮膜溶解に
用いられる代表的な薬剤としては、酸及び還元剤の両機
能を有する蓚酸や、その他にもクエン酸、エチレンジア
ミン四酢酸を組合わせたものが挙げられる。
酸化性の水溶液中で溶解する。この処理に用いられる代
表的な薬剤としては、水酸化ナトリウムと過マンガン酸
カリウムとを組合わせたものや、フッ酸と硝酸とを組合
わせたものが挙げられる。尚、シリコンウェハ洗浄の分
野で、表面層をエッチングすることにより洗浄処理を行
う場合があり、この処理には、アンモニア水と過酸化水
素水とを組合わせたものや、水酸化ナトリウム、又は硝
酸等が用いられる。
体、又は皮膜状の汚染物質の除去には、この汚染物質を
酸化分解したり、溶解させるといった方法が適用されて
おり、酸化分解に用いられる薬剤としては、硫酸と過酸
化水素とを組合わせたもの、水酸化アンモニウムと過酸
化水素とを組合わせたもの等が挙げられる。無機物質で
ある汚染物質を溶解する場合には、塩酸と過酸化水素、
硫酸と過酸化水素、塩酸と硝酸、硫酸と硝酸とを組合わ
せたものが用いられる。
合は、トリクロロエタン、ジクロロメタン等の有機塩素
系溶剤が使用される。以上の説明から明らかなように、
水のpHと酸化還元能とは、洗浄及び表面処理において
重要な役割を果たしているのである。ところで、水のp
Hを酸性又はアルカリ性とし、酸化・還元能を付与する
手段としては、化学薬品を添加する方法と電気分解(以
下、電解と称する)を利用する方法とがある。
を水に溶解すると、一部は水や水に溶解している物質と
酸化・還元反応し、その酸化・還元能が低下する。従っ
て、使用時に、電解により劣化した成分を元に戻すこと
により、強い酸化・還元能を有する液が得られる。強い
酸化・還元性の電解液を得る為には、アノード電解液と
カソード電解液の混合を防止する隔膜電解法が用いられ
る。
電解質の添加量を多くせざるを得ず、例えば数%程度添
加せざるを得なかった。この為、得られた溶液中に電解
質イオンがかなり含まれることになる。従って、例えば
洗浄に利用しようとすると、電解質イオンが残留し、被
洗浄物の表面に付着・残留してしまったりする。そし
て、この残留イオンによる種々の問題が起きる。例え
ば、材料の劣化などがある。又、廃液処理がそれだけ面
倒にもなる。
食を促進するハロゲンイオンが残留すると、急速な腐食
の進行が懸念される。又、洗浄後の半導体にイオン性不
純物が残留すると、半導体の性能は著しく低下する。更
に、これらの問題点に関連して、残留するイオン等を除
去する為に洗浄後にリンス作業を実施する必要があり、
シリコンウェハ1枚に当たり数千リットルもの大量の超
純水が使用されているのが現状である。
又、汚染問題が深刻なものとなって来ており、水の使用
量削減を図る為の技術開発が望まれている。又、生物の
活動は環境に強く依存していることが知られている。例
えば、動物、植物あるいは好気性微生物の細胞内では、
酸素を利用した酸化・還元反応が起き、この際に発生す
るエネルギーが生物の活動に用いられている。
る水が動物、植物あるいは好気性微生物の細胞にどのよ
うに影響しているかはあまり知られていなかった。
処理、生物の成長調整(細胞の活性調整)に用いられる
水を提供することにある。この本発明の目的は、酸化・
還元性能を有する水の製造方法であって、第1の隔壁及
び第2の隔壁で遮ることによってアノード室と中間室と
カソード室とが構成され、前記第1の隔壁に密接させて
アノード室内にアノード極が設けられると共に、前記第
2の隔壁に密接させてカソード室内にカソード極が設け
られてなる電解槽を用い、前記アノード室及び/又はカ
ソード室に水を供給すると共に、前記中間室には電解質
水溶液が存在する条件下で電解処理を行うことを特徴と
する水の製造方法によって達成される。
の製造方法であって、第1の隔壁及び第2の隔壁で遮る
ことによってアノード室と中間室とカソード室とが構成
され、前記第1の隔壁に密接させてアノード室内にアノ
ード極が設けられると共に、前記第2の隔壁に密接させ
てカソード室内にカソード極が設けられてなる電解槽を
用い、前記アノード室及び/又はカソード室に水を供給
・排出すると共に、前記中間室には電解質水溶液が存在
する条件下で電解処理を行うことを特徴とする水の製造
方法によって達成される。
ノード極及び/又はカソード極の通水面にジャマ板、例
えば多孔質性の板、あるいは直径数mm程度の孔が多数
形成された板が設けられていることが好ましい。すなわ
ち、ジャマ板を設け、アノード極及び/又はカソード極
の隔壁と接する面の反対側の通水面に水があまり接する
ことがないようにした電解槽を用いて電解処理を行うこ
とが好ましい。斯の如くにさせると、アノード極及び/
又はカソード極の表面に電解液が一端保持され、電導度
が向上し、電解電圧を低くすることが可能になる。ジャ
マ板の材料はPVC,PP,PMMA,PFA、その他
絶縁性の材料が用いられる。
1の隔壁にカチオン交換膜及び/又はアニオン交換膜が
構成されていることが好ましい。そして、このような電
解槽を用いて電解処理を行うことにより、中間室から陰
イオンの移動を抑制でき、酸性の酸化水が効率良く製造
されるようになる。又、上記の発明で用いられる電解槽
は、第2の隔壁にアニオン交換膜及び/又はカチオン交
換膜が構成されていることが好ましい。そして、このよ
うな電解槽を用いて電解処理を行うことにより、中間室
から陽イオンの移動を抑制でき、アルカリ性の還元水が
効率良く製造されるようになる。
間室にカチオン交換樹脂及び/又はアニオン交換樹脂を
充填したものであることが好ましい。以下、本発明につ
いて説明する。先ず、現在、市販されている酸化性のア
ノード電解水や還元性のカソード電解水は、次のように
して得られている。すなわち、図7に示されるようなア
ノード電解水と還元性のカソード電解水との分離が可能
な隔膜式電解槽が用いられる。図7中、21はカソード
極、22はカソード室、23はアノード極、24はアノ
ード室、25は陰イオン交換膜あるいは多孔質膜と言っ
た隔膜である。この装置で電解を行う為には1%以上の
NaClを溶解させておく必要がある。そして、電解処
理が行われると、カソード極側では Na+ +e- →Na 2Na+2H2 O→2Na+ +2OH- +H2 アノード極側では 2Cl- −2e- →Cl2 の反応が起きる。この電解中に、Cl- とOH- がカソ
ード室からアノード室に移行する。
中のNaCl濃度を低減し、Cl2 などのハロゲンガス
の発生を抑える為には、図1に示されるような隔膜式電
解槽が用いられる。図1中、1はカソード極、2はアノ
ード極、3,4は陰イオン交換膜あるいは多孔質膜と言
った隔膜(隔壁)であり、隔膜3,4で挟まれる部分に
中間室5が形成されている。又、カソード極1は隔膜3
に密接(密着)して設けられており、アノード極2は隔
膜4に密接(密着)して設けられている。6は電極1,
2や隔膜3,4を収納する容器、7は直流電源、8はカ
ソード室、9はアノード室である。
と、カソード室8やアノード室9に添加する電解質の量
を低減しても電解が可能となる。そして、カソード室8
やアノード室9に電解質を添加しなくとも、電解に必要
な電解質は中間室5から補給され、電解が行われる。
尚、電解処理によってカソード室8内のカソード液はア
ルカリ性に、又、アノード室9内のアノード液は酸性に
なる傾向が強い。従って、カソード極1の材質は耐アル
カリ性に優れたものであることが望ましい。例えば、白
金、パラジウム、金、炭素鋼、ステンレス鋼、銀、銅、
グラファイト、ガラス質カーボン等の使用が望ましい。
又、アノード極2の材質としては、耐酸性に優れ、酸化
し難いものであることが望ましく、例えばPt,Ru,
RuO,Ir,Pd,β−PbO 2 ,NiFe2 O4 、
ガラス質カーボン等が望ましい。
分子材料(PE,PP,PET,PTFE等)からなる
フィルタ又は有孔フィルム、イオン交換膜が挙げられ
る。尚、隔膜3,4は、これらフィルタ、有孔フィルム
及びイオン交換膜を組合わせたものであっても良い。特
に、イオン交換膜としては、カソード極1側ではOH-
が中間室5に移動することを阻止する為に強酸性又は弱
酸性のカチオン交換膜を用い、他方、アノード極2側で
はH+ が中間室5に移動することを阻止する為に強塩基
や弱塩基のアニオン交換膜を用いることが好ましい。
又、中間室5内の溶質がカソード室8及びアノード室9
内に移動する必要がある場合には、イオン交換膜として
強酸性と強塩基性のイオン交換膜を重ねたものを用いれ
ば良く、もしくは弱酸性と弱塩基性のイオン交換膜を重
ねたものを用いても良い。尚、上述した隔膜3,4の使
用以外に溶質の移動を抑える手段としては、中間室5の
溶質濃度を下げる方法がある。しかしながら、この方法
では電気抵抗率が高くなり過ぎるので、中間室5内に粒
状のイオン交換樹脂を充填する。
せる電解質の選定基準は、対象によって異なる。例え
ば、シリコンウェハ等の半導体のような精密部品の洗浄
に電解水を使用する場合には、イオン残留を極力抑える
為に可能な限り低温で気化する電解質を用いることが望
ましい。例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニ
ウム、硫酸ヒドラジン、塩化ヒドラジン、硝酸アンモニ
ウム、モルフォリン等のアミン系化合物、又、炭酸ナト
リウムや炭酸水素ナトリウム等の炭酸塩、硝酸塩、更に
は亜硝酸塩が挙げられる。通常の洗浄や表面処理に電解
水を用いる場合には、環境に悪影響を与えず、アノード
液とカソード液とを混合するだけで、そのまま廃棄可能
な電解質が望ましい。例えば、NaCl,Na2 S
O4 ,KCl,K2 SO4 等のナトリウム塩、カリウム
塩や硫酸塩が挙げられる。
が、1×10-3〜5mol/lの範囲であることが望ま
しい。尚、中間室5に粒状イオン交換樹脂を充填する場
合には、1×10-6〜5×10-3mol/lの範囲が望
ましい。カソード室8とアノード室9内の電解質濃度と
しては1×10-2mol/l以下であることが望まし
い。尚、電解質濃度が1×10-2mol/lにおける導
電率は1000μS/cm程度である。
上であることが望ましい。ところで、Na+ やCl- の
ような一価のイオンに対してイオン交換膜の輸率は大き
く、低電圧で電解できるのであるが、SO4 2- やCO3
2- のような2価のイオンに対してはイオン交換膜の輸
率は低く、低電圧では電解でき難くなる。このような場
合には、前述したようなジャマ板を設けておくことによ
り、低電圧で電解できるようになる。すなわち、ジャマ
板によりアノード極及び/又はカソード極の表面に電解
生成物が一端保持され、過剰な生成物のみがアノード室
及び/又はカソード室の水に移行し、結果として電極表
面における電解生成物の濃度が大きくなり、電解電圧が
低くなる。
ド室9に入れる水は水道水、蒸留水のような純水であっ
ても良いが、カソード室8やアノード室9から得る水に
各種のイオンと言った不純物が含まれないようにする
為、導電率が3000μS/cm以下、好ましくは0.
06〜3000μS/cm、より好ましくは0.06〜
2000μS/cmの水が用いられることが好ましい。
化・還元反応よりもH2 Oの分解が起こるようなもので
あることが望ましい。このような条件下で電解が行われ
ると、 2H+ +2e- ⇔ H2 EO =0.0V (1) O2 +H+ +e- ⇔ HO2 EO =−0.13V (2) O2 +2H+ +2e- ⇔ H2 O2 EO =0.68V (3) H2 O2 +H+ +2e- ⇔ OH- +H2 O EO =0.71V (4) O2 +4H+ +4e- ⇔ 2H2 O EO =1.22V (5) HO2 +H+ +e- ⇔ H2 O2 EO =1.495V (6) H2 O2 +2H+ +2e- ⇔ 2H2 O EO =1.77V (7) OH+H+ +e- ⇔ H2 O EO =2.85V (8) O2 +H2 O+2e- ⇔ HO2 +OH- EO =−0.076V(9) 2H2 O+2e- ⇔ H2 +2OH- EO =−0.82V (10) O2 +2H2 O+4e- ⇔ 4OH- EO =−0.401V(11) HO2 - +H2 O+2e- ⇔ 3OH- EO =−0.76V (12) OH+e- ⇔ OH- EO =−2.02V (13) O3 +H2 O+2e- ⇔ O2 +2OH- EO =1.24V (14) で表されるような水の電解が起きる。尚、E0 は標準酸
化還元電位である。
と、H2 O−O2 の酸化・還元反応から、OHラジカ
ル,O2 ,O3 ,H2 O2 ,HO2 ,H2 等の酸化・還
元種が生成することが判る。そして、このような酸化・
還元種を有する水は、洗浄、工業材料の表面処理、生物
(動物、植物あるいは好気性微生物)の成長調整(細胞
の活性調整)などに用いられる。
・還元性能を有する水(特に、低電解質濃度で酸化・還
元種を含む水)は、例えばシリコンウェハ等の精密部品
の洗浄、その他一般的なものの洗浄、あるいは工業材料
の表面処理に用いられる。又、上記のようにして得られ
たアノード電解水は、濃度が濃い場合、例えば500〜
50000ppmと言ったように濃い濃度の場合には、
抗菌剤(抗ウィルス剤)として使用できる。
解水は、濃度が薄い場合、例えば0.01〜500pp
m未満と言ったように薄い濃度の場合には、生物の成長
促進剤(細胞の活性促進剤)あるいは調整剤として使用
できる。以下、実施例によって本発明を具体的に説明す
る。
示すものであり、図1は電解槽の概略断面図、図2は電
解槽と各種タンクとの接続状態を示す配管図である。各
図中、1はカソード極、2はアノード極、3,4は陰イ
オン交換膜あるいは多孔質膜と言った隔膜(隔壁)であ
り、隔膜3,4で挟まれる部分に中間室5が形成されて
いる。尚、カソード極1は隔膜3に密接(密着)して設
けられており、アノード極2は隔膜4に密接(密着)し
て設けられている。
器、7は直流電源、8はカソード室、9はアノード室で
ある。10は純水製造装置であり、ポンプ11の作用で
純水製造装置10で製造された純水(導電率が0.06
μS/cm)がカソード室8及びアノード室9に供給さ
れるよう構成されている。
が送り込まれる液受けタンク、13は電解処理されたア
ノード室9内の液が送り込まれる液受けタンクである。
14は電解質水溶液が充填された電解液タンクであり、
この電解液タンク14内の電解質水溶液はポンプ15の
作用で中間室5内に送られるよう構成されている。
く配置し、以下の条件で電解処理を行って本発明になる
水を得た。すなわち、図1に示す電解槽において、カソ
ード極1にはニードルパンチ加工を施したSUS304
鋼板を、又、アノード極2には80メッシュの白金をそ
れぞれ用いた。尚、電極の縦横寸法は80×60mmと
した。
/m2 のPP製不織布とカチオン交換膜(徳山ソーダ
(株)製 CMH)を、アノード極2側の隔膜4には、
PP製不織布とアニオン交換膜(徳山ソーダ(株)製
AMH)を用いた。尚、隔膜3と隔膜4との間隔tは約
6mmとした。純水製造装置10から送られる純水(導
電率が0.06μS/cm)の流量は200cc/mi
nとし、中間室5には電解液タンク14から濃度が1m
ol/lのNaCl水溶液を送った。
とした。尚、この時の電解電圧は10Vであった。電解
処理が行われた液についてpHや酸化還元電位について
調べた処、ガラス電極で測定したカソード液のpHは約
12.2であり、銀−塩化銀電極で測定した酸化還元電
位は約−900mV(vsAg/AgCl)であった。
酸化還元電位は1180mV(vsAg/AgCl)で
あった。そして、カソード液を元素分析したところ、N
a+ の濃度は約2.5×10-3mol/lであり、又、
同様にアノード液におけるCl- の濃度は約2.1×1
0-3mol/lであった。
2のアルカリ水溶液における酸化還元電位は約−200
mVであり、HClを用いて調整したpH=2.2の水
溶液における酸化還元電位は約+150mVであった。
このことから、本電解処理によりカソード電解水には還
元性物質が、アノード電解水には酸化性物質が生成され
たことが判る。
水の光吸収スペクトルを調べると、図3に示す通りであ
った。そして、このものには、230〜240nm付近
におけるClO- 特有のピークが認められなかった。す
なわち、NaCl水溶液をアノード電解した際には、塩
素ガスが生成し、これに起因してClO- が生成してお
り、このアノード電解水の光吸収スペクトルには230
〜240nm付近におけるClO- 特有のピークが認め
られるものの、本発明のようにして得られたアノード電
解水にはClO- 特有のピークが認められなかったので
ある。又、塩素ガス特有の臭気も感じられなかった。
められた水溶液を用いて各種のテストを行ったので、そ
の結果を述べる。先ず、抗菌性試験について述べる。ポ
テトデキストローズを用いた寒天培地を用意する。又、
枯草菌、大腸菌、カンジダ菌の各液、並びに上記のよう
にして得られた本発明になる水(アノード電解水)を用
意する。そして、各菌の液1mlとアノード電解水5m
lとを混合し、これを寒天培地で培養した。枯草菌や大
腸菌については1日かけて、カンジダ菌については3日
かけて培養したが、各菌の発育は認められなかった。
とを混合し、これを寒天培地で同様に培養した処、各菌
が培地全面において成長していた。すなわち、本発明に
よるアノード電解水には抗菌作用のあることが判る。上
記についてはアノード電解水が濃い濃度での使用の場合
を説明した。すなわち、例えば500〜50000pp
mのような濃い濃度で使用した場合には、抗菌作用があ
ることを立証したのである。
場合には成長促進作用のあることが判る。このことをア
スペルギルスニガー菌について述べる。先ず、アクリル
製容器にプレパラートを組み込み、この上にポテトデキ
ストローズを用いた寒天培地を乗せる。この上にアスペ
ルギルスニガーの胞子を懸濁した生理的食塩水を撒く。
そして、30℃で24時間培養し、発芽させた。この発
芽した菌糸の成長速度を調べると、図4に示す如く、約
5μm/minであった。そこで、この観察後(20分
後)に、生理的食塩水で500倍に希釈したアノード電
解水を1ml菌糸の上に滴下した処、図4に示す如く、
菌糸の成長速度が増加した。
のような薄い濃度で使用した場合には、成長促進作用が
認められたのである。又、洗浄性について調べた。被洗
浄体として切削油を塗布したプレパラート及び指紋を付
着させたプレパラートを準備し、これらのプレパラート
を50cc/minの流量で2分間にわたって洗浄し
た。尚、比較の為に、NaOH水溶液とHCl水溶液を
用いて同様の洗浄テストを行った。
とが判る。
3室型の電解槽を用いる。電極として80メッシュで8
0×60mmの網状の白金を用いた。カソード極1側の
隔膜3には、目付80g/m2 のPP製不織布とカチオ
ン交換膜(徳山ソーダ(株)製 CMH)を、アノード
極2側の隔膜4には、PP製不織布とアニオン交換膜
(徳山ソーダ(株)製 AMH)を用いた。尚、隔膜3
と隔膜4との間隔tは約6mmとした。
率が0.06μS/cm)の流量は200cc/min
とし、中間室5には電解液タンク14から濃度が2mo
l/lのNa2 SO4 水溶液を送った。そして、電解電
流密度は33mA/cm2 とした。尚、この時の電解電
圧は60Vであった。アノード電解液のpHは3.2で
あり、酸化還元電位は450mVであった。
孔が多数形成されたPVC製の多孔板16をカソード極
1とアノード極2側の側面に当接させた構成の3室型の
電解槽(図6参照)を用意した。この電解槽を用いて上
記と同じ条件で電解した処、電解電圧は7Vに低下し
た。この時のアノード電解液のpHは2.4であり、酸
化還元電位は800mVであった。
極の通水面にジャマ板(多孔板16)を設け、アノード
極及び/又はカソード極の隔膜と接する面の反対側の通
水面に水があまり接することがないようにした電解槽を
用いて電解処理を行うと、電解電圧を低くすることが出
来る。尚、多孔板16の孔形状は円形に限られず、例え
ばスリット状であっても良い。又、電極と多孔板を兼ね
る為に、網状ではなく、多孔板を電極としても良い。例
えば、アノード極の場合、Ti製多孔板にPtメッキを
したものを、カソード極の場合、ステンレス鋼や鉄など
の金属の多孔板を用いることが出来る。
槽を用意した。そして、純水製造装置10から送られる
純水(導電率が0.06μS/cm)の流量は500c
c/minとし、中間室5には電解液タンク14から濃
度が2mol/lのNa2 SO4 水溶液を送った。電解
電流密度は41mA/cm2 とした。尚、この時の酸化
還元電位は780mVで、pHは2.5であった。
添加すると、pHの変化はなく、酸化還元電位は108
0mVに上昇した。この得られた液を用いて実施例1と
同様な抗菌性試験を行った処、抗菌性が確認された。 〔実施例4〕図6に示される3室型の電解槽を用意し、
カソード室8及びアノード室9に導電率が10μS/c
mの水を流量200cc/minで送り、又、中間室5
には導電率が10μS/cmの水を流量1000cc/
minで送った。電解電流密度は41mA/cm2 とし
た。尚、この時の酸化還元電位は1100mVで、pH
は2.7であった。
と同様な抗菌性試験を行った処、抗菌性が確認された。
が可能であり、又、抗菌作用があることから抗菌剤(抗
ウィルス剤)としての使用が可能であり、又、薄めた場
合には成長促進剤としての使用が可能である。又、細胞
活性や洗浄効果があることから、肌の美容水としての使
用にも有効である。
Claims (11)
- 【請求項1】 酸化・還元性能を有する水の製造方法で
あって、第1の隔壁及び第2の隔壁で遮ることによって
アノード室と中間室とカソード室とが構成され、前記第
1の隔壁に密接させてアノード室内にアノード極が設け
られると共に、前記第2の隔壁に密接させてカソード室
内にカソード極が設けられてなる電解槽を用い、前記ア
ノード室及び/又はカソード室に水を供給すると共に、
前記中間室には電解質水溶液が存在する条件下で電解処
理を行うことを特徴とする水の製造方法。 - 【請求項2】 低電解質濃度で酸化・還元種を含む水の
製造方法であって、第1の隔壁及び第2の隔壁で遮るこ
とによってアノード室と中間室とカソード室とが構成さ
れ、前記第1の隔壁に密接させてアノード室内にアノー
ド極が設けられると共に、前記第2の隔壁に密接させて
カソード室内にカソード極が設けられてなる電解槽を用
い、前記アノード室及び/又はカソード室に水を供給・
排出すると共に、前記中間室には電解質水溶液が存在す
る条件下で電解処理を行うことを特徴とする水の製造方
法。 - 【請求項3】 アノード極及び/又はカソード極の通水
面にジャマ板が設けられた電解槽を用いて電解処理を行
うことを特徴とする請求項1または請求項2記載の水の
製造方法。 - 【請求項4】 第1の隔壁にカチオン交換膜及び/又は
アニオン交換膜を構成した電解槽を用いて電解処理を行
うことを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかに記載
の水の製造方法。 - 【請求項5】 第2の隔壁にアニオン交換膜及び/又は
カチオン交換膜を構成した電解槽を用いて電解処理を行
うことを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかに記載
の水の製造方法。 - 【請求項6】 アノード室及び/又はカソード室に供給
する水は導電率が3000μS/cm以下の水であるこ
とを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかに記載の水
の製造方法。 - 【請求項7】 中間室にカチオン交換樹脂及び/又はア
ニオン交換樹脂を充填した電解槽を用いて電解処理を行
うことを特徴とする請求項1〜請求項6いずれかに記載
の水の製造方法。 - 【請求項8】 中間室の電解質としてハロゲン塩が用い
られてなることを特徴とする請求項1〜請求項7いずれ
かに記載の水の製造方法。 - 【請求項9】 請求項1〜請求項8いずれかに記載の水
の製造方法で得られた水であって、洗浄剤として使用さ
れることを特徴とする水。 - 【請求項10】 請求項1〜請求項8いずれかに記載の
水の製造方法で得られた水であって、抗菌剤として使用
されることを特徴とする水。 - 【請求項11】 請求項1〜請求項8いずれかに記載の
水の製造方法で得られた水であって、成長調整剤として
使用されることを特徴とする水。
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