JPH08115968A - Multistage multi-chamber vacuum heat treatment system - Google Patents
Multistage multi-chamber vacuum heat treatment systemInfo
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- JPH08115968A JPH08115968A JP27307094A JP27307094A JPH08115968A JP H08115968 A JPH08115968 A JP H08115968A JP 27307094 A JP27307094 A JP 27307094A JP 27307094 A JP27307094 A JP 27307094A JP H08115968 A JPH08115968 A JP H08115968A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体若しくは液晶
デイスプレイ製造装置に係り、詳記すれば、複数の基板
処理チャンバを有する真空熱処理装置に於いて、省スペ
ースで高い生産性を上げることができるようにした多段
式複数チャンバ熱処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor or liquid crystal display manufacturing apparatus, and more specifically, in a vacuum heat treatment apparatus having a plurality of substrate processing chambers, it is possible to save space and increase productivity. The present invention relates to such a multi-stage multi-chamber heat treatment apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種真空プロセス装置（マルチ
チャンバ）は、図７に示すように、基板搬送チャンバ１
の機構部を中心に、同心状に基板処理チャンバ２を複数
台設置した構造となっており、これらの基板処理チャン
バは、最大でも４台程度装備するのが限界であったの
で、装置の占有面積の割には生産性を上げることは困難
であった。この場合、これ以上の基板処理チャンバを接
続するには、近接した場所に別の搬送チャンバ１′を有
する基板処理チャンバ２を設置する必要があったので、
非常に広い占有面積を必要としていた。2. Description of the Related Art Conventionally, a vacuum processing apparatus (multi-chamber) of this type has a substrate transfer chamber 1 as shown in FIG.
The structure is such that a plurality of substrate processing chambers 2 are installed concentrically around the mechanical part of the above, and the maximum number of these substrate processing chambers to be installed is about 4, so that the apparatus occupation It was difficult to increase productivity for the area. In this case, in order to connect more substrate processing chambers, it was necessary to install the substrate processing chamber 2 having another transfer chamber 1'in a close place,
It required a very large footprint.
【０００３】即ち、例えば６種類の異なる連続処理を行
う場合は、図７に示すように、基板搬送チャンバ１，
１′を２台並べた方法を使用しなければならなかった
が、これは図７に示すように、非常に広い占有面積を必
要とし、そのため単位面積当たりの生産性を上げること
ができなかった。このような真空プロセス装置は、クリ
−ンル−ムに設置される場合が多いが、この場合は、ク
リ−ンル−ムに於いての設置面積を大きくし、これが処
理コストの増大につながる問題があった。また、基板処
理チャンバを超高真空に維持する場合、複数の基板搬送
チャンバを使用して、ベ−ス圧力を段階的に下げること
が行われているが、この場合も同様に基板搬送チャンバ
を複数台並べて設置する方法が行われていたので、同様
の問題があった。That is, for example, when performing six different types of continuous processing, as shown in FIG.
The method of arranging two 1's had to be used, but this requires a very large occupation area as shown in FIG. 7, and therefore the productivity per unit area could not be increased. . Such a vacuum process apparatus is often installed in a clean room, but in this case, a large installation area is required in the clean room, which causes a problem of increasing processing cost. there were. Further, when the substrate processing chamber is maintained in an ultra-high vacuum, a plurality of substrate transfer chambers are used to gradually lower the base pressure. Since there was a method of installing multiple units side by side, there was a similar problem.
【０００４】また、従来の複数チャンバ熱処理装置は、
基板搬送チャンバの前室となるロ−ドロックチャンバ４
は、基板処理チャンバと同様に、同心状に２個設置さ
れ、該ロ−ドロックチャンバ内には、基板運搬用ケ−ス
（カセット）を１個収納するようになっていた。従っ
て、基板運搬用ケ−ス内の基板を全て基板搬送チャンバ
に移送した場合は、ロ−ドロックチャンバを大気圧に戻
し、また真空状態にしなければならなかったが、これに
必要な時間が生産性を下げる原因となっていた。Further, the conventional multi-chamber heat treatment apparatus is
Load lock chamber 4 which is a front chamber of the substrate transfer chamber
In the same manner as the substrate processing chamber, two are installed concentrically, and one load carrying case (cassette) is housed in the load lock chamber. Therefore, when all the substrates in the substrate transport case were transferred to the substrate transport chamber, the load lock chamber had to be returned to atmospheric pressure and evacuated. It was a cause of lowering the sex.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】この発明は、このよう
な点に着目してなされたものであり、異種のプロセス処
理を多数連続で行うようなプロセスに於いて、或は基板
処理チャンバを超高真空に維持する場合に於いて、従来
のような広い占有面積を必要としない複数チャンバ熱処
理装置を提供することを目的とする。またこの発明は、
ロ−ドロックチャンバを大気圧に戻し、また真空状態に
する回数を減らすことによって所要時間を著しく短縮し
た複数チャンバ熱処理装置を提供することを目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a point, and is used in a process in which a large number of different kinds of process treatments are continuously performed, or in which the substrate treatment chamber is used in excess. An object of the present invention is to provide a multi-chamber heat treatment apparatus which does not require a large occupied area as in the conventional case when maintaining a high vacuum. This invention also
An object of the present invention is to provide a multi-chamber heat treatment apparatus in which the time required is remarkably shortened by returning the load lock chamber to atmospheric pressure and reducing the number of times of vacuuming.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的に沿う本発明の
構成は、各基板処理チャンバへ基板を出し入れする基板
搬送チャンバの周りにゲ−トバルブを介して複数の基板
処理チャンバを設けた複数チャンバ真空熱処理装置に於
いて、前記複数の基板処理チャンバを設けた基板搬送チ
ャンバを多段に積層し、前記基板搬送チャンバの周りに
ゲートバルブを介して、基板を上下の基板搬送チャンバ
に移送する基板上下移載チャンバを設けたことを特徴と
する。 またこの発明は、上記装置に於いて、ロ−ドロ
ックチャンバ内に、基板搬送用ケ−スを縦方向に多段に
設置するか、或は複数のロ−ドロックチャンバを互いに
縦方向に隔離して設けたことを特徴とする。SUMMARY OF THE INVENTION In accordance with the above-mentioned object of the present invention, there is provided a plurality of chambers in which a plurality of substrate processing chambers are provided via a gate valve around a substrate transfer chamber for loading and unloading substrates into and from each substrate processing chamber. In a vacuum heat treatment apparatus, substrate transfer chambers provided with the plurality of substrate processing chambers are stacked in multiple stages, and substrates are transferred to the upper and lower substrate transfer chambers via a gate valve around the substrate transfer chambers. A transfer chamber is provided. Also, in the above-mentioned apparatus according to the present invention, in the load lock chamber, substrate transport cases are installed in multiple stages in the vertical direction, or a plurality of load lock chambers are isolated from each other in the vertical direction. It is characterized by being provided.
【０００７】[0007]
【実施例】次に、本発明の実施例を図１〜図３に基づい
て説明する。図１は、本発明の実施例を示す平面図であ
り、図２は図１のＡ−Ａ′矢視図、図３は、図１の一部
破断側面図である。尚、図１は、上面の蓋が開口した状
態を示している。処理基板７は、図３に示すように、ロ
−ドロックチャンバ４内にカセット１３と共に装着さ
れ、真空ハッチ５が閉められた後、真空引きされ、到達
真空の状態になった後、ゲ−トバルブ６が開かれ、基板
搬送ロボット３によって、基板搬送チャンバ１からゲ−
トバルブ６を開いて各基板処理チャンバ２に搬送され
る。尚、基板搬送チャンバ１及び基板処理チャンバ２
は、搬送作業中常に真空状態に保たれている。Embodiments of the present invention will now be described with reference to FIGS. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a view taken along the line AA 'in FIG. 1, and FIG. 3 is a partially cutaway side view of FIG. Note that FIG. 1 shows a state in which the lid on the upper surface is opened. As shown in FIG. 3, the processing substrate 7 is mounted in the load lock chamber 4 together with the cassette 13, and after the vacuum hatch 5 is closed, the vacuum is evacuated to reach the ultimate vacuum. 6 is opened, and the substrate transfer robot 3 operates the gate of the substrate transfer chamber 1.
The valve 6 is opened and the substrate is transferred to each substrate processing chamber 2. The substrate transfer chamber 1 and the substrate processing chamber 2
Is always kept in a vacuum state during the transfer operation.
【０００８】図２に示すように、基板搬送チャンバ１，
１′は、２段に積層され、上部基板搬送チャンバ１と下
部基板搬送チャンバ１′とは、両基板搬送チャンバ１，
１′にゲ−トバルブ６，６′を介して接続された上下移
載チャンバ８が連設されている。上下移載チャンバ８内
には、真空ベロ−ズ１６を伸縮させることによって真空
状態でも上下動するロッド１７が内装されている。該ロ
ッド１７の上端には、プレ−ト１９の外周に間隔付けて
３本形成した突起２０上に、基板７が載置され、ロッド
１７を上下動させることによって、基板７を上下動さ
せ、基板搬送チャンバ１と１′との間に移送するように
なっている。尚、図中１０は、排気口であり、該排気口
は、真空ポンプ（図示せず）に接続され、上下移載チャ
ンバ８内を作業中常に真空状態に保っことができるよう
になっている。As shown in FIG. 2, the substrate transfer chamber 1,
1'is stacked in two layers, and the upper substrate transfer chamber 1 and the lower substrate transfer chamber 1'are both substrate transfer chambers 1 and 2.
An upper and lower transfer chamber 8 connected to 1'through gate valves 6 and 6'is connected in series. A rod 17 that moves up and down even in a vacuum state by expanding and contracting the vacuum bellows 16 is installed inside the vertical transfer chamber 8. At the upper end of the rod 17, the substrate 7 is placed on the protrusions 20 formed on the outer periphery of the plate 19 at three intervals, and the rod 17 is moved up and down to move the substrate 7 up and down. It is adapted to be transferred between the substrate transfer chambers 1 and 1 '. Reference numeral 10 in the drawing denotes an exhaust port, which is connected to a vacuum pump (not shown) so that the inside of the upper and lower transfer chamber 8 can be kept in a vacuum state during the operation. .
【０００９】上下移載チャンバ８は、四角筒状に形成さ
れ、ゲ−トバルブ６を開いて、基板搬送チャンバ１，
１′と上下移載チャンバ８との間を基板７が移送できる
ようになっている。尚、基板７は、上下移載チャンバ８
内では、突起２０によって支持されているので、ロボッ
ト３によって、容易に出し入れできるようになってい
る。ベロ−ズ１６の下端には、ロッド１７に連結したロ
ッド２１が連結され、ロッド２１は、エルエムガイドの
ようなリニアガイド９を使用し、モ−タ若しくはエアシ
リンダ−等によって上下動させるようになっている。即
ち、図２に示すように、ロッド２１に水平に連結したロ
ッド２２の先端のベ−ス２３を、エアシリンダ−若しく
はボ−ルネジによって、レール２４上を上下動させるよ
うになっている。ロッド１７を上下動させ得るなら、勿
論他の機構であっても差し支えない。The upper and lower transfer chambers 8 are formed in the shape of a square cylinder, and the gate valve 6 is opened to open the substrate transfer chambers 1 and 2.
The substrate 7 can be transferred between 1'and the upper and lower transfer chambers 8. The substrate 7 is the upper and lower transfer chamber 8
Inside, since it is supported by the protrusion 20, it can be easily taken in and out by the robot 3. A rod 21 connected to a rod 17 is connected to the lower end of the bellows 16. The rod 21 uses a linear guide 9 such as an L-M guide, and is vertically moved by a motor or an air cylinder. It has become. That is, as shown in FIG. 2, the base 23 at the tip of the rod 22 horizontally connected to the rod 21 is vertically moved on the rail 24 by an air cylinder or a ball screw. Other mechanisms may be used as long as the rod 17 can be moved up and down.
【００１０】ロ−ドロックチャンバ４は、図３に示すよ
うに、上下の基板搬送チャンバ１及び１′の両方に接続
されている。ロ−ドロックチャンバ４内には、真空ベロ
−ズ１１が伸縮自在に立設され、真空ベロ−ズ１１上に
載置されたカセット台１２内と、カセット台１２上に、
それぞれカセット１３，１３′が載置されている。ロ−
ドロックチャンバ４には、カセット１３をロ−ドロック
チャンバ４内に出し入れする開口が形成され、図３に於
いては、ハッチ５を上昇させることによって、該開口を
閉じ、ハッチ５を下降させることによって、該開口を開
くようになっている。The load lock chamber 4 is connected to both the upper and lower substrate transfer chambers 1 and 1 ', as shown in FIG. In the load lock chamber 4, a vacuum bellows 11 is erected so as to extend and contract, and the inside of the cassette stand 12 placed on the vacuum bellows 11 and the cassette stand 12 are
Cassettes 13 and 13 'are mounted on them, respectively. B
The drock chamber 4 is formed with an opening for loading / unloading the cassette 13 into / from the load lock chamber 4, and in FIG. 3, by raising the hatch 5, the opening is closed and the hatch 5 is lowered. , Opening the opening.
【００１１】ロ−ドロックチャンバ４の下端には、排気
口２５が接続され、該排気口２５は、ポンプに接続さ
れ、ロ−ドロックチャンバ４内を真空状態に維持し得る
ようになっている。図中２６は、ガスフイルタ−であ
り、ロ−ドロックチャンバ４内を常圧に戻す場合に、窒
素などの不活性ガスを濾過して、ロ−ドロックチャンバ
４内に導入するようになっている。カセット台１２は、
上下の板体２７，２７′間の外周に、等間隔に４本の柱
２８を立設した構造となっており、板体２７，２７′上
にカセット１３，１３′を支持し得るようになってい
る。カセット台１２を上下動させて、カセットをロ−ド
ロックチャンバ４内に移送し、カセット１３，１３′内
の基板を上下の基板搬送チャンバ１及び１′に、移送し
得るようになっている。An exhaust port 25 is connected to the lower end of the load lock chamber 4, and the exhaust port 25 is connected to a pump so that the inside of the load lock chamber 4 can be maintained in a vacuum state. In the figure, reference numeral 26 is a gas filter, which is adapted to filter an inert gas such as nitrogen and introduce it into the load lock chamber 4 when the pressure inside the load lock chamber 4 is returned to normal pressure. The cassette stand 12 is
On the outer periphery between the upper and lower plates 27, 27 ', four columns 28 are provided upright at equal intervals so that the cassettes 13, 13' can be supported on the plates 27, 27 '. Has become. By moving the cassette table 12 up and down, the cassette can be transferred into the load lock chamber 4, and the substrates in the cassettes 13 and 13 'can be transferred to the upper and lower substrate transfer chambers 1 and 1'.
【００１２】上記実施例に於いては、カセット台１２の
上下動は、真空ベロ−ズ１１を上下動させることによっ
て行っているので、真空状態でも支障なく上下動させる
ことができる。真空ベロ−ズ１１の上下動は、例えば前
記ベロ−ズ１６の上下動と同様に、エルエムガイドのよ
うなリニアガイド（図示せず）を使用し、モ−タ若しく
はエアシリンダ−等によって上下動させれば良い。図４
は、基板搬送チャンバ１，１′，１′′を、３台縦に配
置した実施例を示すものである。基板処理チャンバ２，
２′，２′′も３台縦に積層され、カセット１３，１
３′，１３′′も、ロ−ドロックチャンバ４内の２段に
形成したカセット台１２に、３台縦に積載されている。In the above embodiment, since the cassette base 12 is moved up and down by moving the vacuum bellows 11 up and down, the cassette base 12 can be moved up and down without trouble even in a vacuum state. The vertical movement of the vacuum bellows 11 is performed by using a linear guide (not shown) such as an L-M guide as in the vertical movement of the bellows 16 by a motor or an air cylinder. Just move it. FIG.
Shows an embodiment in which three substrate transfer chambers 1, 1 ', 1 "are vertically arranged. Substrate processing chamber 2,
2'and 2 '' are also vertically stacked, and cassettes 13 and 1
Also 3'and 13 '' are vertically stacked on the cassette base 12 formed in two stages in the load lock chamber 4.
【００１３】上記実施例のように、３段に配設すると、
基板処理チャンバ２，２′，２′′は、９台以上搭載す
ることができるので、多数連続処理や生産性の向上が更
に可能となる。図５及び図６は、本発明の他の実施例を
示すものであり、基板搬送チャンバ１，１′を縦に２台
配置し、ロ−ドロックチャンバ４，４′を壁２９を介し
て、上下の２室に隔離した例を示すものである。ロ−ド
ロックチャンバ４，４′のカセットを出し入れする開口
３２，３２′は、それぞれハッチ５，５′によって、別
々に開閉し得るようになっている。If, as in the above embodiment, three stages are arranged,
Since nine or more substrate processing chambers 2, 2 ′ and 2 ″ can be mounted, it is possible to further perform multiple continuous processing and improve productivity. 5 and 6 show another embodiment of the present invention, in which two substrate transfer chambers 1 and 1'are vertically arranged and load lock chambers 4 and 4'through a wall 29. It shows an example in which the upper and lower chambers are isolated. The openings 32 and 32 'for loading and unloading the cassettes of the load lock chambers 4 and 4'can be opened and closed separately by hatches 5 and 5', respectively.
【００１４】上記実施例のようにすることによって、上
下全く別々の処理が可能となるほか、一方が既に処理を
終了している場合に、その一方のロ−ドロックチャンバ
を大気圧に戻したい場合は、他方のロ−ドロックチャン
バの干渉を受けることなく作業を進めることができるか
ら、非常に効率的となる。ロ−ドロックチャンバ４，
４′内の真空ベロ−ズ１１は、本発明の実施例に於いて
は、上下動だけでなく、一定角度回動し得るようになっ
ている。これは、図１に示すように、カセット台１２
を、ハッチ５に平行な状態から、六角形の基板搬送チャ
ンバ１の辺３３に平行な状態にして、ロボット３によっ
て、基板をスム−ズに移送するためである。図６に示す
ように、ベロ−ズ１１の下端に連設されたロッド３０
を、エアシリンダ−３１によって、矢印に示すように、
両方向に一定角度回転し得るようになっている。尚、ロ
ッド３０の上下動は、エルエムガイドのようなリニアガ
イド９を使用し、モ−タ若しくはエアシリンダ−等によ
る真空ベロ−ズ１６の上下動と同様に行っている。By performing the above-described embodiment, it is possible to perform the upper and lower completely separate processing, and when one of the load lock chambers is to be returned to the atmospheric pressure when the processing has already been completed. Is very efficient because it can proceed without the interference of the other load lock chamber. Load lock chamber 4,
In the embodiment of the present invention, the vacuum bellows 11 in 4'is not only movable up and down but also rotatable by a certain angle. This is as shown in FIG.
Is changed from the state parallel to the hatch 5 to the side 33 of the hexagonal substrate transfer chamber 1 so that the robot 3 smoothly transfers the substrate. As shown in FIG. 6, a rod 30 continuously provided at the lower end of the bellows 11.
By the air cylinder-31, as shown by the arrow,
It can rotate in both directions by a certain angle. The rod 30 is moved up and down in the same manner as the vacuum bellows 16 is moved up and down by a motor or an air cylinder using a linear guide 9 such as an L-M guide.
【００１５】[0015]
【作用】本発明によれば、基板処理チャンバを複数接続
した基板搬送チャンバを縦に複数段配置し、該基板搬送
チャンバを上下移載チャンバで連結したので、多数連続
処理や超高真空を、装置占有面積を最小限にして実現す
ることができる。また、ロ−ドロックチャンバを各基板
搬送チャンバ毎に隔離して設けるか、或は単一として基
板を収容する基板搬送用ケ−スを複数段上下動自在に縦
に配設することによって、ロ−ドロックチャンバを真空
から常圧若しくは常圧から真空にする回数若しくは時間
を短縮することがる。According to the present invention, since a plurality of substrate transfer chambers connected to a plurality of substrate processing chambers are vertically arranged and the substrate transfer chambers are connected by the upper and lower transfer chambers, a large number of continuous processes and ultra-high vacuum can be performed. This can be achieved by minimizing the area occupied by the device. In addition, a load lock chamber is provided separately for each substrate transfer chamber, or a single substrate transfer case for accommodating a substrate is vertically arranged so as to be vertically movable in a plurality of stages. -To reduce the number of times or the time for changing the pressure of the drock chamber from vacuum to atmospheric pressure or from atmospheric pressure to vacuum.
【００１６】[0016]
【効果】本発明によれば、装置占有面積を最小限にし
て、異種のプロセス処理を多数連続で処理することや超
真空に維持することができるから省スペ−スで高い生産
性を上げることができる。また、ロ−ドロックチャンバ
を各基板搬送チャンバ毎に隔離して設けるか、或は単一
として基板を収容する基板搬送用ケ−スを複数段上下動
自在に縦に配設することによって、ロ−ドロックチャン
バを真空から常圧若しくは常圧から真空にする回数若し
くは時間を短縮することができ、作業時間を短縮するこ
とができるから、生産性を高めることができる。[Effect] According to the present invention, the area occupied by the apparatus can be minimized, a large number of different kinds of process treatments can be continuously processed, and an ultra-vacuum can be maintained. You can In addition, a load lock chamber is provided separately for each substrate transfer chamber, or a single substrate transfer case for accommodating a substrate is vertically arranged so as to be vertically movable in a plurality of stages. -The number of times or the time for changing the pressure of the lock chamber from vacuum to normal pressure or from normal pressure to vacuum can be shortened, and the working time can be shortened, so that the productivity can be improved.
【００１７】[0017]
【図１】本発明の実施例を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ′矢視図である。FIG. 2 is a view taken along the line AA ′ of FIG.
【図３】本発明の実施例を示す一部破断側面図である。FIG. 3 is a partially cutaway side view showing an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の他の実施例を示す一部破断側面図であ
る。FIG. 4 is a partially cutaway side view showing another embodiment of the present invention.
【図５】本発明の他の実施例を示す一部破断側面図であ
る。FIG. 5 is a partially cutaway side view showing another embodiment of the present invention.
【図６】図５の一部破断正面図である。6 is a partially cutaway front view of FIG.
【図７】従来の複数チャンバ真空熱処理装置を示す平面
図である。FIG. 7 is a plan view showing a conventional multi-chamber vacuum heat treatment apparatus.
１，１′，１′′ 基板搬送チャンバ ２，２′，２′′ 基板処理チャンバ ４，４′ ロ−ドロックチャンバ ６，６′ ゲ−トバルブ ７ 処理基板 ８ 上下移載チャンバ ９ リニアガイド １３，１３′ カセット 1, 1 ', 1' 'Substrate transfer chamber 2, 2', 2 '' Substrate processing chamber 4, 4 'Load lock chamber 6, 6' Gate valve 7 Processing substrate 8 Vertical transfer chamber 9 Linear guide 13, 13 'cassette
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/324 Ｄ ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H01L 21/324 D
Claims (7)
基板搬送チャンバの周りにゲ−トバルブを介して複数の
基板処理チャンバを設けた複数チャンバ真空熱処理装置
に於いて、前記複数の基板処理チャンバを設けた基板搬
送チャンバを多段に積層し、前記基板搬送チャンバの周
りにゲートバルブを介して、基板を上下の基板搬送チャ
ンバに移送する基板上下移載チャンバを設けたことを特
徴とする多段式複数チャンバ熱処理装置。1. A multi-chamber vacuum heat treatment apparatus in which a plurality of substrate processing chambers are provided through a gate valve around a substrate transfer chamber for loading and unloading substrates into and out of the substrate processing chambers. A plurality of multi-stage type chambers in which the provided substrate transfer chambers are stacked in multiple stages, and a substrate vertical transfer chamber is provided around the substrate transfer chamber via a gate valve to transfer the substrate to the upper and lower substrate transfer chambers. Chamber heat treatment equipment.
を載せて上下動し得るロッドを配設してなる請求項１に
記載の多段式複数チャンバ熱処理装置。2. The multi-stage multi-chamber heat treatment apparatus according to claim 1, wherein a rod that can move the substrate vertically is disposed in the substrate vertical transfer chamber.
支持突起を形成したプレ−トを設けてなる請求項２に記
載の多段式複数チャンバ熱処理装置。3. The multi-stage multi-chamber heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the rod tip is provided with a plate having a substrate supporting protrusion formed on the upper surface thereof with a space therebetween.
下端には、真空ベロ−ズを装着してなる請求項３に記載
の多段式複数チャンバ熱処理装置。4. A multi-stage multi-chamber heat treatment apparatus according to claim 3, wherein a vacuum bellows is attached to a lower end of the rod in the substrate vertical transfer chamber.
載チャンバ外のロッドを、リニア機構を使って上下動さ
せてなる請求項４に記載の多段式複数チャンバ熱処理装
置。5. A multi-stage multi-chamber heat treatment apparatus according to claim 4, wherein a rod outside the substrate vertical transfer chamber continuously provided at the lower end of the rod is moved up and down using a linear mechanism.
室となるロ−ドロックチャンバを、前記基板搬送チャン
バ毎に縦方向に隔離して設けてなる請求項１に記載の多
段式複数チャンバ熱処理装置。6. The multi-stage multi-chamber heat treatment according to claim 1, wherein a load lock chamber, which is a pre-chamber for transferring a substrate to the substrate transfer chamber, is provided separately for each substrate transfer chamber in a vertical direction. apparatus.
室となるロ−ドロックチャンバを、前記多段基板搬送チ
ャンバの全てに連通するように設け、該ロ−ドロックチ
ャンバ内に基板搬送用ケ−スを、複数個多段に上下動且
つ一定角度回動し得るように積層してなる請求項１に記
載の多段式複数チャンバ熱処理装置。7. A load lock chamber, which is a pre-chamber for transferring a substrate to the substrate transfer chamber, is provided so as to communicate with all of the multi-stage substrate transfer chambers, and a substrate transfer case is provided in the load lock chamber. 2. The multi-stage multi-chamber heat treatment apparatus according to claim 1, wherein a plurality of layers are stacked so that they can be vertically moved in multiple stages and rotated by a predetermined angle.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27307094A JPH08115968A (en) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | Multistage multi-chamber vacuum heat treatment system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27307094A JPH08115968A (en) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | Multistage multi-chamber vacuum heat treatment system |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08115968A true JPH08115968A (en) | 1996-05-07 |
Family
ID=17522732
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27307094A Pending JPH08115968A (en) | 1994-10-13 | 1994-10-13 | Multistage multi-chamber vacuum heat treatment system |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08115968A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004221610A (en) * | 1995-12-12 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | Semiconductor processing apparatus |
| JP2011139098A (en) * | 1996-06-13 | 2011-07-14 | Brooks Automation Inc | Multi-level substrate processing apparatus |
| CN103299413A (en) * | 2010-12-29 | 2013-09-11 | Oc欧瑞康巴尔斯公司 | Vacuum treatment apparatus and a method for manufacturing |
| JP2014067940A (en) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing system |
| US10971382B2 (en) | 2018-07-16 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same |
-
1994
- 1994-10-13 JP JP27307094A patent/JPH08115968A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004221610A (en) * | 1995-12-12 | 2004-08-05 | Tokyo Electron Ltd | Semiconductor processing apparatus |
| JP2011139098A (en) * | 1996-06-13 | 2011-07-14 | Brooks Automation Inc | Multi-level substrate processing apparatus |
| CN103299413A (en) * | 2010-12-29 | 2013-09-11 | Oc欧瑞康巴尔斯公司 | Vacuum treatment apparatus and a method for manufacturing |
| JP2014067940A (en) * | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing system |
| US10971382B2 (en) | 2018-07-16 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same |
| US11501987B2 (en) | 2018-07-16 | 2022-11-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Loadlock module and semiconductor manufacturing apparatus including the same |
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