JPH08115541A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH08115541A JPH08115541A JP7176554A JP17655495A JPH08115541A JP H08115541 A JPH08115541 A JP H08115541A JP 7176554 A JP7176554 A JP 7176554A JP 17655495 A JP17655495 A JP 17655495A JP H08115541 A JPH08115541 A JP H08115541A
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- layer
- recording medium
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
- G11B11/10504—Recording
- G11B11/10508—Recording by modulating only the magnetic field at the transducer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低磁界で記録/消去ができ、再生信号のC/
N比が良好である書換え可能な光磁気記録媒体を提供す
る。 【構成】 透明基板上に第1誘電体層、光磁気記録層、
第2誘電体層及び反射層を積層した光磁気記録媒体であ
る。光磁気記録層がキュリー温度Tcより50℃低い温
度からキュリ−温度Tcの温度領域で、飽和磁化Msと
保磁力Hcの積が4×104erg/cm3以下であり、磁壁抗
磁力が1.0KOe以下である。この記録媒体の補償温
度はキュリー温度Tcより80℃以上低い。 【効果】50(Oe)程度の低磁界で磁界変調記録がで
きる。
N比が良好である書換え可能な光磁気記録媒体を提供す
る。 【構成】 透明基板上に第1誘電体層、光磁気記録層、
第2誘電体層及び反射層を積層した光磁気記録媒体であ
る。光磁気記録層がキュリー温度Tcより50℃低い温
度からキュリ−温度Tcの温度領域で、飽和磁化Msと
保磁力Hcの積が4×104erg/cm3以下であり、磁壁抗
磁力が1.0KOe以下である。この記録媒体の補償温
度はキュリー温度Tcより80℃以上低い。 【効果】50(Oe)程度の低磁界で磁界変調記録がで
きる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、外部磁界の下でレーザ
光を照射することによって情報を記録する光磁気記録媒
体に関し、より詳細には低磁界での記録・消去が可能な
光磁気記録媒体に関する。
光を照射することによって情報を記録する光磁気記録媒
体に関し、より詳細には低磁界での記録・消去が可能な
光磁気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、種々のタイプの光情報記録媒体が
使用されている。このうち、光磁気ディスク等の情報の
書換えが可能な光磁気記録媒体の開発が盛んに行われて
いる。光磁気記録媒体は、典型的には、ポリカーボネー
ト等の透明基板上に第1誘電体層、希土類−遷移金属系
非晶質合金等の光磁気記録層、第2誘電体層及び反射層
を順次積層した構造を有する。光磁気記録媒体を記録す
る際には、レーザ光を光磁気記録層の垂直磁化膜に照射
して、記録したい部分を局部的に加熱するとともに、外
部磁界を印加して磁界方向に磁化を反転させることによ
ってビットを記録する。記録・消去の際には、一般に、
記録膜面上に200〜400(Oe)の磁界を印加する
ことが必要とされている。
使用されている。このうち、光磁気ディスク等の情報の
書換えが可能な光磁気記録媒体の開発が盛んに行われて
いる。光磁気記録媒体は、典型的には、ポリカーボネー
ト等の透明基板上に第1誘電体層、希土類−遷移金属系
非晶質合金等の光磁気記録層、第2誘電体層及び反射層
を順次積層した構造を有する。光磁気記録媒体を記録す
る際には、レーザ光を光磁気記録層の垂直磁化膜に照射
して、記録したい部分を局部的に加熱するとともに、外
部磁界を印加して磁界方向に磁化を反転させることによ
ってビットを記録する。記録・消去の際には、一般に、
記録膜面上に200〜400(Oe)の磁界を印加する
ことが必要とされている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気ディ
スクの記録/再生に使用するドライブヘッドの軽量化や
消費電力の省力化が要望されている。この要望に応える
ために低磁界強度での記録/消去が可能な光磁気記録媒
体を開発することが考えられる。特に、磁界変調記録方
式で情報を記録する場合、記録信号の変調周波数が高く
なると印加磁界強度が低下するために、100(Oe)
程の低磁界であっても充分な磁界感度を有する高い光磁
気記録媒体が望ましい。
スクの記録/再生に使用するドライブヘッドの軽量化や
消費電力の省力化が要望されている。この要望に応える
ために低磁界強度での記録/消去が可能な光磁気記録媒
体を開発することが考えられる。特に、磁界変調記録方
式で情報を記録する場合、記録信号の変調周波数が高く
なると印加磁界強度が低下するために、100(Oe)
程の低磁界であっても充分な磁界感度を有する高い光磁
気記録媒体が望ましい。
【0004】本発明は、従来の光磁気記録媒体に比べて
一層低磁界で記録/消去ができる光磁気媒体を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、低磁界で記録して
もC/N比が良好である光磁気記録媒体を提供すること
にある。
一層低磁界で記録/消去ができる光磁気媒体を提供する
ことを目的とする。また、本発明は、低磁界で記録して
もC/N比が良好である光磁気記録媒体を提供すること
にある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者は、キュリー温
度Tcより50℃低い温度からキュリー温度Tcまでの
温度範囲において、光磁気記録層の飽和磁化Msと保磁
力Hcの積を所定値以下に調整することによって、50
(Oe)程度の低磁界強度でも良好な記録/消去ができ
る光磁気記録媒体を開発することに成功した。
度Tcより50℃低い温度からキュリー温度Tcまでの
温度範囲において、光磁気記録層の飽和磁化Msと保磁
力Hcの積を所定値以下に調整することによって、50
(Oe)程度の低磁界強度でも良好な記録/消去ができ
る光磁気記録媒体を開発することに成功した。
【0006】本発明に従えば、基板上に第1誘電体層、
光磁気記録層、第2誘電体層及び反射層を含む光磁気記
録媒体において、上記光磁気記録層が、キュリー温度T
c〜(Tc−50)℃の温度範囲において、飽和磁化M
sと保磁力Hcの積として4×104erg/cm3以下の値を
有することを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
上記Ms×Hcが上記の範囲内であると、低磁界で良好
な記録消去が可能となる。飽和磁化Msと保磁力Hcの
積の一層好ましい範囲は、2×104erg/cm3以下であ
る。
光磁気記録層、第2誘電体層及び反射層を含む光磁気記
録媒体において、上記光磁気記録層が、キュリー温度T
c〜(Tc−50)℃の温度範囲において、飽和磁化M
sと保磁力Hcの積として4×104erg/cm3以下の値を
有することを特徴とする光磁気記録媒体が提供される。
上記Ms×Hcが上記の範囲内であると、低磁界で良好
な記録消去が可能となる。飽和磁化Msと保磁力Hcの
積の一層好ましい範囲は、2×104erg/cm3以下であ
る。
【0007】上記光磁気記録層が、キュリー温度Tc〜
(Tc−50)℃の温度範囲において、磁壁抗磁力とし
て1.0KOe以下の値を有することが好ましい。磁壁
抗磁力の一層好ましい範囲は0.5KOe以下である。
(Tc−50)℃の温度範囲において、磁壁抗磁力とし
て1.0KOe以下の値を有することが好ましい。磁壁
抗磁力の一層好ましい範囲は0.5KOe以下である。
【0008】本明細書において「磁壁抗磁力」とは磁化
−磁界のヒステリシス曲線における初磁化曲線の飽和す
る磁界の大きさをいう。
−磁界のヒステリシス曲線における初磁化曲線の飽和す
る磁界の大きさをいう。
【0009】本発明の光磁気記録媒体は、基板上に第1
誘電体層、光磁気記録層、第2誘電体層及び反射層を有
する。上記光磁気記録層は、キュリー温度Tc〜(Tc
−50)℃の温度範囲において、飽和磁化Msと保磁力
Hcの積として4×104erg/cm3以下の値を有する。光
磁気記録層にこのような特性を持たせるには、以下のよ
うな種々の方法を適用することができる。例えば、光磁
気記録層を2層の磁性層から構成することによってMs
×Hcの上記値を達成し得る。本発明の実施例に従い、
光磁気ディスクの光磁気記録層をTbFeCo系第1磁
性層及びTbFeCoNb系第2磁性層から構成するこ
とができる。この光磁気ディスクにおいて、第1磁性層
の膜厚が200〜230オングストローム(本文中、A
で表す)、第2磁性層の膜厚が30〜50Aであること
が好ましい。
誘電体層、光磁気記録層、第2誘電体層及び反射層を有
する。上記光磁気記録層は、キュリー温度Tc〜(Tc
−50)℃の温度範囲において、飽和磁化Msと保磁力
Hcの積として4×104erg/cm3以下の値を有する。光
磁気記録層にこのような特性を持たせるには、以下のよ
うな種々の方法を適用することができる。例えば、光磁
気記録層を2層の磁性層から構成することによってMs
×Hcの上記値を達成し得る。本発明の実施例に従い、
光磁気ディスクの光磁気記録層をTbFeCo系第1磁
性層及びTbFeCoNb系第2磁性層から構成するこ
とができる。この光磁気ディスクにおいて、第1磁性層
の膜厚が200〜230オングストローム(本文中、A
で表す)、第2磁性層の膜厚が30〜50Aであること
が好ましい。
【0010】上記Ms×Hcの値を得る別の方法とし
て、光磁気記録材料の成分及び組成を適宜選択してもよ
い。例えば、光磁気記録材料としてTbGdFeCo系
合金、特にGd/Tb=0.1〜0.3のTbGdFe
Co系合金、TbFeCoPt系合金、特にPtが5〜
10原子%のTbFeCoPt系合金を選択し得る。ま
た、光磁気記録層は、通常、スパッタリング等のドライ
プロセスで形成するが、このスパッタリングの条件を、
スパッタ雰囲気ガス、圧力、バイアス電圧等を適宜調節
したり、スパッタ装置等を用いて第1誘電体膜成膜後に
その表面をAr陽イオン等によりエッチングすることに
よってもMs×Hcの値を上記の値に調整することがで
きる。また、光磁気記録層をアニールすることによって
光磁気記録層の磁気異方性を低下させて上記のMs×H
cの特性を得ることもできる。しかしながら、製造後の
光磁気記録媒体を高温でアニールすることはプラスチッ
ク基板に損傷を与えるので、例えば、スパッタ操作によ
り光磁気記録層を成膜している間に、基板を、例えば約
120℃までの温度で加熱することによってかかるアニ
ール処理を実行することができる。
て、光磁気記録材料の成分及び組成を適宜選択してもよ
い。例えば、光磁気記録材料としてTbGdFeCo系
合金、特にGd/Tb=0.1〜0.3のTbGdFe
Co系合金、TbFeCoPt系合金、特にPtが5〜
10原子%のTbFeCoPt系合金を選択し得る。ま
た、光磁気記録層は、通常、スパッタリング等のドライ
プロセスで形成するが、このスパッタリングの条件を、
スパッタ雰囲気ガス、圧力、バイアス電圧等を適宜調節
したり、スパッタ装置等を用いて第1誘電体膜成膜後に
その表面をAr陽イオン等によりエッチングすることに
よってもMs×Hcの値を上記の値に調整することがで
きる。また、光磁気記録層をアニールすることによって
光磁気記録層の磁気異方性を低下させて上記のMs×H
cの特性を得ることもできる。しかしながら、製造後の
光磁気記録媒体を高温でアニールすることはプラスチッ
ク基板に損傷を与えるので、例えば、スパッタ操作によ
り光磁気記録層を成膜している間に、基板を、例えば約
120℃までの温度で加熱することによってかかるアニ
ール処理を実行することができる。
【0011】上記Ms及びHcは、振動試料法によって
電磁誘導起電力を計測する装置を用い、ヒステリシス曲
線を測定すれば容易に求めることができる。従って、上
記方法でMs×Hcを調整する場合には、組成、基板加
熱温度、スパッタ条件等の因子を変更する毎に、Ms及
びHc等を測定してそれらの因子を微妙に調整すること
によって、上記の所望の範囲のMs×Hcを達成するこ
とができる。この場合、Ms及びHcのいずれを変更し
てもよい。磁壁抗磁力は、上記のMs及びHcの調整に
より変化するが、特に、スパッタガスの分圧比を調整し
たり、スパッタリング装置を用いて第1誘電体層成膜後
にその表面をAr陽イオン等によりエッチングして第1
誘電体層の表面状態を調整することにより、1.0KO
e以下に維持することができる。磁壁抗磁力は、上記ヒ
ステリシス曲線の初期磁化曲線から求めることができ
る。
電磁誘導起電力を計測する装置を用い、ヒステリシス曲
線を測定すれば容易に求めることができる。従って、上
記方法でMs×Hcを調整する場合には、組成、基板加
熱温度、スパッタ条件等の因子を変更する毎に、Ms及
びHc等を測定してそれらの因子を微妙に調整すること
によって、上記の所望の範囲のMs×Hcを達成するこ
とができる。この場合、Ms及びHcのいずれを変更し
てもよい。磁壁抗磁力は、上記のMs及びHcの調整に
より変化するが、特に、スパッタガスの分圧比を調整し
たり、スパッタリング装置を用いて第1誘電体層成膜後
にその表面をAr陽イオン等によりエッチングして第1
誘電体層の表面状態を調整することにより、1.0KO
e以下に維持することができる。磁壁抗磁力は、上記ヒ
ステリシス曲線の初期磁化曲線から求めることができ
る。
【0012】本発明の光磁気記録媒体において、光磁気
記録層の補償温度Tcom は、光磁気記録層の垂直磁気異
方性を確保するという理由からキュリー温度Tcよりも
80℃以上低いことが好ましい。また、上記光磁気記録
層の補償温度Tcom は、記録磁区が外部磁界に対して安
定するという理由から、周囲温度、例えば、室温Tro om
よりも高いことが好ましい。補償温度Tcom は、例え
ば、光磁気記録層を希土類と遷移金属を含む合金から構
成した場合には、希土類と遷移金属の組成比を適宜調整
することによって変化させることができる。
記録層の補償温度Tcom は、光磁気記録層の垂直磁気異
方性を確保するという理由からキュリー温度Tcよりも
80℃以上低いことが好ましい。また、上記光磁気記録
層の補償温度Tcom は、記録磁区が外部磁界に対して安
定するという理由から、周囲温度、例えば、室温Tro om
よりも高いことが好ましい。補償温度Tcom は、例え
ば、光磁気記録層を希土類と遷移金属を含む合金から構
成した場合には、希土類と遷移金属の組成比を適宜調整
することによって変化させることができる。
【0013】本発明の光磁気記録媒体は、低磁界で記録
できるために、高い変調周波数で磁界の極性が変化する
磁界変調記録に好適である。
できるために、高い変調周波数で磁界の極性が変化する
磁界変調記録に好適である。
【0014】
【作用】光磁気記録媒体における情報の記録/消去過程
は、レーザー光照射下での媒体の局所的に加熱により媒
体の保磁力を低下しつつ、磁界を加えて媒体の磁化反転
を促すことで行われる。媒体はキュリー温度近傍に加熱
されるので、その温度領域での保磁力の大小が磁化反転
の困難さを決定する。また、記録温度近傍では飽和磁化
Msが小さい方が、外部磁界により磁区が容易に形成さ
れる。従って、光磁気媒体の保磁力と飽和磁化の温度特
性が、磁界変調記録方式で記録信号を記録する際の印加
磁界強度とC/N比に影響を与えることになる。
は、レーザー光照射下での媒体の局所的に加熱により媒
体の保磁力を低下しつつ、磁界を加えて媒体の磁化反転
を促すことで行われる。媒体はキュリー温度近傍に加熱
されるので、その温度領域での保磁力の大小が磁化反転
の困難さを決定する。また、記録温度近傍では飽和磁化
Msが小さい方が、外部磁界により磁区が容易に形成さ
れる。従って、光磁気媒体の保磁力と飽和磁化の温度特
性が、磁界変調記録方式で記録信号を記録する際の印加
磁界強度とC/N比に影響を与えることになる。
【0015】本発明では、光磁気記録層として、キュリ
ー温度Tc近傍の温度領域で、飽和磁化Msと保磁力H
cの積が所定の値以下の値を有する磁性材料を選択する
ことで、低記録磁界での記録/消去を可能とした。ま
た、本発明の光磁気記録材料の光磁気記録材料は、磁化
のヒステリシスにおける初磁化曲線の傾きが急峻であ
る。
ー温度Tc近傍の温度領域で、飽和磁化Msと保磁力H
cの積が所定の値以下の値を有する磁性材料を選択する
ことで、低記録磁界での記録/消去を可能とした。ま
た、本発明の光磁気記録材料の光磁気記録材料は、磁化
のヒステリシスにおける初磁化曲線の傾きが急峻であ
る。
【0016】本発明に従う光磁気ディスクと従来の光磁
気ディスクの再生信号のC/N比が飽和する記録磁界を
比較する。図3及び図11は、ぞれぞれ、本発明の光磁
気ディスクと従来の光磁気ディスクに磁気変調方式でサ
ンプル信号を記録した場合の再生信号のC/N比と印加
した記録磁界との関係を示す。本実施例の光磁気ディス
クでは、図3に示したように、50(Oe)の低い記録
磁界でC/N比が飽和していることがわかる。一方、従
来の光磁気ディスクでは、図11に示したようにC/N
比が飽和値である48dBに達するのに250(Oe)
の磁界を記録時に印加する必要がある。
気ディスクの再生信号のC/N比が飽和する記録磁界を
比較する。図3及び図11は、ぞれぞれ、本発明の光磁
気ディスクと従来の光磁気ディスクに磁気変調方式でサ
ンプル信号を記録した場合の再生信号のC/N比と印加
した記録磁界との関係を示す。本実施例の光磁気ディス
クでは、図3に示したように、50(Oe)の低い記録
磁界でC/N比が飽和していることがわかる。一方、従
来の光磁気ディスクでは、図11に示したようにC/N
比が飽和値である48dBに達するのに250(Oe)
の磁界を記録時に印加する必要がある。
【0017】また、図12(a)及び(b)に、本発明
に従う光磁気ディスクと従来の光磁気ディスクの磁化の
ヒステリシスにおける初磁化曲線を示す。本発明に従う
光磁気ディスクでは、磁壁抗磁力が1.0KOe以下で
あり、曲線の傾きが急峻であることがわかる(図12
(a))。この初磁化特性の相違も低磁界での再生信号
のC/N比に影響を与えていると考えられる。
に従う光磁気ディスクと従来の光磁気ディスクの磁化の
ヒステリシスにおける初磁化曲線を示す。本発明に従う
光磁気ディスクでは、磁壁抗磁力が1.0KOe以下で
あり、曲線の傾きが急峻であることがわかる(図12
(a))。この初磁化特性の相違も低磁界での再生信号
のC/N比に影響を与えていると考えられる。
【0018】
【実施例】本発明の光磁気記録媒体の実施例を以下に示
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0019】実施例1 この実施例では、2層の光磁気記録層を有する光磁気デ
ィスクを製造する。最初に、アドレスピット等のプリピ
ット及び記録/再生光スポットを案内する案内溝が形成
されたポリカーボネート基板を射出成形により製造し
た。この基板は直径86mm、厚さ1.2mmである。
この基板の記録光照射側に紫外線硬化樹脂をスピン塗布
法によりハードコートを施した。この基板を、真空乾燥
炉中で80℃にて10-3Pa圧力下で3時間乾燥させ
た。次に、この基板に複数の成膜室を有する連続スパッ
タ装置を用いて以下のような手順で記録層等を積層し
た。基板を第1成膜室に装着して、ターゲットとしてS
iNターゲットを用いて、スパッタリングにより膜厚2
00オングストローム(A)のSiN膜を形成した。ス
パッタガスとしてArとN2 の混合ガスを0.2Paの
圧力で用いた。次いで、基板を第2成膜室にトレーで搬
入して、Tb24.5Fe66.5Co9 をターゲットとして
0.2Paの圧力のArガス中で膜厚200AのTb
24.5Fe66.5Co9 磁性層を形成し、次の成膜室中で、
ターゲットとしてTb20Fe66Co12Nb2 を用いて
0.2Paの圧力のArガス中で膜厚50AのTb20F
e66Co12Nb2 磁性層を形成した。次の成膜室におい
て、第1成膜室と同様の条件で膜厚200AのSiNを
形成した。最後に、AlTi3 をターゲットとして50
0Aの厚さの反射層を形成した。このようにして積層さ
れたポリカーボネート基板をスパッタ装置から取り出
し、最上層に紫外線硬化樹脂を塗布した。
ィスクを製造する。最初に、アドレスピット等のプリピ
ット及び記録/再生光スポットを案内する案内溝が形成
されたポリカーボネート基板を射出成形により製造し
た。この基板は直径86mm、厚さ1.2mmである。
この基板の記録光照射側に紫外線硬化樹脂をスピン塗布
法によりハードコートを施した。この基板を、真空乾燥
炉中で80℃にて10-3Pa圧力下で3時間乾燥させ
た。次に、この基板に複数の成膜室を有する連続スパッ
タ装置を用いて以下のような手順で記録層等を積層し
た。基板を第1成膜室に装着して、ターゲットとしてS
iNターゲットを用いて、スパッタリングにより膜厚2
00オングストローム(A)のSiN膜を形成した。ス
パッタガスとしてArとN2 の混合ガスを0.2Paの
圧力で用いた。次いで、基板を第2成膜室にトレーで搬
入して、Tb24.5Fe66.5Co9 をターゲットとして
0.2Paの圧力のArガス中で膜厚200AのTb
24.5Fe66.5Co9 磁性層を形成し、次の成膜室中で、
ターゲットとしてTb20Fe66Co12Nb2 を用いて
0.2Paの圧力のArガス中で膜厚50AのTb20F
e66Co12Nb2 磁性層を形成した。次の成膜室におい
て、第1成膜室と同様の条件で膜厚200AのSiNを
形成した。最後に、AlTi3 をターゲットとして50
0Aの厚さの反射層を形成した。このようにして積層さ
れたポリカーボネート基板をスパッタ装置から取り出
し、最上層に紫外線硬化樹脂を塗布した。
【0020】こうして得られた光磁気ディスクの断面図
を図1に示す。この光磁気ディスクは、ポリカーボネー
ト基板1上に、SiN第1誘電体層2、Tb24.5Fe
66.5Co9 第1磁気記録層3、Tb20Fe66Co12Nb
2 第2磁気記録層4、SiN第2誘電体層5、AlTi
3 反射層6及び保護層7を有している。上記のスパッタ
操作において、第1及び第2誘電体層のSiNターゲッ
トの代わりにSiOを用い、Ar/N2 混合スパッタガ
スの代わりにAr/O2 混合ガスを使用することもでき
る。
を図1に示す。この光磁気ディスクは、ポリカーボネー
ト基板1上に、SiN第1誘電体層2、Tb24.5Fe
66.5Co9 第1磁気記録層3、Tb20Fe66Co12Nb
2 第2磁気記録層4、SiN第2誘電体層5、AlTi
3 反射層6及び保護層7を有している。上記のスパッタ
操作において、第1及び第2誘電体層のSiNターゲッ
トの代わりにSiOを用い、Ar/N2 混合スパッタガ
スの代わりにAr/O2 混合ガスを使用することもでき
る。
【0021】上記のようにして得られた光磁気ディスク
の光磁気記録層の保磁力Hc及び飽和磁化Msを種々の
温度にて測定した。保磁力Hc及び飽和磁化Msは振動
試料法によるヒステリシス曲線を求めて測定した。得ら
れた結果を図2に示す。この光磁気ディスクの光磁気記
録層のキュリー温度Tcは210℃であり、補償温度は
室温より高い90℃であることがわかった。Ms×Hc
は、キュリー温度である210℃より50℃低い160
℃の温度においても約1.9×104erg/cm3であった。
また、磁壁抗磁力は、図12(a) に示したヒステリシス
曲線より0.35KOeであることがわかった。
の光磁気記録層の保磁力Hc及び飽和磁化Msを種々の
温度にて測定した。保磁力Hc及び飽和磁化Msは振動
試料法によるヒステリシス曲線を求めて測定した。得ら
れた結果を図2に示す。この光磁気ディスクの光磁気記
録層のキュリー温度Tcは210℃であり、補償温度は
室温より高い90℃であることがわかった。Ms×Hc
は、キュリー温度である210℃より50℃低い160
℃の温度においても約1.9×104erg/cm3であった。
また、磁壁抗磁力は、図12(a) に示したヒステリシス
曲線より0.35KOeであることがわかった。
【0022】得られた光磁気ディスクに、サンプル信号
を、線速7.5m/s、記録周波数5.85MHz、デ
ューティー比50%、記録パワー6mWの条件下で、磁
界変調方式で種々の磁界強度にて記録した。この信号を
再生パワー1.5mWで再生して各磁界強度で記録した
信号のC/N比を測定した。記録磁界に対するC/N比
を図3に示す。図3より、再生信号のC/N比は、記録
磁界が約50(Oe)の低磁界で飽和することがわか
る。一般に、記録された情報、すなわち形成された磁区
は再生時の温度上昇によって記録情報が劣化する場合が
あるが、本実施例の光磁気ディスクでは補償温度を室温
以上にすることでかかる劣化が防止されていると考えら
れる。
を、線速7.5m/s、記録周波数5.85MHz、デ
ューティー比50%、記録パワー6mWの条件下で、磁
界変調方式で種々の磁界強度にて記録した。この信号を
再生パワー1.5mWで再生して各磁界強度で記録した
信号のC/N比を測定した。記録磁界に対するC/N比
を図3に示す。図3より、再生信号のC/N比は、記録
磁界が約50(Oe)の低磁界で飽和することがわか
る。一般に、記録された情報、すなわち形成された磁区
は再生時の温度上昇によって記録情報が劣化する場合が
あるが、本実施例の光磁気ディスクでは補償温度を室温
以上にすることでかかる劣化が防止されていると考えら
れる。
【0023】実施例2 第1磁性層のTb24.5Fe66.5Co9 層の膜厚を220
A、第2磁性層のTb20Fe66Co12Nb2 層の膜厚を
30Aとした以外は、実施例1と同様にして光磁気ディ
スクを作製した。上記のようにして得られた光磁気ディ
スクの光磁気記録層の保磁力Hc及び飽和磁化Msを実
施例1と同様にして種々の温度にて測定した。得られた
結果を図4に示す。この光磁気ディスクの光磁気記録層
のキュリー温度Tcは210℃であり、補償温度は室温
より高い80℃であることがわかった。Ms×Hcは、
キュリー温度である210℃より50℃低い160℃の
温度において、約1.8×104erg/cm3であった。ま
た、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は0.40KOe
であることがわかった。
A、第2磁性層のTb20Fe66Co12Nb2 層の膜厚を
30Aとした以外は、実施例1と同様にして光磁気ディ
スクを作製した。上記のようにして得られた光磁気ディ
スクの光磁気記録層の保磁力Hc及び飽和磁化Msを実
施例1と同様にして種々の温度にて測定した。得られた
結果を図4に示す。この光磁気ディスクの光磁気記録層
のキュリー温度Tcは210℃であり、補償温度は室温
より高い80℃であることがわかった。Ms×Hcは、
キュリー温度である210℃より50℃低い160℃の
温度において、約1.8×104erg/cm3であった。ま
た、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は0.40KOe
であることがわかった。
【0024】得られた光磁気ディスクに、実施例1と同
様にしてデューティー比50%のサンプル信号を磁界変
調方式で磁界強度を変化させながら記録した。この信号
を実施例1と同一条件下で再生して各磁界強度で記録し
た信号のC/N比を測定した。記録磁界に対するC/N
比を図5に示す。図5より再生信号のC/N比は、記録
磁界が約50(Oe)の低磁界で飽和することがわか
る。
様にしてデューティー比50%のサンプル信号を磁界変
調方式で磁界強度を変化させながら記録した。この信号
を実施例1と同一条件下で再生して各磁界強度で記録し
た信号のC/N比を測定した。記録磁界に対するC/N
比を図5に示す。図5より再生信号のC/N比は、記録
磁界が約50(Oe)の低磁界で飽和することがわか
る。
【0025】比較例 光磁気記録層として膜厚250AのTb25.5Fe62.5C
o12磁性層のみを設け、第2磁性層を設けなかった以外
は、実施例1と同様にして光磁気ディスクを製造した。
上記のようにして得られた光磁気ディスクの光磁気記録
層の保磁力Hc及び飽和磁化Msを実施例1と同様にし
て種々の温度にて測定した。得られた結果を図10に示
す。この光磁気ディスクの光磁気記録層のキュリー温度
Tcは220℃であり、補償温度は100℃であること
がわかった。Ms×Hcは、キュリー温度である220
℃より50℃低い170℃の温度において、約7.0×
104erg/cm3であった。
o12磁性層のみを設け、第2磁性層を設けなかった以外
は、実施例1と同様にして光磁気ディスクを製造した。
上記のようにして得られた光磁気ディスクの光磁気記録
層の保磁力Hc及び飽和磁化Msを実施例1と同様にし
て種々の温度にて測定した。得られた結果を図10に示
す。この光磁気ディスクの光磁気記録層のキュリー温度
Tcは220℃であり、補償温度は100℃であること
がわかった。Ms×Hcは、キュリー温度である220
℃より50℃低い170℃の温度において、約7.0×
104erg/cm3であった。
【0026】得られた光磁気ディスクに、実施例1と同
様にしてサンプル信号を磁界変調方式で磁界強度を変化
させながら記録した。この信号を実施例1の同一条件下
で再生して各磁界強度で記録した信号のC/N比を測定
した。記録磁界に対するC/N比を図11に示す。図1
1より再生信号のC/N比が飽和する磁界は、約250
(Oe)であり実施例1及び2で得られた光磁気ディス
クよりかなり高いことがわかった。
様にしてサンプル信号を磁界変調方式で磁界強度を変化
させながら記録した。この信号を実施例1の同一条件下
で再生して各磁界強度で記録した信号のC/N比を測定
した。記録磁界に対するC/N比を図11に示す。図1
1より再生信号のC/N比が飽和する磁界は、約250
(Oe)であり実施例1及び2で得られた光磁気ディス
クよりかなり高いことがわかった。
【0027】実施例3 この実施例では、光磁気記録層(磁性層)を1層とした
光磁気ディスクを製造する。光磁気記録層を以下のよう
にして製造した以外は、実施例1と同様にして光磁気デ
ィスクを製造した。光磁気記録層は、ターゲットとして
Tb24Fe67Co9 を用い、0.2Paの圧力のArガ
ス中で、スパッタ投入パワー2.5kW、バイアス電圧
0Vとして成膜した。バイアス電圧は、通常、Arイオ
ンにより自己バイアスとして+数百ボルトかかっている
が、これを補償するように電圧をかけてバイアス電圧を
0Vとした。形成された光磁気記録層の膜厚は、250
Aであった。
光磁気ディスクを製造する。光磁気記録層を以下のよう
にして製造した以外は、実施例1と同様にして光磁気デ
ィスクを製造した。光磁気記録層は、ターゲットとして
Tb24Fe67Co9 を用い、0.2Paの圧力のArガ
ス中で、スパッタ投入パワー2.5kW、バイアス電圧
0Vとして成膜した。バイアス電圧は、通常、Arイオ
ンにより自己バイアスとして+数百ボルトかかっている
が、これを補償するように電圧をかけてバイアス電圧を
0Vとした。形成された光磁気記録層の膜厚は、250
Aであった。
【0028】得られた光磁気ディスクの光磁気記録層の
保磁力Hc、飽和磁化Ms及びそれらの積を実施例1と
同様にして求め、図6に示した。この光磁気ディスクの
光磁気記録層のキュリー温度Tcは200℃であり、補
償温度は室温より高い80℃であることがわかった。M
s×Hcは、キュリー温度である200℃より50℃低
い150℃の温度において、約3.5×104erg/cm3で
あった。また、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は0.
60KOeであることがわかった。
保磁力Hc、飽和磁化Ms及びそれらの積を実施例1と
同様にして求め、図6に示した。この光磁気ディスクの
光磁気記録層のキュリー温度Tcは200℃であり、補
償温度は室温より高い80℃であることがわかった。M
s×Hcは、キュリー温度である200℃より50℃低
い150℃の温度において、約3.5×104erg/cm3で
あった。また、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は0.
60KOeであることがわかった。
【0029】また、この光磁気ディスクに実施例1と同
様にしてサンプル信号を記録して記録磁界に対するC/
N比の関係を調べた。結果を図7に示す。実線はバイア
ス電圧を0Vとした場合、破線は自己バイアスのみの場
合を示す。図7より再生信号のC/N比は、記録磁界が
約90(Oe)の低磁界で飽和することがわかる。
様にしてサンプル信号を記録して記録磁界に対するC/
N比の関係を調べた。結果を図7に示す。実線はバイア
ス電圧を0Vとした場合、破線は自己バイアスのみの場
合を示す。図7より再生信号のC/N比は、記録磁界が
約90(Oe)の低磁界で飽和することがわかる。
【0030】実施例4 光磁気記録層を以下のようにして成膜した以外は、実施
例1と同様にして光磁気ディスクを製造した。ターゲッ
トとしてTb24Fe67Co9 を用い、0.2Paの圧力
のArガス中で、ランプヒータを用いて基板を加熱しな
がら、250Aの膜厚で成膜した。ランプは、基板が光
磁気記録層形成用の成膜室に搬入直後からスパッタ中も
含めて90秒間の間、照射させた。このときの基板の最
高温度が約80℃であることをサーモラベルで確認し
た。
例1と同様にして光磁気ディスクを製造した。ターゲッ
トとしてTb24Fe67Co9 を用い、0.2Paの圧力
のArガス中で、ランプヒータを用いて基板を加熱しな
がら、250Aの膜厚で成膜した。ランプは、基板が光
磁気記録層形成用の成膜室に搬入直後からスパッタ中も
含めて90秒間の間、照射させた。このときの基板の最
高温度が約80℃であることをサーモラベルで確認し
た。
【0031】得られた光磁気ディスクの光磁気記録層の
保磁力Hc、飽和磁化Ms及びそれらの積を実施例1と
同様にして求め、図8に示した。この光磁気ディスクの
光磁気記録層のキュリー温度Tcは200℃であり、補
償温度は室温より高い80℃であることがわかった。M
s×Hcは、キュリー温度である200℃より50℃低
い150℃の温度において、約2.4×104erg/cm3で
あった。また、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は0.
50KOeであることがわかった。
保磁力Hc、飽和磁化Ms及びそれらの積を実施例1と
同様にして求め、図8に示した。この光磁気ディスクの
光磁気記録層のキュリー温度Tcは200℃であり、補
償温度は室温より高い80℃であることがわかった。M
s×Hcは、キュリー温度である200℃より50℃低
い150℃の温度において、約2.4×104erg/cm3で
あった。また、ヒステリシス曲線より磁壁抗磁力は0.
50KOeであることがわかった。
【0032】また、この光磁気ディスクに実施例1と同
様にしてサンプル信号を記録して記録磁界に対するC/
N比の関係を調べた。結果を図9に示す。図9より再生
信号のC/N比は、記録磁界が約60(Oe)の低磁界
で飽和することがわかる。
様にしてサンプル信号を記録して記録磁界に対するC/
N比の関係を調べた。結果を図9に示す。図9より再生
信号のC/N比は、記録磁界が約60(Oe)の低磁界
で飽和することがわかる。
【0033】本発明の光磁気ディスクが低磁界で良好な
記録消去ができる理由は明確ではないが、実施例1の光
磁気ディスクではキュリー温度近傍で異方性エネルギー
を小さくなっているものと考えられる。実施例2の光磁
気ディスクでは、Co−Crの微細な多結晶系では、結
晶粒間での交換定数が小さくなり、その結果、磁化反転
にいわゆる一斉回転型の寄与が加わり、その影響でTb
FeCo層の磁化反転を生じさせる核となる部分の生成
が促進されるのではないかと考えられる。いずれにして
も実施例の光磁気ディスクでは異方性定数や交換定数が
減少したことで高温での磁壁エネルギーが下がり、磁壁
の磁界に対する応答性が良くなっている。一般に高温領
域での異方性エネルギーが小さい場合、記録された磁区
の形状が不規則になるとされているが本発明ではその影
響を防止する目的で補償温度を室温より高いところに設
け、キュリー温度より50℃程度低い温度から室温まで
非常に大きな保磁力及ピンニングサイトを持たせて磁区
形状の規則性を保持させている。
記録消去ができる理由は明確ではないが、実施例1の光
磁気ディスクではキュリー温度近傍で異方性エネルギー
を小さくなっているものと考えられる。実施例2の光磁
気ディスクでは、Co−Crの微細な多結晶系では、結
晶粒間での交換定数が小さくなり、その結果、磁化反転
にいわゆる一斉回転型の寄与が加わり、その影響でTb
FeCo層の磁化反転を生じさせる核となる部分の生成
が促進されるのではないかと考えられる。いずれにして
も実施例の光磁気ディスクでは異方性定数や交換定数が
減少したことで高温での磁壁エネルギーが下がり、磁壁
の磁界に対する応答性が良くなっている。一般に高温領
域での異方性エネルギーが小さい場合、記録された磁区
の形状が不規則になるとされているが本発明ではその影
響を防止する目的で補償温度を室温より高いところに設
け、キュリー温度より50℃程度低い温度から室温まで
非常に大きな保磁力及ピンニングサイトを持たせて磁区
形状の規則性を保持させている。
【0034】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体は、100(O
e)以下の低磁界での記録/消去が可能である。従っ
て、本発明の光磁気記録媒体は、特に、磁界の極性が高
速でスイッチングされる磁界変調記録方式による記録に
好適である。また、本発明の光磁気記録媒体は、光磁気
ディスク用の記録装置の小型化及び省エネルギー化に貢
献する。
e)以下の低磁界での記録/消去が可能である。従っ
て、本発明の光磁気記録媒体は、特に、磁界の極性が高
速でスイッチングされる磁界変調記録方式による記録に
好適である。また、本発明の光磁気記録媒体は、光磁気
ディスク用の記録装置の小型化及び省エネルギー化に貢
献する。
【図1】実施例1で得られた光磁気ディスクの部分断面
図を示す。
図を示す。
【図2】実施例1の光磁気ディスクの保磁力Hc、飽和
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
【図3】実施例1の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図4】実施例2の光磁気ディスクの保磁力Hc、飽和
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
【図5】実施例2の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図6】実施例3の光磁気ディスクの保磁力Hc、飽和
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
【図7】実施例3の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図8】実施例4の光磁気ディスクの保磁力Hc、飽和
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
【図9】実施例4の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図10】比較例の光磁気ディスクの保磁力Hc、飽和
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
磁化Ms及びそれらの積Hc×Msの温度特性を示すグ
ラフである。
【図11】比較例の光磁気ディスクを磁界変調記録で記
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
録した場合のC/N比と記録磁界との関係を示すグラフ
である。
【図12】160℃における磁化ヒステリシスの初磁化
曲線を示し、(a)は実施例1の光磁気ディスクで測定
した曲線であり、(b)は比較例の光磁気ディスクで測
定した曲線である。
曲線を示し、(a)は実施例1の光磁気ディスクで測定
した曲線であり、(b)は比較例の光磁気ディスクで測
定した曲線である。
1 ポリカーボネート基板 2 第1誘電体層 3 第1磁気記録層 4 第2磁気記録層 5 第2誘電体層 6 反射層 7 保護層
Claims (10)
- 【請求項1】 基板上に第1誘電体層、光磁気記録層、
第2誘電体層及び反射層を含む光磁気記録媒体におい
て、 上記光磁気記録層が、キュリー温度Tc〜(Tc−5
0)℃の温度範囲において、飽和磁化Msと保磁力Hc
の積として4×104erg/cm3以下の値を有することを特
徴とする上記光磁気記録媒体。 - 【請求項2】 上記光磁気記録層が、キュリー温度Tc
〜(Tc−50)℃の温度範囲において、磁壁抗磁力と
して1.0KOe以下の値を有することを特徴とする請
求項1の光磁気記録媒体。 - 【請求項3】 上記光磁気記録層が、キュリー温度Tc
〜(Tc−50)℃の温度範囲において、飽和磁化Ms
と保磁力Hcの積として2×104erg/cm3以下の値を有
し且つ磁壁抗磁力として0.5KOe以下の値を有する
ことを特徴とする請求項1または2の光磁気記録媒体。 - 【請求項4】 上記光磁気記録層の補償温度Tcom が、
キュリー温度Tcよりも80℃以上低いことを特徴とす
る請求項1から3のいずれか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項5】 上記光磁気記録層の補償温度Tcom が、
周囲温度よりも高いことを特徴とする請求項1〜4のい
ずれか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項6】 上記光磁気記録層が、Tb−Fe−Co
系第1磁性層及びTb−Fe−Co−Nb系第2磁性層
から構成されていることを特徴とする請求項1〜5のい
ずれか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項7】 第1磁性層の膜厚が200〜230Aで
あり且つ第2磁性層の膜厚が30〜50Aであることを
特徴とする請求項6の光磁気記録媒体。 - 【請求項8】 上記光磁気記録層が、Tb−Fe−Co
系磁性層であり且つ基板を加熱しながらスパッタ法によ
り成膜されてなることを特徴とする請求項1〜5のいず
れか一項の光磁気記録媒体。 - 【請求項9】 基板の加熱温度が、80℃〜120℃で
あることを特徴とする請求項8の光磁気記録媒体。 - 【請求項10】 磁界変調方式で記録再生されることを
特徴とする請求項1〜9のいずれか一項の光磁気記録媒
体。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7176554A JPH08115541A (ja) | 1994-08-24 | 1995-06-20 | 光磁気記録媒体 |
US08/518,889 US5598399A (en) | 1994-08-24 | 1995-08-24 | Magneto-optical recording medium having multiple magnetic layers for magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22241794 | 1994-08-24 | ||
JP6-222417 | 1994-08-24 | ||
JP7176554A JPH08115541A (ja) | 1994-08-24 | 1995-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08115541A true JPH08115541A (ja) | 1996-05-07 |
Family
ID=26497421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7176554A Withdrawn JPH08115541A (ja) | 1994-08-24 | 1995-06-20 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5598399A (ja) |
JP (1) | JPH08115541A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6011772A (en) * | 1996-09-16 | 2000-01-04 | Spectradisc Corporation | Machine-readable optical disc with reading-inhibit agent |
US6747930B1 (en) | 1996-12-24 | 2004-06-08 | Hide & Seek Technologies, Inc. | Data protection on an optical disk |
US5972461A (en) | 1998-01-06 | 1999-10-26 | Imation Corp. | Rewritable optical data storage disk having enhanced flatness |
US6238763B1 (en) | 1998-01-06 | 2001-05-29 | Imation Corp. | Rewritable optical data storage disk having enhanced flatness |
US6531262B1 (en) | 1998-06-25 | 2003-03-11 | Spectradisc Corporation | Methods and apparatus for rendering an optically encoded medium unreadable and tamper-resistant |
US6338933B1 (en) | 1998-06-25 | 2002-01-15 | Spectradisc Corporation | Methods and apparatus for rendering an optically encoded medium unreadable |
JP3477386B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2003-12-10 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体及び再生装置 |
US6917579B2 (en) | 1999-03-23 | 2005-07-12 | Flexplay Technologies, Inc. | Limited play optical devices with interstitial reactive layer and methods of making same |
JP4243059B2 (ja) * | 1999-07-12 | 2009-03-25 | フレックスプレイ・テクノロジーズ・インコーポレイテッド | 使捨て式光学記憶媒体とその製造方法 |
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