JPH08114548A - Method for evaluating crystaline characteristic - Google Patents
Method for evaluating crystaline characteristicInfo
- Publication number
- JPH08114548A JPH08114548A JP25250294A JP25250294A JPH08114548A JP H08114548 A JPH08114548 A JP H08114548A JP 25250294 A JP25250294 A JP 25250294A JP 25250294 A JP25250294 A JP 25250294A JP H08114548 A JPH08114548 A JP H08114548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- crystallinity
- thickness
- raman
- ferrite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、顕微ラマン分光法を用
いて試料表面の結晶性を調べる方法に関し、特にその試
料を多結晶フェライトとする結晶性評価方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for examining the crystallinity of a sample surface by using Raman spectroscopy, and more particularly to a crystallinity evaluation method using the sample as polycrystalline ferrite.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、フェライト加工面の結晶性を評価
するに際しては、いわゆる電子線回折法（ＲＨＥＥＤ）
を用いて行っている。この電子線回折法は、電子線が原
子により散乱されて生ずる干渉を利用して、得られる電
子線パターンを解析することにより結晶構造等の評価を
行う手法である。但し、電子線回折法においては、試料
表面の分析領域として、（〜０．５ｍｍ）×（〜５ｍ
ｍ）程度のサイズが必要であるために、試料であるフェ
ライトとしては単結晶のものに限定される。2. Description of the Related Art Conventionally, so-called electron beam diffraction method (RHEED) has been used to evaluate the crystallinity of a ferrite processed surface.
Is done using. This electron beam diffraction method is a method of evaluating a crystal structure or the like by analyzing an electron beam pattern obtained by utilizing interference generated by scattering of an electron beam by atoms. However, in the electron diffraction method, the analysis area of the sample surface is (˜0.5 mm) × (˜5 m
Since the size of m) is required, the sample ferrite is limited to a single crystal.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記のように、電子線
回折法ではフェライトを試料とする場合、分析領域が広
く、単結晶フェライトのみが解析可能であり、数十μｍ
サイズの結晶粒からなる多結晶フェライトには適用でき
ない。多結晶フェライトは、近時において磁気ヘッド等
の磁性材として頻繁に用いられており、この多結晶フェ
ライトの加工面の結晶性を定量的に把握することが要求
されており、そのための方法が模索されている現状であ
る。As described above, in the case where ferrite is used as a sample in the electron beam diffraction method, the analysis region is wide and only single crystal ferrite can be analyzed.
It cannot be applied to polycrystalline ferrite composed of size crystal grains. Polycrystalline ferrite has recently been frequently used as a magnetic material for magnetic heads and the like, and it is required to quantitatively grasp the crystallinity of the machined surface of this polycrystalline ferrite, and a method for that is being sought. It is the current situation.
【０００４】また、電子線回折法においては、得られる
結果が電子線パターンであるために解析が非常に難し
く、したがって結晶性の定量化が困難であり、さらに試
料の深さ方向の情報を得ることが不可能であるために、
表面加工により結晶性に乱れが生じた変質層の厚みを把
握することができない。また、高真空の条件下でなけれ
ば測定不能であり、非常に大がかりな装置が必要である
という欠点もある。Also, in the electron beam diffraction method, the result obtained is an electron beam pattern, which makes it very difficult to analyze, and therefore it is difficult to quantify the crystallinity, and further, information in the depth direction of the sample is obtained. Because it is impossible
It is not possible to grasp the thickness of the deteriorated layer in which the crystallinity is disturbed by the surface processing. Further, there is also a drawback that measurement is impossible unless under a high vacuum condition, and a very large-scale device is required.
【０００５】ところで、最近になって、測定可能サイズ
がμｍオーダーである電子線回折法が開発され、試料表
面の分析領域として最小で（〜１μｍ）×（数μｍ）程
度まで絞り込むことが可能となった。しかしながら、こ
の場合においても、得られる試料の深さ方向の情報は試
料の表面から１０ｎｍ程度であるために、上記変質層の
厚みがこれ以上である場合、加工方法の違いによる上記
変質層の厚み、すなわち試料表面（試料の分析深さ領
域）における結晶性の差異を比較することができない。By the way, recently, an electron beam diffraction method whose measurable size is in the order of μm has been developed, and it is possible to narrow down the analysis area of the sample surface to a minimum of (˜1 μm) × (several μm). became. However, even in this case, since the obtained information in the depth direction of the sample is about 10 nm from the surface of the sample, when the thickness of the altered layer is more than this, the thickness of the altered layer due to the difference in the processing method. That is, the difference in crystallinity on the sample surface (analysis depth region of the sample) cannot be compared.
【０００６】本発明は、上述の様々な課題に鑑みて提案
されたものであり、その目的とするところは、特に多結
晶フェライト加工面について、微細な分析領域にてその
結晶性をほぼ定量的に判定することを可能とする結晶性
評価方法を提供することにある。The present invention has been proposed in view of the above-mentioned various problems, and an object of the present invention is to obtain a substantially quantitative crystallinity of a polycrystalline ferrite processed surface in a fine analysis region. It is to provide a crystallinity evaluation method that enables the determination.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明の対象となるもの
は、顕微ラマン分光法を用いて試料の加工面における結
晶性を評価する結晶性評価方法である。The object of the present invention is a crystallinity evaluation method for evaluating the crystallinity of a processed surface of a sample by using microscopic Raman spectroscopy.
【０００８】この顕微ラマン分光法とは、試料にレーザ
光等の単色光を照射した際に照射光と振動モードのエネ
ルギーだけシフトして生じるラマン散乱光の強度を、照
射光からの波数のシフトにより表示したラマンスペクト
ルを用いて、微細な分析領域についての情報を得る手法
である。The microscopic Raman spectroscopy is the shift of the wave number from the irradiation light to the intensity of the Raman scattered light generated by shifting the irradiation light and the energy of the vibration mode when the sample is irradiated with monochromatic light such as laser light. This is a method of obtaining information about a fine analysis region by using the Raman spectrum displayed by.
【０００９】本発明においては、顕微ラマン分光法を用
いて、試料の加工面における分析深さ領域のうち、当該
試料における入射レーザ光の吸光係数、反射率、屈折率
等から、長距離秩序を有する結晶層の厚みを同定するこ
とにより、表面加工により結晶性に乱れが生じた変質層
の厚みを同定して、前記加工面の結晶性を評価すること
を特徴とするものである。ここで、上記分析深さ領域と
は、試料の加工面でのラマン散乱光の脱出深さのことで
あり、ラマン分光法における結晶性とは、当該分析深さ
領域における正常結晶の割合であるとする。上記分析深
さは、当該試料からの散乱光の波長及び出力から推定す
ることが可能であり、例えば当該試料をフェライトとす
る場合では、上記分析深さは変質層の厚みより大である
と考えられる。すなわち、本発明においては、当該分析
深さ領域のうち、上記結晶層の厚みを同定することによ
って間接的に上記変質層の厚みを同定する。In the present invention, long-range order is determined from the absorption depth, reflectance, refractive index, etc. of the incident laser light in the sample in the analysis depth region on the processed surface of the sample by using the microscopic Raman spectroscopy. By identifying the thickness of the crystal layer, the thickness of the altered layer in which the crystallinity is disturbed by the surface processing is identified, and the crystallinity of the processed surface is evaluated. Here, the analysis depth region is the escape depth of Raman scattered light on the processed surface of the sample, the crystallinity in Raman spectroscopy is the ratio of normal crystals in the analysis depth region. And The analysis depth can be estimated from the wavelength and output of scattered light from the sample, and for example, when the sample is ferrite, the analysis depth is considered to be larger than the thickness of the altered layer. To be That is, in the present invention, the thickness of the altered layer is indirectly identified by identifying the thickness of the crystal layer in the analysis depth region.
【００１０】この場合、測定及び解析を簡略化し、しか
も正確を期すために、試料の加工面に入射するレーザ光
としては無偏光のものを主に用いる。また、試料の加工
面にレーザ光が入射する際に、当該レーザ光のスポット
径を数μｍ以下に絞り込み、分析領域を微小なサイズと
することが必要である。In this case, in order to simplify the measurement and analysis and to ensure the accuracy, the non-polarized laser light is mainly used as the laser light incident on the processed surface of the sample. Further, when the laser light is incident on the processed surface of the sample, it is necessary to narrow down the spot diameter of the laser light to several μm or less to make the analysis region a minute size.
【００１１】また、本発明において具体的には、対象と
する試料をフェライト、特に多結晶フェライトとし、そ
のスピネル（正常結晶）の割合を測定することにより結
晶層の厚みを同定する。更にこのとき、スピネルを表す
ラマンバンドのうち、波数３５０ｃｍ-1付近のＥｇバン
ド強度の半値幅が上記結晶性と対応することが知られて
いるため、この半値幅により上記結晶層の厚みを同定す
る。すなわちこの場合、先ず、予め変質層を有しない、
上記分析深さ領域が略々全て結晶層であるとみなせるフ
ェライト加工面の上記Ｅｇバンド強度の半値幅を測定
し、更に上記分析深さ領域が略々全て上記変質層とみな
せる上記Ｅｇバンド強度がノイズ強度と同等となったと
きの半値幅を求める。そして、試料である各フェライト
加工面におけるＥｇバンド強度の半値幅を測定し、その
測定値を上記の結晶層の割合が０〜１００％となる半値
幅間に対応する値として割り振る（内挿する）ことによ
り、上記変質層の割合、すなわち当該変質層の厚みを同
定する。In the present invention, specifically, the target sample is ferrite, particularly polycrystalline ferrite, and the thickness of the crystal layer is identified by measuring the proportion of spinel (normal crystal). Further, at this time, among Raman bands representing spinel, it is known that the half-value width of the Eg band intensity near the wave number of 350 cm −1 corresponds to the above-mentioned crystallinity. Therefore, the half-value width identifies the thickness of the above-mentioned crystal layer. To do. That is, in this case, first of all, there is no alteration layer in advance,
The full width at half maximum of the Eg band intensity of the ferrite processed surface, which can be regarded as the crystal layer in the analysis depth region is measured, and the Eg band intensity in which the analysis depth region can be regarded as the deteriorated layer is almost all. Find the half-width when it is equivalent to the noise intensity. Then, the full width at half maximum of the Eg band intensity on each ferrite processed surface as a sample is measured, and the measured value is assigned as a value corresponding to the half width at which the ratio of the crystal layer is 0 to 100% (interpolated). ), The ratio of the altered layer, that is, the thickness of the altered layer is identified.
【００１２】[0012]
【作用】本発明に係る結晶性評価方法においては、顕微
ラマン分光法を用いて、試料の加工面における分析深さ
領域のうち、長距離秩序を有する結晶層の厚みを同定す
ることにより、表面加工により結晶性に乱れが生じた変
質層の厚みを同定して、前記加工面の結晶性を評価す
る。したがって、上記分析深さ領域中の上記変質層の増
加による上記結晶層の減少が結晶性の低下として定量的
に捉えられ、上記変質層の厚みを間接的に略々正確に同
定することが可能となる。In the crystallinity evaluation method according to the present invention, the surface of the sample is processed by identifying the thickness of the crystal layer having long-range order in the analysis depth region on the processed surface by using Raman spectroscopy. The thickness of the deteriorated layer in which the crystallinity is disturbed by processing is identified, and the crystallinity of the processed surface is evaluated. Therefore, the decrease of the crystal layer due to the increase of the altered layer in the analysis depth region is quantitatively grasped as the deterioration of the crystallinity, and the thickness of the altered layer can be indirectly and almost accurately identified. Becomes
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明に係る結晶性評価方法を多結晶
フェライトに適用した具体的な実施例について図面を参
照しながら詳細に説明する。EXAMPLES Specific examples in which the crystallinity evaluation method according to the present invention is applied to polycrystalline ferrite will be described in detail below with reference to the drawings.
【００１４】本実施例の結晶性評価方法は、顕微ラマン
分光法を用いて試料の加工面における結晶性を評価する
ものである。この顕微ラマン分光法とは、試料にレーザ
光等の単色光を照射した際に照射光と振動モードのエネ
ルギーだけシフトして生じるラマン散乱光の強度を、照
射光からの波数のシフトにより表示したラマンスペクト
ルを用いて、微細な分析領域についての情報を得る手法
である。The crystallinity evaluation method of this embodiment is to evaluate the crystallinity of the processed surface of the sample by using the microscopic Raman spectroscopy. The microscopic Raman spectroscopy is a method of displaying the intensity of Raman scattered light generated by shifting the irradiation light and the energy of the vibration mode when the sample is irradiated with monochromatic light such as laser light, by displaying the wavenumber shift from the irradiation light. This is a method for obtaining information on a fine analysis region by using a Raman spectrum.
【００１５】上記実施例において用いる顕微ラマン分光
装置は、通常のラマン分光装置の試料室の代わりに光学
顕微鏡を設置するものである。顕微ラマン分光装置の具
体例としては、図１に示すように、レーザ光源（図示は
省略する）と、ビームスプリッタ１と、試料が設置され
たステージ２と、上記試料表面の所要位置にレーザ光を
所定スポット径となるように集光する対物レンズ３と、
当該試料表面からの散乱光を所定方向に反射させるミラ
ー４と、空間分解能を調節するためのアパーチャ５とか
ら構成されたものを用いる。The microscopic Raman spectroscope used in the above embodiment is one in which an optical microscope is installed instead of the sample chamber of a normal Raman spectroscope. As a specific example of the Raman spectroscopic apparatus, as shown in FIG. 1, a laser light source (not shown), a beam splitter 1, a stage 2 on which a sample is installed, and a laser beam at a predetermined position on the surface of the sample. An objective lens 3 for condensing the light to have a predetermined spot diameter,
A mirror 4 that reflects scattered light from the sample surface in a predetermined direction and an aperture 5 for adjusting the spatial resolution is used.
【００１６】この顕微ラマン分光装置においては、上記
レーザ光源から発光された波長５１４．５ｎｍのＡｒ+
レーザＬはビームスプリッタ１で反射され、対物レンズ
３により約１μｍのスポット径に絞られステージ２に設
けられた試料の加工面に照射される。このとき、試料を
顕微鏡のスコープ或はディスプレーでモニタすることに
より、測定箇所を光学顕微鏡のレベルで任意に選択する
ことが可能である。試料からのラマン散乱光は再び同じ
対物レンズ３で集光され、今度はビームスプリッタ１を
透過して分光器へと集光される。対物レンズ３としては
種々の倍率、開口数のものが用いられるが、倍率１０
０、開口数０．９程度のものが一般的である。In this microscopic Raman spectroscopic device, Ar + having a wavelength of 514.5 nm emitted from the laser light source is used.
The laser L is reflected by the beam splitter 1, is focused by the objective lens 3 to a spot diameter of about 1 μm, and is irradiated onto the processed surface of the sample provided on the stage 2. At this time, by monitoring the sample with a microscope scope or display, it is possible to arbitrarily select the measurement location at the optical microscope level. The Raman scattered light from the sample is again condensed by the same objective lens 3, and this time it is transmitted through the beam splitter 1 and condensed on the spectroscope. The objective lens 3 having various magnifications and numerical apertures is used.
It is generally 0 and the numerical aperture is about 0.9.
【００１７】そして、本実施例においては、上記の顕微
ラマン分光法を用いて、試料の加工面における分析深さ
領域のうち、当該試料における入射レーザ光の吸光係
数、反射率、屈折率等から、長距離秩序を有する結晶層
の厚みを同定することにより、表面加工により結晶性に
乱れが生じた変質層の厚みを同定して、前記加工面の結
晶性を評価することを特徴とするものである。ここで、
上記分析深さ領域とは、試料の加工面でのラマン散乱光
の脱出深さのことであり、ラマン分光法における結晶性
とは、当該分析深さ領域における正常結晶の割合である
とする。上記分析深さは、当該試料からの散乱光の波長
及び出力から推定することが可能であり、例えば当該試
料をフェライトとする場合では、上記分析深さは変質層
の厚みより大であると考えられる。すなわち、本発明に
おいては、当該分析深さ領域のうち、上記結晶層の厚み
を同定することによって間接的に上記変質層の厚みを同
定する。Then, in this embodiment, using the above-mentioned micro Raman spectroscopy, from the absorption depth, reflectance, refractive index, etc. of the incident laser light on the sample in the analysis depth region on the processed surface of the sample, Characterized in that the thickness of a crystal layer having long-range order is identified to identify the thickness of an altered layer in which crystallinity is disturbed by surface processing, and the crystallinity of the processed surface is evaluated. Is. here,
The analysis depth region is the escape depth of Raman scattered light on the processed surface of the sample, and the crystallinity in Raman spectroscopy is the ratio of normal crystals in the analysis depth region. The analysis depth can be estimated from the wavelength and output of scattered light from the sample, and for example, when the sample is ferrite, the analysis depth is considered to be larger than the thickness of the altered layer. To be That is, in the present invention, the thickness of the altered layer is indirectly identified by identifying the thickness of the crystal layer in the analysis depth region.
【００１８】この場合、測定及び解析を簡略化し、しか
も正確を期すために、試料の加工面に入射するレーザ光
Ｌとしては無偏光のものを主に用いる。また、試料の加
工面にレーザ光Ｌが入射する際に、当該レーザ光Ｌのス
ポット径を数μｍ以下、ここでは１μｍ程度に絞り込
み、分析領域を微小なサイズとすることが必要である。In this case, non-polarized laser light L is mainly used as the laser light L incident on the processed surface of the sample in order to simplify the measurement and analysis and to ensure accuracy. Further, when the laser light L is incident on the processed surface of the sample, it is necessary to narrow down the spot diameter of the laser light L to several μm or less, here about 1 μm, and to make the analysis region a minute size.
【００１９】また、本実施例において具体的には、対象
とする試料をフェライト、特にＭｎ−Ｚｎ多結晶フェラ
イトとし、そのスピネル（正常結晶）の割合を測定する
ことにより結晶層の厚みを同定する。更にこのとき、ス
ピネルを表すラマンバンドのうち、波数３５０ｃｍ-1付
近のＥｇバンド強度の半値幅が上記結晶性と対応するこ
とが知られているため、この半値幅により上記結晶層の
厚みを同定する。すなわちこの場合、先ず、予め変質層
を有しない、上記分析深さ領域が略々全て結晶層である
とみなせるフェライト加工面の上記Ｅｇバンド強度の半
値幅を測定し、更に上記分析深さ領域が略々全て上記変
質層とみなせる上記Ｅｇバンド強度がノイズ強度と同等
となったときの半値幅を求める。そして、試料である各
フェライト加工面におけるＥｇバンド強度の半値幅を測
定し、その測定値を上記の結晶層の割合が０〜１００％
となる半値幅間に対応する値として内挿することによ
り、上記変質層の割合、すなわち当該変質層の厚みを同
定する。In the present embodiment, specifically, the target sample is ferrite, particularly Mn-Zn polycrystalline ferrite, and the thickness of the crystal layer is identified by measuring the proportion of spinel (normal crystal). . Further, at this time, among Raman bands representing spinel, it is known that the half-value width of the Eg band intensity near the wave number of 350 cm −1 corresponds to the above-mentioned crystallinity. Therefore, the half-value width identifies the thickness of the above-mentioned crystal layer. To do. That is, in this case, first, the full width at half maximum of the Eg band intensity of the ferrite processed surface which does not have an altered layer in advance and in which the analysis depth region can be regarded as substantially all crystal layers is measured, and further the analysis depth region is Nearly all, the half width when the Eg band intensity that can be regarded as the altered layer becomes equal to the noise intensity is obtained. Then, the full width at half maximum of the Eg band intensity on each ferrite processed surface of the sample was measured, and the measured value was used when the proportion of the crystal layer was 0 to 100%.
By interpolating as a value corresponding to the full width at half maximum, the ratio of the altered layer, that is, the thickness of the altered layer is identified.
【００２０】ここで、一つの実験例について説明する。
この実験は、上記結晶性評価方法により、加工面状態の
異なる数種のサンプルを用いて、各サンプルのＥｇバン
ド強度及び半値幅を比較して各サンプルにおける上記変
質層の厚みを同定したものである。Here, one experimental example will be described.
In this experiment, the thickness of the affected layer in each sample was identified by comparing the Eg band intensity and the half-value width of each sample by using several samples having different processed surface states by the above-described crystallinity evaluation method. is there.
【００２１】各サンプルは、平均粒径５０μｍ、ＨＩＰ
処理が施されたＭｎ−Ｚｎ多結晶フェライトであり、各
サンプルにはそれぞれ異なる鏡面加工を施した。サンプ
ルＡ（ダイヤラップ）は、いわゆるバーチカル（＃８０
０）精研後、１μｍダイヤラップ及び１／４μｍダイヤ
ラップを施したものである。また、サンプルＢ（クロム
研磨）は、バーチカル精研後、１μｍＣｒ2 Ｏ3 ＋ＨＣ
ｌ（濃度５％）メカノケミカルラップ、及び０．５μｍ
Ｃｒ2 Ｏ3 仕上げラップを施したものである。更に、サ
ンプルＣ（熱エッチング）は、サンプルＡをＮ2 中（Ｏ
2 分圧−１０ｐｐｍ以下）、９５０℃の条件下で１時間
熱処理を施したものである。このサンプルＣについて
は、熱処理によりサンプルＡの加工面の変質層が消失し
たものと期待される。なお、各サンプルの測定箇所は、
サンプルＡ，Ｂについては、顕微ラマン分光装置のＣＣ
Ｄ（固体撮像素子）にて結晶粒が認められないので任意
とした。サンプルＣは、結晶粒が明確に認められるの
で、見え方が異なる代表的な２種類の結晶粒について測
定した。以後、この２種類の結晶粒をそれぞれサンプル
Ｃ，Ｃ’と記す。見え方の違いは面方位の違いによるも
のと思われる。Each sample has an average particle size of 50 μm and HIP
This is a treated Mn-Zn polycrystalline ferrite, and each sample was subjected to different mirror finishing. Sample A (dialap) is a so-called vertical (# 80
0) 1 μm diamond lap and 1/4 μm diamond lap were applied after the polishing. Sample B (chrome polishing) was 1 μm Cr 2 O 3 + HC after vertical polishing.
l (concentration 5%) mechanochemical wrap, and 0.5 μm
Cr 2 O 3 finish wrap is applied. Furthermore, sample C (thermal etching) is a sample A in N 2 (O
2 partial pressure -10 ppm or less) and 950 ° C for 1 hour. In this sample C, it is expected that the deteriorated layer on the processed surface of the sample A disappeared due to the heat treatment. The measurement points of each sample are
For samples A and B, CC of the microscopic Raman spectrometer
Crystal grains were not observed in D (solid-state image sensor), so it was set as arbitrary. In the sample C, since the crystal grains are clearly recognized, the measurement was carried out on two types of typical crystal grains having different appearances. Hereinafter, these two types of crystal grains will be referred to as samples C and C ′, respectively. The difference in appearance is thought to be due to the difference in plane orientation.
【００２２】先ず、ラマンスペクトルの測定例について
示す。測定法（偏光／無偏光）、偏光レーザ光を使用し
た際の、横偏光入射面に対して各サンプルをその試料面
内で回転させた際の回転角θに依存して各ピークの感度
が異なるものの、何れのサンプルにおいても、波数が３
５０ｃｍ-1付近，４８０ｃｍ-1付近，６００ｃｍ-1付近
にラマンバンドが観測された。これらは、単結晶Ｍｎフ
ェライトについての測定結果を考慮すると、それぞれス
ピネル型構造のラマンバンドであるＥｇ，Ｔ２ｇ，Ａ１
ｇに帰属すると考えられる。したがって、各サンプルの
加工面には、分析深さ領域（１００〜１５０ｎｍ）にお
いて少なくともスピネル型フェライトが存在し、変質層
の厚みは上記分析深さより小（数十ｎｍ）であると考え
られる。なおここでは、サンプルＣについてＶ−Ｈ偏光
（縦偏光入射−横偏光検出）の際のラマンスペクトルの
測定例について図２に示す。First, an example of Raman spectrum measurement will be described. The sensitivity of each peak depends on the rotation angle θ when each sample is rotated in the sample plane with respect to the laterally polarized light incident plane when using the measurement method (polarized / non-polarized) and polarized laser light. Although different, the wave number was 3 in all samples.
Raman bands were observed near 50 cm -1, near 480 cm -1, and around 600 cm -1 . Considering the measurement results of single crystal Mn ferrite, these are Raman bands of the spinel structure, Eg, T2g, and A1.
It is considered to belong to g. Therefore, it is considered that at least spinel-type ferrite exists on the processed surface of each sample in the analysis depth region (100 to 150 nm), and the thickness of the altered layer is smaller than the analysis depth (tens of nm). In addition, here, FIG. 2 shows an example of measurement of a Raman spectrum when VH polarized light (longitudinal polarized light incident-horizontal polarized light detected) for sample C.
【００２３】測定対象とする結晶に敏感なラマンバンド
において、結晶性はその半値幅に対応することが報告さ
れている。この半値幅が小さいほど結晶性が高いと考え
られる。そこで、各サンプルに対してラマンスペクトル
におけるＥｇバンドの半値幅を調べた。It has been reported that in the Raman band sensitive to the crystal to be measured, the crystallinity corresponds to its half-value width. It is considered that the smaller the half width is, the higher the crystallinity is. Therefore, the full width at half maximum of the Eg band in the Raman spectrum was examined for each sample.
【００２４】先ず、結晶粒における結晶方位の影響を受
けないと考えられる無偏光ラマンスペクトルの測定を行
った。測定結果を図３及び図４に示す。図３に示すよう
に、サンプルＡ（ダイヤラップ面）についてはブロード
なＥｇバンドが、図４に示すように、サンプルＣ（熱エ
ッチング後）ではＥｇバンドピークを示す、即ち半値幅
が小さくなっている。これは、熱エッチングによりダイ
ヤラップの変質層がスピネルに回復した（結晶性が向上
した）ことを表すと考えられる。このように、厚みが数
十ｎｍの上記変質層の形成による表面結晶性の変化に、
ラマンスペクトルが極めて敏感であることが分かる。First, a non-polarized Raman spectrum, which is considered to be unaffected by the crystal orientation of crystal grains, was measured. The measurement results are shown in FIGS. 3 and 4. As shown in FIG. 3, a broad Eg band is shown in Sample A (diamond lap surface), and an Eg band peak is shown in Sample C (after thermal etching) as shown in FIG. There is. This is considered to represent that the altered layer of the diamond lap was restored to spinel by the thermal etching (the crystallinity was improved). In this way, due to the change in the surface crystallinity due to the formation of the altered layer having a thickness of several tens nm,
It can be seen that the Raman spectrum is extremely sensitive.
【００２５】次いで、偏光ラマンスペクトルの測定を行
った。一般に、分子や結晶の振動モードはその遷移モー
メントに方向性をもっており、その方向に偏光した光と
相互作用する。したがって、偏光ラマンスペクトルにお
けるＥｇバンドは、結晶性に対して、より感度が高いこ
とが期待される。但し、Ｅｇバンド強度にθ依存性があ
るので、半値幅を捉える際に各測定点毎に強度最大とな
るＥｇバンドを見つける必要がある。図５にサンプルＣ
についてＶ−Ｈ偏光におけるＥｇバンド強度のθ依存性
を示す。ここで、サンプルＣが１周期９０゜のθ依存性
を有する面方位を有することが分かる。さらに、図６，
７にサンプルＣについてθ＝０゜，４５゜におけるラマ
ンスペクトル強度の測定結果を示す。同一測定点である
にもかかわらず、θの値によりＥｇバンド強度は大きく
異なる。なお、サンプルＡ，ＢについてもサンプルＣと
同様に９０゜周期のθ依存性を示したが、サンプルＣ’
については示さなかった。Next, the polarized Raman spectrum was measured. Generally, the vibration mode of a molecule or crystal has a directional property in its transition moment, and interacts with light polarized in that direction. Therefore, the Eg band in the polarized Raman spectrum is expected to be more sensitive to crystallinity. However, since the intensity of the Eg band depends on θ, it is necessary to find the Eg band having the maximum intensity at each measurement point when capturing the half width. Sample C in Figure 5
Shows the θ dependence of the Eg band intensity in VH polarized light. Here, it can be seen that the sample C has a plane orientation having a θ dependency of 90 ° per cycle. Furthermore, FIG.
7 shows the measurement results of Raman spectrum intensity of sample C at θ = 0 ° and 45 °. Even though the measurement points are the same, the Eg band intensity varies greatly depending on the value of θ. Samples A and B also showed the θ dependence of the 90 ° cycle similarly to sample C.
Was not shown.
【００２６】以上の結果から、無偏光／偏光ラマンスペ
クトル測定における各サンプルのＥｇバンド半値幅と鏡
面加工法との関係を図８に示す。ここで、サンプルＣ，
Ｃ’の熱エッチング面が最も良い結晶性を示したことは
妥当な結果である。また、サンプルＢのクロム研磨面が
サンプルＡのダイヤラップ面よりも結晶性が良く、上記
変質層が形成され難いことが分かる。From the above results, FIG. 8 shows the relationship between the Eg band half-value width of each sample in the non-polarized / polarized Raman spectrum measurement and the mirror finishing method. Where sample C,
It is a reasonable result that the thermally etched surface of C ′ showed the best crystallinity. Further, it can be seen that the chromium-polished surface of sample B has better crystallinity than the diamond lap surface of sample A, and it is difficult to form the altered layer.
【００２７】研磨により形成された変質層は、その増加
とともに分析深さ領域のスピネル性（結晶性）が低下す
ることから、スピネルとしての長距離秩序が破壊されて
いるものと推察される。一般に、長距離秩序が保たれて
いる結晶においては、格子振動（フォノン）が存在し、
これらはラマン散乱や赤外線吸収スペクトルに観測され
る。結晶性が低下し、これらの長距離秩序が乱れると、
フォノンバンドは著しく変化する。長距離秩序の破壊が
スポット径が〜１μｍのレーザ光照射面積で起きている
ことから、上記変質層はサブμｍ以下の微結晶粒からな
る多結晶状態（微粉砕状態）にあると考えられる。Since the altered layer formed by polishing has its spinel property (crystallinity) in the analysis depth region decreased with the increase, it is presumed that the long-range order as spinel is destroyed. Generally, in a crystal in which long-range order is maintained, lattice vibration (phonon) exists,
These are observed in Raman scattering and infrared absorption spectra. When the crystallinity deteriorates and these long-range orders are disturbed,
The phonon band changes significantly. Since the destruction of long-range order occurs in the laser light irradiation area having a spot diameter of ˜1 μm, it is considered that the above-mentioned deteriorated layer is in a polycrystalline state (finely pulverized state) composed of fine crystal grains of sub μm or less.
【００２８】無偏光／偏光によるＥｇバンド半値幅に相
違はないようである。半値幅による結晶性の評価につい
ては、どちらの測定法を用いてもよいと思われる。多結
晶の場合、面方位依存性を心配する必要のない無偏光ラ
マン測定が適当であると考えられる。It seems that there is no difference in the half width of the Eg band due to unpolarized light / polarized light. For the evaluation of the crystallinity based on the full width at half maximum, either measuring method may be used. In the case of a polycrystal, it is considered that the non-polarized Raman measurement which does not need to worry about the plane orientation dependence is appropriate.
【００２９】ところで、周知の如く多結晶フェライトの
各結晶粒はそれぞれ異なった結晶面方位からなるため、
上記実施例において多結晶フェライトを試料とする際に
は、面方位の影響について議論しておく必要がある。As is well known, since the crystal grains of polycrystalline ferrite have different crystal plane orientations,
When using polycrystalline ferrite as a sample in the above examples, it is necessary to discuss the influence of the plane orientation.
【００３０】先ず、上記図８に示すように、サンプルＣ
とサンプルＣ’とでは半値幅が僅かに異なっている。ど
ちらも結晶性が良いので半値幅のばらつきが小さく、有
意差があると見なせる。サンプルＣ，Ｃ’は熱エッチン
グ処理が施されたものであるために加工面の結晶性はほ
ぼ１００％であるはずであり、両サンプルの結晶粒にお
ける表面結晶性は同一であると考えられる。First, as shown in FIG. 8, sample C
And the sample C ′ have slightly different half widths. Since both have good crystallinity, there is little variation in the half width, and it can be considered that there is a significant difference. Since the samples C and C ′ were subjected to the thermal etching treatment, the crystallinity of the processed surface should be almost 100%, and it is considered that the surface crystallinity of the crystal grains of both samples is the same.
【００３１】一方、両サンプル結晶粒は光学顕微鏡にお
ける見え方が大きく異なり、結晶粒段差も大きいことか
ら、面方位が大きく異なるものと推定され、上記半値幅
の違いも面方位の違いに依存していると考えられる。On the other hand, it is estimated that the crystal grains of the two samples are greatly different in appearance under an optical microscope and the step of the crystal grains is large. Therefore, it is presumed that the plane orientations are largely different. It is thought that
【００３２】ここで、上記両サンプルの結晶粒における
無偏光ラマン測定でのＥｇバンド強度と、偏光ラマン測
定でのθ変化に対するＥｇバンド強度振幅（ΔＥｇ）、
及び半値幅の値を図９に示す。また、上記図５に併せて
示す。このように、サンプルＣ’はサンプルＣに比べて
ΔＥｇが著しく小さいことが分かる。ΔＥｇは結晶の配
向性を反映しており、配向性が悪くなる、即ち多結晶化
すると小さくなるが、先にも述べたようにサンプルＣは
熱エッチングが施されており、これは考え難い。一方、
Ｅｇバンドはスピネル構造を反映した方向性を有するこ
とから、結晶粒の面方位によっては振動モードが互いに
打ち消し合い、Ｅｇとしての強度は示すものの、θ依存
性は示さないことが考えられる。Here, the Eg band intensities in the non-polarized Raman measurement in the crystal grains of both samples and the Eg band intensity amplitude (ΔEg) with respect to θ change in the polarized Raman measurement,
9 and the half-width values are shown in FIG. In addition, it is also shown in FIG. Thus, it can be seen that the sample C ′ has a significantly smaller ΔEg than the sample C. ΔEg reflects the crystal orientation, and the orientation becomes poor, that is, it becomes small when polycrystallized, but as described above, sample C is subjected to thermal etching, which is difficult to think. on the other hand,
Since the Eg band has a directionality reflecting the spinel structure, it is considered that the vibration modes cancel each other out depending on the plane orientation of the crystal grains and the strength as Eg is shown, but the θ dependence is not shown.
【００３３】そこで、参考として単結晶フェライトの
（１００）面における同様の測定を行った。その測定結
果を上記図９に併せて示す。単結晶のサンプルとして
は、サンプルＣの場合と同様の加工を施したサンプル
Ｄ、及び研磨面のダメージがかなり大きいと思われるバ
ーチカル（＃８００）精研のみのサンプルＥを使用し
た。サンプルＣとサンプルＤの各特性値は、多結晶／単
結晶の違いがあるにもかかわらず、極めて良い一致す示
している。このことから、サンプルＣは、（１００）面
相当の面方位を有し、単結晶に相当する結晶粒になって
いると考えられる。サンプルＥは、研磨ダメージが大き
いことを反映して半値幅が大きくΔＥｇが小さい。それ
に伴いＥｇバンド強度も小さくなっている。サンプルＥ
の加工面は（１００）面と分かっているから、ΔＥｇの
減少は変質層の増加に伴う結晶性の低下によるものと考
えられる。Therefore, as a reference, the same measurement was performed on the (100) plane of the single crystal ferrite. The measurement results are also shown in FIG. As a single crystal sample, a sample D processed similarly to the case of the sample C and a sample E of only vertical (# 800) precision polishing which is considered to have a considerably large damage on the polished surface were used. The respective characteristic values of Sample C and Sample D show extremely good agreement in spite of the difference of polycrystal / single crystal. From this, it is considered that the sample C has a crystal orientation corresponding to the (100) plane and corresponds to a single crystal. Sample E has a large full width at half maximum and a small ΔEg reflecting the large polishing damage. Along with that, the Eg band intensity is also reduced. Sample E
Since it is known that the processed surface of (1) is the (100) surface, the decrease of ΔEg is considered to be due to the decrease of the crystallinity accompanying the increase of the altered layer.
【００３４】サンプルＣ’のΔＥｇの低下が結晶性の低
下によるものならば、サンプルＥと同様の傾向を示すは
ずである。ところが、ΔＥｇがサンプルＥより小さいに
もかかわらず、半値幅はサンプルＣと同程度であり、Ｅ
ｇバンド強度もサンプルＣほどではないが、ある程度の
大きさを示している。したがって、サンプルＣ’はＥｇ
バンド強度がθ依存性を示さない面方位を表していると
考えられる。サンプルＣとサンプルＣ’の加工面の結晶
性がどちらも略々１００％であるならば、半値幅の違い
は両者の面方位の違いであると考えられる。If the decrease in ΔEg of sample C'is due to the decrease in crystallinity, it should show the same tendency as sample E. However, even though ΔEg is smaller than that of sample E, the half-width is about the same as that of sample C, and
Although the g-band intensity is not as high as that of the sample C, it shows a certain size. Therefore, sample C'has Eg
It is considered that the band intensity represents a plane orientation that does not show θ dependence. If the crystallinity of the processed surfaces of sample C and sample C'is approximately 100%, it is considered that the difference in the half width is the difference in the plane orientations of the two.
【００３５】また、サンプルＣとサンプルＣ’とでは、
その面方位が大きく異なるにもかかわらず、無偏光ラマ
ン測定での半値幅の値に大きな差はない。このことは、
無偏光ラマン測定における半値幅による結晶性の評価が
面方位の影響をほとんど受けないことを示している。し
たがって、多結晶フェライトの種々の結晶粒の面方位を
気にかける必要なく、任意の測定箇所にて結晶性を分析
することが可能であるといえる。Further, in sample C and sample C ',
Despite the large difference in the plane orientation, there is no big difference in the half-width value in the non-polarized Raman measurement. This is
It is shown that the evaluation of the crystallinity by the half width in the non-polarized Raman measurement is hardly affected by the plane orientation. Therefore, it can be said that it is possible to analyze the crystallinity at any measurement point without having to care about the plane orientations of various crystal grains of the polycrystalline ferrite.
【００３６】そして、各サンプルである多結晶フェライ
トの加工面において、上記変質層を数十ｎｍサイズの測
定領域にて非破壊で測定した際の、上記変質層のおおよ
その厚みを見積ってみた結果を図１０に示す。サンプル
Ｃの熱エッチング面における半値幅（〜２８．７ｃ
ｍ-1）が上記分析深さ領域中における変質層の割合０％
に対応すると見なせる。また、変質層の割合が１００％
である場合とは、分析深さ領域が全て変質層となったと
きのことである。このとき、変質層の厚みは１００〜１
５０ｎｍとなる。Then, as a result of estimating the approximate thickness of the modified layer when non-destructively measuring the modified layer in a measurement region of a size of several tens nm on the processed surface of polycrystalline ferrite which is each sample. Is shown in FIG. Full width at half maximum on the thermally etched surface of sample C (up to 28.7c
m -1 ) is 0% of the altered layer in the analysis depth region
Can be considered to correspond to. In addition, the ratio of the altered layer is 100%
The case of is when all the analysis depth regions are altered layers. At this time, the thickness of the altered layer is 100 to 1
It becomes 50 nm.
【００３７】上記の実験より得られた半値幅とＥｇバン
ド強度或はΔＥｇとの間に、図示の如き関係が見出され
た。これは、上記変質層の増加に伴う結晶性の低下（半
値幅の増加）とともに、Ｅｇバンド強度及びΔＥｇが減
少することを意味する。変質層の割合１００％に相当す
る半値幅の値（〜８０ｃｍ-1）は、Ｅｇバンド強度がノ
イズ強度と同等となったときの半値幅として求めた。各
サンプルの半値幅の測定値を変質層の割合が０〜１００
％となる半値幅間に対応する値として割り振る（内挿す
る）ことにより、上記変質層の割合、すなわち当該変質
層の厚みを同定した。The relationship as shown in the figure was found between the full width at half maximum obtained from the above experiment and the Eg band intensity or ΔEg. This means that the Eg band intensity and ΔEg decrease with the decrease in crystallinity (increase in full width at half maximum) with the increase in the altered layer. The value of the half width (-80 cm -1 ) corresponding to 100% of the altered layer was obtained as the half width when the Eg band intensity was equal to the noise intensity. The measured value of the full width at half maximum of each sample is 0-100
The ratio of the altered layer, that is, the thickness of the altered layer was identified by assigning (interpolating) as a value corresponding to the half-value width of%.
【００３８】その結果、±２５％程度の誤差があるもの
の、各加工法により作製された各サンプルの変質層の厚
みは、バーチカル精研（＃８００）のみを施したサンプ
ルが約８０ｎｍ、サンプルＡが約４５ｎｍ、サンプルＢ
が約２５ｎｍとなった。As a result, although there was an error of about ± 25%, the thickness of the deteriorated layer of each sample produced by each processing method was about 80 nm for the sample subjected only to Vertical Seiken (# 800), and the sample A Is about 45 nm, sample B
Was about 25 nm.
【００３９】このように、本実施例の結晶性評価方法に
おいては、顕微ラマン分光法を用いて、試料である多結
晶フェライトの加工面における分析深さ領域のうち、長
距離秩序を有する結晶層の厚みを同定することにより、
表面加工により結晶性に乱れが生じた変質層の厚みを同
定して、前記加工面の結晶性を評価する。したがって、
上記分析深さ領域中の上記変質層の増加による上記結晶
層の減少が結晶性の低下として定量的に捉えられ、上記
変質層の厚みを間接的に略々正確に同定することが可能
となる。As described above, in the crystallinity evaluation method of this embodiment, a crystalline layer having a long-range order in the analysis depth region on the processed surface of the sample polycrystalline ferrite is used by using the microscopic Raman spectroscopy. By identifying the thickness of
The thickness of the altered layer in which the crystallinity is disturbed by the surface processing is identified, and the crystallinity of the processed surface is evaluated. Therefore,
A decrease in the crystal layer due to an increase in the altered layer in the analysis depth region is quantitatively grasped as a decrease in crystallinity, and the thickness of the altered layer can be indirectly and almost accurately identified. .
【００４０】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではなく、例えば、試料として多結晶フェライトの
みならず単結晶フェライトの微小領域における結晶性の
評価にも適用可能であることは言うまでもない。また、
本発明は、多結晶フェライトとしてＭｎ−Ｚｎフェライ
トのみならず、スピネル構造を有する任意のセラミクス
に対して適用できる。It is needless to say that the present invention is not limited to the above-mentioned examples, and can be applied to, for example, evaluation of crystallinity in a micro region of not only polycrystalline ferrite but also single crystal ferrite as a sample. Yes. Also,
The present invention can be applied not only to Mn-Zn ferrite as a polycrystalline ferrite but also to any ceramics having a spinel structure.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
係る結晶性評価方法によれば、特に多結晶フェライト加
工面について、微細な分析領域にてその結晶性をほぼ定
量的に判定することが可能となる。As is apparent from the above description, according to the crystallinity evaluation method of the present invention, the crystallinity of a polycrystalline ferrite processed surface is determined substantially quantitatively in a fine analysis region. It becomes possible.
【図１】本実施例において用いる顕微ラマン分光装置を
模式的に示す側面図である。FIG. 1 is a side view schematically showing a microscopic Raman spectroscopic device used in this example.
【図２】サンプルＣについてのＶ（垂直）−Ｈ（水平）
偏光の際のラマンスペクトルの測定例を示す特性図であ
る。FIG. 2 V (vertical) -H (horizontal) for sample C
It is a characteristic view which shows the measurement example of the Raman spectrum at the time of polarization.
【図３】サンプルＡについての無偏光ラマンスペクトル
の測定結果を示す特性図である。FIG. 3 is a characteristic diagram showing measurement results of unpolarized Raman spectrum of Sample A.
【図４】サンプルＣについての無偏光ラマンスペクトル
の測定結果を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing measurement results of unpolarized Raman spectrum of sample C.
【図５】サンプルＣについてのＶ−Ｈ偏光におけるＥｇ
バンド強度のθ依存性を示す特性図である。FIG. 5 Eg in VH polarized light for sample C
It is a characteristic view which shows (theta) dependence of band intensity.
【図６】サンプルＣについてのθ＝０゜における偏光ラ
マンスペクトル強度の測定結果を示す特性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing measurement results of polarized Raman spectrum intensity at θ = 0 ° for sample C.
【図７】サンプルＣについてのθ＝４５゜における偏光
ラマンスペクトル強度の測定結果を示す特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing the measurement result of polarized Raman spectrum intensity at θ = 45 ° for sample C.
【図８】無偏光／偏光ラマンスペクトル測定における各
サンプルのＥｇバンド半値幅と鏡面加工法との関係を示
す特性図である。FIG. 8 is a characteristic diagram showing the relationship between the Eg band half-value width of each sample in the non-polarization / polarization Raman spectrum measurement and the mirror finishing method.
【図９】サンプルＣ，Ｃ’についての無偏光ラマン測定
でのＥｇバンド強度と、偏光ラマン測定でのθ変化に対
するＥｇバンド強度振幅（ΔＥｇ）、及び半値幅の値を
示す特性図である。FIG. 9 is a characteristic diagram showing Eg band intensities in unpolarized Raman measurement, Eg band intensity amplitude (ΔEg) with respect to θ change in polarized Raman measurement, and half-width values for samples C and C ′.
【図１０】各サンプルについての変質層のおおよその厚
みを見積った結果を示す特性図である。FIG. 10 is a characteristic diagram showing a result of estimating an approximate thickness of an altered layer for each sample.
１ ビームスプリッタ ２ ステージ ３ 対物レンズ ４ ミラー ５ アパーチャ 1 Beam splitter 2 Stage 3 Objective lens 4 Mirror 5 Aperture
Claims (6)
面における分析深さ領域のうち、長距離秩序を有する結
晶層の厚みを同定することにより、表面加工により結晶
性に乱れが生じた変質層の厚みを同定して、前記加工面
の結晶性を評価することを特徴とする結晶性評価方法。1. The crystallinity is disturbed by the surface processing by identifying the thickness of the crystal layer having long-range order in the analysis depth region on the processed surface of the sample by using the microscopic Raman spectroscopy. A crystallinity evaluation method characterized by identifying the thickness of an altered layer and evaluating the crystallinity of the processed surface.
光のものであることを特徴とする請求項１記載の結晶性
評価方法。2. The crystallinity evaluation method according to claim 1, wherein the laser light incident on the processed surface of the sample is unpolarized.
ット径が数μｍ以下であることを特徴とする請求項１記
載の結晶性評価方法。3. The crystallinity evaluation method according to claim 1, wherein the spot diameter of the laser light incident on the processed surface of the sample is several μm or less.
割合を測定することにより結晶層の厚みを同定すること
を特徴とする請求項１記載の結晶性評価方法。4. The crystallinity evaluation method according to claim 1, wherein the sample is ferrite, and the thickness of the crystal layer is identified by measuring the proportion of spinel.
トであることを特徴とする請求項４記載の結晶性評価方
法。5. The crystallinity evaluation method according to claim 4, wherein the sample ferrite is polycrystalline ferrite.
数３５０ｃｍ-1付近のＥｇバンドの半値幅により結晶層
の厚みを同定することを特徴とする請求項４又は５記載
の結晶性評価方法。6. The crystallinity evaluation method according to claim 4, wherein the thickness of the crystal layer is identified by the full width at half maximum of the Eg band near the wave number of 350 cm −1 among the Raman bands representing spinel.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25250294A JPH08114548A (en) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | Method for evaluating crystaline characteristic |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25250294A JPH08114548A (en) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | Method for evaluating crystaline characteristic |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08114548A true JPH08114548A (en) | 1996-05-07 |
Family
ID=17238270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25250294A Pending JPH08114548A (en) | 1994-10-18 | 1994-10-18 | Method for evaluating crystaline characteristic |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08114548A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009204405A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Kao Corp | Method for measuring moisture content in hair |
| WO2023084978A1 (en) * | 2021-11-15 | 2023-05-19 | 信越半導体株式会社 | Method for evaluating silicon wafer and method for removing processed and altered layer of silicon wafer |
-
1994
- 1994-10-18 JP JP25250294A patent/JPH08114548A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009204405A (en) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Kao Corp | Method for measuring moisture content in hair |
| JP4679596B2 (en) * | 2008-02-27 | 2011-04-27 | 花王株式会社 | Method for measuring moisture content in hair |
| WO2023084978A1 (en) * | 2021-11-15 | 2023-05-19 | 信越半導体株式会社 | Method for evaluating silicon wafer and method for removing processed and altered layer of silicon wafer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5381016A (en) | Method and apparatus for measuring photoluminescence in crystal | |
| EP1124120A2 (en) | Spectroscopic investigation system and compensator therefor | |
| Nakashima et al. | Detection of defects in SiC crystalline films by Raman scattering | |
| JP5055518B2 (en) | Characterization of ultra-small electronic circuits | |
| US11906434B2 (en) | Raman spectroscopy based measurement system | |
| US6781692B1 (en) | Method of monitoring the fabrication of thin film layers forming a DWDM filter | |
| WO2006051766A1 (en) | Optical measurement evaluating method and optical measurement evaluating device | |
| JP2005308612A (en) | Ellipsometer and spectroscopic ellipsometer | |
| JP2009145148A (en) | Internal stress measuring method by raman scattering and raman spectrometer | |
| JP2001507127A (en) | In-situ observation of electronic properties by ellipsometry | |
| JPH08114548A (en) | Method for evaluating crystaline characteristic | |
| Hatta et al. | A Polarization Modulation Infrared Reflection Technique Applied to Study of Thin Films on Metal and Semiconductor Surfaces | |
| US6982791B2 (en) | Scatterometry to simultaneously measure critical dimensions and film properties | |
| US7283234B1 (en) | Use of ellipsometry and surface plasmon resonance in monitoring thin film deposition or removal from a substrate surface | |
| JP2004219371A (en) | Method for spectroscopically measuring semiconductor multi-layer film and spectroscopic measurement apparatus | |
| JP3275022B2 (en) | Photoluminescence measurement device in crystal | |
| Lauer et al. | Relation between deposition parameters, structure and raman spectra of carbon overcoats on simulated magnetic storage discs | |
| Sassella et al. | Generalized anisotropic ellipsometry applied to an organic single crystal: Potassium acid phthalate | |
| JP2850856B2 (en) | Interface analysis method | |
| JP2007003354A (en) | Surface strain measuring method of crystal and measuring instrument therefor | |
| JP2715999B2 (en) | Evaluation method for polycrystalline materials | |
| JP2735053B2 (en) | Organic thin film orientation inspection method and inspection device | |
| RU2423684C2 (en) | Optical measurement method for material | |
| RU2170913C1 (en) | Process of spectroscopy of transition layer of conducting surface | |
| Kosobukin et al. | Temperature quenching of excitons in resonant elastic light scattering from rough surfaces of crystals |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030708 |