JPH08110634A - フォトレジスト塗布液 - Google Patents
フォトレジスト塗布液Info
- Publication number
- JPH08110634A JPH08110634A JP24442394A JP24442394A JPH08110634A JP H08110634 A JPH08110634 A JP H08110634A JP 24442394 A JP24442394 A JP 24442394A JP 24442394 A JP24442394 A JP 24442394A JP H08110634 A JPH08110634 A JP H08110634A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- propylene glycol
- ether acetate
- photoresist
- coating solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジスト塗布液の塗布方式において、
コストや生産性で優位であるロールコータやバーコータ
ーによる塗布方式を採用した場合でも、要求されるレベ
ルの均一な塗膜を形成可能なフォトレジスト塗布液を提
供する。 【構成】 静置乾燥する塗布方式に適したフォトレジス
ト塗布液において、該塗布液中の溶剤の1部がプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−メト
キシプロピオン酸メチル、および3−エトキシプロピオ
ン酸エチルから選択された少なくとも2種類の組合せで
あって、塗布液の溶剤中に占める上記溶剤の和の比率が
60〜100重量%で、かつ該溶剤比率がプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート+プロピレング
リコールモノエチルエーテルアセテート>3−メトキシ
プロピオン酸メチル+3−エトキシプロピオン酸エチル
(重量比)の不等式を満足し、塗布液粘度の範囲が5〜
60CPSであることを特徴とするフォトレジスト塗布
液。
コストや生産性で優位であるロールコータやバーコータ
ーによる塗布方式を採用した場合でも、要求されるレベ
ルの均一な塗膜を形成可能なフォトレジスト塗布液を提
供する。 【構成】 静置乾燥する塗布方式に適したフォトレジス
ト塗布液において、該塗布液中の溶剤の1部がプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−メト
キシプロピオン酸メチル、および3−エトキシプロピオ
ン酸エチルから選択された少なくとも2種類の組合せで
あって、塗布液の溶剤中に占める上記溶剤の和の比率が
60〜100重量%で、かつ該溶剤比率がプロピレング
リコールモノメチルエーテルアセテート+プロピレング
リコールモノエチルエーテルアセテート>3−メトキシ
プロピオン酸メチル+3−エトキシプロピオン酸エチル
(重量比)の不等式を満足し、塗布液粘度の範囲が5〜
60CPSであることを特徴とするフォトレジスト塗布
液。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶ディスプレイ製造用
材料に関するものであり、特に液晶ディスプレイの電極
素子等を形成するためのフォトレジスト塗布液に関する
ものである。
材料に関するものであり、特に液晶ディスプレイの電極
素子等を形成するためのフォトレジスト塗布液に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】液晶ディスプレイの電極素子等を形成す
るためのフォトレジストは塗布によって基板表面にフォ
トレジストの皮膜を形成し、フォトリソ法によって該皮
膜を所定のパターンに加工する手法が使われている。さ
らに、そのパターンをマスクにして導電膜や絶縁層をエ
ッチングして電極素子等を作製する。できあがった液晶
ディスプレイの品質の良否はフォトレジストの塗布技術
とフォトリソ並びにエッチング技術に集約される。しか
るに、この塗布条件は極めて複雑である。工程を追って
みると、レジストパターンは一層づつ逐次形成されるた
め最初の1層目は平滑な電極材等を有したガラス基板上
に塗布されるが、2層目からは最初のレジストによりエ
ッチング形成された凹凸の電極パターン等を有したガラ
ス基板上に塗布しなければならない。パターンの線幅の
均一性は僅かな膜厚変動により影響を受けるために塗布
膜厚の均一性が要求される。
るためのフォトレジストは塗布によって基板表面にフォ
トレジストの皮膜を形成し、フォトリソ法によって該皮
膜を所定のパターンに加工する手法が使われている。さ
らに、そのパターンをマスクにして導電膜や絶縁層をエ
ッチングして電極素子等を作製する。できあがった液晶
ディスプレイの品質の良否はフォトレジストの塗布技術
とフォトリソ並びにエッチング技術に集約される。しか
るに、この塗布条件は極めて複雑である。工程を追って
みると、レジストパターンは一層づつ逐次形成されるた
め最初の1層目は平滑な電極材等を有したガラス基板上
に塗布されるが、2層目からは最初のレジストによりエ
ッチング形成された凹凸の電極パターン等を有したガラ
ス基板上に塗布しなければならない。パターンの線幅の
均一性は僅かな膜厚変動により影響を受けるために塗布
膜厚の均一性が要求される。
【0003】フォトレジストの塗布方式としては、スピ
ンコーターやロールコーターあるいは特願昭63−32
8666号明細書に開示されているバーコーター等が用
いられている。ロールコーターやバーコーターによる塗
布方式は、塗布液量が少なくて済み、廃液量が少なく、
また連続塗布が可能で大量生産に向いている等の利点を
有するものの、しばしばうろこ雲状あるいはゆずはだ状
の乾燥ムラが発生する。このようなうろこ雲状あるいは
ゆずはだ状の乾燥むらは、液晶ディスプレイの電極素子
等を形成するためのフォトレジスト膜の高い膜厚精度が
要求される分野において特に重要となる。これはロール
コーターあるいはバーコーター等で塗布された液膜は自
由表面からの乾燥であり、溶剤の蒸発によって液膜表面
の温度が下がると液膜に温度差が生じ、液膜の内部で対
流が発生し、ムラが発生するものと推定される。従っ
て、ロールコーターあるいはバーコーターに限らず、基
板表面に液膜を形成した後、自由表面から常圧で乾燥す
る塗布方式では常にこの問題と直面する。これに対し、
スピンコーターで塗布したときは、前記うろこ雲状ある
いはゆずはだ状の乾燥むらはほとんど観察されない。こ
れは、スピンコーターは塗布後、液膜の流動性が無くな
る段階まで回転を続けているため、液膜の表面に常に一
定の遠心力が働いて液面の平坦性を維持するとともに、
この回転中に溶剤の乾燥が完了して乾燥に伴う不安定な
流動が抑制されるためと推察される。しかし、スピンコ
ーターは高精度の塗布ができることに加え、機構が単純
であるため長い間これらの用途に使われてきたが、この
塗布方式は必要とする液量の十数倍の液量を使うため、
高価な材料をむだに使い、多量の廃液を発生させるた
め、材料費と廃液処理コストがかさむ。一方において、
フォトレジスト塗布液の溶剤組成から塗布性を改良する
技術が特開平5−94012号公報に開示されている。
しかしながら、基板上の塗れ広がり速度を向上させる事
はできても、最も重大な問題である塗布ムラを抑制する
という点においては未だ満足できるものではない。
ンコーターやロールコーターあるいは特願昭63−32
8666号明細書に開示されているバーコーター等が用
いられている。ロールコーターやバーコーターによる塗
布方式は、塗布液量が少なくて済み、廃液量が少なく、
また連続塗布が可能で大量生産に向いている等の利点を
有するものの、しばしばうろこ雲状あるいはゆずはだ状
の乾燥ムラが発生する。このようなうろこ雲状あるいは
ゆずはだ状の乾燥むらは、液晶ディスプレイの電極素子
等を形成するためのフォトレジスト膜の高い膜厚精度が
要求される分野において特に重要となる。これはロール
コーターあるいはバーコーター等で塗布された液膜は自
由表面からの乾燥であり、溶剤の蒸発によって液膜表面
の温度が下がると液膜に温度差が生じ、液膜の内部で対
流が発生し、ムラが発生するものと推定される。従っ
て、ロールコーターあるいはバーコーターに限らず、基
板表面に液膜を形成した後、自由表面から常圧で乾燥す
る塗布方式では常にこの問題と直面する。これに対し、
スピンコーターで塗布したときは、前記うろこ雲状ある
いはゆずはだ状の乾燥むらはほとんど観察されない。こ
れは、スピンコーターは塗布後、液膜の流動性が無くな
る段階まで回転を続けているため、液膜の表面に常に一
定の遠心力が働いて液面の平坦性を維持するとともに、
この回転中に溶剤の乾燥が完了して乾燥に伴う不安定な
流動が抑制されるためと推察される。しかし、スピンコ
ーターは高精度の塗布ができることに加え、機構が単純
であるため長い間これらの用途に使われてきたが、この
塗布方式は必要とする液量の十数倍の液量を使うため、
高価な材料をむだに使い、多量の廃液を発生させるた
め、材料費と廃液処理コストがかさむ。一方において、
フォトレジスト塗布液の溶剤組成から塗布性を改良する
技術が特開平5−94012号公報に開示されている。
しかしながら、基板上の塗れ広がり速度を向上させる事
はできても、最も重大な問題である塗布ムラを抑制する
という点においては未だ満足できるものではない。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】以上説明したように、
スピンコーターによる塗布では、膜厚の均一なフォトレ
ジスト膜を成膜できるものの、高コストとなる。これに
対し、ロールコーターやバーコーターによる塗布では安
価で、処理効率に優れているものの、乾燥に伴い膜厚変
動が発生し易いという欠点をもつ。そこで、本発明は、
フォトレジスト塗布液の塗布方式において、コストや生
産性で優位であるロールコータやバーコーターによる塗
布方式を採用した場合でも、要求されるレベルの均一な
塗膜を形成可能なフォトレジスト塗布液を提供すること
を目的とする。
スピンコーターによる塗布では、膜厚の均一なフォトレ
ジスト膜を成膜できるものの、高コストとなる。これに
対し、ロールコーターやバーコーターによる塗布では安
価で、処理効率に優れているものの、乾燥に伴い膜厚変
動が発生し易いという欠点をもつ。そこで、本発明は、
フォトレジスト塗布液の塗布方式において、コストや生
産性で優位であるロールコータやバーコーターによる塗
布方式を採用した場合でも、要求されるレベルの均一な
塗膜を形成可能なフォトレジスト塗布液を提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】発明者等は、特定の溶剤
をある比率で組合せることによって上記目的を達成でき
ることを見出し、本発明をなすに至った。
をある比率で組合せることによって上記目的を達成でき
ることを見出し、本発明をなすに至った。
【0006】即ち、上記目的は、本発明の、ロールコー
ター、バーコーターあるいは”日経マイクロデバイス”
Vol.105,P84〜85,Mar.1994に紹
介されている塗布機を用いて基板表面に液膜を形成後、
静置乾燥する塗布方式に適した塗布液において、該塗布
液中の溶剤の1部がプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、
および3−エトキシプロピオン酸エチルから選択された
少なくとも2種類の組合せであって、塗布液の溶剤中に
占める上記溶剤の和の比率が60〜100重量%で、か
つ該溶剤比率がプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート+プロピレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート>3−メトキシプロピオン酸メチル+3−
エトキシプロピオン酸エチル(重量比)の不等式を満足
し、塗布液粘度の範囲が5〜60CPSであることを特
徴とするフォトレジスト塗布液により達成される。
ター、バーコーターあるいは”日経マイクロデバイス”
Vol.105,P84〜85,Mar.1994に紹
介されている塗布機を用いて基板表面に液膜を形成後、
静置乾燥する塗布方式に適した塗布液において、該塗布
液中の溶剤の1部がプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテート、3−メトキシプロピオン酸メチル、
および3−エトキシプロピオン酸エチルから選択された
少なくとも2種類の組合せであって、塗布液の溶剤中に
占める上記溶剤の和の比率が60〜100重量%で、か
つ該溶剤比率がプロピレングリコールモノメチルエーテ
ルアセテート+プロピレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート>3−メトキシプロピオン酸メチル+3−
エトキシプロピオン酸エチル(重量比)の不等式を満足
し、塗布液粘度の範囲が5〜60CPSであることを特
徴とするフォトレジスト塗布液により達成される。
【0007】本発明において、塗布液の溶剤中に占める
上記溶剤の和の比率は60〜100重量%、好ましくは
65〜100重量%、更に好ましくは70〜100重量
%である。本発明の塗布液は40重量%未満の範囲で他
の溶剤を添加することができる。添加できる補助溶剤の
例を挙げると、エステル系有機溶剤はプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエ
チルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエー
テル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル
類、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル類、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、フェニルセロソルブアセテート等のセロソルブ類等
の他、ガンマーブチロラクトン等の環状エステル類等が
有用である。
上記溶剤の和の比率は60〜100重量%、好ましくは
65〜100重量%、更に好ましくは70〜100重量
%である。本発明の塗布液は40重量%未満の範囲で他
の溶剤を添加することができる。添加できる補助溶剤の
例を挙げると、エステル系有機溶剤はプロピレングリコ
ールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエ
チルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエー
テル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル
類、乳酸メチル、乳酸エチル等の乳酸エステル類、メチ
ルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテー
ト、フェニルセロソルブアセテート等のセロソルブ類等
の他、ガンマーブチロラクトン等の環状エステル類等が
有用である。
【0008】ケトン系有機溶剤としてはメチルエチルケ
トン、メチル(イソ)プロピルケトン、メチル(イソ)
ブチルケトン等のアルキルケトン類、シクロヘキサノ
ン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン類等が有用
である。該エステルおよびケトンの使用量は該材料溶液
に対して20〜90重量%の範囲で使うことができる。
エステルとケトンの選択および混合比率は任意であり、
溶質の溶解性、乾燥速度、混合するアルコールの種類等
によって決められる。
トン、メチル(イソ)プロピルケトン、メチル(イソ)
ブチルケトン等のアルキルケトン類、シクロヘキサノ
ン、メチルシクロヘキサノン等の環状ケトン類等が有用
である。該エステルおよびケトンの使用量は該材料溶液
に対して20〜90重量%の範囲で使うことができる。
エステルとケトンの選択および混合比率は任意であり、
溶質の溶解性、乾燥速度、混合するアルコールの種類等
によって決められる。
【0009】アルコール系有機溶剤は炭素数2〜6で直
鎖、枝分れまたは環状アルコールから選ばれた少なくと
も一種からなり、具体的には、エチルアルコール、プロ
ピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアル
コール、イソブチルアルコール、t−ブチルアルコー
ル、アミルアルコール、イソペンチルアルコール、ヘキ
シルアルコール、イソヘキシルアルコール等あるいはシ
クロペンチルアルコール、シクロヘキシルアルコール等
の環状アルコール等が有用である。
鎖、枝分れまたは環状アルコールから選ばれた少なくと
も一種からなり、具体的には、エチルアルコール、プロ
ピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアル
コール、イソブチルアルコール、t−ブチルアルコー
ル、アミルアルコール、イソペンチルアルコール、ヘキ
シルアルコール、イソヘキシルアルコール等あるいはシ
クロペンチルアルコール、シクロヘキシルアルコール等
の環状アルコール等が有用である。
【0010】本発明のレジスト膜を形成するための材料
は、ナフトキノンジアジドとノボラック樹脂とを含有し
て成るポジ型フォトレジスト組成物や紫外線感応性の特
定の酸発生剤、酸によって架橋反応を誘起される化合物
とノボラック樹脂とを含有して成るネガ型フオトレジス
ト組成物が用いられる。ポジ型該組成の例は、「ノボラ
ック型フェノール樹脂/ナフトキノンジアジド置換化合
物」として米国特許第3666473号、米国特許第4
115128号及び米国特許第4173470号各明細
書等に、また最も典型的な組成物として「クレゾール−
ホルムアルデヒドより成るノボラック樹脂/トリヒドロ
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル」の例がトンプソン「イントロダクシ
ョン・トゥー・マイクロリソグラフィー」(L.F.Thomps
on「Introduction to Microlithography」)(ACS出
版、No.2 19号、p112〜121)に記載され
ている。ネガ型該組成の例は、特公昭54−23574
号、特公昭62−44258号、特開昭60−2631
43号、特開昭62−164045号、特開平2−52
348号、特開平2−154266号、特開平2−14
6044号各公報、特願平4−149392号、特願平
5−251778号各明細書、***公開特許20574
73号、欧州特許397460A号各明細書等に記載さ
れている。また、本発明のフォトレジスト塗布液の好ま
しい粘度は5〜60CPSであり、この値は一般的なフ
ォトレジスト塗布液と同様である。
は、ナフトキノンジアジドとノボラック樹脂とを含有し
て成るポジ型フォトレジスト組成物や紫外線感応性の特
定の酸発生剤、酸によって架橋反応を誘起される化合物
とノボラック樹脂とを含有して成るネガ型フオトレジス
ト組成物が用いられる。ポジ型該組成の例は、「ノボラ
ック型フェノール樹脂/ナフトキノンジアジド置換化合
物」として米国特許第3666473号、米国特許第4
115128号及び米国特許第4173470号各明細
書等に、また最も典型的な組成物として「クレゾール−
ホルムアルデヒドより成るノボラック樹脂/トリヒドロ
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジドス
ルホン酸エステル」の例がトンプソン「イントロダクシ
ョン・トゥー・マイクロリソグラフィー」(L.F.Thomps
on「Introduction to Microlithography」)(ACS出
版、No.2 19号、p112〜121)に記載され
ている。ネガ型該組成の例は、特公昭54−23574
号、特公昭62−44258号、特開昭60−2631
43号、特開昭62−164045号、特開平2−52
348号、特開平2−154266号、特開平2−14
6044号各公報、特願平4−149392号、特願平
5−251778号各明細書、***公開特許20574
73号、欧州特許397460A号各明細書等に記載さ
れている。また、本発明のフォトレジスト塗布液の好ま
しい粘度は5〜60CPSであり、この値は一般的なフ
ォトレジスト塗布液と同様である。
【0011】基板および支持体としては、ガラス等の透
明な材料が好んで用いられる。従って、基板および支持
体と本発明のフォトレジスト塗布液との密着力を向上さ
せるために、市販の各種シランカップリング剤等を添加
するか、または、あらかじめ基板および支持体に作用さ
せた後、フォトレジスト塗布液を塗布してもよい。
明な材料が好んで用いられる。従って、基板および支持
体と本発明のフォトレジスト塗布液との密着力を向上さ
せるために、市販の各種シランカップリング剤等を添加
するか、または、あらかじめ基板および支持体に作用さ
せた後、フォトレジスト塗布液を塗布してもよい。
【0012】現像液として好適に用いられるものは、ア
ルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物または炭
酸塩、炭酸水素塩、アンモニア水、アルカノールアミ
ン、4級アンモニウム塩の水溶液等が挙げられる。また
該アルカリ類に界面活性剤を適量添加して使用すること
もできる。以下に、本発明を実施例に基づき更に詳細に
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
ルカリ金属またはアルカリ土類金属の水酸化物または炭
酸塩、炭酸水素塩、アンモニア水、アルカノールアミ
ン、4級アンモニウム塩の水溶液等が挙げられる。また
該アルカリ類に界面活性剤を適量添加して使用すること
もできる。以下に、本発明を実施例に基づき更に詳細に
説明するが、本発明はこれらに限定されるものではな
い。
【0013】
比較例1 FUSIONの#7059の厚み:1.1mm、サイ
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方1の
フォトレジスト塗布液を特願昭63−328666号明
細書に開示されているバーコーターを使って塗布した。
2m/分の速度で塗布し、基板に対し、垂直に乾燥風
(基板表面での線速度:0〜1m/秒)を当てながら2
分間乾燥し、ホットプレートで85℃、3分間乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したところうろこ雲状の塗布ムラが見
られた。
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方1の
フォトレジスト塗布液を特願昭63−328666号明
細書に開示されているバーコーターを使って塗布した。
2m/分の速度で塗布し、基板に対し、垂直に乾燥風
(基板表面での線速度:0〜1m/秒)を当てながら2
分間乾燥し、ホットプレートで85℃、3分間乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したところうろこ雲状の塗布ムラが見
られた。
【0014】比較例2 FUSIONの#7059の厚み:1.1mm、サイ
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方1の
フォトレジスト塗布液をスピンコーターを使って塗布し
た。750rpmで、60秒回転して後スピンコーター
から取り出し、ホットプレートで85℃、1分間乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方1の
フォトレジスト塗布液をスピンコーターを使って塗布し
た。750rpmで、60秒回転して後スピンコーター
から取り出し、ホットプレートで85℃、1分間乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
【0015】 (処方1) ・m−クレゾールとp−クレゾールとホルムアルデヒドとの共縮合樹脂(m/p のモル比が6:4、Mw=9000、Mw/Mn=6.0) 35.0g ・1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドと2,3,4−トリ ヒドロキシベンゾフェノンの縮合反応物 9.0g ・エチルセロソルブアセテート 155.0g
【0016】比較例3 FUSIONの#7059の厚み:1.1mm、サイ
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方2の
フォトレジスト塗布液を特願昭63−328666号明
細書に開示されているバーコーターを使って塗布した。
2m/分の速度で塗布し、基板に対し、垂直に乾燥風
(基板表面での線速度:0〜1m/秒)を当てながら2
分間乾燥し、ホットプレートで85℃、3分間乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したところうろこ雲状の塗布ムラが見
られた。
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方2の
フォトレジスト塗布液を特願昭63−328666号明
細書に開示されているバーコーターを使って塗布した。
2m/分の速度で塗布し、基板に対し、垂直に乾燥風
(基板表面での線速度:0〜1m/秒)を当てながら2
分間乾燥し、ホットプレートで85℃、3分間乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したところうろこ雲状の塗布ムラが見
られた。
【0017】 (処方2) ・m−クレゾールとp−クレゾールとホルムアルデヒドとの共縮合樹脂(m/p のモル比が6:4、Mw=9000、Mw/Mn=6.0) 35.0g ・1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドと2,3,4−トリ ヒドロキシベンゾフェノンの縮合反応物 9.0g ・3−エトキシプロピオン酸エチル 155.0g
【0018】比較例4 FUSIONの#7059の厚み:1.1mm、サイ
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方3の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したところうろこ雲状の塗布ムラが見
られた。
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方3の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したところうろこ雲状の塗布ムラが見
られた。
【0019】 (処方3) ・m−クレゾールとp−クレゾールとホルムアルデヒドとの共縮合樹脂(m/p のモル比が6:4、Mw=4500;バインダー) 45.0g ・アルキルメチロール化メラミンを主成分とするニカラック(登録商標:三和ケ ミカル社製)MW−30M(酸架橋剤) 4.5g ・4−[p−N,N−ジ(エトキシカルボニルメチル)]−2,6−ジ(トリク ロロメチル)−s−トリアジン(光酸発生剤) 0.9g ・エチルセロソルブアセテート 155.0g ( )内は各成分の機能等を示している。
【0020】実施例1 FUSIONの#7059の厚み:1.1mm、サイ
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方4の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方4の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
【0021】 (処方4) ・m−クレゾールとp−クレゾールとホルムアルデヒドとの共縮合樹脂(m/p のモル比が6:4、Mw=9000、Mw/Mn=6.0) 35.0g ・1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドと2,3,4−トリ ヒドロキシベンゾフェノンの縮合反応物 9.0g ・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 100.0g ・3−エトキシプロピオン酸エチル 40.0g ・シクロヘキサノン 15.0g
【0022】実施例2 FUSIONの#7059の厚み:1.1mm、サイ
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方5の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方5の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
【0023】 (処方5) ・m−クレゾールとp−クレゾールとホルムアルデヒドとの共縮合樹脂(m/p のモル比が6:4、Mw=4500;バインダー) 45.0g ・アルキルメチロール化メラミンを主成分とするニカラック(登録商標:三和ケ ミカル社製)MW−30M(酸架橋剤) 4.5g ・4−[p−N,N−ジ(エトキシカルボニルメチル)]−2,6−ジ(トリク ロロメチル)−s−トリアジン(光酸発生剤) 0.9g ・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 110.0g ・3−エトキシプロピオン酸エチル 45.0g
【0024】実施例3 FUSIONの#7059の厚み:1.1mm、サイ
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方6の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方6の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
【0025】 (処方6) ・m−クレゾールとp−クレゾールとホルムアルデヒドとの共縮合樹脂(m/p のモル比が4:6、Mw=4260、Mw/Mn=2.6) 35.0g ・1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドと3,3,3’,3 ’−テトラメチル−1,1’−スピロビ−インダン−5,6,7,5’,6’, 7’−ヘキソオールの縮合反応物 9.0g ・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 100.0g ・3−メトキシプロピオン酸メチル 55.0g
【0026】実施例4 FUSIONの#7059の厚み:1.1mm、サイ
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方7の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
ズ:300x350mmのガラス基板に、下記処方7の
フォトレジスト塗布液を比較例1と同様に塗布し乾燥し
た。冷却後、表面検査用ランプを通して、あるいはラン
プの反射光で観察したが塗布ムラは見られなかった。
【0027】 (処方7) ・アセトン−ピロガロール樹脂 45.0g ・1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリドと3,3,3’,3 ’−テトラメチル−1,1’−スピロビ−インダン−5,6,7,5’,6’, 7’−ヘキソオールの縮合反応物 9.0g ・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 110.0g ・3−エトキシプロピオン酸エチル 45.0g
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、特願昭63−3286
66号に開示されているバーコーター、”日経マイクロ
デバイス”Vol.105,P84〜85,Mar.1
994に紹介されている塗布機あるいはロールコーター
で塗布したときに発生し易いうろこ雲状あるいはゆずは
だ状の乾燥むらの発生が低減されるかあるいは解消され
る。従って、コストや生産性で優位であるロールコータ
ーやバーコーターによる塗布方式を採用でき、高品質の
液晶ディスプレイ、液晶テレビなどが安全な環境で且つ
安価に製造できる。
66号に開示されているバーコーター、”日経マイクロ
デバイス”Vol.105,P84〜85,Mar.1
994に紹介されている塗布機あるいはロールコーター
で塗布したときに発生し易いうろこ雲状あるいはゆずは
だ状の乾燥むらの発生が低減されるかあるいは解消され
る。従って、コストや生産性で優位であるロールコータ
ーやバーコーターによる塗布方式を採用でき、高品質の
液晶ディスプレイ、液晶テレビなどが安全な環境で且つ
安価に製造できる。
Claims (1)
- 【請求項1】 静置乾燥する塗布方式に適したフォトレ
ジスト塗布液において、該塗布液中の溶剤の1部がプロ
ピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロ
ピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、3−
メトキシプロピオン酸メチル、および3−エトキシプロ
ピオン酸エチルから選択された少なくとも2種類の組合
せであって、塗布液の溶剤中に占める上記溶剤の和の比
率が60〜100重量%で、かつ該溶剤比率がプロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート+プロピレ
ングリコールモノエチルエーテルアセテート>3−メト
キシプロピオン酸メチル+3−エトキシプロピオン酸エ
チル(重量比)の不等式を満足し、塗布液粘度の範囲が
5〜60CPSであることを特徴とするフォトレジスト
塗布液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24442394A JPH08110634A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | フォトレジスト塗布液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24442394A JPH08110634A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | フォトレジスト塗布液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08110634A true JPH08110634A (ja) | 1996-04-30 |
Family
ID=17118440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24442394A Pending JPH08110634A (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | フォトレジスト塗布液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08110634A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006023734A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-26 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト組成物及びこれを利用する液晶表示装置又は半導体素子の製造方法 |
WO2008078676A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | パターン形成方法およびそれに用いる感光性樹脂組成物 |
KR100973799B1 (ko) * | 2003-01-03 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | Mmn 헤드 코터용 포토레지스트 조성물 |
-
1994
- 1994-10-07 JP JP24442394A patent/JPH08110634A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100973799B1 (ko) * | 2003-01-03 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | Mmn 헤드 코터용 포토레지스트 조성물 |
JP2006023734A (ja) * | 2004-07-05 | 2006-01-26 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト組成物及びこれを利用する液晶表示装置又は半導体素子の製造方法 |
JP4594808B2 (ja) * | 2004-07-05 | 2010-12-08 | ドンジン セミケム カンパニー リミテッド | フォトレジスト組成物及びこれを利用する液晶表示装置又は半導体素子の製造方法 |
WO2008078676A1 (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-03 | Az Electronic Materials (Japan) K.K. | パターン形成方法およびそれに用いる感光性樹脂組成物 |
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