JPH0810187Y2 - ダイボンディング装置 - Google Patents
ダイボンディング装置Info
- Publication number
- JPH0810187Y2 JPH0810187Y2 JP9207489U JP9207489U JPH0810187Y2 JP H0810187 Y2 JPH0810187 Y2 JP H0810187Y2 JP 9207489 U JP9207489 U JP 9207489U JP 9207489 U JP9207489 U JP 9207489U JP H0810187 Y2 JPH0810187 Y2 JP H0810187Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- die
- stem
- die bonding
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は半導体パッケージの製造装置に関し、特にス
テムに半導体素子を搭載するダイボンディング装置に関
する。
テムに半導体素子を搭載するダイボンディング装置に関
する。
従来、この種のダイボンディング装置はステムの基準
となる１つ又は複数のポイントを最初に目合せし、その
基準から半導体素子を搭載する位置の中心値を演算し、
ダイボンディングを行っていた。
となる１つ又は複数のポイントを最初に目合せし、その
基準から半導体素子を搭載する位置の中心値を演算し、
ダイボンディングを行っていた。
上述した手段のダイボンディング装置を半導体素子の
うちでも特に超高周波用の半導体素子に適用した場合、
以下の欠点があった。
うちでも特に超高周波用の半導体素子に適用した場合、
以下の欠点があった。
すなわち、超高周波用の半導体素子において、半導体
素子の電極を電気的に結合させるボンディングワイヤー
の長さは素子の特性の因子となるため、複数の半導体素
子を搭載する場合、半導体素子の相対的な位置関係の正
確さと個々の素子の高い位置精度が要求される。従来の
ダイボンディング装置ではステムの基準となるポイント
を最初に目合せし、全ての半導体素子の搭載位置を演算
するので、基準に対する位置決めとなっており、半導体
素子間の相対的な位置関係となっておらず、また個々の
素子の位置精度はX,Y方向で±100ミクロン程度であった
ため、ボンディングワイヤー長が不安定となり、特性が
不安定となっていた。
素子の電極を電気的に結合させるボンディングワイヤー
の長さは素子の特性の因子となるため、複数の半導体素
子を搭載する場合、半導体素子の相対的な位置関係の正
確さと個々の素子の高い位置精度が要求される。従来の
ダイボンディング装置ではステムの基準となるポイント
を最初に目合せし、全ての半導体素子の搭載位置を演算
するので、基準に対する位置決めとなっており、半導体
素子間の相対的な位置関係となっておらず、また個々の
素子の位置精度はX,Y方向で±100ミクロン程度であった
ため、ボンディングワイヤー長が不安定となり、特性が
不安定となっていた。
本考案の目的は前記課題を解決したダイボンディング
装置を提供することにある。
装置を提供することにある。
上述した従来のダイボンディング装置がステムの基準
となるポイントを目合せし、基準点から全ての搭載物の
位置を演算してダイボンドを行うのに対し、本考案は１
つの半導体素子をダイボンドした後、その素子を認識し
て２個目以降の半導体素子をダイボンドする位置を決
め、ダイボンドした半導体素子の搭載位置ずれ量も演算
処理し、その量分位置補正を行うという相違点を有す
る。
となるポイントを目合せし、基準点から全ての搭載物の
位置を演算してダイボンドを行うのに対し、本考案は１
つの半導体素子をダイボンドした後、その素子を認識し
て２個目以降の半導体素子をダイボンドする位置を決
め、ダイボンドした半導体素子の搭載位置ずれ量も演算
処理し、その量分位置補正を行うという相違点を有す
る。
前記目的を達成するため、本考案のダイボンディング
装置は、半導体素子をステムに搭載するダイボンディン
グ装置において、ステム全体とステムに搭載した後の半
導体素子をとらえるカメラと、前記カメラに取付ける変
倍式レンズと、ステム及び搭載した半導体素子を認識し
搭載位置ズレを演算処理する認識装置と、演算により得
た半導体素子位置ズレ量に応じて半導体素子搭載位置を
修正するハンド及び制御部とを有し、１つの半導体素子
をダイボンドした後、その素子を認識して演算した位置
に２個目以降の半導体素子をダイボンドすると共にダイ
ボンドの都度その対象素子の位置ずれを演算処理しハン
ドにてずれ量分素子の位置を補正するものである。
装置は、半導体素子をステムに搭載するダイボンディン
グ装置において、ステム全体とステムに搭載した後の半
導体素子をとらえるカメラと、前記カメラに取付ける変
倍式レンズと、ステム及び搭載した半導体素子を認識し
搭載位置ズレを演算処理する認識装置と、演算により得
た半導体素子位置ズレ量に応じて半導体素子搭載位置を
修正するハンド及び制御部とを有し、１つの半導体素子
をダイボンドした後、その素子を認識して演算した位置
に２個目以降の半導体素子をダイボンドすると共にダイ
ボンドの都度その対象素子の位置ずれを演算処理しハン
ドにてずれ量分素子の位置を補正するものである。
次に本考案について図面を参照して説明する。
（実施例１） 第１図は本考案の実施例１を示す構成概略図である。
第２図は本考案の実施例１を示す縦断面図である。
第２図は本考案の実施例１を示す縦断面図である。
図において、カメラ１には変倍レンズ２が取り付いて
おり、カメラコントロールユニット３により画像として
取り込まれたワークステージ４上のステム５と、ダイボ
ンディングヘッド６及びダイボンディングアーム７によ
り搬送された半導体素子８の情報が認識装置９によって
演算処理され、制御部10によりハンド11が作動し、半導
体素子８を保持し演算処理に基づいた位置ずれ分を補正
する構成となっている。
おり、カメラコントロールユニット３により画像として
取り込まれたワークステージ４上のステム５と、ダイボ
ンディングヘッド６及びダイボンディングアーム７によ
り搬送された半導体素子８の情報が認識装置９によって
演算処理され、制御部10によりハンド11が作動し、半導
体素子８を保持し演算処理に基づいた位置ずれ分を補正
する構成となっている。
本実施例では一度ステム上に置かれた半導体素子８の
位置を認識し、演算を行ったのち、ハンド11にて半導体
素子８を保持・上昇し、ダイボンドソルダー12がソルダ
ー供給ユニット13により供給される。その間、ハンド11
は位置ずれ分のＸ−Ｙ−θを補正してその後、下降しダ
イボンディングを終了する。
位置を認識し、演算を行ったのち、ハンド11にて半導体
素子８を保持・上昇し、ダイボンドソルダー12がソルダ
ー供給ユニット13により供給される。その間、ハンド11
は位置ずれ分のＸ−Ｙ−θを補正してその後、下降しダ
イボンディングを終了する。
（実施例２） 第３図は本考案の実施例２を示す縦断面図である。
予め供給されたダイボンドソルダー12上に、半導体素
子８を一度ダイボンディングした後認識し演算を行った
後、ハンド11にて半導体素子８を保持し、その位置で位
置ずれ分のＸ−Ｙ−θを補正し、ダイボンディングを終
了する。
子８を一度ダイボンディングした後認識し演算を行った
後、ハンド11にて半導体素子８を保持し、その位置で位
置ずれ分のＸ−Ｙ−θを補正し、ダイボンディングを終
了する。
この実施例ではハンド11を一度上昇させることがない
ため、さらに位置精度が向上するという利点がある。
ため、さらに位置精度が向上するという利点がある。
ダイボンドソルダー12は、ソフトソルダーの場合は乾
燥前に、ハードソルダーの場合は再融解後に位置補正を
実施すれば良いし、予め半導体素子８の裏面にダイボン
ドソルダー12に付着している場合は融解中に位置補正を
実施すればよい。
燥前に、ハードソルダーの場合は再融解後に位置補正を
実施すれば良いし、予め半導体素子８の裏面にダイボン
ドソルダー12に付着している場合は融解中に位置補正を
実施すればよい。
以上説明したように本考案は特に複数の半導体素子を
搭載する超高周波用半導体装置において、先に搭載した
半導体素子を認識して演算した位置に２個目以降の半導
体素子をダイボンドすると共に、ダイボンドの都度その
対象素子の位置ずれを演算処理しハンドにてずれ量分素
子の位置を補正することにより、位置精度を向上させる
ことができ、特性品質を安定化し不良発生を軽減できる
効果がある。
搭載する超高周波用半導体装置において、先に搭載した
半導体素子を認識して演算した位置に２個目以降の半導
体素子をダイボンドすると共に、ダイボンドの都度その
対象素子の位置ずれを演算処理しハンドにてずれ量分素
子の位置を補正することにより、位置精度を向上させる
ことができ、特性品質を安定化し不良発生を軽減できる
効果がある。
第１図は本考案の実施例１を示す構成概略図、第２図は
本考案の実施例１を示す縦断面図、第３図は本考案の実
施例２を示す縦断面図である。 １……カメラ、２……変倍レンズ ３……カメラコントロールユニット ４……ワークステージ、５……ステム ６……ダイボンディングヘッド ７……ダイボンディングアーム ８……半導体素子、９……認識装置 10……制御部、11……ハンド 12……ダイボンドソルダー 13……ソルダー供給ユニット
本考案の実施例１を示す縦断面図、第３図は本考案の実
施例２を示す縦断面図である。 １……カメラ、２……変倍レンズ ３……カメラコントロールユニット ４……ワークステージ、５……ステム ６……ダイボンディングヘッド ７……ダイボンディングアーム ８……半導体素子、９……認識装置 10……制御部、11……ハンド 12……ダイボンドソルダー 13……ソルダー供給ユニット
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子をステムに搭載するダイボンデ
ィング装置において、ステム全体とステムに搭載した後
の半導体素子をとらえるカメラと、前記カメラに取付け
る変倍式レンズと、ステム及び搭載した半導体素子を認
識し搭載位置ズレを演算処理する認識装置と、演算によ
り得た半導体素子位置ズレ量に応じて半導体素子搭載位
置を修正するハンド及び制御部とを有し、１つの半導体
素子をダイボンドした後、その素子を認識して演算した
位置に２個目以降の半導体素子をダイボンドすると共に
ダイボンドの都度その対象素子の位置ずれを演算処理し
ハンドにてずれ量分素子の位置を補正することを特徴と
するダイボンディング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9207489U JPH0810187Y2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | ダイボンディング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9207489U JPH0810187Y2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | ダイボンディング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0332421U JPH0332421U (ja) | 1991-03-29 |
| JPH0810187Y2 true JPH0810187Y2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=31641520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9207489U Expired - Lifetime JPH0810187Y2 (ja) | 1989-08-04 | 1989-08-04 | ダイボンディング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810187Y2 (ja) |
-
1989
- 1989-08-04 JP JP9207489U patent/JPH0810187Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0332421U (ja) | 1991-03-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |