JPH0799165A - Heat treatment apparatus - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a heat treatment apparatus wherein the whole face of an object to be treated can be heat-treated with good efficiency at a uniform temperature and a throughput can be enhanced in a manufacturing process. CONSTITUTION:A soaking member 22 is arranged at least on the surface side and the rear side of an object W, to be treated, which is arranged in a treatment position. The soaking member 22 is heated y radiant heat from a facelike heat-generating source 20, it radiates secondary radiant heat, and the object W to be heated is heated uniformly. Especially, a soaking member 22A on the rear side heats the peripheral edge part of the object W, to be treated, which dissipates much heat, from its rear side. The uniformity inside the face of the treatment temperature of the object W to be treated is improved.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、縦型プロセスチューブ
内で被処理体を熱処理する熱処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus for heat treating an object in a vertical process tube.

【０００２】[0002]

【従来の技術】例えば半導体ウェハ、ＬＣＤ基板などの
製造においては、酸化、拡散、アニール、ＣＶＤなどの
処理を行なうために、各種の熱処理装置が使用される。
これらの熱処理装置においては、例えばプロセスの高精
度化を達成すること、被処理体の面内の温度分布の均一
性を向上させること、また熱処理の効率を高めることな
どが大きな技術課題となっている。2. Description of the Related Art In the manufacture of semiconductor wafers, LCD substrates, etc., various heat treatment apparatuses are used to perform processes such as oxidation, diffusion, annealing and CVD.
In these heat treatment apparatuses, for example, achieving high precision of the process, improving the uniformity of the temperature distribution in the surface of the object to be processed, and increasing the efficiency of the heat treatment are major technical problems. There is.

【０００３】ところで、近年、半導体プロセスはより微
細化が進み、これとともに、ウェハの口径も８インチ〜
１２インチへと、より大口径化が進んでおり、またＬＣ
Ｄ基板などの大型の基板を均一に効率良く処理する熱処
理装置も必要となってきている。このような状況に応じ
てプロセスの微細化が進み、被処理体が大口径化するの
に応じて処理のさらなる高精度化、被処理体の面内での
温度分布のさらなる均一化、熱処理効率のさらなる向上
が必要とされる。しかもこのような大口径化にある被処
理体を製造する場合のスループットの向上も要望され
る。By the way, in recent years, the semiconductor process has been further miniaturized, and along with this, the diameter of the wafer has been increased from 8 inches to
The diameter is increasing to 12 inches, and LC
There is also a need for a heat treatment apparatus that uniformly and efficiently processes a large substrate such as a D substrate. As the process becomes finer in response to such circumstances, and the size of the object to be processed becomes larger, the accuracy of the processing becomes higher, the temperature distribution in the surface of the object becomes more uniform, and the heat treatment efficiency is improved. Further improvement of is needed. Moreover, it is also required to improve the throughput in the case of manufacturing an object to be processed having such a large diameter.

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような被処理体の
大口径化に伴い、実際の処理を行なう場合には、次のよ
うな問題があった。With the increase in the diameter of the object to be processed, there have been the following problems when the actual processing is performed.

【０００５】つまり、被処理体の大口径化に伴い、被処
理体に生じるスリップ、歪みを効果的に防止し、また、
被処理体の面内での温度分布の均一性の向上を図る必要
がある。したがって、このような要求に対しては、被処
理体にいかにして均一に温度を加えるか、また、中心部
より周辺部のほうが放熱量が大きいために生じる中央部
と周辺部との温度差をいかにして少なくするか等が、大
きな技術課題となる。また、プロセスの微細化に伴い、
被処理体に対する処理の高精度化、被処理体に対する汚
染度の低減化が必要になる。したがって、被処理体の面
内での膜質、膜厚の均一化を図るために、いかにして短
時間で効率良く熱処理を行なうかなども大きな技術課題
となる。That is, slips and distortions that occur in the object to be processed due to the increase in the diameter of the object to be processed are effectively prevented.
It is necessary to improve the uniformity of temperature distribution within the surface of the object to be processed. Therefore, in order to meet such demands, how to apply uniform temperature to the object to be processed, and the temperature difference between the central part and the peripheral part caused by the larger amount of heat radiation in the peripheral part than in the central part How to reduce this is a major technical issue. Also, with the miniaturization of the process,
It is necessary to improve the accuracy of the processing on the object to be processed and reduce the degree of contamination on the object to be processed. Therefore, how to perform the heat treatment efficiently in a short time is a major technical issue in order to make the film quality and the film thickness uniform within the surface of the object to be processed.

【０００６】そこで、本発明の目的とするところは、上
記従来の熱処理装置における問題に鑑み、被処理体での
面内均一性を確保しながら効率良く熱処理することがで
きる熱処理装置を提供することにある。Therefore, in view of the problems in the above-described conventional heat treatment apparatus, an object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of efficiently performing heat treatment while ensuring in-plane uniformity of the object to be treated. It is in.

【０００７】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
被処理体の搬入出用の下端開口を有し、処理位置に配置
される被処理体を輻射加熱する一次加熱源を上方に備え
ている縦型プロセスチューブと、水平に支持した状態の
上記被処理体を上記開口から上記プロセスチューブ内に
搬入し、上記処理位置に設定する上下動可能な被処理体
用ホルダーと、上記プロセスチューブ内の処理位置に向
け反応ガスを供給するガス供給手段と、上記一次加熱源
により加熱されることで、上記処理位置に設定された上
記被処理体裏面に向けて二次輻射熱線を放射して、少な
くとも上記被処理体の周縁部を加熱する二次加熱源と、
を有することを特徴とする。The invention according to claim 1 is
A vertical process tube having a lower opening for loading and unloading of the object to be processed and having a primary heating source for radiatively heating the object to be processed, which is disposed at the processing position, and the above-mentioned object to be horizontally supported. A processing object is carried into the process tube through the opening, and a vertically movable holder for a processing object that is set to the processing position, and a gas supply unit that supplies a reaction gas toward the processing position in the process tube, By being heated by the primary heating source, a secondary radiant heat ray is radiated toward the back surface of the object to be processed set at the processing position, and a secondary heating source that heats at least the peripheral portion of the object to be processed. When,
It is characterized by having.

【０００８】請求項２記載の発明は、請求項１におい
て、上記二次加熱源は、上記処理位置よりも下方領域で
あって、上記ホルダーの昇降経路と干渉しない領域に、
水平に配置されていることを特徴とする。According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the secondary heating source is in a region below the processing position and does not interfere with the ascending / descending path of the holder.
It is characterized by being arranged horizontally.

【０００９】請求項３記載の発明は、被処理体の搬入出
用の下端開口を有し、処理位置に配置される被処理体を
加熱する熱源を上方に備えている縦型プロセスチューブ
と、水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から
上記プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定
する上下動可能な被処理体用ホルダーと、上記プロセス
チューブ内の処理位置に向け反応ガスを供給するガス供
給手段と、上記熱源からの輻射熱線を直接又は間接にて
入射し、この入射熱線を上記処理位置に設定された上記
被処理体裏面に向けて反射して、少なくとも上記被処理
体の周縁部を加熱する反射部材と、を有することを特徴
とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a vertical process tube which has a lower end opening for loading and unloading the object to be processed and which is provided with a heat source above which heats the object to be processed arranged at the processing position. The object to be processed in a state of being horizontally supported is carried into the process tube from the opening, and the vertically movable holder for the object to be set to the processing position, and the reaction gas toward the processing position in the process tube. Radiating heat rays from the heat source are directly or indirectly made incident, and the incident heat rays are reflected toward the back surface of the object to be processed set at the processing position, and at least the object to be processed is supplied. And a reflecting member for heating the peripheral portion of the body.

【００１０】請求項４記載の発明は、請求項３におい
て、上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーの上記被
処理体支持位置よりも下方の位置に、上記被処理体用ホ
ルダーに水平に取り付けられていることを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect, the reflection member is positioned below the object supporting position of the object holder and horizontally to the object holder. It is characterized by being attached.

【００１１】請求項５記載の発明は、請求項４におい
て、上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーに対して
昇降移動可能に支持され、上記被処理体との対向間距離
を可変としたことを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the fourth aspect, the reflecting member is supported so as to be capable of moving up and down with respect to the holder for the object to be treated, and a distance between the facing member and the object to be treated is variable. It is characterized by

【００１２】請求項６記載の発明は、請求項４におい
て、上記反射部材は、上記被処理体ホルダーの縦軸方向
の異なる位置に少なくとも２枚配置され、各反射板は、
熱線の反射率が異なる領域が周方向に形成され、各反射
板が相対的に回転することにより、各反射板の反射効率
の異なる領域の相対位置関係が変化することを特徴とす
る。According to a sixth aspect of the present invention, in the fourth aspect, at least two reflecting members are arranged at different positions in the longitudinal direction of the object holder, and each reflecting plate is
It is characterized in that areas having different heat ray reflectances are formed in the circumferential direction, and the relative positional relationship of the areas having different reflection efficiencies of the respective reflecting plates changes due to relative rotation of the respective reflecting plates.

【００１３】[0013]

【作用】請求項１及び３記載の発明では、特に放熱が多
い被処理体の周縁部を、被処理体の裏面側より加熱する
ことで、被処理体の処理温度の面内均一性を確保するこ
とができる。請求項１の発明では、被処理体周縁部の加
熱を、一次加熱源により加熱されて二次輻射熱を放射す
る二次加熱源により行い、請求項３の発明では、面状加
熱源からの直接的または間接的に入射する熱線を、被処
理体周縁部にその裏面側より反射させることで行ってい
る。According to the inventions of claims 1 and 3, by heating the peripheral portion of the object to be processed, which radiates a large amount of heat, from the back surface side of the object to be processed, the in-plane uniformity of the processing temperature of the object is ensured. can do. In the invention of claim 1, the peripheral edge portion of the object to be processed is heated by the secondary heating source which is heated by the primary heating source and radiates the secondary radiant heat, and in the invention of claim 3, direct heating from the planar heating source is performed. Heat rays that are incident indirectly or indirectly are reflected from the back surface side of the peripheral edge of the object to be processed.

【００１４】請求項２の発明では、二次加熱源を被処理
体の下方にて、かつ、被処理体の昇降経路と干渉しない
位置に水平に配置することで、二次加熱源の加熱ひいて
は被処理体周縁部の加熱を効率良く行うことができる。According to the second aspect of the present invention, the secondary heating source is horizontally arranged below the object to be processed and at a position where it does not interfere with the ascending / descending path of the object to be processed, so that the heating of the secondary heating source can be achieved. The peripheral edge of the object to be processed can be efficiently heated.

【００１５】請求項４の発明では、被処理体用ホルダー
の被処理体支持位置よりも下方の位置に、反射部材を被
処理体用ホルダーに水平に取り付けるこで、被処理体周
縁部への熱線の反射を効率良く行うことができる。しか
も、反射部材は被処理体用ホルダーと共に被処理体の出
し入れ位置に移動したとしても、反射部材の温度はさほ
ど高まらないので、被処理体の出し入り口雰囲気の温度
が上昇することはない。According to the fourth aspect of the present invention, the reflection member is horizontally attached to the target object holder at a position below the target object supporting position of the target object holder, so that the peripheral portion of the target object is processed. The heat rays can be efficiently reflected. Moreover, since the temperature of the reflecting member does not rise so much even if the reflecting member moves to the position for taking in and out the object to be treated together with the holder for the object to be treated, the temperature of the atmosphere at the entrance and exit of the object to be treated does not rise.

【００１６】請求項５の発明では、反射部材と被処理体
との対向間距離を可変とすることで、被処理体周縁部に
反射される熱線強度を可変される。これにより被処理体
の処理温度の面内均一性を調整できる。According to the fifth aspect of the invention, the intensity of heat rays reflected by the peripheral portion of the object to be processed can be varied by varying the distance between the reflecting member and the object to be processed. Thereby, the in-plane uniformity of the processing temperature of the object to be processed can be adjusted.

【００１７】請求項６の発明では、少なくとも２枚の反
射板が相対的に回転することにより、各反射板の反射効
率の異なる領域の相対位置関係が変化して、被処理体周
縁部に反射される熱線強度を可変される。According to the invention of claim 6, the relative rotation of at least two reflecting plates changes the relative positional relationship of the regions having different reflection efficiencies of the respective reflecting plates, and the reflection is reflected on the peripheral portion of the object to be processed. The intensity of heat rays to be changed is variable.

【００１８】[0018]

【実施例】以下、図１〜図１９に示す実施例によって本
発明の詳細を説明する。The details of the present invention will be described below with reference to the embodiments shown in FIGS.

【００１９】図１は、本発明実施例による熱処理装置の
全体構成を示し、特に、被処理体Ｗの表裏両面を加熱す
る構造の一例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an overall structure of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, and particularly showing an example of a structure for heating both front and back surfaces of an object W to be processed.

【００２０】本実施例における熱処理装置には熱処理部
１０、被処理体搬入出部５０およびシャッター駆動部６
０が設けられている。In the heat treatment apparatus of this embodiment, the heat treatment unit 10, the object loading / unloading unit 50, and the shutter drive unit 6 are used.
0 is provided.

【００２１】熱処理部１０は、例えば半導体ウエハやＬ
ＣＤ等の被処理体Ｗに対して各種の熱処理を行なうため
の部分であり、縦型プロセスチューブ１２を備えてい
る。プロセスチューブ１２は、下端開口を有する円筒状
部材であり、本実施例の場合、高純度透明石英によって
形成されている。The heat treatment section 10 is, for example, a semiconductor wafer or L
The vertical process tube 12 is a part for performing various heat treatments on the object W such as a CD. The process tube 12 is a cylindrical member having a lower end opening, and in the present embodiment, it is made of high-purity transparent quartz.

【００２２】そして、プロセスチューブ１２の内部に
は、外部からプロセスガスを供給するための給気パイプ
１４が配置されている。この給気パイプ１４は、プロセ
スチューブ１２の内部空間で上端部に開口を有し、その
開口に至る途中、つまり、被処理体Ｗの熱処理位置より
も下方には、図２に示すように、ガス通路を有する予熱
部１４Ａが形成されている。予熱部１４Ａは、被処理体
Ｗの熱処理位置の下方の雰囲気熱を吸熱することによ
り、外部から供給されおいて一旦に貯溜されるプロセス
ガスを加熱したうえで、処理部上方の空間に噴出させる
ようになっている。従って、プロセスガスは、噴出され
るまでの間に処理温度に近い状態を設定されているの
で、反応処理のための温度に達するまでの時間が短縮さ
れることになる。An air supply pipe 14 for supplying a process gas from the outside is arranged inside the process tube 12. The air supply pipe 14 has an opening at the upper end in the internal space of the process tube 12, and on the way to the opening, that is, below the heat treatment position of the object W to be processed, as shown in FIG. A preheating section 14A having a gas passage is formed. The preheating unit 14A absorbs atmospheric heat below the heat treatment position of the object to be processed W to heat the process gas supplied from the outside and temporarily stored, and then ejects it into the space above the processing unit. It is like this. Therefore, since the process gas is set to a state close to the processing temperature before being ejected, the time required to reach the temperature for the reaction processing is shortened.

【００２３】また、被処理体Ｗの処理面の裏側に相当す
る位置は、予熱部１４Ａによって雰囲気熱を吸収される
ことにで、被処理体Ｗの処理面とその裏側空間との間で
被処理体Ｗの面内均一性を設定するための温度勾配が得
られる温度に設定される。なお、この給気パイプ１４の
予熱部１４Ａ内の構造としては、周方向に沿って複数配
置された放熱フィン（図示されず）を設けてもよい。こ
れによって、熱処理部１０からの熱をプロセスガスに対
して効率良く伝達することができる。At the position corresponding to the back side of the processing surface of the object W to be processed, the preheating part 14A absorbs the atmospheric heat, so that the processing surface of the object W to be processed and the space on the back side thereof are covered. The temperature is set to a temperature at which a temperature gradient for setting the in-plane uniformity of the processing object W is obtained. As a structure inside the preheating portion 14A of the air supply pipe 14, a plurality of heat radiation fins (not shown) may be provided along the circumferential direction. Thereby, the heat from the heat treatment section 10 can be efficiently transferred to the process gas.

【００２４】また、プロセスチューブ１２の下端開口近
傍には、図１に示すように、給気パイプ１４から供給さ
れたプロセスガスを排気するための排気パイプ２６が設
けられ、これらパイプの組合せにより、プロセスチュー
ブ１２内に導入されたプロセスガスに適当な流れを生じ
させて、被処理体Ｗの表面に形成される薄膜の均一化等
が行なえるようになっている。なお、プロセスガスと接
触する給気および排気パイプ１４、２８は、例えば石英
等で覆われ、重金属汚染対策が施されている。An exhaust pipe 26 for exhausting the process gas supplied from the air supply pipe 14 is provided near the lower end opening of the process tube 12 as shown in FIG. An appropriate flow is generated in the process gas introduced into the process tube 12 so that the thin film formed on the surface of the target object W can be made uniform. The air supply and exhaust pipes 14 and 28 that come into contact with the process gas are covered with, for example, quartz to prevent heavy metal contamination.

【００２５】一方、プロセスチューブ１２の周囲には、
例えば、アルミナセラミックス等で構成された断熱材１
６が設けられている。この断熱材１６は、例えば、その
外周に配置されているセラミックスウール成形品からな
る断熱材１７の内部に設けられている。On the other hand, around the process tube 12,
For example, a heat insulating material 1 made of alumina ceramics or the like
6 is provided. The heat insulating material 16 is provided, for example, inside a heat insulating material 17 made of a ceramics wool molded product arranged on the outer periphery thereof.

【００２６】断熱材１７の外壁面には、インナーシェル
１８Ａとアウタシェル１８Ｂとで形成された水冷ジャケ
ットからなる水冷機構１８が設けられ、熱処理部１０と
外部との間での熱隔離が行なわれている。これによっ
て、熱処理部１０内で高温熱処理を行なっている場合
に、外部での操作の安全を確保することができる。On the outer wall surface of the heat insulating material 17, there is provided a water cooling mechanism 18 comprising a water cooling jacket formed of an inner shell 18A and an outer shell 18B, and heat isolation between the heat treatment section 10 and the outside is performed. There is. As a result, when high-temperature heat treatment is being performed in the heat treatment unit 10, it is possible to ensure the safety of external operations.

【００２７】さらに、プロセスチューブ１２の上方に
は、一次加熱源である面状発熱源２０が設けられてい
る。この面状発熱源２０は、例えば、二硅化モリブデン
（ＭｏＳｉ2 ）、または、鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）
とアルミニューム（Ａｌ）との合金線であるカンタル
（商品名）線等の抵抗発熱体を、断熱材１６の上部内壁
面に配置することで構成されている。二硅化モリブデン
は、１８００℃の高温にも充分耐えることができる。こ
のような面状発熱源２０は、例えば、二硅化モリブデン
の単線からなる抵抗発熱線を螺旋状に配置して構成する
ことも可能である。さらに、この面状発熱源２０の発熱
面は、被処理体Ｗの外径の２倍以上であることが、熱効
率の点から有効である。Further, above the process tube 12, a planar heat source 20 which is a primary heat source is provided. The planar heat source 20 is, for example, molybdenum disilicide (MoSi2), or iron (Fe) and chromium (Cr).
A resistance heating element such as a Kanthal (trade name) wire which is an alloy wire of aluminum and aluminum (Al) is arranged on the inner wall surface of the upper portion of the heat insulating material 16. Molybdenum disilicide can withstand a high temperature of 1800 ° C. Such a sheet-like heat generating source 20 can also be configured, for example, by arranging resistance heating wires made of a single wire of molybdenum disilicide in a spiral shape. Further, it is effective from the viewpoint of thermal efficiency that the heat generating surface of the planar heat source 20 is at least twice the outer diameter of the object W to be processed.

【００２８】ところで、プロセスチューブ１２と面状発
熱源２０との間には、面状発熱源２０からの熱により加
熱されて、被処理体Ｗの面内に対して均一に二次輻射熱
を放射するための均熱部材２２が配置されている。この
均熱部材２２は、例えば、炭化硅素（ＳｉＣ）等の汚染
度が比較的低く、耐熱性が良好な材質が選択され、本実
施例の場合、均熱部材２２は、図１に示すように、処理
位置に設定された被処理体Ｗの上方及び側方を覆うと共
に、被処理体Ｗの処理位置よりも下方領域には、被処理
体Ｗと平行に水平状態で設置された均熱部材２２Ａを含
んでいる。この均熱部材２２Ａは、少なくとも、被処理
体Ｗの周縁部に対して、被処理体Ｗの裏面側より二次輻
射熱線を放射できるようになっている。従って、比較的
放熱量が多い被処理体Ｗの周縁部に対しては、裏面に位
置する均熱部材２２Ａからの二次輻射熱によって加熱さ
れるので、放熱量の増加を抑えられて被処理体Ｗの面内
での温度分布が変化するのが防止される。By the way, between the process tube 12 and the planar heat source 20, the secondary radiant heat is uniformly radiated into the surface of the object W to be processed by being heated by the heat from the planar heat source 20. A heat equalizing member 22 is provided for this purpose. For this heat equalizing member 22, for example, a material having a relatively low degree of pollution such as silicon carbide (SiC) and good heat resistance is selected. In the case of the present embodiment, the heat equalizing member 22 has a structure as shown in FIG. In addition, the soaking is installed in a horizontal state in parallel with the object to be processed W in a region below the processing position of the object to be processed W while covering the upper and lateral sides of the object to be processed W set in the processing position. The member 22A is included. The heat equalizing member 22A is configured to be able to radiate a secondary radiant heat ray from the back surface side of the object W to be processed, at least to the peripheral edge of the object W to be processed. Therefore, the peripheral portion of the object W having a relatively large amount of heat radiation is heated by the secondary radiant heat from the heat equalizing member 22A located on the back surface, so that the increase in the amount of heat radiation is suppressed and the object to be treated is suppressed. A change in the temperature distribution in the plane of W is prevented.

【００２９】上記した均熱部材２２の配置構成の別な例
としては、図３に示すように被処理体Ｗの表面側と裏面
側とに均熱部材を分割して配置することも可能である。
この場合、特に、裏面の場合には図１に示した場合と同
様に、被処理体Ｗの周縁部に対して輻射熱を与えること
ができる状態に配置されることが必要である。裏面側に
位置する均熱部材２２Ａは、二次輻射熱を放射するもの
に限らず、例えば、表面に研磨層からなる鏡面を備えた
炭化ケイ素（ＳｉＣ）で構成することができる。従っ
て、表面側に位置する均熱部材２２からの輻射熱線は、
直接被処理体Ｗの表面に達するとともに、裏面側に位置
する均熱部材２２Ａに達した一部がこの鏡面で反射され
て被処理体Ｗの周縁部に達する。As another example of the arrangement of the heat equalizing member 22, the heat equalizing member may be divided and arranged on the front surface side and the rear surface side of the object to be processed W as shown in FIG. is there.
In this case, particularly in the case of the back surface, as in the case shown in FIG. 1, it is necessary to arrange the object W in a state in which radiant heat can be applied to the peripheral edge portion. The heat equalizing member 22A located on the back surface side is not limited to one that radiates the secondary radiant heat, and can be made of, for example, silicon carbide (SiC) having a mirror surface formed of a polishing layer on the front surface. Therefore, the radiant heat rays from the heat equalizing member 22 located on the surface side are
While directly reaching the front surface of the object W to be processed, a part of the heat equalizing member 22A located on the back surface side is reflected by the mirror surface and reaches the peripheral portion of the object W to be processed.

【００３０】また、このような分割配置の他の例として
は、図４に示す構造もある。すなわち、被処理体Ｗの表
面側に位置する均熱部材２２は、上端位置から被処理体
Ｗが位置する範囲まで垂下させてある。従って、この場
合には、被処理体Ｗの周縁部での加熱が表面と裏面との
両方で促進されることになり、周縁部からの放熱による
温度の低下が防止される。As another example of such a divided arrangement, there is a structure shown in FIG. That is, the heat equalizing member 22 located on the front surface side of the object to be processed W is hung from the upper end position to the range in which the object to be processed W is located. Therefore, in this case, the heating of the peripheral portion of the object W to be processed is promoted on both the front surface and the rear surface, and the temperature drop due to heat radiation from the peripheral portion is prevented.

【００３１】さらに、被処理体Ｗの裏面側に位置する均
熱部材２２の配置構成には、図５に示す構成がある。す
なわち、図５に示す配置構成は、プロセスチューブ１２
の内部において、被処理体Ｗの昇降経路と干渉しない領
域にて、被処理体Ｗの裏面両側方に均熱部材２２がそれ
ぞれ配置してある。なお、裏面に配置された均熱部材２
２は、被処理体Ｗの搬入前に予め面状発熱源２０により
加熱されているので、裏面側から被処理体Ｗの周縁部に
向けた加熱を行なうことが可能になる。あるいは、図６
に示すように、一部の均熱部材２２を、被処理体用ホル
ダー３０に一体化することもできる。このように、被処
理体Ｗの表面はもとより、裏面、特に、被処理体Ｗの周
縁部に向けた加熱を行なうことで、被処理体Ｗの放熱が
大きい箇所である周縁部での温度を低下させることな
く、面内での温度分布を均一化することができる。しか
も、炭化硅素等の耐熱性が良好でかつ、汚染度が低い材
質を用いることによって、プロセスチューブ１２の処理
空間を発熱源から熱的に隔離することができるので、発
熱源が汚染の原因となる重金属を含む材料により構成さ
れている場合であっても、重金属による汚染を有効に防
止することができる。Further, the arrangement of the heat equalizing member 22 located on the back surface side of the object W to be processed has a structure shown in FIG. That is, the arrangement shown in FIG.
Inside, the heat equalizing members 22 are arranged on both sides of the back surface of the object to be processed W in a region that does not interfere with the lifting path of the object to be processed W. The heat equalizing member 2 disposed on the back surface
Since the sheet 2 is heated by the planar heat source 20 in advance before the object W to be processed is carried in, it is possible to perform heating from the back surface side toward the peripheral portion of the object W to be processed. Alternatively, FIG.
As shown in, a part of the heat equalizing member 22 can be integrated with the holder 30 for the object to be processed. In this way, by heating not only the front surface of the object W to be processed, but also the back surface thereof, in particular, the peripheral part of the object W to be heated, the temperature at the peripheral part of the object W where heat is radiated is increased. The temperature distribution in the plane can be made uniform without lowering. Moreover, since the processing space of the process tube 12 can be thermally isolated from the heat source by using a material having good heat resistance and a low degree of pollution, such as silicon carbide, the heat source causes contamination. Even if it is made of a material containing a heavy metal, it is possible to effectively prevent contamination by the heavy metal.

【００３２】一方、プロセスチューブ１２の内部には、
処理部１０に対して被処理体Ｗを熱処理部１０に移送す
るための被処理体用ホルダー３０が設けられている。On the other hand, inside the process tube 12,
An object holder 30 for transferring the object W to the heat treatment section 10 is provided for the processing section 10.

【００３３】被処理体用ホルダー３０は、例えば、図１
に示す処理位置と被処理体Ｗの搬出入位置との間で上下
動可能なロッド部材で構成され、その上端部には、被処
理体Ｗの載置部３０Ａが形成されている。載置部３０Ａ
は、本実施例の場合、一例として、図７に示すように、
リング状に形成された受け台３０Ａ１の上面に周方向に
沿って複数、図では４箇所に、載置用支柱３０Ａ２が設
けられている。この受け台３０Ａ１は、被処理体Ｗの裏
面側に位置する均熱部材２２又は２２Ａからの輻射熱線
行を妨げない骨組み構造に設定されている。The holder 30 for the object to be processed is, for example, as shown in FIG.
The rod member is vertically movable between the processing position and the loading / unloading position of the object to be processed W, and a mounting portion 30A for the object to be processed W is formed at the upper end thereof. Mounting part 30A
In the case of the present embodiment, as an example, as shown in FIG.
A plurality of mounting columns 30A2 are provided along the circumferential direction on the upper surface of the pedestal 30A1 formed in a ring shape, at four locations in the drawing. The pedestal 30A1 is set to have a frame structure that does not prevent the radiation heat ray from the heat equalizing member 22 or 22A located on the back surface side of the object W to be processed.

【００３４】遮蔽部材３０Ｂは、処理部内部からの輻射
熱の遮断および熱処理部内でのプロセスガスの密封、さ
らには被処理体Ｗが移動する場合の気流の整流を行なう
ために設けられていて、被処理体用ホルダー３０の軸方
向他端に至る途中に設けられた蓋体で構成されている。The shielding member 30B is provided for shielding radiant heat from the inside of the processing section, sealing the process gas in the thermal processing section, and rectifying the air flow when the object W to be processed moves. The processing body holder 30 is composed of a lid provided midway to the other end in the axial direction.

【００３５】そして、遮蔽部材３０Ｂは、被処理体Ｗの
裏面に位置する均熱部材２２からの加熱によって蓄熱す
ることになるので、載置された被処理体Ｗを予熱する機
能をもたせることができる。また、遮蔽部材３０Ｂは、
被処理体Ｗの移動時での気流の整流を行なう機能を果す
ための構成を備えている。すなわち、図１において、遮
蔽部材３０Ｂの外径（Ａ）は、上記載置部３０Ａが処理
位置から搬入出のために移動したとき、給気パイプ１４
の予熱部１４Ａの内壁面との間に存在するガスに急激な
流速が生じない程度の隙間が得られる大きさに設定され
ており、本実施例では、予熱部１４Ａの内壁面の内径
（Ｂ）よりも５ｍｍ〜３０ｍｍ程度小さくなるように設
定されている。Since the shielding member 30B stores heat by heating from the heat equalizing member 22 located on the back surface of the object W to be processed, it has a function of preheating the object W to be processed. it can. Further, the shielding member 30B is
It is provided with a configuration for performing the function of rectifying the air flow when the object W to be processed is moved. That is, in FIG. 1, the outer diameter (A) of the shielding member 30B is such that when the placing unit 30A moves from the processing position for loading and unloading, the air supply pipe 14 is
Is set to a size such that a gap is provided between the preheating portion 14A and the inner wall surface of the preheating portion 14A so that a rapid flow velocity does not occur in the gas. In the present embodiment, the inner diameter (B It is set to be smaller than 5) by about 5 mm to 30 mm.

【００３６】これは、例えば、熱処理後に被処理体用ホ
ルダー３０が熱処理部１０から移動した場合に被処理体
Ｗに面内温度差が生じるのを防止するためである。つま
り、予熱部１４Ａと遮蔽部材３０Ｂとの関係のように、
接近した部材同士が相対的に移動した場合、その間に存
在している気体、特に遮蔽部材３０Ｂの周縁近傍に存在
する気体には巻き込みによる流速が発生する。そして、
この気流の速度は両者間の隙間の大きさに影響され、こ
の隙間が小さ過ぎると流速が急激に増加し、遮蔽部材３
０Ｂを境にして一方の空間である処理位置内に対流が起
こることになる。このため、被処理体Ｗの周縁部からの
放熱が促進されてしまう。そこで、遮蔽部材３０Ｂの外
径寸法を決めることにより、熱処理時には被処理位置内
での温度勾配を変化させないようにする。さらにこれに
加えて、被処理体Ｗがアンロードされるために処理位置
に対して移動する場合には、気流速度の増大を抑えて被
処理体Ｗの面内温度差が生じるのを防止する。従って、
被処理体Ｗがロード，アンロードのために移動する時に
は、遮蔽部材３０Ｂの周辺で気流にある程度の速度が生
じた場合であってもこの速度を処理位置内に作用させな
いようにして、いわゆる、処理位置での対流を防止し、
被処理体Ｗの面内温度差を発生させないようにすること
ができる。This is for preventing the in-plane temperature difference from occurring in the object W to be processed when the object holder 30 moves from the heat treatment section 10 after the heat treatment. That is, like the relationship between the preheating unit 14A and the shielding member 30B,
When members that are close to each other move relative to each other, a flow velocity due to entrainment is generated in the gas existing between them, particularly the gas existing near the periphery of the shielding member 30B. And
The velocity of this air flow is affected by the size of the gap between the two, and if this gap is too small, the flow velocity will rapidly increase and the shielding member 3
Convection occurs in the processing position, which is one space, with 0B as the boundary. Therefore, heat dissipation from the peripheral portion of the object W to be processed is promoted. Therefore, by determining the outer diameter dimension of the shielding member 30B, the temperature gradient within the processing target position is not changed during the heat treatment. In addition to this, when the object W to be processed is unloaded and moves relative to the processing position, an increase in air velocity is suppressed to prevent an in-plane temperature difference of the object W to be processed from occurring. . Therefore,
When the target object W moves for loading and unloading, even if a certain speed is generated in the airflow around the shielding member 30B, this speed is not allowed to act in the processing position. Prevents convection at the processing position,
It is possible to prevent the in-plane temperature difference of the object W to be generated.

【００３７】本実施例では、この遮蔽部材３０Ｂにおけ
る外径寸法の特定に加えて、遮蔽部材３０Ｂには、図７
に示すように周方向に沿って気体の逃げ孔３０Ｂ１が上
方に貫通して複数形成されている。この気体の逃げ孔３
０Ｂ１を形成することで被処理体Ｗの周縁近傍での気体
の巻き込みを少なくするようにしてもよい。In this embodiment, in addition to the specification of the outer diameter dimension of the shielding member 30B, the shielding member 30B has a structure shown in FIG.
As shown in, a plurality of gas escape holes 30B1 are formed so as to penetrate upward along the circumferential direction. This gas escape hole 3
By forming 0B1, gas entrainment in the vicinity of the peripheral edge of the object to be processed W may be reduced.

【００３８】なお、遮蔽部材３０Ｂの形状は、上記した
蓋状に限らず、被処理体用ホルダー３０が移動するとき
の気流の乱れや速度の発生を抑える形状が設定されるこ
とは勿論であり、例えば、上下に円錐形を組み合わせた
形状にしても良く、また、複数枚を連続的に設けても良
い。The shape of the shielding member 30B is not limited to the above-mentioned lid shape, and it is needless to say that a shape for suppressing the turbulence of the air flow and the generation of velocity when the holder 30 for the object to be processed moves is set. For example, the shape may be a combination of upper and lower conical shapes, or a plurality of sheets may be continuously provided.

【００３９】図８には、複数の遮蔽部材を設けた場合の
例が示されている。この場合には、縦軸方向に沿って複
数の遮蔽部材、図８では４段の遮蔽部材３０Ｂ１０、３
０１２、３０Ｂ１４、３０Ｂ１６が設けられ、下段に向
かうに従い、順次、外径が拡大される関係を設定されて
いる。そして、これら各遮蔽部材の周面近傍には、プロ
セスチューブ１２の内壁に固定され、縦方向に沿って上
段側から順に縮径された仕切り板３０Ｂ２０、３０Ｂ２
２、３０Ｂ２４が配置されている。この仕切り板３０Ｂ
２０、３０Ｂ２２、３０Ｂ２４は、熱処理部１０での熱
を遮断することで熱処理部とこの下方との間での温度勾
配を防いで気流の発生を防止するために設けられてい
る。また、各段の遮蔽部材には、図７の遮蔽部材３０Ｂ
に形成されているのと同様に、複数の気体の逃げ孔が形
成されている。この場合の気体の逃げ孔は、各段の遮蔽
部材同士で異なる位置に形成されている。各仕切り板に
も、同様に気体の逃げ孔を形成することができる。さら
に、上記各仕切り板に対する２段目以降の遮蔽部材３０
Ｂ１０、３０１２、３０Ｂ１４、３０Ｂ１６は、被処理
体用ホルダー３０の受け台３０Ａが処理位置にあると
き、仕切り板３０Ｂ２０、３０Ｂ２２Ｃ、３０Ｂ２４の
下方に位置する関係を設定されて被処理体用ホルダー３
０のロッド部に固定されている。なお、図８に示した遮
蔽部材の構造は、プロセスチューブ１２内に図１で示し
た吸気パイプ１４の予熱部１４Ａがない場合を対象とし
たが、図１の場合と同様に、吸気パイプ１４の余熱部１
４Ａを設けた場合を対象とすることも可能であり、図９
には、この場合の構造が示されている。図９に示した場
合には、吸気パイプ１４の予熱部１４Ａが下方側に設置
されている方が、順次、縮径させて構成されている。FIG. 8 shows an example in which a plurality of shielding members are provided. In this case, a plurality of shield members, that is, four stages of shield members 30B10, 3 in FIG.
012, 30B14, and 30B16 are provided, and the relationship is set such that the outer diameter is gradually increased toward the lower stage. The partition plates 30B20, 30B2 fixed to the inner wall of the process tube 12 in the vicinity of the peripheral surface of each of the shielding members and having a diameter reduced in order from the upper stage side along the vertical direction.
2, 30B24 are arranged. This partition plate 30B
20, 30B22 and 30B24 are provided to block heat in the heat treatment unit 10 to prevent a temperature gradient between the heat treatment unit and a lower portion thereof, thereby preventing generation of an air flow. In addition, the shielding member of each stage includes the shielding member 30B of FIG.
A plurality of gas escape holes are formed in the same manner as in the above. In this case, the gas escape holes are formed at different positions between the shielding members in each step. Similarly, gas escape holes can be formed in each partition plate. Further, the shielding member 30 of the second and subsequent stages for each of the partition plates
B10, 3012, 30B14, and 30B16 are positioned below the partition plates 30B20, 30B22C, and 30B24 when the pedestal 30A of the object holder 30 is in the processing position, and the object holder 3 is provided.
It is fixed to the zero rod part. The structure of the shielding member shown in FIG. 8 is intended for the case where the preheating portion 14A of the intake pipe 14 shown in FIG. 1 is not provided in the process tube 12, but like the case of FIG. Residual heat part 1
It is also possible to target the case where 4A is provided, as shown in FIG.
Shows the structure in this case. In the case shown in FIG. 9, the preheating part 14A of the intake pipe 14 is arranged on the lower side, and the diameter is sequentially reduced.

【００４０】また、被処理体用ホルダー３０の軸方向他
端には、上記した遮蔽部材３０Ｂ１０、３０Ｂ１２、３
０Ｂ１４、３０Ｂ１６に加えて、さらに一つの遮熱部材
３０Ｃが設けられている。この遮熱部材３０Ｃはフラン
ジによって構成され、この端部の下方に位置する冷却ロ
ッド３２に連結されている。遮熱部材３０Ｃは、被処理
体用ホルダー３０の載置部３０Ａが熱処理部１０内での
被処理体Ｗの処理位置に設定されているとき、プロセス
チューブ１２の下端開口近傍を覆って後述する被処理体
搬入出部５０に対する輻射熱の通過を遮断するためのも
のである。なお、前述した遮蔽部材のうち、図８，図９
に示すように最上段に位置する遮蔽部材３０Ｂ１０は、
被処理体Ｗの裏面加熱のために用いることも可能であ
り、さらに、裏面側に位置する均熱部材の中央部と周縁
部とで材質等を変えて、温度を異ならせることも可能で
ある。特に、後者の場合には、周縁部の方を温度が高く
設定することは勿論である。The shield members 30B10, 30B12, 3 described above are provided at the other end of the object holder 30 in the axial direction.
In addition to 0B14 and 30B16, one heat shield member 30C is further provided. The heat shield member 30C is composed of a flange and is connected to the cooling rod 32 located below this end. The heat shield member 30C covers the vicinity of the lower end opening of the process tube 12 when the mounting portion 30A of the holder 30 for the object to be processed is set at the processing position of the object W to be processed in the thermal processing section 10, and will be described later. This is for blocking the passage of the radiant heat to the object loading / unloading part 50. In addition, among the above-mentioned shielding members, FIGS.
As shown in, the shielding member 30B10 located at the top is
It is also possible to use it for heating the back surface of the object W to be processed, and it is also possible to make the temperature different by changing the material and the like between the central portion and the peripheral portion of the heat equalizing member located on the back surface side. . Especially in the latter case, it is needless to say that the temperature is set higher in the peripheral portion.

【００４１】一方、冷却ロッド３２は、被処理体用ホル
ダー３０を冷却するためのものである。このため、冷却
ロッド３２は金属製であり、内部には、図１０に示すよ
うに、水冷ジャケット３２Ａが形成されている。On the other hand, the cooling rod 32 is for cooling the object holder 30. Therefore, the cooling rod 32 is made of metal, and a water cooling jacket 32A is formed inside, as shown in FIG.

【００４２】さらに、被処理体用ホルダー３０および冷
却ロッド３２の中央部には、図１０に示すように、載置
部３０Ａに至る貫通孔３４が形成されている。この貫通
孔３４には、熱処理部１０での処理温度を近似的に測定
するための温度計３６のリード線３６Ａが挿通されてい
る。温度計３６は、被処理体Ｗの載置部３０Ａの裏面に
配置されて被処理体Ｗの表面温度を検知するようになっ
ている。また、この貫通孔３４は、温度計に代えて、例
えば、被処理体Ｗの表面色から温度を検知する光学式温
度センサへの光路として用いることも可能である。ま
た、この貫通孔３４の一部には、例えば、Ｎ2 ガスなど
のパージガスの供給パイプ３８が連通させてあり、貫通
孔３４内をパージするようになっている。Further, as shown in FIG. 10, a through hole 34 reaching the mounting portion 30A is formed in the central portion of the object holder 30 and the cooling rod 32. A lead wire 36A of a thermometer 36 for approximately measuring the processing temperature in the heat treatment section 10 is inserted through the through hole 34. The thermometer 36 is arranged on the back surface of the mounting portion 30A of the object W to be processed and detects the surface temperature of the object W to be processed. Further, the through hole 34 can be used as an optical path to an optical temperature sensor that detects the temperature from the surface color of the object to be processed W instead of the thermometer, for example. A supply pipe 38 for supplying a purge gas such as N2 gas is connected to a part of the through hole 34 to purge the inside of the through hole 34.

【００４３】なお、上記被処理体用ホルダー３０におけ
る載置部３０Ａは、被処理体Ｗの面内での放熱による温
度分布の不均一化を防止するために接触面積を小さくす
ることが必要である。そこで、本実施例においては、上
記載置部３０Ａに設けられている図７の載置支柱３０Ａ
２に代えて、図１１に示す載置支持構造とすることも可
能である。つまり、図１１（Ａ）に示す構造は、略直角
に交差する勾配面３０Ａ１０、３０Ａ１２を形成したも
のであり、一方の勾配面３０Ａ１０の頂点に被処理体Ｗ
を載置し、他方の勾配面３０Ａ１２をセンタリングのた
めのガイド面として用いている。また、図１１（Ｂ）に
示す構造は、図１１（Ａ）に示した交差する勾配面を形
成する際の切削工具の逃げ部３０Ａ２０を交差位置に形
成したものであり、これにより加工性を向上させてい
る。さらに図１１（Ｃ）に示す構造は、上記交差する面
が形成されたロッド部材３０Ａ３０を用いたものであ
る。The placing portion 30A of the object holder 30 needs to have a small contact area in order to prevent uneven temperature distribution due to heat dissipation within the surface of the object W to be processed. is there. Therefore, in the present embodiment, the mounting column 30A of FIG. 7 provided on the mounting portion 30A described above.
Instead of 2, the mounting support structure shown in FIG. 11 can be used. That is, the structure shown in FIG. 11 (A) is formed by forming sloped surfaces 30A10 and 30A12 that intersect at a substantially right angle, and the object W to be processed is provided at the apex of one sloped surface 30A10.
Is mounted, and the other inclined surface 30A12 is used as a guide surface for centering. Further, the structure shown in FIG. 11 (B) is one in which the relief portion 30A20 of the cutting tool when forming the intersecting sloped surface shown in FIG. 11 (A) is formed at the intersecting position. Is improving. Further, the structure shown in FIG. 11 (C) uses the rod member 30A30 in which the intersecting surfaces are formed.

【００４４】一方、図１において、被処理体搬入出部５
０は、プロセスチューブ１２の下端開口の下方に位置す
る気密室で構成され、主に、大気に対して気密状態を保
ちながら被処理体用ホルダー３０との間で被処理体Ｗを
搬入出する箇所である。On the other hand, as shown in FIG.
Reference numeral 0 denotes an airtight chamber located below the lower end opening of the process tube 12, and mainly carries the object W into and out of the object holder 30 while maintaining an airtight state with respect to the atmosphere. It is a place.

【００４５】このため、被処理体搬入出部５０は、図１
２に示すように、第１、第２のロードロック室５２、５
４と、これらロードロック室５２、５４からの被処理体
Ｗをプロセスチューブ１２に受渡すための受渡し室５６
が直角な位置にそれぞれ配置されている。そして、第
１、第２のロードロック室５２、５４は、ともに同じ構
成とされ、第１のロードロック室５２に関して説明する
と、第１、第２のゲートバルブ５２Ａ、５２Ｂ、伸縮・
昇降および回転可能な搬送アーム５２Ｃ、ガス導入孔５
２Ｄ、ガス排出孔５２Ｅを備えている。Therefore, the object loading / unloading section 50 is shown in FIG.
2, the first and second load lock chambers 52, 5
4 and a delivery chamber 56 for delivering the object W to be processed from the load lock chambers 52 and 54 to the process tube 12.
Are arranged at right angles. The first and second load lock chambers 52 and 54 have the same configuration, and the first load lock chamber 52 will be described. The first and second gate valves 52A and 52B
Transport arm 52C that can be raised and lowered and rotated, gas introduction hole 5
2D and a gas discharge hole 52E are provided.

【００４６】また、第２のロードロック室５４は、第
１、第２のゲートバルブ５４Ａ、５４Ｂ、伸縮・昇降お
よび回転可能な搬送アーム５４Ｃ、ガス導入孔５４Ｄ、
ガス排出孔５４Ｅをそれぞれ備えている。ゲートバルブ
５２Ａ、５２Ｂ、５４Ａ、５４Ｂは、装置外部とロード
ロック室５２、５４との間であるいはロードロック室５
２、５４と受渡し室５６との間で被処理体Ｗを搬入出す
る際に開き、気密状態を維持する場合に閉じるという開
閉機能を備えている。搬送アーム５２Ｃ、５４Ｃは、例
えば多関節を有するアームにより構成され、装置外部か
らロードロック室５２、５４へ、あるいは、ロードロッ
ク室５２、５４から受渡し室５６へと被処理体Ｗを搬入
出する機能を備えている。ガス導入孔５２Ｄ、５４Ｄ
は、ロードロック室５２および５４を、例えばＮ2 ガス
によりパージするためのものであり、また、ガス排出孔
５２Ｅ、５４Ｅは、ロードロック室５２、５４を真空引
きするためのものである。The second load lock chamber 54 includes the first and second gate valves 54A and 54B, a transfer arm 54C which can be expanded / contracted / elevated and rotated, a gas introduction hole 54D,
The gas discharge holes 54E are provided respectively. The gate valves 52A, 52B, 54A and 54B are provided between the outside of the apparatus and the load lock chambers 52 and 54 or the load lock chamber 5
It has an opening / closing function of opening between the objects 2 and 54 and the delivery chamber 56 when loading and unloading the object W to be processed and closing when maintaining the airtight state. The transfer arms 52C and 54C are composed of, for example, an arm having multiple joints, and carry in and out the object W to be processed from the outside of the apparatus to the load lock chambers 52 and 54, or from the load lock chambers 52 and 54 to the delivery chamber 56. It has a function. Gas introduction holes 52D, 54D
Is for purging the load lock chambers 52 and 54 with, for example, N2 gas, and the gas exhaust holes 52E and 54E are for vacuuming the load lock chambers 52 and 54.

【００４７】そして、図１において、この被処理体搬入
出部５０の近傍には、シャッター駆動部６０が設けられ
ている。In FIG. 1, a shutter drive unit 60 is provided near the object loading / unloading unit 50.

【００４８】すなわち、シャッター駆動部６０は、プロ
セスチューブ１２の下端開口の下方で縦軸方向に沿って
複数設けられた遮熱用の第１のシャッター６２、第２の
シャッター６４を備えている。この遮熱用の第１、第２
のシャッター６２、６４は、被処理体搬入出部５０をは
さんで縦軸方向両側に配置され、シリンダ等の駆動部材
６６により相反する方向に移動することで開閉可能なシ
ャッター板６２Ａ、６２Ｂおよび６４Ａ、６４Ｂを備え
ている。That is, the shutter drive unit 60 is provided with a plurality of first and second heat shielding shutters 62 and 64 provided below the lower end opening of the process tube 12 along the vertical axis. This heat shield first, second
The shutters 62 and 64 are disposed on both sides in the vertical axis direction across the workpiece loading / unloading unit 50, and can be opened and closed by moving in opposite directions by a driving member 66 such as a cylinder, and shutter plates 62A and 62B. It has 64A and 64B.

【００４９】上記各シャッター板は、共に、水冷ジャケ
ットが内部に形成された断熱構造のものである。これら
シャッター板のうち、プロセスチューブ１２の下端開口
側に位置する第１のシャッター６２におけるシャッター
板６２Ａ、６２Ｂは、図１３に示すように、対向面がＬ
字状に形成されて重なり合うように構成されている。こ
れは、対向面同士が密着した際に、プロセスチューブ１
２からの輻射熱線の通過を遮断して、気密室の下方の温
度が上昇するのを防止するためである。もちろん、各シ
ャッター板６２Ａ，６２Ｂには、冷却ロッド３２を挿通
させる孔が形成されている。また、シャッター板６２
Ａ、６２Ｂは、図１４（Ａ）に示すように、先端に被処
理体用ホルダー３０をはさみ込むことのできる凹部が形
成されている。そして、この先端は、図１４（Ｂ）に示
すように、互いにオーバーラップすることができるよう
になっており、オーバーラップした状態で上方からの熱
線の通過を遮断するようになっている。なお、第２のシ
ャッター６４も、図１３，図１４と同様に構成すること
ができる。Each of the above shutter plates has a heat insulating structure in which a water cooling jacket is formed. Among these shutter plates, the shutter plates 62A and 62B of the first shutter 62 located on the lower end opening side of the process tube 12 have the facing surfaces L as shown in FIG.
It is formed in a character shape and is configured to overlap. This is the process tube 1 when the facing surfaces are in close contact with each other.
This is because the passage of the radiant heat ray from 2 is blocked to prevent the temperature below the airtight chamber from rising. Of course, each shutter plate 62A, 62B has a hole through which the cooling rod 32 is inserted. Also, the shutter plate 62
As shown in FIG. 14A, each of A and 62B has a recess at the tip thereof into which the holder 30 for the object to be processed can be inserted. As shown in FIG. 14 (B), the tips can overlap each other, and in the overlapped state, the passage of heat rays from above is blocked. The second shutter 64 can also be configured in the same manner as in FIGS. 13 and 14.

【００５０】また、この第１、第２のシャッター６２、
６４が位置する気密室には、被処理体Ｗの雰囲気気体の
切り換え構造が設けられている。The first and second shutters 62,
The airtight chamber in which 64 is located is provided with a structure for switching the atmospheric gas of the object W to be processed.

【００５１】すなわち、第１、第２のシャッター６２、
６４の進退部には、図１５に示すように、例えば、周方
向で等分された位置にプロセスガスとは異なる不活性気
体、一例として、ヘリュウムガス（Ｈｅ）を吹き出させ
るための噴射ノズル７０が配置されている。この噴射気
体は、熱処理部１０から搬出された被処理体Ｗをプロセ
スガスの雰囲気下から即座に雰囲気ガスを切り換えてプ
ロセスガスの接触を断ち、被処理体Ｗの移動途中に望ま
れない生成膜が形成されるのを防止するようになってい
る。また、このような雰囲気ガスを即座に切り換え、か
つ、熱処理部からの温度の影響を受けていない不活性気
体との接触下におかれることで、被処理体Ｗのサーマル
バジェット、いわゆる、被処理体Ｗが受ける熱収支を安
定させて面内での温度分布の変化を抑えて面内均一性を
確保するようになっている。そして、この噴射ノズル７
０の数に合わせて周方向で噴射ノズル７０と干渉しない
等分位置には排気口（図示せず）が設けられている。こ
の噴射ノズル７０は、水平方向に冷却気体を噴射する噴
射口を縦軸方向の複数箇所に有し、図１５に示すよう
に、退避した位置にある被処理体Ｗの面と平行に冷却気
体を噴射することができる。なお、この噴出気体を第
１、第２のシャッターの冷却用としても良く、さらに
は、この気体を用いて熱処理部１０から搬出された被処
理体Ｗの冷却を行なうようにしても良い。That is, the first and second shutters 62,
As shown in FIG. 15, for example, an injection nozzle 70 for blowing out an inert gas different from the process gas, for example, a helium gas (He), is provided in the advance / retreat portion 64 of the advance / retreat portion at equal positions in the circumferential direction. Are arranged. This spray gas immediately switches the atmosphere gas from the atmosphere of the process gas to the object W to be carried out from the heat treatment section 10 to cut off the contact of the process gas, and an undesired film formed during the movement of the object W to be processed. To prevent the formation of In addition, such an atmospheric gas is immediately switched and is placed in contact with an inert gas which is not affected by the temperature from the heat treatment section, so that the thermal budget of the object W to be processed, that is, the object to be processed is obtained. The heat balance received by the body W is stabilized, the change of the temperature distribution in the plane is suppressed, and the in-plane uniformity is ensured. And this injection nozzle 7
Exhaust ports (not shown) are provided at equal positions so as not to interfere with the injection nozzle 70 in the circumferential direction according to the number of zero. The spray nozzle 70 has spray ports for spraying the cooling gas in the horizontal direction at a plurality of positions in the vertical axis direction, and as shown in FIG. 15, the cooling gas is parallel to the surface of the object W to be withdrawn. Can be injected. The ejected gas may be used for cooling the first and second shutters, and further, the object W carried out from the heat treatment section 10 may be cooled using this gas.

【００５２】ところで、図１５において、上記した被処
理体用ホルダー３０および冷却ロッド３２の駆動機構４
０は、次のような構成となっている。By the way, in FIG. 15, the drive mechanism 4 for the holder 30 for the object to be processed and the cooling rod 32 described above.
0 has the following configuration.

【００５３】すなわち、駆動機構４０は、被処理体用ホ
ルダー３０と一体にされている冷却ロッドの軸方向端部
に連結された昇降アーム４２を備えており、この昇降ア
ーム４２は、例えば、ボールネジとナットとを組み合わ
せた昇降機構４４によって上下動させることができる。
そして、昇降アーム４２内には、例えば、歯車を介した
回転機構が設けられており、この回転機構は、被処理体
用ホルダー３０が熱処理部１０に対して搬入出されると
きに少なくとも１回転以上の回転を、そして、被処理体
用ホルダー３０が熱処理部１０から退避して被処理体Ｗ
を第１のシャッター６２の下方に位置する噴射ノズル７
０に対向させたときには、例えば、６０ｒｐｍ程度の回
転を行なわせるようになっている。なお、被処理体用ホ
ルダー３０の昇降動作の際の気密性を確保するために、
気密室と被処理体用ホルダー３０との間には、磁性流体
を用いたシール構造４６（図１参照）あるいは図示しな
いベローズ構造が設けられている。なお、被処理体用ホ
ルダー３０の昇降駆動に関しては、上述した昇降機構４
４とは別に独立して上下動させるようにしてもよい。That is, the drive mechanism 40 is provided with an elevating arm 42 connected to the axial end portion of the cooling rod which is integrated with the object holder 30, and the elevating arm 42 is, for example, a ball screw. It can be moved up and down by an elevating mechanism 44 in which a nut and a nut are combined.
A rotating mechanism via a gear, for example, is provided in the elevating arm 42, and this rotating mechanism is at least one rotation when the object holder 30 is carried in and out of the heat treatment section 10. Of the workpiece W and the holder 30 for the workpiece W retracts from the heat treatment unit 10
The injection nozzle 7 located below the first shutter 62
When facing 0, for example, rotation of about 60 rpm is performed. In order to ensure airtightness during the lifting operation of the object holder 30,
A seal structure 46 (see FIG. 1) using a magnetic fluid or a bellows structure (not shown) is provided between the airtight chamber and the object holder 30. Regarding the raising / lowering drive of the object holder 30, the raising / lowering mechanism 4 described above is used.
In addition to 4, it may be moved up and down independently.

【００５４】そして、被処理体３０は、熱処理時に必要
な回転数を以って回転するようになっているが、熱処理
部１０への搬入時および搬出時においても、少なくとも
１回転以上の回転を行ないながら移動する駆動制御が行
なわれる。このような搬入出時での回転は、面状発熱源
２４からの輻射熱の供給およびプロセスガスとの接触を
均一化することにより、熱処理前後での被処理体Ｗの面
内均一性を確保するために実行される。The object to be processed 30 is adapted to rotate at the required number of rotations during the heat treatment, but at the time of being carried in and out of the heat treatment section 10, at least one rotation or more is required. Drive control is performed to move while carrying out. Such rotation during loading and unloading ensures uniform in-plane uniformity of the object to be processed W before and after heat treatment by uniformizing the supply of radiant heat from the planar heat source 24 and contact with the process gas. Executed for.

【００５５】次に作用について説明する。Next, the operation will be described.

【００５６】被処理体Ｗの熱処理を行なう場合には、被
処理体Ｗが被処理体搬入出部５０に搬入される。すなわ
ち、この場合を第２のロードロック室５４を対象として
説明すると次のとおりである。When the object W to be processed is heat-treated, the object W is carried into the object loading / unloading section 50. That is, this case will be described below for the second load lock chamber 54.

【００５７】まず、被処理体Ｗを搬入する場合、第２の
ロードロック室５４内をガス導入孔５４ＤによるＮ2 パ
ージすることにより、予め、大気圧と同圧に設定してお
く。外気とロードロック室５４内とを同圧にすれば、ゲ
ートバルブ５４Ｂが開いたときに、気体の急激な流れ込
みによる塵や埃等の浸入飛散を防ぐことができる。次に
ゲートバルブ５４Ｂを開いて被処理体Ｗが受渡し室５６
内に搬入される。その後、ゲートバルブ５４Ｂが閉じら
れ、ガス排気孔５４Ｅによって真空引きが実行される。
この場合には、受渡し室５６も同様に、予め真空引き、
Ｎ2 パージが行なわれていることが望ましい。さらに、
プロセスチューブ１２、第１、第２のシャッター６２、
６４の間の空間も真空引きし、ロードロック室５４と同
圧にしておくことが望ましい。First, when the object W to be processed is carried in, the inside of the second load lock chamber 54 is previously purged with N2 by the gas introduction hole 54D to be set to the same pressure as the atmospheric pressure. If the outside air and the inside of the load lock chamber 54 are made to have the same pressure, it is possible to prevent dust and the like from entering and scattering due to a sudden inflow of gas when the gate valve 54B is opened. Next, the gate valve 54B is opened so that the workpiece W is transferred to the delivery chamber 56.
It is brought in. After that, the gate valve 54B is closed, and the gas exhaust hole 54E evacuates.
In this case, the delivery chamber 56 is similarly evacuated in advance,
It is desirable that N2 purging is performed. further,
The process tube 12, the first and second shutters 62,
It is desirable that the space between 64 is also evacuated to maintain the same pressure as the load lock chamber 54.

【００５８】一方、ロードロック室５４内の搬送アーム
５４Ｃにより、ゲートバルブ５４Ａを介して被処理体Ｗ
が受渡し室５６に搬送されると、予め、被処理体用ホル
ダー３０の載置部３０Ａが搬送アーム５４Ｃの搬送経路
上に位置されているので、被処理体Ｗの受渡しが行なわ
れる。このときには、第１のシャッター６２が閉じら
れ、そして、第２のシャッター６４が開かれている。そ
して、被処理体Ｗの受渡しが完了すると、被処理体用ホ
ルダー３０が駆動機構４０により回転し始める。被処理
体用ホルダー３０は、熱処理部１０の所定の処理位置に
到達するまでの間、例えば、２〜３回転等のような１回
転以上の回転を行ない、所定の処理位置に達した時点で
回転を停止する。このときには、第１、第２のシャッタ
ー６２、６４がともに開いている。On the other hand, by the transfer arm 54C in the load lock chamber 54, the object W to be processed is passed through the gate valve 54A.
When the object W is transferred to the delivery chamber 56, the object W to be processed is transferred because the mounting portion 30A of the object holder 30 is previously positioned on the transfer path of the transfer arm 54C. At this time, the first shutter 62 is closed and the second shutter 64 is opened. Then, when the transfer of the object W to be processed is completed, the holder 30 for the object to be processed starts to rotate by the drive mechanism 40. The object holder 30 makes one or more rotations, such as 2-3 rotations, until it reaches a predetermined processing position of the heat treatment section 10, and when it reaches the predetermined processing position. Stop rotation. At this time, both the first and second shutters 62 and 64 are open.

【００５９】被処理体用ホルダー３０が上昇する過程
で、被処理体Ｗは、気体切り換え構造におけるヘリュウ
ムガスによる雰囲気下から熱処理部１０に移動した途端
にプロセスガスの雰囲気下に置かれることになる。そし
て、処理位置に達した被処理体用ホルダー３０は、給気
パイプ１４の予熱部１４Ａの内周面近傍に接近した位置
に位置決めされて熱処理時での回転数に切り換えられ
る。そして、熱処理部１０では、給気パイプ１４から予
熱されたプロセスガスが供給される。During the process of raising the holder 30 for the object to be processed, the object W to be processed is placed in the atmosphere of the process gas as soon as it moves from the atmosphere of helium gas in the gas switching structure to the heat treatment section 10. Become. Then, the object holder 30 that has reached the processing position is positioned at a position close to the vicinity of the inner peripheral surface of the preheating portion 14A of the air supply pipe 14 and is switched to the rotation speed during heat treatment. Then, in the heat treatment unit 10, the preheated process gas is supplied from the air supply pipe 14.

【００６０】プロセスガスの供給により熱処理が開始さ
れると、第１のシャッター６２は開いたままであり、そ
して第２のシャッター６４は閉じた状態に維持される。
従って、被処理体用ホルダー３０の遮蔽部材３０Ｂが熱
処理部１０の下方を覆う状態に配置されることになるの
で、熱処理部１０から漏洩する輻射熱の熱線を遮断す
る。しかも、熱処理部１０内では、プロセスガスが密封
されて熱処理環境が設定されるとともに、均熱部材２２
を介して被処理体Ｗの表面および裏面、特に、裏面の場
合には、周縁部に対して輻射熱線を与えることができる
ので、被処理体Ｗの面内での温度分布の均一化が促進さ
れることになる。When the heat treatment is started by supplying the process gas, the first shutter 62 remains open and the second shutter 64 is kept closed.
Therefore, the shielding member 30B of the holder 30 for the object to be processed is arranged so as to cover the lower portion of the heat treatment unit 10, so that the heat ray of the radiant heat leaking from the heat treatment unit 10 is blocked. Moreover, in the heat treatment unit 10, the process gas is sealed to set the heat treatment environment, and the heat equalizing member 22
In the case of the front surface and the back surface of the object W to be processed, especially the back surface, radiant heat rays can be applied to the peripheral portion, so that the uniform temperature distribution in the surface of the object W to be processed is promoted. Will be done.

【００６１】一方、熱処理終了時点では、被処理体用ホ
ルダー３０が、その載置部３０Ａを第１のシャッター６
２の下方に位置決めされる。このとき、被処理体用ホル
ダー３０の遮蔽部材３０Ｂは、気体の逃げ孔および給気
パイプ１４の予熱部１４Ａに対する外径寸法の設定によ
って周縁部での気体の巻き込みが少なくされることで被
処理体Ｗの周縁部からの放熱を抑えられ、面内での温度
分布の不均一化を防止されることになる。On the other hand, at the end of the heat treatment, the holder 30 for the object to be processed has its mounting portion 30A mounted on the first shutter 6a.
Positioned below 2. At this time, the shield member 30B of the holder 30 for the object to be processed is set to have an outside diameter dimension with respect to the gas escape hole and the preheating portion 14A of the air supply pipe 14 so that gas entrapment at the peripheral portion is reduced, and thus the object to be processed is The heat radiation from the peripheral portion of the body W can be suppressed, and the non-uniform temperature distribution in the plane can be prevented.

【００６２】また、第１のシャッター６２の下方に位置
決めされた被処理体用ホルダー３０は、載置部３０Ａ上
の被処理体Ｗが、例えば、６０ｒｐｍ程度の回転数に切
り換えられて回転するとともに、シャッターの進退部か
ら供給されるヘリュウムガスにより、被処理体Ｗ搬入出
部５０との間の熱遮断を行なうとともに、雰囲気ガスの
環境下を切り換え、さらには被処理体Ｗを冷却する。ま
た、この時、被処理体Ｗは、上方に位置する第１のシャ
ッター６２からの冷気により冷却を促進されることにな
る。In the holder 30 for the object to be processed, which is positioned below the first shutter 62, the object W to be processed on the mounting portion 30A rotates while being switched to a rotational speed of, for example, about 60 rpm. The helium gas supplied from the advancing / retreating portion of the shutter cuts off heat from the target object W loading / unloading part 50, switches the environment of the atmospheric gas, and further cools the target object W. Further, at this time, the object W to be processed is promoted to be cooled by the cool air from the first shutter 62 located above.

【００６３】このようにして、熱処理後の冷却が行なわ
れた被処理体Ｗは、搬入時と同じ状態を設定される。そ
して、この状態で噴射ノズル７０との対向位置から受渡
し室５６に移動させられ、搬入時と逆の手順によって被
処理体Ｗを搬出させることができる。In this way, the object W that has been cooled after the heat treatment is set in the same state as when it was carried in. Then, in this state, it is moved to the delivery chamber 56 from the position facing the injection nozzle 70, and the object W to be processed can be carried out by the procedure reverse to that at the time of carrying in.

【００６４】本実施例によれば、プロセスチャンバーの
下端開口の下方に位置する気密室に設けられているシャ
ッターを被処理体の冷却構造として用いることができる
ので、特別な構造を要することなく、冷却時間を短縮す
ることができる。According to this embodiment, since the shutter provided in the airtight chamber located below the lower end opening of the process chamber can be used as the cooling structure for the object to be processed, no special structure is required. The cooling time can be shortened.

【００６５】さらに本実施例によれば、均熱部材とプロ
セスチューブとの間で処理位置下方を囲繞する断熱材を
設けることにより、熱処理位置内での被処理体の表面と
裏面との間の温度勾配を適正化することができ、温度勾
配の急変による気流の発生を防止して被処理体周縁部で
の放熱を抑えることができる。Further, according to this embodiment, by providing the heat insulating material surrounding the lower part of the processing position between the heat equalizing member and the process tube, the heat insulating material between the front surface and the back surface of the object within the heat processing position is provided. It is possible to optimize the temperature gradient, prevent the generation of an air flow due to a sudden change in the temperature gradient, and suppress heat dissipation at the peripheral portion of the object to be processed.

【００６６】なお、本発明は、上記実施例に限られるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々変形実施する
ことが可能である。The present invention is not limited to the above embodiment, but various modifications can be made within the scope of the present invention.

【００６７】例えば、本発明が対象とする被処理体は、
少なくとも面状形状の被処理体であれば良く、半導体ウ
エハ以外にも例えば、ＬＣＤ等であっても良い。さら
に、本発明が適用される熱処理装置としては、ＣＶＤ装
置以外にも、例えば、酸化、拡散、アニールに適用され
る装置を対象とすることも可能である。For example, the object to be processed according to the present invention is
At least a planar object to be processed may be used, and an LCD or the like may be used instead of the semiconductor wafer. Further, as the heat treatment apparatus to which the present invention is applied, other than the CVD apparatus, for example, an apparatus applied to oxidation, diffusion or annealing can be targeted.

【００６８】次に、図１６以降により本発明による熱処
理装置のときに被処理体の裏面を有効的に加熱するため
の実施例を説明する。Next, an embodiment for effectively heating the back surface of the object to be processed in the heat treatment apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG.

【００６９】図１６以降に示された実施例は、被処理体
ホルダー３０と同軸上に、前記した遮蔽部材に代えて、
対構成からなる反射部材を設けたことを特徴としてい
る。なお、図１６以降の図において、図１５までに用い
られた構成部品と同じものは同符合とし、その詳細な説
明を省く。In the embodiments shown in FIG. 16 and thereafter, coaxially with the object holder 30, instead of the above-mentioned shielding member,
It is characterized in that a reflecting member having a paired structure is provided. 16 and subsequent figures, the same components as those used up to FIG. 15 have the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【００７０】すなわち、被処理体ホルダー３０における
載置部３０Ａの下方には、被処理体用ホルダー３０と同
軸上にて第１の反射部材１００および第２の反射部材１
１０がそれぞれ設けられている。That is, the first reflecting member 100 and the second reflecting member 1 are provided below the mounting portion 30A of the object holder 30 coaxially with the object holder 30.
10 are provided respectively.

【００７１】第１の反射部材１００は、被処理体用ホル
ダー３０に対して独立して回転および上下動が可能な状
態に支持され、また、第２の反射部材１１０は、ホルダ
ー３０に固定としてもよいが、好ましくは第１の反射部
材１００と一体で上下動させることもできる。なお、上
記構成では第１の反射部材１００のみを回転可能とした
が、第１，第２の反射部材１００，１１０が相対的に回
転されるものであればよい。The first reflecting member 100 is supported so that it can rotate and move up and down independently of the object holder 30, and the second reflecting member 110 is fixed to the holder 30. However, it is preferable that the first reflecting member 100 and the first reflecting member 100 can be moved up and down. Although only the first reflecting member 100 is rotatable in the above configuration, it is sufficient if the first and second reflecting members 100 and 110 are relatively rotatable.

【００７２】第１、第２の反射部材１００、１１０は、
図１に示した実施例における遮蔽部材３０Ｂを取り除い
て設けられたものであり、載置部３０Ａに対向する面が
例えば研磨によって鏡面仕上げされた炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）が用いられている。The first and second reflecting members 100 and 110 are
It is provided by removing the shielding member 30B in the embodiment shown in FIG. 1, and the surface facing the mounting portion 30A is, for example, a mirror-finished silicon carbide (Si).
C) is used.

【００７３】第１、第２の反射部材１００、１１０の盤
面には、周方向に沿って反射効率が異なる領域が複数箇
所に等分されて設けられている。この反射効率を異なら
せた領域は、輻射熱線の透過率を異ならせることによっ
て得られるようになっている。このため、本実施例で
は、図１７に示す一例のように、第１の反射部材１００
側においては、周方向に沿って等分して形成された透過
部１００Ａが設けられ、また第２の反射部材１１０側で
は、反射面内に透過部１００Ａの形状に合せた熱線吸収
部１１０Ａが形成されている。また、このような透過率
を異ならせる構造としては、透明部と不透明部とを交互
に設けることによっても得られる。この場合の透過部と
しては、透明石英が選択され、この透明石英の周方向に
沿って不透明化することで透過率を異ならせる。なお、
不透明部を構成する場合には、灰色体である炭化ケイ素
（ＳｉＣ）を分配配置させてもよい。炭化ケイ素（Ｓｉ
Ｃ）を用いる場合には、輻射熱を反射させることなく吸
収することができるので、この部分からの二次エネルギ
として輻射熱を出射するようにすることもできる。On the board surfaces of the first and second reflecting members 100 and 110, regions having different reflection efficiencies are provided at a plurality of locations along the circumferential direction. The regions having different reflection efficiencies are obtained by making the transmittance of radiant heat rays different. Therefore, in the present embodiment, as in the example shown in FIG.
On the side, a transmissive portion 100A formed equally along the circumferential direction is provided, and on the second reflecting member 110 side, a heat ray absorbing portion 110A matching the shape of the transmissive portion 100A is provided in the reflective surface. Has been formed. Further, such a structure having different transmittances can also be obtained by alternately providing transparent portions and opaque portions. In this case, transparent quartz is selected as the transmissive portion, and the transmissivity is made different by making the transparent quartz opaque along the circumferential direction. In addition,
When forming an opaque part, you may distribute and arrange the silicon carbide (SiC) which is a gray body. Silicon carbide (Si
When C) is used, radiant heat can be absorbed without being reflected, so that radiant heat can be emitted as secondary energy from this portion.

【００７４】このような熱線の透過率を異ならせる構造
を備えた第１、第２の反射部材１００、１１０は、両者
の相対的な回転により、その熱線の透過部の位相を異な
らせて、いわゆる、重なり具合を調整することにより、
被処理体Ｗへの反射熱量を調整することができる。In the first and second reflecting members 100 and 110 having such a structure that makes the heat ray transmittance different, the phases of the heat ray transmitting portions are made different by the relative rotation of the two. By adjusting the so-called overlap,
The amount of reflected heat to the object W to be processed can be adjusted.

【００７５】すなわち、図１７において、二点鎖線で示
すように、第２の反射部材の熱線吸収部１１０Ａに対し
て第１の反射部材１００側の透過部１００Ａの重なり具
合を変えることにより、第２の反射部材１１０からの反
射熱量が変化する。That is, in FIG. 17, as indicated by the chain double-dashed line, by changing the degree of overlap of the transmissive portion 100A on the first reflecting member 100 side with the heat ray absorbing portion 110A of the second reflecting member, The amount of heat reflected from the second reflecting member 110 changes.

【００７６】本実施例では、このような重なり具合を調
整するために、被処理体Ｗの少なくとも周縁部と中心近
傍との温度を検出する温度センサ（図示せず）を配置
し、この温度センサからの検出温度に応じて、透過部１
００Ａと熱線吸収部１１０Ａとの重なりを調整すること
により、被処理体Ｗへの反射熱量を変化させることがで
きる。In the present embodiment, in order to adjust such an overlapping condition, a temperature sensor (not shown) for detecting the temperature of at least the peripheral portion and the vicinity of the center of the object to be processed W is arranged, and this temperature sensor is used. Depending on the detected temperature from the transmission part 1
It is possible to change the amount of heat reflected to the object to be processed W by adjusting the overlap between 00A and the heat ray absorbing portion 110A.

【００７７】また、第１、第２の反射部材１００、１１
０のうち、被処理体Ｗの裏面に対向する位置にある第１
の反射部材１００の上面は、図１８に示すように、横断
面形状において中央部が周縁部よりも薄くなる凹状に形
成することもできる。この場合、凹状をなす角度θは、
被処理体Ｗの裏面に向け反射した熱線が進行できる角度
に設定される。Also, the first and second reflecting members 100, 11
0, which is located at a position facing the back surface of the object W to be processed.
As shown in FIG. 18, the upper surface of the reflecting member 100 may be formed in a concave shape in which the central portion is thinner than the peripheral portion in the cross-sectional shape. In this case, the angle θ forming the concave shape is
The angle is set so that the heat ray reflected toward the back surface of the target object W can travel.

【００７８】さらに、第１の反射部材１００の内部に
は、図１６，図１８に示すように、空胴部１００Ｂが形
成されており、この空胴部１００Ｂ内には、加熱媒体お
よび冷却媒体のいずれかが導入されるようになってい
る。Further, as shown in FIGS. 16 and 18, a cavity 100B is formed inside the first reflecting member 100, and a heating medium and a cooling medium are provided in the cavity 100B. One of these is being introduced.

【００７９】第１の反射部材１００の内部に媒体を供給
するための構造としては、図１６に示すように、第２の
反射部材１１０を利用する。つまり、第２の反射部材１
１０の内部において、遮蔽部材３０Ｃの内部で第１の反
射部材１００の空胴部１００Ｂと連通する循環路１１０
Ｂを形成し、この循環路１１０Ｂの一部に外部から媒体
を供給および回収できる通路１１０Ｃ、１１０Ｄ、１１
０Ｅをそれぞれ配管する。これにより、循環路１１０Ｂ
内に充填された媒体は、第１の反射部材１００の空胴部
１００Ｂ内を循環し、循環路１１０Ｂを介して排出され
る。なお、図１６中、黒丸は、連結部でのシール部材を
示している。As a structure for supplying the medium to the inside of the first reflecting member 100, a second reflecting member 110 is used as shown in FIG. That is, the second reflecting member 1
In the inside of 10, the circulation path 110 communicating with the cavity 100B of the first reflecting member 100 inside the shielding member 30C.
B, and passages 110C, 110D, 11 through which a medium can be supplied and collected from the outside to a part of the circulation passage 110B.
Pipe 0E respectively. As a result, the circulation path 110B
The medium filled inside circulates in the cavity 100B of the first reflecting member 100 and is discharged through the circulation path 110B. In addition, in FIG. 16, a black circle indicates a seal member at the connecting portion.

【００８０】このような加熱媒体あるいは冷却媒体の供
給時期は、加熱媒体に関しては、処理位置に向けて被処
理体用ホルダー３０が移動する過程で後述する予熱部１
４０に被処理体用ホルダー３０の載置部３０Ａが位置し
たときであり、また、冷却媒体に関しては、被処理体搬
入出部５０に向け被処理体用ホルダー３０が移動を開始
した時点である。これにより、加熱した場合には、予熱
効果を向上させることができるとともに、冷却した場合
には、常温に近い温度での被処理体Ｗの搬入出が行え
る。また、搬出のために移動する被処理体Ｗは、処理位
置から離れる際に処理温度以下に設定されるので、不要
な自然酸化膜などが成膜される虞がない。The timing of supplying the heating medium or the cooling medium is such that, with respect to the heating medium, the preheating unit 1 which will be described later in the process in which the holder 30 for the object to be processed moves toward the processing position.
This is when the mounting portion 30A of the processing object holder 30 is positioned at 40, and when the cooling medium is moved toward the processing object loading / unloading section 50, the processing object holder 30 starts moving. . Thus, when heated, the preheating effect can be improved, and when cooled, the object W to be processed can be carried in and out at a temperature close to room temperature. Further, since the object W to be moved for carrying out is set to a temperature equal to or lower than the processing temperature when it is separated from the processing position, there is no possibility that an unnecessary natural oxide film or the like will be formed.

【００８１】一方、図１９において、プロセスチューブ
１２の開口下方の位置で第１、第２のロードロック室５
２、５４の上部位置には、被処理体Ｗを予熱するための
空間からなる予熱部１４０が設けられている。この予熱
部１４０は、上下方向での長さが被処理体用ホルダー３
０の載置部３０Ａおよび第１、第２の反射部材１００、
１１０が位置することができる長さに設定されている。
これにより、被処理体搬入出部５０において被処理体Ｗ
が載置された被処理体用ホルダー３０は、第１のシャッ
タ６２が開放された時に予熱部１４０に移動することが
できる。そして、予熱部１４０に被処理体用ホルダー３
０が移動すると、第１のシャッター６２が閉じられ、被
処理体用ホルダー３０は一旦停止し、均熱部材２２から
の輻射熱を受けて表面温度が高めらる。この温度として
は、熱線をなす赤外線の吸収効率が良好になる温度であ
る４００℃以上６００℃以下の温度が設定される。この
ように被処理体搬入出部５０から処理位置に向け移動す
る間に被処理体が予熱されることになり、処理位置に達
した時点で急激な温度上昇を来すことがないので、スリ
ップ等の弊害を抑制することができる。しかも、処理位
置に達した場合に処理温度に上昇するまでの時間が短縮
できる。On the other hand, in FIG. 19, the first and second load lock chambers 5 are located below the opening of the process tube 12.
A preheating section 140, which is a space for preheating the object W to be processed, is provided at an upper position of the reference numerals 2, 54. The preheating unit 140 has a length in the vertical direction which is the holder 3 for the object to be processed.
0 mounting portion 30A and the first and second reflecting members 100,
It is set to a length in which 110 can be located.
As a result, the object W to be processed is loaded and unloaded in the object loading / unloading section 50.
The object-to-be-processed holder 30 on which is placed can be moved to the preheating unit 140 when the first shutter 62 is opened. Then, the preheating unit 140 has a holder 3 for the object to be processed.
When 0 moves, the first shutter 62 is closed, the object holder 30 temporarily stops, and the radiant heat from the heat equalizing member 22 is received to raise the surface temperature. As this temperature, a temperature of 400 ° C. or more and 600 ° C. or less, which is a temperature at which the absorption efficiency of infrared rays forming a heat ray is improved, is set. As described above, the object to be processed is preheated during the movement from the object carrying-in / out section 50 to the processing position, and a rapid temperature rise does not occur at the time of reaching the processing position. It is possible to suppress adverse effects such as Moreover, it is possible to shorten the time taken to reach the processing temperature when the processing position is reached.

【００８２】次に本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【００８３】被処理体Ｗの熱処理を行なう場合には、被
処理体Ｗが被処理体搬入出部５０に搬入される。すなわ
ち、この場合を第２のロードロック室５４を対象として
説明すると次のとおりである。When the heat treatment of the object W is carried out, the object W is carried into the object carrying-in / out section 50. That is, this case will be described below for the second load lock chamber 54.

【００８４】まず、被処理体Ｗを搬入する場合、第２の
ロードロック室５４内をガス導入孔５４Ｄ（図１２参
照）によるＮ2 パージすることにより、予め、大気圧と
同圧に設定しておく。外気とロードロック室５４内とを
同圧にすれば、ゲートバルブ５４Ｂが開いたときに、気
体の急激な流れ込みによる塵や埃等の浸入飛散を防ぐこ
とができる。次にゲートバルブ５４Ｂを開いて被処理体
Ｗが第２のロードロック室５４内に搬入される。その
後、ゲートバルブ５４Ｂが閉じられ、ガス排気孔５４Ｅ
によって真空引きが実行される。この場合には、受渡し
室５６も同様に、予め真空引きが行なわれていることが
望ましい。さらに、プロセスチューブ１２、第１、第２
のシャッター６２、６４の間の空間も真空引きすること
によりロードロック室５４と同圧にしておくことが望ま
しい。First, when the object W to be processed is carried in, the inside of the second load lock chamber 54 is purged with N 2 by the gas introduction hole 54D (see FIG. 12) to set the same pressure as the atmospheric pressure in advance. deep. If the outside air and the inside of the load lock chamber 54 are made to have the same pressure, it is possible to prevent dust and the like from entering and scattering due to a sudden inflow of gas when the gate valve 54B is opened. Next, the gate valve 54B is opened and the object W to be processed is carried into the second load lock chamber 54. After that, the gate valve 54B is closed, and the gas exhaust hole 54E
The vacuum is executed by. In this case, it is desirable that the delivery chamber 56 is similarly evacuated in advance. Further, the process tube 12, the first and second
It is desirable that the space between the shutters 62 and 64 is also evacuated to the same pressure as the load lock chamber 54.

【００８５】一方、ロードロック室５４内の搬送アーム
５４Ｃにより、被処理体Ｗがゲートバルブ５４Ａを介し
て受渡し室５６に搬送されると、予め、被処理体用ホル
ダー３０の載置部３０Ａが搬送アーム５４Ｃの搬送経路
上（図１９において符号Ｓ１で示す位置）に位置されて
いるので、被処理体Ｗの受渡しが行なわれる。このとき
には、第１のシャッター６２及び第２のシャッター６４
が閉じられている。そして、被処理体Ｗの受渡しが完了
すると、被処理体用ホルダー３０が駆動機構４０により
回転し始める。被処理体用ホルダー３０は、熱処理部１
０の所定の処理位置に到達するまでの間、例えば、２〜
３回転等のような１回転以上の回転を行ない、所定の処
理位置に達した時点で回転を停止する。第１、第２のシ
ャッター６２、６４は、ホルダー３０等が上方に移動し
て各シャッターと干渉しない位置に到達した直後に閉じ
られる。On the other hand, when the object W to be processed is transferred to the delivery chamber 56 via the gate valve 54A by the transfer arm 54C in the load-lock chamber 54, the mounting portion 30A of the object holder 30 is previously set. Since the object W to be processed is located on the transfer path of the transfer arm 54C (the position indicated by reference numeral S1 in FIG. 19), the object W to be processed is delivered. At this time, the first shutter 62 and the second shutter 64
Is closed. Then, when the transfer of the object W to be processed is completed, the holder 30 for the object to be processed starts to rotate by the drive mechanism 40. The holder 30 for the object to be processed is the heat treatment section 1
Until reaching a predetermined processing position of 0, for example, 2 to
The rotation is performed once or more, such as three times, and the rotation is stopped when the predetermined processing position is reached. The first and second shutters 62 and 64 are closed immediately after the holder 30 or the like moves upward and reaches a position where it does not interfere with each shutter.

【００８６】被処理体用ホルダー３０が上昇する過程に
おいて、被処理体搬入出部５０の上方に移動した被処理
体用ホルダー３０は、図１９において符号Ｓ１で示すよ
うに、予熱部１４０に達すると一旦停止する。そして、
この状態が維持されると、第１の反射部材１００の空胴
部１００Ｂ内に加熱媒体が供給されるとともに、均熱部
材２２からの輻射熱によって被処理体Ｗの温度が上昇
し、いわゆる、予熱が行われる。この予熱温度に関して
は、温度計３６によって検出される。During the process of raising the object holder 30, the object holder 30 moved above the object loading / unloading section 50 reaches the preheating section 140, as indicated by symbol S1 in FIG. Then it stops once. And
When this state is maintained, the heating medium is supplied into the cavity 100B of the first reflecting member 100, and the temperature of the object to be processed W rises due to the radiant heat from the heat equalizing member 22, so-called preheating. Is done. The preheat temperature is detected by the thermometer 36.

【００８７】そして、予熱部１４０での被処理体Ｗの温
度が所定温度に達した時点で被処理体用ホルダー３０が
処理位置へ上昇すると、均熱部材２２に接近したことに
より被処理体Ｗの表面の温度が輻射熱を受けることで上
昇する。また、被処理体Ｗの裏面は、第１の反射部材の
反射面からの反射光によって加熱される。When the object to be processed W in the preheating section 140 reaches a predetermined temperature when the object to be processed W reaches a predetermined temperature, the object to be processed W is approached by the uniform heating member 22. The surface temperature of the object rises when it receives radiant heat. The back surface of the object W to be processed is heated by the reflected light from the reflecting surface of the first reflecting member.

【００８８】このとき、図示しない温度センサにより検
出された温度に基づき、被処理体Ｗの面内温度が不均一
の場合には、第１の反射部材１００における透過部１０
０Ａと第２の反射部材１１０における反射面をなす不透
明部１１０Ａとの相対位置を変化させる。At this time, when the in-plane temperature of the object to be processed W is non-uniform based on the temperature detected by the temperature sensor (not shown), the transmissive portion 10 of the first reflecting member 100.
0A and the relative position of the opaque portion 110A forming the reflecting surface of the second reflecting member 110 are changed.

【００８９】さらに、この温度調整に関しては、前記し
た反射効率の変更だけでなく、被処理体ホルダー３０と
は独立して第１の反射部材１００と載置部３０Ａとの間
の距離を変化さることにより、被処理体Ｗの面内均一性
を確保しながら温度調整を実行することができる。Further, regarding the temperature adjustment, not only the above-mentioned change of the reflection efficiency but also the distance between the first reflecting member 100 and the mounting portion 30A is changed independently of the object holder 30. As a result, the temperature adjustment can be performed while ensuring the in-plane uniformity of the object W to be processed.

【００９０】また、第１の反射部材の表面形状によって
も被処理体の裏面の温度上昇を促進することができる。Also, the surface shape of the first reflecting member can promote the temperature rise of the back surface of the object to be processed.

【００９１】一方、処理位置での成膜処理が終了した場
合には、被処理体用ホルダー３０が下降する。下降途中
において被処理体搬入出部５０に達する前には、第１の
反射部材１００の空胴部１００Ｂに冷却媒体が加熱媒体
と入れ替えられ、第１の反射部材１００の温度を下げ
る。冷却媒体により第１の反射部材１００の温度が下げ
られるのにあわせて、被処理体用ホルダー３０に保持さ
れている被処理体Ｗの温度が常温近傍に達すると、図１
９において符号Ｓ１で示すように、被処理体用ホルダー
３０の載置部３０Ａが被処理体搬入出部５０内に位置
し、前記した受け渡し作業が行われる。以後、再度被処
理体用ホルダー３０の載置部３０Ａに被処理体Ｗが移し
変えられた場合には、前記と同様な手順を繰り返す。On the other hand, when the film forming process at the processing position is completed, the object holder 30 is lowered. Before reaching the object loading / unloading part 50 in the middle of descending, the cooling medium is exchanged with the heating medium in the cavity 100B of the first reflecting member 100 to lower the temperature of the first reflecting member 100. When the temperature of the object to be processed W held in the object to be processed holder 30 reaches near room temperature as the temperature of the first reflecting member 100 is lowered by the cooling medium,
As indicated by reference numeral S1 in FIG. 9, the placing portion 30A of the target object holder 30 is located inside the target object loading / unloading part 50, and the above-mentioned delivery work is performed. After that, when the object W to be processed is again transferred to the mounting portion 30A of the object holder 30, the same procedure as described above is repeated.

【００９２】[0092]

【発明の効果】請求項１及び３記載の発明では、特に放
熱が多い被処理体の周縁部を、被処理体の裏面側より加
熱することで、被処理体の処理温度の面内均一性を確保
することができる。According to the first and third aspects of the present invention, by heating the peripheral portion of the object to be processed, which radiates a large amount of heat, from the back side of the object to be processed, the in-plane uniformity of the processing temperature of the object to be processed is achieved. Can be secured.

【００９３】請求項２の発明では、二次加熱源の加熱ひ
いては被処理体周縁部の加熱を効率良く行うことができ
る。According to the second aspect of the present invention, it is possible to efficiently heat the secondary heating source and further heat the peripheral portion of the object to be processed.

【００９４】請求項４の発明では、被処理体周縁部への
熱線の反射を効率良く行うことができる。しかも、反射
部材は被処理体用ホルダーと共に被処理体の出し入れ位
置に移動したとしても、反射部材の温度はさほど高まら
ないので、被処理体の出し入り口雰囲気の温度が上昇す
ることはない。According to the invention of claim 4, the heat rays can be efficiently reflected to the peripheral portion of the object to be processed. Moreover, since the temperature of the reflecting member does not rise so much even if the reflecting member moves to the position for taking in and out the object to be treated together with the holder for the object to be treated, the temperature of the atmosphere at the entrance and exit of the object to be treated does not rise.

【００９５】請求項５及び６の発明では、被処理体周縁
部に反射される熱線強度を可変し、被処理体の処理温度
の面内均一性を調整できる。In the fifth and sixth aspects of the present invention, the intensity of heat rays reflected by the peripheral portion of the object to be processed can be varied to adjust the in-plane uniformity of the processing temperature of the object to be processed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施例を示す熱処理装置の全体構成を
説明するための断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining an overall configuration of a heat treatment apparatus showing an embodiment of the present invention.

【図２】図１に示した熱処理装置に用いられる給気パイ
プの構造を示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view showing a structure of an air supply pipe used in the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図３】図１に示した熱処理装置での加熱構造の他の例
を示す部分的な断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view showing another example of the heating structure in the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図４】図１に示した熱処理装置に用いられる加熱構造
の別の例を示す断面図である。4 is a cross-sectional view showing another example of a heating structure used in the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図５】図１に示した熱処理装置に用いられる加熱構造
のさらに他の例を示す断面図である。5 is a cross-sectional view showing still another example of a heating structure used in the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図６】図１に示した熱処理装置に用いられる加熱構造
のさらに別の例を示す断面図である。6 is a cross-sectional view showing still another example of a heating structure used in the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図７】図１に示した熱処理装置に用いられる被処理体
用ホルダーの一例を示す部分的な斜視図である。7 is a partial perspective view showing an example of a holder for an object to be processed used in the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図８】図７に示した被処理体用ホルダーの他の構造を
示す部分的な断面図である。8 is a partial cross-sectional view showing another structure of the object holder shown in FIG.

【図９】図７に示した被処理体用ホルダーの別の例を示
す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing another example of the object holder shown in FIG. 7.

【図１０】図７に示した被処理体用ホルダーの内部構造
を説明するための断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view for explaining the internal structure of the object holder shown in FIG.

【図１１】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ、図７に示した被
処理体用ホルダーの載置部の構造を示す部分断面図であ
る。11A to 11C are partial cross-sectional views each showing a structure of a mounting portion of the object holder shown in FIG.

【図１２】図１に示した熱処理装置に用いられる被処理
体搬入出部の構成を説明するための平面視的な模式図で
ある。FIG. 12 is a schematic plan view for explaining the configuration of a target object loading / unloading unit used in the heat treatment apparatus shown in FIG. 1.

【図１３】図１に示した熱処理装置に用いられるシャッ
ターの断面図である。13 is a sectional view of a shutter used in the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図１４】図１３に示したシャッターの一例を示す模式
図であり、（Ａ）は開いた状態を、（Ｂ）は閉じた状態
をそれぞれ示している。14A and 14B are schematic views showing an example of the shutter shown in FIG. 13, where FIG. 14A shows an open state and FIG. 14B shows a closed state.

【図１５】図１に示した熱処理装置における気体切り換
えおよび冷却構造を示す断面図である。15 is a cross-sectional view showing a gas switching and cooling structure in the heat treatment apparatus shown in FIG.

【図１６】本発明による熱処理装置の別実施例を説明す
るための断面図である。FIG. 16 is a cross-sectional view for explaining another embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention.

【図１７】本発明による熱処理装置の用部構造を説明す
るための斜視図である。FIG. 17 is a perspective view for explaining a structure of a user part of the heat treatment apparatus according to the present invention.

【図１８】本発明による熱処理装置に用いられる反射部
材の構造を説明するための部分的な拡大断面図である。FIG. 18 is a partial enlarged cross-sectional view for explaining the structure of a reflecting member used in the heat treatment apparatus according to the present invention.

【図１９】本発明による熱処理装置の別実施例の全体構
成を説明するための断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view for explaining the overall configuration of another embodiment of the heat treatment apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０ 処理位置 １２ プロセスチューブ １４ 給気パイプ １４Ａ 予熱部 ３０ 被処理体用ホルダー ３０Ａ 載置部 ３０Ｂ 遮蔽部材 ３０Ｂ１０〜３０Ｂ１６ 遮蔽部材 ３０Ｃ 遮熱部材 ５０ 被処理体搬入出部 ６０ シャッター駆動部 ６２ 第１のシャッター ６４ 第２のシャッター ６６ 噴射ノズル １００ 第１の反射部材 １００Ａ 透明部 １００Ｂ 熱媒体を循環させるための空胴部 １１０ 第２の反射部材 １１０Ａ 不透明部 10 Processing Position 12 Process Tube 14 Air Supply Pipe 14A Preheating Section 30 Holder for Processing Object 30A Placement Section 30B Shielding Member 30B10 to 30B16 Shielding Member 30C Heat Shielding Member 50 Processing Object Import / Export Section 60 Shutter Drive Section 62 First Shutter 64 Second shutter 66 Jet nozzle 100 First reflective member 100A Transparent part 100B Cavity part for circulating heat medium 110 Second reflective member 110A Opaque part

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 被処理体の搬入出用の下端開口を有し、
処理位置に配置される被処理体を輻射加熱する一次加熱
源を上方に備えている縦型プロセスチューブと、 水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記
プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する
上下動可能な被処理体用ホルダーと、 上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供
給するガス供給手段と、 上記一次加熱源により加熱されることで、上記処理位置
に設定された上記被処理体裏面に向けて二次輻射熱線を
放射して、少なくとも上記被処理体の周縁部を加熱する
二次加熱源と、 を有することを特徴とする熱処理装置。1. A lower end opening for loading and unloading an object to be processed,
A vertical process tube equipped with a primary heating source for radiantly heating the object to be processed placed in the processing position, and the object to be processed in a horizontally supported state are carried into the process tube from the opening, A vertically movable holder for the object to be processed which is set at the processing position, a gas supply means for supplying a reaction gas toward the processing position in the process tube, and the processing position by being heated by the primary heating source. And a secondary heating source for radiating a secondary radiant heat ray toward the back surface of the object to be processed, which heats at least a peripheral portion of the object to be processed. 【請求項２】 請求項１において、 上記二次加熱源は、上記処理位置よりも下方領域であっ
て、上記ホルダーの昇降経路と干渉しない領域に、水平
に配置されていることを特徴とする熱処理装置。2. The secondary heating source according to claim 1, wherein the secondary heating source is horizontally arranged in a region below the processing position and which does not interfere with a lifting path of the holder. Heat treatment equipment. 【請求項３】 被処理体の搬入出用の下端開口を有し、
処理位置に配置される被処理体を加熱する熱源を上方に
備えている縦型プロセスチューブと、 水平に支持した状態の上記被処理体を上記開口から上記
プロセスチューブ内に搬入し、上記処理位置に設定する
上下動可能な被処理体用ホルダーと、 上記プロセスチューブ内の処理位置に向け反応ガスを供
給するガス供給手段と、 上記熱源からの輻射熱線を直接又は間接にて入射し、こ
の入射熱線を上記処理位置に設定された上記被処理体裏
面に向けて反射して、少なくとも上記被処理体の周縁部
を加熱する反射部材と、 を有することを特徴とする熱処理装置。3. A lower end opening for loading and unloading an object to be processed,
A vertical process tube equipped with a heat source for heating the object to be processed arranged at the processing position, and the object to be processed horizontally supported are carried into the process tube through the opening, and the processing position The vertically movable holder for the object to be processed, the gas supply means for supplying the reaction gas toward the processing position in the process tube, and the radiant heat rays from the heat source are directly or indirectly incident on the holder. A heat treatment apparatus, comprising: a reflection member that reflects heat rays toward the back surface of the object to be processed set at the processing position and heats at least a peripheral portion of the object to be processed. 【請求項４】 請求項３において、 上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーの上記被処理
体支持位置よりも下方の位置に、上記被処理体用ホルダ
ーに水平に取り付けられていることを特徴とする熱処理
装置。4. The method according to claim 3, wherein the reflection member is horizontally attached to the object holder at a position below the object support position of the object holder. Characterizing heat treatment equipment. 【請求項５】 請求項４において、 上記反射部材は、上記被処理体用ホルダーに対して昇降
移動可能に支持され、上記被処理体との対向間距離を可
変としたことを特徴とする熱処理装置。5. The heat treatment according to claim 4, wherein the reflective member is supported so as to be movable up and down with respect to the object holder, and a facing distance between the object and the object is variable. apparatus. 【請求項６】 請求項４において、 上記反射部材は、上記被処理体ホルダーの縦軸方向の異
なる位置に少なくとも２枚配置され、各反射板は、熱線
の反射率が異なる領域が周方向に形成され、各反射板が
相対的に回転することにより、各反射板の反射効率の異
なる領域の相対位置関係が変化することを特徴とする熱
処理装置。6. The reflective member according to claim 4, wherein at least two reflective members are arranged at different positions in the vertical axis direction of the object holder, and each reflective plate has a region having a different heat ray reflectance in the circumferential direction. A heat treatment apparatus, characterized in that the relative positional relationship between regions of different reflection efficiencies of the respective reflecting plates is changed by the relative rotation of the respective reflecting plates.