JPH0799152A - Adjustment device of lamp position and exposure equipment using the same - Google Patents

Adjustment device of lamp position and exposure equipment using the same

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Publication number
JPH0799152A
JPH0799152A JP5241905A JP24190593A JPH0799152A JP H0799152 A JPH0799152 A JP H0799152A JP 5241905 A JP5241905 A JP 5241905A JP 24190593 A JP24190593 A JP 24190593A JP H0799152 A JPH0799152 A JP H0799152A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lamp
light
change
electrode
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5241905A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Mochizuki
茂 望月
Takahito Tokita
貴人 時田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Renesas Eastern Japan Semiconductor Inc
Original Assignee
Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Tokyo Electronics Co Ltd
Priority to JP5241905A priority Critical patent/JPH0799152A/en
Publication of JPH0799152A publication Critical patent/JPH0799152A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make uniform the illuminance of the light flux of a lamp arc light on a body to be irradiated and to make the quantity of light stable, in relation to a change in a lamp arc position due to consumption of an electrode of a lamp. CONSTITUTION:This device is constructed of a detecting part 100 which detects the light intensity of a lamp arc light, a signal processing part 200 which converts the detected light intensity into a binary signal, an arithmetic part 300 which calculates the amount of change from the light intensity at a normal time, a control part 400, a driving part 500 for moving a lamp position, optical systems 600 and 700 for projecting a lamp arc image to the detecting part 100, a driver 800 and an Hg lamp 900. The intensity of light from the Hg lamp 900 is detected by the detecting part 100, the amount of movement of the position of the Hg lamp 900 accompanying the change in the intensity of the light of the Hg lamp 900 is determined by the arithmetic part 300 and the Hg lamp 900 is moved by the driving part 500, so that the distribution of illuminance of a light flux on a body to be irradiated such as a wafer 950 be made uniform.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、照明光学系装置および
それを用いた露光装置に関し、特にランプの最大輝度を
有効に活用してランプの負担を少なくし、ランプ寿命を
延ばすことができ、さらに半導体基板面上における露光
光の照度分布均一化および最大光量確保に対して有効な
技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an illumination optical system apparatus and an exposure apparatus using the same, and more particularly, to effectively utilize the maximum brightness of the lamp to reduce the load on the lamp and extend the life of the lamp. Further, the present invention relates to a technique effective for making the illuminance distribution of the exposure light uniform on the semiconductor substrate surface and ensuring the maximum light amount.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、半導体集積回路装置の製造工
程におけるフォトリソグラフィに用いられる露光装置で
は、半導体基板(以下、ウェハと記す)上全面に均一な
照度分布および高エネルギーを照射することにより、均
一なパターン形成および高スループットを確保してい
る。
2. Description of the Related Art For example, in an exposure apparatus used for photolithography in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, a uniform illuminance distribution and high energy are applied to the entire surface of a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as a wafer) to obtain a uniform illuminance distribution. Secures high pattern formation and high throughput.

【0003】そのためには、パターン転写用光源は、た
とえば高輝度Hgランプと、Hgランプからの紫外線を
透過、反射させる光学系と、パターン形成用光束を形成
させる光学系と、スリットなどによって構成されてい
る。
For that purpose, the pattern transfer light source is composed of, for example, a high-intensity Hg lamp, an optical system for transmitting and reflecting ultraviolet rays from the Hg lamp, an optical system for forming a pattern forming light beam, and a slit. ing.

【0004】従って、この構成では、均一な照度分布お
よび最大光量を管理するために、照度測定器を使用し、
この照度測定器より得られた値に対し、照度分布および
最大光量を調整している。その調整方法として、照度分
布に関してはスリット幅を調整し、最大光量に関しては
供給電力を変化させ、安定した最大光量を確保している
と考えられる。
Therefore, in this configuration, the illuminance measuring device is used to manage the uniform illuminance distribution and the maximum light amount,
The illuminance distribution and the maximum light amount are adjusted with respect to the values obtained from this illuminance measuring device. As the adjustment method, it is considered that the slit width is adjusted for the illuminance distribution and the supplied power is changed for the maximum light amount to secure a stable maximum light amount.

【0005】これらの作業は、Hgランプ点灯後、この
ランプの電極消耗によりランプアーク位置が変化するた
めに、前記のような光学系に対し、最適な位置からのズ
レが発生するために行うものである。
These operations are carried out after the Hg lamp is turned on, because the arc position of the lamp changes due to the consumption of the electrodes of the lamp, which causes a deviation from the optimum position with respect to the above optical system. Is.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前記のよう
な技術においては、Hgランプ点灯後、時間が経過する
とともにHgランプの電極消耗は進み、Hgランプの電
極消耗が発生するとランプアーク位置が変化し、固定さ
れた光学系に対して位置ズレが生じる。
However, in the above-described technique, the electrode wear of the Hg lamp progresses as time passes after the Hg lamp is turned on, and the lamp arc position changes when the electrode wear of the Hg lamp occurs. However, a positional deviation occurs with respect to the fixed optical system.

【0007】これにより、たとえば半導体製造装置であ
る露光装置において、ウェハ面上へ到達する光束の照度
および光量が低下するという問題がある。
As a result, for example, in an exposure apparatus which is a semiconductor manufacturing apparatus, there is a problem that the illuminance and the amount of light flux reaching the wafer surface decrease.

【0008】そのため、日々の準備作業において、露光
装置のウェハ面上へ到達する光束の照度および光量を規
格内に追い込む作業を行っているが、これらの作業は手
入力により行っているため時間がかかり、露光装置の稼
動率を低下させるという問題もある。
Therefore, in the daily preparatory work, the illuminance and the light amount of the luminous flux reaching the wafer surface of the exposure apparatus are kept within the standard. However, since these operations are manually input, it takes time. Therefore, there is also a problem that the operating rate of the exposure apparatus is reduced.

【0009】また、ランプアーク位置がズレた状態にお
いて、必要な光量を得るためには過剰に電力を供給しな
ければならず、電極の消耗をさらに促進させ、ランプの
寿命が短くなるという問題もある。
Further, when the lamp arc position is deviated, excessive electric power must be supplied in order to obtain a required amount of light, which further accelerates wear of the electrodes and shortens the life of the lamp. is there.

【0010】そこで、本発明の目的は、ランプの電極消
耗によるランプアーク位置変化に対して、露光装置など
に載置するウェハへの光束の照度を均一にし、光量安定
化を図るランプ位置自動調整装置およびそれを用いた露
光装置を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to automatically adjust the lamp position in order to stabilize the light quantity by making the illuminance of the light flux on the wafer mounted on the exposure apparatus uniform with respect to the change of the lamp arc position due to the consumption of the lamp electrodes. An object is to provide an apparatus and an exposure apparatus using the apparatus.

【0011】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
Among the inventions disclosed in the present application, a brief description will be given to the outline of typical ones.
It is as follows.

【0013】すなわち、請求項1記載のランプ位置自動
調整装置は、ランプからランプアーク光を被照射体に対
して照射する際に、ランプの電極消耗に伴うランプアー
ク光の位置変化による照度ムラまたは光量変化を補正す
るランプ位置自動調整装置であって、ランプアーク光を
光学系を介して被照射体であるセンサに投影させ、セン
サによりランプアーク光の光強度を検出する検出手段
と、検出手段により検出した光強度からランプの電極消
耗による光強度の変化量を算出し、光強度の変化量から
ランプを被照射体から移動させる位置を算出する算出手
段と、算出手段による算出値に基づいてランプを移動す
る移動手段とを備えるものである。
That is, in the automatic lamp position adjusting device according to the first aspect, when the lamp arc light is irradiated from the lamp to the object to be irradiated, the illuminance unevenness due to the position change of the lamp arc light due to the consumption of the electrodes of the lamp or A lamp position automatic adjustment device for correcting a change in light quantity, wherein the lamp arc light is projected onto a sensor which is an irradiation target through an optical system, and the sensor detects the light intensity of the lamp arc light, and a detecting means. The amount of change in the light intensity due to the electrode consumption of the lamp is calculated from the light intensity detected by, and the calculation means for calculating the position to move the lamp from the irradiation target from the amount of change in the light intensity, and the calculated value by the calculation means. And a moving means for moving the lamp.

【0014】また、請求項2記載のランプ位置自動調整
装置は、検出手段を、ランプの電極を光学系を介して投
影して、電極の消耗による電極間距離の変化量を検出す
る検出手段とし、算出手段において、電極間距離の変化
量からランプを被照射体から移動させる位置を算出する
ものである。
Further, in the automatic lamp position adjusting device according to a second aspect of the present invention, the detecting means is a detecting means for projecting the electrodes of the lamp through the optical system and detecting the amount of change in the distance between the electrodes due to the consumption of the electrodes. The calculating means calculates the position at which the lamp is moved from the irradiation target from the amount of change in the inter-electrode distance.

【0015】そして、請求項3記載の露光装置は、ラン
プ位置自動調整装置を用い、検出手段の光学系と同じ光
路を一部利用する露光光学系を備え、かつ被照射体とし
て半導体基板を用い、半導体基板に対して、露光光学系
を介してランプアーク光を照射するものである。
An exposure apparatus according to a third aspect of the present invention uses an automatic lamp position adjustment device, is provided with an exposure optical system that partially uses the same optical path as the optical system of the detection means, and uses a semiconductor substrate as the irradiated body. The lamp arc light is applied to the semiconductor substrate via the exposure optical system.

【0016】[0016]

【作用】前記したランプ位置自動調整装置によれば、検
出手段、算出手段および移動手段などにより、ランプア
ーク位置を固定された光学系の光路上に合わせて、たと
えばHgランプ点灯後、時間の経過とともに変化するラ
ンプアーク位置が変化して、発生するランプアーク光の
光束の照度ムラおよび光量変化を防止することができ
る。
According to the above-described automatic lamp position adjusting device, the lamp arc position is adjusted to the optical path of the fixed optical system by the detecting means, the calculating means, the moving means, etc., and the time elapses after the Hg lamp is turned on. It is possible to prevent the illuminance unevenness and the light amount change of the generated luminous flux of the lamp arc light by changing the lamp arc position which changes with the change.

【0017】また、ランプの電極消耗による電極間距離
を検出手段により検出して、その変位によりランプを移
動する位置を算出手段により算出し、移動手段により最
適な位置にランプ自体を自動的に移動することにより、
ランプの電極消耗によるランプアーク光の光束の照度ム
ラおよび光量変化を防止することができる。
Further, the distance between the electrodes due to the exhaustion of the electrodes of the lamp is detected by the detecting means, the position where the lamp is moved is calculated by the displacement, and the moving means automatically moves the lamp itself to the optimum position. By doing
It is possible to prevent unevenness in illuminance of the luminous flux of the lamp arc light and change in the light amount due to consumption of the electrodes of the lamp.

【0018】これにより、たとえば本発明のランプ位置
自動調整装置を半導体集積回路装置の製造工程に用いら
れる露光装置に用いる場合には、露光装置に載置するウ
ェハ全面に均一な光束の照度分布および高エネルギーを
照射して、ウェハ面上に均一なパターン形成および高ス
ループットを確保することができる。
Thus, for example, when the automatic lamp position adjusting device of the present invention is used in an exposure apparatus used in the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, the illuminance distribution of a uniform luminous flux over the entire surface of a wafer mounted on the exposure apparatus and Irradiation with high energy can ensure uniform pattern formation on the wafer surface and high throughput.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.

【0020】図1は本発明の一実施例であるランプ位置
自動調整装置を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a lamp position automatic adjusting device according to an embodiment of the present invention.

【0021】まず、図1により本実施例のランプ位置自
動調整装置の構成を説明する。
First, the structure of the automatic lamp position adjusting device of this embodiment will be described with reference to FIG.

【0022】本実施例のランプ位置自動調整装置は、た
とえば半導体集積回路装置の製造工程における露光装置
に用いられ、ランプの電極消耗による照度分布のムラお
よび光量変化を防止するランプ位置自動調整装置とさ
れ、ランプアーク光の光強度を検出する検出部(検出手
段)100と、その検出した光強度を2値化信号に変換
する信号処理部200と、正常時の光強度との差を求め
ランプ位置の移動量を算出する演算部(算出手段)30
0と、制御部400と、ランプ位置を移動させる駆動部
(駆動手段)500と、検出部100へランプアーク像
を投影する光学系600,700と、ドライバ800
と、Hgランプ900とによって構成されている。
The lamp position automatic adjusting device of the present embodiment is used, for example, in an exposure device in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, and is used as an automatic lamp position adjusting device for preventing unevenness of illuminance distribution and light amount change due to lamp electrode wear. The detection unit (detection unit) 100 for detecting the light intensity of the lamp arc light, the signal processing unit 200 for converting the detected light intensity into a binarized signal, and the difference between the normal light intensity and the lamp intensity are obtained. Calculation unit (calculation means) 30 for calculating the amount of movement of the position
0, a control unit 400, a driving unit (driving unit) 500 that moves the lamp position, optical systems 600 and 700 that project a lamp arc image onto the detection unit 100, and a driver 800.
And an Hg lamp 900.

【0023】検出部100は、光を均一に拡散させるピ
ンホール101と、余分な光をカットし必要な光だけ選
択するスリット102と、CCD(Charge Coupled Devi
ce)(センサ:被照射体)103、アナログスイッチ1
04などを備え、Hgランプ900からのランプアーク
光をCCD103に投影させ、ランプアーク光の光強度
を検出し、電気信号に変換する。
The detection unit 100 includes a pinhole 101 for uniformly diffusing light, a slit 102 for cutting excess light and selecting only necessary light, and a CCD (Charge Coupled Devi).
ce) (sensor: irradiation target) 103, analog switch 1
04, etc., the lamp arc light from the Hg lamp 900 is projected on the CCD 103, the light intensity of the lamp arc light is detected, and converted into an electric signal.

【0024】信号処理部200は検出部100において
電気信号に変換された光強度を2値化信号に変換する。
演算部300は信号処理部200において変換された2
値化信号を正常時の光強度の信号と比較し、その変化量
を求め、さらにその変化量からHgランプ900の移動
する位置を算出する。
The signal processor 200 converts the light intensity converted into an electric signal in the detector 100 into a binary signal.
The calculation unit 300 is the 2 converted by the signal processing unit 200.
The binarized signal is compared with the signal of the light intensity at the normal time, the amount of change thereof is obtained, and the moving position of the Hg lamp 900 is calculated from the amount of change.

【0025】制御部400は、演算部300において求
まったHgランプ900位置の移動量をドライバ800
を経由して駆動部500へ伝達し、制御を駆動部500
へ渡す。駆動部500は、求まったHgランプ900の
移動量に従って連結されているHgランプ900をX,
YおよびZ方向に移動するものである。
The control unit 400 uses the moving amount of the Hg lamp 900 position obtained by the arithmetic unit 300 as the driver 800.
Is transmitted to the drive unit 500 via the control unit and control is transmitted to the drive unit 500.
Hand over to. The drive unit 500 drives the Hg lamps 900 connected according to the calculated movement amount of the Hg lamps 900,
It moves in the Y and Z directions.

【0026】次に、本実施例の作用について説明する。Next, the operation of this embodiment will be described.

【0027】まず、検出部100は、ランプアーク光の
光強度を検出し、ピンホール101により光を均一に拡
散させ、さらにスリット102によって余分な光をカッ
トし必要な光だけをCCD103に投影させる。そし
て、アナログスイッチ103などを通じて、その光強度
を電気信号に変換して、信号処理部200に渡し、信号
処理部200において、2値化信号に変換する。
First, the detection unit 100 detects the light intensity of the lamp arc light, diffuses the light uniformly through the pinhole 101, cuts off the excess light through the slit 102, and projects only the necessary light onto the CCD 103. . Then, the light intensity is converted into an electric signal through the analog switch 103 and the like, and is passed to the signal processing unit 200, where it is converted into a binary signal.

【0028】さらに、2値化信号となったデータより、
演算部300では正常時のランプアーク光の光強度と比
較し、その光強度の変化量を求め、その変化量からHg
ランプ900位置の移動量を算出し、制御部400へ渡
す。
Furthermore, from the data that has become a binary signal,
The calculation unit 300 compares the light intensity of the lamp arc light under normal conditions, obtains the change amount of the light intensity, and calculates Hg from the change amount.
The amount of movement of the lamp 900 position is calculated and passed to the control unit 400.

【0029】その後、制御部400にて適切な位置まで
の移動量の信号をドライバ800を経由して駆動部50
0へ出力し、さらに駆動部500は制御部400の指令
により連結されたHgランプ900を自動的に適切な位
置に移動する。
After that, the controller 400 sends a signal indicating the amount of movement to an appropriate position to the driver 50 via the driver 800.
Then, the driving unit 500 automatically moves the connected Hg lamp 900 to an appropriate position according to a command from the control unit 400.

【0030】以上により、Hgランプ900の電極消耗
に伴うランプアーク光の位置ズレによる照度ムラおよび
光量変化を補正することができる。
As described above, it is possible to correct the illuminance unevenness and the change in the light amount due to the positional deviation of the lamp arc light due to the electrode wear of the Hg lamp 900.

【0031】たとえば、半導体製造装置である露光装置
に本実施例のランプ位置自動調整装置を接続する場合に
は、図1に点線で示すように、ランプ位置自動調整装置
の一部の光学系600の光路を利用する露光用の光学系
750を設ける。そして、検出部100のCCD103
と等しい距離で、露光装置に載置されたウェハ(被照射
体)950に均一な光束の照度および高エネルギーを照
射して、そのウェハ950面上に均一なパターン形成お
よび高スループットを確保することができ、露光光の照
度の過不足などに起因する転写パターンの寸法のばらつ
きがなくなり、その寸法精度を向上させることができ
る。
For example, when the lamp position automatic adjusting apparatus of this embodiment is connected to an exposure apparatus which is a semiconductor manufacturing apparatus, as shown by a dotted line in FIG. 1, a part of an optical system 600 of the lamp position automatic adjusting apparatus. An optical system 750 for exposure that uses the optical path is provided. Then, the CCD 103 of the detection unit 100
To irradiate the wafer (irradiation object) 950 mounted on the exposure apparatus with a uniform luminous flux of illuminance and high energy at a distance equal to, to ensure uniform pattern formation and high throughput on the surface of the wafer 950. As a result, variations in the size of the transfer pattern due to excess or deficiency of the illuminance of the exposure light are eliminated, and the dimensional accuracy can be improved.

【0032】さらに、光量変化を防止することにより、
光量低下に伴うランプ投入電力を低減し、またHgラン
プ900の寿命は長くなり、Hgランプ900に要する
材料費の低減を図ることができる。
Further, by preventing the change of the light quantity,
It is possible to reduce the electric power supplied to the lamp due to the decrease in the amount of light, extend the life of the Hg lamp 900, and reduce the material cost required for the Hg lamp 900.

【0033】従って、本実施例のランプ位置自動調整装
置によれば、検出部100と、演算部300と、駆動部
500などを備えることにより、Hgランプ900の電
極消耗からランプアーク光の光強度が低下した場合など
に、Hgランプ900を適正な光強度を与える位置まで
移動することができ、たとえば露光装置などに接続する
ことによって、常に露光装置に載置されたウェハ950
に到達する光束の照度ムラおよび光量変化を防止するこ
とができる。
Therefore, according to the lamp position automatic adjusting apparatus of the present embodiment, by including the detecting section 100, the calculating section 300, the driving section 500, etc., the light intensity of the lamp arc light due to the electrode wear of the Hg lamp 900. When the Hg lamp 900 is lowered, the Hg lamp 900 can be moved to a position where an appropriate light intensity is given. For example, by connecting the Hg lamp 900 to an exposure apparatus or the like, the wafer 950 always placed on the exposure apparatus.
It is possible to prevent the illuminance unevenness and the light amount change of the light flux reaching

【0034】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
において種々変更可能であることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0035】たとえば、前記実施例のランプ位置自動調
整装置については、Hgランプ900の光強度を検出部
100により検出し、その光強度からHgランプ900
の移動量を算出する場合について説明したが、本発明は
前記実施例に限定されるものではなく、Hgランプ90
0の電極間距離を検出部100により検出し、その電極
間距離の変位からHgランプ900位置の移動量を演算
部300により算出する場合についても広く適用可能で
ある。
For example, in the automatic lamp position adjusting device of the above embodiment, the light intensity of the Hg lamp 900 is detected by the detecting unit 100, and the Hg lamp 900 is detected from the light intensity.
However, the present invention is not limited to the above embodiment, and the Hg lamp 90 is not limited to the above embodiment.
The present invention is also widely applicable to the case where the inter-electrode distance of 0 is detected by the detection unit 100 and the movement amount of the Hg lamp 900 position is calculated by the calculation unit 300 from the displacement of the inter-electrode distance.

【0036】また、前記実施例のランプ位置自動調整装
置については、照明光学系装置、さらにそれを用いるス
テッパなどの露光装置など、各種ランプを使用する光学
系設備全般に対して広く適用可能である。
Further, the automatic lamp position adjusting device of the above-mentioned embodiment is widely applicable to general optical system equipment using various lamps such as an illumination optical system device and an exposure device such as a stepper using the same. .

【0037】さらに、検出部900に用いるセンサに関
しては、フォトマルまたはフォトディテクタなどのセン
サについても広く適用可能である。
Further, with respect to the sensor used in the detecting section 900, it can be widely applied to a sensor such as a photomultiplier or a photodetector.

【0038】[0038]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
It is as follows.

【0039】(1).ランプの電極消耗によりランプアーク
位置が変化し固定された光学系に対しズレが生じても、
被照射体上へ到達する光束の照度ムラおよび光量変化が
発生することを防止することができる。
(1). Even if the lamp arc position changes due to the consumption of the electrode of the lamp and a deviation occurs with respect to the fixed optical system,
It is possible to prevent the illuminance unevenness and the light amount change of the light flux reaching the irradiated body from occurring.

【0040】(2).ランプの電極消耗によりランプ位置を
最適な光束の照度分布を示す位置に移動することによ
り、光量低下に伴うランプ投入電力が低減でき、さらに
ランプ投入電力の増加に伴って発生していたランプの電
極消耗も低減できる。
(2). By moving the lamp position to a position showing the optimum illuminance distribution of the luminous flux due to exhaustion of the electrode of the lamp, it is possible to reduce the power applied to the lamp due to the decrease in the light quantity, and further to increase the power applied to the lamp. It is possible to reduce the consumption of the electrode of the lamp that has occurred.

【0041】(3).露光装置などのリソグラフィ設備に用
いた場合には、日々の準備作業頻度の低減による稼動率
向上および露光光の照度の過不足などに起因する転写パ
ターンの寸法ばらつきがなくなり、寸法精度を向上させ
ることができる。
(3) When used in lithography equipment such as an exposure apparatus, the dimensional variation of the transfer pattern due to the improvement of the operation rate due to the reduction of the daily preparatory work and the excess or deficiency of the illuminance of the exposure light is eliminated. The dimensional accuracy can be improved.

【0042】(4).ランプなどの使用時間範囲が広がり長
寿命化が図れ、ランプに要する材料費を低減することが
できる。
(4). The operating time range of the lamp and the like is widened, the life of the lamp is extended, and the material cost required for the lamp can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるランプ位置自動調整装
置を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a lamp position automatic adjustment device that is an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100 検出部(検出手段) 101 ピンホール 102 スリット 103 CCD(センサ:被照射体) 104 アナログスイッチ 200 信号処理部 300 演算部(算出手段) 400 制御部 500 駆動部(駆動手段) 600,700,750 光学系 800 ドライバ 900 Hgランプ 950 ウェハ(被照射体) 100 Detection Unit (Detection Unit) 101 Pinhole 102 Slit 103 CCD (Sensor: Irradiation Object) 104 Analog Switch 200 Signal Processing Unit 300 Calculation Unit (Calculation Unit) 400 Control Unit 500 Drive Unit (Drive Means) 600, 700, 750 Optical system 800 Driver 900 Hg lamp 950 Wafer (irradiation target)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ランプからランプアーク光を被照射体に
対して照射する際に、該ランプの電極消耗に伴う該ラン
プアーク光の位置変化による照度ムラまたは光量変化を
補正するランプ位置自動調整装置であって、前記ランプ
アーク光を光学系を介して前記被照射体であるセンサに
投影させ、該センサにより該ランプアーク光の光強度を
検出する検出手段と、該検出手段により検出した光強度
から前記ランプの電極消耗による光強度の変化量を算出
し、該光強度の変化量から該ランプを該被照射体から移
動させる位置を算出する算出手段と、該算出手段による
算出値に基づいて該ランプを移動する移動手段とを備え
ることを特徴とするランプ位置自動調整装置。
1. A lamp position automatic adjustment device for correcting uneven illumination or light quantity change due to a position change of the lamp arc light caused by electrode wear of the lamp when the lamp arc light is irradiated from the lamp to an object to be irradiated. And a detection means for projecting the lamp arc light onto a sensor which is the irradiation target through an optical system, and detecting the light intensity of the lamp arc light by the sensor, and the light intensity detected by the detection means. From the change amount of the light intensity due to electrode consumption of the lamp from, from the change amount of the light intensity, the calculation means for calculating the position to move the lamp from the irradiated body, and the calculated value by the calculation means. A lamp position automatic adjusting device, comprising: a moving unit that moves the lamp.
【請求項2】 前記検出手段を、前記ランプの電極を前
記光学系を介して投影して、該電極の消耗による電極間
距離の変化量を検出する検出手段とし、前記算出手段に
おいて、該電極間距離の変化量から該ランプを前記被照
射体から移動させる位置を算出することを特徴とする請
求項1記載のランプ位置自動調整装置。
2. The detecting means is a detecting means for projecting an electrode of the lamp through the optical system to detect a change amount of an inter-electrode distance due to consumption of the electrode, and the calculating means includes the electrode. The automatic lamp position adjusting device according to claim 1, wherein a position at which the lamp is moved from the object to be irradiated is calculated from the amount of change in the distance.
【請求項3】 請求項1または2記載のランプ位置自動
調整装置を用い、前記検出手段の光学系と同じ光路を一
部利用する露光光学系を備え、かつ前記被照射体として
半導体基板を用い、該半導体基板に対して、前記露光光
学系を介して前記ランプアーク光を照射することを特徴
とする露光装置。
3. The automatic lamp position adjusting device according to claim 1, further comprising an exposure optical system that partially uses the same optical path as the optical system of the detecting means, and a semiconductor substrate is used as the irradiated body. An exposure apparatus which irradiates the lamp arc light to the semiconductor substrate via the exposure optical system.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012211984A (en) * 2011-03-31 2012-11-01 Harison Toshiba Lighting Corp Uv light irradiation apparatus
CN113518219A (en) * 2021-07-09 2021-10-19 中国人民解放军63660部队 Camera exposure time deviation detection method based on calibration lamp

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