JPH0799146A - Projection aligner - Google Patents
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- JPH0799146A JPH0799146A JP5230355A JP23035593A JPH0799146A JP H0799146 A JPH0799146 A JP H0799146A JP 5230355 A JP5230355 A JP 5230355A JP 23035593 A JP23035593 A JP 23035593A JP H0799146 A JPH0799146 A JP H0799146A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、投影露光装置に関し、
特に画像の湾曲を調整できる投影露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a projection exposure apparatus,
In particular, it relates to a projection exposure apparatus capable of adjusting the curvature of an image.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の投影露光装置としては、例えば特
開平１−２９２８２０号公報に示されたものがあり、こ
の従来の装置について図６を用いて説明する。図６
（ａ）は、レチクル表面の曲率を、ウェーハ上のパター
ン内においてデフォーカス部が発生しない曲率にする部
分の構成を示す概略平面図、図６（ｂ），（ｃ）は図６
（ａ）に示すＡ部の拡大平面図及びその側面図である。2. Description of the Related Art A conventional projection exposure apparatus is disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 1-292820, and this conventional apparatus will be described with reference to FIG. Figure 6
FIG. 6A is a schematic plan view showing the configuration of a portion where the curvature of the reticle surface is set so that the defocus portion does not occur in the pattern on the wafer, and FIGS.
It is an enlarged plan view and a side view of the A section shown in (a).
【０００３】図６（ｂ）に示されるように、レチクル１
の周辺は、複数個の曲率補正用治具７で囲まれている。
また１つの曲率補正用治具７は、ベアリング付ルーロン
６と一体となっており、かつ、レチクル１のレンズ系に
近い表面側には、バキュームホール９の付いた無発じん
性樹脂１０が半球ボール上に接着されている。更に、曲
率補正用治具７がレチクル１の光源側の表面に接する部
分の先端部にはテンションローラー５が付いている。As shown in FIG. 6B, the reticle 1
The circumference of is surrounded by a plurality of curvature correction jigs 7.
Further, one curvature correction jig 7 is integrated with the bearing louron 6, and on the surface side close to the lens system of the reticle 1, the non-dusting resin 10 with the vacuum hole 9 is a hemisphere. It is glued on the ball. Furthermore, a tension roller 5 is attached to the tip of the portion where the curvature correction jig 7 contacts the surface of the reticle 1 on the light source side.
【０００４】上記のような構成において、弾性のあるレ
チクル１をプラテン上にロードした後、レチクル１の周
辺を複数個の曲率補正用治具７で取り囲む。レチクル１
のレンズ系に近い表面と無発じん性樹脂１０とをバキュ
ームを引くことにより密着させる。In the above structure, after the elastic reticle 1 is loaded on the platen, the periphery of the reticle 1 is surrounded by a plurality of curvature correction jigs 7. Reticle 1
The surface close to the lens system and the non-dusting resin 10 are brought into close contact with each other by pulling a vacuum.
【０００５】次に、曲率補正用治具７と一体となったベ
アリング付ルーロン６がガイドキー８に沿って上下方向
への直線運動をすることにより、レチクル１の光源側の
表面に接触しているテンションローラー５の接点が作用
点となり、レチクル１に慣性モーメントが加わることに
なる。Next, the roulon 6 with a bearing, which is integrated with the curvature correction jig 7, makes a linear motion in the vertical direction along the guide key 8 to come into contact with the surface of the reticle 1 on the light source side. The contact point of the tension roller 5 present becomes the point of action, and the moment of inertia is applied to the reticle 1.
【０００６】また、テンションローラー５の付いている
曲率補正用治具７の先端部の長さＬを変えることによ
り、慣性モーメントの方向及び大きさを変化させる。Further, by changing the length L of the tip end portion of the curvature correction jig 7 provided with the tension roller 5, the direction and magnitude of the moment of inertia are changed.
【０００７】上記動作及び作用をもった曲率補正用治具
７を複数個組み合わせることにより、レチクル１の表面
を任意の曲率に変化させていた。The surface of the reticle 1 is changed to an arbitrary curvature by combining a plurality of curvature correction jigs 7 having the above-described operations and actions.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】この従来の投影露光装
置では、機械的にレチクルに力を直接加えているため、
構成が複雑となり、しかも曲率補正用治具に加圧による
金属疲労が生じて曲率補正用治具に発塵が生じ、レチク
ル上にゴミが付着してパターン転写に障害を生じさせて
しまうという問題点があった。In this conventional projection exposure apparatus, a force is mechanically applied directly to the reticle, so that
The structure becomes complicated, and further, metal fatigue occurs in the curvature correction jig due to pressurization, dust is generated in the curvature correction jig, and dust adheres to the reticle, causing an obstacle to pattern transfer. There was a point.
【０００９】本発明の目的は、気圧差を利用してレチク
ルを湾曲させるようにした投影露光装置を提供すること
にある。An object of the present invention is to provide a projection exposure apparatus in which a reticle is curved by utilizing a pressure difference.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る投影露光装置は、対をなす気圧室と、
圧力調整部とを有し、光源から照射された光をマスク上
のパターンに入射し、該パターンをレンズ系に通してウ
ェーハ上に投影する投影露光装置であって、対をなす気
圧室は、マスクを挾んでその両側に配設され、各気圧室
のマスクと向き合う端壁は、開放されたものであり、気
圧室の開放端壁は、マスクにより気密に閉塞されてお
り、光源からの光が入射する一方の気圧室の端壁、及び
マスクを透過した光が出射する他方の気圧室の端壁は、
光の透過性をもつものであり、圧力調整部は、対をなす
気圧室相互間に圧力差を生じさせ、その圧力差によりマ
スクに所望の屈撓力を付与するものである。In order to achieve the above-mentioned object, a projection exposure apparatus according to the present invention comprises a pair of pressure chambers,
A projection exposure apparatus that has a pressure adjusting unit, makes light emitted from a light source incident on a pattern on a mask, and projects the pattern onto a wafer through a lens system, wherein a pair of atmospheric chambers is The end walls of the pressure chambers, which are arranged on both sides of the mask and face the mask, are open, and the open end walls of the pressure chambers are hermetically closed by the mask. Is the end wall of one atmospheric pressure chamber, and the end wall of the other atmospheric pressure chamber from which the light transmitted through the mask is emitted,
The pressure adjusting portion is light-transmissive, and causes a pressure difference between the pair of atmospheric pressure chambers, and applies a desired bending force to the mask by the pressure difference.
【００１１】また、前記気圧室の開放端壁の開口縁は、
Ｏリングを介してマスクに密着しているものである。The opening edge of the open end wall of the air pressure chamber is
It is in close contact with the mask via the O-ring.
【００１２】[0012]
【作用】レチクルを挾んでその両側に設けた気圧室の気
圧を調整することにより、レチクルの両側に圧力差を生
じさせて該レチクルを湾曲させる。Operation: By sandwiching the reticle and adjusting the air pressure in the air pressure chambers provided on both sides of the reticle, a pressure difference is generated on both sides of the reticle to bend the reticle.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図により説明す
る。図１は、本発明の一実施例を示す断面図、図２は、
レチクルと気圧室との接触部での位置関係を示す図であ
る。尚、本発明では、レチクルとフォトマスクとを総称
してマスクとして取扱うが、実施例ではレチクルについ
てのものとして述べる。本発明はフォトマスクについて
も同様に採用できる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention, and FIG.
It is a figure which shows the positional relationship in the contact part of a reticle and a pressure chamber. In the present invention, the reticle and the photomask are collectively referred to as a mask, but in the embodiments, the reticle will be described. The present invention can be similarly applied to a photomask.
【００１４】図において、本発明装置は、対をなす気圧
室Ｒ1，Ｒ2と脱気部１５とを有している。In the figure, the apparatus of the present invention has a pair of pressure chambers R 1 and R 2 and a deaeration unit 15.
【００１５】対をなす気圧室Ｒ1，Ｒ2は、マスクとして
のレチクル１１を挾んでその両側に配設されており、本
体１３と石英窓１２とを有している。本体１３は、その
中央部が円筒状にくり抜かれており、本体１３のマスク
１１と向き合う端壁は、開放されており、本体１３の開
放端壁は、マスク１１により気密に閉塞されるようにな
っている。本体１３の開放端壁の開口縁は、Ｏリング１
６を介してマスク１１に密着しており、Ｏリング１６は
気圧室１６の気密性を保持するとともに、レチクル１１
の表面を傷付けないようにしている。The pair of pressure chambers R 1 and R 2 are arranged on both sides of the reticle 11 as a mask, and have a main body 13 and a quartz window 12. The main body 13 has a hollowed-out central portion, the end wall of the main body 13 facing the mask 11 is open, and the open end wall of the main body 13 is hermetically closed by the mask 11. Has become. The opening edge of the open end wall of the main body 13 has an O-ring 1
The O-ring 16 keeps the airtightness of the air pressure chamber 16 and adheres to the mask 11 via the reticle 11.
I try not to scratch the surface.
【００１６】また、石英窓１２は光の透過性をもってお
り、光源からの露光光１４が入射される一方の本体１３
の端壁をなすものであるとともに、マスク１１を透過し
た光が出射する他方の本体１３の端壁をなすものであ
る。The quartz window 12 is transparent to light, and one of the main body 13 on which the exposure light 14 from the light source is incident.
And the end wall of the other main body 13 through which the light transmitted through the mask 11 is emitted.
【００１７】圧力調整部をなす圧力調整用パイプ１５
は、上下の各気圧室Ｒ1，Ｒ2に接続されており、圧力が
コントロール，モニターされている窒素ガス（又は空
気）を各気圧室Ｒ1，Ｒ2に送り込み、上下の気圧室
Ｒ1，Ｒ2相互間に圧力差を生じさせてマスク１１に屈撓
力を付与してマスク１１を凸又は凹型の曲面形状に屈撓
させるようになっている。A pressure adjusting pipe 15 forming a pressure adjusting portion.
, Each pressure chamber R 1 in the vertical, is connected to R 2, pressure control, feed nitrogen gas being monitored (or air) to the pressure chamber R 1, R 2, upper and lower pressure chamber R 1 , R 2 between them, a bending force is applied to the mask 11 to bend the mask 11 into a convex or concave curved surface shape.
【００１８】次に図３，図４，図５に、本体１３の内側
円筒部の半径が５７ｍｍ，レチクル１１として、１２７
ｍｍ×１２７ｍｍの大きさで、厚さ２．３ｍｍの石英レ
チクルを使ったときの変位量及びウェーハ面上での像面
特性を示す。Next, referring to FIGS. 3, 4, and 5, the radius of the inner cylindrical portion of the main body 13 is 57 mm, and the reticle 11 is 127.
The amount of displacement and the image plane characteristics on the wafer surface when a quartz reticle having a size of mm × 127 mm and a thickness of 2.3 mm is used are shown.
【００１９】まず、図３に上下レチクル加圧室の圧力差
とレチクル変位量の関係を示す。レチクル中心での変位
及びレチクル中心から半径ｒ＝３５ｍｍの位置での変位
量は、気圧室Ｒ1，Ｒ2相互間の圧力差に対して比例して
いる。First, FIG. 3 shows the relationship between the pressure difference between the upper and lower reticle pressurizing chambers and the reticle displacement amount. The displacement at the reticle center and the displacement amount at a radius r = 35 mm from the reticle center are proportional to the pressure difference between the pressure chambers R 1 and R 2 .
【００２０】図４にレチクル中心からの距離対レチクル
の変位量の関係を示す。レチクル変位量は、投影レンズ
側に近づく方向をマイナスとしている。図４では、加圧
量５１×１０-6ｋｇ／ｍｍ2の場合と、１０１×１０-6
ｋｇ／ｍｍ2の場合を例として示している。FIG. 4 shows the relationship between the distance from the reticle center and the amount of displacement of the reticle. The reticle displacement amount is negative in the direction toward the projection lens side. In FIG. 4, the case of pressurization amount of 51 × 10 −6 kg / mm 2 and the case of 101 × 10 −6
The case of kg / mm 2 is shown as an example.
【００２１】図５に縮小倍率５対１の投影レンズを使用
したときのレチクルパターン位置、ウェーハ上に転写さ
れたパターンの投影レンズによる像面湾曲による露光フ
ィールド内でのベストフォーカス位置に与える影響、レ
チクルを加圧により変位させた場合の像面への影響につ
いて示す。なお、フォーカス符号は投影レンズに近づく
方向をプラスとして表示している。FIG. 5 shows the reticle pattern position when a projection lens with a reduction ratio of 5: 1 is used, the influence of the curvature of field of the pattern transferred onto the wafer on the best focus position in the exposure field, The influence on the image plane when the reticle is displaced by pressure is shown. It should be noted that the focus code is displayed as plus in the direction toward the projection lens.
【００２２】レチクル１１を単純にセットしただけの状
態、すなわち図５中加圧０ｋｇ／ｍｍ2の状態では、例
えば露光フィールド中心とフィールド中心から半径８ｍ
ｍ離れた位置でのベストフォーカス差は、０．５μｍあ
ることがわかる。加圧が５１×１０-6ｋｇ／ｍｍ2の場
合は、これが０．０５μｍ、加圧が１０１×１０-6ｋｇ
／ｍｍ2の場合は、加圧０ｋｇ／ｍｍ2の時の凹状から逆
の凸状となり、ベストフォーカス差は０．３μｍとな
り、加圧によるレチクル変位がウェーハ上にレチクルパ
ターンを形成する場合に、特にフォーカス位置に大きな
影響を与えていることがわかる。When the reticle 11 is simply set, that is, when the pressure is 0 kg / mm 2 in FIG. 5, for example, the exposure field center and the radius of 8 m from the field center.
It can be seen that the best focus difference at a position separated by m is 0.5 μm. When the pressure is 51 × 10 -6 kg / mm 2 , this is 0.05 μm, and the pressure is 101 × 10 -6 kg.
/ Case of mm 2, pressurized consists concave when the pressure 0 kg / mm 2 and opposite convex, best focus difference is 0.3μm, and the when the reticle displacement forms a reticle pattern onto the wafer by the pressure, It can be seen that the focus position is particularly affected.
【００２３】[0023]
【発明の効果】以上説明したように本発明は、レチクル
上下の気圧室の圧力差によってレチクルを屈撓させるこ
とにより、レチクルパターンをウェーハ上に転写する場
合に、その露光フィールド内において、ほぼ同じフォー
カス位置で最良のパターンを得ることができる。As described above, according to the present invention, when the reticle pattern is transferred onto the wafer by bending the reticle by the pressure difference between the upper and lower reticle pressure chambers, the reticle pattern is almost the same in the exposure field. The best pattern can be obtained at the focus position.
【００２４】また、露光フィールド中心とフィールド外
周近傍で必要とするフォーカス位置が異なる場合でも、
気圧室相互間の圧力差をコントロールすることにより、
レチクルを任意の曲率に変化させることができるという
効果を有する。Further, even when the required focus position is different between the exposure field center and the field outer periphery,
By controlling the pressure difference between the pressure chambers,
It has an effect that the reticle can be changed to an arbitrary curvature.
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of the present invention.
【図２】図１に示したレチクル及び気圧室の接触部を示
す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a contact portion between the reticle shown in FIG. 1 and a pressure chamber.
【図３】気圧室とレチクルのＺ方向への変位量の関係を
示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a relationship between a displacement amount of a pressure chamber and a reticle in a Z direction.
【図４】レチクル中心からの距離とＺ方向への変位量を
示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a distance from a reticle center and a displacement amount in a Z direction.
【図５】ウェーハ上でのレチクル変位量によるベストフ
ォーカス一を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a best focus mode according to a reticle displacement amount on a wafer.
【図６】（ａ）は、従来例におけるレチクルを示す平面
図、（ｂ）は、（ａ）のＡ部拡大図、（ｃ）は、（ｂ）
の正面図である。6A is a plan view showing a reticle in a conventional example, FIG. 6B is an enlarged view of a portion A of FIG. 6A, and FIG.
FIG.
Ｒ1，Ｒ2 気圧室 １１ レチクル １２ 石英窓 １３ 本体 １４ 露光光 １５ 圧力調整用パイプ １６ ＯリングR 1 and R 2 atmospheric pressure chamber 11 reticle 12 quartz window 13 main body 14 exposure light 15 pressure adjusting pipe 16 O-ring
Claims (2)
し、光源から照射された光をマスク上のパターンに入射
し、該パターンをレンズ系に通してウェーハ上に投影す
る投影露光装置であって、 対をなす気圧室は、マスクを挾んでその両側に配設さ
れ、各気圧室のマスクと向き合う端壁は、開放されたも
のであり、 気圧室の開放端壁は、マスクにより気密に閉塞されてお
り、光源からの光が入射する一方の気圧室の端壁、及び
マスクを透過した光が出射する他方の気圧室の端壁は、
光の透過性をもつものであり、 圧力調整部は、対をなす気圧室相互間に圧力差を生じさ
せ、その圧力差によりマスクに所望の屈撓力を付与する
ものであることを特徴とする投影露光装置。1. Projection exposure, comprising a pair of atmospheric pressure chambers and a pressure adjusting unit, wherein light emitted from a light source is incident on a pattern on a mask and the pattern is passed through a lens system and projected onto a wafer. The pair of air pressure chambers are arranged on both sides of the mask, and the end walls of the air pressure chambers facing the mask are open, and the open end walls of the pressure chambers are the mask. Is hermetically closed by, the end wall of one atmospheric pressure chamber where the light from the light source enters, and the end wall of the other atmospheric pressure chamber where the light transmitted through the mask exits,
It is transparent to light and is characterized in that the pressure adjusting section causes a pressure difference between the paired atmospheric pressure chambers, and imparts a desired bending force to the mask by the pressure difference. Projection exposure system.
ングを介してマスクに密着していることを特徴とする請
求項１に記載の投影露光装置。2. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein an opening edge of the open end wall of the atmospheric pressure chamber is in close contact with the mask via an O-ring.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230355A JP2560621B2 (en) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | Projection exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5230355A JP2560621B2 (en) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | Projection exposure device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0799146A true JPH0799146A (en) | 1995-04-11 |
| JP2560621B2 JP2560621B2 (en) | 1996-12-04 |
Family
ID=16906567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5230355A Expired - Fee Related JP2560621B2 (en) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | Projection exposure device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560621B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242032A (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Canon Inc | Mask retainer, aligner, device manufacturing method and mask structure body |
| JPH10312956A (en) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Canon Inc | Magnification correcting device, x-ray exposure device mounting the device and device manufacturing method |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5230355A patent/JP2560621B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10242032A (en) * | 1997-02-28 | 1998-09-11 | Canon Inc | Mask retainer, aligner, device manufacturing method and mask structure body |
| JPH10312956A (en) * | 1997-05-09 | 1998-11-24 | Canon Inc | Magnification correcting device, x-ray exposure device mounting the device and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560621B2 (en) | 1996-12-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |