JPH0798787B2 - スチリル化合物,その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
スチリル化合物,その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH0798787B2 JPH0798787B2 JP3057714A JP5771491A JPH0798787B2 JP H0798787 B2 JPH0798787 B2 JP H0798787B2 JP 3057714 A JP3057714 A JP 3057714A JP 5771491 A JP5771491 A JP 5771491A JP H0798787 B2 JPH0798787 B2 JP H0798787B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、新規なスチリル化合
物,その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッ
センス素子に関し、詳しくはエレクトロルミネッセンス
素子(EL素子)の発光材料に有用な新規なスチリル化
合物及びその効率のよい製造方法,ならびに該スチリル
化合物を用いたEL素子に関する。
物,その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッ
センス素子に関し、詳しくはエレクトロルミネッセンス
素子(EL素子)の発光材料に有用な新規なスチリル化
合物及びその効率のよい製造方法,ならびに該スチリル
化合物を用いたEL素子に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】有機化
合物の高い蛍光効率に着目し、有機化合物のEL性能を
利用した素子の研究は古くから行われている。例えば、
W. Helfrish, Dresmer,Williamsらはアントラセン結晶
を用い、青色発光を得ている(J.Chem. Phys.,44, 2902
(1966))。また、Vincett やBarlowらは、縮合多環芳香
族化合物を真空蒸着法により発光素子の製作を行ってい
る(Thin Solid Films, 99, 171(1982))。しかしいずれ
も発光輝度,発光効率の低いものしか得られていない。
最近、テトラフェニルブタジエンを発光材料に用いて1
00cd/m2 の青色発光を得たことが報告されている
(特開昭59−194393号公報)。更に、正孔伝導
性のジアミン化合物と発光材料としての蛍光性アルミニ
ウムキレート錯体を積層することにより、輝度1000
cd/m2以上の緑色発光有機薄膜EL素子を開発した
ことが報告されている(Appl. Phys. Lett., 51, 913(1
987)) 。また、レーザー色素として有名なジスチリルベ
ンゼン系化合物は、青〜青緑の領域で高い蛍光性を有
し、これを発光材料として単層で80cd/m2程度の
EL発光を得られたことが報告されている(欧州特許第
0319881号明細書)。また、スチリル化合物を含
有することを特徴とする感光体については、特開昭63
−269158号公報及び特開平3−11355号公報
に開示されている。本発明者らは、特開平2−2472
78号公報において、輝度1000cd/m2 以上の高
輝度のエレクトロルミネッセンス発光を与えるスチリル
化合物を提供するとともに、さらに初期輝度の劣化の少
ないスチリル化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた。
合物の高い蛍光効率に着目し、有機化合物のEL性能を
利用した素子の研究は古くから行われている。例えば、
W. Helfrish, Dresmer,Williamsらはアントラセン結晶
を用い、青色発光を得ている(J.Chem. Phys.,44, 2902
(1966))。また、Vincett やBarlowらは、縮合多環芳香
族化合物を真空蒸着法により発光素子の製作を行ってい
る(Thin Solid Films, 99, 171(1982))。しかしいずれ
も発光輝度,発光効率の低いものしか得られていない。
最近、テトラフェニルブタジエンを発光材料に用いて1
00cd/m2 の青色発光を得たことが報告されている
(特開昭59−194393号公報)。更に、正孔伝導
性のジアミン化合物と発光材料としての蛍光性アルミニ
ウムキレート錯体を積層することにより、輝度1000
cd/m2以上の緑色発光有機薄膜EL素子を開発した
ことが報告されている(Appl. Phys. Lett., 51, 913(1
987)) 。また、レーザー色素として有名なジスチリルベ
ンゼン系化合物は、青〜青緑の領域で高い蛍光性を有
し、これを発光材料として単層で80cd/m2程度の
EL発光を得られたことが報告されている(欧州特許第
0319881号明細書)。また、スチリル化合物を含
有することを特徴とする感光体については、特開昭63
−269158号公報及び特開平3−11355号公報
に開示されている。本発明者らは、特開平2−2472
78号公報において、輝度1000cd/m2 以上の高
輝度のエレクトロルミネッセンス発光を与えるスチリル
化合物を提供するとともに、さらに初期輝度の劣化の少
ないスチリル化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた。
【0003】
【課題を解決するための手段】その結果、特定の置換基
を有する新規なスチリル化合物が、上記目的に適うもの
であることを見出した。本発明は、かかる知見に基づい
て完成したものである。すなわち本発明は、一般式
(I)
を有する新規なスチリル化合物が、上記目的に適うもの
であることを見出した。本発明は、かかる知見に基づい
て完成したものである。すなわち本発明は、一般式
(I)
【0004】
【化9】
【0005】〔式中、k,l,m,nはそれぞれ0〜5
の整数を示す。但し、k,l,m,nがいずれも0の場
合は除く。Arは、
の整数を示す。但し、k,l,m,nがいずれも0の場
合は除く。Arは、
【0006】
【化10】
【0007】(式中、R1 は炭素数1〜6のアルキル基
又はハロゲンを示し、R2 ,R3 はそれぞれ水素,炭素
数1〜6のアルキル基又はハロゲンを示す。また、pは
1〜4の整数、q,rはそれぞれ0〜4の整数を示す。
但し、p,q,rが複数のときはR1 ,R2 ,R3 はそ
れぞれ同じでも異なっていてもよい。)を示す。〕で表
されるスチリル化合物を提供するものである。また、本
発明は、一般式(II)
又はハロゲンを示し、R2 ,R3 はそれぞれ水素,炭素
数1〜6のアルキル基又はハロゲンを示す。また、pは
1〜4の整数、q,rはそれぞれ0〜4の整数を示す。
但し、p,q,rが複数のときはR1 ,R2 ,R3 はそ
れぞれ同じでも異なっていてもよい。)を示す。〕で表
されるスチリル化合物を提供するものである。また、本
発明は、一般式(II)
【0008】
【化11】
【0009】〔式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基又
はフェニル基を示し、Arは前記と同様である。〕で表
されるアリーレン基含有リン化合物を、一般式(III)
はフェニル基を示し、Arは前記と同様である。〕で表
されるアリーレン基含有リン化合物を、一般式(III)
【0010】
【化12】
【0011】〔式中、s,tはそれぞれ0〜5の整数を
示す。但し、s,tがいずれも0の場合は除く。〕で表
されるケトンと縮合させることを特徴とする一般式
(I)に示すスチリル化合物の製造方法(以下方法Aと
する。)を提供し、さらに一般式(IV)
示す。但し、s,tがいずれも0の場合は除く。〕で表
されるケトンと縮合させることを特徴とする一般式
(I)に示すスチリル化合物の製造方法(以下方法Aと
する。)を提供し、さらに一般式(IV)
【0012】
【化13】
【0013】〔式中、R,s,tは前記と同様であ
る。〕で表されるリン化合物を、一般式(V)
る。〕で表されるリン化合物を、一般式(V)
【0014】
【化14】 OCH−Ar−CHO …v
【0015】〔式中、Arは前記と同様である。〕で表
されるジアルデヒドと縮合させることを特徴とする一般
式(I)に示すスチリル化合物の製造方法(以下方法B
とする。)を提供するものである。更に、本発明は、一
般式(VI)
されるジアルデヒドと縮合させることを特徴とする一般
式(I)に示すスチリル化合物の製造方法(以下方法B
とする。)を提供するものである。更に、本発明は、一
般式(VI)
【0016】
【化15】
【0017】〔式中、R,k,m,Arは前記と同様で
ある。〕で表されるアリーレン基含有リン化合物を、一
般式(VII)
ある。〕で表されるアリーレン基含有リン化合物を、一
般式(VII)
【0018】
【化16】
【0019】〔式中、l,nは前記と同様である。〕で
表されるケトンと縮合させることを特徴とする一般式
(I)に示すスチリル化合物の製造方法(以下方法Cと
する。)を提供し、さらに一般式(I)に示すスチリル
化合物を発光材料とするエレクトロルミネッセンス素子
を提供するものである。
表されるケトンと縮合させることを特徴とする一般式
(I)に示すスチリル化合物の製造方法(以下方法Cと
する。)を提供し、さらに一般式(I)に示すスチリル
化合物を発光材料とするエレクトロルミネッセンス素子
を提供するものである。
【0020】前記式(I)で表されるスチリル化合物
は、1分子中に2つのメチリディン( =C=CH−
)単位を有し、このメチリディン単位の幾何異性によ
って、4通りの組合わせすなわち、シス−シス,トラン
ス−シス,シス−トランス及びトランス−トランスの組
合わせがあるが、本発明のスチリル化合物は、それらの
いずれのものであってもよいし、幾何異性体の混合した
ものでもよい。特に好ましくは、全てトランス体のもの
である。上述した本発明の新規なスチリル化合物は、各
種の方法で製造することができるが、本発明の上記方法
A,BあるいはCによれば、効率よく製造することがで
きる。
は、1分子中に2つのメチリディン( =C=CH−
)単位を有し、このメチリディン単位の幾何異性によ
って、4通りの組合わせすなわち、シス−シス,トラン
ス−シス,シス−トランス及びトランス−トランスの組
合わせがあるが、本発明のスチリル化合物は、それらの
いずれのものであってもよいし、幾何異性体の混合した
ものでもよい。特に好ましくは、全てトランス体のもの
である。上述した本発明の新規なスチリル化合物は、各
種の方法で製造することができるが、本発明の上記方法
A,BあるいはCによれば、効率よく製造することがで
きる。
【0021】まず、本発明の方法Aでは、前述の一般式
(II)で表されるアリーレン基含有リン化合物と一般式
(III)で表されるケトンとを、縮合反応させることによ
って、目的とする一般式(I)のスチリル化合物を製造
する。ここで一般式(II)中のArは、製造すべきスチ
リル化合物のArに対応する。ここでArは、例えばト
リレン基,キシリレン基,テトラメチルフェニレン基,
エチルキシリレン基,ジクロロフェニレン基,テトラブ
ロモフェニレン基,ジターシャリブチルフェニレン基,
ビフェニレン基,メチルビフェニレン基,ジメチルビフ
ェニレン基,ジエチルメチルビフェニレン基,ジクロロ
ビフェニレン基,ジブロモビフェニレン基,テトラクロ
ロビフェニレン基,ジターシャリブチルジブロモビフェ
ニレン基,オクタメチルビフェニレン基などが挙げられ
る。また、Rは炭素数1〜4のアルキル基(例えば、メ
チル基,エチル基,プロピル基,ブチル基)及びフェニ
ル基である。このアリーレン基含有リン化合物は、公知
の方法、例えば Arbsov 反応:つまり 一般式 XH2 C−Ar −CH2 X 〔式中、Xはハロゲン原子を示し、Arは前記と同様で
ある。〕で表される芳香族ビスハロメチル化合物と、 一般式 (RO)3P 〔式中、Rは前記と同様である。〕で表される亜リン酸
トリアルキルを反応させることにより得ることができ
る。また、一般式(III)のケトンにおいて、シアノ基の
置換数s,tは、製造すべきスチリル化合物のシアノ基
の置換数k,l,m,nに対応して選定される。この一
般式(II)のアリーレン基含有リン化合物と一般式(II
I)のケトンとの縮合反応は、様々な条件で進行させるこ
とができる。ここで用いる反応溶媒としては、炭化水
素,アルコール類,エーテル類が良好である。具体的に
は、メタノール;エタノール;イソプロパノール;ブタ
ノール;2−メトキシエタノール;1,2−ジメトキシ
エタン;ビス(2−メトキシエチル)エーテル;ジオキ
サン;テトラヒドロフラン;トルエン;キシレン;ジメ
チルスルホキシド;N,N−ジメチルホルムアミド;N
−メチルピロリドン;1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リジノンなどが挙げられる。中でもテトラヒドロフラ
ン,ジメチルスルホキシドが好適である。また、縮合剤
としては苛性ソーダ,苛性カリ,ナトリウムアミド,水
素化ナトリウム,n−ブチルリチウム,ナトリウムメチ
ラート及びカリウム−t−ブトキシド等のアルコラート
が、必要に応じて用いられる。中でもn−ブチルリチウ
ム,カリウム−t−ブトキシドが好適である。反応温度
は、用いる反応原料の種類や他の条件により異なり、一
義的に定めることはできないが、通常は約0℃〜約10
0℃まで広範囲に選択することができる。特に好ましく
は10℃〜70℃の範囲である。
(II)で表されるアリーレン基含有リン化合物と一般式
(III)で表されるケトンとを、縮合反応させることによ
って、目的とする一般式(I)のスチリル化合物を製造
する。ここで一般式(II)中のArは、製造すべきスチ
リル化合物のArに対応する。ここでArは、例えばト
リレン基,キシリレン基,テトラメチルフェニレン基,
エチルキシリレン基,ジクロロフェニレン基,テトラブ
ロモフェニレン基,ジターシャリブチルフェニレン基,
ビフェニレン基,メチルビフェニレン基,ジメチルビフ
ェニレン基,ジエチルメチルビフェニレン基,ジクロロ
ビフェニレン基,ジブロモビフェニレン基,テトラクロ
ロビフェニレン基,ジターシャリブチルジブロモビフェ
ニレン基,オクタメチルビフェニレン基などが挙げられ
る。また、Rは炭素数1〜4のアルキル基(例えば、メ
チル基,エチル基,プロピル基,ブチル基)及びフェニ
ル基である。このアリーレン基含有リン化合物は、公知
の方法、例えば Arbsov 反応:つまり 一般式 XH2 C−Ar −CH2 X 〔式中、Xはハロゲン原子を示し、Arは前記と同様で
ある。〕で表される芳香族ビスハロメチル化合物と、 一般式 (RO)3P 〔式中、Rは前記と同様である。〕で表される亜リン酸
トリアルキルを反応させることにより得ることができ
る。また、一般式(III)のケトンにおいて、シアノ基の
置換数s,tは、製造すべきスチリル化合物のシアノ基
の置換数k,l,m,nに対応して選定される。この一
般式(II)のアリーレン基含有リン化合物と一般式(II
I)のケトンとの縮合反応は、様々な条件で進行させるこ
とができる。ここで用いる反応溶媒としては、炭化水
素,アルコール類,エーテル類が良好である。具体的に
は、メタノール;エタノール;イソプロパノール;ブタ
ノール;2−メトキシエタノール;1,2−ジメトキシ
エタン;ビス(2−メトキシエチル)エーテル;ジオキ
サン;テトラヒドロフラン;トルエン;キシレン;ジメ
チルスルホキシド;N,N−ジメチルホルムアミド;N
−メチルピロリドン;1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リジノンなどが挙げられる。中でもテトラヒドロフラ
ン,ジメチルスルホキシドが好適である。また、縮合剤
としては苛性ソーダ,苛性カリ,ナトリウムアミド,水
素化ナトリウム,n−ブチルリチウム,ナトリウムメチ
ラート及びカリウム−t−ブトキシド等のアルコラート
が、必要に応じて用いられる。中でもn−ブチルリチウ
ム,カリウム−t−ブトキシドが好適である。反応温度
は、用いる反応原料の種類や他の条件により異なり、一
義的に定めることはできないが、通常は約0℃〜約10
0℃まで広範囲に選択することができる。特に好ましく
は10℃〜70℃の範囲である。
【0022】本発明のスチリル化合物は、上記方法Aで
効率よく製造することができるが、またこのスチリル化
合物のうち、特定のものは、方法Bによっても効率よく
製造することができる。この方法Bでは、一般式(IV)
で表されるリン化合物と一般式(V)で表されるジアル
デヒドとを、縮合反応させることによって、目的とする
一般式(I)のスチリル化合物を製造する。ここで一般
式(IV)中のRは炭素数1〜4のアルキル基(例えば、
メチル基,エチル基,プロピル基,ブチル基)及びフェ
ニル基であり、シアノ基の置換数s,tは製造すべきス
チリル化合物のシアノ基の置換数k,l,m,nに対応
する。また、一般式(V)中のArは、製造すべきスチ
リル化合物のArに対応する。この一般式(IV)のリン
化合物と一般式(V)のジアルデヒドとの縮合反応は、
様々な条件で進行させることができる。ここで好適に用
られる反応溶媒や縮合剤は、前記方法Aで用いるものと
同様である。また、反応温度は、用いる反応原料の種類
や他の条件により異なり、一義的に定めることはできな
いが、通常は約0℃〜約100℃まで広範囲に選択する
ことができる。特に好ましくは0℃〜70℃である。
効率よく製造することができるが、またこのスチリル化
合物のうち、特定のものは、方法Bによっても効率よく
製造することができる。この方法Bでは、一般式(IV)
で表されるリン化合物と一般式(V)で表されるジアル
デヒドとを、縮合反応させることによって、目的とする
一般式(I)のスチリル化合物を製造する。ここで一般
式(IV)中のRは炭素数1〜4のアルキル基(例えば、
メチル基,エチル基,プロピル基,ブチル基)及びフェ
ニル基であり、シアノ基の置換数s,tは製造すべきス
チリル化合物のシアノ基の置換数k,l,m,nに対応
する。また、一般式(V)中のArは、製造すべきスチ
リル化合物のArに対応する。この一般式(IV)のリン
化合物と一般式(V)のジアルデヒドとの縮合反応は、
様々な条件で進行させることができる。ここで好適に用
られる反応溶媒や縮合剤は、前記方法Aで用いるものと
同様である。また、反応温度は、用いる反応原料の種類
や他の条件により異なり、一義的に定めることはできな
いが、通常は約0℃〜約100℃まで広範囲に選択する
ことができる。特に好ましくは0℃〜70℃である。
【0023】本発明のスチリル化合物は、上述の方法A
及びBにより効率よく製造することができる。また、さ
らに方法Cによっても製造できる。この方法Cでは、一
般式(VI)で表されるリン化合物と一般式(VII)で表さ
れるケトンとを縮合反応させることによって、目的とす
る一般式(I)のスチリル化合物を製造する。ここで一
般式(VI)中のRは炭素数1〜4のアルキル基(例え
ば、メチル基,エチル基,プロピル基,ブチル基)及び
フェニル基であり、シアノ基の置換数k,mは製造すべ
きスチリル化合物のシアノ基の置換数k,mに対応して
選定される。ここで、一般式(VI)の製造法としては、
一般式
及びBにより効率よく製造することができる。また、さ
らに方法Cによっても製造できる。この方法Cでは、一
般式(VI)で表されるリン化合物と一般式(VII)で表さ
れるケトンとを縮合反応させることによって、目的とす
る一般式(I)のスチリル化合物を製造する。ここで一
般式(VI)中のRは炭素数1〜4のアルキル基(例え
ば、メチル基,エチル基,プロピル基,ブチル基)及び
フェニル基であり、シアノ基の置換数k,mは製造すべ
きスチリル化合物のシアノ基の置換数k,mに対応して
選定される。ここで、一般式(VI)の製造法としては、
一般式
【0024】
【化17】
【0025】〔式中、k,m,Rは、前記と同様であ
る。〕で表されるリン化合物を一般式 OHC−Ar−CH3 〔式中、Arは前記と同様である。〕で表されるアルデ
ヒドを縮合させることにより一般式
る。〕で表されるリン化合物を一般式 OHC−Ar−CH3 〔式中、Arは前記と同様である。〕で表されるアルデ
ヒドを縮合させることにより一般式
【0026】
【化18】
【0027】〔式中、k,m,Arは前記と同様であ
る。〕で表されるスチリル化合物が得られる。これを公
知の方法、例えばN−ハロアミド、特にN−クロロ又は
N−ブロモ−コハク酸アミドによるハロゲン化反応によ
り一般式
る。〕で表されるスチリル化合物が得られる。これを公
知の方法、例えばN−ハロアミド、特にN−クロロ又は
N−ブロモ−コハク酸アミドによるハロゲン化反応によ
り一般式
【0028】
【化19】
【0029】〔式中、Xはハロゲン原子を示し、Ar,
k,mは前記と同様である。〕で表される芳香族ハロメ
チル化合物が得られる。このハロメチル化合物と、一般
式 (RO)3P 〔式中、Rは前記と同様である。〕で表される亜リン酸
トリアルキルを反応させることにより得ることができ
る。以上が一般式(VI)の製造法であるが、また、一般
式(VII)のケトンにおいて、シアノ基の置換数l,n
は、製造すべきスチリル化合物(I)のシアノ基の置換
数l,nに対応し、選定される。この一般式(VI)のリ
ン化合物と一般式(VII)のケトンとの縮合反応は、様々
な条件で進行させることができる。ここで、好適に用い
られる反応溶媒や縮合剤は、前記方法Aで用いるものと
同様である。また、反応温度は、用いる反応原料の種類
や他の条件により異なり、一義的に定めることはできな
いが、通常は約0℃〜約100℃まで広範囲に選定する
ことができる。特に好ましくは、0℃〜70℃の範囲で
ある。
k,mは前記と同様である。〕で表される芳香族ハロメ
チル化合物が得られる。このハロメチル化合物と、一般
式 (RO)3P 〔式中、Rは前記と同様である。〕で表される亜リン酸
トリアルキルを反応させることにより得ることができ
る。以上が一般式(VI)の製造法であるが、また、一般
式(VII)のケトンにおいて、シアノ基の置換数l,n
は、製造すべきスチリル化合物(I)のシアノ基の置換
数l,nに対応し、選定される。この一般式(VI)のリ
ン化合物と一般式(VII)のケトンとの縮合反応は、様々
な条件で進行させることができる。ここで、好適に用い
られる反応溶媒や縮合剤は、前記方法Aで用いるものと
同様である。また、反応温度は、用いる反応原料の種類
や他の条件により異なり、一義的に定めることはできな
いが、通常は約0℃〜約100℃まで広範囲に選定する
ことができる。特に好ましくは、0℃〜70℃の範囲で
ある。
【0030】一般式(I)で表される化合物の具体例と
しては、次に示すものを挙げることができる。
しては、次に示すものを挙げることができる。
【0031】
【化20】
【0032】
【化21】
【0033】
【化22】
【0034】
【化23】
【0035】
【化24】
【0036】
【化25】
【0037】但し、これらに限定されるものではない。
このようにして得られる本発明のスチリル化合物は、低
電圧で高輝度の発光が可能なEL素子として有効に利用
できるものである。この本発明のスチリル化合物は、E
L素子の発光層として不可欠な電子注入機能,電子輸送
機能及び発光機能を兼備し、しかも耐熱性,薄膜性にす
ぐれている。さらに、このスチリル化合物は、蒸着温度
まで加熱しても、分解や変質することなく、均一な微結
晶粒からなる緻密な膜が形成できる上、ピンホールが生
成しないという長所がある。すでに述べたように、本発
明の前記一般式(I)で表される化合物は、EL素子に
おける発光層として有効である。この発光層は、例えば
蒸着法,スピンコート法,キャスト法などの公知の方法
によって、一般式(I)の化合物を薄膜化してことによ
り形成することができるが、特に分子堆積膜とすること
が好ましい。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相状
態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液状態
又は液相状態から固体化され形成された膜のことであ
り、例えば蒸着膜などを示すが、通常この分子堆積膜は
LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは区別す
ることができる。また、該発光層は、特開昭59−19
4393号公報などに開示されているように、樹脂など
の結着剤と該化合物とを、溶剤に溶かして溶液としたの
ち、これをスピンコート法などにより薄膜化し、形成す
ることができる。
このようにして得られる本発明のスチリル化合物は、低
電圧で高輝度の発光が可能なEL素子として有効に利用
できるものである。この本発明のスチリル化合物は、E
L素子の発光層として不可欠な電子注入機能,電子輸送
機能及び発光機能を兼備し、しかも耐熱性,薄膜性にす
ぐれている。さらに、このスチリル化合物は、蒸着温度
まで加熱しても、分解や変質することなく、均一な微結
晶粒からなる緻密な膜が形成できる上、ピンホールが生
成しないという長所がある。すでに述べたように、本発
明の前記一般式(I)で表される化合物は、EL素子に
おける発光層として有効である。この発光層は、例えば
蒸着法,スピンコート法,キャスト法などの公知の方法
によって、一般式(I)の化合物を薄膜化してことによ
り形成することができるが、特に分子堆積膜とすること
が好ましい。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相状
態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液状態
又は液相状態から固体化され形成された膜のことであ
り、例えば蒸着膜などを示すが、通常この分子堆積膜は
LB法により形成された薄膜(分子累積膜)とは区別す
ることができる。また、該発光層は、特開昭59−19
4393号公報などに開示されているように、樹脂など
の結着剤と該化合物とを、溶剤に溶かして溶液としたの
ち、これをスピンコート法などにより薄膜化し、形成す
ることができる。
【0038】このようにして形成された発光層の薄膜に
ついては特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことが
できるが、通常5nmないし5μmの範囲で選定され
る。このEL素子における発光層は、(1)電界印加時
に、陽極又は正孔注入層により正孔を注入することがで
き、かつ陰極又は電子注入層より電子を注入することが
できる注入機能、(2)注入した電荷(電子と正孔)を
電界の力で移動させる輸送機能、(3)電子と正孔の再
結合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる
発光機能などを有している。なお、正孔の注入されやす
さと、電子の注入されやすさに違いがあってもよいし、
正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があっても
よいが、どちらか一方の電荷を移動することが好まし
い。この発光層に用いる前記一般式(I)で表される化
合物は、一般にイオン化エネルギーが6.0eV程度より
小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物を選べば、
比較的正孔を注入しやすい。また電子親和力は2.8eV
程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰極化合物を
選べば、比較的電子を注入しやすい上、電子,正孔の輸
送能力も優れている。さらに固体状態の蛍光性が強いた
め、該化合物やその会合体又は結晶などの電子と正孔の
再結晶時に形成された励起状態を光に変換する能力が大
きい。
ついては特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことが
できるが、通常5nmないし5μmの範囲で選定され
る。このEL素子における発光層は、(1)電界印加時
に、陽極又は正孔注入層により正孔を注入することがで
き、かつ陰極又は電子注入層より電子を注入することが
できる注入機能、(2)注入した電荷(電子と正孔)を
電界の力で移動させる輸送機能、(3)電子と正孔の再
結合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる
発光機能などを有している。なお、正孔の注入されやす
さと、電子の注入されやすさに違いがあってもよいし、
正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があっても
よいが、どちらか一方の電荷を移動することが好まし
い。この発光層に用いる前記一般式(I)で表される化
合物は、一般にイオン化エネルギーが6.0eV程度より
小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物を選べば、
比較的正孔を注入しやすい。また電子親和力は2.8eV
程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰極化合物を
選べば、比較的電子を注入しやすい上、電子,正孔の輸
送能力も優れている。さらに固体状態の蛍光性が強いた
め、該化合物やその会合体又は結晶などの電子と正孔の
再結晶時に形成された励起状態を光に変換する能力が大
きい。
【0039】本発明の化合物を用いたEL素子の構成
は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極(陽
極と陰極)間に、前記発光層を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔注入層や電子注入層を介在させれ
ばよい。具体的には(1)陽極/発光層/陰極,(2)
陽極/正孔注入層/発光層/陰極,(3)陽極/正孔注
入層/発光層/電子注入層/陰極,(4)陽極/発光層
/電子注入層/陰極などの構成を挙げることができる。
該正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要ではない
が、これらの層があると発光性能が一段と向上する。ま
た、前記構成の素子においては、いずれも基板に支持さ
れていることが好ましく、該基板については特に制限は
なく、従来EL素子に慣用されているもの、例えばガラ
ス,透明プラスチック,石英などから成るものを用いる
ことができる。
は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極(陽
極と陰極)間に、前記発光層を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔注入層や電子注入層を介在させれ
ばよい。具体的には(1)陽極/発光層/陰極,(2)
陽極/正孔注入層/発光層/陰極,(3)陽極/正孔注
入層/発光層/電子注入層/陰極,(4)陽極/発光層
/電子注入層/陰極などの構成を挙げることができる。
該正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要ではない
が、これらの層があると発光性能が一段と向上する。ま
た、前記構成の素子においては、いずれも基板に支持さ
れていることが好ましく、該基板については特に制限は
なく、従来EL素子に慣用されているもの、例えばガラ
ス,透明プラスチック,石英などから成るものを用いる
ことができる。
【0040】このEL素子における陽極としては、仕事
関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはA
uなどの金属,CuI,ITO,SnO2 ,ZnOなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にも
よるが、通常10nmないし1μm,好ましくは10〜
200nmの範囲で選ばれる。
関数の大きい(4eV以上)金属,合金,電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはA
uなどの金属,CuI,ITO,SnO2 ,ZnOなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にも
よるが、通常10nmないし1μm,好ましくは10〜
200nmの範囲で選ばれる。
【0041】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
(4eV以下)金属,合金,電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム,ナトリウ
ム−カリウム合金,マグネシウム,リチウム,マグネシ
ウム/銅混合物,Al/AlO2 ,インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm
ないし1μm,好ましくは50〜200nmの範囲で選
ばれる。なお、このEL素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。
(4eV以下)金属,合金,電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム,ナトリウ
ム−カリウム合金,マグネシウム,リチウム,マグネシ
ウム/銅混合物,Al/AlO2 ,インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm
ないし1μm,好ましくは50〜200nmの範囲で選
ばれる。なお、このEL素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。
【0042】本発明の化合物を用いるEL素子の構成
は、前記したように、各種の態様があり、前記(2)又
は(3)の構成のEL素子における正孔注入層(正孔注
入輸送層)は、正孔伝達化合物からなる層であって、陽
極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、
この正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、その上、発光層に陰極又は電子注入層より注入され
た電子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の
障壁により、この発光層内の界面付近に蓄積され発光効
率が向上するなど、発光性能の優れた素子となる。
は、前記したように、各種の態様があり、前記(2)又
は(3)の構成のEL素子における正孔注入層(正孔注
入輸送層)は、正孔伝達化合物からなる層であって、陽
極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、
この正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、その上、発光層に陰極又は電子注入層より注入され
た電子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の
障壁により、この発光層内の界面付近に蓄積され発光効
率が向上するなど、発光性能の優れた素子となる。
【0043】前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合
物は、電界を与えられた2個の電極間に配置されて陽極
から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝
達しうる化合物であって、例えば104 〜106 V/c
mの電界印加時に、少なくとも10-6cm2 /(V・
秒)の正孔移動度をもつものが好適である。このような
正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有す
るものであれば特に制限はなく、従来、光導電材料にお
いて、正孔の電荷輸送材として慣用されているものやE
L素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任
意のものを選択して用いることができる。
物は、電界を与えられた2個の電極間に配置されて陽極
から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝
達しうる化合物であって、例えば104 〜106 V/c
mの電界印加時に、少なくとも10-6cm2 /(V・
秒)の正孔移動度をもつものが好適である。このような
正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有す
るものであれば特に制限はなく、従来、光導電材料にお
いて、正孔の電荷輸送材として慣用されているものやE
L素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任
意のものを選択して用いることができる。
【0044】該電荷輸送材としては、例えばトリアゾー
ル誘導体(米国特許第3,112,197号明細書などに記
載のもの)、オキサジアゾール誘導体(米国特許第3,1
89,447号明細書などに記載のもの)、イミダゾール
誘導体(特公昭37−16096号公報などに記載のも
の)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許第3,61
5,402 号明細書,同3,820,989 号明細書,同3,5
42,544 号明細書,特公昭45−555号公報,同5
1−10983号公報,特開昭51−93224号公
報,同55−17105号公報,同56−4148号公
報,同55−108667号公報,同55−15695
3号公報,同56−36656号公報などに記載のも
の)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特
許第3,180,729 号明細書,同4,278,746 号明細
書,特開昭55−88064号公報,同55−8806
5号公報,同49−105537号公報,同55−51
086号公報,同56−80051号公報,同56−8
8141号公報,同57−45545号公報,同54−
112637号公報,同55−74546号公報などに
記載のもの)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第
3,615,404 号明細書,特公昭51−10105号公
報,同46−3712号公報,同47−25336号公
報,特開昭54−53435号公報,同54−1105
36号公報,同54−119925号公報などに記載の
もの)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,4
50 号明細書,同3,180,703号明細書,同3,240,
597 号明細書,同3,658,520 号明細書,同4,23
2,103 号明細書,同4,175,961 号明細書,同4,0
12,376号明細書,特公昭49−35702号公報,
同39−27577号公報,特開昭55−144250
号公報,同56−119132号公報,同56−224
37号公報,***特許第1,110,518 号明細書などに
記載のもの)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第
3,526,501 号明細書などに記載のもの)、オキサゾ
ール誘導体(米国特許第3,257,203 号明細書などに
記載のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭5
6−46234号公報などに記載のもの)、フルオレノ
ン誘導体(特開昭54−110837号公報などに記載
のもの)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,46
2 号明細書,特開昭54−59143号公報,同55−
52063号公報,同55−52064号公報,同55
−46760号公報,同55−85495号公報,同5
7−11350号公報,同57−148749号公報な
どに記載されているもの)、スチルベル誘導体(特開昭
61−210363号公報,同61−228451号公
報,同61−14642号公報,同61−72255号
公報,同62−47646号公報,同62−36674
号公報,同62−10652号公報,同62−3025
5号公報,同60−93445号公報,同60−944
62号公報,同60−174749号公報,同60−1
75052号公報などに記載のもの)などを挙げること
ができる。
ル誘導体(米国特許第3,112,197号明細書などに記
載のもの)、オキサジアゾール誘導体(米国特許第3,1
89,447号明細書などに記載のもの)、イミダゾール
誘導体(特公昭37−16096号公報などに記載のも
の)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許第3,61
5,402 号明細書,同3,820,989 号明細書,同3,5
42,544 号明細書,特公昭45−555号公報,同5
1−10983号公報,特開昭51−93224号公
報,同55−17105号公報,同56−4148号公
報,同55−108667号公報,同55−15695
3号公報,同56−36656号公報などに記載のも
の)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特
許第3,180,729 号明細書,同4,278,746 号明細
書,特開昭55−88064号公報,同55−8806
5号公報,同49−105537号公報,同55−51
086号公報,同56−80051号公報,同56−8
8141号公報,同57−45545号公報,同54−
112637号公報,同55−74546号公報などに
記載のもの)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第
3,615,404 号明細書,特公昭51−10105号公
報,同46−3712号公報,同47−25336号公
報,特開昭54−53435号公報,同54−1105
36号公報,同54−119925号公報などに記載の
もの)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,4
50 号明細書,同3,180,703号明細書,同3,240,
597 号明細書,同3,658,520 号明細書,同4,23
2,103 号明細書,同4,175,961 号明細書,同4,0
12,376号明細書,特公昭49−35702号公報,
同39−27577号公報,特開昭55−144250
号公報,同56−119132号公報,同56−224
37号公報,***特許第1,110,518 号明細書などに
記載のもの)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第
3,526,501 号明細書などに記載のもの)、オキサゾ
ール誘導体(米国特許第3,257,203 号明細書などに
記載のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭5
6−46234号公報などに記載のもの)、フルオレノ
ン誘導体(特開昭54−110837号公報などに記載
のもの)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,46
2 号明細書,特開昭54−59143号公報,同55−
52063号公報,同55−52064号公報,同55
−46760号公報,同55−85495号公報,同5
7−11350号公報,同57−148749号公報な
どに記載されているもの)、スチルベル誘導体(特開昭
61−210363号公報,同61−228451号公
報,同61−14642号公報,同61−72255号
公報,同62−47646号公報,同62−36674
号公報,同62−10652号公報,同62−3025
5号公報,同60−93445号公報,同60−944
62号公報,同60−174749号公報,同60−1
75052号公報などに記載のもの)などを挙げること
ができる。
【0045】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物
(特開昭63−295695号公報などに記載のもの)
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物(米国特許第4,127,412号明細書,特開昭53−
27033号公報,同54−58445号公報,同54
−149634号公報,同54−64299号公報,同
55−79450号公報,同55−144250号公
報,同56−119132号公報,同61−29555
8号公報,同61−98353号公報,同63−295
695号公報などに記載のもの)、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。該ポルフィリン
化合物の代表例としては、ポルフィリン;1,10,1
5,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィ
リン銅(II);1,10,15,20−テトラフェニル
−21H,23H−ポルフィリン亜鉛(II);5,1
0,15,20−テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)−21H,23H−ポルフィリン;シリコンフタロ
シアニンオキシド;アルミニウムフタロシアニンクロリ
ド;フタロシアニン(無金属);ジリチウムフタロシア
ニン;銅テトラメチルフタロシアニン;銅フタロシアニ
ン;クロムフタロシアニン;亜鉛フタロシアニン;鉛フ
タロシアニン;チタニウムフタロシアニンオキシド;マ
グネシウムフタロシアニン;銅オクタメチルフタロシア
ニンなどが挙げられる。また該芳香族第三級化合物及び
スチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,
N’,N’−テトラフェニル−(1,1’−ビフェニ
ル)−4,4’−ジアミン;N,N’−ビス(3−メチ
ルフェニル)−N,N’−ジフェニル−〔1,1’−ビ
フェニル〕−4,4’−ジアミン;2,2−ビス(4−
ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビ
ス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサ
ン;N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル−(1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン;1,1−ビ
ス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニ
ルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メ
チルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−ト
リルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ジ(4−メトキシフェニル)−
(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン;N,
N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノ
ジフェニルエーテル;4,4’−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミン)−4’−
〔4(ジ−p−トリルアミン)スチリル〕スチルベン;
4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニ
ル)ベンゼン;3−メトキシ−4’−N,N−ジフェニ
ルアミノスチルベン;N−フェニルカルバゾールなどが
挙げられる。
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物
(特開昭63−295695号公報などに記載のもの)
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物(米国特許第4,127,412号明細書,特開昭53−
27033号公報,同54−58445号公報,同54
−149634号公報,同54−64299号公報,同
55−79450号公報,同55−144250号公
報,同56−119132号公報,同61−29555
8号公報,同61−98353号公報,同63−295
695号公報などに記載のもの)、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。該ポルフィリン
化合物の代表例としては、ポルフィリン;1,10,1
5,20−テトラフェニル−21H,23H−ポルフィ
リン銅(II);1,10,15,20−テトラフェニル
−21H,23H−ポルフィリン亜鉛(II);5,1
0,15,20−テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)−21H,23H−ポルフィリン;シリコンフタロ
シアニンオキシド;アルミニウムフタロシアニンクロリ
ド;フタロシアニン(無金属);ジリチウムフタロシア
ニン;銅テトラメチルフタロシアニン;銅フタロシアニ
ン;クロムフタロシアニン;亜鉛フタロシアニン;鉛フ
タロシアニン;チタニウムフタロシアニンオキシド;マ
グネシウムフタロシアニン;銅オクタメチルフタロシア
ニンなどが挙げられる。また該芳香族第三級化合物及び
スチリルアミン化合物の代表例としては、N,N,
N’,N’−テトラフェニル−(1,1’−ビフェニ
ル)−4,4’−ジアミン;N,N’−ビス(3−メチ
ルフェニル)−N,N’−ジフェニル−〔1,1’−ビ
フェニル〕−4,4’−ジアミン;2,2−ビス(4−
ジ−p−トリルアミノフェニル)プロパン;1,1−ビ
ス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)シクロヘキサ
ン;N,N,N’,N’−テトラ−p−トリル−(1,
1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン;1,1−ビ
ス(4−ジ−p−トリルアミノフェニル)−4−フェニ
ルシクロヘキサン;ビス(4−ジメチルアミノ−2−メ
チルフェニル)フェニルメタン;ビス(4−ジ−p−ト
リルアミノフェニル)フェニルメタン;N,N’−ジフ
ェニル−N,N’−ジ(4−メトキシフェニル)−
(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン;N,
N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノ
ジフェニルエーテル;4,4’−ビス(ジフェニルアミ
ノ)クオードリフェニル;N,N,N−トリ(p−トリ
ル)アミン;4−(ジ−p−トリルアミン)−4’−
〔4(ジ−p−トリルアミン)スチリル〕スチルベン;
4−N,N−ジフェニルアミノ−(2−ジフェニルビニ
ル)ベンゼン;3−メトキシ−4’−N,N−ジフェニ
ルアミノスチルベン;N−フェニルカルバゾールなどが
挙げられる。
【0046】上記EL素子における該正孔注入層は、こ
れらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で
構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
一方、前記(3)の構成のEL素子における電子注入層
(電子注入輸送層)は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、
れらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で
構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
一方、前記(3)の構成のEL素子における電子注入層
(電子注入輸送層)は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、
【0047】
【化26】
【0048】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、
【0049】
【化27】
【0050】などのチオピランジオキシド誘導体,
【0051】
【化28】
【0052】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント( Polymer Preprints),ジャパン」第
37巻,第3号,第681ページ(1988年)などに
記載のもの〕、あるいは
ー・プレプリント( Polymer Preprints),ジャパン」第
37巻,第3号,第681ページ(1988年)などに
記載のもの〕、あるいは
【0053】
【化29】
【0054】などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス(J.Apply.Phys.)」第27巻,
第269頁(1988年)などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体(特開昭57−149259号
公報,同58−55450号公報,同61−22515
1号公報,同61−233750号公報,同63−10
4061号公報などに記載のもの)、フレオレニリデン
メタン誘導体(特開昭60−69657号公報,同61
−143764号公報,同61−148159号公報な
どに記載のもの)、アントロン誘導体(特開昭61−2
25151号公報,同61−233750号公報などに
記載のもの)
ライド・フィジックス(J.Apply.Phys.)」第27巻,
第269頁(1988年)などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体(特開昭57−149259号
公報,同58−55450号公報,同61−22515
1号公報,同61−233750号公報,同63−10
4061号公報などに記載のもの)、フレオレニリデン
メタン誘導体(特開昭60−69657号公報,同61
−143764号公報,同61−148159号公報な
どに記載のもの)、アントロン誘導体(特開昭61−2
25151号公報,同61−233750号公報などに
記載のもの)
【0055】
【化30】
【0056】(式中、t−Buはターシャリブチル基を
示す。)「Appl.Phys.Lett. 」第55巻、第1489ペ
ージ(1989年)に開示されているオキサジアゾール
誘導体などを挙げることができる。なお、正孔注入層及
び電子注入層は電化の注入性,輸送性,障壁性のいずれ
かを有する層であり、上記した有機材料の他にSi系,
SiC系,CdS系などの結晶性ないし非結晶性材料な
どの無機材料を用いることもできる。有機材料を用いた
正孔注入層及び電子注入層は発光層と同様にして形成す
ることができ、無機材料を用いた正孔注入層及び電子注
入層は真空蒸着法やスパッタリングなどにより形成でき
るが、有機及び無機のいずれの材料を用いた場合でも発
光層のときと同様の理由から真空蒸着法により形成する
ことが好ましい。
示す。)「Appl.Phys.Lett. 」第55巻、第1489ペ
ージ(1989年)に開示されているオキサジアゾール
誘導体などを挙げることができる。なお、正孔注入層及
び電子注入層は電化の注入性,輸送性,障壁性のいずれ
かを有する層であり、上記した有機材料の他にSi系,
SiC系,CdS系などの結晶性ないし非結晶性材料な
どの無機材料を用いることもできる。有機材料を用いた
正孔注入層及び電子注入層は発光層と同様にして形成す
ることができ、無機材料を用いた正孔注入層及び電子注
入層は真空蒸着法やスパッタリングなどにより形成でき
るが、有機及び無機のいずれの材料を用いた場合でも発
光層のときと同様の理由から真空蒸着法により形成する
ことが好ましい。
【0057】次に、本発明の化合物を用いたEL素子を
作製する好適な方法の例を、各構成の素子それぞれにつ
いて説明する。前記の陽極/発光層/陰極からなるEL
素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上
に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜
を、1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の
膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料
である一般式(I)で表される化合物の薄膜を形成さ
せ、発光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法として
は、例えばスピンコート法,キャスト法,蒸着法などが
あるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生
成しにくいなどの点から、蒸着法が好ましい。該発光材
料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条
件は、使用する発光層に用いる有機化合物の種類,分子
堆積膜の目的とする結晶構造,会合構造などにより異な
るが、一般にボート加熱温度50〜400℃,真空度1
0-5〜10-3Pa,蒸着速度0.01〜50nm/se
c,基板温度−50〜+300℃,膜厚5nmないし5
μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層
の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm
以下、好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になる
ように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により
形成させ、陰極を設けることにより、所望のEL素子が
得られる。なお、このEL素子の作製においては、作製
順序を逆にして、陰極,発光層,陽極の順に作製するこ
とも可能である。
作製する好適な方法の例を、各構成の素子それぞれにつ
いて説明する。前記の陽極/発光層/陰極からなるEL
素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上
に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜
を、1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の
膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料
である一般式(I)で表される化合物の薄膜を形成さ
せ、発光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法として
は、例えばスピンコート法,キャスト法,蒸着法などが
あるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生
成しにくいなどの点から、蒸着法が好ましい。該発光材
料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条
件は、使用する発光層に用いる有機化合物の種類,分子
堆積膜の目的とする結晶構造,会合構造などにより異な
るが、一般にボート加熱温度50〜400℃,真空度1
0-5〜10-3Pa,蒸着速度0.01〜50nm/se
c,基板温度−50〜+300℃,膜厚5nmないし5
μmの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層
の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、1μm
以下、好ましくは50〜200nmの範囲の膜厚になる
ように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により
形成させ、陰極を設けることにより、所望のEL素子が
得られる。なお、このEL素子の作製においては、作製
順序を逆にして、陰極,発光層,陽極の順に作製するこ
とも可能である。
【0058】次に、陽極/正孔注入層/発光層/陰極か
らなるEL素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のEL素子の場合と同様にして形成したのち、
その上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などに
より形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件
は、前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じればよ
い。次に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極
を、前記EL素子の作製の場合と同様にして設けること
により、所望のEL素子が得られる。なお、このEL素
子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極,発光
層,正孔注入層,陽極の順に作製することも可能であ
る。
らなるEL素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のEL素子の場合と同様にして形成したのち、
その上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などに
より形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件
は、前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じればよ
い。次に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極
を、前記EL素子の作製の場合と同様にして設けること
により、所望のEL素子が得られる。なお、このEL素
子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極,発光
層,正孔注入層,陽極の順に作製することも可能であ
る。
【0059】さらに、陽極/正孔注入層/発光層/電子
注入層/陰極からなるEL素子の作製法について説明す
ると、まず、前記のEL素子の作製の場合と同様にし
て、陽極,正孔注入層,発光層を順次設けたのち、この
発光層の上に、電子伝達化合物からなる薄膜を蒸着法な
どにより形成し、電子注入層を設け、次いでこの上に、
陰極を前記EL素子の作製の場合と同様にして設けるこ
とにより、所望のEL素子が得られる。なお、このEL
素子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極,電
子注入層,発光層,正孔注入層,陽極の順に作製しても
よい。さらに、陽極/発光層/電子注入層/陰極からな
るEL素子の作製法について説明すると、まず、前記の
EL素子の作製の場合と同様にして、陽極,発光層を順
次設けたのち、この発光層の上に、電子伝達化合物から
なる薄膜を蒸着法などにより形成し、電子注入層を設
け、次いでこの上に、陰極を前記EL素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のEL素子が得ら
れる。なお、このEL素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陰極,電子注入層,発光層,陽極の順に作
製してもよい。
注入層/陰極からなるEL素子の作製法について説明す
ると、まず、前記のEL素子の作製の場合と同様にし
て、陽極,正孔注入層,発光層を順次設けたのち、この
発光層の上に、電子伝達化合物からなる薄膜を蒸着法な
どにより形成し、電子注入層を設け、次いでこの上に、
陰極を前記EL素子の作製の場合と同様にして設けるこ
とにより、所望のEL素子が得られる。なお、このEL
素子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極,電
子注入層,発光層,正孔注入層,陽極の順に作製しても
よい。さらに、陽極/発光層/電子注入層/陰極からな
るEL素子の作製法について説明すると、まず、前記の
EL素子の作製の場合と同様にして、陽極,発光層を順
次設けたのち、この発光層の上に、電子伝達化合物から
なる薄膜を蒸着法などにより形成し、電子注入層を設
け、次いでこの上に、陰極を前記EL素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のEL素子が得ら
れる。なお、このEL素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陰極,電子注入層,発光層,陽極の順に作
製してもよい。
【0060】このようにして得られたEL素子に、直流
電圧を印加する場合には、陽極を+,陰極を−の極性と
して電圧5〜40V程度を印加すると、発光が透明又は
半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧
を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、陽極が+,陰極が−
の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流
の波形は任意でよい。次に、該EL素子の発光メカニズ
ムについて、陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極の構
成の場合を例に挙げて説明する。前記陽極を+、陰極を
−の極性として電圧を印加すると、正孔が該陽極より正
孔注入層内に電界により注入される。この注入された正
孔は、該正孔注入輸送層内を発光層との界面に向けて輸
送され、この界面から発光機能が発現される領域(例え
ば発光層)に注入又は輸送される。一方、電子は、陰極
から発光層内に電界により注入され、さらに輸送され、
正孔のいる領域、すなわち、発光機能が発現される領域
で正孔と再結合する(この意味で、前記領域は再結合領
域といってもよい)。この再結合が行われると、分子、
その会合体又は結晶などの励起状態が形成され、これが
光に変換される。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層
と発光層との界面でもよいし、発光層と陰極との界面で
もよく、あるいは両界面より離れた発光層中央部であっ
てもよい。これは使用する化合物の種類、その会合や結
晶構造により変わる。
電圧を印加する場合には、陽極を+,陰極を−の極性と
して電圧5〜40V程度を印加すると、発光が透明又は
半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧
を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、陽極が+,陰極が−
の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流
の波形は任意でよい。次に、該EL素子の発光メカニズ
ムについて、陽極/正孔注入輸送層/発光層/陰極の構
成の場合を例に挙げて説明する。前記陽極を+、陰極を
−の極性として電圧を印加すると、正孔が該陽極より正
孔注入層内に電界により注入される。この注入された正
孔は、該正孔注入輸送層内を発光層との界面に向けて輸
送され、この界面から発光機能が発現される領域(例え
ば発光層)に注入又は輸送される。一方、電子は、陰極
から発光層内に電界により注入され、さらに輸送され、
正孔のいる領域、すなわち、発光機能が発現される領域
で正孔と再結合する(この意味で、前記領域は再結合領
域といってもよい)。この再結合が行われると、分子、
その会合体又は結晶などの励起状態が形成され、これが
光に変換される。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層
と発光層との界面でもよいし、発光層と陰極との界面で
もよく、あるいは両界面より離れた発光層中央部であっ
てもよい。これは使用する化合物の種類、その会合や結
晶構造により変わる。
【0061】
【実施例】次に本発明を実施例に基いてさらに詳しく説
明する。実施例1 (1)アリーレン基含有リン化合物の製造 2,5−ビス(クロロメチル)キシレン25gと亜リン
酸トリエチル49gを、アルゴン気流下オイルバスで、
温度150℃で7時間加熱攪拌を行った。その後、過剰
の亜リン酸トリエチル及び副生した塩化エチルを減圧留
去した。一晩放置後、生成した白色粉末をn−ヘキサン
で再結晶した結果、白色結晶46.5g(収率93%)を
得た。得られた生成物の融点は61.5〜63.5℃であっ
た。また、 1H−NMR分析は以下の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=6.9ppm (s;2H,中心キシレン環−H) δ=3.9ppm (q;8H,エトキシ基メチレン−CH2) δ=3.1ppm (d;4H,J=20Hz( 31P− 1Hカ
ップリング)P−CH2) δ=2.2ppm (s;6H,キシレン環−CH3 ) δ=1.1ppm (t;12H,エトキシ基メチル−CH3) 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表されるア
リーレン基含有リン化合物(ホスホネート)であること
が確認された。
明する。実施例1 (1)アリーレン基含有リン化合物の製造 2,5−ビス(クロロメチル)キシレン25gと亜リン
酸トリエチル49gを、アルゴン気流下オイルバスで、
温度150℃で7時間加熱攪拌を行った。その後、過剰
の亜リン酸トリエチル及び副生した塩化エチルを減圧留
去した。一晩放置後、生成した白色粉末をn−ヘキサン
で再結晶した結果、白色結晶46.5g(収率93%)を
得た。得られた生成物の融点は61.5〜63.5℃であっ
た。また、 1H−NMR分析は以下の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=6.9ppm (s;2H,中心キシレン環−H) δ=3.9ppm (q;8H,エトキシ基メチレン−CH2) δ=3.1ppm (d;4H,J=20Hz( 31P− 1Hカ
ップリング)P−CH2) δ=2.2ppm (s;6H,キシレン環−CH3 ) δ=1.1ppm (t;12H,エトキシ基メチル−CH3) 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表されるア
リーレン基含有リン化合物(ホスホネート)であること
が確認された。
【0062】
【化31】
【0063】(2)スチリル化合物の製造 上記(1)で得られたホスホネート2.4gとp−シアノ
ベンゾフェノン2.7gを、ジメチルスルホキシド100
ミリリットルに溶解し、これにカリウム−t−ブトキシ
ド1.4gを加え、アルゴン気流下室温で6時間攪拌した
後、一晩放置した。 得られた混合物にメタノール30
0ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次い
で、濾過生成物をカラム精製(展開溶媒にクロロホルム
を用いたシリカゲルカラム)を行った結果、淡黄色粉末
0.5gを得た(収率17%)。このものの融点は253
〜256℃であった。またこの粉末の 1H−NMR分析
は以下の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=7.5〜6.9ppm (m;20H,芳香環) δ=6.5ppm (s;2H,メチリディン−CH=C=) δ=2.0ppm (s;6H,キシレン環−CH3 ) さらに元素分析結果は、組成式C38H28N2 として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:89.21%(89.03%) H: 5.40%(5.51%) N: 5.27%(5.46%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr錠剤法)
は、以下の通りである。
ベンゾフェノン2.7gを、ジメチルスルホキシド100
ミリリットルに溶解し、これにカリウム−t−ブトキシ
ド1.4gを加え、アルゴン気流下室温で6時間攪拌した
後、一晩放置した。 得られた混合物にメタノール30
0ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次い
で、濾過生成物をカラム精製(展開溶媒にクロロホルム
を用いたシリカゲルカラム)を行った結果、淡黄色粉末
0.5gを得た(収率17%)。このものの融点は253
〜256℃であった。またこの粉末の 1H−NMR分析
は以下の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=7.5〜6.9ppm (m;20H,芳香環) δ=6.5ppm (s;2H,メチリディン−CH=C=) δ=2.0ppm (s;6H,キシレン環−CH3 ) さらに元素分析結果は、組成式C38H28N2 として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:89.21%(89.03%) H: 5.40%(5.51%) N: 5.27%(5.46%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr錠剤法)
は、以下の通りである。
【0064】
【化32】
【0065】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはm/Z=512であった。以上のこ
とより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
分子イオンピークはm/Z=512であった。以上のこ
とより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
【0066】
【化33】
【0067】で表される2,5−ビス〔2−(4−シア
ノフェニル)−2−フェニルビニル〕キシレンであるこ
とが確認された。
ノフェニル)−2−フェニルビニル〕キシレンであるこ
とが確認された。
【0068】実施例2 (1)アリーレン基含有リン化合物の製造 4,4’−ビス(ブロモメチル)ビフェニル9.0gと亜
リン酸トリエチル11gを、アルゴン気流下オイルバス
で、温度140℃で6時間加熱攪拌を行った。その後、
過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した臭化エチルを減
圧留去した。一晩放置後、白色結晶9.5g( 収率80%
)を得た。得られた生成物の融点は97.0〜100.0℃
であった。また、 1H−NMR分析結果は以下の通りで
ある。 1H−NMR(CDCl3) δ=7.0〜7.6ppm (m ;8H,ビフェニレン環−H) δ=4.0ppm (q; 8H,エトキシ基メチレン−CH2) δ=3.1ppm (d; 4H,J=20Hz(31P− 1Hカッ
プリング)P−CH2) δ=1.3ppm (t; 12H,エトキシ基メチル−CH3) 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表されるア
リーレン基含有リン化合物(ホスホネート)であること
が確認された。
リン酸トリエチル11gを、アルゴン気流下オイルバス
で、温度140℃で6時間加熱攪拌を行った。その後、
過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した臭化エチルを減
圧留去した。一晩放置後、白色結晶9.5g( 収率80%
)を得た。得られた生成物の融点は97.0〜100.0℃
であった。また、 1H−NMR分析結果は以下の通りで
ある。 1H−NMR(CDCl3) δ=7.0〜7.6ppm (m ;8H,ビフェニレン環−H) δ=4.0ppm (q; 8H,エトキシ基メチレン−CH2) δ=3.1ppm (d; 4H,J=20Hz(31P− 1Hカッ
プリング)P−CH2) δ=1.3ppm (t; 12H,エトキシ基メチル−CH3) 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表されるア
リーレン基含有リン化合物(ホスホネート)であること
が確認された。
【0069】
【化34】
【0070】(2)スチリル化合物の製造 上記(1)で得られたホスホネート1.4gとp−シアノ
ベンゾフェノン1.4gを、ジメチルスルホキシド60ミ
リリットルに溶解し、カリウム−t−ブトキシド0.7g
を加え、アルゴン気流下、室温にて攪拌した後、一晩放
置した。得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノー
ル200ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過し
た。次いで、濾過生成物をカラム精製(展開溶媒にクロ
ロホルムを用いたシリカゲルカラム)を行った結果、淡
黄色粉末0.3gが得られた(収率18%)。得られた生
成物の融点は257〜261℃であった。またこの粉末
の 1H−NMR分析結果は以下の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=6.8〜7.5ppm (m ;28H,芳香環及びメチリデ
ィン−CH=C=) さらに元素分析結果は、組成式C42H28N2 として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:89.74% (89.97%) H: 4.83% ( 5.03%) N: 4.77% ( 5.00%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr 錠剤法)
は、以下の通りである。
ベンゾフェノン1.4gを、ジメチルスルホキシド60ミ
リリットルに溶解し、カリウム−t−ブトキシド0.7g
を加え、アルゴン気流下、室温にて攪拌した後、一晩放
置した。得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノー
ル200ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過し
た。次いで、濾過生成物をカラム精製(展開溶媒にクロ
ロホルムを用いたシリカゲルカラム)を行った結果、淡
黄色粉末0.3gが得られた(収率18%)。得られた生
成物の融点は257〜261℃であった。またこの粉末
の 1H−NMR分析結果は以下の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=6.8〜7.5ppm (m ;28H,芳香環及びメチリデ
ィン−CH=C=) さらに元素分析結果は、組成式C42H28N2 として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:89.74% (89.97%) H: 4.83% ( 5.03%) N: 4.77% ( 5.00%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr 錠剤法)
は、以下の通りである。
【0071】
【化35】
【0072】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはm/Z=560であった。以上のこ
とより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
分子イオンピークはm/Z=560であった。以上のこ
とより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
【0073】
【化36】
【0074】で表される4,4’−ビフェニレンジメチ
リディン誘導体であることが確認された。
リディン誘導体であることが確認された。
【0075】実施例3 実施例2の(2)において(1)で得られたホスホネー
トの代わりに、2,2’−ジメチルビフェニルのホスホ
ン酸エステルを用いた以外は、実施例2と同様に操作し
た。得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール2
00ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次
いで、濾過生成物をカラム精製(展開溶媒にクロロホル
ムを用いたシリカゲルカラム)を行った結果、白色粉末
0.6gが得られた(収率20%)。得られた生成物の融
点は193〜195℃であった。またこの粉末の 1H−
NMR分析結果は以下の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=7.0〜7.6ppm ( m ;24H,中心ビフェニレン及
び末端フェニル) δ=6.6ppm (s ;2H,ビニル) δ=1.8ppm (s ;6H,メチル基) さらに元素分析結果は、組成式C44H32N2 として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:89.51% (89.76%) H: 5.53% ( 5.48%) N: 4.46% ( 4.76%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr 錠剤法)
は、以下の通りである。
トの代わりに、2,2’−ジメチルビフェニルのホスホ
ン酸エステルを用いた以外は、実施例2と同様に操作し
た。得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール2
00ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次
いで、濾過生成物をカラム精製(展開溶媒にクロロホル
ムを用いたシリカゲルカラム)を行った結果、白色粉末
0.6gが得られた(収率20%)。得られた生成物の融
点は193〜195℃であった。またこの粉末の 1H−
NMR分析結果は以下の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=7.0〜7.6ppm ( m ;24H,中心ビフェニレン及
び末端フェニル) δ=6.6ppm (s ;2H,ビニル) δ=1.8ppm (s ;6H,メチル基) さらに元素分析結果は、組成式C44H32N2 として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:89.51% (89.76%) H: 5.53% ( 5.48%) N: 4.46% ( 4.76%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr 錠剤法)
は、以下の通りである。
【0076】
【化37】
【0077】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはm/Z=588が検出された。以上
のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
分子イオンピークはm/Z=588が検出された。以上
のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
【0078】
【化38】
【0079】で表される2,2’−ジメチル−4,4’
−ビフェニレンジメチリディン誘導体であることが確認
された。
−ビフェニレンジメチリディン誘導体であることが確認
された。
【0080】実施例4
【0081】実施例2の(2)において(1)で得られ
たホスホネートの代わりに、2,2’,5,5’−テト
ラクロロビフェニルのホスホン酸エステルを用いた以外
は、実施例2と同様に操作した。得られた混合物の溶媒
を留去した後、メタノール200ミリリットルを加え、
析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成物をカラム
精製(展開溶媒にクロロホルムを用いたシリカゲルカラ
ム)を行った結果、白色粉末1.7gが得られた(収率6
2%)。得られた生成物の融点は210〜212℃であ
った。またこの粉末の 1H−NMR分析結果は以下の通
りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=7.0〜7.6ppm ( m ;22H,中心ビフェニレン及
び末端フェニル) δ=6.8ppm (s ;2H,ビニル) さらに元素分析結果は、組成式C42H24Cl4 N2 とし
て以下の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:72.41% (72.22%) H: 3.59% ( 3.46%) N: 3.79% ( 4.01%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr 錠剤法)
は、以下の通りである。
たホスホネートの代わりに、2,2’,5,5’−テト
ラクロロビフェニルのホスホン酸エステルを用いた以外
は、実施例2と同様に操作した。得られた混合物の溶媒
を留去した後、メタノール200ミリリットルを加え、
析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成物をカラム
精製(展開溶媒にクロロホルムを用いたシリカゲルカラ
ム)を行った結果、白色粉末1.7gが得られた(収率6
2%)。得られた生成物の融点は210〜212℃であ
った。またこの粉末の 1H−NMR分析結果は以下の通
りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=7.0〜7.6ppm ( m ;22H,中心ビフェニレン及
び末端フェニル) δ=6.8ppm (s ;2H,ビニル) さらに元素分析結果は、組成式C42H24Cl4 N2 とし
て以下の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:72.41% (72.22%) H: 3.59% ( 3.46%) N: 3.79% ( 4.01%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr 錠剤法)
は、以下の通りである。
【0082】
【化39】
【0083】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはm/Z=698が検出された。以上
のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
分子イオンピークはm/Z=698が検出された。以上
のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式
【0084】
【化40】
【0085】で表される2,2’,5,5’−テトラク
ロロ−4,4’−ビフェニレンジメチリディン誘導体で
あることが確認された。
ロロ−4,4’−ビフェニレンジメチリディン誘導体で
あることが確認された。
【0086】実施例5(スチリル化合物からなるEL素
子) 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITO
を蒸着法にて100nmの厚さで製膜したもの(HOY
A製)を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール中,純水中,イソプロピルアル
コール中の順に超音波洗浄を行い、その後、乾燥窒素を
吹きつけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、上記洗
浄後の基板をUV/O3 ドライストリッパー(サムコイ
ンターナショナル製)で3分間処理し、基板表面の有機
物を除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置(日
本真空技術(株)製)の基板ホルダーに固定し、モリブ
テン製の抵抗加熱ボートにN,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−N,N’−ビフェニル−〔1,1’−ビフ
ェニル〕−4,4’−ジアミン(TPD)を200mg
入れ、また別のモリブテン製ボートに実施例2で得られ
た4,4’−ビス〔2−(4−シアノフェニル)−2−
フェニルビニル〕ビフェニル(CPPVBi)を200
mg入れて真空槽を1×10-4Paまで減圧した。その
後TPD入りの前記ボートを、215〜220℃まで加
熱し、TPDを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持
基板上に蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜さ
せた。この時の基板温度は室温であった。次いで、これ
を真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、も
う一つのボートよりCPPVBiを発光層として80n
m積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が330℃で
蒸着速度は0.2〜0.4nm/秒、基板温度は室温であっ
た。これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステ
ンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定した。次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムリボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵
抗加熱ボートにインジウムを500mg装着した。その
後真空槽を2×10-4Paまで減圧してから、インジウ
ムを0.03〜0.08nm/秒の蒸着速度で、同時にもう
一方のボートよりマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の
蒸着速度で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入
り,マグネシウム入りのボートそれぞれ800℃,50
0℃程度であった。上記条件でマグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を発光層の上に150nm積層蒸着し
て対向電極とし、素子を形成した。ITO電極を陽極、
マグネシウムとインジウムの混合金属電極を陰極とし
て、得られた素子に、直流電圧10Vを印加すると電流
が330mA/cm2 程度流れ、色度座標でYellowGree
n発光を得た。ピーク波長は分光測定より563nmで
あり、発光輝度は2000cd/cm2 以上であった。
また、得られたEL素子について定電流駆動(1.0mA
/cm2 )を窒素中で行い、初期輝度劣化の測定をおこ
なった。ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウム
の混合金属電極を陰極として、得られた素子に電流を流
し一定時間毎に輝度及び印加電圧を測定した結果、1時
間で20%の減少があったものの、それ以降は安定した
発光が得られた(図1参照)。
子) 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITO
を蒸着法にて100nmの厚さで製膜したもの(HOY
A製)を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール中,純水中,イソプロピルアル
コール中の順に超音波洗浄を行い、その後、乾燥窒素を
吹きつけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、上記洗
浄後の基板をUV/O3 ドライストリッパー(サムコイ
ンターナショナル製)で3分間処理し、基板表面の有機
物を除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置(日
本真空技術(株)製)の基板ホルダーに固定し、モリブ
テン製の抵抗加熱ボートにN,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−N,N’−ビフェニル−〔1,1’−ビフ
ェニル〕−4,4’−ジアミン(TPD)を200mg
入れ、また別のモリブテン製ボートに実施例2で得られ
た4,4’−ビス〔2−(4−シアノフェニル)−2−
フェニルビニル〕ビフェニル(CPPVBi)を200
mg入れて真空槽を1×10-4Paまで減圧した。その
後TPD入りの前記ボートを、215〜220℃まで加
熱し、TPDを蒸着速度0.1〜0.3nm/秒で透明支持
基板上に蒸着して、膜厚60nmの正孔注入層を製膜さ
せた。この時の基板温度は室温であった。次いで、これ
を真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、も
う一つのボートよりCPPVBiを発光層として80n
m積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が330℃で
蒸着速度は0.2〜0.4nm/秒、基板温度は室温であっ
た。これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステ
ンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定した。次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムリボン1gを入れ、また別のモリブテン製の抵
抗加熱ボートにインジウムを500mg装着した。その
後真空槽を2×10-4Paまで減圧してから、インジウ
ムを0.03〜0.08nm/秒の蒸着速度で、同時にもう
一方のボートよりマグネシウムを1.7〜2.8nm/秒の
蒸着速度で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入
り,マグネシウム入りのボートそれぞれ800℃,50
0℃程度であった。上記条件でマグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を発光層の上に150nm積層蒸着し
て対向電極とし、素子を形成した。ITO電極を陽極、
マグネシウムとインジウムの混合金属電極を陰極とし
て、得られた素子に、直流電圧10Vを印加すると電流
が330mA/cm2 程度流れ、色度座標でYellowGree
n発光を得た。ピーク波長は分光測定より563nmで
あり、発光輝度は2000cd/cm2 以上であった。
また、得られたEL素子について定電流駆動(1.0mA
/cm2 )を窒素中で行い、初期輝度劣化の測定をおこ
なった。ITO電極を陽極、マグネシウムとインジウム
の混合金属電極を陰極として、得られた素子に電流を流
し一定時間毎に輝度及び印加電圧を測定した結果、1時
間で20%の減少があったものの、それ以降は安定した
発光が得られた(図1参照)。
【0087】実施例6(スチリル化合物からなるEL素
子) 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITO
を蒸着法にて100nmの厚さで製膜したもの(HOY
A製)を透明支持基板とした。この透明支持基板をUV
オゾン処理装置(日本電池社製)にて2分間UVオゾン
洗浄を行った。次いで、市販の蒸着装置(日本真空技術
(株)製)の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDを200mg入れ、また別のモリ
ブテン製ボートに実施例1で得られた2,5−ビス〔2
−(4−シアノフェニル)−2−フェニルビニル〕キシ
レン(CPPVX)を200mg入れて真空槽を1×1
0-4Paまで減圧した。その後TPDの入った前記ボー
トを215〜220℃まで加熱し、TPDを蒸着速度0.
1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚6
0nmの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は
室温であった。次いで、これを真空槽より取り出すこと
なく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりCPP
VXを発光層として80nm積層蒸着した。蒸着条件
は、ボート温度が260℃で、蒸着速度は0.2〜0.4n
m/秒、基板温度は室温であった。これを真空槽より取
り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマス
クを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブ
テン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン1gを入
れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボートにインジウ
ム500mgを装着した。その後真空槽を2×10-4P
aまで減圧してから、インジウムを0.03〜0.08nm
/秒の蒸着速度で、同時にもう一方のボートよりマグネ
シウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度で蒸着し始め
た。ボートの温度はインジウム入り,マグネシウム入り
のボートそれぞれ800℃,500℃程度であった。上
記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を発
光層の上に150nm積層蒸着して対向電極とし、素子
を形成した。ITO電極を陽極、マグネシウムとインジ
ウムの混合金属電極を陰極として、得られた素子に、直
流電圧7.5Vを印加すると電流が12mA/cm2 程度
流れ、発光輝度135cd/cm2 、色度座標でYellow
ish Green 発光を得た。ピーク波長は分光測定より53
0nmであった。また、得られたEL素子について定電
流駆動(1.0mA/cm2 )を窒素中で行い、初期輝度
劣化の測定を行った。ITO電極を陽極、マグネシウム
とインジウムの混合金属電極を陰極として、得られた素
子に電流を流し一定時間毎に輝度及び印加電圧を測定し
た結果、1時間で25%の減少があったものの、それ以
降は安定した発光が得られた。
子) 25mm×75mm×1.1mmのガラス基板上にITO
を蒸着法にて100nmの厚さで製膜したもの(HOY
A製)を透明支持基板とした。この透明支持基板をUV
オゾン処理装置(日本電池社製)にて2分間UVオゾン
洗浄を行った。次いで、市販の蒸着装置(日本真空技術
(株)製)の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにTPDを200mg入れ、また別のモリ
ブテン製ボートに実施例1で得られた2,5−ビス〔2
−(4−シアノフェニル)−2−フェニルビニル〕キシ
レン(CPPVX)を200mg入れて真空槽を1×1
0-4Paまで減圧した。その後TPDの入った前記ボー
トを215〜220℃まで加熱し、TPDを蒸着速度0.
1〜0.3nm/秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚6
0nmの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は
室温であった。次いで、これを真空槽より取り出すこと
なく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりCPP
VXを発光層として80nm積層蒸着した。蒸着条件
は、ボート温度が260℃で、蒸着速度は0.2〜0.4n
m/秒、基板温度は室温であった。これを真空槽より取
り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマス
クを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブ
テン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン1gを入
れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボートにインジウ
ム500mgを装着した。その後真空槽を2×10-4P
aまで減圧してから、インジウムを0.03〜0.08nm
/秒の蒸着速度で、同時にもう一方のボートよりマグネ
シウムを1.7〜2.8nm/秒の蒸着速度で蒸着し始め
た。ボートの温度はインジウム入り,マグネシウム入り
のボートそれぞれ800℃,500℃程度であった。上
記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を発
光層の上に150nm積層蒸着して対向電極とし、素子
を形成した。ITO電極を陽極、マグネシウムとインジ
ウムの混合金属電極を陰極として、得られた素子に、直
流電圧7.5Vを印加すると電流が12mA/cm2 程度
流れ、発光輝度135cd/cm2 、色度座標でYellow
ish Green 発光を得た。ピーク波長は分光測定より53
0nmであった。また、得られたEL素子について定電
流駆動(1.0mA/cm2 )を窒素中で行い、初期輝度
劣化の測定を行った。ITO電極を陽極、マグネシウム
とインジウムの混合金属電極を陰極として、得られた素
子に電流を流し一定時間毎に輝度及び印加電圧を測定し
た結果、1時間で25%の減少があったものの、それ以
降は安定した発光が得られた。
【0088】実施例7 実施例2の(2)において(1)で得られたホスホネー
トの代わりに、2,2’−ジメチルビフェニルのホスホ
ン酸エステルを用い、p−シアノベンゾフェノンの代わ
りに、4,4’−ジシアノベンゾフェノンを用いた以外
は、実施例2と同様に操作した。得られた混合物の溶媒
を留去した後、メタノール200ミリリットルを加え、
析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成物をカラム
精製(展開溶媒に塩化メチレンを用いたシリカゲルカラ
ム)を行った結果、白色粉末0.5gが得られた(収率1
9%)。得られた生成物の融点は206.0〜207.0℃
であった。またこの粉末の 1H−NMR分析結果は以下
の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=6.8〜7.6ppm ( m ;22H,中心ビフェニレン及
び末端フェニル) δ=6.5ppm (s ;2H,ビニル) δ=1.8ppm (s ;6H,メチル基) さらに元素分析結果は、組成式C46H30N4 として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:86.27% (86.50%) H: 5.01% ( 4.73%) N: 8.54% ( 8.77%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr 錠剤法)
は、以下の通りである。
トの代わりに、2,2’−ジメチルビフェニルのホスホ
ン酸エステルを用い、p−シアノベンゾフェノンの代わ
りに、4,4’−ジシアノベンゾフェノンを用いた以外
は、実施例2と同様に操作した。得られた混合物の溶媒
を留去した後、メタノール200ミリリットルを加え、
析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成物をカラム
精製(展開溶媒に塩化メチレンを用いたシリカゲルカラ
ム)を行った結果、白色粉末0.5gが得られた(収率1
9%)。得られた生成物の融点は206.0〜207.0℃
であった。またこの粉末の 1H−NMR分析結果は以下
の通りである。 1 H−NMR(CDCl3) δ=6.8〜7.6ppm ( m ;22H,中心ビフェニレン及
び末端フェニル) δ=6.5ppm (s ;2H,ビニル) δ=1.8ppm (s ;6H,メチル基) さらに元素分析結果は、組成式C46H30N4 として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 C:86.27% (86.50%) H: 5.01% ( 4.73%) N: 8.54% ( 8.77%) また、赤外線(IR)吸収スペクトル(KBr 錠剤法)
は、以下の通りである。
【0089】
【化41】
【0090】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはm/Z=638が検出された。以上
のことより、上記生成物である白色粉末は、下記式
分子イオンピークはm/Z=638が検出された。以上
のことより、上記生成物である白色粉末は、下記式
【0091】
【化42】 で表される2,2’−ジメチル−4,4’−ビフェニレ
ンジメチリディン誘導体であることが確認された。
ンジメチリディン誘導体であることが確認された。
【0092】比較例1 CPPVBiの代わに、下記スチリル化合物(A)
【0093】
【化43】
【0094】を用いた以外は実施例5と同様の操作を行
いEL素子を作製した。また、得られたEL素子につい
て実施例5と同様な方法で初期輝度劣化の測定を行っ
た。その結果、1時間で80%の減少があり初期輝度の
劣化が著しかった(図1参照)。
いEL素子を作製した。また、得られたEL素子につい
て実施例5と同様な方法で初期輝度劣化の測定を行っ
た。その結果、1時間で80%の減少があり初期輝度の
劣化が著しかった(図1参照)。
【0095】
【発明の効果】本発明のスチリル化合物は、新規な化合
物であり、シアノ基を有することから熱安定性に優れて
いる。そのため、該スチリル化合物からなるEL素子
は、初期輝度劣化を20%程度に抑えられ、その後は安
定した発光を維持することができる。したがって、本発
明のスチリル化合物は、有機ELの発光材料を始め、各
種発光材料として、有効な利用が期待できる。
物であり、シアノ基を有することから熱安定性に優れて
いる。そのため、該スチリル化合物からなるEL素子
は、初期輝度劣化を20%程度に抑えられ、その後は安
定した発光を維持することができる。したがって、本発
明のスチリル化合物は、有機ELの発光材料を始め、各
種発光材料として、有効な利用が期待できる。
【図1】発光の相対輝度の経時変化を表したグラフであ
る。
る。
1 実施例5で作製したEL素子の発光の経時変化を示
す。 2 比較例1で作製したEL素子の発光の経時変化を示
す。
す。 2 比較例1で作製したEL素子の発光の経時変化を示
す。
Claims (5)
- 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 〔式中、k,l,m,nはそれぞれ0〜5の整数を示
す。但し、k,l,m,nがいずれも0の場合は除く。
Arは、 【化2】 (式中、R1 は炭素数1〜6のアルキル基又はハロゲン
を示し、R2 ,R3 はそれぞれ水素,炭素数1〜6のア
ルキル基又はハロゲンを示す。また、pは1〜4の整
数、q,rはそれぞれ0〜4の整数を示す。但し、p,
q,rが複数のときはR1 ,R2 ,R3 はそれぞれ同じ
でも異なっていてもよい。)を示す。〕で表されるスチ
リル化合物。 - 【請求項2】 一般式(II) 【化3】 〔式中、Rは炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基
を示し、Arは前記と同様である。〕で表されるアリー
レン基含有リン化合物を、一般式(III) 【化4】 〔式中、s,tはそれぞれ0〜5の整数を示す。但し、
s,tがいずれも0の場合は除く。〕で表されるケトン
と縮合させることを特徴とする請求項1記載のスチリル
化合物の製造方法。 - 【請求項3】 一般式(IV) 【化5】 〔式中、R,s,tは前記と同様である。〕で表される
リン化合物を、一般式(V) 【化6】 OHC−Ar−CHO …(v) 〔式中、Arは前記と同様である。〕で表されるジアル
デヒドと縮合させることを特徴とする請求項1記載のス
チリル化合物の製造方法。 - 【請求項4】 一般式(VI) 【化7】 〔式中、R,k,m,Arは前記と同様である。〕で表
されるアリーレン基含有リン化合物を、一般式(VII) 【化8】 〔式中、l,nは前記と同様である。〕で表されるケト
ンと縮合させることを特徴とする請求項1記載のスチリ
ル化合物の製造方法。 - 【請求項5】 請求項1記載のスチリル化合物を発光材
料とするエレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3057714A JPH0798787B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | スチリル化合物,その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3057714A JPH0798787B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | スチリル化合物,その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04275268A JPH04275268A (ja) | 1992-09-30 |
JPH0798787B2 true JPH0798787B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=13063619
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3057714A Expired - Fee Related JPH0798787B2 (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | スチリル化合物,その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0798787B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR100274871B1 (ko) * | 1998-11-12 | 2000-12-15 | 김순택 | 발광 화합물 및 이를 발색 재료로서 채용하고 있는 표시소자2 |
KR20030018347A (ko) * | 2001-08-28 | 2003-03-06 | 손기남 | 4,4'-비스(2,2-디페닐-1-비닐)-1,1'-비페닐 유도체의개선된 제조방법 |
US6602619B2 (en) | 2001-10-19 | 2003-08-05 | Lightronik Technology Inc. | Organic EL device |
US6706423B2 (en) | 2001-12-27 | 2004-03-16 | Lightronik Technology Inc. | Organic EL device |
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