JPH0798787B2 - スチリル化合物，その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なスチリル化合
物，その製造方法及びそれからなるエレクトロルミネッ
センス素子に関し、詳しくはエレクトロルミネッセンス
素子（ＥＬ素子）の発光材料に有用な新規なスチリル化
合物及びその効率のよい製造方法，ならびに該スチリル
化合物を用いたＥＬ素子に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】有機化
合物の高い蛍光効率に着目し、有機化合物のＥＬ性能を
利用した素子の研究は古くから行われている。例えば、
Ｗ. Helfrish, Dresmer,Williamsらはアントラセン結晶
を用い、青色発光を得ている（J.Chem. Phys.,44, 2902
(1966))。また、Vincett やBarlowらは、縮合多環芳香
族化合物を真空蒸着法により発光素子の製作を行ってい
る（Thin Solid Films, 99, 171(1982))。しかしいずれ
も発光輝度，発光効率の低いものしか得られていない。
最近、テトラフェニルブタジエンを発光材料に用いて１
００ｃｄ／ｍ² の青色発光を得たことが報告されている
（特開昭５９−１９４３９３号公報）。更に、正孔伝導
性のジアミン化合物と発光材料としての蛍光性アルミニ
ウムキレート錯体を積層することにより、輝度１０００
ｃｄ／ｍ²以上の緑色発光有機薄膜ＥＬ素子を開発した
ことが報告されている（Appl. Phys. Lett., 51, 913(1
987)) 。また、レーザー色素として有名なジスチリルベ
ンゼン系化合物は、青〜青緑の領域で高い蛍光性を有
し、これを発光材料として単層で８０ｃｄ／ｍ²程度の
ＥＬ発光を得られたことが報告されている（欧州特許第
０３１９８８１号明細書）。また、スチリル化合物を含
有することを特徴とする感光体については、特開昭６３
−２６９１５８号公報及び特開平３−１１３５５号公報
に開示されている。本発明者らは、特開平２−２４７２
７８号公報において、輝度１０００ｃｄ／ｍ² 以上の高
輝度のエレクトロルミネッセンス発光を与えるスチリル
化合物を提供するとともに、さらに初期輝度の劣化の少
ないスチリル化合物を開発すべく鋭意研究を重ねた。

【０００３】

【課題を解決するための手段】その結果、特定の置換基
を有する新規なスチリル化合物が、上記目的に適うもの
であることを見出した。本発明は、かかる知見に基づい
て完成したものである。すなわち本発明は、一般式
（Ｉ）

【０００４】

【化９】

【０００５】〔式中、ｋ，ｌ，ｍ，ｎはそれぞれ０〜５
の整数を示す。但し、ｋ，ｌ，ｍ，ｎがいずれも０の場
合は除く。Ａｒは、

【０００６】

【化１０】

【０００７】（式中、Ｒ¹ は炭素数１〜６のアルキル基
又はハロゲンを示し、Ｒ² ，Ｒ³ はそれぞれ水素，炭素
数１〜６のアルキル基又はハロゲンを示す。また、ｐは
１〜４の整数、ｑ，ｒはそれぞれ０〜４の整数を示す。
但し、ｐ，ｑ，ｒが複数のときはＲ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ はそ
れぞれ同じでも異なっていてもよい。）を示す。〕で表
されるスチリル化合物を提供するものである。また、本
発明は、一般式（II）

【０００８】

【化１１】

【０００９】〔式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又
はフェニル基を示し、Ａｒは前記と同様である。〕で表
されるアリーレン基含有リン化合物を、一般式（III)

【００１０】

【化１２】

【００１１】〔式中、ｓ，ｔはそれぞれ０〜５の整数を
示す。但し、ｓ，ｔがいずれも０の場合は除く。〕で表
されるケトンと縮合させることを特徴とする一般式
（Ｉ）に示すスチリル化合物の製造方法（以下方法Ａと
する。）を提供し、さらに一般式（IV）

【００１２】

【化１３】

【００１３】〔式中、Ｒ，ｓ，ｔは前記と同様であ
る。〕で表されるリン化合物を、一般式（Ｖ）

【００１４】

【化１４】 ＯＣＨ−Ａｒ−ＣＨＯ …ｖ

【００１５】〔式中、Ａｒは前記と同様である。〕で表
されるジアルデヒドと縮合させることを特徴とする一般
式（Ｉ）に示すスチリル化合物の製造方法（以下方法Ｂ
とする。）を提供するものである。更に、本発明は、一
般式（VI）

【００１６】

【化１５】

【００１７】〔式中、Ｒ，ｋ，ｍ，Ａｒは前記と同様で
ある。〕で表されるアリーレン基含有リン化合物を、一
般式（VII)

【００１８】

【化１６】

【００１９】〔式中、ｌ，ｎは前記と同様である。〕で
表されるケトンと縮合させることを特徴とする一般式
（Ｉ）に示すスチリル化合物の製造方法（以下方法Ｃと
する。）を提供し、さらに一般式（Ｉ）に示すスチリル
化合物を発光材料とするエレクトロルミネッセンス素子
を提供するものである。

【００２０】前記式（Ｉ）で表されるスチリル化合物
は、１分子中に２つのメチリディン（ ＝Ｃ＝ＣＨ−
）単位を有し、このメチリディン単位の幾何異性によ
って、４通りの組合わせすなわち、シス−シス，トラン
ス−シス，シス−トランス及びトランス−トランスの組
合わせがあるが、本発明のスチリル化合物は、それらの
いずれのものであってもよいし、幾何異性体の混合した
ものでもよい。特に好ましくは、全てトランス体のもの
である。上述した本発明の新規なスチリル化合物は、各
種の方法で製造することができるが、本発明の上記方法
Ａ，ＢあるいはＣによれば、効率よく製造することがで
きる。

【００２１】まず、本発明の方法Ａでは、前述の一般式
（II）で表されるアリーレン基含有リン化合物と一般式
（III)で表されるケトンとを、縮合反応させることによ
って、目的とする一般式（Ｉ）のスチリル化合物を製造
する。ここで一般式（II）中のＡｒは、製造すべきスチ
リル化合物のＡｒに対応する。ここでＡｒは、例えばト
リレン基，キシリレン基，テトラメチルフェニレン基，
エチルキシリレン基，ジクロロフェニレン基，テトラブ
ロモフェニレン基，ジターシャリブチルフェニレン基，
ビフェニレン基，メチルビフェニレン基，ジメチルビフ
ェニレン基，ジエチルメチルビフェニレン基，ジクロロ
ビフェニレン基，ジブロモビフェニレン基，テトラクロ
ロビフェニレン基，ジターシャリブチルジブロモビフェ
ニレン基，オクタメチルビフェニレン基などが挙げられ
る。また、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、メ
チル基，エチル基，プロピル基，ブチル基）及びフェニ
ル基である。このアリーレン基含有リン化合物は、公知
の方法、例えば Arbsov 反応：つまり 一般式 ＸＨ₂ Ｃ−Ａr −ＣＨ₂ Ｘ 〔式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ａｒは前記と同様で
ある。〕で表される芳香族ビスハロメチル化合物と、 一般式 (ＲＯ)₃Ｐ 〔式中、Ｒは前記と同様である。〕で表される亜リン酸
トリアルキルを反応させることにより得ることができ
る。また、一般式（III)のケトンにおいて、シアノ基の
置換数ｓ，ｔは、製造すべきスチリル化合物のシアノ基
の置換数ｋ，ｌ，ｍ，ｎに対応して選定される。この一
般式（II）のアリーレン基含有リン化合物と一般式（II
I)のケトンとの縮合反応は、様々な条件で進行させるこ
とができる。ここで用いる反応溶媒としては、炭化水
素，アルコール類，エーテル類が良好である。具体的に
は、メタノール；エタノール；イソプロパノール；ブタ
ノール；２−メトキシエタノール；１，２−ジメトキシ
エタン；ビス（２−メトキシエチル）エーテル；ジオキ
サン；テトラヒドロフラン；トルエン；キシレン；ジメ
チルスルホキシド；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド；Ｎ
−メチルピロリドン；１，３−ジメチル−２−イミダゾ
リジノンなどが挙げられる。中でもテトラヒドロフラ
ン，ジメチルスルホキシドが好適である。また、縮合剤
としては苛性ソーダ，苛性カリ，ナトリウムアミド，水
素化ナトリウム，ｎ−ブチルリチウム，ナトリウムメチ
ラート及びカリウム−ｔ−ブトキシド等のアルコラート
が、必要に応じて用いられる。中でもｎ−ブチルリチウ
ム，カリウム−ｔ−ブトキシドが好適である。反応温度
は、用いる反応原料の種類や他の条件により異なり、一
義的に定めることはできないが、通常は約０℃〜約１０
０℃まで広範囲に選択することができる。特に好ましく
は１０℃〜７０℃の範囲である。

【００２２】本発明のスチリル化合物は、上記方法Ａで
効率よく製造することができるが、またこのスチリル化
合物のうち、特定のものは、方法Ｂによっても効率よく
製造することができる。この方法Ｂでは、一般式（IV）
で表されるリン化合物と一般式（Ｖ）で表されるジアル
デヒドとを、縮合反応させることによって、目的とする
一般式（Ｉ）のスチリル化合物を製造する。ここで一般
式（IV）中のＲは炭素数１〜４のアルキル基（例えば、
メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基）及びフェ
ニル基であり、シアノ基の置換数ｓ，ｔは製造すべきス
チリル化合物のシアノ基の置換数ｋ，ｌ，ｍ，ｎに対応
する。また、一般式（Ｖ）中のＡｒは、製造すべきスチ
リル化合物のＡｒに対応する。この一般式（IV）のリン
化合物と一般式（Ｖ）のジアルデヒドとの縮合反応は、
様々な条件で進行させることができる。ここで好適に用
られる反応溶媒や縮合剤は、前記方法Ａで用いるものと
同様である。また、反応温度は、用いる反応原料の種類
や他の条件により異なり、一義的に定めることはできな
いが、通常は約０℃〜約１００℃まで広範囲に選択する
ことができる。特に好ましくは０℃〜７０℃である。

【００２３】本発明のスチリル化合物は、上述の方法Ａ
及びＢにより効率よく製造することができる。また、さ
らに方法Ｃによっても製造できる。この方法Ｃでは、一
般式（VI）で表されるリン化合物と一般式（VII)で表さ
れるケトンとを縮合反応させることによって、目的とす
る一般式（Ｉ）のスチリル化合物を製造する。ここで一
般式（VI）中のＲは炭素数１〜４のアルキル基（例え
ば、メチル基，エチル基，プロピル基，ブチル基）及び
フェニル基であり、シアノ基の置換数ｋ，ｍは製造すべ
きスチリル化合物のシアノ基の置換数ｋ，ｍに対応して
選定される。ここで、一般式（VI）の製造法としては、
一般式

【００２４】

【化１７】

【００２５】〔式中、ｋ，ｍ，Ｒは、前記と同様であ
る。〕で表されるリン化合物を一般式 ＯＨＣ−Ａｒ−ＣＨ₃ 〔式中、Ａｒは前記と同様である。〕で表されるアルデ
ヒドを縮合させることにより一般式

【００２６】

【化１８】

【００２７】〔式中、ｋ，ｍ，Ａｒは前記と同様であ
る。〕で表されるスチリル化合物が得られる。これを公
知の方法、例えばＮ−ハロアミド、特にＮ−クロロ又は
Ｎ−ブロモ−コハク酸アミドによるハロゲン化反応によ
り一般式

【００２８】

【化１９】

【００２９】〔式中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ａｒ，
ｋ，ｍは前記と同様である。〕で表される芳香族ハロメ
チル化合物が得られる。このハロメチル化合物と、一般
式 （ＲＯ)₃Ｐ 〔式中、Ｒは前記と同様である。〕で表される亜リン酸
トリアルキルを反応させることにより得ることができ
る。以上が一般式（VI）の製造法であるが、また、一般
式（VII)のケトンにおいて、シアノ基の置換数ｌ，ｎ
は、製造すべきスチリル化合物（Ｉ）のシアノ基の置換
数ｌ，ｎに対応し、選定される。この一般式（VI）のリ
ン化合物と一般式（VII)のケトンとの縮合反応は、様々
な条件で進行させることができる。ここで、好適に用い
られる反応溶媒や縮合剤は、前記方法Ａで用いるものと
同様である。また、反応温度は、用いる反応原料の種類
や他の条件により異なり、一義的に定めることはできな
いが、通常は約０℃〜約１００℃まで広範囲に選定する
ことができる。特に好ましくは、０℃〜７０℃の範囲で
ある。

【００３０】一般式（Ｉ）で表される化合物の具体例と
しては、次に示すものを挙げることができる。

【００３１】

【化２０】

【００３２】

【化２１】

【００３３】

【化２２】

【００３４】

【化２３】

【００３５】

【化２４】

【００３６】

【化２５】

【００３７】但し、これらに限定されるものではない。
このようにして得られる本発明のスチリル化合物は、低
電圧で高輝度の発光が可能なＥＬ素子として有効に利用
できるものである。この本発明のスチリル化合物は、Ｅ
Ｌ素子の発光層として不可欠な電子注入機能，電子輸送
機能及び発光機能を兼備し、しかも耐熱性，薄膜性にす
ぐれている。さらに、このスチリル化合物は、蒸着温度
まで加熱しても、分解や変質することなく、均一な微結
晶粒からなる緻密な膜が形成できる上、ピンホールが生
成しないという長所がある。すでに述べたように、本発
明の前記一般式（Ｉ）で表される化合物は、ＥＬ素子に
おける発光層として有効である。この発光層は、例えば
蒸着法，スピンコート法，キャスト法などの公知の方法
によって、一般式（Ｉ）の化合物を薄膜化してことによ
り形成することができるが、特に分子堆積膜とすること
が好ましい。ここで分子堆積膜とは、該化合物の気相状
態から沈着され形成された薄膜や、該化合物の溶液状態
又は液相状態から固体化され形成された膜のことであ
り、例えば蒸着膜などを示すが、通常この分子堆積膜は
ＬＢ法により形成された薄膜（分子累積膜）とは区別す
ることができる。また、該発光層は、特開昭５９−１９
４３９３号公報などに開示されているように、樹脂など
の結着剤と該化合物とを、溶剤に溶かして溶液としたの
ち、これをスピンコート法などにより薄膜化し、形成す
ることができる。

【００３８】このようにして形成された発光層の薄膜に
ついては特に制限はなく、適宜状況に応じて選ぶことが
できるが、通常５ｎｍないし５μｍの範囲で選定され
る。このＥＬ素子における発光層は、（１）電界印加時
に、陽極又は正孔注入層により正孔を注入することがで
き、かつ陰極又は電子注入層より電子を注入することが
できる注入機能、（２）注入した電荷（電子と正孔）を
電界の力で移動させる輸送機能、（３）電子と正孔の再
結合の場を発光層内部に提供し、これを発光につなげる
発光機能などを有している。なお、正孔の注入されやす
さと、電子の注入されやすさに違いがあってもよいし、
正孔と電子の移動度で表される輸送能に大小があっても
よいが、どちらか一方の電荷を移動することが好まし
い。この発光層に用いる前記一般式（Ｉ）で表される化
合物は、一般にイオン化エネルギーが6.０ｅＶ程度より
小さいので、適当な陽極金属又は陽極化合物を選べば、
比較的正孔を注入しやすい。また電子親和力は2.８ｅＶ
程度より大きいので、適当な陰極金属又は陰極化合物を
選べば、比較的電子を注入しやすい上、電子，正孔の輸
送能力も優れている。さらに固体状態の蛍光性が強いた
め、該化合物やその会合体又は結晶などの電子と正孔の
再結晶時に形成された励起状態を光に変換する能力が大
きい。

【００３９】本発明の化合物を用いたＥＬ素子の構成
は、各種の態様があるが、基本的には、一対の電極（陽
極と陰極）間に、前記発光層を挟持した構成とし、これ
に必要に応じて、正孔注入層や電子注入層を介在させれ
ばよい。具体的には（１）陽極／発光層／陰極，（２）
陽極／正孔注入層／発光層／陰極，（３）陽極／正孔注
入層／発光層／電子注入層／陰極，（４）陽極／発光層
／電子注入層／陰極などの構成を挙げることができる。
該正孔注入層や電子注入層は、必ずしも必要ではない
が、これらの層があると発光性能が一段と向上する。ま
た、前記構成の素子においては、いずれも基板に支持さ
れていることが好ましく、該基板については特に制限は
なく、従来ＥＬ素子に慣用されているもの、例えばガラ
ス，透明プラスチック，石英などから成るものを用いる
ことができる。

【００４０】このＥＬ素子における陽極としては、仕事
関数の大きい（４ｅＶ以上）金属，合金，電気伝導性化
合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好まし
く用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡ
ｕなどの金属，ＣｕＩ，ＩＴＯ，ＳｎＯ₂ ，ＺｎＯなど
の誘電性透明材料が挙げられる。該陽極は、これらの電
極物質を蒸着やスパッタリングなどの方法により、薄膜
を形成させることにより作製することができる。この電
極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大
きくすることが望ましく、また、電極としてのシート抵
抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にも
よるが、通常１０ｎｍないし１μｍ，好ましくは１０〜
２００ｎｍの範囲で選ばれる。

【００４１】一方、陰極としては、仕事関数の小さい
（４ｅＶ以下）金属，合金，電気伝導性化合物及びこれ
らの混合物を電極物質とするものが用いられる。このよ
うな電極物質の具体例としては、ナトリウム，ナトリウ
ム−カリウム合金，マグネシウム，リチウム，マグネシ
ウム／銅混合物，Ａｌ／ＡｌＯ₂ ，インジウムなどが挙
げられる。該陰極は、これらの電極物質を蒸着やスパッ
タリングなどの方法により、薄膜を形成させることによ
り、作製することができる。また、電極としてのシート
抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ
ないし１μｍ，好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選
ばれる。なお、このＥＬ素子においては、該陽極又は陰
極のいずれか一方が透明又は半透明であることが、発光
を透過するため、発光の取出し効率がよく好都合であ
る。

【００４２】本発明の化合物を用いるＥＬ素子の構成
は、前記したように、各種の態様があり、前記（２）又
は（３）の構成のＥＬ素子における正孔注入層（正孔注
入輸送層）は、正孔伝達化合物からなる層であって、陽
極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有し、
この正孔注入層を陽極と発光層との間に介在させること
により、より低い電界で多くの正孔が発光層に注入さ
れ、その上、発光層に陰極又は電子注入層より注入され
た電子は、発光層と正孔注入層の界面に存在する電子の
障壁により、この発光層内の界面付近に蓄積され発光効
率が向上するなど、発光性能の優れた素子となる。

【００４３】前記正孔注入層に用いられる正孔伝達化合
物は、電界を与えられた２個の電極間に配置されて陽極
から正孔が注入された場合、該正孔を適切に発光層へ伝
達しうる化合物であって、例えば１０⁴ 〜１０⁶ Ｖ／ｃ
ｍの電界印加時に、少なくとも１０^-6ｃｍ² ／（Ｖ・
秒）の正孔移動度をもつものが好適である。このような
正孔伝達化合物については、前記の好ましい性質を有す
るものであれば特に制限はなく、従来、光導電材料にお
いて、正孔の電荷輸送材として慣用されているものやＥ
Ｌ素子の正孔注入層に使用される公知のものの中から任
意のものを選択して用いることができる。

【００４４】該電荷輸送材としては、例えばトリアゾー
ル誘導体（米国特許第３,1１２,1９７号明細書などに記
載のもの）、オキサジアゾール誘導体（米国特許第３,1
８９,4４７号明細書などに記載のもの）、イミダゾール
誘導体（特公昭３７−１６０９６号公報などに記載のも
の）、ポリアリールアルカン誘導体（米国特許第３,6１
５,4０2 号明細書，同３,8２０,9８9 号明細書，同３,5
４２,5４4 号明細書，特公昭４５−５５５号公報，同５
１−１０９８３号公報，特開昭５１−９３２２４号公
報，同５５−１７１０５号公報，同５６−４１４８号公
報，同５５−１０８６６７号公報，同５５−１５６９５
３号公報，同５６−３６６５６号公報などに記載のも
の）、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体（米国特
許第３,1８０,7２9 号明細書，同４,2７８,7４6 号明細
書，特開昭５５−８８０６４号公報，同５５−８８０６
５号公報，同４９−１０５５３７号公報，同５５−５１
０８６号公報，同５６−８００５１号公報，同５６−８
８１４１号公報，同５７−４５５４５号公報，同５４−
１１２６３７号公報，同５５−７４５４６号公報などに
記載のもの）、フェニレンジアミン誘導体（米国特許第
３,6１５,4０4 号明細書，特公昭５１−１０１０５号公
報，同４６−３７１２号公報，同４７−２５３３６号公
報，特開昭５４−５３４３５号公報，同５４−１１０５
３６号公報，同５４−１１９９２５号公報などに記載の
もの）、アリールアミン誘導体（米国特許第３,5６７,4
５0 号明細書，同３,1８０,7０3号明細書，同３,2４０,
5９7 号明細書，同３,6５８,5２0 号明細書，同４,2３
２,1０3 号明細書，同４,1７５,9６1 号明細書，同４,0
１２,3７６号明細書，特公昭４９−３５７０２号公報，
同３９−２７５７７号公報，特開昭５５−１４４２５０
号公報，同５６−１１９１３２号公報，同５６−２２４
３７号公報，***特許第１,1１０,5１8 号明細書などに
記載のもの）、アミノ置換カルコン誘導体（米国特許第
３,5２６,5０1 号明細書などに記載のもの）、オキサゾ
ール誘導体（米国特許第３,2５７,2０3 号明細書などに
記載のもの）、スチリルアントラセン誘導体（特開昭５
６−４６２３４号公報などに記載のもの）、フルオレノ
ン誘導体（特開昭５４−１１０８３７号公報などに記載
のもの）、ヒドラゾン誘導体（米国特許第３,7１７,4６
2 号明細書，特開昭５４−５９１４３号公報，同５５−
５２０６３号公報，同５５−５２０６４号公報，同５５
−４６７６０号公報，同５５−８５４９５号公報，同５
７−１１３５０号公報，同５７−１４８７４９号公報な
どに記載されているもの）、スチルベル誘導体（特開昭
６１−２１０３６３号公報，同６１−２２８４５１号公
報，同６１−１４６４２号公報，同６１−７２２５５号
公報，同６２−４７６４６号公報，同６２−３６６７４
号公報，同６２−１０６５２号公報，同６２−３０２５
５号公報，同６０−９３４４５号公報，同６０−９４４
６２号公報，同６０−１７４７４９号公報，同６０−１
７５０５２号公報などに記載のもの）などを挙げること
ができる。

【００４５】これらの化合物を正孔伝達化合物として使
用することができるが、次に示すポルフィリン化合物
（特開昭６３−２９５６９５号公報などに記載のもの）
及び芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合
物（米国特許第４,1２７,4１２号明細書，特開昭５３−
２７０３３号公報，同５４−５８４４５号公報，同５４
−１４９６３４号公報，同５４−６４２９９号公報，同
５５−７９４５０号公報，同５５−１４４２５０号公
報，同５６−１１９１３２号公報，同６１−２９５５５
８号公報，同６１−９８３５３号公報，同６３−２９５
６９５号公報などに記載のもの）、特に該芳香族第三級
アミン化合物を用いることが好ましい。該ポルフィリン
化合物の代表例としては、ポルフィリン；１，１０，１
５，２０−テトラフェニル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィ
リン銅（II）；１，１０，１５，２０−テトラフェニル
−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン亜鉛（II）；５，１
０，１５，２０−テトラキス（ペンタフルオロフェニ
ル）−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン；シリコンフタロ
シアニンオキシド；アルミニウムフタロシアニンクロリ
ド；フタロシアニン（無金属）；ジリチウムフタロシア
ニン；銅テトラメチルフタロシアニン；銅フタロシアニ
ン；クロムフタロシアニン；亜鉛フタロシアニン；鉛フ
タロシアニン；チタニウムフタロシアニンオキシド；マ
グネシウムフタロシアニン；銅オクタメチルフタロシア
ニンなどが挙げられる。また該芳香族第三級化合物及び
スチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−（１，１’−ビフェニ
ル）−４，４’−ジアミン；Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−〔１，１’−ビ
フェニル〕−４，４’−ジアミン；２，２−ビス（４−
ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビ
ス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサ
ン；Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ｐ−トリル−（１，
１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン；１，１−ビ
ス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニ
ルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メ
チルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−ト
リルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（４−メトキシフェニル）−
（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン；Ｎ，
Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノ
ジフェニルエーテル；４，４’−ビス（ジフェニルアミ
ノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリ
ル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミン）−４’−
〔４（ジ−ｐ−トリルアミン）スチリル〕スチルベン；
４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニ
ル）ベンゼン；３−メトキシ−４’−Ｎ，Ｎ−ジフェニ
ルアミノスチルベン；Ｎ−フェニルカルバゾールなどが
挙げられる。

【００４６】上記ＥＬ素子における該正孔注入層は、こ
れらの正孔伝達化合物一種又は二種以上からなる一層で
構成されてもよいし、あるいは、前記層とは別種の化合
物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。
一方、前記（３）の構成のＥＬ素子における電子注入層
（電子注入輸送層）は、電子伝達化合物からなるもので
あって、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機
能を有している。このような電子伝達化合物について特
に制限はなく、従来公知の化合物の中から任意のものを
選択して用いることができる。該電子伝達化合物の好ま
しい例としては、

【００４７】

【化２６】

【００４８】などのニトロ置換フルオレノン誘導体、

【００４９】

【化２７】

【００５０】などのチオピランジオキシド誘導体，

【００５１】

【化２８】

【００５２】などのジフェニルキノン誘導体〔「ポリマ
ー・プレプリント( Polymer Preprints)，ジャパン」第
３７巻，第３号，第６８１ページ（１９８８年）などに
記載のもの〕、あるいは

【００５３】

【化２９】

【００５４】などの化合物〔「ジャーナル・オブ・アプ
ライド・フィジックス（J.Apply.Phys．）」第２７巻，
第２６９頁（１９８８年）などに記載のもの〕や、アン
トラキノジメタン誘導体（特開昭５７−１４９２５９号
公報，同５８−５５４５０号公報，同６１−２２５１５
１号公報，同６１−２３３７５０号公報，同６３−１０
４０６１号公報などに記載のもの）、フレオレニリデン
メタン誘導体（特開昭６０−６９６５７号公報，同６１
−１４３７６４号公報，同６１−１４８１５９号公報な
どに記載のもの）、アントロン誘導体（特開昭６１−２
２５１５１号公報，同６１−２３３７５０号公報などに
記載のもの）

【００５５】

【化３０】

【００５６】（式中、ｔ−Ｂｕはターシャリブチル基を
示す。）「Appl.Phys.Lett. 」第５５巻、第１４８９ペ
ージ（１９８９年）に開示されているオキサジアゾール
誘導体などを挙げることができる。なお、正孔注入層及
び電子注入層は電化の注入性，輸送性，障壁性のいずれ
かを有する層であり、上記した有機材料の他にＳｉ系，
ＳｉＣ系，ＣｄＳ系などの結晶性ないし非結晶性材料な
どの無機材料を用いることもできる。有機材料を用いた
正孔注入層及び電子注入層は発光層と同様にして形成す
ることができ、無機材料を用いた正孔注入層及び電子注
入層は真空蒸着法やスパッタリングなどにより形成でき
るが、有機及び無機のいずれの材料を用いた場合でも発
光層のときと同様の理由から真空蒸着法により形成する
ことが好ましい。

【００５７】次に、本発明の化合物を用いたＥＬ素子を
作製する好適な方法の例を、各構成の素子それぞれにつ
いて説明する。前記の陽極／発光層／陰極からなるＥＬ
素子の作製法について説明すると、まず適当な基板上
に、所望の電極物質、例えば陽極用物質からなる薄膜
を、１μｍ以下、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲の
膜厚になるように、蒸着やスパッタリングなどの方法に
より形成させ、陽極を作製したのち、この上に発光材料
である一般式（Ｉ）で表される化合物の薄膜を形成さ
せ、発光層を設ける。該発光材料の薄膜化の方法として
は、例えばスピンコート法，キャスト法，蒸着法などが
あるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが生
成しにくいなどの点から、蒸着法が好ましい。該発光材
料の薄膜化に、この蒸着法を採用する場合、その蒸着条
件は、使用する発光層に用いる有機化合物の種類，分子
堆積膜の目的とする結晶構造，会合構造などにより異な
るが、一般にボート加熱温度５０〜４００℃，真空度１
０^-5〜１０^-3Ｐａ，蒸着速度0.０１〜５０ｎｍ／ｓｅ
ｃ，基板温度−５０〜＋３００℃，膜厚５ｎｍないし５
μｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。次にこの発光層
の形成後、その上に陰極用物質からなる薄膜を、１μｍ
以下、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲の膜厚になる
ように、例えば蒸着やスパッタリングなどの方法により
形成させ、陰極を設けることにより、所望のＥＬ素子が
得られる。なお、このＥＬ素子の作製においては、作製
順序を逆にして、陰極，発光層，陽極の順に作製するこ
とも可能である。

【００５８】次に、陽極／正孔注入層／発光層／陰極か
らなるＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、陽
極を前記のＥＬ素子の場合と同様にして形成したのち、
その上に、正孔伝達化合物からなる薄膜を蒸着法などに
より形成し、正孔注入層を設ける。この際の蒸着条件
は、前記発光材料の薄膜形成の蒸着条件に準じればよ
い。次に、この正孔注入層の上に、順次発光層及び陰極
を、前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けること
により、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ素
子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極，発光
層，正孔注入層，陽極の順に作製することも可能であ
る。

【００５９】さらに、陽極／正孔注入層／発光層／電子
注入層／陰極からなるＥＬ素子の作製法について説明す
ると、まず、前記のＥＬ素子の作製の場合と同様にし
て、陽極，正孔注入層，発光層を順次設けたのち、この
発光層の上に、電子伝達化合物からなる薄膜を蒸着法な
どにより形成し、電子注入層を設け、次いでこの上に、
陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合と同様にして設けるこ
とにより、所望のＥＬ素子が得られる。なお、このＥＬ
素子の作製においても、作製順序を逆にして、陰極，電
子注入層，発光層，正孔注入層，陽極の順に作製しても
よい。さらに、陽極／発光層／電子注入層／陰極からな
るＥＬ素子の作製法について説明すると、まず、前記の
ＥＬ素子の作製の場合と同様にして、陽極，発光層を順
次設けたのち、この発光層の上に、電子伝達化合物から
なる薄膜を蒸着法などにより形成し、電子注入層を設
け、次いでこの上に、陰極を前記ＥＬ素子の作製の場合
と同様にして設けることにより、所望のＥＬ素子が得ら
れる。なお、このＥＬ素子の作製においても、作製順序
を逆にして、陰極，電子注入層，発光層，陽極の順に作
製してもよい。

【００６０】このようにして得られたＥＬ素子に、直流
電圧を印加する場合には、陽極を＋，陰極を−の極性と
して電圧５〜４０Ｖ程度を印加すると、発光が透明又は
半透明の電極側より観測できる。また、逆の極性で電圧
を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。さら
に、交流電圧を印加する場合には、陽極が＋，陰極が−
の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流
の波形は任意でよい。次に、該ＥＬ素子の発光メカニズ
ムについて、陽極／正孔注入輸送層／発光層／陰極の構
成の場合を例に挙げて説明する。前記陽極を＋、陰極を
−の極性として電圧を印加すると、正孔が該陽極より正
孔注入層内に電界により注入される。この注入された正
孔は、該正孔注入輸送層内を発光層との界面に向けて輸
送され、この界面から発光機能が発現される領域（例え
ば発光層）に注入又は輸送される。一方、電子は、陰極
から発光層内に電界により注入され、さらに輸送され、
正孔のいる領域、すなわち、発光機能が発現される領域
で正孔と再結合する（この意味で、前記領域は再結合領
域といってもよい）。この再結合が行われると、分子、
その会合体又は結晶などの励起状態が形成され、これが
光に変換される。なお、再結合領域は、正孔注入輸送層
と発光層との界面でもよいし、発光層と陰極との界面で
もよく、あるいは両界面より離れた発光層中央部であっ
てもよい。これは使用する化合物の種類、その会合や結
晶構造により変わる。

【００６１】

【実施例】次に本発明を実施例に基いてさらに詳しく説
明する。実施例１ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造 ２，５−ビス（クロロメチル）キシレン２５ｇと亜リン
酸トリエチル４９ｇを、アルゴン気流下オイルバスで、
温度１５０℃で７時間加熱攪拌を行った。その後、過剰
の亜リン酸トリエチル及び副生した塩化エチルを減圧留
去した。一晩放置後、生成した白色粉末をｎ−ヘキサン
で再結晶した結果、白色結晶４6.５ｇ（収率９３％）を
得た。得られた生成物の融点は６1.５〜６3.５℃であっ
た。また、 ¹Ｈ−ＮＭＲ分析は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.９ppm （ｓ；２Ｈ，中心キシレン環−Ｈ） δ＝3.９ppm （ｑ；８Ｈ，エトキシ基メチレン−ＣＨ₂) δ＝3.１ppm （ｄ；４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈｚ( ³¹Ｐ− ¹Ｈカ
ップリング）Ｐ−ＣＨ₂) δ＝2.２ppm （ｓ；６Ｈ，キシレン環−ＣＨ₃ ） δ＝1.１ppm （ｔ；12Ｈ，エトキシ基メチル−ＣＨ₃) 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表されるア
リーレン基含有リン化合物（ホスホネート）であること
が確認された。

【００６２】

【化３１】

【００６３】（２）スチリル化合物の製造 上記（１）で得られたホスホネート2.４ｇとｐ−シアノ
ベンゾフェノン2.７ｇを、ジメチルスルホキシド１００
ミリリットルに溶解し、これにカリウム−ｔ−ブトキシ
ド1.４ｇを加え、アルゴン気流下室温で６時間攪拌した
後、一晩放置した。 得られた混合物にメタノール３０
０ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次い
で、濾過生成物をカラム精製（展開溶媒にクロロホルム
を用いたシリカゲルカラム）を行った結果、淡黄色粉末
0.５ｇを得た（収率１７％）。このものの融点は２５３
〜２５６℃であった。またこの粉末の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析
は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝7.５〜6.９ppm （ｍ；２０Ｈ，芳香環） δ＝6.５ppm （ｓ；２Ｈ，メチリディン−ＣＨ＝Ｃ＝） δ＝2.０ppm （ｓ；６Ｈ，キシレン環−ＣＨ₃ ） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₃₈Ｈ₂₈Ｎ₂ として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８9.２１％（８9.０３％） Ｈ： 5.４０％（5.５１％） Ｎ： 5.２７％（5.４６％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）
は、以下の通りである。

【００６４】

【化３２】

【００６５】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝５１２であった。以上のこ
とより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式

【００６６】

【化３３】

【００６７】で表される２，５−ビス〔２−（４−シア
ノフェニル）−２−フェニルビニル〕キシレンであるこ
とが確認された。

【００６８】実施例２ （１）アリーレン基含有リン化合物の製造 ４，４’−ビス（ブロモメチル）ビフェニル9.０ｇと亜
リン酸トリエチル１１ｇを、アルゴン気流下オイルバス
で、温度１４０℃で６時間加熱攪拌を行った。その後、
過剰の亜リン酸トリエチル及び副生した臭化エチルを減
圧留去した。一晩放置後、白色結晶9.５ｇ( 収率８０％
)を得た。得られた生成物の融点は９7.０〜１０0.０℃
であった。また、 ¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下の通りで
ある。 ¹Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝7.０〜7.６ppm （ｍ ;８Ｈ，ビフェニレン環−Ｈ） δ＝4.０ppm （ｑ; ８Ｈ，エトキシ基メチレン−ＣＨ₂) δ＝3.１ppm （ｄ; ４Ｈ，Ｊ＝２０Ｈz(³¹Ｐ− ¹Ｈカッ
プリング）Ｐ−ＣＨ₂) δ＝1.３ppm （ｔ; １２Ｈ，エトキシ基メチル−ＣＨ₃) 以上の結果から、上述の生成物は、下記式で表されるア
リーレン基含有リン化合物（ホスホネート）であること
が確認された。

【００６９】

【化３４】

【００７０】（２）スチリル化合物の製造 上記（１）で得られたホスホネート1.４ｇとｐ−シアノ
ベンゾフェノン1.４ｇを、ジメチルスルホキシド６０ミ
リリットルに溶解し、カリウム−ｔ−ブトキシド0.７ｇ
を加え、アルゴン気流下、室温にて攪拌した後、一晩放
置した。得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノー
ル２００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過し
た。次いで、濾過生成物をカラム精製（展開溶媒にクロ
ロホルムを用いたシリカゲルカラム）を行った結果、淡
黄色粉末0.３ｇが得られた（収率１８％）。得られた生
成物の融点は２５７〜２６１℃であった。またこの粉末
の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.８〜7.５ppm （ｍ ;２８Ｈ，芳香環及びメチリデ
ィン−ＣＨ＝Ｃ＝） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₄₂Ｈ₂₈Ｎ₂ として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８9.７４％ （８9.９７％） Ｈ： 4.８３％ （ 5.０３％） Ｎ： 4.７７％ （ 5.００％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢr 錠剤法）
は、以下の通りである。

【００７１】

【化３５】

【００７２】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝５６０であった。以上のこ
とより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式

【００７３】

【化３６】

【００７４】で表される４，４’−ビフェニレンジメチ
リディン誘導体であることが確認された。

【００７５】実施例３ 実施例２の（２）において（１）で得られたホスホネー
トの代わりに、２，２’−ジメチルビフェニルのホスホ
ン酸エステルを用いた以外は、実施例２と同様に操作し
た。得られた混合物の溶媒を留去した後、メタノール２
００ミリリットルを加え、析出した結晶を濾過した。次
いで、濾過生成物をカラム精製（展開溶媒にクロロホル
ムを用いたシリカゲルカラム）を行った結果、白色粉末
0.６ｇが得られた（収率２０％）。得られた生成物の融
点は１９３〜１９５℃であった。またこの粉末の ¹Ｈ−
ＮＭＲ分析結果は以下の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝7.０〜7.６ppm ( ｍ ;２４Ｈ，中心ビフェニレン及
び末端フェニル） δ＝6.６ppm （ｓ ;２Ｈ，ビニル） δ＝1.８ppm （ｓ ;６Ｈ，メチル基） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₄₄Ｈ₃₂Ｎ₂ として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８9.５１％ （８9.７６％） Ｈ： 5.５３％ （ 5.４８％） Ｎ： 4.４６％ （ 4.７６％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢr 錠剤法）
は、以下の通りである。

【００７６】

【化３７】

【００７７】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝５８８が検出された。以上
のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式

【００７８】

【化３８】

【００７９】で表される２，２’−ジメチル−４，４’
−ビフェニレンジメチリディン誘導体であることが確認
された。

【００８０】実施例４

【００８１】実施例２の（２）において（１）で得られ
たホスホネートの代わりに、２，２’，５，５’−テト
ラクロロビフェニルのホスホン酸エステルを用いた以外
は、実施例２と同様に操作した。得られた混合物の溶媒
を留去した後、メタノール２００ミリリットルを加え、
析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成物をカラム
精製（展開溶媒にクロロホルムを用いたシリカゲルカラ
ム）を行った結果、白色粉末1.７ｇが得られた（収率６
２％）。得られた生成物の融点は２１０〜２１２℃であ
った。またこの粉末の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下の通
りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝7.０〜7.６ppm ( ｍ ;２２Ｈ，中心ビフェニレン及
び末端フェニル） δ＝6.８ppm （ｓ ;２Ｈ，ビニル） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₄₂Ｈ₂₄Ｃｌ₄ Ｎ₂ とし
て以下の通りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：７2.４１％ （７2.２２％） Ｈ： 3.５９％ （ 3.４６％） Ｎ： 3.７９％ （ 4.０１％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢr 錠剤法）
は、以下の通りである。

【００８２】

【化３９】

【００８３】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝６９８が検出された。以上
のことより、上記生成物である淡黄色粉末は、下記式

【００８４】

【化４０】

【００８５】で表される２，２’，５，５’−テトラク
ロロ−４，４’−ビフェニレンジメチリディン誘導体で
あることが確認された。

【００８６】実施例５（スチリル化合物からなるＥＬ素
子） ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。次いで、この透明支持基
板をプロピルアルコール中，純水中，イソプロピルアル
コール中の順に超音波洗浄を行い、その後、乾燥窒素を
吹きつけ基板表面から溶媒を除去した。さらに、上記洗
浄後の基板をＵＶ／Ｏ₃ ドライストリッパー（サムコイ
ンターナショナル製）で３分間処理し、基板表面の有機
物を除去した。この透明支持基板を市販の蒸着装置（日
本真空技術（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブ
テン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ’−ビス（３−メチル
フェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビフェニル−〔１，１’−ビフ
ェニル〕−４，４’−ジアミン（ＴＰＤ）を２００ｍｇ
入れ、また別のモリブテン製ボートに実施例２で得られ
た４，４’−ビス〔２−（４−シアノフェニル）−２−
フェニルビニル〕ビフェニル（ＣＰＰＶＢｉ）を２００
ｍｇ入れて真空槽を１×１０^-4Ｐａまで減圧した。その
後ＴＰＤ入りの前記ボートを、２１５〜２２０℃まで加
熱し、ＴＰＤを蒸着速度0.１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持
基板上に蒸着して、膜厚６０ｎｍの正孔注入層を製膜さ
せた。この時の基板温度は室温であった。次いで、これ
を真空槽より取り出すことなく、正孔注入層の上に、も
う一つのボートよりＣＰＰＶＢｉを発光層として８０ｎ
ｍ積層蒸着した。蒸着条件は、ボート温度が３３０℃で
蒸着速度は0.２〜0.４ｎｍ／秒、基板温度は室温であっ
た。これを真空槽より取り出し、上記発光層の上にステ
ンレススチール製のマスクを設置し、再び基板ホルダー
に固定した。次にモリブテン製の抵抗加熱ボートにマグ
ネシウムリボン１ｇを入れ、また別のモリブテン製の抵
抗加熱ボートにインジウムを５００ｍｇ装着した。その
後真空槽を２×１０^-4Ｐａまで減圧してから、インジウ
ムを0.０３〜0.０８ｎｍ／秒の蒸着速度で、同時にもう
一方のボートよりマグネシウムを1.７〜2.８ｎｍ／秒の
蒸着速度で蒸着し始めた。ボートの温度はインジウム入
り，マグネシウム入りのボートそれぞれ８００℃，５０
０℃程度であった。上記条件でマグネシウムとインジウ
ムの混合金属電極を発光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着し
て対向電極とし、素子を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、
マグネシウムとインジウムの混合金属電極を陰極とし
て、得られた素子に、直流電圧１０Ｖを印加すると電流
が３３０ｍＡ／ｃｍ² 程度流れ、色度座標でYellowGree
n発光を得た。ピーク波長は分光測定より５６３ｎｍで
あり、発光輝度は２０００ｃｄ／ｃｍ² 以上であった。
また、得られたＥＬ素子について定電流駆動（1.０ｍＡ
／ｃｍ² ）を窒素中で行い、初期輝度劣化の測定をおこ
なった。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジウム
の混合金属電極を陰極として、得られた素子に電流を流
し一定時間毎に輝度及び印加電圧を測定した結果、１時
間で２０％の減少があったものの、それ以降は安定した
発光が得られた（図１参照）。

【００８７】実施例６（スチリル化合物からなるＥＬ素
子） ２５ｍｍ×７５ｍｍ×1.１ｍｍのガラス基板上にＩＴＯ
を蒸着法にて１００ｎｍの厚さで製膜したもの（ＨＯＹ
Ａ製）を透明支持基板とした。この透明支持基板をＵＶ
オゾン処理装置（日本電池社製）にて２分間ＵＶオゾン
洗浄を行った。次いで、市販の蒸着装置（日本真空技術
（株）製）の基板ホルダーに固定し、モリブテン製の抵
抗加熱ボートにＴＰＤを２００ｍｇ入れ、また別のモリ
ブテン製ボートに実施例１で得られた２，５−ビス〔２
−（４−シアノフェニル）−２−フェニルビニル〕キシ
レン（ＣＰＰＶＸ）を２００ｍｇ入れて真空槽を１×１
０^-4Ｐａまで減圧した。その後ＴＰＤの入った前記ボー
トを２１５〜２２０℃まで加熱し、ＴＰＤを蒸着速度0.
１〜0.３ｎｍ／秒で透明支持基板上に蒸着して、膜厚６
０ｎｍの正孔注入層を製膜させた。この時の基板温度は
室温であった。次いで、これを真空槽より取り出すこと
なく、正孔注入層の上に、もう一つのボートよりＣＰＰ
ＶＸを発光層として８０ｎｍ積層蒸着した。蒸着条件
は、ボート温度が２６０℃で、蒸着速度は0.２〜0.４ｎ
ｍ／秒、基板温度は室温であった。これを真空槽より取
り出し、上記発光層の上にステンレススチール製のマス
クを設置し、再び基板ホルダーに固定した。次にモリブ
テン製の抵抗加熱ボートにマグネシウムリボン１ｇを入
れ、また別のモリブテン製の抵抗加熱ボートにインジウ
ム５００ｍｇを装着した。その後真空槽を２×１０^-4Ｐ
ａまで減圧してから、インジウムを0.０３〜0.０８ｎｍ
／秒の蒸着速度で、同時にもう一方のボートよりマグネ
シウムを1.７〜2.８ｎｍ／秒の蒸着速度で蒸着し始め
た。ボートの温度はインジウム入り，マグネシウム入り
のボートそれぞれ８００℃，５００℃程度であった。上
記条件でマグネシウムとインジウムの混合金属電極を発
光層の上に１５０ｎｍ積層蒸着して対向電極とし、素子
を形成した。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウムとインジ
ウムの混合金属電極を陰極として、得られた素子に、直
流電圧7.５Ｖを印加すると電流が１２ｍＡ／ｃｍ² 程度
流れ、発光輝度１３５ｃｄ／ｃｍ² 、色度座標でYellow
ish Green 発光を得た。ピーク波長は分光測定より５３
０ｎｍであった。また、得られたＥＬ素子について定電
流駆動（1.０ｍＡ／ｃｍ² ）を窒素中で行い、初期輝度
劣化の測定を行った。ＩＴＯ電極を陽極、マグネシウム
とインジウムの混合金属電極を陰極として、得られた素
子に電流を流し一定時間毎に輝度及び印加電圧を測定し
た結果、１時間で２５％の減少があったものの、それ以
降は安定した発光が得られた。

【００８８】実施例７ 実施例２の（２）において（１）で得られたホスホネー
トの代わりに、２，２’−ジメチルビフェニルのホスホ
ン酸エステルを用い、ｐ−シアノベンゾフェノンの代わ
りに、４，４’−ジシアノベンゾフェノンを用いた以外
は、実施例２と同様に操作した。得られた混合物の溶媒
を留去した後、メタノール２００ミリリットルを加え、
析出した結晶を濾過した。次いで、濾過生成物をカラム
精製（展開溶媒に塩化メチレンを用いたシリカゲルカラ
ム）を行った結果、白色粉末0.５ｇが得られた（収率１
９％）。得られた生成物の融点は２０6.０〜２０7.０℃
であった。またこの粉末の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析結果は以下
の通りである。 ¹ Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃) δ＝6.８〜7.６ppm ( ｍ ;２２Ｈ，中心ビフェニレン及
び末端フェニル） δ＝6.５ppm （ｓ ;２Ｈ，ビニル） δ＝1.８ppm （ｓ ;６Ｈ，メチル基） さらに元素分析結果は、組成式Ｃ₄₆Ｈ₃₀Ｎ₄ として以下
の通りである。なお括弧内は理論値である。 Ｃ：８6.２７％ （８6.５０％） Ｈ： 5.０１％ （ 4.７３％） Ｎ： 8.５４％ （ 8.７７％） また、赤外線（ＩＲ）吸収スペクトル（ＫＢr 錠剤法）
は、以下の通りである。

【００８９】

【化４１】

【００９０】また、マススペクトルより、目的物の主な
分子イオンピークはｍ／Ｚ＝６３８が検出された。以上
のことより、上記生成物である白色粉末は、下記式

【００９１】

【化４２】 で表される２，２’−ジメチル−４，４’−ビフェニレ
ンジメチリディン誘導体であることが確認された。

【００９２】比較例１ ＣＰＰＶＢｉの代わに、下記スチリル化合物（Ａ）

【００９３】

【化４３】

【００９４】を用いた以外は実施例５と同様の操作を行
いＥＬ素子を作製した。また、得られたＥＬ素子につい
て実施例５と同様な方法で初期輝度劣化の測定を行っ
た。その結果、１時間で８０％の減少があり初期輝度の
劣化が著しかった（図１参照）。

【００９５】

【発明の効果】本発明のスチリル化合物は、新規な化合
物であり、シアノ基を有することから熱安定性に優れて
いる。そのため、該スチリル化合物からなるＥＬ素子
は、初期輝度劣化を２０％程度に抑えられ、その後は安
定した発光を維持することができる。したがって、本発
明のスチリル化合物は、有機ＥＬの発光材料を始め、各
種発光材料として、有効な利用が期待できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】発光の相対輝度の経時変化を表したグラフであ
る。

【符号の説明】

１ 実施例５で作製したＥＬ素子の発光の経時変化を示
す。 ２ 比較例１で作製したＥＬ素子の発光の経時変化を示
す。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、ｋ，ｌ，ｍ，ｎはそれぞれ０〜５の整数を示
   す。但し、ｋ，ｌ，ｍ，ｎがいずれも０の場合は除く。
   Ａｒは、 【化２】 （式中、Ｒ¹ は炭素数１〜６のアルキル基又はハロゲン
   を示し、Ｒ² ，Ｒ³ はそれぞれ水素，炭素数１〜６のア
   ルキル基又はハロゲンを示す。また、ｐは１〜４の整
   数、ｑ，ｒはそれぞれ０〜４の整数を示す。但し、ｐ，
   ｑ，ｒが複数のときはＲ¹ ，Ｒ² ，Ｒ³ はそれぞれ同じ
   でも異なっていてもよい。）を示す。〕で表されるスチ
   リル化合物。
2. 【請求項２】 一般式（II） 【化３】 〔式中、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基又はフェニル基
   を示し、Ａｒは前記と同様である。〕で表されるアリー
   レン基含有リン化合物を、一般式（III) 【化４】 〔式中、ｓ，ｔはそれぞれ０〜５の整数を示す。但し、
   ｓ，ｔがいずれも０の場合は除く。〕で表されるケトン
   と縮合させることを特徴とする請求項１記載のスチリル
   化合物の製造方法。
3. 【請求項３】 一般式（IV） 【化５】 〔式中、Ｒ，ｓ，ｔは前記と同様である。〕で表される
   リン化合物を、一般式（Ｖ） 【化６】 ＯＨＣ−Ａｒ−ＣＨＯ …（ｖ） 〔式中、Ａｒは前記と同様である。〕で表されるジアル
   デヒドと縮合させることを特徴とする請求項１記載のス
   チリル化合物の製造方法。
4. 【請求項４】 一般式（VI） 【化７】 〔式中、Ｒ，ｋ，ｍ，Ａｒは前記と同様である。〕で表
   されるアリーレン基含有リン化合物を、一般式（VII) 【化８】 〔式中、ｌ，ｎは前記と同様である。〕で表されるケト
   ンと縮合させることを特徴とする請求項１記載のスチリ
   ル化合物の製造方法。
5. 【請求項５】 請求項１記載のスチリル化合物を発光材
   料とするエレクトロルミネッセンス素子。