JPH0794813A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH0794813A JPH0794813A JP23302793A JP23302793A JPH0794813A JP H0794813 A JPH0794813 A JP H0794813A JP 23302793 A JP23302793 A JP 23302793A JP 23302793 A JP23302793 A JP 23302793A JP H0794813 A JPH0794813 A JP H0794813A
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- semiconductor
- glass plate
- semiconductor laser
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/0602—Crystal lasers or glass lasers
- H01S3/061—Crystal lasers or glass lasers with elliptical or circular cross-section and elongated shape, e.g. rod
-
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/094049—Guiding of the pump light
- H01S3/094057—Guiding of the pump light by tapered duct or homogenized light pipe, e.g. for concentrating pump light
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/091—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
- H01S3/094—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体レーザ励起固体レーザ装置の大出力化
を可能とする。 【構成】 レーザロッド４とその周囲に設けられた複数
の半導体レーザ１との間にそれぞれ楔形のガラスプレー
ト３を配設し、このガラスプレート３を介して半導体レ
ーザ１が出力する半導体レーザ光２をレーザロッド４に
照射することによって、小さなレーザロッド４の直径を
見かけ上大きくすることができ、数多くの半導体レーザ
１をレーザロッド４の周囲に設置することが可能とな
り、半導体レーザ励起固体レーザ装置の大出力化が可能
となる。
を可能とする。 【構成】 レーザロッド４とその周囲に設けられた複数
の半導体レーザ１との間にそれぞれ楔形のガラスプレー
ト３を配設し、このガラスプレート３を介して半導体レ
ーザ１が出力する半導体レーザ光２をレーザロッド４に
照射することによって、小さなレーザロッド４の直径を
見かけ上大きくすることができ、数多くの半導体レーザ
１をレーザロッド４の周囲に設置することが可能とな
り、半導体レーザ励起固体レーザ装置の大出力化が可能
となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ励起固体
レーザ装置に関する。
レーザ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置においては、図２に示すよう
に半導体レーザ０１から出力したレーザ光０２は、シリ
ンドリカルレンズ０３で平行または若干集束ぎみにレー
ザロッド０４に入射され、レーザロッドを励起してい
た。上記半導体レーザ０１は、出力が大きくなるとその
サイズも大きくなる。
に半導体レーザ０１から出力したレーザ光０２は、シリ
ンドリカルレンズ０３で平行または若干集束ぎみにレー
ザロッド０４に入射され、レーザロッドを励起してい
た。上記半導体レーザ０１は、出力が大きくなるとその
サイズも大きくなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体レーザ励
起固体レーザ装置において、その出力を増大させるた
め、半導体レーザの出力を大きくしようとすると、その
サイズが大きくなり、直径３〜６mm程度のレーザロッド
の周囲に設置できる半導体レーザの個数が多くても４個
程度に制限され、装置の大出力化が制限されていた。
起固体レーザ装置において、その出力を増大させるた
め、半導体レーザの出力を大きくしようとすると、その
サイズが大きくなり、直径３〜６mm程度のレーザロッド
の周囲に設置できる半導体レーザの個数が多くても４個
程度に制限され、装置の大出力化が制限されていた。
【０００４】本発明は、上記課題を解決し、大出力化が
可能な半導体レーザ励起固体レーザを提供しようとする
ものである。
可能な半導体レーザ励起固体レーザを提供しようとする
ものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ励
起固体レーザ装置は、半導体レーザを励起源として固体
レーザのレーザロッドを励起する半導体レーザ励起固体
レーザ装置において、半導体レーザと固体レーザのレー
ザロッドとの間に楔形のガラスプレートを、半導体レー
ザ光の入射面となる前記楔形ガラスプレートの厚みの厚
い方の端面を半導体レーザに向け、出射面となる厚みの
薄い方の端面をレーザロッドに向けて設置したことを特
徴としている。
起固体レーザ装置は、半導体レーザを励起源として固体
レーザのレーザロッドを励起する半導体レーザ励起固体
レーザ装置において、半導体レーザと固体レーザのレー
ザロッドとの間に楔形のガラスプレートを、半導体レー
ザ光の入射面となる前記楔形ガラスプレートの厚みの厚
い方の端面を半導体レーザに向け、出射面となる厚みの
薄い方の端面をレーザロッドに向けて設置したことを特
徴としている。
【０００６】
【作用】上記において、半導体レーザから出力された半
導体レーザ光は、楔形のそれぞれのガラスプレートを介
してレーザロッドに入射し、レーザロッドを励起する。
導体レーザ光は、楔形のそれぞれのガラスプレートを介
してレーザロッドに入射し、レーザロッドを励起する。
【０００７】上記ガラスプレートは、厚みの薄い方をレ
ーザロッド側とし、厚みの厚い方を半導体レーザ側とし
ているため、直径の小さいレーザロッドのみかけの直径
を大きくすることができ、大出力の半導体レーザを数多
く設置することが可能となる。
ーザロッド側とし、厚みの厚い方を半導体レーザ側とし
ているため、直径の小さいレーザロッドのみかけの直径
を大きくすることができ、大出力の半導体レーザを数多
く設置することが可能となる。
【０００８】上記ガラスプレートの端面には反射防止膜
を形成することにより、半導体レーザ光の入出射ロスを
非常に小さくし、ガラスプレートの側面には半導体レー
ザ光が多重反射する高反射率をコーティングを施すこと
により、反射ロスを小さく押えることができ、従来の直
接励起の場合とほとんど変わらない程度の高の励起効率
を維持することができる。
を形成することにより、半導体レーザ光の入出射ロスを
非常に小さくし、ガラスプレートの側面には半導体レー
ザ光が多重反射する高反射率をコーティングを施すこと
により、反射ロスを小さく押えることができ、従来の直
接励起の場合とほとんど変わらない程度の高の励起効率
を維持することができる。
【０００９】上記のように、大出力の半導体レーザを数
多く設置できるため、半導体レーザ励起固体レーザ装置
の大出力化と効率のよいレーザ発振が可能となる。
多く設置できるため、半導体レーザ励起固体レーザ装置
の大出力化と効率のよいレーザ発振が可能となる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例の半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置を図１に示す。図１に示す本実施例は、レーザ
ロッド４の周囲に複数の半導体レーザ１が設けられ半導
体レーザ１が出力するレーザ光２によりレーザロッド４
が励起される半導体レーザ励起固体レーザ装置におい
て、上記レーザロッド４と半導体レーザ１の間にそれぞ
れ設けられたガラスプレート３を備えている。
ーザ装置を図１に示す。図１に示す本実施例は、レーザ
ロッド４の周囲に複数の半導体レーザ１が設けられ半導
体レーザ１が出力するレーザ光２によりレーザロッド４
が励起される半導体レーザ励起固体レーザ装置におい
て、上記レーザロッド４と半導体レーザ１の間にそれぞ
れ設けられたガラスプレート３を備えている。
【００１１】上記ガラスプレート３は楔形状であり、半
導体レーザ１に対向する端面の面積がレーザロッド４に
対向する端面より大きく、それぞれの端面にはコーティ
ングにより反射防止膜が形成されており、また、側面に
は高反射率コーティングが施されて多重反射面５が形成
されている。
導体レーザ１に対向する端面の面積がレーザロッド４に
対向する端面より大きく、それぞれの端面にはコーティ
ングにより反射防止膜が形成されており、また、側面に
は高反射率コーティングが施されて多重反射面５が形成
されている。
【００１２】上記において、半導体レーザ１から出力さ
れたレーザ光２は、楔形状のガラスプレート３に入射す
る。ガラスプレート３に入射したレーザ光２は、ガラス
プレートの上下の多重反射面５で多重反射され、出力端
から出射してレーザロッド４に入射し、レーザロッド４
を励起する。
れたレーザ光２は、楔形状のガラスプレート３に入射す
る。ガラスプレート３に入射したレーザ光２は、ガラス
プレートの上下の多重反射面５で多重反射され、出力端
から出射してレーザロッド４に入射し、レーザロッド４
を励起する。
【００１３】本実施例においては、楔形状のガラスプレ
ート３は、厚みの薄い方がレーザロッド４側に、厚みの
厚い方が半導体レーザ装置１側に設置されているため、
直径の小さい（通常、直径が３〜６mm）レーザロッド４
のみかけの直径を大きくすることができ、大出力の半導
体レーザ１を数多く設置することができる。
ート３は、厚みの薄い方がレーザロッド４側に、厚みの
厚い方が半導体レーザ装置１側に設置されているため、
直径の小さい（通常、直径が３〜６mm）レーザロッド４
のみかけの直径を大きくすることができ、大出力の半導
体レーザ１を数多く設置することができる。
【００１４】また、楔形状のガラスプレート３の端面は
反射防止膜が形成されているため、レーザ光２の入出射
ロスを非常に小さくし、ガラスプレート３の側面にはレ
ーザ光２を多重反射する高反射率コーティングが施され
ているため、反射ロスを小さく押えることができるた
め、励起効率も従来の直接励起の場合とほとんど変わら
ない程度に維持することができる。
反射防止膜が形成されているため、レーザ光２の入出射
ロスを非常に小さくし、ガラスプレート３の側面にはレ
ーザ光２を多重反射する高反射率コーティングが施され
ているため、反射ロスを小さく押えることができるた
め、励起効率も従来の直接励起の場合とほとんど変わら
ない程度に維持することができる。
【００１５】上記のように、大出力の半導体レーザを数
多く設置でき、これらが出力するレーザ光を効率よくレ
ーザロッドに伝送できるため、半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置の大出力化と効率のよいレーザ発振が可能とな
る。
多く設置でき、これらが出力するレーザ光を効率よくレ
ーザロッドに伝送できるため、半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置の大出力化と効率のよいレーザ発振が可能とな
る。
【００１６】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ励起固体レーザ装
置は、レーザロッドとその周囲に設けられた複数の半導
体レーザとの間にそれぞれ楔形のガラスプレートを配設
し、このガラスプレートを介して半導体レーザが出力す
る半導体レーザ光をレーザロッドに照射することによっ
て、小さなレーザロッドの直径を見かけ上大きくするこ
とができ、数多くの半導体レーザをレーザロッドの周囲
に設置することが可能となり、半導体レーザ励起固体レ
ーザの大出力化が可能となる。
置は、レーザロッドとその周囲に設けられた複数の半導
体レーザとの間にそれぞれ楔形のガラスプレートを配設
し、このガラスプレートを介して半導体レーザが出力す
る半導体レーザ光をレーザロッドに照射することによっ
て、小さなレーザロッドの直径を見かけ上大きくするこ
とができ、数多くの半導体レーザをレーザロッドの周囲
に設置することが可能となり、半導体レーザ励起固体レ
ーザの大出力化が可能となる。
【図１】本発明の一実施例に係る半導体レーザ励起固体
レーザ装置の説明図である。
レーザ装置の説明図である。
【図２】従来の装置の説明図である。
１ 半導体レーザ ２ レーザ光 ３ ガラスプレート ４ レーザロッド ５ 多重反射面
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体レーザを励起源として固体レーザ
のレーザロッドを励起する半導体レーザ励起固体レーザ
装置において、半導体レーザと固体レーザのレーザロッ
ドとの間に楔形のガラスプレートを、半導体レーザ光の
入射面となる前記楔形ガラスプレートの厚みの厚い方の
端面を半導体レーザに向け、出射面となる厚みの薄い方
の端面をレーザロッドに向けて設置したことを特徴とす
る半導体レーザ励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23302793A JPH0794813A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23302793A JPH0794813A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794813A true JPH0794813A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16948662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23302793A Withdrawn JPH0794813A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794813A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0902511A2 (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-17 | Fanuc Ltd | Solid laser oscillator with laser diode excitation |
| US6532248B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-03-11 | Nec Corporation | Diode-laser side-pumped solid-state laser device |
| EP1317033A3 (fr) * | 2001-10-05 | 2003-10-29 | Sagem SA | Amplificateur d'un faisceau laser par pompage d'un matériau non linéaire et dispositif d'émission laser comportant un tel amplificateur |
| JP2008300885A (ja) * | 1998-11-12 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ光出力装置および固体レーザロッド励起モジュール |
| JP2009094268A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Osaka Univ | 固体レーザー装置 |
| US20230028158A1 (en) * | 2021-07-13 | 2023-01-26 | National Tsing Hua University | Laser pumping device and system including geometric light concentrator and thermal insulator |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23302793A patent/JPH0794813A/ja not_active Withdrawn
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0902511A2 (en) * | 1997-09-12 | 1999-03-17 | Fanuc Ltd | Solid laser oscillator with laser diode excitation |
| EP0902511A3 (en) * | 1997-09-12 | 2000-05-31 | Fanuc Ltd | Solid laser oscillator with laser diode excitation |
| JP2008300885A (ja) * | 1998-11-12 | 2008-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ光出力装置および固体レーザロッド励起モジュール |
| US6532248B2 (en) | 2000-02-28 | 2003-03-11 | Nec Corporation | Diode-laser side-pumped solid-state laser device |
| EP1317033A3 (fr) * | 2001-10-05 | 2003-10-29 | Sagem SA | Amplificateur d'un faisceau laser par pompage d'un matériau non linéaire et dispositif d'émission laser comportant un tel amplificateur |
| FR2842358A1 (fr) * | 2001-10-05 | 2004-01-16 | Sagem | AMPLIFICATEUR D'un FAISCEAU LASER PAR POMPAGE D'UN MATERIAU NON LINEAIRE ET DISPOSITIF D'EMISSION LASER COMPORTANT UNTEL AMPLIFICATEUR |
| JP2009094268A (ja) * | 2007-10-09 | 2009-04-30 | Osaka Univ | 固体レーザー装置 |
| US20230028158A1 (en) * | 2021-07-13 | 2023-01-26 | National Tsing Hua University | Laser pumping device and system including geometric light concentrator and thermal insulator |
| US11929593B2 (en) * | 2021-07-13 | 2024-03-12 | National Tsing Hua University | Laser pumping device and system including geometric light concentrator and thermal insulator |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |