JPH0793805A - Information recording medium - Google Patents
Information recording mediumInfo
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- JPH0793805A JPH0793805A JP5236891A JP23689193A JPH0793805A JP H0793805 A JPH0793805 A JP H0793805A JP 5236891 A JP5236891 A JP 5236891A JP 23689193 A JP23689193 A JP 23689193A JP H0793805 A JPH0793805 A JP H0793805A
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- JP
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- recording
- film
- recording film
- alloy
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Links
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、情報記録媒体に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an information recording medium.
【０００２】[0002]
【従来の技術】情報記録媒体は、基板上に記録膜を形成
してなるものであり、この記録膜にレーザ光を照射して
記録膜の光学的特性、例えば反射率を変化させることに
より情報を記録するものである。記録膜の光学的特性を
変化させる方法としては、レーザ光を照射して記録膜の
材料を相変化させる方法や、記録膜を屈折率の異なる２
つの層で構成し、レーザ光を照射して２つの層の材料を
合金化させる方法が挙げられる。例えば、特開昭６２−
５３８８６号公報には、ＧｅＳｂＴｅ合金からなる記録
膜を用いて相変化させるタイプの情報記録媒体が開示さ
れており、特開昭６０−２８０４５号公報には、記録膜
をＧｅＳｂＴｅ合金からなる層とＢｉＴｅ合金からなる
層で構成して両層を合金化させるタイプの情報記録媒体
が開示されている。2. Description of the Related Art An information recording medium is formed by forming a recording film on a substrate, and irradiating the recording film with a laser beam to change the optical characteristics of the recording film, for example, reflectance. Is recorded. As a method of changing the optical characteristics of the recording film, a method of irradiating a laser beam to change the phase of the material of the recording film or a method of changing the recording film with different refractive indexes
There is a method of forming a single layer and irradiating a laser beam to alloy the materials of the two layers. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 62-
Japanese Patent Laid-Open No. 53886 discloses an information recording medium of a type in which a recording film made of GeSbTe alloy is used for phase change, and Japanese Patent Laid-Open No. 60-28045 discloses a recording film having a layer made of GeSbTe alloy and BiTe. An information recording medium of a type in which both layers are alloyed by disposing an alloy layer is disclosed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】少なくともＴｅを含む
合金、例えばＧｅＳｂＴｅ合金は、蒸着したままの状態
では、通常アモルファス相になっている。一般に、アモ
ルファス相は、光学定数ｎ* ＝ｎ−ｉｋのうち、光の吸
収に関係するｋの値が結晶相と異なる。また、アモルフ
ァス相は、熱力学的に非平衡な状態であり結晶相に比べ
て熱的に不安定であるので、自然に結晶化が進行して結
晶相に変わる可能性がある。このため、初期のアモルフ
ァス状態が変化する恐れがある。An alloy containing at least Te, for example a GeSbTe alloy, is usually in an amorphous phase in the as-deposited state. In general, the amorphous phase differs from the crystalline phase in the optical constant n * = n-ik, in which the value of k related to the absorption of light is different. Further, the amorphous phase is in a thermodynamically non-equilibrium state and is thermally unstable as compared with the crystalline phase, so that crystallization may spontaneously proceed to change to the crystalline phase. Therefore, the initial amorphous state may change.
【０００４】アモルファス相のＧｅＳｂＴｅ合金からな
る記録膜を単層で用いる場合、初期のアモルファス状態
が変化すると、未記録領域の光学的特性、例えば反射率
が一定の値を維持できず基準とならないために、記録さ
れた情報を良好に再生することができなくなることがあ
る。また、アモルファス相のＧｅＳｂＴｅ合金からなる
膜を結晶相のＢｉＴｅ合金からなる膜と積層して記録膜
として用いる場合も、初期のアモルファス状態が変化す
ると、両膜の多重干渉効果により決定される初期反射率
が変化してしまうことがある。したがって、ＧｅＳｂＴ
ｅ合金のような少なくともＴｅを含む合金を記録膜に用
いる場合には、そのアモルファス相の熱的安定性が重要
になる。When a single-layer recording film made of an amorphous phase GeSbTe alloy is used, if the initial amorphous state changes, the optical characteristics of the unrecorded area, for example, the reflectance cannot maintain a constant value and cannot be used as a reference. In addition, recorded information may not be reproduced well. Also, when a film made of an amorphous phase GeSbTe alloy and a film made of a crystalline phase BiTe alloy are laminated and used as a recording film, when the initial amorphous state changes, the initial reflection determined by the multiple interference effect of both films. The rate may change. Therefore, GeSbT
When an alloy containing at least Te, such as an e alloy, is used for the recording film, the thermal stability of its amorphous phase becomes important.
【０００５】この熱的安定性は、記録膜を構成する合金
の結晶化温度に起因する。すなわち、記録膜を形成する
際に合金の結晶化温度を高くすることにより、そのアモ
ルファス相を安定にすることができる。このような方法
として、ＧｅＳｂＴｅ合金からなる膜に窒素を加えて窒
化物を生成させて結晶化温度を高くする方法が報告され
ているが、その効果は充分でない。This thermal stability is due to the crystallization temperature of the alloy forming the recording film. That is, the amorphous phase can be stabilized by increasing the crystallization temperature of the alloy when forming the recording film. As such a method, a method of adding nitrogen to a film made of a GeSbTe alloy to generate a nitride to raise the crystallization temperature has been reported, but the effect is not sufficient.
【０００６】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり、結晶化温度が高く、記録状態を安定して維持でき
る記録膜を有し、記録再生に充分な信頼性のある情報記
録媒体を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and provides an information recording medium having a high crystallization temperature, a recording film capable of stably maintaining a recording state, and having sufficient reliability for recording and reproduction. The purpose is to provide.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に少な
くともＴｅを含む合金からなるアモルファス相の記録膜
を有する情報記録媒体であって、前記記録膜が少なくと
も１．５原子％のＡｒを含むことを特徴とする情報記録
媒体を提供する。The present invention is an information recording medium having an amorphous phase recording film made of an alloy containing at least Te on a substrate, wherein the recording film contains at least 1.5 atomic% of Ar. Provided is an information recording medium including the above.
【０００８】ここで、基板材料としては、ポリカーボネ
ート、ガラス等の透明材料を用いることができる。ま
た、少なくともＴｅを含む合金としては、ＧｅＳｂＴｅ
合金、ＩｎＳｂＴｅ合金、ＧｅＴｅ合金等を挙げること
ができる。Here, as the substrate material, a transparent material such as polycarbonate or glass can be used. Further, as an alloy containing at least Te, GeSbTe
Alloys, InSbTe alloys, GeTe alloys and the like can be mentioned.
【０００９】本発明においては、記録膜中に含まれるＡ
ｒ量を少なくとも１．５原子％に設定する。これは、Ａ
ｒ量が１．５原子％未満であると、記録膜の十分な熱的
安定性が得られなくなるからである。また、記録膜中に
Ａｒを混入させる方法としては、記録膜を成膜する際の
スパッタリング処理においてＡｒガス量を調節する方
法、基板−ターゲット間距離を調節する方法等を用いる
ことができる。In the present invention, A contained in the recording film
The r content is set to at least 1.5 atomic%. This is A
This is because if the amount of r is less than 1.5 atomic%, sufficient thermal stability of the recording film cannot be obtained. As a method of mixing Ar in the recording film, a method of adjusting the Ar gas amount in the sputtering process when forming the recording film, a method of adjusting the substrate-target distance, or the like can be used.
【００１０】本発明においては、少なくともＴｅを含む
合金からなるアモルファス相の膜と他の膜を積層して、
この積層膜に記録光を照射して積層膜の材料が合金化す
ることにより光学的特性を変化させて記録が行われる方
式（以下、合金化方式と省略する）でもよいし、少なく
ともＴｅを含む合金からなるアモルファス相の記録膜に
記録光を照射して記録膜の材料が相変化を起すことによ
り光学的特性を変化させて記録が行われる方式（以下、
相変化方式と省略する）でもよい。なお、積層膜を構成
する他の膜の材料としては、Ｂｉ2 Ｔｅ3 合金のような
ＢｉＴｅ系合金等を用いることができる。In the present invention, an amorphous phase film made of an alloy containing at least Te and another film are laminated,
A method (hereinafter, abbreviated as an alloying method) in which optical characteristics are changed by irradiating the laminated film with recording light to alloy the material of the laminated film to perform recording, or at least Te is included. A method in which recording is performed by irradiating a recording light of an amorphous phase made of an alloy with recording light and causing a phase change in the material of the recording film to change optical characteristics
It may be abbreviated as a phase change method). In addition, as a material of the other film forming the laminated film, a BiTe-based alloy such as a Bi 2 Te 3 alloy can be used.
【００１１】[0011]
【作用】本発明の情報記録媒体は、基板上に少なくとも
Ｔｅを含む合金からなるアモルファス相の記録膜を有す
る情報記録媒体であって、前記記録膜が少なくとも１．
５原子％のＡｒを含むことを特徴としている。The information recording medium of the present invention is an information recording medium having a recording film of an amorphous phase made of an alloy containing at least Te on a substrate, wherein the recording film is at least 1.
It is characterized by containing 5 atomic% of Ar.
【００１２】少なくともＴｅを含む合金からなるアモル
ファス相の記録膜中に少なくとも１．５原子％のＡｒが
混入することにより、この合金の結晶化温度が高くな
る。このため、相対的にこの合金のアモルファス相が安
定となる。したがって、記録膜において安定して記録状
態を維持することができる。When at least 1.5 atomic% of Ar is mixed in the amorphous phase recording film made of an alloy containing at least Te, the crystallization temperature of this alloy becomes high. Therefore, the amorphous phase of this alloy is relatively stable. Therefore, the recording state can be stably maintained in the recording film.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。なお、本実施例では、少なくともＴｅを
含む合金としてＧｅＳｂＴｅ合金を用いた場合について
説明する。Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings. In this example, a case of using a GeSbTe alloy as an alloy containing at least Te will be described.
【００１４】図１は本発明の合金化方式の情報記録媒体
の一実施例を示す断面図である。図中１１は、ポリカー
ボネートからなる基板を示す。基板１１上には、少なく
とも１．５原子％のＡｒを含むＧｅＳｂＴｅ合金からな
る第１の記録膜１２が形成されており、第１の記録膜１
２上には、ＢｉＴｅ合金からなる第２の記録膜１３が形
成されている。第１の記録膜１２は初期状態でアモルフ
ァス相であり、第２の記録膜１３は初期状態で結晶相で
ある。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an alloying type information recording medium of the present invention. In the figure, 11 indicates a substrate made of polycarbonate. A first recording film 12 made of a GeSbTe alloy containing at least 1.5 atomic% of Ar is formed on the substrate 11, and the first recording film 1 is formed.
A second recording film 13 made of BiTe alloy is formed on the surface 2. The first recording film 12 is in an amorphous phase in the initial state, and the second recording film 13 is in a crystalline phase in the initial state.
【００１５】上記構成を有する情報記録媒体に記録を行
う場合、基板１１側からレーザ光１４を照射する。基板
１１側から入射したレーザ光１４は、第１の記録膜１２
および第２の記録膜１３に到達すると、両記録膜を加熱
する。これにより、第１の記録膜１２が結晶化すると共
に、第１の記録膜１２と第２の記録膜１３との界面にお
いて双方の記録膜を構成する材料の原子が拡散して合金
化する。このようにして記録領域１５が形成される。こ
の記録領域１５の反射率は、未記録領域の反射率よりも
高くなるので、この反射率の違いを用いて再生光を照射
することにより記録された情報を再生することができ
る。When recording on the information recording medium having the above structure, the laser beam 14 is irradiated from the substrate 11 side. The laser light 14 incident from the substrate 11 side receives the first recording film 12
When reaching the second recording film 13, both recording films are heated. As a result, the first recording film 12 is crystallized, and at the interface between the first recording film 12 and the second recording film 13, atoms of the materials forming both recording films are diffused and alloyed. In this way, the recording area 15 is formed. Since the reflectance of the recording area 15 is higher than that of the unrecorded area, it is possible to reproduce the recorded information by irradiating the reproducing light by using the difference in the reflectance.
【００１６】本発明においては、図２に示すように、基
板１１上にＢｉＴｅ合金からなる第２の記録膜１３を形
成し、その上に上記ＧｅＳｂＴｅ合金からなる第１の記
録膜１２を形成してなる構成であってもよい。このよう
な構成では、記録領域１５の反射率が未記録領域の反射
率よりも低くなる。この場合でも、反射率の違いを用い
て再生光を照射することにより記録された情報を再生す
ることができる。In the present invention, as shown in FIG. 2, a second recording film 13 made of a BiTe alloy is formed on a substrate 11, and a first recording film 12 made of the GeSbTe alloy is formed thereon. It may be configured as follows. With such a configuration, the reflectance of the recording area 15 is lower than the reflectance of the unrecorded area. Even in this case, the recorded information can be reproduced by irradiating the reproducing light by using the difference in reflectance.
【００１７】また、本発明においては、図３に示すよう
に、基板１１上にＳｉ化合物、好ましくはＺｎＳ・Ｓｉ
Ｏ2 等からなる保護膜１６を形成し、上記ＧｅＳｂＴｅ
合金からなる第１の記録膜１２を形成し、さらにその上
にＢｉＴｅ合金からなる第２の記録膜１３を形成し、再
び保護膜１６を形成してなる構成であってもよい。この
場合でも、上記と同様にして記録・再生を行うことがで
きる。Further, in the present invention, as shown in FIG. 3, a Si compound, preferably ZnS.Si, is formed on the substrate 11.
A protective film 16 made of O 2 or the like is formed, and GeSbTe
Alternatively, the first recording film 12 made of an alloy may be formed, the second recording film 13 made of a BiTe alloy may be further formed on the first recording film 12, and the protective film 16 may be formed again. Even in this case, recording / reproducing can be performed in the same manner as above.
【００１８】図４は本発明の相変化方式の情報記録媒体
の一実施例を示す断面図である。この情報記録媒体は、
基板１１上に少なくとも１．５原子％のＡｒを含むＧｅ
ＳｂＴｅ合金からなる記録膜１７を形成することにより
構成されている。記録膜１７は初期状態でアモルファス
相である。FIG. 4 is a sectional view showing an embodiment of the phase change type information recording medium of the present invention. This information recording medium
Ge containing at least 1.5 atomic% Ar on the substrate 11.
It is constituted by forming the recording film 17 made of an SbTe alloy. The recording film 17 is in an amorphous phase in the initial state.
【００１９】上記構成を有する情報記録媒体に記録を行
う場合、基板１１側からレーザ光１４を照射する。基板
１１側から入射したレーザ光１４は、記録膜１７に到達
すると、記録膜１７を加熱する。これにより、記録膜１
７が結晶化して相変化を起こして結晶相となる。このよ
うにして記録領域１８が形成される。この記録領域１８
の反射率は、未記録領域の反射率よりも高くなるので、
この反射率の違いを用いて再生光を照射することにより
記録された情報を再生することができる。なお、図４に
示す構成において、基板１１と記録膜１７との間および
記録膜１７上にＳｉ化合物等からなる保護膜１６を形成
してもよい。When recording on the information recording medium having the above structure, the laser beam 14 is irradiated from the substrate 11 side. When the laser light 14 incident from the substrate 11 side reaches the recording film 17, the recording film 17 is heated. As a result, the recording film 1
7 crystallizes and undergoes a phase change to become a crystalline phase. In this way, the recording area 18 is formed. This recording area 18
Since the reflectance of is higher than that of the unrecorded area,
The recorded information can be reproduced by irradiating the reproducing light by using this difference in reflectance. In the structure shown in FIG. 4, the protective film 16 made of a Si compound or the like may be formed between the substrate 11 and the recording film 17 and on the recording film 17.
【００２０】次に、本発明の情報記録媒体の特性につい
て説明する。図５は記録膜を形成する際に用いられるＲ
Ｆマグネトロンスパッタリング装置を示す概略図であ
る。図中２０はチャンバを示す。チャンバ２０の下部に
は、排気管を介して排気装置２１が接続されている。ま
た、チャンバ２０の下部には、流量調節手段（図示せ
ず）に接続された流量調節バルブ２２を有するガス供給
管の一端が連結されており、その他端がＡｒガス源２３
に接続されている。チャンバ２０の頂部には、先端に基
板支持板が取り付けられた支柱２５が、基板支持板をチ
ャンバ２０内部に位置するようにして貫挿されている。
この基板支持板には、基板２４が吸引手段等により吸着
して設置されている。チャンバ２０内の底部には、Ｇｅ
ＳｂＴｅ合金ターゲット２６およびＢｉＴｅ合金ターゲ
ット２７が設置されている。Next, the characteristics of the information recording medium of the present invention will be described. FIG. 5 shows R used when forming a recording film.
It is a schematic diagram showing an F magnetron sputtering device. In the figure, 20 indicates a chamber. An exhaust device 21 is connected to the lower portion of the chamber 20 via an exhaust pipe. Further, one end of a gas supply pipe having a flow rate adjusting valve 22 connected to a flow rate adjusting means (not shown) is connected to the lower portion of the chamber 20, and the other end is connected to an Ar gas source 23.
It is connected to the. A column 25 having a substrate support plate attached to the tip thereof is inserted through the top of the chamber 20 such that the substrate support plate is located inside the chamber 20.
The substrate 24 is attached to the substrate support plate by suction by a suction means or the like. At the bottom of the chamber 20, Ge
An SbTe alloy target 26 and a BiTe alloy target 27 are installed.
【００２１】上記構成のＲＦマグネトロンスパッタリン
グ装置を用いて基板２４上に記録膜を形成する。まず、
排気装置２１により、チャンバ２０内を排気して内部圧
力を１０-5Ｐａオーダーにする。次いで、流量調節バル
ブ２２を開いて流量調節手段により流量を調節しながら
Ａｒガス源２３からＡｒガスをチャンバ２０内に導入す
る。このとき、排気装置２１の排気量およびＡｒガス流
量を調節することにより、チャンバ２０内のＡｒガス圧
力を１０-2〜１０-1Ｐａのオーダーに制御する。A recording film is formed on the substrate 24 by using the RF magnetron sputtering apparatus having the above structure. First,
The inside of the chamber 20 is evacuated by the exhaust device 21 so that the internal pressure is on the order of 10 −5 Pa. Then, the flow rate adjusting valve 22 is opened, and the Ar gas is introduced into the chamber 20 from the Ar gas source 23 while adjusting the flow rate by the flow rate adjusting means. At this time, the Ar gas pressure in the chamber 20 is controlled to the order of 10 −2 to 10 −1 Pa by adjusting the exhaust amount of the exhaust device 21 and the Ar gas flow rate.
【００２２】次いで、支柱２５を回転させながら、Ｇｅ
ＳｂＴｅ合金ターゲット２６，２７に電力を印加してグ
ロー放電を起こさせる。これにより、基板２４上にＧｅ
ＳｂＴｅ膜が形成される。なお、記録膜を２層構造にす
る場合には、ＧｅＳｂＴｅ膜を続いてＢｉＴｅ合金ター
ゲット２７に電力を印加してスパッタリングを行う。こ
のとき、ターゲットの切り換えは、シャッター等により
行う。Then, while rotating the column 25, Ge
Electric power is applied to the SbTe alloy targets 26 and 27 to cause glow discharge. This allows Ge on the substrate 24.
An SbTe film is formed. When the recording film has a two-layer structure, the GeSbTe film is subsequently sputtered by applying power to the BiTe alloy target 27. At this time, the target is switched by a shutter or the like.
【００２３】上述したようにして、ＧｅＳｂＴｅ記録膜
の熱的安定性を調べるために、成膜時のＡｒガス圧力を
種々変更して、厚さ約１０００オングストロームのＧｅ
ＳｂＴｅ記録膜だけを成膜した試料を作製した。なお、
ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲットには、Ｇｅ21.6Ｓｂ24.5Ｔ
ｅ53.9を用い、基板には、ガラス基板、ポリカーボネー
ト基板を用いた。As described above, in order to examine the thermal stability of the GeSbTe recording film, the Ar gas pressure during film formation was variously changed, and the Ge film having a thickness of about 1000 angstrom was formed.
A sample in which only the SbTe recording film was formed was prepared. In addition,
For GeSbTe alloy target, Ge 21.6 Sb 24.5 T
Using e 53.9, the substrate was used a glass substrate, a polycarbonate substrate.
【００２４】ポリカーボネート基板上に作製した各試料
について、ラザフォード後方散乱（ＲＢＳ）分析を行
い、スペクトル中のＡｒピークのカウント数からＧｅＳ
ｂＴｅ記録膜中に含まれるＡｒ量を推定した。その結果
を図６に示す。図６から分かるように、成膜中のＡｒガ
ス圧力が大きくなるほど、ＧｅＳｂＴｅ記録膜中のＡｒ
量が減少する。Rutherford backscattering (RBS) analysis was performed on each sample prepared on a polycarbonate substrate, and GeS was determined from the number of Ar peak counts in the spectrum.
The amount of Ar contained in the bTe recording film was estimated. The result is shown in FIG. As can be seen from FIG. 6, the Ar gas in the GeSbTe recording film increases as the Ar gas pressure during film formation increases.
The amount decreases.
【００２５】次に、カバーガラス上に作製した各試料に
ついて、示差走査熱量（ＤＳＣ）測定を行って結晶化温
度（以下、Ｔｘと省略する）を測定した。その結果を図
７に示す。なお、測定は、試料を１０mm角の大きさに切
り出し、昇温速度を１０Ｋ／min に設定して行った。図
７から分かるように、試料温度が上昇してくると、まず
ガラス転移による吸熱ピークが観測され、さらに温度を
上げるとＧｅＳｂＴｅ記録膜の結晶化による発熱ピーク
が観測される。この発熱ピーク温度をＧｅＳｂＴｅ記録
膜のＴｘとする。各試料のＴｘとＡｒガス圧力の関係を
図８に示す。図８から分かるように、Ａｒガス圧力が増
加するとＴｘが下がる。図６および図８の結果を考慮す
ると、ＧｅＳｂＴｅ記録膜中のＡｒ量とＴｘとの関係が
図９として表せる。図９から分かるように、ＧｅＳｂＴ
ｅ記録膜中のＡｒ量が増加するとＴｘは上昇する。Next, each sample prepared on the cover glass was subjected to differential scanning calorimetry (DSC) measurement to measure the crystallization temperature (hereinafter abbreviated as Tx). The result is shown in FIG. 7. The measurement was carried out by cutting the sample into a 10 mm square and setting the heating rate to 10 K / min. As can be seen from FIG. 7, when the sample temperature rises, an endothermic peak due to the glass transition is observed first, and when the temperature is further raised, an exothermic peak due to crystallization of the GeSbTe recording film is observed. This exothermic peak temperature is taken as Tx of the GeSbTe recording film. The relationship between Tx and Ar gas pressure of each sample is shown in FIG. As can be seen from FIG. 8, Tx decreases as the Ar gas pressure increases. Considering the results of FIG. 6 and FIG. 8, the relationship between the amount of Ar in the GeSbTe recording film and Tx can be expressed as FIG. 9. As can be seen from FIG. 9, GeSbT
e As the amount of Ar in the recording film increases, Tx increases.
【００２６】上記と同様にして、成膜時のＡｒガス圧力
を種々変更することにより結晶化温度を種々変更して、
厚さ１mmのガラス基板上に厚さ約５００オングストロー
ムのＧｅＳｂＴｅ記録膜を成膜した試料を作製した。こ
の試料の初期の反射率を測定した。なお、反射率は、分
光光度計により測定した。In the same manner as above, the crystallization temperature is variously changed by variously changing the Ar gas pressure during film formation,
A sample in which a GeSbTe recording film having a thickness of about 500 Å was formed on a glass substrate having a thickness of 1 mm was prepared. The initial reflectance of this sample was measured. The reflectance was measured with a spectrophotometer.
【００２７】この試料を１３０℃の恒温槽に入れ２４時
間放置し、恒温槽から取り出した試料の促進後の反射率
を再び測定した。この初期および促進後の反射率の結果
から反射率変化を求めた。その結果を下記表１に示す。
表中、反射率変化が５％以上であった場合をＹＥＳと
し、反射率変化が５％未満であった場合をＮＯとした。This sample was placed in a constant temperature bath at 130 ° C. and left for 24 hours, and the reflectance of the sample taken out from the constant temperature bath after acceleration was measured again. A change in reflectance was obtained from the results of the reflectance at the initial stage and after the acceleration. The results are shown in Table 1 below.
In the table, the case where the change in reflectance is 5% or more is YES, and the case where the change in reflectance is less than 5% is NO.
【００２８】[0028]
【表１】 [Table 1]
【００２９】表１から明らかなように、反射率変化が少
ない、すなわちアモルファス相が安定であるのは、試料
番号３および４である。この試料は、ＧｅＳｂＴｅ記録
膜のＴｘが１６０℃以上のものである。したがって、ア
モルファス相が安定であるためには、Ｔｘが１６０℃以
上であることが必要である。この考察と図９の結果か
ら、記録・再生において、アモルファス相が安定である
とされるＴｘ１６０℃以上になるには、ＧｅＳｂＴｅ記
録膜中のＡｒ量が少なくとも１．５原子％以上であるこ
とが必要であるといえる。As is clear from Table 1, it is Sample Nos. 3 and 4 that the reflectance change is small, that is, the amorphous phase is stable. In this sample, the GeSbTe recording film has Tx of 160 ° C. or higher. Therefore, in order for the amorphous phase to be stable, Tx needs to be 160 ° C. or higher. From this consideration and the results of FIG. 9, it is necessary for the amount of Ar in the GeSbTe recording film to be at least 1.5 atomic% or more in order to attain Tx of 160 ° C. or more, which is considered to be stable in the recording / reproducing. It can be said that there is.
【００３０】上述した内容は、相変化方式の情報記録媒
体について説明しているが、合金か方式の情報記録媒体
についても同様の結果が得られた。次に、ポリカーボネ
ート基板上にＧｅＳｂＴｅ膜とＢｉａＴｅ膜を積層して
なる２層構造の記録膜を有する合金化方式の情報記録媒
体を作製した。この情報記録媒体に半導体レーザを用い
て矩形波信号の記録を行った。このときのＣＮ比の記録
パワー依存性を図１０に示す。図１０から分かるよう
に、本発明の記録媒体は、記録・再生に充分なＣＮ比と
パワーマージンを有する。なお、本実施例では、記録膜
の成膜にＲＦマグネトロンスパッタリングを採用してい
るが、ＤＣスパッタリングでも同様な効果が得られる。Although the above description has been made with respect to the phase change type information recording medium, similar results were obtained with an alloy type information recording medium. Next, an alloying type information recording medium having a two-layer recording film formed by stacking a GeSbTe film and a BiaTe film on a polycarbonate substrate was produced. A rectangular wave signal was recorded on this information recording medium using a semiconductor laser. FIG. 10 shows the recording power dependency of the CN ratio at this time. As can be seen from FIG. 10, the recording medium of the present invention has a CN ratio and a power margin sufficient for recording / reproduction. In this embodiment, RF magnetron sputtering is used for forming the recording film, but DC sputtering can also achieve the same effect.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明した如く本発明の情報記録媒体
は、基板上に少なくともＴｅを含む合金からなるアモル
ファス相の記録膜を有し、この記録膜が少なくとも１．
５原子％のＡｒを含むので、結晶化温度が高く、記録状
態を安定して維持できるものであり、記録再生に充分な
信頼性のあるものである。As described above, the information recording medium of the present invention has the amorphous phase recording film made of an alloy containing at least Te on the substrate, and this recording film is at least 1.
Since it contains 5 atomic% of Ar, the crystallization temperature is high, the recording state can be stably maintained, and the recording / reproducing is sufficiently reliable.
【図１】本発明の合金化方式の情報記録媒体の一実施例
を示す断面図。FIG. 1 is a sectional view showing an embodiment of an alloying type information recording medium of the present invention.
【図２】本発明の合金化方式の情報記録媒体の他の実施
例を示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view showing another embodiment of the alloying type information recording medium of the present invention.
【図３】本発明の合金化方式の情報記録媒体の他の実施
例を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view showing another embodiment of the alloying type information recording medium of the present invention.
【図４】本発明の相変化方式の情報記録媒体の一実施例
を示す断面図。FIG. 4 is a sectional view showing an embodiment of the phase change type information recording medium of the present invention.
【図５】記録膜を形成する際に用いられるＲＦマグネト
ロンスパッタリング装置を示す概略図。FIG. 5 is a schematic view showing an RF magnetron sputtering apparatus used when forming a recording film.
【図６】ＧｅＳｂＴｅ記録膜のラザフォード後方散乱分
析の結果を示すグラフ。FIG. 6 is a graph showing the results of Rutherford backscattering analysis of a GeSbTe recording film.
【図７】ＧｅＳｂＴｅ記録膜の示差走査熱量測定の結果
を示すグラフ。FIG. 7 is a graph showing the results of differential scanning calorimetry of a GeSbTe recording film.
【図８】ＧｅＳｂＴｅ記録膜の結晶か温度とＡｒガス圧
力との関係を示すグラフ。FIG. 8 is a graph showing the relationship between the crystal temperature of a GeSbTe recording film and the Ar gas pressure.
【図９】ＧｅＳｂＴｅ記録膜中のＡｒ量と結晶化温度と
の関係を示すグラフ。FIG. 9 is a graph showing the relationship between the amount of Ar in the GeSbTe recording film and the crystallization temperature.
【図１０】本発明の情報記録媒体のＣＮ比の記録パワー
依存性を示すグラフ。FIG. 10 is a graph showing the recording power dependence of the CN ratio of the information recording medium of the present invention.
【符号の説明】 １１，２４…基板、１２…第１の記録膜、１３…第２の
記録膜、１４…レーザ光、１５，１８…記録領域、１６
…保護膜、１７…記録膜、２０…チャンバ、２１…排気
装置、２２…流量調節バルブ、２３…Ａｒガス源、２５
…支柱、２６…ＧｅＳｂＴｅ合金ターゲット、２７…Ｂ
ｉＴｅ合金ターゲット。[Explanation of Codes] 11, 24 ... Substrate, 12 ... First Recording Film, 13 ... Second Recording Film, 14 ... Laser Light, 15, 18 ... Recording Area, 16
... Protective film, 17 ... Recording film, 20 ... Chamber, 21 ... Exhaust device, 22 ... Flow control valve, 23 ... Ar gas source, 25
... Supports, 26 ... GeSbTe alloy target, 27 ... B
iTe alloy target.
Claims (3)
なるアモルファス相の記録膜を有する情報記録媒体であ
って、前記記録膜が少なくとも１．５原子％のＡｒを含
むことを特徴とする情報記録媒体。1. An information recording medium having an amorphous phase recording film made of an alloy containing at least Te on a substrate, wherein the recording film contains at least 1.5 atomic% of Ar. Medium.
合金からなるアモルファス相の第１の記録膜と、前記第
１の記録膜上に形成されたＢｉＴｅ合金からなる第２の
記録膜を具備し、前記記録膜が少なくとも１．５原子％
のＡｒを含み、前記第１および第２の記録膜に記録光を
照射することにより、前記第１および第２の記録膜の材
料が合金化して光学的特性を変化させて記録が行われる
ことを特徴とする情報記録媒体。2. A GeSbTe formed on a substrate.
An amorphous phase first recording film made of an alloy and a second recording film made of a BiTe alloy formed on the first recording film are provided, and the recording film is at least 1.5 atomic%.
By irradiating the first and second recording films with recording light containing Ar, the materials of the first and second recording films are alloyed and the optical characteristics are changed to perform recording. An information recording medium characterized by:
ルファス相の記録膜を有し、前記記録膜が少なくとも
１．５原子％のＡｒを含み、前記記録膜に記録光を照射
することにより、前記記録膜の材料が相変化を起して光
学的特性を変化させて記録が行われることを特徴とする
情報記録媒体。3. A recording film having an amorphous phase made of GeSbTe alloy on a substrate, wherein the recording film contains at least 1.5 atomic% of Ar, and the recording film is irradiated with recording light to thereby perform the recording. An information recording medium, wherein recording is performed by causing a material of the film to undergo a phase change to change optical characteristics.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236891A JPH0793805A (en) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | Information recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5236891A JPH0793805A (en) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | Information recording medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793805A true JPH0793805A (en) | 1995-04-07 |
Family
ID=17007307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5236891A Pending JPH0793805A (en) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | Information recording medium |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793805A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030908A1 (en) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Write once optical information recording medium |
| EP0936605A1 (en) * | 1998-02-10 | 1999-08-18 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP5236891A patent/JPH0793805A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999030908A1 (en) * | 1997-12-17 | 1999-06-24 | Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha | Write once optical information recording medium |
| EP0936605A1 (en) * | 1998-02-10 | 1999-08-18 | Sony Corporation | Optical recording medium and manufacturing method thereof |
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