JPH0790556A - High-frequency induction plasma film forming device - Google Patents
High-frequency induction plasma film forming deviceInfo
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- JPH0790556A JPH0790556A JP5234610A JP23461093A JPH0790556A JP H0790556 A JPH0790556 A JP H0790556A JP 5234610 A JP5234610 A JP 5234610A JP 23461093 A JP23461093 A JP 23461093A JP H0790556 A JPH0790556 A JP H0790556A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマトーチ内に形
成されたプラズマ中に被成膜物質を供給し、被成膜物質
を溶融あるいは蒸発させた後基板に付着させるようにし
た高周波誘導熱プラズマ成膜装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-frequency induction heat for supplying a film-forming substance into plasma formed in a plasma torch, melting or vaporizing the film-forming substance, and then adhering it to a substrate. The present invention relates to a plasma film forming apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１は従来の高周波誘導プラズマ成膜装
置を示している。図中１はプラズマトーチであり、この
トーチ１は、円筒状の管２と、管２の上部のガスリング
３と、水冷プローブ４と、管２の外側に配置された高周
波誘導コイル５とより構成されている。高周波誘導コイ
ル５は高周波電源６から高周波が供給される。また、管
２は二重管構造となっており、その二重管部分には冷却
水が流されるように構成されている。同様に、ガスリン
グ３や水冷プローブ４も水冷構造となっている（ガスリ
ング３の水冷構造は図示せず）。プラズマトーチ１の下
部にはチャンバー７が配置されているが、このチャンバ
ー７内には被成膜基板８が設置されている。なお、この
チャンバー７も図示していないが水冷構造となってい
る。2. Description of the Related Art FIG. 1 shows a conventional high frequency induction plasma film forming apparatus. In the figure, 1 is a plasma torch, which comprises a cylindrical tube 2, a gas ring 3 above the tube 2, a water-cooled probe 4, and a high-frequency induction coil 5 arranged outside the tube 2. It is configured. The high frequency induction coil 5 is supplied with a high frequency from a high frequency power supply 6. The pipe 2 has a double pipe structure, and cooling water is caused to flow through the double pipe portion. Similarly, the gas ring 3 and the water cooling probe 4 also have a water cooling structure (the water cooling structure of the gas ring 3 is not shown). A chamber 7 is arranged below the plasma torch 1, and a film formation substrate 8 is installed in the chamber 7. Although not shown, the chamber 7 also has a water cooling structure.
【０００３】水冷プローブ４は、粉末供給器９、超音波
噴霧器１０、材料ガス供給器１１に接続されている。粉
末供給器９からはアルゴンガスなどのキャリアガスと共
に被成膜物質である粉末物質が供給される。超音波噴霧
器１０からはキャリアガスと共に霧状の物質が供給され
る。材料ガス供給器１１からはアルゴンなどのキャリア
ガスと共にＳｉＣｌ4 やＢ2 Ｈ6 などの材料ガスが供給
される。ガスリング３は図示していないがアルゴンガス
や酸素ガスなどのプラズマガス源に接続されており、こ
のプラズマガスはガスリング３を介して管２の内側周辺
部から管２内部に向けて供給される。The water cooling probe 4 is connected to a powder feeder 9, an ultrasonic atomizer 10 and a material gas feeder 11. From the powder feeder 9, a powder substance as a film-forming substance is supplied together with a carrier gas such as argon gas. From the ultrasonic atomizer 10, the atomized substance is supplied together with the carrier gas. A material gas such as SiCl 4 or B 2 H 6 is supplied from the material gas supplier 11 together with a carrier gas such as argon. Although not shown, the gas ring 3 is connected to a plasma gas source such as argon gas or oxygen gas, and this plasma gas is supplied from the inner peripheral portion of the tube 2 to the inside of the tube 2 via the gas ring 3. It
【０００４】チャンバー７内の基板８は、回転可能な基
板ホルダー１２上に載せられているが、この基板ホルダ
ー１２も水冷構造となっている。チャンバー７内はロー
タリーポンプのごとき真空ポンプ１３によって排気され
るが、チャンバー７と真空ポンプ１３との間には、排気
ガスを冷却する冷却器１４と、排気ガス中に含まれてい
る粉末物質などを取り除くフィルター１５が設けられて
いる。このような構成の動作を次に説明する。The substrate 8 in the chamber 7 is placed on a rotatable substrate holder 12, which also has a water cooling structure. The inside of the chamber 7 is evacuated by a vacuum pump 13 such as a rotary pump, and between the chamber 7 and the vacuum pump 13, a cooler 14 for cooling the exhaust gas, a powder substance contained in the exhaust gas, etc. There is provided a filter 15 for removing. The operation of such a configuration will be described below.
【０００５】まず、チャンバー７内を真空ポンプ１３に
よって排気し、チャンバー７内を１Torr以下の真空度と
する。次に、ガスリング３を介してプラズマガスとして
アルゴンガスを管２の内壁の周辺部から管２内部に供給
し、更に、高周波電源５より高周波誘導コイル５に、例
えば、４ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給し、管２内
部にグロー放電を励起させる。その後、管２やチャンバ
ー７内を２００Torr程度の圧力に設定し、高周波電力を
上昇させると共に、アルゴンガスに加えて酸素ガスや窒
素ガスなどの反応ガスを管２内に供給する。First, the inside of the chamber 7 is evacuated by the vacuum pump 13 to bring the inside of the chamber 7 to a vacuum degree of 1 Torr or less. Next, argon gas is supplied as plasma gas from the peripheral portion of the inner wall of the tube 2 to the inside of the tube 2 through the gas ring 3, and the high frequency power supply 5 supplies the high frequency induction coil 5 with high frequency power having a frequency of 4 MHz, for example. Is supplied to excite glow discharge inside the tube 2. After that, the inside of the tube 2 and the chamber 7 is set to a pressure of about 200 Torr, the high frequency power is increased, and at the same time, a reactive gas such as oxygen gas or nitrogen gas is supplied into the tube 2 in addition to the argon gas.
【０００６】上記したステップで管２とチャンバー７内
にプラズマＰを形成し、このプラズマＰが安定した時点
で、例えば、粉末供給器９からアルゴンガスなどのキャ
リアガスに搬送させてシリコンなどの粉末材料をプロー
ブ４を介してプラズマＰ中に供給する。プラズマＰ中に
供給された粉末材料は、１万度以上のプラズマ中で蒸発
・反応され、プラズマフレーム下部に配置された基板８
上に蒸着される。例えば、粉末材料としてシリコン（Ｓ
ｉ）を用い、反応ガスとして酸素ガス（Ｏ2）を用いる
と、基板８にはＳｉＯ2が蒸着される。A plasma P is formed in the tube 2 and the chamber 7 by the steps described above, and when the plasma P becomes stable, for example, it is transferred from a powder feeder 9 to a carrier gas such as argon gas and powder of silicon or the like. The material is supplied into the plasma P via the probe 4. The powder material supplied into the plasma P is vaporized and reacted in the plasma of 10,000 degrees or more, and the substrate 8 placed under the plasma frame
Deposited on top. For example, as a powder material, silicon (S
When i) is used and oxygen gas (O 2 ) is used as a reaction gas, SiO 2 is vapor-deposited on the substrate 8.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】上記した構成で、粉末
材料をプラズマ中に供給する際、粉末を完全に蒸発させ
る必要から、高周波出力によっても異なるが１μｍ以下
の径の微粉末を完全に分散させた状態で定量供給させる
高性能の粉末供給装置が必要となる。このような高性能
の超微粉末供給装置は技術的に大変難しい。With the above structure, when the powder material is supplied into the plasma, it is necessary to completely evaporate the powder, so that fine powder having a diameter of 1 μm or less is completely dispersed although it depends on the high frequency output. A high-performance powder feeding device for feeding a fixed amount in this state is required. Such a high performance ultrafine powder feeder is technically very difficult.
【０００８】また、蒸発材料を超音波噴霧器１０により
霧状にしてプラズマ中に供給する場合、原材料を完全に
霧の状態に保つことが難しく、霧を供給するチューブ内
やプローブ４の先端に霧が澱んでしまい、そこで液滴が
発生し、プラズマで蒸発できない大きさの液滴が管２内
に供給されてしまう。更に、材料ガスの供給では、塩素
などの成膜に関係のない有害な副生成物が発生し、その
処理が大掛かりなものとなっている。Further, when the vaporized material is atomized by the ultrasonic atomizer 10 and supplied into the plasma, it is difficult to keep the raw material in a completely mist state, and the mist is fed inside the tube or the tip of the probe 4. Will settle, and droplets will be generated there, and droplets of a size that cannot be evaporated by plasma will be supplied into the tube 2. Further, when the material gas is supplied, harmful by-products such as chlorine, which are not related to the film formation, are generated, and the treatment thereof is large-scale.
【０００９】このように、図１に示した構造でプラズマ
中に材料を供給する方式では、基本的にプラズマの蒸発
エネルギーに関係なく材料が挿入されてしまう問題があ
り、プラズマ中に未蒸発あるいは未蒸発と蒸発した材料
との不均一な被成膜物質が基板に到達し、基板と膜との
密着度を悪化させるばかりか未蒸発の粉末自体が基板に
堆積するなどの問題を引き起こす原因に繋がっていた。As described above, in the method of supplying the material into the plasma with the structure shown in FIG. 1, there is a problem that the material is basically inserted regardless of the energy of vaporization of the plasma, and the material is not vaporized or is not vaporized in the plasma. The non-evaporated and non-evaporated material to be deposited on the substrate reaches the substrate, which not only deteriorates the adhesion between the substrate and the film but also causes the problem that the unvaporized powder itself is deposited on the substrate. It was connected.
【００１０】本発明は、このような点に鑑みてなされた
もので、その目的は、未蒸発材料などが基板に直接堆積
することを防止できる高周波誘導熱プラズマ成膜装置を
実現するにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to realize a high-frequency induction thermal plasma film forming apparatus capable of preventing non-evaporated material or the like from being directly deposited on a substrate.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明に基づく高周波誘
導熱プラズマ成膜装置は、高周波誘導プラズマトーチ内
に形成されたプラズマ中に被成膜物質を供給し、プラズ
マ中で被成膜物質を溶融あるいは蒸発させた後、基板に
付着させるようにした高周波誘導熱プラズマ成膜装置に
おいて、プラズマを下方から上方に向かって形成すると
共にプラズマの下方に被成膜物質を配置し、プラズマト
ーチの上方に基板を配置するように構成したことを特徴
としている。A high frequency induction thermal plasma film forming apparatus according to the present invention supplies a film forming substance into plasma formed in a high frequency induction plasma torch and forms the film forming substance in the plasma. In a high-frequency induction thermal plasma film forming apparatus that is designed to adhere to a substrate after being melted or evaporated, plasma is formed from the lower side to the upper side, and a substance to be film-formed is arranged below the plasma, and the substance to be formed is arranged above the plasma torch. It is characterized in that the substrate is arranged on the substrate.
【００１２】[0012]
【作用】本発明に基づく高周波誘導熱プラズマ成膜装置
は、プラズマの下方から被成膜物質を供給し、プラズマ
によって蒸発させられた物質をプラズマ上方の基板に蒸
着させる。In the high frequency induction thermal plasma film forming apparatus according to the present invention, the material to be formed is supplied from below the plasma, and the material evaporated by the plasma is deposited on the substrate above the plasma.
【００１３】[0013]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。図２は本発明の一実施例である高周波誘導
熱プラズマ成膜装置を示している。この実施例で、図中
２０はプラズマトーチであり、このトーチ２０は、円筒
状の管２１と、管２１の下部のガスリング２２と、ガス
リング２２の中心部のガスリングヘッド２３と、管２０
の外側に配置された高周波誘導コイル２４とより構成さ
れている。高周波誘導コイル２４は図示していないが、
高周波電源から高周波が供給される。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. FIG. 2 shows a high frequency induction thermal plasma film forming apparatus which is an embodiment of the present invention. In this embodiment, 20 is a plasma torch, which comprises a cylindrical tube 21, a gas ring 22 below the tube 21, a gas ring head 23 at the center of the gas ring 22, and a tube. 20
And a high-frequency induction coil 24 arranged outside. Although the high frequency induction coil 24 is not shown,
High frequency is supplied from the high frequency power supply.
【００１４】また、管２１は二重管構造となっており、
その二重管部分には冷却水が流されるように構成されて
いる。同様に、ガスリング２２やガスリングヘッド２３
も水冷構造となっている（ガスリング２２の水冷構造は
図示せず）。プラズマトーチ２０の上部にはチャンバー
２５が配置されているが、このチャンバー２５内には被
成膜基板２６が設置されているが、この基板２６は、回
転可能な基板ホルダー２７に取り付けられている。な
お、このチャンバー２５や基板ホルダー２７も図示して
いないが水冷構造となっている。Further, the pipe 21 has a double pipe structure,
Cooling water is caused to flow through the double pipe portion. Similarly, the gas ring 22 and the gas ring head 23
Also has a water cooling structure (the water cooling structure of the gas ring 22 is not shown). A chamber 25 is arranged above the plasma torch 20, and a film formation target substrate 26 is installed in the chamber 25. The substrate 26 is attached to a rotatable substrate holder 27. . Although not shown, the chamber 25 and the substrate holder 27 also have a water cooling structure.
【００１５】ガスリングヘッド２３はガスリング２２の
中心部で上下方向に移動可能に設けられており、ガスリ
ングヘッド２３の上部には被蒸発材料２８が載せられて
いる。このガスリングヘッド２３の上下移動機構として
は、エアピストン駆動や電磁駆動方式を用いることがで
きる。The gas ring head 23 is provided movably in the vertical direction at the center of the gas ring 22, and the material to be evaporated 28 is placed on the gas ring head 23. As a vertical movement mechanism for the gas ring head 23, an air piston drive or an electromagnetic drive system can be used.
【００１６】ガスリング２２はアルゴンガス，酸素ガ
ス，窒素ガスなどのプラズマガス源（図示せず）と接続
されており、ガスリング２２を介してプラズマガスは管
２１の内側周辺部から管２１内部に供給される。なお、
チャンバー２５内は図１に示した従来装置と同様に、ロ
ータリーポンプのごとき真空ポンプによって排気され、
更に、チャンバー２５と真空ポンプとの間には、図示し
ていないが、排気ガスを冷却する冷却器と、排気ガス中
に含まれている粉末物質などを取り除くフィルターが設
けられている。なお、２９はＯリングである。このよう
な構成の動作を次に説明する。The gas ring 22 is connected to a plasma gas source (not shown) such as argon gas, oxygen gas or nitrogen gas, and the plasma gas is supplied from the inner peripheral portion of the pipe 21 to the inside of the pipe 21 via the gas ring 22. Is supplied to. In addition,
The inside of the chamber 25 is evacuated by a vacuum pump such as a rotary pump as in the conventional apparatus shown in FIG.
Further, although not shown, a cooler for cooling the exhaust gas and a filter for removing powder substances contained in the exhaust gas are provided between the chamber 25 and the vacuum pump. In addition, 29 is an O-ring. The operation of such a configuration will be described below.
【００１７】まず、チャンバー２５内を真空ポンプによ
って排気し、チャンバー２５内を１Torr以下の真空度と
する。次に、ガスリング２２を介してプラズマガスとし
てアルゴンガスを管２１の内壁の周辺部から管２１内部
に供給し、更に、高周波電源より高周波誘導コイル２４
に、例えば、４ＭＨｚの周波数の高周波電力を供給し、
管２１内部にグロー放電を励起させる。その後、管２１
やチャンバー２５内を２００Torr程度の圧力に設定し、
高周波電力を上昇させると共に、ガスリング２２を介し
てアルゴンガスに加えて酸素ガス，窒素ガス，水素ガス
などの反応ガスを管２１内に供給する。First, the inside of the chamber 25 is evacuated by a vacuum pump to bring the inside of the chamber 25 to a vacuum degree of 1 Torr or less. Next, argon gas is supplied as plasma gas from the peripheral portion of the inner wall of the tube 21 to the inside of the tube 21 via the gas ring 22, and the high frequency induction coil 24 is further supplied from the high frequency power source.
, For example, supply high frequency power of 4MHz frequency,
A glow discharge is excited inside the tube 21. Then tube 21
Or the pressure inside the chamber 25 is set to about 200 Torr,
While increasing the high frequency power, a reaction gas such as oxygen gas, nitrogen gas, hydrogen gas, etc. is supplied into the pipe 21 via the gas ring 22 in addition to the argon gas.
【００１８】上記したステップで管２１とチャンバー２
５内にプラズマＰが形成されるが、この時点で、プラズ
マが安定状態となるまで、図３に示すようにガスリング
ヘッド２３はガスリング２２の中心部で下方に移動させ
られており、被蒸発物質２８がプラズマＰに晒されない
ようにしている。このプラズマＰが安定した時点で、図
２に示すようにガスリングヘッド２３を上方に移動さ
せ、被蒸発材料２８をプラズマＰに晒すようにセットす
る。この結果、被蒸発物質２８のプラズマに晒された部
分は加熱され、蒸発される。蒸発し反応ガスと反応した
物質は、プラズマと一緒にチャンバー２５内を上方に移
動し、基板２６に蒸着される。なお、被蒸発物質２８の
蒸発量の制御は、高周波電力やガスリングヘッドの径お
よびガスリングヘッドの位置の制御あるいは膜厚コント
ローラによって行うことができる。The tube 21 and the chamber 2 are subjected to the above steps.
Plasma P is formed in the gas ring 5, but at this point, the gas ring head 23 is moved downward at the center of the gas ring 22 as shown in FIG. The vaporized substance 28 is prevented from being exposed to the plasma P. When the plasma P stabilizes, the gas ring head 23 is moved upward as shown in FIG. 2 so that the material 28 to be evaporated is exposed to the plasma P. As a result, the portion of the substance to be vaporized 28 exposed to the plasma is heated and vaporized. The substance that has evaporated and reacted with the reaction gas moves upward in the chamber 25 together with the plasma and is deposited on the substrate 26. The evaporation amount of the substance to be evaporated 28 can be controlled by controlling the high frequency power, the diameter of the gas ring head and the position of the gas ring head, or the film thickness controller.
【００１９】このように、上記した実施例では、電子銃
やスパッタリング成膜装置のように、高真空を使用しな
いため、被蒸発物質の蒸発量が化学反応速度に依存する
ことがない。従って、化学反応をともなった蒸着膜を高
速に形成させることが可能となる。言い換えれば、ＣＶ
Ｄ法のように化学反応の高速化を損なわず、ＣＶＤの欠
点であった原料の効率悪化や副生成物の発生を防止する
ことができる。As described above, in the above-described embodiment, unlike the electron gun and the sputtering film forming apparatus, since the high vacuum is not used, the evaporation amount of the substance to be evaporated does not depend on the chemical reaction rate. Therefore, it becomes possible to form a vapor deposition film with a chemical reaction at high speed. In other words, CV
It is possible to prevent deterioration of raw material efficiency and generation of by-products, which are defects of CVD, without impairing speeding up of chemical reaction as in the method D.
【００２０】以上本発明の実施例を説明したが、本発明
はこの実施例に限定されない。例えば、図２の実施例
で、基板ホルダー２７とガスリングヘッド２３との間に
高周波や直流電源を設け、バイアス電圧を印加すること
は好ましい。このバイアス電圧の印加により、電子や負
のイオンが基板２８に衝突し、基板表面のクリーニング
を行うことができる。更に、蒸着状態の際には、スパッ
タリング効果のように蒸発物質が勢い良く基板に衝突
し、膜の密着性を向上させることができる。また、チャ
ンバー内の圧力は、熱プラズマが存在する圧力であれ
ば、前記した値に限定されない。Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to this embodiment. For example, in the embodiment of FIG. 2, it is preferable to provide a high frequency or DC power supply between the substrate holder 27 and the gas ring head 23 and apply a bias voltage. By applying this bias voltage, electrons and negative ions collide with the substrate 28, and the substrate surface can be cleaned. Further, in the vapor deposition state, the evaporation material vigorously collides with the substrate like the sputtering effect, and the adhesion of the film can be improved. Further, the pressure in the chamber is not limited to the above value as long as it is a pressure at which thermal plasma exists.
【００２１】更に、ガスリングヘッド２３の構造は、図
２，図３に示した構造に限定されない。例えば、図４は
ガスリングヘッドの形状を改良した実施例を示してい
る。この図で、図２の実施例と同一部分には同一番号が
付されている。図４（ａ）は、プラズマＰが安定となる
までの状態、図４（ｂ）は、プラズマＰが安定化した後
に被蒸発材料２８の蒸発を積極的に行う際の状態を示し
ている。すなわち、図４（ａ）では、ガスリングヘッド
２３は下方に下げられており、図４（ｂ）では、ガスリ
ングヘッド２３は上方に移動させられている。この実施
例で、ガスリングヘッド２３の被蒸発材料２８が載せら
れている先端部分には、大きな窪みが形成されている。
その結果、図４（ｂ）の状態、すなわち、ヘッド２３が
上方に移動され、プラズマＰに被蒸発材料２８が晒され
るとき、蒸発した材料がガスリング２２の内壁に付着す
ることは防止される。Further, the structure of the gas ring head 23 is not limited to the structure shown in FIGS. For example, FIG. 4 shows an embodiment in which the shape of the gas ring head is improved. In this figure, the same parts as those in the embodiment of FIG. 2 are designated by the same reference numerals. FIG. 4A shows a state until the plasma P becomes stable, and FIG. 4B shows a state when the evaporation target material 28 is actively evaporated after the plasma P is stabilized. That is, in FIG. 4A, the gas ring head 23 is lowered, and in FIG. 4B, the gas ring head 23 is moved upward. In this embodiment, a large depression is formed at the tip of the gas ring head 23 on which the material to be evaporated 28 is placed.
As a result, when the head 23 is moved upward and the material P to be evaporated 28 is exposed to the plasma P in the state of FIG. 4B, the evaporated material is prevented from adhering to the inner wall of the gas ring 22. .
【００２２】[0022]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に基づく高
周波誘導熱プラズマ成膜装置は、プラズマの下方から被
成膜物質を供給し、プラズマによって蒸発させられた物
質をプラズマ上方の基板に蒸着させるように構成したの
で、未蒸発物質が基板に付着することは防止され、完全
に蒸気化した材料だけを基板に到達させて膜を形成する
ことができる。また、成膜に関係ない塩素などの副生成
物を発生させることなく、化学反応をともなった蒸着膜
の高速化および厚膜コーティングを行うことができる。As described above, in the high frequency induction thermal plasma film forming apparatus according to the present invention, the material to be formed is supplied from below the plasma, and the material evaporated by the plasma is deposited on the substrate above the plasma. Since the non-evaporated substance is prevented from adhering to the substrate, only the completely vaporized material can reach the substrate to form the film. Further, it is possible to increase the speed of a vapor deposition film accompanied by a chemical reaction and perform thick film coating without generating a by-product such as chlorine that is not related to film formation.
【図１】従来の高周波誘導熱プラズマ成膜装置の概略を
示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an outline of a conventional high-frequency induction thermal plasma film forming apparatus.
【図２】本発明に基づく高周波誘導熱プラズマ成膜装置
の一実施例を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an embodiment of a high frequency induction thermal plasma film forming apparatus according to the present invention.
【図３】図２の実施例のガスリングヘッドの状態を示す
図である。FIG. 3 is a diagram showing a state of the gas ring head of the embodiment of FIG.
【図４】本発明に基づく成膜装置に用いられるガスリン
グヘッドの他の例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing another example of a gas ring head used in the film forming apparatus according to the present invention.
２０ プラズマトーチ ２１ 管 ２２ ガスリング ２３ ガスリングヘッド ２４ 高周波誘導コイル ２５ チャンバー ２６ 被成膜基板 ２７ 基板ホルダー ２８ 被蒸発材料 20 Plasma Torch 21 Tube 22 Gas Ring 23 Gas Ring Head 24 High Frequency Induction Coil 25 Chamber 26 Deposition Substrate 27 Substrate Holder 28 Evaporation Material
Claims (2)
たプラズマ中に被成膜物質を供給し、プラズマ中で被成
膜物質を溶融あるいは蒸発させた後、基板に付着させる
ようにした高周波誘導熱プラズマ成膜装置において、プ
ラズマを下方から上方に向かって形成すると共に、プラ
ズマの下方に被成膜物質を配置し、プラズマトーチの上
方に基板を配置するように構成した高周波誘導熱プラズ
マ成膜装置。1. A high-frequency induction heat for supplying a film-forming substance into a plasma formed in a high-frequency induction plasma torch, melting or vaporizing the film-forming substance in the plasma, and then adhering it to a substrate. In a plasma film forming apparatus, a high frequency induction thermal plasma film forming apparatus is configured so that plasma is formed from below to above, a material to be formed is arranged below plasma, and a substrate is arranged above a plasma torch. .
に移動可能に設けた請求項１記載の高周波誘導熱プラズ
マ成膜装置。2. The high frequency induction thermal plasma film forming apparatus according to claim 1, wherein a supporting member on which the film forming substance is placed is provided so as to be movable in the vertical direction.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23461093A JP3152548B2 (en) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | High frequency induction plasma deposition equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23461093A JP3152548B2 (en) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | High frequency induction plasma deposition equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790556A true JPH0790556A (en) | 1995-04-04 |
| JP3152548B2 JP3152548B2 (en) | 2001-04-03 |
Family
ID=16973742
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23461093A Expired - Lifetime JP3152548B2 (en) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | High frequency induction plasma deposition equipment |
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| Country | Link |
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1993
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