JPH0786623A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH0786623A JPH0786623A JP5229954A JP22995493A JPH0786623A JP H0786623 A JPH0786623 A JP H0786623A JP 5229954 A JP5229954 A JP 5229954A JP 22995493 A JP22995493 A JP 22995493A JP H0786623 A JPH0786623 A JP H0786623A
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- film
- insulating film
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 絶縁性基板12上に耐熱性絶縁膜14を形成
する。分割部16に当たる位置を両側から挟むように、
耐熱性絶縁膜14を分割する。すなわち、耐熱性絶縁膜
14によって、絶縁性基板12上に分割して形成される
光電変換層18と後に形成される変質部20とを分離す
る。 【効果】 変質部20を通してリーク電流が流れるのが
防止され、光電変換効率の低下を防止できる。
する。分割部16に当たる位置を両側から挟むように、
耐熱性絶縁膜14を分割する。すなわち、耐熱性絶縁膜
14によって、絶縁性基板12上に分割して形成される
光電変換層18と後に形成される変質部20とを分離す
る。 【効果】 変質部20を通してリーク電流が流れるのが
防止され、光電変換効率の低下を防止できる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は光起電力装置に関し、
特にたとえば微小サイズに形成され、太陽電池や光セン
サなどの光起電力装置および集積型光起電力装置に関す
る。
特にたとえば微小サイズに形成され、太陽電池や光セン
サなどの光起電力装置および集積型光起電力装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】光起電力装置は、太陽電池に代表される
ように半導体膜の光起電力効果を利用した光−電気エネ
ルギ変換装置である。最近の太陽電池開発は、大面積、
高効率でさらに低コスト化の方向に進んでいる。一方、
マイクロマシンの開発がここ最近活発となり、そのエネ
ルギ供給装置として微小サイズの高効率光起電力装置の
開発要求が高まりつつある。
ように半導体膜の光起電力効果を利用した光−電気エネ
ルギ変換装置である。最近の太陽電池開発は、大面積、
高効率でさらに低コスト化の方向に進んでいる。一方、
マイクロマシンの開発がここ最近活発となり、そのエネ
ルギ供給装置として微小サイズの高効率光起電力装置の
開発要求が高まりつつある。
【0003】このような高効率光起電力装置の一例を図
4に示す。従来の光起電力装置1においては、まず、図
4(A)に示すように絶縁性基板2上に、金属膜からな
る下層電極,光電変換膜,および透過導電膜からなる上
層電極が順に積層されて光電変換層3が形成される。そ
して、図4(B)に示すように、YAGレーザなどのレ
ーザ照射等によって光電変換層3の一部を蒸発させて除
去し、光電変換層3を分割する。そして、図4(C)に
示すように、その上にSiO2 やポリイミド等の有機薄
膜からなる絶縁保護膜4が形成され、従来の光起電力装
置1が得られる。
4に示す。従来の光起電力装置1においては、まず、図
4(A)に示すように絶縁性基板2上に、金属膜からな
る下層電極,光電変換膜,および透過導電膜からなる上
層電極が順に積層されて光電変換層3が形成される。そ
して、図4(B)に示すように、YAGレーザなどのレ
ーザ照射等によって光電変換層3の一部を蒸発させて除
去し、光電変換層3を分割する。そして、図4(C)に
示すように、その上にSiO2 やポリイミド等の有機薄
膜からなる絶縁保護膜4が形成され、従来の光起電力装
置1が得られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術に
おいては、光電変換層3がレーザ照射等によって分割さ
れるとき、発生する熱によって光電変換層3の分割部を
挟む端部の半導体接合が熱的に破壊され、その部分に図
4(C)に示すように導電性半導体膜からなる変質部5
が形成される。したがって、従来の光起電力装置1で
は、動作時に変質部5を通してリーク電流が流れ、その
結果、光電変換装置の光電変換効率が悪化してしまうと
いう問題点があった。
おいては、光電変換層3がレーザ照射等によって分割さ
れるとき、発生する熱によって光電変換層3の分割部を
挟む端部の半導体接合が熱的に破壊され、その部分に図
4(C)に示すように導電性半導体膜からなる変質部5
が形成される。したがって、従来の光起電力装置1で
は、動作時に変質部5を通してリーク電流が流れ、その
結果、光電変換装置の光電変換効率が悪化してしまうと
いう問題点があった。
【0005】それゆえに、この発明の主たる目的は、変
質部のリーク電流による光電変換効率等の特性の悪化を
防止できる、光起電力装置を提供することである。
質部のリーク電流による光電変換効率等の特性の悪化を
防止できる、光起電力装置を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段】第1の発明は、絶縁性基
板上に分割部で分割して形成される光電変換層を含む光
起電力装置において、分割部を挟んで光電変換層より厚
い絶縁膜を絶縁性基板上に形成したことを特徴とする、
光起電力装置である。第2の発明は、絶縁性基板上に分
割部で分割して形成される光電変換層を直列接続した集
積型光起電力装置において、分割部を挟んで光電変換層
より厚い絶縁膜を形成したことを特徴とする、集積型光
起電力装置である。
板上に分割部で分割して形成される光電変換層を含む光
起電力装置において、分割部を挟んで光電変換層より厚
い絶縁膜を絶縁性基板上に形成したことを特徴とする、
光起電力装置である。第2の発明は、絶縁性基板上に分
割部で分割して形成される光電変換層を直列接続した集
積型光起電力装置において、分割部を挟んで光電変換層
より厚い絶縁膜を形成したことを特徴とする、集積型光
起電力装置である。
【0007】
【作用】いずれの場合も、分割部を形成するために光電
変換層または光電変換膜にレーザ等のエネルギビームを
照射するとその分割部に導電性の変質部が形成される
が、絶縁膜によって変質部と光電変換層とを分離するの
で、動作時に変質部で発生したリーク電流が流れなくな
る。
変換層または光電変換膜にレーザ等のエネルギビームを
照射するとその分割部に導電性の変質部が形成される
が、絶縁膜によって変質部と光電変換層とを分離するの
で、動作時に変質部で発生したリーク電流が流れなくな
る。
【0008】
【発明の効果】この発明によれば、エネルギビーム照射
によって光電変換層を分割する際に形成される変質部に
リーク電流が流れることがないので、このようなリーク
電流に起因する光電変換効率の低下を生じない。この発
明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点は、図
面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
によって光電変換層を分割する際に形成される変質部に
リーク電流が流れることがないので、このようなリーク
電流に起因する光電変換効率の低下を生じない。この発
明の上述の目的,その他の目的,特徴および利点は、図
面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【0009】
【実施例】図1を参照して、この発明の一実施例に従っ
た光起電力装置10を製造工程順に説明する。まず、図
1(A)に示すように、ガラス,石英,セラミックまた
はその表面に絶縁膜が形成されたステンレスなどからな
る絶縁性基板12上に、SiOx またはSiNx などの
耐熱性絶縁膜14を、たとえばプラズマCVD膜または
熱CVDによって、形成する。その後、図1(B)に示
すように、耐熱性絶縁膜14によって分割部16に当た
る部分が両側から挟まれるように、耐熱性絶縁膜14
が、たとえばフォトリソ工程によってパターニングされ
て分割される。すなわち、耐熱性絶縁膜14は、図1
(C)の工程で形成される光電変換層18と図1(D)
の工程で形成されてしまう変質部20とを分離するよう
に形成される。耐熱性絶縁膜14の膜厚は、光電変換層
18の厚みに比較して十分厚く(たとえば2倍以上に)
形成する。
た光起電力装置10を製造工程順に説明する。まず、図
1(A)に示すように、ガラス,石英,セラミックまた
はその表面に絶縁膜が形成されたステンレスなどからな
る絶縁性基板12上に、SiOx またはSiNx などの
耐熱性絶縁膜14を、たとえばプラズマCVD膜または
熱CVDによって、形成する。その後、図1(B)に示
すように、耐熱性絶縁膜14によって分割部16に当た
る部分が両側から挟まれるように、耐熱性絶縁膜14
が、たとえばフォトリソ工程によってパターニングされ
て分割される。すなわち、耐熱性絶縁膜14は、図1
(C)の工程で形成される光電変換層18と図1(D)
の工程で形成されてしまう変質部20とを分離するよう
に形成される。耐熱性絶縁膜14の膜厚は、光電変換層
18の厚みに比較して十分厚く(たとえば2倍以上に)
形成する。
【0010】図1(B)の工程で耐熱性絶縁膜14を分
割した後、図1(C)の工程で下層電極,光電変換膜お
よび上層電極の3層構造を有する光電変換層18が形成
される。詳細には図示しないが、よく知られているよう
に、まずTi,Mo,Pt,Au,AlまたはAg等の
金属膜によって下層電極を形成し、続いて、下からn,
i,p層のたとえば非晶質シリコン膜からなる光電変換
膜がたとえばプラズマCVD法によって形成され、その
上にITOのような透明導電膜をスパッタリングによっ
て上層電極として形成する。このようにして、下層電
極,光電変換膜および上層電極の3層構造からなる光電
変換層18が形成される。なお、このとき耐熱性絶縁膜
14上にも光電変換層18が形成されるが、これは、耐
熱性絶縁膜14の膜厚が十分大きいため、絶縁性基板1
2上の光電変換層18から孤立する。
割した後、図1(C)の工程で下層電極,光電変換膜お
よび上層電極の3層構造を有する光電変換層18が形成
される。詳細には図示しないが、よく知られているよう
に、まずTi,Mo,Pt,Au,AlまたはAg等の
金属膜によって下層電極を形成し、続いて、下からn,
i,p層のたとえば非晶質シリコン膜からなる光電変換
膜がたとえばプラズマCVD法によって形成され、その
上にITOのような透明導電膜をスパッタリングによっ
て上層電極として形成する。このようにして、下層電
極,光電変換膜および上層電極の3層構造からなる光電
変換層18が形成される。なお、このとき耐熱性絶縁膜
14上にも光電変換層18が形成されるが、これは、耐
熱性絶縁膜14の膜厚が十分大きいため、絶縁性基板1
2上の光電変換層18から孤立する。
【0011】次いで、図1(D)に示すように、耐熱性
絶縁膜14間の分割部16(図1(B))の部分の光電
変換層18上に、YAGレーザなどのレーザビームある
いは他のエネルギビームを照射する。応じて、この部分
の光電変換層18が蒸発し、光電変換層18が分割され
る。このエネルギビーム照射による光電変換層18の分
割の際、そのとき発生する熱によって光電変換層18が
部分的に熱的ダメージを受け、分割部を挟んだ光電変換
層18の端部が導電性半導体に変質した変質部20が形
成される。ただし、耐熱性絶縁膜14に挟まれた動作部
の光電変換層18は、エネルギビーム照射による熱がこ
の耐熱性絶縁膜14で遮断されるので、熱的なダメージ
を受けることはない。
絶縁膜14間の分割部16(図1(B))の部分の光電
変換層18上に、YAGレーザなどのレーザビームある
いは他のエネルギビームを照射する。応じて、この部分
の光電変換層18が蒸発し、光電変換層18が分割され
る。このエネルギビーム照射による光電変換層18の分
割の際、そのとき発生する熱によって光電変換層18が
部分的に熱的ダメージを受け、分割部を挟んだ光電変換
層18の端部が導電性半導体に変質した変質部20が形
成される。ただし、耐熱性絶縁膜14に挟まれた動作部
の光電変換層18は、エネルギビーム照射による熱がこ
の耐熱性絶縁膜14で遮断されるので、熱的なダメージ
を受けることはない。
【0012】そして、図1(E)に示すように、分割に
よって形成された凹部22の埋め込み用と素子の保護膜
用として、たとえばAl2 O3 ,MgOまたはBeO等
からなる比較的熱導電率の高い絶縁膜24が、たとえば
スパッタリングあるいは熱CVDによって形成される。
そして、その上にたとえば透明絶縁膜であるポリイミド
等からなる保護膜26が形成される。このようにして、
保護膜26側からの光をエネルギ変換するいわゆる逆タ
イプの光起電力装置10が得られる。
よって形成された凹部22の埋め込み用と素子の保護膜
用として、たとえばAl2 O3 ,MgOまたはBeO等
からなる比較的熱導電率の高い絶縁膜24が、たとえば
スパッタリングあるいは熱CVDによって形成される。
そして、その上にたとえば透明絶縁膜であるポリイミド
等からなる保護膜26が形成される。このようにして、
保護膜26側からの光をエネルギ変換するいわゆる逆タ
イプの光起電力装置10が得られる。
【0013】この光起電力装置10では、耐熱性絶縁膜
14を形成することによって、エネルギビーム照射によ
って生じる変質部20を光電変換層18から分離できる
とともに、エネルギビーム照射で発生する熱が耐熱性絶
縁膜14によって遮られて動作部の光電変換層18に伝
わることがない。したがって、もし耐熱性絶縁膜14が
なければ変質部20を通してリーク電流が流れるが、変
質部20を光電変換層18から分離しているので、変質
部20を通してリーク電流が流れることはない。したが
って、リーク電流に起因する光電変換効率の低下を防げ
る。さらに、動作部の光電変換層18が熱的ダメージを
受けることがないので、それによる効率低下も防止でき
る。
14を形成することによって、エネルギビーム照射によ
って生じる変質部20を光電変換層18から分離できる
とともに、エネルギビーム照射で発生する熱が耐熱性絶
縁膜14によって遮られて動作部の光電変換層18に伝
わることがない。したがって、もし耐熱性絶縁膜14が
なければ変質部20を通してリーク電流が流れるが、変
質部20を光電変換層18から分離しているので、変質
部20を通してリーク電流が流れることはない。したが
って、リーク電流に起因する光電変換効率の低下を防げ
る。さらに、動作部の光電変換層18が熱的ダメージを
受けることがないので、それによる効率低下も防止でき
る。
【0014】さらに、比較的熱伝導率の高い絶縁膜24
を凹部18に埋め込むことによって、絶縁性基板12と
絶縁膜24とを熱的に結合することになり、動作時に光
(特に強度の大きい光)を照射した場合に光起電力装置
10および絶縁性基板12の下に蓄積する熱を効率よく
放熱でき、光起電力装置10の温度上昇を抑制できる。
また、絶縁性基板12上の素子表面の凹凸の程度が、従
来より大きくなることから、保護膜26表面の凹凸も大
きくなりその表面積が増大することからも、放熱効率の
一層の向上が期待できる。
を凹部18に埋め込むことによって、絶縁性基板12と
絶縁膜24とを熱的に結合することになり、動作時に光
(特に強度の大きい光)を照射した場合に光起電力装置
10および絶縁性基板12の下に蓄積する熱を効率よく
放熱でき、光起電力装置10の温度上昇を抑制できる。
また、絶縁性基板12上の素子表面の凹凸の程度が、従
来より大きくなることから、保護膜26表面の凹凸も大
きくなりその表面積が増大することからも、放熱効率の
一層の向上が期待できる。
【0015】さらに、この実施例では、分割部16に位
置する光電変換層18を他の光電変換層18から分離で
きるので、エネルギビームを照射する位置の判別および
それによる分割が容易になるという利点もある。なお、
素子の面積が微小化するほど光電変換出力に対する変質
部のリーク電流の割合が大きくなることを考えると、こ
の実施例は、特に、光電変換層18の受光面積が数ミリ
角以下と微小な光起電力装置10に有効となるものでは
あるが、より大きなサイズのものにも適用できることは
いうまでもない。
置する光電変換層18を他の光電変換層18から分離で
きるので、エネルギビームを照射する位置の判別および
それによる分割が容易になるという利点もある。なお、
素子の面積が微小化するほど光電変換出力に対する変質
部のリーク電流の割合が大きくなることを考えると、こ
の実施例は、特に、光電変換層18の受光面積が数ミリ
角以下と微小な光起電力装置10に有効となるものでは
あるが、より大きなサイズのものにも適用できることは
いうまでもない。
【0016】また、上述の実施例では、逆タイプの光起
電力装置10について述べたが、これに限定されず、絶
縁性基板12側からの光をエネルギ変換するいわゆる順
タイプの光起電力装置にもこの発明を適用できる。この
場合、絶縁性基板12はたとえばガラスまたは石英等に
よって形成し、光電変換層18は、絶縁性基板12側か
ら順に積層された透明導電膜,光電変換膜および金属膜
を含む。そして、光電変換膜を構成するたとえば非晶質
シリコン膜は、下からp,i,n層の順に積層される。
電力装置10について述べたが、これに限定されず、絶
縁性基板12側からの光をエネルギ変換するいわゆる順
タイプの光起電力装置にもこの発明を適用できる。この
場合、絶縁性基板12はたとえばガラスまたは石英等に
よって形成し、光電変換層18は、絶縁性基板12側か
ら順に積層された透明導電膜,光電変換膜および金属膜
を含む。そして、光電変換膜を構成するたとえば非晶質
シリコン膜は、下からp,i,n層の順に積層される。
【0017】さらに、光電変換膜の材料は、結晶系シリ
コン,さらにGaAs系あるいはCdS系であってもよ
い。図2および図3を参照して、この発明の他の実施例
に従った集積型太陽電池30を製造工程順に説明する。
なお、この実施例の集積型太陽電池30は、絶縁性基板
12側からの光をエネルギ変換するいわゆる順タイプの
装置であり、分割部34(図2(E))によって分割し
かつ隣接する光電変換膜36が導体膜すなわち透明導電
膜32および裏面電極40によって直列接続する。この
発明は分割部34に適用される。
コン,さらにGaAs系あるいはCdS系であってもよ
い。図2および図3を参照して、この発明の他の実施例
に従った集積型太陽電池30を製造工程順に説明する。
なお、この実施例の集積型太陽電池30は、絶縁性基板
12側からの光をエネルギ変換するいわゆる順タイプの
装置であり、分割部34(図2(E))によって分割し
かつ隣接する光電変換膜36が導体膜すなわち透明導電
膜32および裏面電極40によって直列接続する。この
発明は分割部34に適用される。
【0018】まず、図2(A)に示すように、たとえば
ガラスまたは石英等によって形成される絶縁性基板12
を準備し、図2(B)に示すように絶縁性基板12の表
面にたとえばITOなどの透明導電膜32を形成する。
そして、図2(C)に示すように、透明導電膜32の分
割部34に相当する部分にYAGレーザ等のレーザビー
ムを照射して、透明導電膜32が隣接セル毎に分割され
る。その上に、図2(D)に示すように、たとえばSi
Nx やSiO2 等の耐熱性絶縁膜14が形成される。耐
熱性絶縁膜14の膜厚は、図3(A)の工程で形成され
る光電変換膜36の厚みに比較して十分厚くされる。次
いで、図2(E)に示すように、耐熱性絶縁膜14がパ
ターニングされる。すなわち、耐熱性絶縁膜14がフォ
トリソ工程によってパターニングされ、耐熱性絶縁膜1
4が分割部34に当たる位置を両側から挟むように分割
される。すなわち、耐熱性絶縁膜14は、後に形成され
る光電変換膜36と変質部38とを分離するように形成
される。なお、先に述べた実施例においてもそうである
ように、耐熱性絶縁膜14がSiO2 によって形成され
た場合には、たとえば希HF(バッファドフッ酸)を用
いてパターニングされる。
ガラスまたは石英等によって形成される絶縁性基板12
を準備し、図2(B)に示すように絶縁性基板12の表
面にたとえばITOなどの透明導電膜32を形成する。
そして、図2(C)に示すように、透明導電膜32の分
割部34に相当する部分にYAGレーザ等のレーザビー
ムを照射して、透明導電膜32が隣接セル毎に分割され
る。その上に、図2(D)に示すように、たとえばSi
Nx やSiO2 等の耐熱性絶縁膜14が形成される。耐
熱性絶縁膜14の膜厚は、図3(A)の工程で形成され
る光電変換膜36の厚みに比較して十分厚くされる。次
いで、図2(E)に示すように、耐熱性絶縁膜14がパ
ターニングされる。すなわち、耐熱性絶縁膜14がフォ
トリソ工程によってパターニングされ、耐熱性絶縁膜1
4が分割部34に当たる位置を両側から挟むように分割
される。すなわち、耐熱性絶縁膜14は、後に形成され
る光電変換膜36と変質部38とを分離するように形成
される。なお、先に述べた実施例においてもそうである
ように、耐熱性絶縁膜14がSiO2 によって形成され
た場合には、たとえば希HF(バッファドフッ酸)を用
いてパターニングされる。
【0019】そして、図3(A)に示すように、その上
に光電変換膜36を形成する。光電変換膜36では、た
とえば非晶質シリコン膜が下からp,i,n層の順に積
層される。そして、図3(B)に示すように、YAGレ
ーザ等のエネルギビームを照射することによって光電変
換膜36をパターニングする。このとき発生する熱によ
って光電変換膜36が熱的ダメージを受け、分割部34
を挟んだ光電変換膜が導電性半導体に変質した変質部3
8が形成される。ただし、先の実施例と同様に、耐熱性
絶縁膜14に挟まれた動作部の光電変換膜36は熱的な
ダメージを受けない。そして、その上に、図3(C)に
示すように、たとえばTi,Al,Ag,ITOなどか
らなる裏面電極40を形成する。したがって、隣接する
光電変換膜36は、透明導電膜32および裏面電極40
を介して直列接続される。次いで、図3(D)に示すよ
うに、YAGレーザ等のエネルギビームを照射すること
によって、裏面電極40を分割する。その後、図3
(E)に示すように、その上にたとえば透明絶縁膜であ
るポリイミド等からなる保護膜26を形成する。このよ
うにして、集積型太陽電池30が形成される。
に光電変換膜36を形成する。光電変換膜36では、た
とえば非晶質シリコン膜が下からp,i,n層の順に積
層される。そして、図3(B)に示すように、YAGレ
ーザ等のエネルギビームを照射することによって光電変
換膜36をパターニングする。このとき発生する熱によ
って光電変換膜36が熱的ダメージを受け、分割部34
を挟んだ光電変換膜が導電性半導体に変質した変質部3
8が形成される。ただし、先の実施例と同様に、耐熱性
絶縁膜14に挟まれた動作部の光電変換膜36は熱的な
ダメージを受けない。そして、その上に、図3(C)に
示すように、たとえばTi,Al,Ag,ITOなどか
らなる裏面電極40を形成する。したがって、隣接する
光電変換膜36は、透明導電膜32および裏面電極40
を介して直列接続される。次いで、図3(D)に示すよ
うに、YAGレーザ等のエネルギビームを照射すること
によって、裏面電極40を分割する。その後、図3
(E)に示すように、その上にたとえば透明絶縁膜であ
るポリイミド等からなる保護膜26を形成する。このよ
うにして、集積型太陽電池30が形成される。
【0020】この実施例の集積型太陽電池30において
も、耐熱性絶縁膜14を形成することによって、変質部
38を動作部の光電変換膜36から分離できるととも
に、エネルギビーム照射のときに発生する熱が耐熱性絶
縁膜14によって遮られ、光電変換膜36に伝わらな
い。したがって、動作時に変質部38を通してリーク電
流が流れることがないし、動作部の光電変換膜36が熱
的ダメージを受けないので、光電変換効率の低下を防げ
る。
も、耐熱性絶縁膜14を形成することによって、変質部
38を動作部の光電変換膜36から分離できるととも
に、エネルギビーム照射のときに発生する熱が耐熱性絶
縁膜14によって遮られ、光電変換膜36に伝わらな
い。したがって、動作時に変質部38を通してリーク電
流が流れることがないし、動作部の光電変換膜36が熱
的ダメージを受けないので、光電変換効率の低下を防げ
る。
【0021】なお、図2および図3に示す実施例では、
順タイプの集積型光起電力装置について述べたが、これ
に限定されず、保護膜26側からの光をエネルギ変換す
るいわゆる逆タイプの集積型太陽電池にもこの発明を適
用できる。この場合、絶縁性基板12は、セラミックま
たはその表面に絶縁膜が形成されたステンレスなどによ
っても形成され得る。そして、図2および図3に示す実
施例の透明導電膜32と裏面電極40とが入れ換えられ
る。
順タイプの集積型光起電力装置について述べたが、これ
に限定されず、保護膜26側からの光をエネルギ変換す
るいわゆる逆タイプの集積型太陽電池にもこの発明を適
用できる。この場合、絶縁性基板12は、セラミックま
たはその表面に絶縁膜が形成されたステンレスなどによ
っても形成され得る。そして、図2および図3に示す実
施例の透明導電膜32と裏面電極40とが入れ換えられ
る。
【0022】なお、上述の各実施例では、絶縁性基板1
2上に形成される絶縁膜として、耐熱性絶縁膜14を用
いたが、耐熱性のない絶縁膜であってもよい。なぜな
ら、変質部20または38と動作部の光電変換層18ま
たは光電変換膜36とを電気的に分離してリーク電流が
流れないようにすればよいからである。ただし、耐熱性
がさほど大きくない絶縁膜を用いた場合でも、絶縁膜を
幅広に形成することによって耐熱性を向上させることが
でき、上述の実施例と同様の効果が得られる。
2上に形成される絶縁膜として、耐熱性絶縁膜14を用
いたが、耐熱性のない絶縁膜であってもよい。なぜな
ら、変質部20または38と動作部の光電変換層18ま
たは光電変換膜36とを電気的に分離してリーク電流が
流れないようにすればよいからである。ただし、耐熱性
がさほど大きくない絶縁膜を用いた場合でも、絶縁膜を
幅広に形成することによって耐熱性を向上させることが
でき、上述の実施例と同様の効果が得られる。
【図1】この発明の一実施例を製造工程順に示す図解図
である。
である。
【図2】この発明の他の実施例の製造工程の一部を示す
図解図である。
図解図である。
【図3】図2の製造工程の続きを示す図解図である。
【図4】従来技術の製造工程を示す図解図である。
10 …光起電力装置 12 …絶縁性基板 14 …耐熱性絶縁膜 16,34 …分割部 18 …光電変換層 20,38 …変質部 22 …凹部 24 …絶縁膜 30 …集積型太陽電池 32 …透明導電膜 36 …光電変換膜 40 …裏面電極
Claims (2)
- 【請求項1】絶縁性基板上に分割部で分割して形成され
る光電変換層を含む光起電力装置において、 前記分割部を挟んで前記光電変換層より厚い絶縁膜を前
記絶縁性基板上に形成したことを特徴とする、光起電力
装置。 - 【請求項2】絶縁性基板上に分割部で分割して形成され
る光電変換層を直列接続した集積型光起電力装置におい
て、 前記分割部を挟んで前記光電変換層より厚い絶縁膜を形
成したことを特徴とする、集積型光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5229954A JPH0786623A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5229954A JPH0786623A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 光起電力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0786623A true JPH0786623A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16900318
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5229954A Withdrawn JPH0786623A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0786623A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001274446A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法 |
US9741884B2 (en) | 2009-03-31 | 2017-08-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5229954A patent/JPH0786623A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001274446A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法 |
US9741884B2 (en) | 2009-03-31 | 2017-08-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
US9893221B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-02-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |