JPH0786623A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH0786623A JPH0786623A JP5229954A JP22995493A JPH0786623A JP H0786623 A JPH0786623 A JP H0786623A JP 5229954 A JP5229954 A JP 5229954A JP 22995493 A JP22995493 A JP 22995493A JP H0786623 A JPH0786623 A JP H0786623A
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- sections
- film
- insulating film
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 絶縁性基板１２上に耐熱性絶縁膜１４を形成
する。分割部１６に当たる位置を両側から挟むように、
耐熱性絶縁膜１４を分割する。すなわち、耐熱性絶縁膜
１４によって、絶縁性基板１２上に分割して形成される
光電変換層１８と後に形成される変質部２０とを分離す
る。 【効果】 変質部２０を通してリーク電流が流れるのが
防止され、光電変換効率の低下を防止できる。
する。分割部１６に当たる位置を両側から挟むように、
耐熱性絶縁膜１４を分割する。すなわち、耐熱性絶縁膜
１４によって、絶縁性基板１２上に分割して形成される
光電変換層１８と後に形成される変質部２０とを分離す
る。 【効果】 変質部２０を通してリーク電流が流れるのが
防止され、光電変換効率の低下を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光起電力装置に関し、
特にたとえば微小サイズに形成され、太陽電池や光セン
サなどの光起電力装置および集積型光起電力装置に関す
る。
特にたとえば微小サイズに形成され、太陽電池や光セン
サなどの光起電力装置および集積型光起電力装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光起電力装置は、太陽電池に代表される
ように半導体膜の光起電力効果を利用した光−電気エネ
ルギ変換装置である。最近の太陽電池開発は、大面積、
高効率でさらに低コスト化の方向に進んでいる。一方、
マイクロマシンの開発がここ最近活発となり、そのエネ
ルギ供給装置として微小サイズの高効率光起電力装置の
開発要求が高まりつつある。
ように半導体膜の光起電力効果を利用した光−電気エネ
ルギ変換装置である。最近の太陽電池開発は、大面積、
高効率でさらに低コスト化の方向に進んでいる。一方、
マイクロマシンの開発がここ最近活発となり、そのエネ
ルギ供給装置として微小サイズの高効率光起電力装置の
開発要求が高まりつつある。
【０００３】このような高効率光起電力装置の一例を図
４に示す。従来の光起電力装置１においては、まず、図
４（Ａ）に示すように絶縁性基板２上に、金属膜からな
る下層電極，光電変換膜，および透過導電膜からなる上
層電極が順に積層されて光電変換層３が形成される。そ
して、図４（Ｂ）に示すように、ＹＡＧレーザなどのレ
ーザ照射等によって光電変換層３の一部を蒸発させて除
去し、光電変換層３を分割する。そして、図４（Ｃ）に
示すように、その上にＳｉＯ2 やポリイミド等の有機薄
膜からなる絶縁保護膜４が形成され、従来の光起電力装
置１が得られる。
４に示す。従来の光起電力装置１においては、まず、図
４（Ａ）に示すように絶縁性基板２上に、金属膜からな
る下層電極，光電変換膜，および透過導電膜からなる上
層電極が順に積層されて光電変換層３が形成される。そ
して、図４（Ｂ）に示すように、ＹＡＧレーザなどのレ
ーザ照射等によって光電変換層３の一部を蒸発させて除
去し、光電変換層３を分割する。そして、図４（Ｃ）に
示すように、その上にＳｉＯ2 やポリイミド等の有機薄
膜からなる絶縁保護膜４が形成され、従来の光起電力装
置１が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような従来技術に
おいては、光電変換層３がレーザ照射等によって分割さ
れるとき、発生する熱によって光電変換層３の分割部を
挟む端部の半導体接合が熱的に破壊され、その部分に図
４（Ｃ）に示すように導電性半導体膜からなる変質部５
が形成される。したがって、従来の光起電力装置１で
は、動作時に変質部５を通してリーク電流が流れ、その
結果、光電変換装置の光電変換効率が悪化してしまうと
いう問題点があった。
おいては、光電変換層３がレーザ照射等によって分割さ
れるとき、発生する熱によって光電変換層３の分割部を
挟む端部の半導体接合が熱的に破壊され、その部分に図
４（Ｃ）に示すように導電性半導体膜からなる変質部５
が形成される。したがって、従来の光起電力装置１で
は、動作時に変質部５を通してリーク電流が流れ、その
結果、光電変換装置の光電変換効率が悪化してしまうと
いう問題点があった。
【０００５】それゆえに、この発明の主たる目的は、変
質部のリーク電流による光電変換効率等の特性の悪化を
防止できる、光起電力装置を提供することである。
質部のリーク電流による光電変換効率等の特性の悪化を
防止できる、光起電力装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、絶縁性基
板上に分割部で分割して形成される光電変換層を含む光
起電力装置において、分割部を挟んで光電変換層より厚
い絶縁膜を絶縁性基板上に形成したことを特徴とする、
光起電力装置である。第２の発明は、絶縁性基板上に分
割部で分割して形成される光電変換層を直列接続した集
積型光起電力装置において、分割部を挟んで光電変換層
より厚い絶縁膜を形成したことを特徴とする、集積型光
起電力装置である。
板上に分割部で分割して形成される光電変換層を含む光
起電力装置において、分割部を挟んで光電変換層より厚
い絶縁膜を絶縁性基板上に形成したことを特徴とする、
光起電力装置である。第２の発明は、絶縁性基板上に分
割部で分割して形成される光電変換層を直列接続した集
積型光起電力装置において、分割部を挟んで光電変換層
より厚い絶縁膜を形成したことを特徴とする、集積型光
起電力装置である。
【０００７】
【作用】いずれの場合も、分割部を形成するために光電
変換層または光電変換膜にレーザ等のエネルギビームを
照射するとその分割部に導電性の変質部が形成される
が、絶縁膜によって変質部と光電変換層とを分離するの
で、動作時に変質部で発生したリーク電流が流れなくな
る。
変換層または光電変換膜にレーザ等のエネルギビームを
照射するとその分割部に導電性の変質部が形成される
が、絶縁膜によって変質部と光電変換層とを分離するの
で、動作時に変質部で発生したリーク電流が流れなくな
る。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、エネルギビーム照射
によって光電変換層を分割する際に形成される変質部に
リーク電流が流れることがないので、このようなリーク
電流に起因する光電変換効率の低下を生じない。この発
明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図
面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
によって光電変換層を分割する際に形成される変質部に
リーク電流が流れることがないので、このようなリーク
電流に起因する光電変換効率の低下を生じない。この発
明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図
面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明
らかとなろう。
【０００９】
【実施例】図１を参照して、この発明の一実施例に従っ
た光起電力装置１０を製造工程順に説明する。まず、図
１（Ａ）に示すように、ガラス，石英，セラミックまた
はその表面に絶縁膜が形成されたステンレスなどからな
る絶縁性基板１２上に、ＳｉＯx またはＳｉＮx などの
耐熱性絶縁膜１４を、たとえばプラズマＣＶＤ膜または
熱ＣＶＤによって、形成する。その後、図１（Ｂ）に示
すように、耐熱性絶縁膜１４によって分割部１６に当た
る部分が両側から挟まれるように、耐熱性絶縁膜１４
が、たとえばフォトリソ工程によってパターニングされ
て分割される。すなわち、耐熱性絶縁膜１４は、図１
（Ｃ）の工程で形成される光電変換層１８と図１（Ｄ）
の工程で形成されてしまう変質部２０とを分離するよう
に形成される。耐熱性絶縁膜１４の膜厚は、光電変換層
１８の厚みに比較して十分厚く（たとえば２倍以上に）
形成する。
た光起電力装置１０を製造工程順に説明する。まず、図
１（Ａ）に示すように、ガラス，石英，セラミックまた
はその表面に絶縁膜が形成されたステンレスなどからな
る絶縁性基板１２上に、ＳｉＯx またはＳｉＮx などの
耐熱性絶縁膜１４を、たとえばプラズマＣＶＤ膜または
熱ＣＶＤによって、形成する。その後、図１（Ｂ）に示
すように、耐熱性絶縁膜１４によって分割部１６に当た
る部分が両側から挟まれるように、耐熱性絶縁膜１４
が、たとえばフォトリソ工程によってパターニングされ
て分割される。すなわち、耐熱性絶縁膜１４は、図１
（Ｃ）の工程で形成される光電変換層１８と図１（Ｄ）
の工程で形成されてしまう変質部２０とを分離するよう
に形成される。耐熱性絶縁膜１４の膜厚は、光電変換層
１８の厚みに比較して十分厚く（たとえば２倍以上に）
形成する。
【００１０】図１（Ｂ）の工程で耐熱性絶縁膜１４を分
割した後、図１（Ｃ）の工程で下層電極，光電変換膜お
よび上層電極の３層構造を有する光電変換層１８が形成
される。詳細には図示しないが、よく知られているよう
に、まずＴｉ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ａｕ，ＡｌまたはＡｇ等の
金属膜によって下層電極を形成し、続いて、下からｎ，
ｉ，ｐ層のたとえば非晶質シリコン膜からなる光電変換
膜がたとえばプラズマＣＶＤ法によって形成され、その
上にＩＴＯのような透明導電膜をスパッタリングによっ
て上層電極として形成する。このようにして、下層電
極，光電変換膜および上層電極の３層構造からなる光電
変換層１８が形成される。なお、このとき耐熱性絶縁膜
１４上にも光電変換層１８が形成されるが、これは、耐
熱性絶縁膜１４の膜厚が十分大きいため、絶縁性基板１
２上の光電変換層１８から孤立する。
割した後、図１（Ｃ）の工程で下層電極，光電変換膜お
よび上層電極の３層構造を有する光電変換層１８が形成
される。詳細には図示しないが、よく知られているよう
に、まずＴｉ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ａｕ，ＡｌまたはＡｇ等の
金属膜によって下層電極を形成し、続いて、下からｎ，
ｉ，ｐ層のたとえば非晶質シリコン膜からなる光電変換
膜がたとえばプラズマＣＶＤ法によって形成され、その
上にＩＴＯのような透明導電膜をスパッタリングによっ
て上層電極として形成する。このようにして、下層電
極，光電変換膜および上層電極の３層構造からなる光電
変換層１８が形成される。なお、このとき耐熱性絶縁膜
１４上にも光電変換層１８が形成されるが、これは、耐
熱性絶縁膜１４の膜厚が十分大きいため、絶縁性基板１
２上の光電変換層１８から孤立する。
【００１１】次いで、図１（Ｄ）に示すように、耐熱性
絶縁膜１４間の分割部１６（図１（Ｂ））の部分の光電
変換層１８上に、ＹＡＧレーザなどのレーザビームある
いは他のエネルギビームを照射する。応じて、この部分
の光電変換層１８が蒸発し、光電変換層１８が分割され
る。このエネルギビーム照射による光電変換層１８の分
割の際、そのとき発生する熱によって光電変換層１８が
部分的に熱的ダメージを受け、分割部を挟んだ光電変換
層１８の端部が導電性半導体に変質した変質部２０が形
成される。ただし、耐熱性絶縁膜１４に挟まれた動作部
の光電変換層１８は、エネルギビーム照射による熱がこ
の耐熱性絶縁膜１４で遮断されるので、熱的なダメージ
を受けることはない。
絶縁膜１４間の分割部１６（図１（Ｂ））の部分の光電
変換層１８上に、ＹＡＧレーザなどのレーザビームある
いは他のエネルギビームを照射する。応じて、この部分
の光電変換層１８が蒸発し、光電変換層１８が分割され
る。このエネルギビーム照射による光電変換層１８の分
割の際、そのとき発生する熱によって光電変換層１８が
部分的に熱的ダメージを受け、分割部を挟んだ光電変換
層１８の端部が導電性半導体に変質した変質部２０が形
成される。ただし、耐熱性絶縁膜１４に挟まれた動作部
の光電変換層１８は、エネルギビーム照射による熱がこ
の耐熱性絶縁膜１４で遮断されるので、熱的なダメージ
を受けることはない。
【００１２】そして、図１（Ｅ）に示すように、分割に
よって形成された凹部２２の埋め込み用と素子の保護膜
用として、たとえばＡｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯまたはＢｅＯ等
からなる比較的熱導電率の高い絶縁膜２４が、たとえば
スパッタリングあるいは熱ＣＶＤによって形成される。
そして、その上にたとえば透明絶縁膜であるポリイミド
等からなる保護膜２６が形成される。このようにして、
保護膜２６側からの光をエネルギ変換するいわゆる逆タ
イプの光起電力装置１０が得られる。
よって形成された凹部２２の埋め込み用と素子の保護膜
用として、たとえばＡｌ2 Ｏ3 ，ＭｇＯまたはＢｅＯ等
からなる比較的熱導電率の高い絶縁膜２４が、たとえば
スパッタリングあるいは熱ＣＶＤによって形成される。
そして、その上にたとえば透明絶縁膜であるポリイミド
等からなる保護膜２６が形成される。このようにして、
保護膜２６側からの光をエネルギ変換するいわゆる逆タ
イプの光起電力装置１０が得られる。
【００１３】この光起電力装置１０では、耐熱性絶縁膜
１４を形成することによって、エネルギビーム照射によ
って生じる変質部２０を光電変換層１８から分離できる
とともに、エネルギビーム照射で発生する熱が耐熱性絶
縁膜１４によって遮られて動作部の光電変換層１８に伝
わることがない。したがって、もし耐熱性絶縁膜１４が
なければ変質部２０を通してリーク電流が流れるが、変
質部２０を光電変換層１８から分離しているので、変質
部２０を通してリーク電流が流れることはない。したが
って、リーク電流に起因する光電変換効率の低下を防げ
る。さらに、動作部の光電変換層１８が熱的ダメージを
受けることがないので、それによる効率低下も防止でき
る。
１４を形成することによって、エネルギビーム照射によ
って生じる変質部２０を光電変換層１８から分離できる
とともに、エネルギビーム照射で発生する熱が耐熱性絶
縁膜１４によって遮られて動作部の光電変換層１８に伝
わることがない。したがって、もし耐熱性絶縁膜１４が
なければ変質部２０を通してリーク電流が流れるが、変
質部２０を光電変換層１８から分離しているので、変質
部２０を通してリーク電流が流れることはない。したが
って、リーク電流に起因する光電変換効率の低下を防げ
る。さらに、動作部の光電変換層１８が熱的ダメージを
受けることがないので、それによる効率低下も防止でき
る。
【００１４】さらに、比較的熱伝導率の高い絶縁膜２４
を凹部１８に埋め込むことによって、絶縁性基板１２と
絶縁膜２４とを熱的に結合することになり、動作時に光
（特に強度の大きい光）を照射した場合に光起電力装置
１０および絶縁性基板１２の下に蓄積する熱を効率よく
放熱でき、光起電力装置１０の温度上昇を抑制できる。
また、絶縁性基板１２上の素子表面の凹凸の程度が、従
来より大きくなることから、保護膜２６表面の凹凸も大
きくなりその表面積が増大することからも、放熱効率の
一層の向上が期待できる。
を凹部１８に埋め込むことによって、絶縁性基板１２と
絶縁膜２４とを熱的に結合することになり、動作時に光
（特に強度の大きい光）を照射した場合に光起電力装置
１０および絶縁性基板１２の下に蓄積する熱を効率よく
放熱でき、光起電力装置１０の温度上昇を抑制できる。
また、絶縁性基板１２上の素子表面の凹凸の程度が、従
来より大きくなることから、保護膜２６表面の凹凸も大
きくなりその表面積が増大することからも、放熱効率の
一層の向上が期待できる。
【００１５】さらに、この実施例では、分割部１６に位
置する光電変換層１８を他の光電変換層１８から分離で
きるので、エネルギビームを照射する位置の判別および
それによる分割が容易になるという利点もある。なお、
素子の面積が微小化するほど光電変換出力に対する変質
部のリーク電流の割合が大きくなることを考えると、こ
の実施例は、特に、光電変換層１８の受光面積が数ミリ
角以下と微小な光起電力装置１０に有効となるものでは
あるが、より大きなサイズのものにも適用できることは
いうまでもない。
置する光電変換層１８を他の光電変換層１８から分離で
きるので、エネルギビームを照射する位置の判別および
それによる分割が容易になるという利点もある。なお、
素子の面積が微小化するほど光電変換出力に対する変質
部のリーク電流の割合が大きくなることを考えると、こ
の実施例は、特に、光電変換層１８の受光面積が数ミリ
角以下と微小な光起電力装置１０に有効となるものでは
あるが、より大きなサイズのものにも適用できることは
いうまでもない。
【００１６】また、上述の実施例では、逆タイプの光起
電力装置１０について述べたが、これに限定されず、絶
縁性基板１２側からの光をエネルギ変換するいわゆる順
タイプの光起電力装置にもこの発明を適用できる。この
場合、絶縁性基板１２はたとえばガラスまたは石英等に
よって形成し、光電変換層１８は、絶縁性基板１２側か
ら順に積層された透明導電膜，光電変換膜および金属膜
を含む。そして、光電変換膜を構成するたとえば非晶質
シリコン膜は、下からｐ，ｉ，ｎ層の順に積層される。
電力装置１０について述べたが、これに限定されず、絶
縁性基板１２側からの光をエネルギ変換するいわゆる順
タイプの光起電力装置にもこの発明を適用できる。この
場合、絶縁性基板１２はたとえばガラスまたは石英等に
よって形成し、光電変換層１８は、絶縁性基板１２側か
ら順に積層された透明導電膜，光電変換膜および金属膜
を含む。そして、光電変換膜を構成するたとえば非晶質
シリコン膜は、下からｐ，ｉ，ｎ層の順に積層される。
【００１７】さらに、光電変換膜の材料は、結晶系シリ
コン，さらにＧａＡｓ系あるいはＣｄＳ系であってもよ
い。図２および図３を参照して、この発明の他の実施例
に従った集積型太陽電池３０を製造工程順に説明する。
なお、この実施例の集積型太陽電池３０は、絶縁性基板
１２側からの光をエネルギ変換するいわゆる順タイプの
装置であり、分割部３４（図２（Ｅ））によって分割し
かつ隣接する光電変換膜３６が導体膜すなわち透明導電
膜３２および裏面電極４０によって直列接続する。この
発明は分割部３４に適用される。
コン，さらにＧａＡｓ系あるいはＣｄＳ系であってもよ
い。図２および図３を参照して、この発明の他の実施例
に従った集積型太陽電池３０を製造工程順に説明する。
なお、この実施例の集積型太陽電池３０は、絶縁性基板
１２側からの光をエネルギ変換するいわゆる順タイプの
装置であり、分割部３４（図２（Ｅ））によって分割し
かつ隣接する光電変換膜３６が導体膜すなわち透明導電
膜３２および裏面電極４０によって直列接続する。この
発明は分割部３４に適用される。
【００１８】まず、図２（Ａ）に示すように、たとえば
ガラスまたは石英等によって形成される絶縁性基板１２
を準備し、図２（Ｂ）に示すように絶縁性基板１２の表
面にたとえばＩＴＯなどの透明導電膜３２を形成する。
そして、図２（Ｃ）に示すように、透明導電膜３２の分
割部３４に相当する部分にＹＡＧレーザ等のレーザビー
ムを照射して、透明導電膜３２が隣接セル毎に分割され
る。その上に、図２（Ｄ）に示すように、たとえばＳｉ
Ｎx やＳｉＯ2 等の耐熱性絶縁膜１４が形成される。耐
熱性絶縁膜１４の膜厚は、図３（Ａ）の工程で形成され
る光電変換膜３６の厚みに比較して十分厚くされる。次
いで、図２（Ｅ）に示すように、耐熱性絶縁膜１４がパ
ターニングされる。すなわち、耐熱性絶縁膜１４がフォ
トリソ工程によってパターニングされ、耐熱性絶縁膜１
４が分割部３４に当たる位置を両側から挟むように分割
される。すなわち、耐熱性絶縁膜１４は、後に形成され
る光電変換膜３６と変質部３８とを分離するように形成
される。なお、先に述べた実施例においてもそうである
ように、耐熱性絶縁膜１４がＳｉＯ2 によって形成され
た場合には、たとえば希ＨＦ（バッファドフッ酸）を用
いてパターニングされる。
ガラスまたは石英等によって形成される絶縁性基板１２
を準備し、図２（Ｂ）に示すように絶縁性基板１２の表
面にたとえばＩＴＯなどの透明導電膜３２を形成する。
そして、図２（Ｃ）に示すように、透明導電膜３２の分
割部３４に相当する部分にＹＡＧレーザ等のレーザビー
ムを照射して、透明導電膜３２が隣接セル毎に分割され
る。その上に、図２（Ｄ）に示すように、たとえばＳｉ
Ｎx やＳｉＯ2 等の耐熱性絶縁膜１４が形成される。耐
熱性絶縁膜１４の膜厚は、図３（Ａ）の工程で形成され
る光電変換膜３６の厚みに比較して十分厚くされる。次
いで、図２（Ｅ）に示すように、耐熱性絶縁膜１４がパ
ターニングされる。すなわち、耐熱性絶縁膜１４がフォ
トリソ工程によってパターニングされ、耐熱性絶縁膜１
４が分割部３４に当たる位置を両側から挟むように分割
される。すなわち、耐熱性絶縁膜１４は、後に形成され
る光電変換膜３６と変質部３８とを分離するように形成
される。なお、先に述べた実施例においてもそうである
ように、耐熱性絶縁膜１４がＳｉＯ2 によって形成され
た場合には、たとえば希ＨＦ（バッファドフッ酸）を用
いてパターニングされる。
【００１９】そして、図３（Ａ）に示すように、その上
に光電変換膜３６を形成する。光電変換膜３６では、た
とえば非晶質シリコン膜が下からｐ，ｉ，ｎ層の順に積
層される。そして、図３（Ｂ）に示すように、ＹＡＧレ
ーザ等のエネルギビームを照射することによって光電変
換膜３６をパターニングする。このとき発生する熱によ
って光電変換膜３６が熱的ダメージを受け、分割部３４
を挟んだ光電変換膜が導電性半導体に変質した変質部３
８が形成される。ただし、先の実施例と同様に、耐熱性
絶縁膜１４に挟まれた動作部の光電変換膜３６は熱的な
ダメージを受けない。そして、その上に、図３（Ｃ）に
示すように、たとえばＴｉ，Ａｌ，Ａｇ，ＩＴＯなどか
らなる裏面電極４０を形成する。したがって、隣接する
光電変換膜３６は、透明導電膜３２および裏面電極４０
を介して直列接続される。次いで、図３（Ｄ）に示すよ
うに、ＹＡＧレーザ等のエネルギビームを照射すること
によって、裏面電極４０を分割する。その後、図３
（Ｅ）に示すように、その上にたとえば透明絶縁膜であ
るポリイミド等からなる保護膜２６を形成する。このよ
うにして、集積型太陽電池３０が形成される。
に光電変換膜３６を形成する。光電変換膜３６では、た
とえば非晶質シリコン膜が下からｐ，ｉ，ｎ層の順に積
層される。そして、図３（Ｂ）に示すように、ＹＡＧレ
ーザ等のエネルギビームを照射することによって光電変
換膜３６をパターニングする。このとき発生する熱によ
って光電変換膜３６が熱的ダメージを受け、分割部３４
を挟んだ光電変換膜が導電性半導体に変質した変質部３
８が形成される。ただし、先の実施例と同様に、耐熱性
絶縁膜１４に挟まれた動作部の光電変換膜３６は熱的な
ダメージを受けない。そして、その上に、図３（Ｃ）に
示すように、たとえばＴｉ，Ａｌ，Ａｇ，ＩＴＯなどか
らなる裏面電極４０を形成する。したがって、隣接する
光電変換膜３６は、透明導電膜３２および裏面電極４０
を介して直列接続される。次いで、図３（Ｄ）に示すよ
うに、ＹＡＧレーザ等のエネルギビームを照射すること
によって、裏面電極４０を分割する。その後、図３
（Ｅ）に示すように、その上にたとえば透明絶縁膜であ
るポリイミド等からなる保護膜２６を形成する。このよ
うにして、集積型太陽電池３０が形成される。
【００２０】この実施例の集積型太陽電池３０において
も、耐熱性絶縁膜１４を形成することによって、変質部
３８を動作部の光電変換膜３６から分離できるととも
に、エネルギビーム照射のときに発生する熱が耐熱性絶
縁膜１４によって遮られ、光電変換膜３６に伝わらな
い。したがって、動作時に変質部３８を通してリーク電
流が流れることがないし、動作部の光電変換膜３６が熱
的ダメージを受けないので、光電変換効率の低下を防げ
る。
も、耐熱性絶縁膜１４を形成することによって、変質部
３８を動作部の光電変換膜３６から分離できるととも
に、エネルギビーム照射のときに発生する熱が耐熱性絶
縁膜１４によって遮られ、光電変換膜３６に伝わらな
い。したがって、動作時に変質部３８を通してリーク電
流が流れることがないし、動作部の光電変換膜３６が熱
的ダメージを受けないので、光電変換効率の低下を防げ
る。
【００２１】なお、図２および図３に示す実施例では、
順タイプの集積型光起電力装置について述べたが、これ
に限定されず、保護膜２６側からの光をエネルギ変換す
るいわゆる逆タイプの集積型太陽電池にもこの発明を適
用できる。この場合、絶縁性基板１２は、セラミックま
たはその表面に絶縁膜が形成されたステンレスなどによ
っても形成され得る。そして、図２および図３に示す実
施例の透明導電膜３２と裏面電極４０とが入れ換えられ
る。
順タイプの集積型光起電力装置について述べたが、これ
に限定されず、保護膜２６側からの光をエネルギ変換す
るいわゆる逆タイプの集積型太陽電池にもこの発明を適
用できる。この場合、絶縁性基板１２は、セラミックま
たはその表面に絶縁膜が形成されたステンレスなどによ
っても形成され得る。そして、図２および図３に示す実
施例の透明導電膜３２と裏面電極４０とが入れ換えられ
る。
【００２２】なお、上述の各実施例では、絶縁性基板１
２上に形成される絶縁膜として、耐熱性絶縁膜１４を用
いたが、耐熱性のない絶縁膜であってもよい。なぜな
ら、変質部２０または３８と動作部の光電変換層１８ま
たは光電変換膜３６とを電気的に分離してリーク電流が
流れないようにすればよいからである。ただし、耐熱性
がさほど大きくない絶縁膜を用いた場合でも、絶縁膜を
幅広に形成することによって耐熱性を向上させることが
でき、上述の実施例と同様の効果が得られる。
２上に形成される絶縁膜として、耐熱性絶縁膜１４を用
いたが、耐熱性のない絶縁膜であってもよい。なぜな
ら、変質部２０または３８と動作部の光電変換層１８ま
たは光電変換膜３６とを電気的に分離してリーク電流が
流れないようにすればよいからである。ただし、耐熱性
がさほど大きくない絶縁膜を用いた場合でも、絶縁膜を
幅広に形成することによって耐熱性を向上させることが
でき、上述の実施例と同様の効果が得られる。
【図１】この発明の一実施例を製造工程順に示す図解図
である。
である。
【図２】この発明の他の実施例の製造工程の一部を示す
図解図である。
図解図である。
【図３】図２の製造工程の続きを示す図解図である。
【図４】従来技術の製造工程を示す図解図である。
１０ …光起電力装置 １２ …絶縁性基板 １４ …耐熱性絶縁膜 １６，３４ …分割部 １８ …光電変換層 ２０，３８ …変質部 ２２ …凹部 ２４ …絶縁膜 ３０ …集積型太陽電池 ３２ …透明導電膜 ３６ …光電変換膜 ４０ …裏面電極
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁性基板上に分割部で分割して形成され
る光電変換層を含む光起電力装置において、 前記分割部を挟んで前記光電変換層より厚い絶縁膜を前
記絶縁性基板上に形成したことを特徴とする、光起電力
装置。 - 【請求項２】絶縁性基板上に分割部で分割して形成され
る光電変換層を直列接続した集積型光起電力装置におい
て、 前記分割部を挟んで前記光電変換層より厚い絶縁膜を形
成したことを特徴とする、集積型光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229954A JPH0786623A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5229954A JPH0786623A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786623A true JPH0786623A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16900318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5229954A Withdrawn JPH0786623A (ja) | 1993-09-16 | 1993-09-16 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786623A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274446A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法 |
| US9741884B2 (en) | 2009-03-31 | 2017-08-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
-
1993
- 1993-09-16 JP JP5229954A patent/JPH0786623A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274446A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-10-05 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の製造方法 |
| US9741884B2 (en) | 2009-03-31 | 2017-08-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
| US9893221B2 (en) | 2009-03-31 | 2018-02-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Solar cell and method of fabricating the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |