JPH0786593A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To make the quality of an insulating film fine and to enhance the dielectric constant of the film at the same time by implanting nitrogen ions into the surface of the insulating film comprising a silicon oxide film formed on a semiconductor, and nitriding the surface. CONSTITUTION:The dielectric constant of a silicon nitride oxide film, 13 which is to become a gate insulating film, can be made to be 4-6 by the implantation of nitrogen ions and can be made larger in comparison with 3.8-4.0 of a silicon oxide film. Furthermore, the film itself can be made rigid and fine. As a result, the leaking problem caused by the movement of impurity ions such as Na ions in the gate insulating film and pinholes and the problem of withstand pressure can be solved. Furthermore, since the dielectric constant is higher in comparison with the silicon nitride film, the thickness of the gate insulating film can be made thick. This is advantageous for the problems of the leakage current and the pinholes. When optical annealing is performed with infrared rays after the implantation of the nitrogen ions into the silicon oxide 13, the level at the interface of the gate insulating film 13 and the silicon film 12 can be decreased.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、薄膜トランジスタ（以
下ＴＦＴという）に代表される半導体装置の絶縁膜およ
びその作製方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an insulating film for a semiconductor device represented by a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) and a method for manufacturing the same.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来よりガラス基板上に集積化されたＴ
ＦＴを用いた、液晶表示装置やイメージセンサ装置が知
られている。これらの装置におけるＴＦＴとしては、薄
膜半導体を用いた絶縁ゲイト型電界効果半導体装置を利
用するのが一般的である。これらＴＦＴのゲイト絶縁膜
としては、酸化珪素膜が用いられるのが普通である。2. Description of the Related Art T that has been conventionally integrated on a glass substrate
Liquid crystal display devices and image sensor devices using FT are known. As a TFT in these devices, an insulating gate type field effect semiconductor device using a thin film semiconductor is generally used. A silicon oxide film is usually used as the gate insulating film of these TFTs.

【０００３】上記のような酸化珪素膜をゲイト絶縁膜と
して利用したＴＦＴは、ゲイト絶縁膜におけるピンホー
ルに起因するリーク電流の問題や、ゲイト絶縁膜を厚く
できないという問題（ゲイト絶縁膜の容量は、膜厚と比
誘電率で決まる）、さらにはゲイト電極自体に緻密性が
足りず（即ち膜質が柔らかい）絶縁としての諸特性が不
安定であるという問題、さらにはゲイト絶縁膜中の固定
電荷（例えばＮａイオン）の存在による問題、といった
ことが指摘されている。In the TFT using the silicon oxide film as the gate insulating film as described above, there is a problem of a leak current due to a pinhole in the gate insulating film and a problem that the gate insulating film cannot be made thick (capacitance of the gate insulating film is , The film thickness and the relative dielectric constant), and the problem that the gate electrode itself lacks the denseness (that is, the film quality is soft) and the various characteristics as insulation are unstable. It has been pointed out that there is a problem due to the presence of (for example, Na ions).

【０００４】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記ゲイト
絶縁膜における問題点を解決し、高い特性を安定して得
ることのできるＴＦＴを得ることを課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problems in the above gate insulating film and to obtain a TFT which can stably obtain high characteristics.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明は、半導体上に形
成される酸化珪素膜よりなる絶縁膜の表面に窒素イオン
を注入することによって、その表面を窒化し、絶縁膜の
膜質を緻密化すると同時に、その比誘電率を高くするこ
とを特徴とする。特に、ＴＦＴのゲイト電極として酸化
珪素膜を成膜した後に、窒素イオンをこの酸化珪素膜表
面に注入し、ゲイト絶縁膜を酸化窒化珪素とすることを
特徴とする。According to the present invention, by implanting nitrogen ions into the surface of an insulating film made of a silicon oxide film formed on a semiconductor, the surface is nitrided and the film quality of the insulating film is densified. At the same time, the relative permittivity is increased. In particular, it is characterized in that after forming a silicon oxide film as a gate electrode of a TFT, nitrogen ions are implanted into the surface of the silicon oxide film to make the gate insulating film silicon oxynitride.

【０００６】[0006]

【作用】酸化珪素膜表面に窒化することで、 ・膜の緻密性を高めることができる。 ・比誘電率を高くすることができるので、膜厚を厚くで
きる。 ・総合的に絶縁膜としての特性を高くすることができ
る。[Function] By nitriding the surface of the silicon oxide film, the denseness of the film can be improved. -Since the relative dielectric constant can be increased, the film thickness can be increased. -The characteristics as an insulating film can be enhanced overall.

【０００７】[0007]

【実施例】〔実施例１〕以下に示す実施例においては、
アクティブマトリックス型の液晶表示装置の画素電極部
分にＮチャネル型ＴＦＴを形成する例を示すが、Ｐチャ
ネル型であってもよい。さらには、液晶表示装置の周辺
回路部分に形成されるＴＦＴであっても基本的な構成は
同様である。また、イメージセンサやその他集積回路に
用いられるＴＦＴであっても基本的な構成は同様であ
る。EXAMPLES Example 1 In the examples shown below,
An example in which an N-channel TFT is formed in the pixel electrode portion of an active matrix liquid crystal display device is shown, but a P-channel TFT may be used. Furthermore, the basic configuration is the same even for the TFT formed in the peripheral circuit portion of the liquid crystal display device. Further, the TFTs used in the image sensor and other integrated circuits have the same basic configuration.

【０００８】図１、図２に本実施例の作製工程を示す。
図１において、ガラス基板１１上に下地の酸化珪素膜
（図示せず）を２０００Åの厚さにスパッタ法で形成す
る。そして、公知の非晶質珪素膜１２をプラズマＣＶＤ
法で１０００Åの厚さに形成する。そして５００Å厚の
酸化珪素膜１０１でマスクを形成する。このマスクは、
１４の部分で非晶質珪素膜１２が露呈する構造となって
いる。1 and 2 show the manufacturing process of this embodiment.
In FIG. 1, a base silicon oxide film (not shown) having a thickness of 2000 Å is formed on a glass substrate 11 by a sputtering method. Then, a known amorphous silicon film 12 is formed by plasma CVD.
Formed to a thickness of 1000Å. Then, a mask is formed from the silicon oxide film 101 having a thickness of 500Å. This mask is
The amorphous silicon film 12 is exposed at the portion 14.

【０００９】ここで、珪化ニッケル膜を２０Åの厚さに
スパッタ法で形成する。この珪化ニッケル膜は、ニッケ
ルによって、非晶質珪素膜１１の結晶化を助長させるた
めに導入されるもので、５〜２００Åの厚さに形成され
る。ここでは、ニッケル（Ｎｉ）を用いたが、８族元素
であるＦｅ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐ
ｔを用いることができる。さらに３ｄ元素であるＳｃ、
Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎを用いることもでき
る。Ａｕ、Ａｇも利用できる。これらの元素の中で特に
良好な効果が得られるのが、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｕで
ある。またその導入方法も、スパッタ法やプラズマ処理
（プラズマでスパッタする方法）やＣＶＤ法や蒸着法
で、非晶質珪素膜の上面または下面に薄膜として導入す
る方法、さらにはイオン注入法で直接非晶質珪素膜中に
これら結晶化を助長する元素を導入する方法でもよい。Here, a nickel silicide film is formed to a thickness of 20Å by a sputtering method. This nickel silicide film is introduced by nickel to promote crystallization of the amorphous silicon film 11, and is formed to a thickness of 5 to 200Å. Although nickel (Ni) is used here, the Group 8 elements Fe, Co, Ru, Rh, Pd, Os, Ir and P are used.
t can be used. Furthermore, Sc, which is a 3d element,
Ti, V, Cr, Mn, Cu, Zn can also be used. Au and Ag can also be used. Among these elements, Ni, Pd, Cu, and Au have particularly good effects. Also, the introduction method is a sputtering method, a plasma treatment (a method of sputtering with plasma), a CVD method, or a vapor deposition method, a method of introducing a thin film on the upper surface or the lower surface of the amorphous silicon film, and further a direct ion implantation method. A method of introducing these elements that promote crystallization into the crystalline silicon film may be used.

【００１０】そして、マスクである酸化珪素膜１０１を
取り除く。この状態で非晶質珪素膜１４の表面には、１
４の領域だけに選択的に珪化ニッケル膜が成膜されてい
る。この後、赤外光（例えば波長１．３μｍ）の照射に
よって、非晶質珪素膜表面を短時間加熱し、１４の領域
で非晶質珪素膜表面のニッケルを合金化、即ちニッケル
シリサイド化する。この工程は、後の加熱アニールによ
る結晶化工程において、ニッケルが非晶質珪素膜中に拡
散しやすくさせ、結晶化をさらに効果的に行うために有
用である。Then, the silicon oxide film 101 as the mask is removed. In this state, 1 is formed on the surface of the amorphous silicon film 14.
The nickel silicide film is selectively formed only in the region 4 in FIG. After that, the surface of the amorphous silicon film is heated for a short time by irradiation with infrared light (for example, a wavelength of 1.3 μm), and nickel on the surface of the amorphous silicon film is alloyed in 14 regions, that is, nickel silicide is formed. . This step is useful for facilitating the diffusion of nickel into the amorphous silicon film in the crystallization step by the subsequent heat annealing so as to perform the crystallization more effectively.

【００１１】そして、不活性雰囲気中で５５０度、４時
間の加熱アニールを行う。この加熱アニールによって、
非晶質珪素膜１２を結晶化させる。この際、矢印１０で
示すように、珪化ニッケル膜が成膜された以外の領域に
おいては、結晶化が基板に平行な方向に針状あるいは柱
状に行われる。この結晶成長の距離は、４０μｍ以上に
渡って行われる。なお、結晶化の方法は上記方法に限定
されるものではなく、レーザー光の照射によるもの、公
知に熱アニール（６００度、２４時間以上）によるもの
でもよい。また非晶質のままでもよい。（図１（Ｂ））Then, thermal annealing is performed at 550 ° C. for 4 hours in an inert atmosphere. By this heating anneal,
The amorphous silicon film 12 is crystallized. At this time, as shown by an arrow 10, in the region other than the region where the nickel silicide film is formed, crystallization is performed in a needle shape or a column shape in a direction parallel to the substrate. The distance for crystal growth is 40 μm or more. Note that the crystallization method is not limited to the above method, and may be a method of irradiating a laser beam or a known method of thermal annealing (600 degrees, 24 hours or more). Alternatively, it may remain amorphous. (Fig. 1 (B))

【００１２】次に、素子間分離を行い活性層領域を確定
する。活性層は、ソース／ドレイン領域、チャンネル形
成領域が形成される領域のことである。ここで、珪化ニ
ッケル膜としてニッケルが導入された１４の領域と結晶
成長の終点（図でいうと珪素膜１２の左端）の部分は、
ニッケル濃度が高いので、その部分はエッチングによっ
て取り除き、基板に平行に結晶成長した中間部分を活性
層として用いることが好ましい。Next, element isolation is performed to define the active layer region. The active layer is a region where a source / drain region and a channel forming region are formed. Here, the 14 regions into which nickel was introduced as the nickel silicide film and the end point of crystal growth (the left end of the silicon film 12 in the figure) are:
Since the nickel concentration is high, it is preferable to remove that portion by etching, and use the intermediate portion in which crystal growth is parallel to the substrate as the active layer.

【００１３】さらにゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜１３
を１５００Åの厚さに形成する。この酸化珪素膜中に
は、塩素を含有させ、不純物イオンのゲッタリング効果
を得ることを有用である。Further, a silicon oxide film 13 serving as a gate insulating film
To a thickness of 1500Å. It is useful to contain chlorine in this silicon oxide film to obtain gettering effect of impurity ions.

【００１４】つぎに、図１（Ｃ）に示すように、酸化珪
素膜１３に窒素イオンの注入を行う。この工程によっ
て、酸化珪素膜の表面を酸化窒化珪素とする。この工程
において、窒素イオンが酸化珪素膜１３を突き抜けて、
活性層に進入することは避けなければならない。即ち、
酸化珪素膜１３の表面近傍を窒化するようにすることが
重要である。Next, as shown in FIG. 1C, nitrogen ions are implanted into the silicon oxide film 13. Through this step, the surface of the silicon oxide film is made into silicon oxynitride. In this step, nitrogen ions penetrate through the silicon oxide film 13,
Entry into the active layer should be avoided. That is,
It is important to nitrid the vicinity of the surface of the silicon oxide film 13.

【００１５】上記窒素イオンの注入によって、ゲイト絶
縁膜となる酸化窒化珪素膜１３の比誘電率を４〜６とす
ることができ、酸化珪素膜の３．８〜４．０に比較し
て、大きくすることができ、さらに膜自体を固く緻密に
することができる。この結果、Ｎａイオン等の不純物イ
オンのゲイト絶縁膜中での移動や、ピンホールに起因す
るリークの問題、耐圧の問題を解決することができる。
さらに、比誘電率が酸化珪素膜に比較して高いので、ゲ
イト絶縁膜の厚さを厚くすることができ、リーク電流や
ピンホールの問題に対して有利である。By implanting the above nitrogen ions, the relative dielectric constant of the silicon oxynitride film 13 serving as the gate insulating film can be set to 4 to 6, which is higher than that of the silicon oxide film of 3.8 to 4.0. The size of the film can be increased, and the film itself can be made rigid and dense. As a result, it is possible to solve the problem of the movement of impurity ions such as Na ions in the gate insulating film, the problem of leakage due to pinholes, and the problem of breakdown voltage.
Furthermore, since the relative dielectric constant is higher than that of the silicon oxide film, the thickness of the gate insulating film can be increased, which is advantageous for the problems of leak current and pinhole.

【００１６】このゲイト絶縁膜である酸化珪素膜１３へ
の窒素イオン注入の後に、赤外光による光アニールを行
うことは有用である。特に１〜２μｍ程度の近赤外光を
利用した場合には、ガラス基板をそれ程加熱することな
しに、珪素膜１２中の欠陥や不対結合手をアニールする
ことができ、同時にゲイト絶縁膜１３と珪素膜１２との
界面における準位を減少させることができるので、ＴＦ
Ｔの特性に大きな寄与を得ることができる。After nitrogen ion implantation into the silicon oxide film 13 which is the gate insulating film, it is useful to perform optical annealing with infrared light. In particular, when near infrared light of about 1 to 2 μm is used, the defects and dangling bonds in the silicon film 12 can be annealed without heating the glass substrate so much, and at the same time, the gate insulating film 13 can be annealed. Since the level at the interface between the silicon and the silicon film 12 can be reduced, TF
A large contribution to the characteristics of T can be obtained.

【００１７】そして、アルミニウム膜を６０００Åの厚
さに形成し、パターニングを行うことによって、ゲイト
電極１５を形成する。さらに陽極酸化工程によって、ゲ
イト電極１５の表面を酸化し、酸化物層１５１を形成す
る。この酸化物層１５１は、後のイオン注入工程におい
て、オフセットゲイト構造を有せしめるために用いられ
るものであり、その厚さによってオフセットゲイト長が
決定される。ここではその厚さを２０００Åとする。
（図１（Ｄ））Then, the gate electrode 15 is formed by forming an aluminum film to a thickness of 6000Å and patterning it. Further, the surface of the gate electrode 15 is oxidized by an anodic oxidation process to form an oxide layer 151. The oxide layer 151 is used to have an offset gate structure in a later ion implantation process, and the thickness of the oxide layer 151 determines the offset gate length. Here, the thickness is set to 2000Å.
(Fig. 1 (D))

【００１８】なお、ゲイト電極としては、公知の珪素を
主成分としたものであってもよい。The gate electrode may be a well-known one containing silicon as a main component.

【００１９】つぎに、図２（Ａ）に示すように、Ｐ（り
ん）のイオン注入を行い、ソース／ドレイン領域１６、
１８とチャネル形成領域１７とを自己整合的に形成す
る。そして、レーザー光あるいは赤外光の照射によっ
て、ソース／ドレイン領域のアニールを行う。Next, as shown in FIG. 2A, P (phosphorus) ion implantation is performed to form the source / drain regions 16,
18 and the channel forming region 17 are formed in a self-aligned manner. Then, the source / drain regions are annealed by irradiation with laser light or infrared light.

【００２０】そして層間絶縁物１９としてポリイミドを
形成する。さらに画素電極となるＩＴＯ電極２０を形成
する。そして、さらに穴明け工程を経て、ソース／ドレ
イン電極２１、２２を形成する。この際一方の電極２２
は画素電極２０にコンタクトし、ＴＦＴの出力が画素電
極に接続された構成とする。以上のようにして、図２
（Ｂ）に示す画素電極に設けられたＮチャネル型ＴＦＴ
を完成する。Then, polyimide is formed as the interlayer insulator 19. Further, an ITO electrode 20 which will be a pixel electrode is formed. Then, the source / drain electrodes 21 and 22 are formed through a drilling process. At this time, one electrode 22
Is in contact with the pixel electrode 20 and the output of the TFT is connected to the pixel electrode. As described above, FIG.
N-channel TFT provided on the pixel electrode shown in FIG.
To complete.

【００２１】上記のような構成のＴＦＴは、基板に平行
に結晶成長した結晶性珪素膜の結晶成長方向にキャリア
が移動する構造であるので、キャリアが結晶粒界にそっ
て移動し、高移動度を得ることができる。The TFT having the above structure has a structure in which carriers move in the crystal growth direction of the crystalline silicon film crystal-grown in parallel with the substrate, so that the carriers move along the crystal grain boundaries and move at high speed. You can get a degree.

【００２２】〔実施例２〕本実施例は、Ｐチャネル型Ｔ
ＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとを相補型に設けた回路構成
に関するものである。本実施例の構成は、液晶表示装置
の周辺回路や画素部分、さらにはイメージセンサ等の集
積回路に利用することができる。[Embodiment 2] This embodiment is a P channel type T
The present invention relates to a circuit configuration in which an FT and an N-channel TFT are provided in a complementary type. The structure of the present embodiment can be used for peripheral circuits and pixel portions of a liquid crystal display device, and also for integrated circuits such as image sensors.

【００２３】図３に本実施例の作製工程を示す。まずガ
ラス基板１１上に下地膜（図示せず）として酸化珪素膜
を２０００Åの厚さに成膜する。さらに非晶質珪素膜１
２をプラズマＣＶＤ法で形成し、６００度、２４時間の
加熱アニールによって結晶化させる。この加熱による結
晶化の後に、赤外光の照射によるアニールをさらに併用
することは非常に効果的である。この赤外光の照射によ
るアニールによって、珪素膜中の欠陥や不対結合手を減
少させることができ、さらに結晶性を上長させると同時
に膜を緻密にすることができる。特に１〜２μｍ程度の
赤外光は、珪素膜に選択的に吸収され、ガラス基板には
吸収されにくいので、ガラス基板をあまり加熱すること
なしに、珪素膜を８００度程度に加熱することができ
る。FIG. 3 shows the manufacturing process of this embodiment. First, a silicon oxide film is formed as a base film (not shown) on the glass substrate 11 to a thickness of 2000 Å. Furthermore, the amorphous silicon film 1
2 is formed by the plasma CVD method and crystallized by heating annealing at 600 ° C. for 24 hours. It is very effective to additionally use annealing by irradiation of infrared light after crystallization by heating. This annealing by irradiation with infrared light can reduce defects and dangling bonds in the silicon film, further increase the crystallinity, and at the same time make the film dense. In particular, infrared light of about 1 to 2 μm is selectively absorbed by the silicon film and hardly absorbed by the glass substrate. Therefore, it is possible to heat the silicon film to about 800 degrees without heating the glass substrate too much. it can.

【００２４】つぎに素子間分離を行い、島状の２つの活
性層を確定する。この２つの活性層は後にＰＴＦＴ（Ｐ
チャネル型ＴＦＴ）とＮＴＦＴ（Ｎチャネル型ＴＦＴ）
となる。つぎに、ゲイト絶縁膜となる酸化珪素膜１３を
スパッタ法によって、１５００Åの厚さに成膜する。そ
して、実施例１と同様に窒素イオンの注入を行い、ゲイ
ト絶縁膜１３を酸化窒化珪素とする。（図３（Ｂ））Next, element isolation is performed to determine two island-shaped active layers. These two active layers will later be PTFT (P
Channel type TFT) and NTFT (N channel type TFT)
Becomes Next, a silicon oxide film 13 to be a gate insulating film is formed to a thickness of 1500Å by a sputtering method. Then, similarly to the first embodiment, nitrogen ions are implanted to make the gate insulating film 13 silicon oxynitride. (Fig. 3 (B))

【００２５】そして、さらにアルミニウム膜を６０００
Åの厚さに成膜し、パターニングを行うことによって、
ゲイト電極３１と３３を形成する。そして、陽極酸化工
程によって、酸化物層３２、３４を形成する。さらに一
方の活性層領域をレジストでマウクして、ＰイオンとＢ
イオンとを交互に注入することで、３５、３７をＰ型化
し、３８、４０をＮ型化する。こうして、ＰＴＦＴのソ
ース／ドレイン領域３５、３７、さらにはＰＴＦＴのチ
ャネル形成領域３６と、ＮＴＦＴのソース／ドレイン領
域３８、４０さらにはＮＴＦＴのチャネル形成領域３９
とを自己整合的に形成する。この後、レーザー光あるい
は赤外光の照射によりソース／ドレイン領域のアニール
を行う。（図３（Ｃ））Then, an aluminum film is further added to 6000.
By forming a film with a thickness of Å and patterning it,
Gate electrodes 31 and 33 are formed. Then, the oxide layers 32 and 34 are formed by an anodic oxidation process. Further, one of the active layer regions is marked with a resist to remove P ions and B ions.
By alternately implanting ions, 35 and 37 are made P-type, and 38 and 40 are made N-type. Thus, the source / drain regions 35 and 37 of the PTFT, the channel forming region 36 of the PTFT, the source / drain regions 38 and 40 of the NTFT, and the channel forming region 39 of the NTFT.
And are formed in a self-aligned manner. After that, the source / drain regions are annealed by irradiation with laser light or infrared light. (Fig. 3 (C))

【００２６】そして、層間絶縁物４１を酸化珪素、ある
いはポリイミドによって形成する。そして、穴明け工程
を経て電極４２、４３、４４を形成する。ここで、ＰＴ
ＦＴとＮＴＦＴの出力が電極４３によって連結された構
造が実現される。（図３（Ｄ）Then, the interlayer insulator 41 is formed of silicon oxide or polyimide. Then, the electrodes 42, 43 and 44 are formed through a hole forming process. Where PT
A structure in which the outputs of FT and NTFT are connected by the electrode 43 is realized. (Figure 3 (D)

【００２７】[0027]

【効果】ゲイト絶縁膜を酸化窒化珪素とすることで、 ・ゲイト絶縁膜を緻密にすることができ、ゲイト絶縁膜
での固定電荷の問題や静電破壊の問題、さらには、ピン
ホールの問題を解決することができる。 ・ゲイト絶縁膜を厚くすることができる。 といった効果を得ることができる。[Effect] By using silicon oxynitride as the gate insulating film, it is possible to make the gate insulating film dense, and there is a problem of fixed charges and electrostatic breakdown in the gate insulating film, and a problem of pinholes. Can be solved. -The gate insulating film can be thickened. It is possible to obtain such an effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】 実施例の作製工程を示す。FIG. 1 shows a manufacturing process of an example.

【図２】 実施例の作製工程を示す。FIG. 2 shows a manufacturing process of an example.

【図３】 実施例の作製工程を示す。FIG. 3 shows a manufacturing process of an example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１１・・・・ガラス基板 １２・・・・珪素膜 １０１・・・酸化珪素膜 １３・・・・酸化珪素膜 １４・・・・ゲイト電極 １５１・・・酸化物層 １６・・・・ソース／ドレイン領域 １７・・・・チャネル形成領域 １８・・・・ドレイン／ソース領域 １９・・・・層間絶縁物 ２０・・・・ＩＴＯ電極（画素電極） ２１・・・・電極 ２２・・・・電極 ３１・・・・ゲイト電極 ３２・・・・酸化物層 ３３・・・・ゲイト電極 ３４・・・・酸化物層 ３５・・・・ソース／ドレイン電極 ３６・・・・チャネル形成領域 ３７・・・・ドレイン／ソース領域 ３８・・・・ドレイン／ソース領域 ３９・・・・チャネル形成領域 ４０・・・・ソース／ドレイン領域 ４３・・・・層間絶縁物 ４２・・・・電極 ４３・・・・電極 ４４・・・・電極 11 ... Glass substrate 12 Silicon film 101 Silicon oxide film 13 Silicon oxide film 14 Gate electrode 151 Oxide layer 16 Source / Drain region 17 ... Channel formation region 18 ... Drain / source region 19 ... Interlayer insulator 20 ... ITO electrode (pixel electrode) 21 ... Electrode 22 ... Electrode 31 ... Gate electrode 32 ... Oxide layer 33 ... Gate electrode 34 ... Oxide layer 35 ... Source / drain electrode 36 ... Channel formation region 37 ... ..Drain / source region 38 .... Drain / source region 39 .... Channel forming region 40 .... source / drain region 43..interlayer insulator 42 .... electrode 43・ Electrode 44 ・ ・ ・ ・ Electrode

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 酸化珪素膜を有する半導体装置であっ
て、 前記酸化珪素膜の表面は窒化されていることを特徴とす
る半導体装置。1. A semiconductor device having a silicon oxide film, wherein the surface of the silicon oxide film is nitrided. 【請求項２】 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置であっ
て、 その表面が窒化された酸化珪素膜によりゲイト絶縁膜が
構成されていることを特徴とする半導体装置。2. An insulating gate type field effect semiconductor device, wherein the gate insulating film is composed of a silicon oxide film whose surface is nitrided. 【請求項３】 酸化珪素膜を有する半導体装置の作製方
法であって、 酸化珪素膜よりなる絶縁膜表面に窒素イオンを注入する
ことにより、前記酸化珪素膜表面を酸化窒化珪素とする
ことを特徴する半導体装置の作製方法。3. A method for manufacturing a semiconductor device having a silicon oxide film, wherein the surface of the silicon oxide film is made into silicon oxynitride by implanting nitrogen ions into the surface of the insulating film made of the silicon oxide film. Method for manufacturing a semiconductor device. 【請求項４】 絶縁ゲイト型電界効果半導体装置の作製
方法であって、 ゲイト絶縁膜として酸化珪素膜を形成する工程と、 前記酸化珪素膜表面に窒素イオンを注入する工程と、 を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。4. A method for manufacturing an insulating gate type field effect semiconductor device, comprising: a step of forming a silicon oxide film as a gate insulating film; and a step of implanting nitrogen ions into the surface of the silicon oxide film. A method for manufacturing a characteristic semiconductor device. 【請求項５】 請求項４において、窒素イオンの注入の
後に、赤外光の照射によるアニールを行うことを特徴と
する半導体装置の作製方法。5. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 4, wherein after the implantation of nitrogen ions, annealing by irradiation with infrared light is performed.