JPH0785988A - Strobe device - Google Patents

Strobe device

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Publication number
JPH0785988A
JPH0785988A JP22866093A JP22866093A JPH0785988A JP H0785988 A JPH0785988 A JP H0785988A JP 22866093 A JP22866093 A JP 22866093A JP 22866093 A JP22866093 A JP 22866093A JP H0785988 A JPH0785988 A JP H0785988A
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JP
Japan
Prior art keywords
voltage
charging
strobe
pulse width
rule
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP22866093A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Koji Mizobuchi
孝二 溝渕
Keiichi Tsuchida
啓一 土田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP22866093A priority Critical patent/JPH0785988A/en
Publication of JPH0785988A publication Critical patent/JPH0785988A/en
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  • Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a strobe device consisting in a combination of a simple inverter circuit, whose number of component parts is decreased to a great extent, and a prediction feedback PWM control which works with reasoning. CONSTITUTION:An inferring part 1 is fed with a primary side battery voltage of an externally excited strobe charging circuit and the charge voltage of a secondary side main capacitor, and a pulse width changing part 2 changes over at least in steps or continuously the pulse width of PWM and the duty ratio according to the result from reasoning made by the inferring part 1. A strobe charging part 3 charges the main capacitor in conformity to PWM output signals given by the pulse width changing part 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、カメラ等による写真撮
影時に使用されるストロボ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a strobe device used when taking a picture with a camera or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、例えば特開平4−146418号
公報では、充電回路1次側にパワーMOSトランジスタ
或いはIGBTを配置し、上記素子をCPUの出力ポー
トで直接パルス駆動して2次側メインコンデンサを充電
する技術が開示されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, for example, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 4-146418, a power MOS transistor or an IGBT is arranged on the primary side of a charging circuit, and the above element is directly pulse-driven at an output port of a CPU so that a secondary side main capacitor is provided. A technique for charging a battery is disclosed.

【0003】さらに、特開昭63−261699号公報
では、1次側コイルに流れる電流の平均値を電源電圧に
応じてコントロールし、電源電圧の低下を防止する技術
が開示されている。
Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-261699 discloses a technique for controlling the average value of the current flowing through the primary coil according to the power supply voltage to prevent the power supply voltage from decreasing.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記特
開平4−146418号公報により開示された技術で
は、上記スイッチング素子にバイアス電源を与えていな
いため、低電圧時のスイッチングが困難であり、更に2
次側メインコンデンサの充電電圧のモニタがないためP
WMのパルス幅決定が困難であった。
However, in the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-146418, since the bias power supply is not applied to the switching element, it is difficult to switch at a low voltage.
P because there is no monitor of the charging voltage of the secondary main capacitor
It was difficult to determine the pulse width of the WM.

【0005】さらに、上記特開昭63−261699号
公報により開示された技術は、外付け発振回路を持つ自
己帰還形のPWM制御のため部品点数が多いといった問
題があった。
Further, the technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-261699 has a problem that the number of parts is large because of the self-feedback type PWM control having an external oscillator circuit.

【0006】本発明は上記問題に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、部品点数を大幅に減らし
た簡単なインバータ回路と推論による予測フィードバッ
クPWM制御を組合せたストロボ装置を提供することに
ある。
The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a strobe device in which a simple inverter circuit in which the number of parts is significantly reduced and predictive feedback PWM control by inference are combined. It is in.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1の態様によるストロボ装置は、他励式
ストロボ充電回路の1次側電池電圧と2次側メインコン
デンサの充電電圧とを入力値とした演算手段と、上記演
算手段の推論結果に応じてPWMのパルス幅及びデュー
ティ比を少なくとも段階的或いは連続的に切換えるパル
ス幅変換手段と、上記パルス幅変換手段からのPWM出
力信号に応じてメインコンデンサの充電を行うストロボ
充電手段とを具備することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a strobe device according to a first aspect of the present invention provides a primary side battery voltage and a secondary side main capacitor charging voltage of a separately excited strobe charging circuit. An input value, a pulse width conversion means for switching the PWM pulse width and duty ratio at least stepwise or continuously according to the inference result of the calculation means, and a PWM output signal from the pulse width conversion means. And a strobe charging means for charging the main capacitor in accordance with the above.

【0008】また、第2の態様によるストロボ装置は、
上記他励式ストロボ充電回路において、昇圧用半導体ス
イッチング素子の制御入力端子に印加する制御信号の電
圧振幅として、カメラの電池電圧と1次側フライバック
電圧又は2次側出力電圧の分圧電圧とのいずれか高い方
の電圧を選択的に使用する制御手段を更に具備すること
を特徴とする。
The strobe device according to the second aspect is
In the separately-excited strobe charging circuit, the voltage amplitude of the control signal applied to the control input terminal of the boosting semiconductor switching element is divided into the battery voltage of the camera and the divided voltage of the primary flyback voltage or the secondary output voltage. It is characterized by further comprising control means for selectively using the higher voltage.

【0009】[0009]

【作用】即ち、本発明の第1の態様によるストロボ装置
では、演算手段が他励式ストロボ充電回路の1次側電池
電圧と2次側メインコンデンサの充電電圧とを入力値と
しており、パルス幅変換手段が上記演算手段の推論結果
に応じてPWMのパルス幅及びデューティ比を少なくと
も段階的或いは連続的に切換える。そして、ストロボ充
電手段は上記パルス幅変換手段からのPWM出力信号に
応じてメインコンデンサの充電を行う。
That is, in the strobe device according to the first aspect of the present invention, the calculation means uses the primary side battery voltage of the separately excited strobe charging circuit and the charging voltage of the secondary side main capacitor as input values, and performs pulse width conversion. The means switches the PWM pulse width and duty ratio at least stepwise or continuously according to the inference result of the computing means. The strobe charging means charges the main capacitor according to the PWM output signal from the pulse width converting means.

【0010】また、第2の態様によるストロボ装置で
は、制御手段が上記他励式ストロボ充電回路において、
昇圧用半導体スイッチング素子の制御入力端子に印加す
る制御信号の電圧振幅として、カメラの電池電圧と1次
側フライバック電圧又は2次側出力電圧の分圧電圧との
いずれか高い方の電圧を選択的に使用する。
In the strobe device according to the second aspect, the control means is the separately-excited strobe charging circuit,
The voltage amplitude of the control signal applied to the control input terminal of the boosting semiconductor switching element is selected from the higher of the battery voltage of the camera, the primary flyback voltage or the divided voltage of the secondary output voltage. To use.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図1は実施例に係るストロボ装置の構成
を示すブロック図である。この図1において、電池電圧
(VE)と充電電圧 (VC)を入力とする推論部1は不図示
の推論用パラメータ及び推論用演算回路で構成されるフ
ァジィ推論装置である。そして、パルス幅変換部2は上
記推論部1の推論結果に応じてパルス幅(デューティ
比)及びパルス周期が可変自在な例えばPWMの如くパ
ルス幅変換回路により構成される。さらに、ストロボ充
電部3は上記パルス幅変換部2のパルス出力信号により
ストロボのメインコンデンサを充電する後述の他励式の
インバータ回路(DC−DCコンバータ)で構成され
る。尚、上記推論部1は、ファジイ推論専用のハードウ
ェアを用いて構成してもよいが、ワンチップマイコン等
を用いてソフトウェア主体の構成にしてもよい。さら
に、本実施例のファジィ推論は、本出願人が先に出願し
た特願平4−303196号公報に記載の推論装置を用
いることを前提にしている。従って、実施例の説明にお
いては、ファジィ推論のアルゴリズムについては特に詳
述しない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a strobe device according to an embodiment. In FIG. 1, the battery voltage
The inference unit 1, which receives (VE) and the charging voltage (VC) as input, is a fuzzy inference device including inference parameters and inference operation circuits (not shown). The pulse width conversion unit 2 is composed of a pulse width conversion circuit such as PWM in which the pulse width (duty ratio) and the pulse period can be freely changed according to the inference result of the inference unit 1. Further, the strobe charging section 3 is composed of a separately excited inverter circuit (DC-DC converter) which will be described later and charges the main capacitor of the strobe with the pulse output signal of the pulse width conversion section 2. The inference unit 1 may be configured by using hardware dedicated to fuzzy inference, or may be configured mainly by software by using a one-chip microcomputer or the like. Furthermore, the fuzzy inference according to the present embodiment is premised on using the inference apparatus described in Japanese Patent Application No. 4-303196 filed by the applicant of the present application. Therefore, the fuzzy inference algorithm will not be described in detail in the description of the embodiment.

【0012】次に図2はストロボ充電時のメインコンデ
ンサの充電特性を示す図である。図2に示すように、通
常ストロボ充電開始時のメインコンデンサの残留電圧を
およそ0[V]とすると、充電開始直後からしばらくの
間は、ほぼリニアにメインコンデンサの充電電圧が上昇
し、その後、メインコンデンサの耐圧近くまで充電が進
行するに従い充電電圧の傾きは小さくなる。この充電特
性は自励式或いは他励式に関わらずほぼ同傾向と考えて
よい。
Next, FIG. 2 is a diagram showing the charging characteristics of the main capacitor during strobe charging. As shown in FIG. 2, assuming that the residual voltage of the main capacitor at the start of normal strobe charging is approximately 0 [V], the charge voltage of the main capacitor rises almost linearly for a while immediately after the start of charging, and thereafter, The slope of the charging voltage becomes smaller as the charging progresses to near the withstand voltage of the main capacitor. It can be considered that the charging characteristics are almost the same regardless of the self-excited type or the separately excited type.

【0013】そこで、本実施例では、充電時間(横軸)
を等間隔に(tNM〜tPM)に割振ったときの充電電圧
(縦軸)をVNM〜VPMとし、それぞれNM〜PMのラベ
ルを与えた充電電圧(VNM〜VPM)の値を図1の推論部
1の入力値(充電電圧(VC ))とする。尚、ここでは
充電時間tNM〜tPMを等間隔に5分割しているが、特に
等間隔である必要はなく、また分割数にも制限はない。
Therefore, in this embodiment, the charging time (horizontal axis)
Of the charging voltage (V NM to V PM ) labeled with NM to PM , respectively, when the charging voltage (vertical axis) when V is allocated to (t NM to t PM ) at equal intervals is V NM to V PM . The value is the input value (charging voltage (V C )) of the inference unit 1 in FIG. Although the charging times t NM to t PM are divided into five equal intervals here, they need not be evenly divided and the number of divisions is not limited.

【0014】次に図3は電池に一定負荷を一定の時間間
隔で加え続けたときの放電特性を示す図である。この図
3に示すように、例えば最近のカメラシステムに多用さ
れているリチウム電池の場合、放電を繰り返すに従い、
なだらかに電池電圧が降下し、放電末期においては急激
に電圧降下を生じる。通常、この放電末期近傍の電圧を
カメラシステムの動作限界(バッテリチェック判定N
G)とする。
Next, FIG. 3 is a diagram showing discharge characteristics when a constant load is continuously applied to the battery at constant time intervals. As shown in FIG. 3, for example, in the case of a lithium battery often used in recent camera systems, as the discharge is repeated,
The battery voltage drops gently, and a sharp voltage drop occurs at the end of discharge. Normally, the voltage near the end of discharge is set to the operating limit (battery check judgment N
G).

【0015】従って、上記充電特性の場合と同様に、放
電時間(横軸)を等間隔(tNS〜tPS)に割振ったとき
の電池電圧(縦軸)をVNS〜VPSとし、それぞれNS〜
PSのラベルを与えた電池電圧(VNS〜VPS)の値を図
1の推論部1のもう一方の入力値(電池電圧(VE ))
とする。分割の間隔及び分割数の制限はない。
Therefore, as in the case of the above charging characteristics, the battery voltage (vertical axis) when the discharging time (horizontal axis) is allocated at equal intervals (t NS to t PS ) is V NS to V PS , NS ~
The value of the battery voltage (V NS to V PS ) given the PS label is the other input value (battery voltage (V E )) of the inference unit 1 in FIG.
And There is no limitation on the division interval or the number of divisions.

【0016】次に図4は実施例のファジィ推論に用いる
前件部及び後件部のメンバシップ関数を示す図である。
この図4に示すように、前件部1メンバシップ関数の場
合、充電電圧(VC )を横軸に取り、図2で分割した充
電電圧(VNM〜VPM)を設定する。そして、それぞれの
ラベルのあいまいな称号として、VPM:かなり高い〜V
NM:かなり低いを与える。前件部2メンバシップ関数も
同様に、電池電圧(VE )を横軸に取り、図2で分割し
た電池電圧(VNS〜VPS)を設定し、それぞれのラベル
のあいまいな称号VPS:十分ある〜VNS:ないを与え
る。
FIG. 4 is a diagram showing membership functions of the antecedent part and the consequent part used in the fuzzy inference according to the embodiment.
As shown in FIG. 4, in the case of the antecedent part 1 membership function, the charging voltage (V C ) is plotted on the horizontal axis, and the charging voltages (V NM to V PM ) divided in FIG. 2 are set. And as an ambiguous title of each label, V PM : quite high ~ V
NM : Gives pretty low. Similarly, in the antecedent part 2 membership function, the battery voltage (V E ) is plotted on the horizontal axis, and the battery voltages (V NS to V PS ) divided in FIG. 2 are set, and the ambiguous title V PS of each label is set. : There is enough ~ V NS : No is given.

【0017】後件部メンバシップ関数は、図1のパルス
幅変換部2がストロボ充電部3を所定のパルス幅で駆動
する際のダイナミックレンジをTNM:4TX 〜TPM:T
X /4の5個のラベルに割振っている。即ち、重心出力
そのものがパルス幅及びパルス周期に相当するようなメ
ンバシップ関数構成になっている。ラベル数の制約は全
くなく、カットアンドトライで自由に増減してよいこと
は勿論である。
The consequent part membership function is the dynamic range when the pulse width conversion part 2 of FIG. 1 drives the strobe charging part 3 with a predetermined pulse width, T NM : 4T X to T PM : T.
Allotted to 5 labels of X / 4. That is, the output of the center of gravity itself has a membership function configuration corresponding to the pulse width and the pulse period. Of course, there is no restriction on the number of labels, and it is of course possible to freely increase or decrease by cut and try.

【0018】次に図5は図4のメンバシップ関数を用い
た推論ルールを示す図である。図5に示すように、視覚
的に認識し易いように前件部1及び前件部2をマトリッ
クス状に配置し、各前件部のラベルの各交点に後件部ラ
ベルを設定することにより表現されている。例えば、一
般的なルール表現は以下のようになる。
Next, FIG. 5 is a diagram showing an inference rule using the membership function of FIG. As shown in FIG. 5, by arranging the antecedent part 1 and the antecedent part 2 in a matrix for easy visual recognition, and setting the consequent part label at each intersection of the labels of each antecedent part. It is expressed. For example, the general rule expression is:

【0019】 ルール1:if a is VNM and b is VPS then TNM ルール2:if a is VNS and b is VPS then TNS ルール3:if a is VZO and b is VPS then TZO ルール4:if a is VPS and b is VPS then TPS ルール5:if a is VPM and b is VPS then TPM ルール6:if a is VNM and b is VZO then TNM ルール7:if a is VNS and b is VZO then TNS ルール8:if a is VZO and b is VZO then TZO ルール9:if a is VPS and b is VZO then TZO ルール10:if a is VPM and b is VZO then TPS ルール11:if a is VNM and b is VNS then TNM ルール12:if a is VNS and b is VNS then TNM ルール13:if a is VNS and b is VNS then TNS ルール14:if a is VNS and b is VNS then TNS ルール15:if a is VNS and b is VNS then TZO ここで、a及びbは前件部1及び前件部2に対応する入
力値、即ち充電電圧と電池電圧である。この図5の推論
ルールマトリクスは、前件部1及び前件部2に対する全
ての組合せパターンとして15通りの推論ルールを設定
しているが、実際はヒットしない組合せを省いてよい。
Rule 1: if a is V NM and b is V PS then T NM Rule 2: if a is V NS and b is V PS then T NS Rule 3: if a is V ZO and b is V PS then T ZO Rule 4: if a is V PS and b is V PS then T PS Rule 5: if a is V PM and b is V PS then T PM Rule 6: if a is V NM and b is V ZO then T NM Rule 7: if a is V NS and b is V ZO then T NS rule 8: if a is V ZO and b is V ZO then T ZO rule 9: if a is V PS and b is V ZO then T ZO rule 10: if a is V PM and b is V ZO then T PS rule 11: if a is V NM and b is V NS then T NM rule 12: if a is V NS and b is V NS then T NM rule 13: if a is V NS and b is V NS then T NS rule 14: if a is V NS and b is V NS then T NS rule 15: if a is V NS and b is V NS then T ZO where a and b are Input values corresponding to the antecedent part 1 and the antecedent part 2, that is, the charging voltage and the battery voltage. In the inference rule matrix of FIG. 5, 15 types of inference rules are set as all the combination patterns for the antecedent part 1 and the antecedent part 2, but combinations that do not actually hit may be omitted.

【0020】次に図6は本発明の実施例を更に具現化し
た構成を示す図である。図6において、1チップマイコ
ン11及びストロボ回路33は、それぞれ図1のパルス
幅変換部2及びストロボ充電部3に対応する。先ずスト
ロボの充電制御において、他励式インバータの駆動信号
源として1チップマイコン11内に設けられたPWM回
路12を用いる。さらに、昇圧トランス23の2次側の
充電電圧VC と電池16の電圧VE をモニタするために
A/D変換回路13を用いる。これらハードウェアはプ
ログラマブルであることは勿論である。ローパスフィル
タ15はストロボ充電開始直後のVE の急激な電圧降下
及び充電中のノイズが1チップマイコン11を含むIC
制御系へ回り込むのを緩衝する。
Next, FIG. 6 is a diagram showing a configuration in which the embodiment of the present invention is further embodied. 6, the one-chip microcomputer 11 and the strobe circuit 33 correspond to the pulse width conversion unit 2 and the strobe charging unit 3 of FIG. 1, respectively. First, in the strobe charging control, the PWM circuit 12 provided in the one-chip microcomputer 11 is used as a drive signal source of the separately excited inverter. Further, the A / D conversion circuit 13 is used to monitor the charging voltage V C on the secondary side of the step-up transformer 23 and the voltage V E of the battery 16. Of course, these hardwares are programmable. The low-pass filter 15 is an IC that includes a one-chip microcomputer 11 in which a sudden voltage drop of V E immediately after the start of strobe charging and noise during charging are included.
It buffers the sneak into the control system.

【0021】さて、図5の推論ルールに従ってストロボ
の充電が開始すると、PWM回路12はN−chオープ
ンドレイントランジスタ14をオンし、ダイオード1
9、トランジスタ20及びベース抵抗18の経路でベー
ス電流をシンクする。加えてトランジスタ20のベース
・エミッタ間にはシャント抵抗17を接続する。
Now, when the charging of the strobe is started according to the inference rule of FIG. 5, the PWM circuit 12 turns on the N-ch open drain transistor 14 and the diode 1
9, the base current is sinked through the path of the transistor 20 and the base resistor 18. In addition, a shunt resistor 17 is connected between the base and emitter of the transistor 20.

【0022】このトランジスタ20がオン状態になる
と、N−chパワーMOSFET22のゲート・ソース
間に並列に接続された抵抗21のゲート電位は、電池電
圧VEからダイオード19の順方向飽和電圧VF 及びト
ランジスタ20のコレクタ・エミッタ間飽和電圧V
CE(SAT) を引いた値(VE −VF −VCE(SAT) )とな
る。通常、これらの飽和電圧が大きくならないように低
飽和の部品(ショットキーダイオードなど)を用いる。
そして、トランジスタ20のオンにより、抵抗21のゲ
ート電位が上昇し、N−chパワーMOSFET22が
導通状態となる。
When the transistor 20 is turned on, the gate potential of the resistor 21 connected in parallel between the gate and the source of the N-ch power MOSFET 22 changes from the battery voltage V E to the forward saturation voltage V F of the diode 19 and Transistor 20 collector-emitter saturation voltage V
It is a value (V E −V F −V CE (SAT) ) obtained by subtracting CE (SAT) . Usually, low-saturation components (such as Schottky diodes) are used so that these saturation voltages do not increase.
Then, when the transistor 20 is turned on, the gate potential of the resistor 21 rises, and the N-ch power MOSFET 22 becomes conductive.

【0023】しかしながら、ゲート・ソース間の印加電
圧VGSが電池電圧程度(〜3[V]:リチウム電池1
本)の場合、ドレイン・ソース間のオン抵抗RDS(ON)
高くなり十分なドレイン電流ID を流すには至らず、そ
の結果、昇圧トランス23の2次側には、メインコンデ
ンサ32を所定の充電電圧まで充電するのに必要な誘起
電圧が発生しない。そこで、昇圧トランス23の2次側
出力電流を整流ダイオード24を介して抵抗28及びツ
ェナーダイオード29で分圧されるコンデンサ30に充
電し、この充電電圧を再びトランジスタ20を介してN
−chパワーMOSFET22のゲート・ソース間に印
加する。
However, the applied voltage V GS between the gate and the source is about the battery voltage (up to 3 [V]: lithium battery 1
In this case, the on-resistance R DS (ON) between the drain and the source becomes high and a sufficient drain current I D cannot be made to flow, and as a result, the main capacitor 32 is provided on the secondary side of the step-up transformer 23. The induced voltage required to charge to a predetermined charging voltage is not generated. Therefore, the secondary side output current of the step-up transformer 23 is charged in the capacitor 30 divided by the resistor 28 and the Zener diode 29 via the rectifier diode 24, and this charged voltage is again passed through the transistor 20 to N
Applied between the gate and source of the -ch power MOSFET 22.

【0024】例えば既製の「2SK591」の場合、ド
レイン電流ID =6.0[A]を低いオン抵抗RDS(ON)
で流すためには、ゲート・ソース間の印加電圧VGSを1
0[V]以上に設定しなければならない。従って、スト
ロボ充電中コンスタントに10[V]以上の印加電圧V
GSを供給するためには、コンデンサ30の静電容量をト
ランジスタ20のベース抵抗18、抵抗21、及びPW
M回路12の最低駆動周波数で決まる時定数以上の値に
設定する。
For example, in the case of the ready-made "2SK591", the drain current I D = 6.0 [A] is set to a low on-resistance R DS (ON).
In order to flow at, the applied voltage V GS between the gate and source is 1
It must be set to 0 [V] or higher. Therefore, the applied voltage V of 10 [V] or more is constantly applied during strobe charging.
In order to supply GS , the capacitance of the capacitor 30 is set to the base resistance 18, the resistance 21, and the PW of the transistor 20.
The value is set to a value equal to or greater than the time constant determined by the lowest drive frequency of the M circuit 12.

【0025】こうすることにより、ダイオード19は、
充電開始直後のごく初期にスタータとして機能し、それ
以降は専らコンデンサ20の充電電圧により、N−ch
パワーMOSFET22をスイッチングさせる。
By doing so, the diode 19 becomes
It functions as a starter in the very beginning immediately after the start of charging, and thereafter, exclusively by the charging voltage of the capacitor 20, the N-ch
The power MOSFET 22 is switched.

【0026】ところで、ストロボ充電中のダイオード2
4とダイオード27の間の電位は、メインコンデンサ3
2の充電電圧にほぼ等しい。したがって、抵抗25及び
抵抗26で分圧された電圧VC を1チップマイコン11
内のA/D変換回路13でモニタすれば、メインコンデ
ンサ32の電圧が判明する。同様に、充電中の電池電圧
もモニタできる。このようにして、ファジィ推論に必要
な前件部1及び前件部2の入力値としての電池電圧(V
E )、充電電圧(VC )を得る。尚、ストロボ発光制御
回路31は、本発明に直接関係しないのでここでの説明
は省略する。
By the way, the diode 2 during the strobe charging
4 and the diode 27 are connected to the main capacitor 3
It is almost equal to the charging voltage of 2. Therefore, the voltage V C divided by the resistors 25 and 26 is applied to the 1-chip microcomputer 11
The voltage of the main capacitor 32 can be found by monitoring with the internal A / D conversion circuit 13. Similarly, the battery voltage during charging can be monitored. Thus, the battery voltage (V as the input value of the antecedent part 1 and the antecedent part 2 necessary for the fuzzy inference is
E ), obtain the charging voltage (V C ). Note that the strobe light emission control circuit 31 is not directly related to the present invention, and a description thereof will be omitted here.

【0027】以下、図8のフローチャートを参照して、
図6のシステムのストロボ充電を実行させたときのシー
ケンスを説明する。先ずPWM回路12を所定のパルス
幅でオンさせ(ステップS1)、このときの電池電圧
(VE )及び充電電圧(VC )を検出し(ステップS
2,S3)、この2値を入力値としたファジィ推論を行
い(ステップS4)、推論結果(重心出力)に応じて次
のPWM回路12の駆動周波数及びデューティ比を決定
し(ステップS5)、PWM回路12の駆動条件を更新
する(ステップS6)。
Hereinafter, with reference to the flowchart of FIG.
A sequence when the strobe charge of the system of FIG. 6 is executed will be described. First, the PWM circuit 12 is turned on with a predetermined pulse width (step S1), and the battery voltage (V E ) and charging voltage (V C ) at this time are detected (step S1).
2, S3), fuzzy inference using these two values as input values (step S4), and the drive frequency and duty ratio of the next PWM circuit 12 are determined according to the inference result (center of gravity output) (step S5). The drive condition of the PWM circuit 12 is updated (step S6).

【0028】上記PWM回路12の駆動周波数及びデュ
ーティ比は、予めROM上に設定しておきテーブル参照
してもよいし、その都度、演算処理してもよい。少なく
とも充電初期の比較的低いPWM回路12の駆動周波数
の一周期より大きい時間とタイマで計時し(ステップS
7)、その後、充電停止目標電圧まで充電されたか否か
を判断する(ステップS8)。
The drive frequency and duty ratio of the PWM circuit 12 may be set in advance in the ROM and referred to in the table, or may be calculated each time. At least a period greater than one cycle of the drive frequency of the PWM circuit 12 which is relatively low at the initial stage of charging and the time is measured by the timer (step S
7) After that, it is determined whether or not the battery has been charged up to the charge stop target voltage (step S8).

【0029】充電停止目標電圧に至った場合は、PWM
回路12をオフした後(ステップS9)、ストロボ充電
を終了する。これに対して、充電停止目標電圧に至って
いない場合は、ダメージタイマ(tD )の設定時間以上
に時間が経過しているか否かを判断し(ステップS1
0,S11)、tD がダメージタイマ設定時間以下のと
きは再びステップS2に分岐し、ダメージタイマ設定時
間がtD 以上のときはダメージモードに分岐する(ステ
ップS12)。
When the charge stop target voltage is reached, PWM
After turning off the circuit 12 (step S9), the strobe charging is ended. On the other hand, when the charge stop target voltage is not reached, it is determined whether or not the time has elapsed more than the set time of the damage timer (t D ) (step S1).
0, S11), and branches to step S2 again when t D is equal to or less than the damage timer setting time, damage the timer set time when the above t D branches to damage mode (step S12).

【0030】即ち、ストロボ充電中は、常時電池電圧と
充電電圧をモニタし、その値を入力値としたPWM回路
12の駆動条件決定のファジィ推論を一定周期で繰り返
し実行することで、理想的な充電カーブをトレースする
ようなPWM駆動を行う。
That is, during strobe charging, the battery voltage and the charging voltage are constantly monitored, and fuzzy inference for determining the driving condition of the PWM circuit 12 using the values as the input values is repeatedly executed at a constant cycle, which is ideal. PWM drive is performed to trace the charging curve.

【0031】最後に、図7を参照して、N−chパワー
MOSFET22のゲート・ソース間印加電圧VGSの供
給についての実施例の改良例について説明する。図7に
おいて、ストロボ充電が開始するとトランジスタ45が
オンする。このとき、ダイオード41を介して電池電圧
E とほぼ等しい電位力が抵抗46に印加され、N−c
hパワーMOSFET44が導通状態となる。ここまで
は上記図6の説明と全く同じである。その後、昇圧トラ
ンス47の1次側コイルの電流の変化(磁界の変化)が
なくなると、昇圧トランス47に蓄えられた磁気エネル
ギーがフライバック電圧として昇圧トランス47とN−
chパワーMOSFET44のドレイン端子間に発生
し、電池電圧VE よりも数ボルト高い電圧VF がダイオ
ード43を介してコンデンサ42に充電される。従っ
て、1度トランジスタ45がオンすると2回目以降N−
chパワーMOSFET44のゲート・ソース間印加電
圧VGSはVFBが供給されるため十分なドレイン電流を流
すことができる。
Finally, with reference to FIG. 7, an improved example of the embodiment for supplying the gate-source applied voltage V GS of the N-ch power MOSFET 22 will be described. In FIG. 7, when the strobe charge starts, the transistor 45 turns on. At this time, a potential force substantially equal to the battery voltage V E is applied to the resistor 46 via the diode 41, and Nc
The h power MOSFET 44 becomes conductive. The process up to this point is exactly the same as the description of FIG. 6 above. After that, when there is no change in the current of the primary coil of the step-up transformer 47 (change in the magnetic field), the magnetic energy stored in the step-up transformer 47 becomes a flyback voltage with the step-up transformer 47 and N−.
A voltage V F which is generated between the drain terminals of the ch power MOSFET 44 and is several volts higher than the battery voltage V E is charged in the capacitor 42 via the diode 43. Therefore, once the transistor 45 is turned on, N-
Since the gate-source applied voltage V GS of the ch power MOSFET 44 is V FB, a sufficient drain current can flow.

【0032】尚、この改良例は、本発明の実施例のみな
らずN−chパワーMOSFETを昇圧トランスの1次
側スイッチングパワートランジスタに用いた自励式イン
バータにも適用することができる。
The improved example can be applied not only to the embodiment of the present invention but also to a self-excited inverter using an N-ch power MOSFET as a primary side switching power transistor of a step-up transformer.

【0033】以上説明したように、本発明のストロボ装
置では、従来並の性能を保持しながら1次側の部品点数
をかなり削除できるばかりでなく、1チップCPUなど
のデジタル系iC と直接インタフェースができるので、
コスト及び実装スペース上も有利になる。
As described above, in the strobe device of the present invention, not only can the number of parts on the primary side be considerably reduced while maintaining performance comparable to the conventional one, but it can also directly interface with a digital system i C such as a one-chip CPU. Because you can
It is also advantageous in terms of cost and mounting space.

【0034】[0034]

【発明の効果】本発明によれば、部品点数を大幅に減ら
した簡単なインバータ回路と推論による予測フィードバ
ックPWM制御を組合せたストロボ装置を提供すること
ができる。
According to the present invention, it is possible to provide a strobe device in which a simple inverter circuit in which the number of parts is greatly reduced and predictive feedback PWM control by inference are combined.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例に係るストロボ装置の構成を示すブロッ
ク図である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of a flash device according to an embodiment.

【図2】ストロボ充電時のメインコンデンサの充電特性
を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing charging characteristics of a main capacitor during strobe charging.

【図3】電池に一定負荷を一定の時間間隔で加え続けた
ときの放電特性を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing discharge characteristics when a constant load is continuously applied to a battery at constant time intervals.

【図4】実施例のファジィ推論に用いる前件部及び後件
部のメンバシップ関数を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing membership functions of an antecedent part and a consequent part used for fuzzy inference according to an embodiment.

【図5】図4のメンバシップ関数を用いた推論ルールを
示す図である。
5 is a diagram showing an inference rule using the membership function of FIG.

【図6】本発明の実施例を更に具現化した構成を示す図
である。
FIG. 6 is a diagram showing a configuration in which an embodiment of the present invention is further embodied.

【図7】実施例の改良例について説明するための図であ
る。
FIG. 7 is a diagram for explaining an improved example of the embodiment.

【図8】実施例によりストロボ充電を実行させたときの
シーケンスを示すフローチャートである。
FIG. 8 is a flowchart showing a sequence when strobe charging is executed according to the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…推論部、2…パルス幅変換部、3…ストロボ充電
部、11…1チップマイコン、12…PWM回路、13
…A/D変換回路、14…N−chオープンドレイント
ランジスタ、15…ローパスフィルタ、16…電池、1
7…シャント抵抗、18…ベース抵抗、19…ダイオー
ド、20…トランジスタ、21…抵抗、22…N−ch
パワーMOSFET、23…昇圧トランス、24…整流
ダイオード、25,26…抵抗、27…整流ダイオー
ド、28…抵抗、29…ツェナダイオード、30…コン
デンサ、31…ストロボ発光制御回路、32…メインコ
ンデンサ、33…ストロボ回路、41…ダイオード、4
2…コンデンサ、43…ダイオード、44…N−chパ
ワーMOSFET、45…トランジスタ、46…抵抗、
47…昇圧トランス。
1 ... Inference unit, 2 ... Pulse width conversion unit, 3 ... Strobe charging unit, 11 ... 1-chip microcomputer, 12 ... PWM circuit, 13
... A / D conversion circuit, 14 ... N-ch open drain transistor, 15 ... Low-pass filter, 16 ... Battery, 1
7 ... Shunt resistance, 18 ... Base resistance, 19 ... Diode, 20 ... Transistor, 21 ... Resistor, 22 ... N-ch
Power MOSFET, 23 ... Step-up transformer, 24 ... Rectifier diode, 25, 26 ... Resistor, 27 ... Rectifier diode, 28 ... Resistor, 29 ... Zener diode, 30 ... Capacitor, 31 ... Strobe light emission control circuit, 32 ... Main capacitor, 33 ... Strobe circuit, 41 ... Diode, 4
2 ... Capacitor, 43 ... Diode, 44 ... N-ch power MOSFET, 45 ... Transistor, 46 ... Resistor,
47 ... Step-up transformer.

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成5年11月11日[Submission date] November 11, 1993

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0019[Correction target item name] 0019

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0019】 ルール1:if a is VNM and b is VPS then TNM ルール2:if a is VNS and b is VPS then TNS ルール3:if a is VZO and b is VPS then TZO ルール4:if a is VPS and b is VPS then TPS ルール5:if a is VPM and b is VPS then TPM ルール6:if a is VNM and b is VZO then TNM ルール7:if a is VNS and b is VZO then TNS ルール8:if a is VZO and b is VZO then TZO ルール9:if a is VPS and b is VZO then TZO ルール10:if a is VPM and b is VZO then TPS ルール11:if a is VNM and b is VNS then TNM ルール12:if a is VNS and b is VNS then TNM ルール13:if a is V Z0 and b is VNS then TNS ルール14:if a is V PS and b is VNS then TNS ルール15:if a is V PM and b is VNS then TZO ここで、a及びbは前件部1及び前件部2に対応する入
力値、即ち充電電圧と電池電圧である。この図5の推論
ルールマトリクスは、前件部1及び前件部2に対する全
ての組合せパターンとして15通りの推論ルールを設定
しているが、実際はヒットしない組合せを省いてよい。
Rule 1: if a is V NM and b is V PS then T NM Rule 2: if a is V NS and b is V PS then T NS Rule 3: if a is V ZO and b is V PS then T ZO Rule 4: if a is V PS and b is V PS then T PS Rule 5: if a is V PM and b is V PS then T PM Rule 6: if a is V NM and b is V ZO then T NM Rule 7: if a is V NS and b is V ZO then T NS rule 8: if a is V ZO and b is V ZO then T ZO rule 9: if a is V PS and b is V ZO then T ZO rule 10: if a is V PM and b is V ZO then T PS rule 11: if a is V NM and b is V NS then T NM rule 12: if a is V NS and b is V NS then T NM rule 13: if a is V Z0 and b is V NS then T NS rule 14: if a is V PS and b is V NS then T NS rule 15: if a is V PM and b is V NS then T ZO where a and b are Input values corresponding to the antecedent part 1 and the antecedent part 2, that is, the charging voltage and the battery voltage. In the inference rule matrix of FIG. 5, 15 types of inference rules are set as all the combination patterns for the antecedent part 1 and the antecedent part 2, but combinations that do not actually hit may be omitted.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0025[Name of item to be corrected] 0025

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0025】こうすることにより、ダイオード19は、
充電開始直後のごく初期にスタータとして機能し、それ
以降は専らコンデンサ30の充電電圧により、N−ch
パワーMOSFET22をスイッチングさせる。
By doing so, the diode 19 becomes
The very early in function as a starter, exclusively charged voltage of the capacitor 30 is thereafter immediately after start of charging, N-ch
The power MOSFET 22 is switched.

【手続補正3】[Procedure 3]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0031[Correction target item name] 0031

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0031】最後に、図7を参照して、N−chパワー
MOSFET22のゲート・ソース間印加電圧VGSの供
給についての実施例の改良例について説明する。図7に
おいて、ストロボ充電が開始するとトランジスタ45が
オンする。このとき、ダイオード41を介して電池電圧
E とほぼ等しい電位力が抵抗46に印加され、N−c
hパワーMOSFET44が導通状態となる。ここまで
は上記図6の説明と全く同じである。その後、昇圧トラ
ンス47の1次側コイルの電流の変化(磁界の変化)が
なくなると、昇圧トランス47に蓄えられた磁気エネル
ギーがフライバック電圧として昇圧トランス47とN−
chパワーMOSFET44のドレイン端子間に発生
し、電池電圧VE よりも数ボルト高い電圧V FB がダイオ
ード43を介してコンデンサ42に充電される。従っ
て、1度トランジスタ45がオンすると2回目以降N−
chパワーMOSFET44のゲート・ソース間印加電
圧VGSはVFBが供給されるため十分なドレイン電流を流
すことができる。
Finally, with reference to FIG. 7, an improved example of the embodiment for supplying the gate-source applied voltage V GS of the N-ch power MOSFET 22 will be described. In FIG. 7, when the strobe charge starts, the transistor 45 turns on. At this time, a potential force substantially equal to the battery voltage V E is applied to the resistor 46 via the diode 41, and Nc
The h power MOSFET 44 becomes conductive. The process up to this point is exactly the same as the description of FIG. 6 above. After that, when there is no change in the current of the primary coil of the step-up transformer 47 (change in the magnetic field), the magnetic energy stored in the step-up transformer 47 becomes a flyback voltage with the step-up transformer 47 and N−.
A voltage V FB generated between the drain terminals of the ch power MOSFET 44 and higher by several volts than the battery voltage V E is charged in the capacitor 42 via the diode 43. Therefore, once the transistor 45 is turned on, N-
Since the gate-source applied voltage V GS of the ch power MOSFET 44 is V FB, a sufficient drain current can flow.

【手続補正4】[Procedure amendment 4]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図4[Name of item to be corrected] Fig. 4

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図4】 [Figure 4]

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 他励式ストロボ充電回路の1次側電池電
圧と2次側メインコンデンサの充電電圧とを入力値とし
た演算手段と、 上記演算手段の推論結果に応じてPWMのパルス幅及び
デューティ比を少なくとも段階的或いは連続的に切換え
るパルス幅変換手段と、 上記パルス幅変換手段からのPWM出力信号に応じてメ
インコンデンサの充電を行うストロボ充電手段と、を具
備することを特徴とするストロボ装置。
1. A calculation means using a primary side battery voltage of a separately excited strobe charging circuit and a charging voltage of a secondary side main capacitor as input values, and a PWM pulse width and duty according to an inference result of the calculation means. A strobe device comprising pulse width conversion means for switching the ratio at least stepwise or continuously, and strobe charging means for charging the main capacitor according to the PWM output signal from the pulse width conversion means. .
【請求項2】 上記他励式ストロボ充電回路において、
昇圧用半導体スイッチング素子の制御入力端子に印加す
る制御信号の電圧振幅として、カメラの電池電圧と1次
側フライバック電圧又は2次側出力電圧の分圧電圧との
いずれか高い方の電圧を選択的に使用する手段を更に具
備することを特徴とする請求項1に記載のストロボ装
置。
2. The separately-excited strobe charging circuit,
The voltage amplitude of the control signal applied to the control input terminal of the boosting semiconductor switching element is selected from the higher of the battery voltage of the camera, the primary flyback voltage or the divided voltage of the secondary output voltage. The strobe device according to claim 1, further comprising: a means for specifically using the strobe device.
JP22866093A 1993-09-14 1993-09-14 Strobe device Withdrawn JPH0785988A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009053320A (en) * 2007-08-24 2009-03-12 Stanley Electric Co Ltd Strobe driving device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009053320A (en) * 2007-08-24 2009-03-12 Stanley Electric Co Ltd Strobe driving device

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