JPH0785429A - 舌金を有する磁束ガイド及びこの磁束ガイドを組み込んだ磁気抵抗トランスデューサ - Google Patents
舌金を有する磁束ガイド及びこの磁束ガイドを組み込んだ磁気抵抗トランスデューサInfo
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- JPH0785429A JPH0785429A JP6210072A JP21007294A JPH0785429A JP H0785429 A JPH0785429 A JP H0785429A JP 6210072 A JP6210072 A JP 6210072A JP 21007294 A JP21007294 A JP 21007294A JP H0785429 A JPH0785429 A JP H0785429A
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- tongue
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
- G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
- G01R33/09—Magnetoresistive devices
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明のトランスデューサは具体的には磁気
読取りヘッドに応用することを目的とする。 【構成】 舌金を有する磁束ガイドと、この磁束ガイド
を組み込んだ磁気抵抗トランスデューサとである。この
トランスデューサは、ヘッドギャップ(4)によって長
手方向に分離された第1および第2の部分(2、3)を
有する磁束ガイドと、前記ヘッドギャップに向き合い、
かつそのヘッドギャップに沿って配置された磁気抵抗バ
ーとを有する。本発明によれば、第1および第2の部分
(2、3)のヘッドギャップ(4)に隣接するそれぞれ
の縁部(7、8)に、間隔を置いて隔てられた第1およ
び第2の一連の舌金(9、10)が設けられ、第1の部
分(2)の舌金(9)が第2の部分(3)の間隔の中に
延長し、第2の部分(3)の舌金(10)が第1の部分
(2)の間隔の中に延長する。
読取りヘッドに応用することを目的とする。 【構成】 舌金を有する磁束ガイドと、この磁束ガイド
を組み込んだ磁気抵抗トランスデューサとである。この
トランスデューサは、ヘッドギャップ(4)によって長
手方向に分離された第1および第2の部分(2、3)を
有する磁束ガイドと、前記ヘッドギャップに向き合い、
かつそのヘッドギャップに沿って配置された磁気抵抗バ
ーとを有する。本発明によれば、第1および第2の部分
(2、3)のヘッドギャップ(4)に隣接するそれぞれ
の縁部(7、8)に、間隔を置いて隔てられた第1およ
び第2の一連の舌金(9、10)が設けられ、第1の部
分(2)の舌金(9)が第2の部分(3)の間隔の中に
延長し、第2の部分(3)の舌金(10)が第1の部分
(2)の間隔の中に延長する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁束ガイドと、この磁束
ガイドを組み込み、ヘッドギャップによって隔てられた
2つの部分とヘッドギャップに向き合って位置する磁気
抵抗バーを有する磁気抵抗トランスデューサとに関する
ものである。このトランスデューサは、具体的にいえ
ば、ハードディスク、テープ、フロッピーディスク、切
符、カードなどの任意の支持体に磁気的に記録される情
報の読出し/書込み用ヘッドの製造を意図するものであ
る。
ガイドを組み込み、ヘッドギャップによって隔てられた
2つの部分とヘッドギャップに向き合って位置する磁気
抵抗バーを有する磁気抵抗トランスデューサとに関する
ものである。このトランスデューサは、具体的にいえ
ば、ハードディスク、テープ、フロッピーディスク、切
符、カードなどの任意の支持体に磁気的に記録される情
報の読出し/書込み用ヘッドの製造を意図するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】トランスデューサは地球磁界、及び弱い
磁界、たとえば、金属システムにおけるひび割れの存在
に関連する弱い磁界の漏れなどの弱い磁界の検出および
位置決定のために使用できる。
磁界、たとえば、金属システムにおけるひび割れの存在
に関連する弱い磁界の漏れなどの弱い磁界の検出および
位置決定のために使用できる。
【0003】磁気抵抗部品は一般に小さい磁気抵抗バー
の形をしており、バーに電流を流すためにそのバーの端
部が電流リード線に接続される。外部磁界が存在する
と、物質の抵抗率を変化する作用をもたらすように、磁
気抵抗バーの磁化Mが異なった向きになる。そうすると
バーの端子に電圧の変化が生じ、この電圧変化の測定値
が外部磁界の値を表す。その測定値は外部磁界の向きも
表すことができる。
の形をしており、バーに電流を流すためにそのバーの端
部が電流リード線に接続される。外部磁界が存在する
と、物質の抵抗率を変化する作用をもたらすように、磁
気抵抗バーの磁化Mが異なった向きになる。そうすると
バーの端子に電圧の変化が生じ、この電圧変化の測定値
が外部磁界の値を表す。その測定値は外部磁界の向きも
表すことができる。
【0004】したがって、バーの抵抗値を測定すること
によって磁界を測定することが可能であり、逆に磁界を
測定することによって電気抵抗値を測定できる。
によって磁界を測定することが可能であり、逆に磁界を
測定することによって電気抵抗値を測定できる。
【0005】最新の磁気抵抗トランスデューサは、適切
な基体の上に薄膜の形で付着された磁気抵抗物質を使用
している。それらの膜がバーの形を取るようにそれらの
膜はフォトリソグラフィック法に従ってエッチングされ
る。
な基体の上に薄膜の形で付着された磁気抵抗物質を使用
している。それらの膜がバーの形を取るようにそれらの
膜はフォトリソグラフィック法に従ってエッチングされ
る。
【0006】飽和磁界Hsは磁気抵抗部品に加えられる
磁界であって、それ以上では部品の固有の電気抵抗率ρ
がもはやほとんど変化しないようなものと定義される。
下記の関係が定められる。
磁界であって、それ以上では部品の固有の電気抵抗率ρ
がもはやほとんど変化しないようなものと定義される。
下記の関係が定められる。
【0007】Δρ/ρ=[ρ(H=0)−ρ(H=H
s)]/ρ(H=0) ここで、Hは測定すべき外部磁界の値を表し、ρ(H=
0)は零磁界磁気抵抗部品の抵抗率、ρ(H=Hs)は
飽和磁界に等しい磁界の存在する中に部品があるときの
それの抵抗率である。また、Δρ/ρ=ΔR/Rであ
る。ここで、Rは磁気抵抗部品の抵抗値を表す。
s)]/ρ(H=0) ここで、Hは測定すべき外部磁界の値を表し、ρ(H=
0)は零磁界磁気抵抗部品の抵抗率、ρ(H=Hs)は
飽和磁界に等しい磁界の存在する中に部品があるときの
それの抵抗率である。また、Δρ/ρ=ΔR/Rであ
る。ここで、Rは磁気抵抗部品の抵抗値を表す。
【0008】磁気抵抗構造の感度α、したがって磁気抵
抗効果トランスデューサの感度は、単一外部磁界を加え
ることによって得られる磁気抵抗値ΔR/Rの変化によ
って定義され、次の関係を満たす。
抗効果トランスデューサの感度は、単一外部磁界を加え
ることによって得られる磁気抵抗値ΔR/Rの変化によ
って定義され、次の関係を満たす。
【0009】
【数1】
【0010】磁気抵抗部品の形状、またはむしろそれの
寸法がそれの磁化の向きに影響を及ぼす。したがって、
薄い磁性膜の場合には、磁化が膜の面内で整列しようと
する傾向を持つ。更に、長いバーの場合には、磁化は全
体としてその長さに沿った向きになる。これは最小磁気
エネルギーを求めることに相当する。
寸法がそれの磁化の向きに影響を及ぼす。したがって、
薄い磁性膜の場合には、磁化が膜の面内で整列しようと
する傾向を持つ。更に、長いバーの場合には、磁化は全
体としてその長さに沿った向きになる。これは最小磁気
エネルギーを求めることに相当する。
【0011】所与の磁化の向きに対して、物質中に減磁
磁界Hd として、または磁化の向きとは逆の向きに向い
た異方性磁界として知られている磁界が現れる。減磁磁
界の強さは問題の物質の幾何形状と、その内部磁化が取
る向きとの関数である。
磁界Hd として、または磁化の向きとは逆の向きに向い
た異方性磁界として知られている磁界が現れる。減磁磁
界の強さは問題の物質の幾何形状と、その内部磁化が取
る向きとの関数である。
【0012】図1は、この減磁磁界の成分を示すため
に、断面が楕円形である磁気バーを線図的に示す。
に、断面が楕円形である磁気バーを線図的に示す。
【0013】減磁磁界係数の値は、直交座標OXYZの
向きX、Y、Zに応じてそれぞれNX 、NY 、NZ で表
される。磁化Mが向きXに平行である時は、減磁磁界は
関係Hd =NX .M.の関係を証明する。
向きX、Y、Zに応じてそれぞれNX 、NY 、NZ で表
される。磁化Mが向きXに平行である時は、減磁磁界は
関係Hd =NX .M.の関係を証明する。
【0014】無限に長く、向きXに従って整列され、Z
の向きの厚さがe、Yの向きの高さがhであると仮定し
た楕円断面の磁気抵抗バーに対しては、次の関係が成立
する。すなわち、NX =0、NY =e/(h+e)、N
Z =h/(h+e)。
の向きの厚さがe、Yの向きの高さがhであると仮定し
た楕円断面の磁気抵抗バーに対しては、次の関係が成立
する。すなわち、NX =0、NY =e/(h+e)、N
Z =h/(h+e)。
【0015】厚さeが高さhに比較して小さく、高さh
自体が長さLに比較して小さくて、断面が長方形のバー
の場合には、第1近似はNX =0、NY =e/h、NZ
=1であると見なすものである。
自体が長さLに比較して小さくて、断面が長方形のバー
の場合には、第1近似はNX =0、NY =e/h、NZ
=1であると見なすものである。
【0016】したがって、向きYに加えられる外部磁界
Hは磁気抵抗部品の内部で減磁磁界Hd によって、後者
の場合には、(e/H)Mにほぼ等しく減少され、向き
Xに加えられるその同じ外部磁界は減少されない。
Hは磁気抵抗部品の内部で減磁磁界Hd によって、後者
の場合には、(e/H)Mにほぼ等しく減少され、向き
Xに加えられるその同じ外部磁界は減少されない。
【0017】部品の長さがそれの高さまたは幅に匹敵す
るようになると、ただちにこの手法はもはや厳密には適
用されなくなることに注目すべきである。したがって、
減磁磁界は飽和磁界Hsの値を増加する、従ってトラン
スデューサの感度を低くする傾向にある。
るようになると、ただちにこの手法はもはや厳密には適
用されなくなることに注目すべきである。したがって、
減磁磁界は飽和磁界Hsの値を増加する、従ってトラン
スデューサの感度を低くする傾向にある。
【0018】従来、磁気抵抗トランスデューサの製造に
用いられている磁気抵抗材料は強磁性型のモノリシック
物質である。その物質は主として、鉄とニッケルを基に
した化合物(Fe19Ni81、Fe20Ni80)、および
鉄、ニッケル、コバルトを基にした化合物(Fe15Ni
65Co20、Fe5 Ni80Co15、...)である。
用いられている磁気抵抗材料は強磁性型のモノリシック
物質である。その物質は主として、鉄とニッケルを基に
した化合物(Fe19Ni81、Fe20Ni80)、および
鉄、ニッケル、コバルトを基にした化合物(Fe15Ni
65Co20、Fe5 Ni80Co15、...)である。
【0019】現在は、新しい磁気抵抗材料が利用でき
る。それらの磁気抵抗材料は、磁気層の間に反強磁性結
合が存在するような厚さを持つ非磁性金属によって分離
された磁気層のスタックによって構成された金属多層磁
気構造(MMMS)から構成される。
る。それらの磁気抵抗材料は、磁気層の間に反強磁性結
合が存在するような厚さを持つ非磁性金属によって分離
された磁気層のスタックによって構成された金属多層磁
気構造(MMMS)から構成される。
【0020】研究された金属多層磁気構造はさまざまで
ある。それらは、H.ヤマモトおよびT.シンジョウに
よる文献(1)(IEEE Translation
Journal on Magnetics in J
apan Vol.7,No.9,September
1992,“Magnetoresistanceo
f multilayers”,pp.674−68
4)に記述されているように、コバルト、鉄、ニッケ
ル、鉄とニッケルの合金、銅、クロム、銀、金、モリブ
デン、ルテニウム、およびマンガンの間から選択した金
属によって構成される。
ある。それらは、H.ヤマモトおよびT.シンジョウに
よる文献(1)(IEEE Translation
Journal on Magnetics in J
apan Vol.7,No.9,September
1992,“Magnetoresistanceo
f multilayers”,pp.674−68
4)に記述されているように、コバルト、鉄、ニッケ
ル、鉄とニッケルの合金、銅、クロム、銀、金、モリブ
デン、ルテニウム、およびマンガンの間から選択した金
属によって構成される。
【0021】必要な性質(大きな磁気抵抗効果、低飽和
磁界、低保磁力、良いアニーリング抵抗)を最も多く有
する従来のMMMSが、S.S.P.Parkinによ
る文献(2)(“Oscillations in g
iant magnetoresistance an
d antiferromagnetic coupl
ing in [Ni81Fe19/Cu]N multi
layers”,LLAppl.Phys.Lett.
60,No.4,January 1992,pp 5
12−514)、およびR.ナカタニ他による文献
(3)(IEEETransactions on M
agnetics,Vol.28,No.5,Sept
ember 1992,“Giant magneto
resistance in Ni−Fe/Cu mu
ltilayers formedby ion be
am sputtering”,p.2668−267
0)に記載されているような、銅層によって分離された
FeNi層、またはB.Rodmacq他による文献
(4)(Journal of Magnetisma
nd Magnetic materials 11
8,1993,pp.L11−L16,“Magnet
oresistive propertiesand
thermal stability of Ni−F
e/Ag multilayers”)に記載されてい
るような銀層によって分離されたFeNi層から構成さ
れる。
磁界、低保磁力、良いアニーリング抵抗)を最も多く有
する従来のMMMSが、S.S.P.Parkinによ
る文献(2)(“Oscillations in g
iant magnetoresistance an
d antiferromagnetic coupl
ing in [Ni81Fe19/Cu]N multi
layers”,LLAppl.Phys.Lett.
60,No.4,January 1992,pp 5
12−514)、およびR.ナカタニ他による文献
(3)(IEEETransactions on M
agnetics,Vol.28,No.5,Sept
ember 1992,“Giant magneto
resistance in Ni−Fe/Cu mu
ltilayers formedby ion be
am sputtering”,p.2668−267
0)に記載されているような、銅層によって分離された
FeNi層、またはB.Rodmacq他による文献
(4)(Journal of Magnetisma
nd Magnetic materials 11
8,1993,pp.L11−L16,“Magnet
oresistive propertiesand
thermal stability of Ni−F
e/Ag multilayers”)に記載されてい
るような銀層によって分離されたFeNi層から構成さ
れる。
【0022】それらの新物質は磁気抵抗率が高い、すな
わちΔρ/ρ比が10〜20%で、飽和磁界が低い、す
なわち40KA/m以下という特性を有する。
わちΔρ/ρ比が10〜20%で、飽和磁界が低い、す
なわち40KA/m以下という特性を有する。
【0023】MMMSにおいては、磁気抵抗効果は、外
部磁界を加えている間における各磁気層の磁化の回転、
およびそれに伴う電気抵抗値の減少に対応する。この場
合には、飽和磁界Hsは、種々の磁気層のおのおのにお
ける磁化を、同じ方向及び同じ向きに向けるために加え
る必要がある外部磁界に対応する。
部磁界を加えている間における各磁気層の磁化の回転、
およびそれに伴う電気抵抗値の減少に対応する。この場
合には、飽和磁界Hsは、種々の磁気層のおのおのにお
ける磁化を、同じ方向及び同じ向きに向けるために加え
る必要がある外部磁界に対応する。
【0024】モノリシック磁気抵抗値において用いられ
る強磁性体の場合には、部品を通過する電流密度の方向
と、その物質中の磁化の方向とが成す角度と共に抵抗値
が変化する。その角度がπ/2の時に抵抗値は最低であ
る。したがって、この場合には測定すべき外部磁界をラ
ンダムな方向に、ただし磁気抵抗部品の長さ方向に対し
て垂直に加えることが重要である。逆に、バーすなわち
部品の長さに平行な方向には、モノリシック強磁性体の
内部には磁気抵抗効果は存在しない。
る強磁性体の場合には、部品を通過する電流密度の方向
と、その物質中の磁化の方向とが成す角度と共に抵抗値
が変化する。その角度がπ/2の時に抵抗値は最低であ
る。したがって、この場合には測定すべき外部磁界をラ
ンダムな方向に、ただし磁気抵抗部品の長さ方向に対し
て垂直に加えることが重要である。逆に、バーすなわち
部品の長さに平行な方向には、モノリシック強磁性体の
内部には磁気抵抗効果は存在しない。
【0025】最近のMMMS構造においては、抵抗率し
たがって抵抗値の変化は、磁気抵抗部品の内部に存在す
る磁界の方向と、磁気抵抗部品を流れる電流との間に成
す角度とはほとんど独立している。
たがって抵抗値の変化は、磁気抵抗部品の内部に存在す
る磁界の方向と、磁気抵抗部品を流れる電流との間に成
す角度とはほとんど独立している。
【0026】しかし、MMMSの形と寸法が、磁気の観
点からは全体として異方性であるようなものであるとい
う事実から、その磁界は、減磁磁界Hd と測定すべき外
部磁界Hとの間の差に等しい。減磁磁界の係数は部品の
あらゆる方向において同じではなく、それの感度は、測
定すべき磁界が異方性を持つやいなや、部品の感度は測
定すべき磁界の方向と共に変化する。
点からは全体として異方性であるようなものであるとい
う事実から、その磁界は、減磁磁界Hd と測定すべき外
部磁界Hとの間の差に等しい。減磁磁界の係数は部品の
あらゆる方向において同じではなく、それの感度は、測
定すべき磁界が異方性を持つやいなや、部品の感度は測
定すべき磁界の方向と共に変化する。
【0027】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、磁束
ガイドを有し、磁気抵抗構造が横モードで使用される、
形状(平行四面体)の異方性と結びついた効果に拘束さ
れないようにすることができる高感度のトランスデュー
サを製造することである。
ガイドを有し、磁気抵抗構造が横モードで使用される、
形状(平行四面体)の異方性と結びついた効果に拘束さ
れないようにすることができる高感度のトランスデュー
サを製造することである。
【0028】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ガイド
の第1および第2の部品の縁部に、ヘッドギャップに隣
接して、間隔によって隔てられた第1および第2の舌金
がそれぞれ設けられる。第1の部品の舌金は第2の部品
の舌金の間の間隔の中に延長し、第2の部品の舌金は第
1の部品の舌金の間の間隔の中に延長する。トランスデ
ューサに応用するために、磁気抵抗バーは、測定すべき
外部磁界が磁気抵抗バーの長さの方向と同じ方向の時
に、磁気抵抗効果を持つ。
の第1および第2の部品の縁部に、ヘッドギャップに隣
接して、間隔によって隔てられた第1および第2の舌金
がそれぞれ設けられる。第1の部品の舌金は第2の部品
の舌金の間の間隔の中に延長し、第2の部品の舌金は第
1の部品の舌金の間の間隔の中に延長する。トランスデ
ューサに応用するために、磁気抵抗バーは、測定すべき
外部磁界が磁気抵抗バーの長さの方向と同じ方向の時
に、磁気抵抗効果を持つ。
【0029】加えられる磁界の、磁束ガイドの物質が充
満している部分を最初は通っている磁力線が、ヘッドギ
ャップ付近では舌金の効果として方向を変える。方向を
変える理由は、磁力線を磁気抵抗バーの磁化容易方向に
向けるためである。先に述べたように、その方向は減磁
磁界が特に弱い磁気抵抗バーの長さ方向である。
満している部分を最初は通っている磁力線が、ヘッドギ
ャップ付近では舌金の効果として方向を変える。方向を
変える理由は、磁力線を磁気抵抗バーの磁化容易方向に
向けるためである。先に述べたように、その方向は減磁
磁界が特に弱い磁気抵抗バーの長さ方向である。
【0030】飽和磁界Hsは減磁磁界によって僅かに影
響を受けるだけであるから、「充満している」物質の飽
和磁界にほぼ等しい。
響を受けるだけであるから、「充満している」物質の飽
和磁界にほぼ等しい。
【0031】加えられる磁界の磁力線のずれの効果を高
くするために、舌金の横方向部分の間の寸法が、ガイド
の部分の舌金にそれぞれ向き合う前部と縁部の間の寸法
より小さいことが有利である。
くするために、舌金の横方向部分の間の寸法が、ガイド
の部分の舌金にそれぞれ向き合う前部と縁部の間の寸法
より小さいことが有利である。
【0032】ヘッドギャップに向き合って配置される磁
気抵抗バーは、舌金に少なくとも部分的に重なり合い、
その長さが磁束ガイドの長さに少なくとも等しい点が有
利である。
気抵抗バーは、舌金に少なくとも部分的に重なり合い、
その長さが磁束ガイドの長さに少なくとも等しい点が有
利である。
【0033】実際の磁気抵抗バーは、透磁性であるため
に磁力線を吸引する範囲で磁力線のずれ内に含まれる。
に磁力線を吸引する範囲で磁力線のずれ内に含まれる。
【0034】舌金の形と寸法、およびヘッドギャップの
寸法に働きかけることによって、磁力線のずれを、選択
した磁気抵抗バーの形と、性質と、配置との少なくとも
1つに完全に適合させることが可能である。実際は、磁
気抵抗バーの変化する透磁率およびそれをガイドから隔
てる距離(表面に垂直な方向で)の関数として、磁力線
は磁気抵抗バーによって多少とも容易に吸引される。
寸法に働きかけることによって、磁力線のずれを、選択
した磁気抵抗バーの形と、性質と、配置との少なくとも
1つに完全に適合させることが可能である。実際は、磁
気抵抗バーの変化する透磁率およびそれをガイドから隔
てる距離(表面に垂直な方向で)の関数として、磁力線
は磁気抵抗バーによって多少とも容易に吸引される。
【0035】磁気抵抗バーがそれの長さ方向に磁力線を
適切に吸引しない時は、磁力線を一層大きく曲げるガイ
ドを得るように舌金の形を調整する。
適切に吸引しない時は、磁力線を一層大きく曲げるガイ
ドを得るように舌金の形を調整する。
【0036】舌金の形は何種類かを適当なものとするこ
とができる。磁気抵抗の表面に平行な平面内出の形が長
方形または台形などの比較的簡単な形がとくに適切であ
る。また、ガイドの縁部のうち舌金に向き合う縁部はそ
れの2つの舌金の間で湾曲している。
とができる。磁気抵抗の表面に平行な平面内出の形が長
方形または台形などの比較的簡単な形がとくに適切であ
る。また、ガイドの縁部のうち舌金に向き合う縁部はそ
れの2つの舌金の間で湾曲している。
【0037】舌金の前部をガイドの部分の、舌金にそれ
ぞれ向き合っている縁部から隔てる距離φは、たとえ
ば、舌金に平行な方向に最大値だけ連続的に変化でき
る。
ぞれ向き合っている縁部から隔てる距離φは、たとえ
ば、舌金に平行な方向に最大値だけ連続的に変化でき
る。
【0038】本発明の別の態様によれば、磁気抵抗バー
または磁束ガイド、あるいは両方とも薄膜状である。磁
気抵抗バーは金属多層磁気構造とすると有利である。
または磁束ガイド、あるいは両方とも薄膜状である。磁
気抵抗バーは金属多層磁気構造とすると有利である。
【0039】したがって、磁気抵抗バーは、非磁性体層
によって分離されている磁性体層のスタックから製造さ
れる。磁性体は前記した材料から選択できる。鉄、ニッ
ケルおよびコバルトの合金(FeNiCo),または鉄
とニッケルの合金(FeNi)を使用することが好まし
い。非磁性体としては銅または銀が有利である。磁気抵
抗バーは、たとえば、2つの層を20組まとめたスタッ
クで、全体の厚さが約0.05μmである。
によって分離されている磁性体層のスタックから製造さ
れる。磁性体は前記した材料から選択できる。鉄、ニッ
ケルおよびコバルトの合金(FeNiCo),または鉄
とニッケルの合金(FeNi)を使用することが好まし
い。非磁性体としては銅または銀が有利である。磁気抵
抗バーは、たとえば、2つの層を20組まとめたスタッ
クで、全体の厚さが約0.05μmである。
【0040】磁束ガイドは軟磁性体、たとえば、鉄とニ
ッケルを基にした合金、または鉄、アルミニウムおよび
シリコンを基にした合金のうちから選択した材料で製造
する。
ッケルを基にした合金、または鉄、アルミニウムおよび
シリコンを基にした合金のうちから選択した材料で製造
する。
【0041】とくに興味のあるやり方で、磁束ガイドは
金属多層構造も有する。こうすると、それらの構造のあ
るものに対して、弱い磁界中で強い透磁性と、小さい磁
気履歴と、低い磁気異方性とが与えられることになる。
金属多層構造も有する。こうすると、それらの構造のあ
るものに対して、弱い磁界中で強い透磁性と、小さい磁
気履歴と、低い磁気異方性とが与えられることになる。
【0042】磁束ガイドおよび磁気抵抗バーは非導電性
および非磁性の基体上で製造される。非磁性基体という
用語を、絶縁基体または半導体基体を意味するものと理
解されたい。
および非磁性の基体上で製造される。非磁性基体という
用語を、絶縁基体または半導体基体を意味するものと理
解されたい。
【0043】一般的に使用されている基体のうちで、ア
モルファスガラス、およびシリコンまたは、Kapto
nと言う商品名で販売されているポリイミドなどの有機
物質について述べることができる。
モルファスガラス、およびシリコンまたは、Kapto
nと言う商品名で販売されているポリイミドなどの有機
物質について述べることができる。
【0044】更に、磁束ガイドをリードから、およびま
た磁束ガイドからも分離するために、磁気的および電気
的な絶縁材料、たとえば、シリカまたは窒化シリコンの
層を予め設ける。
た磁束ガイドからも分離するために、磁気的および電気
的な絶縁材料、たとえば、シリカまたは窒化シリコンの
層を予め設ける。
【0045】多層構造の結晶の質を向上させるために、
したがって、求めている磁気抵抗効果を改善するため
に、薄い鉄または銅の付着膜を、たとえば、基体に予め
付着できる。
したがって、求めている磁気抵抗効果を改善するため
に、薄い鉄または銅の付着膜を、たとえば、基体に予め
付着できる。
【0046】別の実施例によれば、ソフトな材料または
多層構造を付着し、それから希望の形にエッチングし、
次に磁気的および電気的な絶縁層を付着し、希望によっ
ては薄い金属取付け層を付着することによってまず磁束
ガイドを形成し、それから磁気抵抗物質を付着すること
によって磁気抵抗バーを形成し、それをエッチングして
リードを形成することが可能である。
多層構造を付着し、それから希望の形にエッチングし、
次に磁気的および電気的な絶縁層を付着し、希望によっ
ては薄い金属取付け層を付着することによってまず磁束
ガイドを形成し、それから磁気抵抗物質を付着すること
によって磁気抵抗バーを形成し、それをエッチングして
リードを形成することが可能である。
【0047】第2の変形例においては、磁気抵抗バーを
基体上に形成し、それから電気的および磁気的な絶縁層
を付着し、最後に磁束ガイドを形成する。
基体上に形成し、それから電気的および磁気的な絶縁層
を付着し、最後に磁束ガイドを形成する。
【0048】一般的には、層はカソード・スパッタリン
グ、真空蒸着、または分子ビーム・エピタキシによって
付着できる。エッチング操作は、イオン性切削または化
学エッチングによって実施される。
グ、真空蒸着、または分子ビーム・エピタキシによって
付着できる。エッチング操作は、イオン性切削または化
学エッチングによって実施される。
【0049】
【実施例】以下、図面を参照して本発明を非限定的な実
施例について詳しく説明する。
施例について詳しく説明する。
【0050】図2から分かるように、本発明のトランス
デューサは、ヘッドギャップ4によって長手方向に分離
された第1および第2の部分2、3を有する磁束ガイド
1と、前記ヘッドギャップ4に向き合う磁気抵抗バー5
とを備える。
デューサは、ヘッドギャップ4によって長手方向に分離
された第1および第2の部分2、3を有する磁束ガイド
1と、前記ヘッドギャップ4に向き合う磁気抵抗バー5
とを備える。
【0051】磁束ガイドの第1および第2の部分2、3
の物質が充満している部分2a、3aの、ヘッドギャッ
プ4に隣接する縁部7、8に、間隔6a、6bによって
隔てられている舌金9、10がそれぞれ設けられる。第
1の部分2の舌金9が第2の部分3の舌金10の間隔6
bの間に延長し、第2の部分3の舌金10が第1の部分
2の舌金9の間隔6aの間に延長する。磁気抵抗バー5
の端部11、12がリード13、14によって電源点1
5、16に接続される。
の物質が充満している部分2a、3aの、ヘッドギャッ
プ4に隣接する縁部7、8に、間隔6a、6bによって
隔てられている舌金9、10がそれぞれ設けられる。第
1の部分2の舌金9が第2の部分3の舌金10の間隔6
bの間に延長し、第2の部分3の舌金10が第1の部分
2の舌金9の間隔6aの間に延長する。磁気抵抗バー5
の端部11、12がリード13、14によって電源点1
5、16に接続される。
【0052】磁力線を磁気抵抗バー5に集中させるため
に、磁束ガイド1の形によって、検出すべき磁界の磁力
線を最適にずらせることができる。
に、磁束ガイド1の形によって、検出すべき磁界の磁力
線を最適にずらせることができる。
【0053】図3に示すように、磁力線Fが舌金10か
らそれに向き合う舌金9まで通る。それらの磁力線Fを
大きくずらせるためには、ヘッド・ギャップ4の、2つ
の連続する舌金のそれぞれの横側9aと10aの間にあ
る領域rの寸法を、舌金の前部9c、10cと、磁束ガ
イド1のそれらの前部9c、10cに向き合う縁部7
a、8aとの間の領域Rにおける寸法より小さくするこ
とが望ましい。更に、磁束ガイド1の部分2、3の縁部
7、8は湾曲している。その湾曲は一定の半径を持つこ
とができ、または、舌金9と10に平行な方向に最小値
で連続的に変化する半径を持つことができる。
らそれに向き合う舌金9まで通る。それらの磁力線Fを
大きくずらせるためには、ヘッド・ギャップ4の、2つ
の連続する舌金のそれぞれの横側9aと10aの間にあ
る領域rの寸法を、舌金の前部9c、10cと、磁束ガ
イド1のそれらの前部9c、10cに向き合う縁部7
a、8aとの間の領域Rにおける寸法より小さくするこ
とが望ましい。更に、磁束ガイド1の部分2、3の縁部
7、8は湾曲している。その湾曲は一定の半径を持つこ
とができ、または、舌金9と10に平行な方向に最小値
で連続的に変化する半径を持つことができる。
【0054】図3の磁束ガイド1は、磁気抵抗バー(こ
こには示していない)の表面に平行名紙面内で長方形の
自由端部に舌金を有する。磁束ガイドは下記のパラメー
タによっても定めることができる。
こには示していない)の表面に平行名紙面内で長方形の
自由端部に舌金を有する。磁束ガイドは下記のパラメー
タによっても定めることができる。
【0055】a:向き合う舌金の横側の高さ、 b:舌金9、10の自由端部における舌金の幅、 t:舌金の自由前端部9c、10cを磁束ガイドのそれ
ぞれ向き合う部分2、3の縁部7a、8aから分離する
距離、 w:連続する2つの舌金9、10の横側9a、10aを
分離する距離、 Φ:舌金の自由前端部9c、10cを、舌金に面する磁
束ガイドの部分の縁部7a、8aから分離する距離、Φ
は0とπ/2の間で変化する角度θの関数である。
ぞれ向き合う部分2、3の縁部7a、8aから分離する
距離、 w:連続する2つの舌金9、10の横側9a、10aを
分離する距離、 Φ:舌金の自由前端部9c、10cを、舌金に面する磁
束ガイドの部分の縁部7a、8aから分離する距離、Φ
は0とπ/2の間で変化する角度θの関数である。
【0056】t≧Φであり、Φはθの立上がり関数であ
り、Φ(0)=wかつΦ(π/2)=tである。
り、Φ(0)=wかつΦ(π/2)=tである。
【0057】図4に拡大して示すように、磁気抵抗バー
5はヘッドギャップ4に向き合って配置され、舌金9、
10の端部に少なくとも部分的に重畳される。舌金9、
10をカバーしている領域5aにおいては、磁気抵抗バ
ー5は測定すべき磁界によって分極されない。しかし、
図示のように、舌金9、10をカバーしていない領域5
bにおいては磁力線Fはそれの長さに平行に磁気抵抗バ
ーに入る。そうするとそれの感度が非常に高くなる。図
4の例においては、磁気抵抗バーは磁束ガイドの上に置
かれるが、磁束ガイドの下に配置することもできる。
5はヘッドギャップ4に向き合って配置され、舌金9、
10の端部に少なくとも部分的に重畳される。舌金9、
10をカバーしている領域5aにおいては、磁気抵抗バ
ー5は測定すべき磁界によって分極されない。しかし、
図示のように、舌金9、10をカバーしていない領域5
bにおいては磁力線Fはそれの長さに平行に磁気抵抗バ
ーに入る。そうするとそれの感度が非常に高くなる。図
4の例においては、磁気抵抗バーは磁束ガイドの上に置
かれるが、磁束ガイドの下に配置することもできる。
【0058】磁気抵抗5の幅lは「a」に等しいか、そ
れより小さく、方向xに測定される長さLが磁束ガイド
の長さに少なくとも等しい。
れより小さく、方向xに測定される長さLが磁束ガイド
の長さに少なくとも等しい。
【0059】図3の磁力線Fを図4の磁力線と比較する
と、磁気抵抗バー5が磁気抵抗バーの長さ方向の磁力線
のずれに大きく寄与する。
と、磁気抵抗バー5が磁気抵抗バーの長さ方向の磁力線
のずれに大きく寄与する。
【0060】磁気的および電気的に絶縁する物質の層が
磁束ガイドを磁気抵抗バー5から分離する場合、および
その層が厚いか、または磁気抵抗バー5の透磁率が低い
か、その層が厚くて、かつ磁気抵抗バー5の透磁率が低
い場合には、磁力線Fは磁気抵抗バーによってあまり良
く検出されず、したがって磁力線のずれは小さい。
磁束ガイドを磁気抵抗バー5から分離する場合、および
その層が厚いか、または磁気抵抗バー5の透磁率が低い
か、その層が厚くて、かつ磁気抵抗バー5の透磁率が低
い場合には、磁力線Fは磁気抵抗バーによってあまり良
く検出されず、したがって磁力線のずれは小さい。
【0061】この問題を避けるために、磁束ガイドの別
の形、たとえば、図5に示されている形に類似する形
が、磁力線を大きくずらせることが可能である。図5に
おいて、舌金9、10の、磁束ガイドの表面および磁気
抵抗バーの表面に平行である紙面内の形は台形であっ
て、それらの台形の短い底によって磁束ガイド1の物質
が充満している部分2a、3aに連結される。
の形、たとえば、図5に示されている形に類似する形
が、磁力線を大きくずらせることが可能である。図5に
おいて、舌金9、10の、磁束ガイドの表面および磁気
抵抗バーの表面に平行である紙面内の形は台形であっ
て、それらの台形の短い底によって磁束ガイド1の物質
が充満している部分2a、3aに連結される。
【0062】パラメータbは舌金の台形の強さが半分で
ある(half−intensity)幅を示し、vは
舌金の、前端部9c、10cの、台形の長い底によって
構成された幅、wは連続する2つの舌金の横側9a、1
0aの間の距離である。磁束ガイド1の部分2、3の縁
部7、8は、間隔6a、6bに沿って、半径がP=w+
v/2で、舌金9、10の前部分9c、10cの中点を
中心とする円弧を成す。
ある(half−intensity)幅を示し、vは
舌金の、前端部9c、10cの、台形の長い底によって
構成された幅、wは連続する2つの舌金の横側9a、1
0aの間の距離である。磁束ガイド1の部分2、3の縁
部7、8は、間隔6a、6bに沿って、半径がP=w+
v/2で、舌金9、10の前部分9c、10cの中点を
中心とする円弧を成す。
【0063】図から分かるように、磁気抵抗バーが存在
しない場合でも、磁力線Fがxに平行なある距離に達す
るまで、磁力線Fはずらされる。
しない場合でも、磁力線Fがxに平行なある距離に達す
るまで、磁力線Fはずらされる。
【0064】舌金9、10の横側9a、10aとxへの
垂直線との間の角度であると定義されるパラメータαに
作用することによって、磁力線Fのずれが調整される。
垂直線との間の角度であると定義されるパラメータαに
作用することによって、磁力線Fのずれが調整される。
【0065】図6はトランスデューサの特殊な実施例
と、使用する異なる材料の層を示す。図6においては、
理解を容易にするために層の厚さを誇張している。
と、使用する異なる材料の層を示す。図6においては、
理解を容易にするために層の厚さを誇張している。
【0066】厚さがおよそ数十ナノメートルで、鉄また
は銅から形成された薄い金属層18が、ある場合には、
たとえば、Kapton、シリカまたはガラスの基体1
7をカバーできる。
は銅から形成された薄い金属層18が、ある場合には、
たとえば、Kapton、シリカまたはガラスの基体1
7をカバーできる。
【0067】磁気抵抗バーは、鉄とニッケルの合金、ま
たは鉄、ニッケル、コバルトの合金で形成され、非磁性
の銅または銀の層によって分離された一連の磁性層19
の薄い金属層18で形成される。磁気的および電気的な
絶縁層25(シリカ)が磁気抵抗バー5を磁束ガイド1
から分離する。
たは鉄、ニッケル、コバルトの合金で形成され、非磁性
の銅または銀の層によって分離された一連の磁性層19
の薄い金属層18で形成される。磁気的および電気的な
絶縁層25(シリカ)が磁気抵抗バー5を磁束ガイド1
から分離する。
【0068】磁束ガイドとして選択される材料は軟磁性
材料、たとえば、鉄とニッケルをベースとした合金、ま
たは金属多層磁気構造である。
材料、たとえば、鉄とニッケルをベースとした合金、ま
たは金属多層磁気構造である。
【0069】リード13が磁気抵抗バーの横側と上に接
続されるが、リードを磁気抵抗バーの上にだけ接続する
ことも可能である。
続されるが、リードを磁気抵抗バーの上にだけ接続する
ことも可能である。
【0070】このトランスデューサを製造するための種
々の操作を図7Aから図7Fまで集めることができる。
々の操作を図7Aから図7Fまで集めることができる。
【0071】まず(図7A)、基体7の上に金属層18
をカソード・スパッタリングによって付着し、それから
磁性層と非磁性層が交互になった多層磁気抵抗構造を付
着することが可能である。磁気抵抗バー5を製造するた
めに、適当なマスクと、既知のフォトリソグラフィ法に
よって、多層構造のイオン・機械加工によりエッチング
を行う。
をカソード・スパッタリングによって付着し、それから
磁性層と非磁性層が交互になった多層磁気抵抗構造を付
着することが可能である。磁気抵抗バー5を製造するた
めに、適当なマスクと、既知のフォトリソグラフィ法に
よって、多層構造のイオン・機械加工によりエッチング
を行う。
【0072】図7Bに示されているやり方で、組立体を
第1のシリカ絶縁層25で覆う。絶縁層25の磁気抵抗
バー5の端部(図7C)に開口部26、27を設け、磁
気抵抗バー25の端部に接点を形成するために、たとえ
ば、タングステンの導電層28を付着する(図7D)。
リード13、14を形成するために、導電層28をエッ
チングする。
第1のシリカ絶縁層25で覆う。絶縁層25の磁気抵抗
バー5の端部(図7C)に開口部26、27を設け、磁
気抵抗バー25の端部に接点を形成するために、たとえ
ば、タングステンの導電層28を付着する(図7D)。
リード13、14を形成するために、導電層28をエッ
チングする。
【0073】別の磁性層30を付着する前に、組立体に
第2の絶縁層29を付着する。この軟磁性層をエッチン
グして磁束ガイド1を形成する(図7E)。
第2の絶縁層29を付着する。この軟磁性層をエッチン
グして磁束ガイド1を形成する(図7E)。
【0074】明確にするために、図7Eに示されている
磁束ガイドの舌金の数は減少してある。たとえば、磁束
ガイドは0.5μmの値を持つことができる。
磁束ガイドの舌金の数は減少してある。たとえば、磁束
ガイドは0.5μmの値を持つことができる。
【0075】図示していないが電源点もリードに形成で
きる。
きる。
【0076】図示していない変更例によれば、磁気抵抗
バーより前に磁束ガイドを形成し、電気的および磁気的
な絶縁層は磁束ガイドを磁気抵抗バーから分離もする。
バーより前に磁束ガイドを形成し、電気的および磁気的
な絶縁層は磁束ガイドを磁気抵抗バーから分離もする。
【0077】本発明に磁気抵抗部品は、具体的には垂直
読取りおよび水平読取りを意図するものである。読取り
機能と記録機能を行うように、この磁気抵抗部品を電気
的記録巻線に組み合わせることができる。
読取りおよび水平読取りを意図するものである。読取り
機能と記録機能を行うように、この磁気抵抗部品を電気
的記録巻線に組み合わせることができる。
【図1】断面が楕円である磁気抵抗バーを示す線図で、
減磁磁界を示す。
減磁磁界を示す。
【図2】本発明の磁気抵抗トランスデューサの線図的平
面図である。
面図である。
【図3】磁束ガイドの第1の変更例の拡大平面図であ
る。
る。
【図4】磁力線のずれを強調して示す、磁気抵抗バーに
組み合わせた図3の磁束ガイドの平面図である。
組み合わせた図3の磁束ガイドの平面図である。
【図5】磁束ガイドの第2の変更例の平面図である。
【図6】本発明の部品の拡大部分断面図である。
【図7A】本発明の部品を製造する例の連続する段階を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図7B】本発明の部品を製造する例の連続する段階を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図7C】本発明の部品を製造する例の連続する段階を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図7D】本発明の部品を製造する例の連続する段階を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
【図7E】本発明の部品を製造する例の連続する段階を
示す縦断面図である。
示す縦断面図である。
1 磁束ガイド 2 第1の部分 3 第2の部分 4 ヘッドギャップ 5 磁気抵抗バー 9 舌金 10 舌金 15 電源点 16 電源点
Claims (15)
- 【請求項1】 ヘッドギャップ(4)によって縦方向に
分離された第1および第2の部分(2、3)を有する磁
束ガイド(1)と、ヘッドギャップ(4)に向き合い、
そのヘッドギャップに沿って置かれる磁気抵抗バー
(5)とを組み込んだ磁気抵抗磁界トランスデューサに
おいて、ガイドの第1および第2の部分02、3)のヘ
ッドギャップ(4)に隣接するそれぞれの縁部(7、
8)に、間隔を置いて隔てられる第1および第2の一連
の舌金(9、10)がそれぞれ設けられ、第1の部分
(2)の舌金(9)が第2の部分(3)の間隔の中に延
長し、第2の部分(3)の舌金(10)が第1の部分
(2)の間隔の中に延長し、磁気抵抗バー(5)は、測
定すべき外部磁界の向きがバーの長さと同じ向きである
時に磁気抵抗作用を持つことを特徴とする磁気抵抗トラ
ンスデューサ。 - 【請求項2】 磁気抵抗バー(5)が第1および第2の
舌金列の舌金(9、10)の上に少なくとも部分的に重
畳させられることを特徴とする、請求項1に記載の磁気
抵抗トランスデューサ。 - 【請求項3】 舌金(9、10)が横側(9a、10
a)と前部(9c、10c)を有し、ヘッドギャップ
の、第1および第2の舌金列の2つの連続する舌金のそ
れぞれの横側(9a、10a)の間の領域rにおける寸
法が、舌金の前部(9c、10c)とそれにそれぞれ向
き合うガイドのその部分の縁部(7a、8a)との間の
領域Rにおける寸法より小さいことを特徴とする、請求
項1に記載の磁気抵抗トランスデューサ。 - 【請求項4】 バー(5)の表面に平行な平面内では舌
金(9、10)は台形であって、その舌金の短い底によ
ってガイド(2a、3a)の中実部分に連結されること
を特徴とする、請求項1に記載の磁気抵抗トランスデュ
ーサ。 - 【請求項5】 バー(5)の表面に平行な平面内で舌金
(9、10)は自由長方形端部を有することを特徴とす
る、請求項1に記載の磁気抵抗トランスデューサ。 - 【請求項6】 ガイドの縁部(7、8)が、舌金(9、
10)の間の間隔(6a、6b)に沿って湾曲すること
を特徴とする、請求項1に記載の磁気抵抗トランスデュ
ーサ。 - 【請求項7】 舌金(9、10)の前部(9c、10
c)を、舌金(9、10)にそれぞれ向き合うガイドの
その部分の縁部(7a、8a)から隔てる距離φが、舌
金(9、10)に平行な方向における最大値から連続的
に変化することを特徴とする、請求項3に記載の磁気抵
抗トランスデューサ。 - 【請求項8】 バー、または磁束ガイド、あるいは両方
が薄膜の態様で製造されることを特徴とする、請求項1
に記載の磁気抵抗トランスデューサ。 - 【請求項9】 磁気抵抗バーが、非磁性物質層(20)
によって分離されている磁性物質層(19)のスタック
から製作されることを特徴とする、請求項8に記載の磁
気抵抗トランスデューサ。 - 【請求項10】 磁性物質は鉄とニッケルの合金、また
は鉄、ニッケル、コバルトの合金であることを特徴とす
る、請求項8に記載の磁気抵抗トランスデューサ。 - 【請求項11】 非磁性物質が銅と銀のうちから選択さ
れることを特徴とする、請求項9に記載の磁気抵抗トラ
ンスデューサ。 - 【請求項12】 磁束ガイドが金属多層磁気構造から製
作されることを特徴とする、請求項1に記載の磁気抵抗
トランスデューサ。 - 【請求項13】 磁束ガイドを磁気抵抗バーから絶縁す
るために電気絶縁層および磁気絶縁層が設けられること
を特徴とする、請求項8に記載の磁気抵抗トランスデュ
ーサ。 - 【請求項14】 ヘッドギャップ(4)によって長手方
向に分離された第1および第2の部分(2、3)を有
し、ガイドの第1および第2の部分(2、3)のヘッド
ギャップ(4)に隣接するそれぞれの縁部(7、8)
に、間隔をおいて隔てられている第1および第2の舌金
(9、10)の列がそれぞれ設けられ、第1の部分
(2)の舌金(9)が第2の部分(3)の間隔の中に延
長し、第2の部分(3)の舌金(10)が第1の部分
(2)の間隔の中に延長することを特徴とする磁束ガイ
ド。 - 【請求項15】 舌金(9、10)が横側(9a、10
a)と前部(9c、10c)を有し、ヘッドギャップ
の、第1および第2の舌金列の2つの連続する舌金のそ
れぞれの横側(9a、10a)の間の領域rにおける寸
法が、舌金の前部(9c、10c)とそれにそれぞれ向
き合うガイドのその部分の縁部(7a、8a)との間の
領域Rにおける寸法より小さいことを特徴とする、請求
項14に記載の磁束ガイド。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9310459A FR2709549B1 (fr) | 1993-09-02 | 1993-09-02 | Guide de flux magnétique à languettes et capteur magnétorésistif comportant ce guide . |
FR9310459 | 1993-09-02 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0785429A true JPH0785429A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=9450502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6210072A Pending JPH0785429A (ja) | 1993-09-02 | 1994-09-02 | 舌金を有する磁束ガイド及びこの磁束ガイドを組み込んだ磁気抵抗トランスデューサ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5523687A (ja) |
EP (1) | EP0642030B1 (ja) |
JP (1) | JPH0785429A (ja) |
DE (1) | DE69426252T2 (ja) |
FR (1) | FR2709549B1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2694806B2 (ja) * | 1994-08-29 | 1997-12-24 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗効果素子およびその製造方法 |
JPH0971322A (ja) * | 1995-07-03 | 1997-03-18 | Advantest Corp | Ic搬送装置 |
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IT1403421B1 (it) * | 2010-12-23 | 2013-10-17 | St Microelectronics Srl | Sensore magnetoresistivo integrato, in particolare sensore magnetoresistivo triassiale e suo procedimento di fabbricazione |
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CN104880682B (zh) * | 2015-06-09 | 2018-01-26 | 江苏多维科技有限公司 | 一种交叉指状y轴磁电阻传感器 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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