JPH0784894A - 不揮発性メモリの書き込み方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 不揮発性メモリの書換中に電源機能がダウン
するようなことがあっても，デ−タ類の書込不良を起こ
す恐れがないようにする。 【構成】 不揮発性メモリに運用メモリ領域５とバック
アップ用メモリ領域４とを設け，運用メモリ領域５とバ
ックアップ用メモリ領域４とを時間的に連続して書き込
むようにした。上述した先行して書き込むメモリ領域に
は，デ−タ書き込み後にフラグ４ｅをセットし，後続し
て書き込むメモリ領域にデ−タ書き込み完了後に前記フ
ラグ４ｅをリセットするようにするのが望ましく，ま
た，バックアップ用メモリ領域４に，少なくとも，書き
込みデ−タ４ａと，書き込みデ−タの標識４ｂと，チェ
ックデ−タ４ｄとを書き込むようにするのが望ましい。
さらに，バックアップ用メモリ領域４に運用メモリ領域
５よりも先行してデ−タを書き込むようにするのが望ま
しい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明はコンピュ−タによるデ
−タ処理装置等に設けられた不揮発性メモリの書き込み
方法に係り，特に，不揮発性メモリの書き込み時に停電
が発生した場合等にも誤ったデ−タがメモリに書き込ま
れる恐れのない安全な不揮発性メモリの書き込み方法に
関する。

【０００２】

【従来の技術】各種のコンピュ−タを活用した機械類の
制御装置やデ−タ処理装置等には，その機械を運転する
制御定数をテンキ−等のデ−タ設定器から入力してこの
コンピュ−タに付属する不揮発性メモリに書き込む場合
がある。また，このようなシステムにおいては運転中の
デ−タを停電時の退避用等必要な時期に自動的に不揮発
性メモリに書き込む手段を備えている場合がある。この
ような不揮発性メモリに所定のデ−タ類を書き込み，ま
た，修正を行うには例えば図３に示すような構成によっ
て実行される。図３において，１１は，例えば，ＥＥＰ
ＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｅｒａｓａｂｌｅ ｐｒ
ｏｇｒａｍａｂｌｅ ｒｅａｄ ｏｎｌｙｍｅｍｏｒ
ｙ）等の不揮発性の記憶素子によって構成される不揮発
性メモリである。コンピュ−タ本体のデ−タ処理機能１
２で作成され，または，テンキ−等の設定器やセンサ−
類等の入力機器１２ａから入力され，書き込むためのデ
−タ類をコンピュ−タ本体に設けたレジスタ等のバッフ
ァ−記憶部１３を介してメモリ１１の指定番地に書き込
む。上述のように不揮発性メモリに書き込まれたデ−タ
類はこのコンピュ−タを使用したシステムの稼働用デ−
タ等に使用される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで，上述したよ
うな不揮発性メモリの書き込み方法によると，デ−タの
書き込み動作中に停電等によって電源機能がダウンする
と，書き込み中のデ−タが破壊され，正しいデ−タがこ
のシステムから失われる恐れがある。即ち，例えば，設
定器によって新しいデ−タを設定するような場合は，設
定に時間がかかるために，このシステムに停電保護機能
を設けていても時間的に処理不能のために不揮発性メモ
リ１１に誤ったデ−タが記憶される等の問題があって，
誤ったデ−タが記録されると，停電復帰後のシステム稼
働に混乱を来すことになる。本発明は上記従来の問題点
を除いて，不揮発性メモリに書き込み中に電源機能がダ
ウンするようなことがあっても，デ−タ類の書き込み不
良を起こす恐れの少ない不揮発性メモリの書き込み方法
を提供することを目的（課題）としている。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，本発明に基づく不揮発性メモリの書き込み方法にお
いては，不揮発性メモリに運用メモリ領域とバックアッ
プ用メモリ領域とを設け，運用メモリ領域とバックアッ
プ用メモリ領域とを時間的に連続して書き込むようにし
た。上述した運用メモリ領域とバックアップ用メモリ領
域に対するデ−タ書き込み時には，先行して書き込むメ
モリ領域には，所定のデ−タ書き込み後にフラグをセッ
トし，後続して書き込むメモリ領域に所定のデ−タ書き
込み完了後に前記フラグをリセットするようにするのが
望ましく，また，バックアップ用メモリ領域に，少なく
とも，書き込みデ−タと，書き込みデ−タの標識と，チ
ェックデ−タとを書き込むようにするのが望ましい。さ
らに，バックアップ用メモリ領域に運用メモリ領域より
も先行してデ−タを書き込むようにするのが望ましい。

【０００５】

【作用】本発明は，上述のように，バックアップ用メモ
リ領域を設けたので，運用メモリ領域への書き込みに失
敗してもバックアップ用メモリ領域に記録したデ−タを
読出して正規の番地に書き込むことができる。先行して
書き込むメモリ領域に，少なくとも，書き込みデ−タ
と，フラグとを書き込み，後続して書き込むメモリ領域
に対する書き込みが完了した後フラグをリセットする
と，フラグを見てデ−タの書き込み完了状況が容易に判
定できる。さらに，バックアップ用メモリ領域に，書き
込みデ−タの他に，書き込みデ−タの標識を書き込むよ
うにすると，書き込みデ−タの種類数が多い場合にも，
書き込まれた標識の内容によって，このバックアップ用
メモリに記録されているデ−タがどの種類のものか，ま
たは，どの番地に書き込むべきデ−タなのかが容易に判
定できる。また，チェックデ−タを書き込み記録する
と，バックアップ用メモリに記録されたデ−タに誤りが
ないことが容易に判定できる。さらに，バックアップ用
メモリ領域に運用メモリ領域よりも先行してデ−タを書
き込むようにすると，バックアップ用メモリ領域の書き
込みに失敗しても，運用メモリの内容を保全できる確率
は高い。

【０００６】

【実施例】本発明に基づく，コンピュ−タ等のデ−タ処
理装置や制御装置に適用する不揮発性メモリの書き込み
方法を図１，図２を参照して詳細に説明する。図１
（Ａ）には，本発明を実現する主要機能要素の概要構成
例を示していて，コンピュ−タとしての構成やメモリの
制御線等の図示は省略している。図１（Ｂ）には，本発
明を適用するバックアップ用不揮発性メモリに記録する
デ−タ類の種類例を記している。図１（Ａ）において，
１は，例えば，ＥＥＰＲＯＭ（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｅ
ｒａｓａｂｌｅ ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ ｒｅａｄ
ｏｎｌｙｍｅｍｏｒｙ）等の不揮発性の記憶素子によっ
て構成した不揮発性メモリ（以下メモリと記す）であ
る。コンピュ−タ本体のデ−タ処理機能２で作成され，
または，テンキ−等の設定器やセンサ−類等の入力機器
２ａから入力され，書き込むためのデ−タ類（以下デ−
タと記す）をコンピュ−タ本体に設けたレジスタ等のバ
ッファ−記憶部３を介してメモリ１の指定番地に書き込
む。即ち，メモリ１は，本発明を適用するバックアップ
用メモリ領域４と，このシステムの稼働に使用される従
来の装置に設けられていた，この不揮発性メモリを装備
する上位システムの稼働時に直接運用される運用メモリ
領域（以下メモリ領域と略称する）５によって構成され
ている。デ−タ処理機能２はまた，後述するこの発明を
実現するためのデ−タ書き込み作業の指令機能も有して
いる。

【０００７】バックアップ用メモリ領域４に記憶するデ
−タの種類例を図１（Ｂ）に示す。メモリ領域４には各
デ−タを記憶する夫々のデ−タ記憶領域を備えている。
図１（Ｂ）において，４ａはメモリ領域５に転送し記憶
すべきデ−タ，４ｂはデ−タ４ａの標識，例えば，メモ
リ領域５に転送する時に必要なこのデ−タ４ａを記憶す
べきメモリ領域５内の番地（以下番地として説明す
る），４ｃはデ−タ４ａを構成するバイト数，４ｄは上
述したデ−タの４ａないし４ｃの内容に誤りがないかど
うかをチェックするパリティ−チェック等用に作成し記
憶するチェックデ−タである。４ｅは上述したデ−タ４
ａないし４ｄを記憶した後で立てるフラグである。

【０００８】次に，上述した構成の使用方法を図２に示
す概要フロ−を参照して詳細に説明する。図２に示す概
要フロ−には，バックアップ用メモリ領域に，メモリ領
域よりも先行して書き込む例について記している。この
不揮発性メモリを装備したシステムが作動中にデ−タ書
き込み動作が発生すると，デ−タ処理機能２に予め設定
された指令に従って，書き込むべきデ−タ４ａ，このデ
−タ４ａの標識になるデ−タ４ａのメモリ領域５に書き
込むべき番地４ｂ，デ−タ４ａのバイト数４ｃを夫々バ
ックアップ用メモリ領域４の所定番地に書き込む（ステ
ップＡ１）。次に，ステップＡ１で書き込み記憶したデ
−タに対し，予め設定されている条件に従って作成した
チェックデ−タ４ｄをバックアップ用メモリ領域４の所
定番地に書き込む（ステップＡ２）。上述の書き込みが
完了するとフラグ４ｅを立てる（ステップＡ３）。次
に，このシステムを稼働するときに使用するメモリ領域
５の所定番地にデ−タ４ａと同一のデ−タを書き込み
（ステップＡ４），正常に記憶されたかどうかを予め設
定されている条件に従ってチェックし，正常ならばステ
ップＡ３で立てたフラグ４ｅをリセットする（ステップ
Ａ５）。上述の書き込み動作が完了すると，次のデ−タ
書き込み要求が発生するまで，このシステムは通常運転
の動作を実行する。即ち，この不揮発性メモリに記録さ
れたデ−タが必要になった場合は，デ−タ処理機能２に
よってメモリ領域５から所定のデ−タがワ−クメモリ
（図示せず）に読み出されて使用される。上述したデ−
タ書き込み動作は，実行に時間が必要で，他に実行事項
がある場合等には，その実行の空時間に分割して実行す
る。

【０００９】上述した書き込み動作中等，システムが運
転中に電源がダウンした後再復帰すると（ステップＢ
１）デ−タ処理機能２の指令に従って，まず，バックア
ップ用メモリ領域４に記憶されたチェックデ−タ４ｄに
よって記憶デ−タ４ａないし４ｃに対するチェックをす
る（ステップＢ２）。チェック結果が異常であれば，予
めこのシステムに設定された処理機能に従った処理を実
行する。例えば，このデ−タ４ａが書き込まれるべきメ
モリ領域５のデ−タをそのまま使用する。または，警報
を出してオペレ−タによる正しいデ−タの書き込みを要
求する。チェックデ−タ４ｄをチェックした結果が正常
ならば，フラグ４ｅをチェックする（ステップＢ３）。
フラグ４ｅが立っていなければ，このデ−タ４ａは正常
にメモリ領域５に記憶されていることを示しているの
で，そのままこのシステムの運転を再開する（ステップ
Ｂ５）。フラグ４ｅが立っていれば，このデ−タ４ａは
正常にメモリ領域５に記憶されず，バックアップ用メモ
リ領域４には正しいデ−タが記憶されていることを示し
ているので，バイト数４ｃを参照しバックアップ用メモ
リのデ−タ４ａを４ｂに記載されたメモリ領域５の番地
に転送し書き込む（ステップＢ４）。上述した書き込み
が完了するとこのシステムの運転を再開する（ステップ
Ｂ５）。

【００１０】上述の説明は本発明の技術思想を実現する
ための基本方法とその実施のための構成例を示したもの
であって，種々応用改変することができる。例えば，上
述の実施例では，バックアップ用メモリ領域４に記憶す
るデ−タは，メモリ領域に転送し記憶すべきデ−タ４
ａ，デ−タ４ａをメモリ領域５に転送する時にこのデ−
タ４ａを記憶すべきメモリ領域５内の番地４ｂ，デ−タ
４ａを構成するバイト数４ｃ，デ−タの４ａないし４ｃ
に誤りがないかどうかをチェックするパリティ−チェッ
ク等用に作成し記憶するチェックデ−タ４ｄ，および，
フラグ４ｅのように説明したが，このシステムのデ−タ
処理条件に対応してデ−タ４ａを表示する適切な標識を
番地４ｂに換えて記憶させれば良い。ただし，デ−タ４
ａを記憶すべきメモリ領域５内の番地が予め定まってい
る等，その他の手段でデ−タ４ａが明確に判定できる場
合は番地等の標識は記憶する必要はない。また，デ−タ
処理やチェックの等にバイト数の確認その他が必要なけ
れば，バイト数４ｃを記憶する必要はない。また，チェ
ックデ−タ４ｄのためのチェック方法は，各種のパリテ
ィ−チェック方法等このシステムが採用しているチェッ
ク方法を使用すれば良い。運用メモリ領域，バックアッ
プ用メモリ領域には，上述した以外に運用上適切な補助
デ−タを記録するようにしても良い。バックアップ用メ
モリ領域に対する記憶動作中に書き込みミスが発生した
場合は，このシステムの条件に対応して予め設定した指
令に従って，再書き込みを行う等適切な処置を行えば良
い。また，チェックデ−タは，バックアップ用メモリ領
域から，メモリ領域５に転送した後，転送書き込みが正
常に行われたかどうかをチェックするためのチェック用
デ−タとして使用するようにしても良い。チェックデ−
タはバックアップ用メモリ領域のみではなく，運用メモ
リ領域に記録し活用しても良いことは当然である。上述
した実施例ではバックアップ用メモリ領域を運用メモリ
領域よりも先行して書き込む例について説明したが，バ
ックアップ用メモリ領域と運用メモリ領域との書き込む
順序を逆にしても，フラグを立てるメモリ領域を変更す
ることによって同様に実行できることは当然である。バ
ックアップ用メモリ領域は，実施例に説明した以外に，
この発明を適用するシステムとその制御機能やデ−タ処
理機能の条件に対応して適切に使用すれば良いことも当
然である。また，バックアップ用メモリ領域と本来の運
用メモリ領域とは同一の記憶素子を共通に使用しても個
別に設けても良いことも当然である。また，本発明は，
本発明を適用するシステムの条件等に対応して適切に選
択設定された種類の不揮発性メモリに対応することがで
きる。

【００１１】

【発明の効果】本発明は上述したように構成したので，
以下に記すような優れた効果を有する。 デ−タの書き込み中等に電源がダウンしても，電源復
活後に誤ったデ−タが使用される恐れがない。 先行して書き込むメモリ領域に，少なくとも，書き込
みデ−タと，フラグとを書き込み，後続して書き込むメ
モリ領域に対する書き込みが完了した後フラグをリセッ
トすると，フラグを見て，デ−タの書き込み完了状況が
容易に判定できる。 バックアップ用メモリ領域に，書き込みデ−タの他
に，書き込みデ−タの標識を書き込むようにすると，書
き込みデ−タの種類数が多い場合にも，書き込まれた標
識の内容によって，このバックアップ用メモリに記録さ
れているデ−タがどの種類のものか，または，どの番地
に書き込むべきデ−タなのかが容易に判定できる。 チェックデ−タを書き込み記録すると，バックアップ
用メモリに記録されたデ−タに誤りがないことが容易に
判定できる。 バックアップ用メモリ領域に運用メモリ領域よりも先
行してデ−タを書き込むようにすると，停電の影響が早
期に発生する等のためにバックアップ用メモリ領域の書
き込みに失敗しても，運用メモリの内容を保全できる確
率は高い。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明を説明する説明図であって，図１
（Ａ）は，本発明に基づく不揮発性メモリの書き込み方
法を実現する機能要素の概要構成例を示すブロック図で
あり，図１（Ｂ）は，本発明を適用するバックアップ用
不揮発性メモリに記録するデ−タの種類名を記している
概要マップ図である。

【図２】本発明を説明する概要フロ−図である。

【図３】従来の不揮発性メモリの書き込み方法を説明す
る機能要素の概要構成例を示すブロック図である。

【符号の説明】

１：不揮発性メモリ ２：デ−タ処理機能 ４：バックアップ用メモリ領域 ４ａ：（メモリ）デ−タ ４ｂ：（メモリ）番地 ４ｃ：（メモリ）バイト数 ４ｄ：（メモリ）チェックデ−タ ４ｅ：フラグ ５：運用メモリ領域

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 不揮発性メモリの書き込み方法におい
   て，不揮発性メモリに運用メモリ領域とバックアップ用
   メモリ領域とを設け，デ−タ書き込み時には，運用メモ
   リ領域とバックアップ用メモリ領域とを時間的に連続し
   て書き込むようにしたことを特徴とする不揮発性メモリ
   の書き込み方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の運用メモリ領域とバック
   アップ用メモリ領域に対するデ−タ書き込み時におい
   て，先行して書き込むメモリ領域には，所定のデ−タ書
   き込み後にフラグを立てて記録し，後続して書き込むメ
   モリ領域に所定のデ−タ書き込み完了後に前記フラグを
   リセットするようにした不揮発性メモリの書き込み方
   法。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載のバックア
   ップ用メモリ領域に，少なくとも，当該書き込みデ−タ
   と，該書き込みデ−タの標識と，チェックデ−タとを書
   き込むようにした不揮発性メモリの書き込み方法。
4. 【請求項４】 請求項１ないし請求項３記載の不揮発性
   メモリの書き込み方法において，バックアップ用メモリ
   領域に運用メモリ領域よりも先行してデ−タを書き込む
   ようにした不揮発性メモリの書き込み方法。