JPH0783999B2 - 基板材料の小径穴加工方法 - Google Patents
基板材料の小径穴加工方法Info
- Publication number
- JPH0783999B2 JPH0783999B2 JP4085654A JP8565492A JPH0783999B2 JP H0783999 B2 JPH0783999 B2 JP H0783999B2 JP 4085654 A JP4085654 A JP 4085654A JP 8565492 A JP8565492 A JP 8565492A JP H0783999 B2 JPH0783999 B2 JP H0783999B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- small
- substrate material
- hole
- diameter hole
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K10/00—Welding or cutting by means of a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0055—After-treatment, e.g. cleaning or desmearing of holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/09—Treatments involving charged particles
- H05K2203/095—Plasma, e.g. for treating a substrate to improve adhesion with a conductor or for cleaning holes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Drilling And Boring (AREA)
- Arc Welding In General (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の小径穴加工の切
粉詰まり処理並びに内壁荒れの除去を高速で確実に行う
方法に関する。
粉詰まり処理並びに内壁荒れの除去を高速で確実に行う
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子機器の基板材料である両面銅
貼りのガラス繊維入りエポキシ樹脂基板の穴明け加工
は、０．３ｍｍ以上の穴を加工することが多く、発生す
る切粉は超音波洗滌などの方法で除去することが普通で
あった。しかし、最近では配線も微細パターン化して、
高密度、多層化となってきており、スルーホール径も
０．２５ｍｍから０．１ｍｍ程度と細径の穴径となり、
ドリル刃の摩耗、折損などの問題もあって、切粉詰まり
や内壁荒れ、バリ発生が多く、超音波洗滌方法では切粉
排除、内壁荒れやバリ除去は不可能になってきている。
貼りのガラス繊維入りエポキシ樹脂基板の穴明け加工
は、０．３ｍｍ以上の穴を加工することが多く、発生す
る切粉は超音波洗滌などの方法で除去することが普通で
あった。しかし、最近では配線も微細パターン化して、
高密度、多層化となってきており、スルーホール径も
０．２５ｍｍから０．１ｍｍ程度と細径の穴径となり、
ドリル刃の摩耗、折損などの問題もあって、切粉詰まり
や内壁荒れ、バリ発生が多く、超音波洗滌方法では切粉
排除、内壁荒れやバリ除去は不可能になってきている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明では、
小径穴内の切粉処理、内壁面の平滑性、バリの除去など
が短時間で確実にできる方法を提供せんとするものであ
る。
小径穴内の切粉処理、内壁面の平滑性、バリの除去など
が短時間で確実にできる方法を提供せんとするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、小径穴を有す
る被加工基板材料の両側に電極を配置し、この電極に電
圧を印加し気圧１０ないし２×１０3Ｔｏｒｒ下でプラ
ズマ放電処理して、被加工基板材料の小径穴内を仕上加
工することを特徴とする基板材料の小径穴加工方法であ
る。
る被加工基板材料の両側に電極を配置し、この電極に電
圧を印加し気圧１０ないし２×１０3Ｔｏｒｒ下でプラ
ズマ放電処理して、被加工基板材料の小径穴内を仕上加
工することを特徴とする基板材料の小径穴加工方法であ
る。
【０００５】本発明は、又、被加工基板材料の両側に２
極間間隔０．０１〜５０ｍｍで電極を配置し、気圧１０
ないし２×１０ 3 Ｔｏｒｒ下で、電圧波形のτ on が５μ
ｓないし２０ｓの範囲で、ピーク電圧は２極間間隔に合
せて１０Ｖないし５００００Ｖに変化させてプラズマ放
電処理して、被加工材の小径穴を加工することを特徴と
する基材材料の小径穴加工方法である。そして、処理雰
囲気は空気、非酸化性ガス、反応性ガス、蒸気のいずれ
かである基板材料の小径穴加工方法である。
極間間隔０．０１〜５０ｍｍで電極を配置し、気圧１０
ないし２×１０ 3 Ｔｏｒｒ下で、電圧波形のτ on が５μ
ｓないし２０ｓの範囲で、ピーク電圧は２極間間隔に合
せて１０Ｖないし５００００Ｖに変化させてプラズマ放
電処理して、被加工材の小径穴を加工することを特徴と
する基材材料の小径穴加工方法である。そして、処理雰
囲気は空気、非酸化性ガス、反応性ガス、蒸気のいずれ
かである基板材料の小径穴加工方法である。
【０００６】すなわち、本発明は、基板材料の小径穴加
工において、プラズマ放電処理が切粉処理、穴内面の平
滑性、バリの除去などに著効があることを見出し、雰囲
気、圧力、放電パルス幅とピーク電圧を選択設定するこ
とによって所期の目的を達成するものである。
工において、プラズマ放電処理が切粉処理、穴内面の平
滑性、バリの除去などに著効があることを見出し、雰囲
気、圧力、放電パルス幅とピーク電圧を選択設定するこ
とによって所期の目的を達成するものである。
【０００７】例えば、アルミナ基板やシリコン基板のよ
うに耐熱、耐食性の良い材料を用いた基板の場合は、例
えば一般にセラミックスエッチング用として使われるフ
ッ化水素系ガス以外に水酸化ナトリウムや水酸化カリウ
ム水を５０〜６０℃に温め、アルカリ蒸気とする。その
雰囲気７６０Ｔｏｒｒ中で基板穴に対してプラズマ放電
処理を行うと、従来のフッ素酸エッチングよりも３〜４
倍も効率良く、細穴壁面のみのエッチングができること
がわかった。燃えやすい紙製品の如き基板については、
Ａｒ、Ｎ2ガス雰囲気でプラズマ放電処理すれば良いこ
ともわかった。
うに耐熱、耐食性の良い材料を用いた基板の場合は、例
えば一般にセラミックスエッチング用として使われるフ
ッ化水素系ガス以外に水酸化ナトリウムや水酸化カリウ
ム水を５０〜６０℃に温め、アルカリ蒸気とする。その
雰囲気７６０Ｔｏｒｒ中で基板穴に対してプラズマ放電
処理を行うと、従来のフッ素酸エッチングよりも３〜４
倍も効率良く、細穴壁面のみのエッチングができること
がわかった。燃えやすい紙製品の如き基板については、
Ａｒ、Ｎ2ガス雰囲気でプラズマ放電処理すれば良いこ
ともわかった。
【０００８】処理雰囲気は、空気、例えばＡｒ、Ｈｅ、
Ｎ2などの非酸化性ガス例えばＣＨ4、ＣＣｌ4、Ｃ2Ｈ2
などの反応性ガス、例えばＮａＯＨ水蒸気などの蒸気を
適宜選択して適用する。
Ｎ2などの非酸化性ガス例えばＣＨ4、ＣＣｌ4、Ｃ2Ｈ2
などの反応性ガス、例えばＮａＯＨ水蒸気などの蒸気を
適宜選択して適用する。
【０００９】気圧の制御は重要で１０Ｔｏｒｒ未満で
は、基板材料の小径穴以外にも沿面放電が生じ、グロー
放電となり、目的とする穴のプラズマ放電処理効率が悪
くなるばかりでなく、プラズマ放電処理の不必要な箇所
まで処理することになってくる。又、２×１０3Ｔｏｒ
ｒを超えるとプラズマ放電処理装置の高圧化に問題が生
じると共に放電も生じ難くなる。電極条件も重要で、ま
ず２極間の間隔は０．０１〜５０ｍｍの範囲がよい。
０．０１ｍｍ未満では現在最も薄い基板として超ＬＳＩ
基板の厚さが０．００５ｍｍ位であるので、電極間隔は
０．０１が限度であり、また電極間隔が５０ｍｍを超え
ると電極間のピーク電圧は５００００Ｖ以上必要となり
基板材料の小径穴が１０ｍｍ間隔の場合、放電が電極に
近い小径穴のみならず、遠い小径穴に分散するため、プ
ラズマ放電処理効果が半減する。電圧変動率が±５％で
あるから、４９０００Ｖが限界である。むしろ現状では
小径穴の間隔は１０ｍｍ以下であるから最大ピーク電圧
から電極間隔が決まり、５０ｍｍが最大間隔である。電
圧波形電流におけるτonは５μｓ未満では放電が生じ難
くなる。又、２０ｓを超えるといかなる基板材料も部分
的に焼け焦げ現象を生じ、目的が達成されない。ピーク
電圧が１０Ｖ未満ではプラズマ放電が発生し難く、生じ
たとしても単発的放電となり極めて不安定で処理効率は
低い。５００００Ｖを超えると多数の小径穴に分散し効
率が低下するのみならず装置の安全性にも問題を生じて
くる。
は、基板材料の小径穴以外にも沿面放電が生じ、グロー
放電となり、目的とする穴のプラズマ放電処理効率が悪
くなるばかりでなく、プラズマ放電処理の不必要な箇所
まで処理することになってくる。又、２×１０3Ｔｏｒ
ｒを超えるとプラズマ放電処理装置の高圧化に問題が生
じると共に放電も生じ難くなる。電極条件も重要で、ま
ず２極間の間隔は０．０１〜５０ｍｍの範囲がよい。
０．０１ｍｍ未満では現在最も薄い基板として超ＬＳＩ
基板の厚さが０．００５ｍｍ位であるので、電極間隔は
０．０１が限度であり、また電極間隔が５０ｍｍを超え
ると電極間のピーク電圧は５００００Ｖ以上必要となり
基板材料の小径穴が１０ｍｍ間隔の場合、放電が電極に
近い小径穴のみならず、遠い小径穴に分散するため、プ
ラズマ放電処理効果が半減する。電圧変動率が±５％で
あるから、４９０００Ｖが限界である。むしろ現状では
小径穴の間隔は１０ｍｍ以下であるから最大ピーク電圧
から電極間隔が決まり、５０ｍｍが最大間隔である。電
圧波形電流におけるτonは５μｓ未満では放電が生じ難
くなる。又、２０ｓを超えるといかなる基板材料も部分
的に焼け焦げ現象を生じ、目的が達成されない。ピーク
電圧が１０Ｖ未満ではプラズマ放電が発生し難く、生じ
たとしても単発的放電となり極めて不安定で処理効率は
低い。５００００Ｖを超えると多数の小径穴に分散し効
率が低下するのみならず装置の安全性にも問題を生じて
くる。
【００１０】
【実施例】厚さ０．８ｍｍ、縦２０ｃｍ、横３０ｃｍの
樹脂基板に、各一枚毎に直径０．２５ｍｍ、０．２ｍ
ｍ、０．１５ｍｍの穴をそれぞれＮＣボール盤で全面に
５ｍｍ間隔で穴明け加工した。穴数は２３００穴となっ
たが、ステップ加工中、０．２５ｍｍ細径ドリルは１３
９０穴位から切粉詰まりが著しくなった。０．２ｍｍ細
径ドリルでは６８０穴位から、さらに０．１５ｍｍ、細
径ドリルでは４３０穴位から切粉詰まりが著しくなり、
穴内壁荒れ、バリ発生も多くなった。
樹脂基板に、各一枚毎に直径０．２５ｍｍ、０．２ｍ
ｍ、０．１５ｍｍの穴をそれぞれＮＣボール盤で全面に
５ｍｍ間隔で穴明け加工した。穴数は２３００穴となっ
たが、ステップ加工中、０．２５ｍｍ細径ドリルは１３
９０穴位から切粉詰まりが著しくなった。０．２ｍｍ細
径ドリルでは６８０穴位から、さらに０．１５ｍｍ、細
径ドリルでは４３０穴位から切粉詰まりが著しくなり、
穴内壁荒れ、バリ発生も多くなった。
【００１１】かかる基板を用い、０．２５ｍｍ穴の基板
については雰囲気は空気中、７６０Ｔｏｒｒ、２極間間
隔は１０ｍｍとして、τONを１０ｍｓ、ピーク電圧は１
１０００Ｖにて、プラズマ放電処理を行った。処理時間
は２３００穴を２分でＮＣ移動処理した。その結果、穴
内部の切粉は殆どなく、穴内壁面もプラズマ放電により
突出したガラス繊維などや樹脂のめくれ、突出しなどは
溶融酸化などで滑らかとなり、バリも殆どない状態とな
った。
については雰囲気は空気中、７６０Ｔｏｒｒ、２極間間
隔は１０ｍｍとして、τONを１０ｍｓ、ピーク電圧は１
１０００Ｖにて、プラズマ放電処理を行った。処理時間
は２３００穴を２分でＮＣ移動処理した。その結果、穴
内部の切粉は殆どなく、穴内壁面もプラズマ放電により
突出したガラス繊維などや樹脂のめくれ、突出しなどは
溶融酸化などで滑らかとなり、バリも殆どない状態とな
った。
【００１２】０．２ｍｍ、０．１５ｍｍの穴の基板につ
いてもそれぞれ、０．２ｍｍの場合は電極間隔を８ｍ
ｍ、ピーク電圧を９０００Ｖ、又、０．１５ｍｍの場合
は電極間隔６ｍｍ、ピーク電圧６０００Ｖの条件で処理
した。
いてもそれぞれ、０．２ｍｍの場合は電極間隔を８ｍ
ｍ、ピーク電圧を９０００Ｖ、又、０．１５ｍｍの場合
は電極間隔６ｍｍ、ピーク電圧６０００Ｖの条件で処理
した。
【００１３】図１はＣｄＳ光検出器を使用して、基板穴
の光の透過量による出力電圧をとり、穴内の切粉の除去
具合を調べた図である。縦軸は光起電力の電圧を示し、
２３００個の平均光透過量に比例した光起電力の電圧で
ある。０．２５ｍｍの場合、穴明けが１００％で良好な
らば、出力電圧は５ｍＶとなるが、プラズマ放電処理方
法では４．９ｍＶで光透過率は９８％であるが、超音波
処理の従来方法では１．４ｍＶで２８％に過ぎなかっ
た。
の光の透過量による出力電圧をとり、穴内の切粉の除去
具合を調べた図である。縦軸は光起電力の電圧を示し、
２３００個の平均光透過量に比例した光起電力の電圧で
ある。０．２５ｍｍの場合、穴明けが１００％で良好な
らば、出力電圧は５ｍＶとなるが、プラズマ放電処理方
法では４．９ｍＶで光透過率は９８％であるが、超音波
処理の従来方法では１．４ｍＶで２８％に過ぎなかっ
た。
【００１４】穴径が０．１５ｍｍになると、光透過率は
プラズマ放電処理の場合８９％であるのに対して、従来
方法では１１％に過ぎないことがわかった。さらに穴径
０．１５ｍｍのものについては、τONを１ｍｓ、ピーク
電圧を８０００Ｖ、電極間隔は５ｍｍとしたところ、光
透過量が増加して透過率が９７％に達した。さらにτON
を１０μｓとした結果、９９．９％に達したことがわか
った。
プラズマ放電処理の場合８９％であるのに対して、従来
方法では１１％に過ぎないことがわかった。さらに穴径
０．１５ｍｍのものについては、τONを１ｍｓ、ピーク
電圧を８０００Ｖ、電極間隔は５ｍｍとしたところ、光
透過量が増加して透過率が９７％に達した。さらにτON
を１０μｓとした結果、９９．９％に達したことがわか
った。
【００１５】したがって、プラズマ放電処理は、対象物
の材質、穴径によって、パルスτonやピーク電圧と電極
間隔を変え、基板に対して最適条件でプラズマ処理を行
えば、ほぼ１００％の細穴内壁処理が高速で、しかも確
実にできた。
の材質、穴径によって、パルスτonやピーク電圧と電極
間隔を変え、基板に対して最適条件でプラズマ処理を行
えば、ほぼ１００％の細穴内壁処理が高速で、しかも確
実にできた。
【００１６】
【発明の効果】本発明方法によれば、基板の小径穴加工
における切粉詰まり、穴内壁面の平滑化、バリの除去を
短時間で確実に行うことができる。
における切粉詰まり、穴内壁面の平滑化、バリの除去を
短時間で確実に行うことができる。
【図１】本発明の効果を従来例と対比して穴径と平均光
透過量を光起電力の電圧との関係で試験した結果を示す
グラフである。
透過量を光起電力の電圧との関係で試験した結果を示す
グラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋 香織 神奈川県川崎市麻生区王禅寺768番地15 (72)発明者 大場 章 埼玉県朝霞市浜崎１丁目９番地の３−205 (56)参考文献 特開 昭58−4398（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】 小径穴を有する被加工基板材料の両側に
電極を配置し、この電極に電圧を印加し気圧１０ないし
２×１０3Ｔｏｒｒ下でプラズマ放電処理して、被加工
基板材料の小径穴内を仕上加工することを特徴とする基
板材料の小径穴加工方法。 - 【請求項２】 小径穴を有する被加工基板材料の両側に
２極間間隔０．０１〜５０ｍｍで電極を配置し、気圧１
０ないし２×１０3Ｔｏｒｒ下で、電圧波形のτonが５
μｓないし２０ｓの範囲で、ピーク電圧は２極間間隔に
合せて１０Ｖないし５００００Ｖに変化させてプラズマ
放電処理して、被加工材の小径穴内を仕上げ加工するこ
とを特徴とする基材材料の小径穴加工方法。 - 【請求項３】 処理雰囲気は空気、非酸化性ガス、反応
性ガス、蒸気のいずれかである請求項１又は２記載の基
板材料の小径穴加工方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085654A JPH0783999B2 (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 基板材料の小径穴加工方法 |
| US08/041,949 US5322985A (en) | 1992-04-07 | 1993-04-02 | Method for boring small holes in substrate material |
| KR1019930005642A KR960013710B1 (ko) | 1992-04-07 | 1993-04-03 | 기판재료의 작은 지름구멍 가공방법 |
| DE93302690T DE565341T1 (de) | 1992-04-07 | 1993-04-06 | Verfahren zum Bohren von kleinen Löchern in Substratmaterial. |
| EP93302690A EP0565341B1 (en) | 1992-04-07 | 1993-04-06 | Method for treating small holes in substrate material |
| DE69303527T DE69303527T2 (de) | 1992-04-07 | 1993-04-06 | Verfahren zur Behandlung von kleinen Löchern in Substratmaterial |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4085654A JPH0783999B2 (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 基板材料の小径穴加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05285895A JPH05285895A (ja) | 1993-11-02 |
| JPH0783999B2 true JPH0783999B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=13864818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4085654A Expired - Lifetime JPH0783999B2 (ja) | 1992-04-07 | 1992-04-07 | 基板材料の小径穴加工方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5322985A (ja) |
| EP (1) | EP0565341B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0783999B2 (ja) |
| KR (1) | KR960013710B1 (ja) |
| DE (2) | DE69303527T2 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2634536B2 (ja) * | 1992-06-11 | 1997-07-30 | 栄電子工業株式会社 | ドライプロセスコーティング加工方法および加工装置 |
| JP2607346B2 (ja) * | 1994-03-04 | 1997-05-07 | 栄電子工業株式会社 | 基板材料の小径穴加工方法 |
| JP2680986B2 (ja) * | 1994-03-17 | 1997-11-19 | 栄電子工業株式会社 | プリント基板の小径穴加工方法及び装置 |
| JP2614697B2 (ja) * | 1994-03-29 | 1997-05-28 | 栄電子工業株式会社 | 小径穴加工装置及びそれを使用する小径穴加工方法 |
| JP2625078B2 (ja) * | 1994-03-29 | 1997-06-25 | 栄電子工業株式会社 | 基板材料の小径穴加工方法及び装置 |
| JPH08132392A (ja) * | 1994-11-02 | 1996-05-28 | Sakae Denshi Kogyo Kk | 基板材料の小径穴加工方法及び装置 |
| JP2618211B2 (ja) * | 1994-11-25 | 1997-06-11 | 栄電子工業株式会社 | 放電処理方法 |
| US5581083A (en) * | 1995-05-11 | 1996-12-03 | The Regents Of The University Of California | Method for fabricating a sensor on a probe tip used for atomic force microscopy and the like |
| US5838005A (en) * | 1995-05-11 | 1998-11-17 | The Regents Of The University Of California | Use of focused ion and electron beams for fabricating a sensor on a probe tip used for scanning multiprobe microscopy and the like |
| JP4004596B2 (ja) * | 1997-08-05 | 2007-11-07 | 一成 高木 | プラスチックフィルムの製造方法 |
| DE202008018264U1 (de) | 2008-06-12 | 2012-07-04 | Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma-Jets |
| DE102008028167A1 (de) | 2008-06-12 | 2009-12-31 | Maschinenfabrik Reinhausen Gmbh | Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasma-Jets |
| AT514283B1 (de) * | 2013-04-19 | 2015-09-15 | Tannpapier Gmbh | Plasmaperforation |
| AT515408B1 (de) * | 2014-04-03 | 2015-09-15 | Tannpapier Gmbh | Diffusionsoptimiertes Mundstückbelagpapier |
| US9757776B2 (en) * | 2014-10-16 | 2017-09-12 | The Boeing Company | Clearing of apertures by plasma jets |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3862396A (en) * | 1972-07-17 | 1975-01-21 | Sanyo Kokusaku Pulp Co | Apparatus for making perforations in sheet material by electric discharge |
| US4012307A (en) * | 1975-12-05 | 1977-03-15 | General Dynamics Corporation | Method for conditioning drilled holes in multilayer wiring boards |
| FR2457148A1 (fr) * | 1979-05-25 | 1980-12-19 | Electricite De France | Procede et dispositif d'elimination locale de revetement metallique |
| US4495399A (en) * | 1981-03-26 | 1985-01-22 | Cann Gordon L | Micro-arc milling of metallic and non-metallic substrates |
| JPS57186389A (en) * | 1981-05-11 | 1982-11-16 | Hitachi Ltd | Method of opening hole of printed board |
| JPS584398A (ja) * | 1981-06-25 | 1983-01-11 | 三菱電機株式会社 | 穴明け装置 |
| DE3316118C2 (de) * | 1983-05-03 | 1986-10-16 | Gerhard Dr.-Ing. 8501 Eckenthal Feld | Verfahren zum Herstellen einer wasserdampfdurchlässigen Materialbahn |
| US4635358A (en) * | 1985-01-03 | 1987-01-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for forming electrically conductive paths through a dielectric layer |
| US4721550A (en) * | 1986-05-05 | 1988-01-26 | New West Technology Corporation | Process for producing printed circuit board having improved adhesion |
| US4787957A (en) * | 1987-09-25 | 1988-11-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Desmear and etchback using NF3 /O2 gas mixtures |
-
1992
- 1992-04-07 JP JP4085654A patent/JPH0783999B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-04-02 US US08/041,949 patent/US5322985A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-03 KR KR1019930005642A patent/KR960013710B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1993-04-06 EP EP93302690A patent/EP0565341B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-04-06 DE DE69303527T patent/DE69303527T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-04-06 DE DE93302690T patent/DE565341T1/de active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5322985A (en) | 1994-06-21 |
| EP0565341A3 (en) | 1994-05-25 |
| EP0565341B1 (en) | 1996-07-10 |
| DE69303527D1 (de) | 1996-08-14 |
| DE69303527T2 (de) | 1996-12-19 |
| KR930021309A (ko) | 1993-11-22 |
| JPH05285895A (ja) | 1993-11-02 |
| KR960013710B1 (ko) | 1996-10-10 |
| DE565341T1 (de) | 1994-02-03 |
| EP0565341A2 (en) | 1993-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0783999B2 (ja) | 基板材料の小径穴加工方法 | |
| US5178725A (en) | Method for working ceramic material | |
| Sharma et al. | Experimental investigations into alumina ceramic micromachining by electrochemical discharge machining process | |
| JPH02182390A (ja) | レーザーを用いた孔加工方法 | |
| KR20020069254A (ko) | 와이어 방전가공방법 및 장치 | |
| JP3389034B2 (ja) | 絶縁性セラミックス皮膜付き被加工物の加工方法 | |
| US4787957A (en) | Desmear and etchback using NF3 /O2 gas mixtures | |
| CN113766747A (zh) | 一种微细线路的pcb微蚀刻工艺以及电路板 | |
| JP2614697B2 (ja) | 小径穴加工装置及びそれを使用する小径穴加工方法 | |
| JP2529811B2 (ja) | 小径穴加工装置及びそれを使用する小径穴加工方法 | |
| Bergmann et al. | Laser-surface processing of metals and ceramics for industrial applications | |
| Arab et al. | Electrochemical discharge machining of soda lime glass for MEMS applications | |
| JPWO2002034444A1 (ja) | ワイヤ放電加工用電源装置 | |
| US4162932A (en) | Method for removing resin smear in through holes of printed circuit boards | |
| JP2607346B2 (ja) | 基板材料の小径穴加工方法 | |
| CN105007691B (zh) | 精细线路印制板蚀刻工艺 | |
| KR960014699B1 (ko) | 연속 드라이 프로세스 코팅방법 및 그 장치 | |
| JP3211391B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
| JPH01295487A (ja) | 厚板導体付プリント配線板の製造方法 | |
| JPH0755490B2 (ja) | セラミックスの精密加工方法 | |
| Jiang et al. | Investigation of micro-drilling assisted electrochemical discharge machining | |
| KR100533541B1 (ko) | 마이크로 방전가공장치 및 그 방법 | |
| JPH10337699A (ja) | 配線基板の穴開け加工方法 | |
| CN108055769A (zh) | 非金属化孔的加工工艺及线路板 | |
| JPH0577114A (ja) | 導電性セラミツクスの加工方法 |