JPH0782561A

JPH0782561A - ベンゼン誘導体及び液晶媒質

Info

Publication number: JPH0782561A
Application number: JP6202326A
Authority: JP
Inventors: Herbert Plach; プラハヘルベルト; Ekkehard Dr Bartmann; バルトマンエケハルト
Original assignee: Merck Patent GmbH
Current assignee: Merck Patent GmbH
Priority date: 1993-08-28
Filing date: 1994-08-26
Publication date: 1995-03-28
Anticipated expiration: 2021-10-04
Also published as: DE4428766A1; JP3828169B2; DE4428766B4

Abstract

(57)【要約】【目的】正の誘電異方性を有する極性化合物の混合物
に基づく、なかでもＭＬＣ、ＴＮ又はＳＴＮディスプレ
ーに用いるための、非常に高い比抵抗値及び低い閾値電
圧を有する液晶媒質を提供する。【構成】１つ又はそれ以上の、一般式【化１】（但しこの式においてＲはアルキル基又はアルケニル
基、Ａ¹、Ａ²は互いに独立に、２ケの結合手を有する環
状基、Ｚ¹、Ｚ²は互いに独立に、２ケの結合手を有する
鎖状基、ＸはＨまたはＦ、Ｌ¹、Ｌ²、Ｌ³は互いに独立
にＨまたはＦ、ｍは０又は１である。）の化合物を含
む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はベンゼン誘導体及び液晶
媒質、この後者を電気光学的諸用途に用いる方法、及び
この媒質を含んだディスプレーに関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶は、このような物質の光学的性質に
印加電圧によって影響を与えることができるので特に種
々のディスプレー装置における誘電体として用いられ
る。液晶に基づく電気光学的装置は当業者によく知られ
ており、そして種々の効果に基づくものであることがで
きる。この型の装置は、例えば動的散乱を有する種々の
セル、ＤＡＰセル（配向相変形型セル）、ゲスト／ホス
ト型セル、ねじれネマチック構造を有するＴＮセル、Ｓ
ＴＮセル（スーパーネマティックセル）、ＳＢＥセル
（スーパー複屈折効果セル）及びＯＭＩセル（光学モー
ド干渉セル）である。最も一般的なディスプレー装置は
シャート・ヘルフリッヒ効果に基づくもので、ねじれネ
マチック構造を有している。

【０００３】それらの液晶物質は良好な化学的及び熱的
安定性と電場及び電磁線照射に対する良好な安定性とを
有していなければならない。さらにこれら液晶物質は低
粘度を有し、短いアドレス時間、低い閾値電圧および高
いコントラストをセルに与えるべきである。

【０００４】更にまたそれらは、上述の各セルに好適な
メソ相、例えば通常的な作動温度、すなわち室温以上及
び室温以下の極めて広い範囲の温度においてネマチック
相またはコレステリック相を有していなければならな
い。液晶は一般に複数の成分の混合物として用いられる
ので、各成分が互いに容易に混和できることが重要であ
る。他の、例えば電気伝導度、誘電異方性、および光学
異方性等の性質はそのセルの型や利用領域に依存する種
々の要求条件に合致しなければならない。例えば、ねじ
れネマチック構造を有するセルのための物質は正の誘電
異方性と低い電気伝導度とを有する必要がある。

【０００５】例えば、個々の像点をスイッチするための
総合化された非線形素子を含むマトリックス液晶ディス
プレー（ＭＬＣディスプレー）は高い正の誘電異方性、
広いネマチック相、比較的低い複屈折性、非常に高い比
抵抗値、紫外線及び温度に対する良好な安定性及び低い
蒸気圧を有するものである。

【０００６】この型のマトリックス液晶ディスプレーは
公知である。個々の像点を個別にスイッチするために使
用することのできる非線形素子の例は活性素子（すなわ
ちトランジスタ）である。これは従って「活性マトリッ
クス」と呼ぶが、下記の２つの型に分けることができ
る。１）基材としての珪素ウエハの上のＭＯＳ（金属酸化物
半導体）又はその他のダイオード類２）基材としてのガラス板の上の薄膜トランジスタ（Ｔ
ＦＴ）単結晶の珪素を基材物質として使用することは、種々の
パーツディスプレーのモジュラー構造体さえも各ジョイ
ント部において問題を生ずるので、そのディスプレーの
大きさを制限する。

【０００７】より見込みのある、好ましい上記２）の型
の場合はその用いられる電気光学的効果は通常はＴＮ効
果である。２つの技術、すなわち例えばＣｄＳｅのよう
な化合物半導体よりなるＴＦＴと、及び多結晶性又は無
定形珪素に基づくＴＦＴとに区別される。この後者の技
術に世界的に強い研究努力がなされつつある。

【０００８】ＴＦＴマトリックスはそのディスプレーの
一方のガラス板の内側に適用されるが、もう一方のガラ
ス板の内側には透明な対極が設けられている。像点電極
の寸法と比較してこのＴＦＴは非常に小さく、そしてそ
の映像にはほとんどなんらの悪影響も与えない。この技
術はまた、各フィルタ素子がスイッチ可能な映像素子の
反対側に位置するような態様で赤と緑と青の各フィルタ
のモザイクが設けられている、完全にカラーコンパチブ
ルな映像ティスプレーにも拡張することができる。

【０００９】これらのＴＦＴディスプレーは通常、交差
ポーラライザを有するＴＮセルとして透過で作動し、そ
して背後から照明される。

【００１０】ここでＭＬＣディスプレーの語は一体化さ
れた非線形素子を含む全てのマトリックスディスプレー
を包含し、すなわち活性マトリックスに加えて、例えば
バリスターやダイオードのような受動素子（ＭＩＭ＝金
属／絶縁体／金属）を含むディスプレーをも包含するも
のである。

【００１１】この型のＭＬＣディスプレーは、テレビジ
ョン用（例えばポケット型テレビセット）、又はコンピ
ュータ用（ラップトップ）及び自動車や航空機の構造に
おける高情報ディスプレーとして特に適している。コン
トラストの角度依存性やスイッチング時間についての問
題に加えて、その液晶混合物の不適切な比抵抗の値によ
ってＭＬＣディスプレーに種々の問題が起こる〔Ｔｏｇ
ａｓｈｉ，Ｓ．、Ｓｅｋｉｇｕｃｈｉ，Ｋ．、Ｔａｎａ
ｂｅ，Ｈ．、Ｙａｍａｍｏｔｏ，Ｅ．、Ｓｏｒｉｍａｃ
ｈｉ，Ｋ．、Ｔａｊｉｍａ，Ｅ、Ｗａｔａｎａｂｅ，
Ｈ．及びＳｈｉｍｉｚｕ，Ｈ．：“Ｐｒｏｃ．Ｅｕｒｏ
ｄｉｓｐｌａｙ”８４、９月号（１９８４）；Ａ２１
０−２８８「２段ダイオードリングにより制御されたマ
トリックスＬＣＤ」、１４１頁以下、パリ、Ｓｔｒｏｍ
ｅｒ，Ｍ．：“Ｐｒｏｃ．Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａｙ”８
４、９月号（１９８４）「テレビジョン液晶ディスプレ
ーのマトリックスアドレッシングのための薄膜トランジ
スタの設計」、１４５頁以下、パリ〕。抵抗値が減少す
るにつれてＭＬＣディスプレーのコントラストは悪くな
り、そして「残像除去」の問題の生ずることがある。液
晶混合物の比抵抗は一般に、そのディスプレーの種々の
内部表面との相互作用のためにＭＬＣディスプレーの全
寿命にわたって低下するので、受容できる実用寿命を得
るためには高い（初期）抵抗値が非常に重要である。特
に低電圧混合物の場合には非常に高い抵抗値に達するこ
とはこれまで不可能であった。更に、その比抵抗値は温
度の上昇につれて、及び加熱の後及び／又は紫外線への
暴露の後でできるだけ僅かしか上昇しないことが重要で
ある。従来技術による種々の混合物の低温特性も特に不
利である。結晶化及び／又はスメクチック相が低温にお
いても生じないこと、及び粘度の温度依存性ができるだ
け低いことが要求される。このように、従来技術による
ＭＬＣディスプレーはそれら現在の諸要求を満足しな
い。

【００１２】このように比抵抗値が非常に高く、そして
同時に、低温度で低い閾値電圧においても作動温度範囲
が広く、かつスイッチング時間が短い、上述のような欠
点を持たないか、又は僅かな程度でしかそのような欠点
を示さないようなＭＬＣディスプレーに対して大きな必
要性がなお存在している。

【００１３】ＴＮ（シャート・ヘルフリッヒ効果）セル
には、それらのセルにおいて下記の諸利点を与えるよう
な媒質が望まれる： ○ネマチック相の範囲が拡張（特に低温度領域へ）され
ていること ○極めて低い温度においてスイッチ作動可能であること
（屋外用途、自動車、アビオニクス） ○紫外線照射に対する安定性が高められていること（よ
り長い寿命）従来技術により入手できる媒質はこれらの諸利点を、同
時に他のパラメータの維持のもとに実現することができ
ない。

【００１４】スーパーねじれセル（ＳＴＮセル）にはよ
り大きなマルチプレックス能力及び／又はより低い閾値
電圧及び／又はより広いネマチック相範囲（なかでも低
温度における）を許容するような媒質が望まれる。この
目的のためにはその利用できるパラメータ範囲を更に拡
張することが極めて望まれる。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、なか
でもこの型のＭＬＣ、ＴＮ又はＳＴＮディスプレーのた
めの、上述した欠点を持たないか、又は僅かな程度でし
か持たず、そして好ましくは同時に非常に高い比抵抗及
び低い閾値電圧を有するような媒質を提供することであ
る。

【００１６】本発明者等はこの目的が、本発明に従う媒
質を種々のディスプレーにおいて用いた場合に達成でき
ることを見出した。

【００１７】

【課題を解決するための手段】従って本発明は、正の誘
電異方性を有する極性化合物の混合物に基づく液晶媒質
に関し、これは、１つ以上の下記一般式Ｉ、すなわち

【００１８】

【化９】の化合物を含むことを特徴とするものであり、但しこの
式においてＲは水素、又は置換されていない、又は
ＣＮ又はＣＦ₃ によってモノ置換されているか、或いは
ハロゲンによって少なくともモノ置換されている、１な
いし１５個の炭素原子を有するアルキル基又はアルケニ
ル基であって、これらの基の中の１つ以上のＣＨ₂ 基は
いずれも互いに独立に−Ｏ−、−Ｓ−、

【００１９】

【化１０】又は−ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、或いは−
Ｏ−ＣＯ−Ｏ−によって、各酸素原子が互いに直接に結
合することがないような態様で置き換えられていること
ができ、Ａ¹ 及びＡ² は互いに独立に、ａ）トランス−１，４−シクロヘキシレン基であって、
このものの非隣接の１つ以上のＣＨ₂ 基は−Ｏ−及び／
又は−Ｓ−により置き換えられていてもよく、又はｂ）１，４−フェニレン基であって、このものの１つ又
は２つのＣＨ基はＮにより置き換えられていてもよく、
或いはｃ）１，４−シクロヘキセニレン、１，４−ビシクロ
（２・２・２）オクチレン、ピペリシン−１，４−ジイ
ル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナフタレ
ン−２，６−ジイル及び１，２，３，４−テトラヒドロ
ナフタレン−２，６−ジイルよりなる群からの残基であり、その際上記のａ）及びｂ）の残基は１個又は２
個の弗素原子によって置換されていることができ、Ｚ¹
及びＺ² はそれぞれ互いに独立に−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−
ＣＯ−、−ＣＨ₂ Ｏ−、−ＯＣＨ₂ −、−ＣＨ₂ ＣＨ₂
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合であって、
Ｚ¹ 及びＺ² の残基の一方は二者択一的に−（ＣＨ₂）₄
−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −であり、Ｘ
は水素又は弗素であり、Ｌ¹ 、Ｌ² 及びＬ³ は互いに独
立に水素又は弗素であり、そしてｍは０又は１であ
る。

【００２０】式Ｉの各化合物は広い用途範囲を有する。
各置換基の選択に依存してこれらの化合物は、液晶物質
が主としてそれらから構成されるような基礎物質として
用いることができるが、また式Ｉの化合物は他の化合物
種よりなる液晶基礎物質に添加して、例えばこの型の誘
電体の誘電異方性及び／又は光学異方性を修飾し、及び
／又はその閾値電圧を最適化させ、及び／又はその粘度
を最適化させることもできる。

【００２１】純粋な状態においてこの式Ｉの各化合物は
無色であり、そして電気光学的用途に好都合な温度範囲
において液晶メゾ相を形成する。それらは化学的、熱的
及び対光的に安定である。

【００２２】本発明はまた上記式Ｉの化合物にも関す
る。

【００２３】上記式Ｉの化合物はＷＯ−９２−０１１８
５にあげられている一般式に包含されるものである。本
発明に従う弗素化された各化合物はそれには言及されて
いない。１つ以上の弗素原子を導入することはそれら化
合物の粘度に対して著しい影響を与える。

【００２４】式ＩにおいてＬ¹ 及び／又はＬ² が弗素で
あるような化合物が特に好ましい。更にまた、それらの
化合物においてＬ¹ 、Ｌ² 及びＬ³ が弗素であるような
化合物が好ましい。また、式Ｉ及びそれに従属する全て
の従属式においてＡ¹ が、弗素によってモノ置換又はジ
置換されている１，４−フェニレンである化合物も好ま
しい。これらはなかでも２−フルオル−１，４−フェニ
レン、３−フルオル−１，４−フェニレン及び３，５−
ジフルオル−１，４−フェニレンである。ｍは好ましく
は０である。

【００２５】Ｚ¹ 及びＺ² は好ましくは単結合、及び−
ＣＨ₂ ＣＨ₂ −であり、次いで好ましくは−ＣＨ₂ Ｏ
−、−ＯＣＨ₂ −、−Ｏ−ＣＯ−及び−ＣＯ−Ｏ−であ
る。

【００２６】もしＺ¹ 及びＺ² の一方の残基が−（ＣＨ
₂ ）₄ −又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂ＣＨ₂ −であるとき
は、もう一方の残基Ｚ¹ 又はＺ² （もし存在する場合）
は好ましくは単結合である。

【００２７】もしＲがアルキル基及び／又はアルコキシ
基である場合には、これは直鎖状又は分岐鎖状であるこ
とができる。これは好ましくは直鎖状であって、２、
３、４、５、６又は７個の炭素原子を有し、従って好ま
しくはエチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシ
ル、ヘプチル、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペン
トキシ、ヘキソキシ又はヘプトキシであり、更にまたメ
チル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシ
ル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、メトキ
シ、オクトキシ、ノノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、
ドデコキシ、トリデコキシ又はテトラデコキシである。

【００２８】オキサアルキルは好ましくは直鎖状の２−
オキサプロピル（＝メトキシメチル）、２−オキサブチ
ル（＝エトキシメチル）、３−オキサブチル（＝２−メ
トキシエチル）、２−、３−又は４−オキサペンチル、
２−、３−、４−又は５−オキサヘキシル、２−、３
−、４−、５−又は６−オキサヘプチル、２−、３−、
４−、５−、６−又は７−オキサオクチル、２−、３
−、４−、５−、６−、７−又は８−オキサノニル、或
いは２−、３−、４−、５−、６−、７−、８−又は９
−オキサデシルである。

【００２９】もしＲがアルキル基であってその中の１個
のＣＨ₂ 基が−ＣＨ＝ＣＨ−によって置き換えられてい
る場合には、これは直鎖状であるか、又は分岐鎖状であ
ることができる。これは好ましくは直鎖状であって２な
いし１０個の炭素原子を有する。従ってこれは中でもビ
ニル、プロパ−１−又は同−２−エニル、ブタ−１−、
同−２−又は同−３−エニル、ペンタ−１−、同−２
−、同−３−又は同−４−エニル、ヘキサ−１−、同−
２−、同−３−、同−４−又は同−５−エニル、ヘプタ
−１−、同−２−、同−３−、同−４−、同−５−又は
同−６−エニル、オクタ−１−、同−２−、同−３−、
同−４−、同−５−、同−６−又は同−７−エニル、ノ
ナ−１−、同−２−、同−３−、同−４−、同−５−、
同−６−、同−７−又は同−８−エニル或いはデカ−１
−、同−２−、同−３−、同−４−、同−５−、同−６
−、同−７−、同−８−又は同−９−エニルである。

【００３０】もしＲがアルキル基であってその中の１個
のＣＨ₂ 基が−Ｏ−によって置き換えられており、そし
て１個が−ＣＯ−によって置き換えられている場合に
は、これらは好ましくは隣接しているのがよい。従って
これらはアシロキシ基−ＣＯ−Ｏ−又はオキシカルボニ
ル基−Ｏ−ＣＯ−を含む。これらは好ましくは直鎖状で
あって２ないし６個の炭素原子を有する。

【００３１】従ってそれらはなかでもアセトキシ、プロ
ピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキ
シ、ヘキサノイルオキシ、アセトキシメチル、プロピオ
ニルオキシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイ
ルオキシメチル、２−アセトキシエチル、２−プロピオ
ニルオキシエチル、２−ブチリルオキシエチル、３−ア
セトキシプロピル、３−プロピオニルオキシプロピル、
４−アセトキシブチル、メトキシカルボニル、エトキシ
カルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカルボニ
ル、ペントキシカルボニル、メトキシカルボニルメチ
ル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシカルボニル
メチル、ブトキシカルボニルメチル、２−（メトキシカ
ルボニル）エチル、２−（エトキシカルボニル）エチ
ル、２−（プロポキシカルボニル）エチル、３−（メト
キシカルボニル）プロピル、３−（エトキシカルボニ
ル）プロピル又は４−（メトキシカルボニル）ブチルで
ある。

【００３２】もしＲがアルキル基であってその中の１個
のＣＨ₂ 基が非置換の、又は置換された−ＣＨ＝ＣＨ−
によって置き換えられており、そして一方の隣接のＣＨ
₂ 基がＣＯ又はＣＯ−Ｏ或いはＯ−ＣＯによって置き換
えられている場合には、これは直鎖状であるか、又は分
岐鎖状であることができる。このものは好ましくは直鎖
状であって４ないし１３個の炭素原子を有する。従って
これは中でもアクリロイルオキシメチル、２−アクリロ
イルオキシエチル、３−アクリロイルオキシプロピル、
４−アクリロイルオキシブチル、５−アクリロイルオキ
シペンチル、６−アクリロイルオキシヘキシル、７−ア
クリロイルオキシヘプチル、８−アクリロイルオキシオ
クチル、９−アクリロイルオキシノニル、１０−アクリ
ロイルオキシデシル、メタクリロイルオキシメチル、２
−メタクリロイルオキシエチル、３−メタクリロイルオ
キシプロピル、４−メタクリロイルオキシブチル、５−
メタクリロイルオキシペンチル、６−メタクリロイルオ
キシヘキシル、７−メタクリロイルオキシヘプチル、８
−メタクリロイルオキシオクチル又は９−メタクリロイ
ルオキシノニルである。

【００３３】もしＲがアルキル基又はアルケニル基であ
って、ＣＮ又はＣＦ₃ によってモノ置換されている場合
にはこの基は好ましくは直鎖状である。ＣＨ又はＣＦ₃
による置換はいかなる所望の位置ででもよい。

【００３４】もしＲがアルキル基又はアルケニル基であ
って、ハロゲンによって少なくともモノ置換されている
場合にはこの基は好ましくは直鎖状であって、ハロゲン
は好ましくはＦ又はＣｌである。多重置換の場合にはハ
ロゲンは好ましくはＦである。その結果得られる残基も
パーフルオル化された残基を含む。モノ置換の場合には
その弗素又は塩素の置換基はいかなる所望の位置にあっ
てもよいが、好ましくはω位置にあるのがよい。種々の
重合反応にとって好ましいいくつかのウィング基Ｒを含
んでいる式Ｉの化合物は液晶性重合物を製造するのに適
している。

【００３５】分岐鎖状のウィング基Ｒを含む式Ｉの化合
物は通常的な液晶の基礎物質への良好な溶解度のため
に、ときに重要であることがあるが、特にそれらが光学
的に活性であるときは、なかでもキラルドープ剤として
重要である。この型のスメクチック化合物は強誘電体材
料の成分として適している。

【００３６】Ｓ_A 相を有する式Ｉの化合物は、例えば熱
的にアドレスされるディスプレーに適している。

【００３７】この型の分岐した基は一般に１個よりも多
い分岐鎖を含まない。分岐した好ましい基Ｒはイソプロ
ピル、２−ブチル（＝１−メチルプロピル）、イソブチ
ル（＝２−メチルプロピル）、２−メチルブチル、イソ
ペンチル（＝３−メチルブチル）、２−メチルペンチ
ル、３−メチルペンチル、２−エチルヘキシル、２−プ
ロピルペンチル、イソプロポキシ、２−メチルプロポキ
シ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、２−メ
チルペントキシ、３−メチルペントキシ、２−エチルヘ
キソキシ、１−メチルヘキソキシ及び１−メチルヘプト
キシである。

【００３８】もしＲがアルキル基であってその中の２個
以上のＣＨ₂ 基が−Ｏ−及び／又は−ＣＯ−Ｏ−によっ
て置き換えられている場合にはこれは直鎖状であるか、
又は分岐鎖状であることができる。これは好ましくは分
岐鎖状であって３ないし１２個の炭素原子を有する。従
ってこれはなかでもビスカルボキシメチル、２，２−ビ
スカルボキシエチル、３，３−ビスカルボキシプロピ
ル、４，４−ビスカルボキシブチル、５，５−ビスカル
ボキシペンチル、６，６−ビスカルボキシヘキシル、
７，７−ビスカルボキシヘプチル、８，８−ビスカルボ
キシオクチル、９，９−ビスカルボキシノニル、１０，
１０−ビスカルボキシデシル、ビス（メトキシカルボニ
ル）メチル、２，２−ビス（メトキシカルボニル）エチ
ル、３，３−ビス（メトキシカルボニル）プロピル、
４，４−ビス（メトキシカルボニル）ブチル、５，５−
ビス（メトキシカルボニル）ペンチル、６，６−ビス
（メトキシカルボニル）ヘキシル、７，７−ビス（メト
キシカルボニル）ヘプチル、８．８−ビス（メトキシカ
ルボニル）オクチル、ビス（エトキシカルボニル）メチ
ル、２，２−ビス（エトキシカルボニル）エチル、３，
３−ビス（エトキシカルボニル）プロピル、４，４−ビ
ス（エトキシカルボニル）ブチル又は５，５−ビス（エ
トキシカルボニル）ヘキシルである。

【００３９】式Ｉの化合物の好ましい比較的小さな基は
以下の従属式Ｉ１ないしＩ１５のそれら（Ｘ＝Ｈ又は
Ｆ）である：

【００４０】

【化１１】

【００４１】

【化１２】

【００４２】

【化１３】

【００４３】

【化１４】特に、式Ｉ２、Ｉ３、Ｉ４、Ｉ８、Ｉ９及びＩ１２の化
合物が好ましい。

【００４４】その１，４−シクロヘキセニレン基は好ま
しくは下記の構造

【００４５】

【化１５】を有する。

【００４６】式Ｉの各化合物は文献〔例えばシュツット
ガルトのＧｅｏｒｇ−Ｔｈｉｅｍｅ−Ｖｅｒｌａｇ刊行
の、Ｈｏｕｂｅｎ−Ｗｅｙｌの“Ｍｅｔｈｏｄｅｎｄ
ｅｒＯｒｇａｎｉｓｃｈｅｎＣｈｅｍｉｅ”のような
標準的著作〕に記載されているように、公知であって、
そのような反応に適した反応条件のもとで公知の方法に
より作られる。ここで、公知の種々の変法も用いること
ができるが、これについてはここでは詳細には記述しな
い。

【００４７】それらの化合物は、例えばＷＯ−９２−０
１１８５に記述されているように作ることができる。

【００４８】本発明に従う各化合物は、例えば下記式Ｉ
Ｉ

【００４９】

【化１６】〔この式においてＲ、Ａ¹ 、Ａ² 、Ｚ¹ 、Ｚ² 、Ｌ¹ 、
Ｌ² 、Ｌ³ 及びｍは上に定義した通りである〕の化合物
を以下にあげる各反応式に従って金属化し、次いでその
生成物を適当な親電子試薬と反応させることにより作る
ことができる：反応式１

【００５０】

【化１７】式Ｉの特に好ましい化合物は、例えば次のようにして作
られる：反応式２

【００５１】

【化１８】反応式３

【００５２】

【化１９】反応式４（Ｌ³ ＝Ｈ又はＦ）

【００５３】

【化２０】反応式５

【００５４】

【化２１】本発明はまた、この型の媒質を含む電気光学的な種々の
ディスプレー（中でも面平行な２枚の外側プレートを有
して枠とともにセルを構成するような、それら外側プレ
ートの上の個々の像点をスイッチするための一体化され
た非線形素子及び正の誘電異方性と高い比抵抗とを有す
るネマチック液晶混合物をセルの中に有するＳＴＮデイ
スプレー又はＭＬＣディスプレー）及びこれらの媒質を
電気光学的な諸目的のために使用する方法にも関する。

【００５５】本発明に従う液晶混合物は利用できるパラ
メータ範囲を大きく拡げるのを促進する。

【００５６】透明点、低温度における粘度、熱及び紫外
線に対する安定性及び誘電異方性の到達可能な種々の組
み合わせは、従来技術によるこれまでの材料よりも極め
て優れている。

【００５７】高い透明点、低温度におけるネマチック相
及び高いΔεの値に対する要求は従来は不満足な程度で
しか達成することができなかった。例えばＺＬＩ−３１
１９のような系は匹敵する透明点及び比較的好ましい粘
度を有するけれども、それらは僅かに＋０．３のΔε値
しか有しない。

【００５８】他の若干の混合物系が匹敵する粘度及びΔ
εの値を有するけれども、それらは僅かに６０℃の範囲
の透明点しか持たない。

【００５９】本発明に従う液晶混合物は−２０℃まで、
そして好ましくは−３０℃まで、特に好ましくは−４０
℃までの低い温度においてネマチック相を維持しながら
８０℃以上、好ましくは９０℃以上、特に好ましくは１
００℃以上の透明点に達することを可能とし、同時に誘
電異方性の値Δε≧６、好ましくはΔε≧８及び高い比
抵抗値に達することが可能であり、このことは優れたＳ
ＴＮ及びＭＬＣディスプレーに達し得ることを意味す
る。これらの混合物はなかでも低い作動電圧によって特
徴づけられる。それらＴＮ閾値（ＶＩＰ）は２．０ボル
ト以下、好ましくは１．５ボルト以下、特に好ましくは
１．３Ｖよりも低い。

【００６０】本発明に従う混合物の各成分を適当に選ぶ
ことによって比較的高い閾値電圧において高い透明点
（例えば１１０℃以上）に到達することも許容され、或
いは他の有利な諸性質を維持しながら比較的低い閾値電
圧において低い透明点に達することも許容されることは
言うまでもない。粘度が対応的に小さな値だけ上昇した
ときに比較的高いΔεの値、また従って低い閾値電圧の
混合物を得ることが同様に可能である。本発明に従うＭ
ＬＣディスプレーは好ましくはＧｏｏｃｈ及びＴａｒｒ
ｙの第１透過極小〔Ｃ．Ｈ．Ｇｏｏｃｈ及びＨ．
Ａ．Ｔａｒｒｙ：“Ｅｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｌｅｔ
ｔ．”１０，２−４（１９７４）、Ｃ．Ｈ．Ｇｏｏｃｈ
及びＨ．Ａ．Ｔａｒｒｙ：“Ａｐｐｌ．Ｐｈｙ
ｓ．”第８巻、１５７５−１５８４（１９７５）〕にお
いて作動するが、この場合に、類似のディスプレーにお
けると同じ閾値電圧において、例えば特性曲線の勾配の
高いことやコントラストの角度依存性の低いことのよう
な特に好ましい電気光学的諸性質（ドイツ特許３０２２
８１８）に加えて、その第２極小における低い誘電異方
性が充分である。これは本発明に従う混合物を用いた場
合に、その第１極小においてシアノ化合物を含む混合物
よりも著しく高い比抵抗値に達することを許容する。当
業者は個々の成分及びそれらの重量割合を適当に選ぶこ
とによって、ＭＬＣデイスプレーの或る予め特定された
層厚さについて必要な複屈折性を作り出すために簡単な
通常的方法を用いることができる。

【００６１】２０℃における粘度は好ましくは６０ｍＰ
ａ・ｓよりも低く、なかでも好ましくは５０ｍＰａ・ｓ
よりも低い。そのネマチック層の範囲は好ましくは少な
くとも９０℃、特に少なくとも１００℃である。この範
囲は少なくとも−２０℃から＋８０℃までに及ぶ。

【００６２】「容量保持率」〔Ｃａｐａｃｉｔｙｈｏ
ｌｄｉｎｇｒａｔｉｏ〕（ＨＲ）の測定〔Ｓ．Ｍａ
ｔｓｕｍｏｔｏ等：“ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌ
ｓ”５，１３２０（１９８９）、Ｋ．Ｎｉｗａ等：１
９８４年６月のサンフランシスコにおける“Ｐｒｏｃ．
ＳＩＤＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ”、３０４頁（１９８
４）、Ｇ，Ｗｅｂｅｒ等：“ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓ
ｔａｌｓ”５、１３８１（１９８９）〕は本発明に従う
式Ｉの化合物を含む混合物が式Ｉの化合物を下記式

【００６３】

【化２２】のシアノフェニルシクロヘキサン、又は下記式

【００６４】

【化２３】のエステルで置き換えた類似の混合物よりも温度上昇と
ともに著しく低いＨＲの低下が示されたことを示した。

【００６５】本発明に従う混合物の紫外線安定性も著し
く良好であり、すなわちそれらは紫外線にさらしたとき
にＨＲの著しく僅かな上昇しか示さない。

【００６６】本発明に従う媒質は、好ましくは複数種、
好ましくは２種以上の式Ｉの化合物に基づき、すなわち
これら化合物の割合は５−９５％、好ましくは１０−６
０％、そして特に好ましくは２０−５０％の範囲であ
る。

【００６７】本発明に従う媒質において用いることので
きる式ＩないしＸＩ、及びそれらの各従属式の個々の化
合物は公知であるか、又は公知の化合物と同様にして作
ることができる。

【００６８】好ましい具体例のいくつかを以下にあげ
る： ○追加的に、下記一般式ＩＩないしＶ、すなわち

【００６９】

【化２４】〔但しこれらの式においてＲ⁰ は、それぞれ９個まで
の炭素原子を有するｎ−アルキル、オキサアルキル、フ
ルオルアルキル又はアルケニルを表わし、Ｘ⁰ はＦ、
Ｃｌ、ＣＦ₃ 、ＯＣＦ₃ 、ＯＣＨＦ₂ 、ＯＣＨ＝ＣＦ
₂ 、ＯＣＦ＝ＣＦ₂ 、ＯＣＦＨ＝ＣＦ₂ Ｈ、ＯＣＦ₂ −
ＣＦ₂ Ｈ又はＯＣＨ₂ ＣＦ₃ を表わし、Ｙ¹ 及びＹ² は
互いに独立にＨ又はＦを表わし、そしてｒは０又は
１である〕よりなる群から選ばれる１つ以上の化合物を
含む媒質。ここで、式ＩＶの化合物は好ましくは

【００７０】

【化２５】である。 ○追加的に、下記一般式ＶＩないしＸＩ、すなわち

【００７１】

【化２６】〔但しこれらの式においてＲ⁰ 、Ｙ¹ 及びＹ² は、それ
ぞれ互いに独立に、上記一般式ＩＩないしＶに定義した
通りであり、そしてＸ⁰ はＦ、Ｃｌ、ＣＦ₃ 、ＯＣＦ
₃ 、ＯＣＨＦ₂ 、それぞれ７個までの炭素原子を有する
アルキル、オキサアルキル、フルオルアルキル又はアル
ケニルを表わす〕よりなる群から選ばれる１つ以上の化
合物を含む媒質。 ○式ＩないしＶの化合物の割合は、合計して全混合物の
重量の少なくとも５０％である。 ○全混合物の中の式Ｉの各化合物の割合は１０ないし５
０重量％である。 ○全混合物の中の式ＩＩないしＶの各化合物の割合は３
０ないし７０重量％である。 ○下記の式、すなわち

【００７２】

【化２７】は好ましくは

【００７３】

【化２８】である。 ○その媒質は式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ又はＶの化合物を含
む。 ○Ｒ⁰ は２ないし７個の炭素原子を有する直鎖状のアル
キル基又はアルケニル基である。 ○その媒質は本質的に、式ＩないしＶの化合物を含む。 ○その媒質は更に、好ましくは下記一般式ＸＩＩないし
ＸＶＩ、すなわち

【００７４】

【化２９】〔但しこれらの式においてＲ⁰ 及びＸ⁰ は上に定義した
通りであり、そしてそれらの１，４−フェニレン環はＣ
Ｎ、塩素又は弗素によって置換されていることができ、
そしてそれらの１，４フェニレン環は好ましくは弗素原
子によりモノ置換又はポリ置換されている〕よりなる群
から選ばれた種々の化合物を含む。 ○化合物（Ｉ）／化合物（ＩＩ＋ＩＩＩ＋ＩＶ＋Ｖ）の
重量比は好ましくは１／１０ないし１０／１である。 ○その媒質は本質的に一般式ＩないしＸＩよりなる群か
ら選ばれる種々の化合物を含む。

【００７５】本発明者等は、通常の種々の液晶物質と混
合され、但し特別には上記式ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ及び／
又はＶの１つ又はそれ以上の化合物と混合された式Ｉの
化合物の比較的小さな割合でさえもその閾値電圧の顕著
な低下、及び複屈折の低い値をもたらすこと、及び同時
に低いスメクチック／ネマチック転位温度を有する広い
ネマチック相が観測されること、そしてその結果として
貯蔵寿命が改善されることを見出した。式ＩないしＶの
化合物は無色であり、安定であって、相互に、及び他の
液晶物質と容易に混和する。

【００７６】ここで「アルキル」の語は、１ないし７個
の炭素原子を有する直鎖状及び分岐鎖状のアルキル基、
なかでもメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル及びヘプチルの直鎖状基を包含する。一般
に２ないし５個炭素原子を有する基が好ましい。

【００７７】「アルケニル」の語は、２ないし７個の炭
素原子を有する直鎖状及び分岐鎖状のアルキル基、なか
でも直鎖状の基を包含する。好ましいアルケニル基はＣ
₂ −Ｃ₇ の１Ｅ−アルケニル、Ｃ₄ −Ｃ₇ の３Ｅ−アル
ケニル、Ｃ₅ −Ｃ₇ の４−アルケニル、Ｃ₆ −Ｃ₇ の５
−アルケニル及びＣ₇ の６−アルケニルであり、中でも
Ｃ₂ −Ｃ₇ の１Ｅ−アルケニル、Ｃ₄ −Ｃ₇ の３Ｅ−ア
ルケニル及びＣ₅ −Ｃ ₇ の４−アルケニルである。好ま
しいアルケニル基の例は、ビニル、１Ｅ−プロペニル、
１Ｅ−ブテニル、１Ｅ−ペンテニル、１Ｅ−ヘキセニ
ル、１Ｅ−ヘプテニル、３−ブテニル、３Ｅ−ペンテニ
ル、３Ｅ−ヘキセニル、３Ｅ−ヘプテニル、４−ペンテ
ニル、４Ｚ−ヘキセニル、４Ｅ−ヘキセニル、４Ｚ−ヘ
プテニル、５−ヘキセニル、６−ヘプテニル等である。
一般に５個までの炭素原子を有する基が好ましい。

【００７８】「フルオルアルキル」の語は好ましくは末
端弗素原子を有する直鎖状基、すなわちフルオルメチ
ル、２−フルオルエチル、３−フルオルプロピル、４−
フルオルブチル、５−フルオルペンチル、６−フルオル
ヘキシル及び７−フルオルヘプチルを包含する。しかし
ながら他の位置の弗素も除外されない。

【００７９】「オキサアルキル」の語は好ましくは、式
Ｃ_n Ｈ_2n+1−Ｏ−（ＣＨ₂ ）_m においてｎ及びｍがそれ
ぞれ互いに独立に１ないし６であるような直鎖状基を包
含する。ｎは好ましくは１であり、そしてｍは好ましく
は１ないし６である。

【００８０】Ｒ⁰ 及びＸ⁰ を適当に選ぶことによって、
アドレス時間、閾値電圧、透過特性曲線の勾配等を所望
のように修飾することができる。例えば１Ｅ−アルケニ
ル基、３Ｅ−アルケニル基、２Ｅ−アルケニルオキシ基
等は一般に、アルキル基やアルコキシ基に比して短いア
ドレス時間、改善されたネマチック傾向及び弾性定数ｋ
₃₃（曲げ）とｋ₁₁（スプレイ）との比較的高い比率を与
える。４−アルケニル基、３−アルケニル基等は一般
に、アルキル基やアルコキシ基と比較して低い閾値電圧
及び低いｋ₃₃／ｋ₁₁の値を与える。

【００８１】Ｚ² の中の−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −の基は一般
に、単純な共有結合に比して高いｋ₃₃／ｋ₁₁の値をもた
らす。ｋ₃₃／ｋ₁₁の比較的高い値は、例えば９０^o ツイ
ストを有するＴＮセル（灰色色調を与えるための）にお
いて、より平坦な透過特性曲線を、そしてＳＴＮ、ＳＢ
Ｅ及びＯＭＩセルにおいて、より急勾配の透過特性曲線
（より大きなマルチプレックス能）を与え、またその逆
もまた同じとなる。

【００８２】式Ｉの化合物と式ＩＩ＋ＩＩＩ＋ＩＶ＋Ｖ
の各化合物との最適の混合比は実質的に所望の諸性質、
それら式Ｉ値ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ及び／又はＶの化合物
の選択及び他の存在し得る諸成分の選択に依存する。上
述の範囲内での好適な混合比はそのときどきに容易に求
めることができる。

【００８３】本発明に従う混合物の中の式ＩないしＸＩ
の化合物の合計量は決定的ではない。従って各混合物は
種々の性質を最適化するために１つ又はそれ以上の他の
成分を含むことができる。しかしながらアドレス時間及
び閾値電圧について観測された効果は一般に、式Ｉない
しＸＩの化合物の合計濃度が高ければ高い程大きい。

【００８４】特に好ましい具体例の１つでは、本発明に
従う媒質は式ＩＩないしＶ（好ましくはＩＩ及び／又は
ＩＩＩ）においてＸ⁰ がＯＣＦ₃ 、ＯＣＨＦ₂ 、Ｆ、Ｏ
ＣＨ＝ＣＦ₂ 、ＯＣＦ＝ＣＦ₂ 又はＯＣＦ₂ −ＣＦ₂ Ｈ
であるような化合物を含む。式Ｉの化合物との好ましい
相乗効果が特に有利な種々の性質をもたらす。

【００８５】ＳＴＮへの用途には、その媒質は好ましく
は、式ＩＩないしＶにおいてＸ⁰ が好ましくはＯＣＨＦ
₂ 又はＣＮである化合物よりなる群から選ばれる化合物
を含む。

【００８６】本発明に従う媒質は更に、誘電異方性の値
が−１．５から＋１．５までである下記一般式Ｉ’

【００８７】

【化３０】（但しこの式においてＲ¹ 及びＲ² はそれぞれ互いに独
立に、９個までの炭素原子を有するｎ−アルキル、ｎ−
アルコキシ、ω−フルオルアルキル又はｎ−アルケニル
であり、

【００８８】

【化３１】はそれぞれ互いに独立に、１，４−フェニレン、２−又
は３−フルオル−１，４−フェニレン、ｔｒａｎｓ−
１，４−シクロヘキシレン又は１，４−シクロヘキセニ
レンを表わし、Ｚ^1'及びＺ^2'はそれぞれ互いに独立に、
−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−
ＣＯ−又は単結合を表わし、そしてｎは０、１又は２を
表わす）の１つ又はそれ以上の化合物を含む成分Ａを含
有することができる。

【００８９】成分Ａは好ましくは下記式ＩＩ１ないしＩ
Ｉ７

【００９０】

【化３２】（これらの式においてＲ¹ 及びＲ² は式Ｉ’について定
義したと同じである）よりなる群から選ばれた１つ又は
それ以上の化合物を含む。

【００９１】成分Ａは好ましくは追加的に、下記式ＩＩ
８ないしＩＩ２０

【００９２】

【化３３】

【００９３】

【化３４】（これらの式においてＲ¹ 及びＲ² は式Ｉ’について定
義したと同じであり、そして式ＩＩ８ないし式ＩＩ１７
において各１，４−フェニレン基は互いに独立に弗素に
よりモノ置換又はポリ置換されていてもよい）よりなる
群から選ばれた１つ又はそれ以上の化合物を含む。

【００９４】更にまた、成分Ａは追加的に、下記式ＩＩ
２１ないしＩＩ２５

【００９５】

【化３５】（これらの式においてＲ¹ 及びＲ² は式Ｉ’について定
義したと同じであり、そしてそれら式ＩＩ２１ないしＩ
Ｉ２５の中の各１，４−フェニレン基はそれぞれ互いに
独立に弗素によってモノ置換又はポリ置換されていても
よい）よりなる群から選ばれる１つ又はそれ以上の化合
物を含む。

【００９６】正の誘電異方性値を有する各極性化合物の
型及びその量はそれ自身決定的ではない。当業者は、公
知であって多くの場合には市販で入手できる各成分及び
基礎混合物の広い範囲の中から適当な物質を選ぶのに簡
単な日常的実験を用いることができる。本発明に従う各
媒質は好ましくは下記式Ｉ”

【００９７】

【化３６】〔この式においてＺ^1'、Ｚ^2'及びｎは式Ｉ’について定
義したと同じであり、

【００９８】

【化３７】はそれぞれ互いに独立に１，４−フェニレン、ｔｒａｎ
ｓ−１，４−シクロヘキシレン又は３−フルオル−１，
４−フェニレンであり、そして

【００９９】

【化３８】は択一的にｔｒａｎｓ−１，３−ジオキサン−２，５−
ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，
５−ジイル又は１，４−シクロヘキセニレンであり、Ｒ
⁰ は、いずれも９個までの炭素原子を有する、ｎ−アル
キル、ｎ−アルケニル、ｎ−アルコキシ又はｎ−オキサ
アルキルであり、Ｙ¹ 又はＹ² はＨ又はＦを表わし、そ
してＸ’はＣＮ、ハロゲン、ＣＦ₃ 、ＯＣＦ₃ 又はＯＣ
ＨＦ₂ を表わす〕の１つ又はそれ以上の化合物を含む。

【０１００】好ましい具体例の１つにおいてＳＴＮ又は
ＴＮに用いるための本発明に従う各媒質は式Ｉ”におい
てＸ’がＣＮである化合物に基づく。より少ない、又は
より大きい割合の式Ｉ”の他の化合物（Ｘ’≠ＣＮ）も
可能であることは言うまでもない。ＭＬＣに用いるため
の本発明に従う各媒質は好ましくは、僅かに約１０％ま
での式Ｉ”のニトリル化合物（但し好ましくは、式Ｉ”
のニトリル化合物ではなくてその代わりに式Ｉ’におい
てＸ’がハロゲン、ＣＦ₃ 、ＯＣＦ₃ 又はＯＣＨＦ₂ で
ある化合物）を含む。これらの媒質は好ましくは式ＩＩ
ないしＸＩの各化合物に基づく。

【０１０１】本発明に従う各媒質は、スイッチングに際
してピクセルの容量の変化が僅かであることが望まれる
ような用途（例えばＭＩＭディスプレーやＴＦＴディス
プレー等）のためには好ましくは −６ ≦Δε≦ −１．５の範囲の誘電異方性値を有する１つ以上の下記式Ｉ'”

【０１０２】

【化３９】〔この式においてＲ¹ 、Ａ¹ 、Ｚ^1'、Ａ² 、Ｚ^2'、ｎ及
びＲ² は式Ｉ’について説明した通りである〕の化合物
を含む。

【０１０３】下記式Ｉ１'”ないしＩ３'”

【０１０４】

【化４０】の化合物が好ましい。

【０１０５】本発明に従うＳＴＮディスプレー及びＭＬ
Ｃディスプレーの、ポーラライザ、電極基板及び表面処
理した種々の電極からなる構造はこの型の各種ディスプ
レーについて慣用的である構造に相当する。ここで「慣
用的構造」の語は広い意味で用いられ、そしてＭＬＣデ
ィスプレーの全ての誘導型装置及び修飾型装置をも包含
し、特にポリ−ＳｉＴＦＴ又はＭＩＭに基づくマトリッ
クスディスプレー要素をも包含する。

【０１０６】しかしながら本発明に従う各種ディスプレ
ーとねじれネマチックセルに基づく従来の慣用的なそれ
らとの間の本質的差異の１つはその液晶層内の各種液晶
パラメータの選択である。

【０１０７】本発明に従い使用することのできる液晶混
合物は従来の慣用的な態様で作られる。一般に、比較的
少ない量で用いられる各成分の所望量を主要な構成成分
をなすいくつかの成分の中に、好都合には高められた温
度において溶解させる。各種成分の、例えばアセトン、
クロロホルム、又はメタノールのような有機溶剤の中の
溶液を混合し、そして充分に混合した後で再びその溶剤
を、例えば蒸留によって除去することも可能である。

【０１０８】それら誘電体はまた、当業者に知られてい
て文献に記述されている他の種々の添加剤をも含むこと
ができる。例えば、０ないし１５％の、多色性染料又は
キラルドープ剤を添加することができる。

【０１０９】以下にあげる表においてＣは結晶相を、Ｓ
はネマチック相を、Ｓ_C はスメクチックＣ相を、Ｎはネ
マチック相を、Ｉは等方性相を表わす。

【０１１０】Ｖ₁₀は１０％透過（プレート表面に対して
垂直な視角）に対する電圧をあらわす。ｔ_onは、Ｖ₁₀の
値の２．５倍に相当する作動電圧におけるスイッチオン
時間を、そしてｔ_off はスイッチオフ時間を表わす。Δ
ｎは光学異方性の値を、そしてｎ₀ は屈折率を表わす。
Δεは誘電異方性（Δε＝ε‖−ε⊥、但しε‖は分子
の長手軸に平行方向の誘電率で、ε⊥はこれと垂直方向
の誘電率である）を表わす。電気光学的諸データは特に
別に言及しない限り、２０℃における第１極小において
（すなわちｄ・Δｎ値が０．５において）ＴＮセルの中
で測定した。光学的諸データは特に別に言及しない限り
２０℃において測定した。

【０１１１】この応用例及び以下にあげる諸例において
各液晶化合物の構造は略記号で示してあるが、その化学
式への変換は以下の表２ないし表７に従う。Ｃ_n Ｈ_2n+1
及びＣ_m Ｈ_2m+1の基は全てｎ又はｍ個の炭素原子を含む
直鎖状アルキル基である。表４ないし７にあげた記号法
は自明である。表２ないし３においては基礎構造につい
ての略記号だけをあげてある。個々の場合においてその
基礎構造についての略記号に、ハイフンで隔てて各置換
基Ｒ¹ 、Ｒ² 、Ｌ¹ 及びＬ² についての記号が後続して
いる。

【０１１２】

【表１】

【０１１３】

【表２】

【０１１４】

【表３】

【０１１５】

【表４】

【０１１６】

【表５】

【０１１７】

【表６】

【０１１８】

【表７】

【０１１９】

【実施例】以下に本発明を実施例によって説明するが、
これらは本発明になんら制限を与えることを意図するも
のではない。以上及び以下において％の値は重量基準で
ある。温度は全て摂氏温度であり、ｍ．ｐ．は融点を、
そしてｃ．ｐ．は透明点を表わす。またＣは結晶状態
を、Ｎはネマチック相を、Ｓはスメクチック相を、そし
てＩは等方性相を表わす。これらの記号の間に挿入され
ている数字は転位温度を表わす。Δｎは光学異方性（５
８９ｎｍ、２０℃）を、そして粘度（ｍｍ² ／ｓｅｃ）
は２０℃において測定した値である。

【０１２０】「通常的に後処理する」は、もし必要の場
合、水を加え、その混合物をジクロルメタン、ジエチル
エーテル、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテル又はトル
エンで抽出し、その有機相を分離し、乾燥して蒸発さ
せ、そしてその生成物を減圧のもとで蒸留するか、又は
結晶化及び／又はクロマトグラフィーによって精製する
ことを意味する。下記の省略記号を用いる：ＤＭＥＵ１，３−ジメチル−２−イミダゾリジ
ノンＰＯＴカリウムｔｅｒｔ−ブトキシドＴＨＦテトラヒドロフランｐＴＳＯＨｐ−トルエンスルホン酸例１

【０１２１】

【化４１】段階１．１

【０１２２】

【化４２】３００ｍｌのＤＭＥＵの中に溶解させた０．４モルの４
−ブロム−２，６−ジフルオルフェノール及び０．０４
モルのナトリウム４−ブロム−２，６−ジフルオルフェ
ノキシドをオートクレーブに入れ、テトラフルオルエチ
レン（０．３８５モル）を飽和させ、そして３日間にわ
たり１２０℃において攪拌する。この混合物を水の中に
流し込んでメチル−ｔｅｒｔ−ブチルエーテルで抽出す
る。有機相を分離し、水で洗浄し、そして硫酸ナトリウ
ムの上で乾燥させる。溶媒を回転蒸発機の上で除去し、
そして残渣をシリカゲル／フリットの上に移す（石油エ
ーテル５０−７０^o ）。この生成物を最終的に真空フラ
クション蒸留によって精製する。沸点＝７０℃／５ミリ
バール段階１．２

【０１２３】

【化４３】２００ｍｌのＴＨＦの中に０．０５５モルの１−（１，
１，２，２−テトラフルオルエトキシ）−４−ブロム−
２，６−ジフルオルベンゼンを溶解し、そして０．０５
モルの燐酸２水素カリウム、０．１０モルの燐酸水素ナ
トリウム及び１００ｍｌの水よりなる緩衝液を加え、次
いで０．０５モルの４−ｔｒａｎｓ−（４−ペンチルシ
クロヘキシル）−２，６−ジフルオルフェニル硼酸を加
える。この混合物を６０℃において２分間加熱する。

【０１２４】０．８ミリモルのテトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（０）を加え、そしてこの混
合物を２４時間還流させる。この混合物を室温まで冷却
し、そして有機相を分離して水性相をメチルｔｅｒｔブ
チルエーテルで抽出する。得られた有機抽出物を水で洗
浄し、そして硫酸ナトリウムの上で乾燥させる。溶媒を
除去し、そして残渣をフラッシュクロマトグラフィーに
よって精製する。最後に、その生成物をｎ−ヘキサンか
ら再結晶させる。Ｃ７５Ｎ８８Ｉ段階１．３

【０１２５】

【化４４】前記段階１．２からの生成物０．０２６モルを１２０ｍ
ｌのＴＨＦの中に溶解し、そしてＮ₂ ガスのもとで−７
０℃においてリチウムジイソプロピルアミド溶液（５０
ｍｌのＴＨＦの中で０．０５５モルのｎ−ＢｕＬｉ及び
０．０５６ｍｌのジイソプロピルアミンから調製した）
を加える。この混合物を−７０℃において０．５時間攪
拌し、次いで室温まで温度上昇させる。飽和塩化アンモ
ニウム溶液を加え、そしてその有機相を分離し、次いで
その水性相をメチルｔｅｒｔブチルエーテルで抽出す
る。合一した有機抽出物を飽和塩化ナトリウム溶液で洗
浄し、そして硫酸ナトリウムの上で乾燥させる。溶媒を
回転蒸発器の上で除去し、そして残渣をシリカゲル圧力
カラム（ｎ−ヘキサン）によって精製する。最後に、そ
の生成物をｎ−ヘキサンから再結晶する。Ｃ６３Ｉ；Δ
ｎ＝＋０．１１１、Δε＝１４．７５下記式

【０１２６】

【化４５】の下記の各化合物を同様にして調製する：

【０１２７】

【表８】例２

【０１２８】

【化４６】段階２．１

【０１２９】

【化４７】０．１１モルの１−（１，１，２，２−テトラフルオル
メトキシ）−４−ブロム−２，６−ジフルオルベンゼン
を上記段階１．２と同様に、０．１モルの４−ｔｒａｎ
ｓ−（４−プロピルシクロヘキシル）−２−フルオルフ
ェニル硼酸と、テトラキス（トリフェニルホスフィン）
パラジウム（０）の存在のもとに反応させる。段階２．２

【０１３０】

【化４８】ＬＤＡを用いてＨＦの除去を前記段階１．３と同様に実
施する。下記式

【０１３１】

【化４９】の下記の各化合物を同様にして調製する：

【０１３２】

【表９】例３

【０１３３】

【化５０】段階３．１

【０１３４】

【化５１】窒素ガスのもとで０．６３モルのナトリウム４−ブロム
−２，６−ジフルオルフェノキシドを５００ｍｌのＤＭ
ＥＵの中に溶解し、そしてこの溶液を１４０℃に加熱す
る。０．５時間の間に０．６３モルの２，２，２−トリ
フルオルエチルメシレートを滴加し、そしてその混合物
を１夜１４０℃において攪拌する。この反応混合物を室
温まで冷却し、そして２リットルの水の中へ流し込む。
エーテルで抽出した後、エーテル相をまず最初５％濃度
の水酸化ナトリウム溶液で、次に水で洗浄し、そして硫
酸ナトリウムの上で乾燥させる。この溶液を蒸発させ、
そして残渣を蒸留する。段階３．２

【０１３５】

【化５２】１００ｍｌのＴＨＦの中の０．０５モルのｐ−ｔｒａｎ
ｓ−（４−プロピルシクロヘキシル）−２，６−ジフル
オルフェニル硼酸と０．０５５モルの１−（２，２，２
−トリフルオルエトキシ）−４−ブロム−２，６−ジフ
ルオルベンゼンとを攪拌しながら４０℃に加温する。こ
の溶液に１３．５ｍｌの緩衝溶液（ｐＨ＝８）を加え、
０，３３ｇのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パ
ラジウム（０）を加え、そしてこの混合物を１．５時間
還流させる。４硼酸２ナトリウム１０水和物の溶液（４
％）１５０ｍｌを加え、そしてそのｐＨを６．５と７．
５との間に保つ。この混合物を室温まで冷却させ、そし
て水及びｔｅｒｔブチルメチルエーテルを加える。その
有機相を分離し、そしてその水性相をｔｅｒｔ−ブチル
メチルエーテルで抽出する。合一した有機エーテル抽出
物を通常的に後処理する。段階３．３

【０１３６】

【化５３】前記段階３．２からのトリフルオルエトキシベンゼン誘
導体の０．０２モルを窒素雰囲気のもとに７５ｍｌのＴ
ＨＦの中に溶解し、そしてこの溶液を−７０℃に冷却
し、この反応溶液に０．０４５ｍｌのリチウムジイソプ
ロピルアミド溶液（２モル／リットルの溶液）を０．５
時間にわたって滴加する。この混合物を更にもう１時間
−７０℃において攪拌する。この溶液を次に−３０℃ま
で温め、そして１０％濃度の炭酸水素ナトリウム溶液３
０ｍｌを滴加する。水及びメチルｔｅｒｔブチルエーテ
ルを加え、ついで合一した有機相を分離し、そしてその
水性相をｔｅｒｔブチルメチルエーテルで何回も抽出す
る。合一した有機相を水で抽出し、そして通常的に後処
理する。この生成物をフラッシュクロマトグラフィー
（ヘキサン／酢酸エチル＝３０／１）により精製する。
最後にこの生成物をｎ−ヘキサンから再結晶する。Ｃ８
７Ｎ９１．５Ｉ；Δｎ＝＋０．１２６、Δε＝１７．７
５下記式

【０１３７】

【化５４】の下記の各化合物を同様にして調製する：

【０１３８】

【表１０】

【０１３９】

【表１１】例４

【０１４０】

【化５５】段階４．１

【０１４１】

【化５６】１．１リットルのＴＨＦの中に２．２モルの１−ブロム
−３−フルオルベンゼンを含む溶液に窒素雰囲気のもと
で室温において２．２モルのマグネシウム切削片及び少
量のヨードを加える。この混合物を次に１時間にわたり
還流する。２モルの４−ｎ−プロピルシクロヘキサノン
を滴加し、そしてこの混合物を更にもう１時間還流す
る。この反応混合物を３０℃まで冷却させ、そしてこれ
を３４５ｇの塩化マグネシウム、５リットルの水、３リ
ットルのトルエン及び１ｋｇの氷よりなる混合物の中へ
流し込む。次にこの混合物をＨＣｌで酸性にし、そして
その有機相を分離して通常的に後処理する。

【０１４２】この生成物２モルを２リットルのトルエン
に溶解し、１２ｇのｐ−トルエンスルホン酸を加え、そ
してこの混合物を水分離器の上で１．５時間にわたり沸
騰させる。この混合物を室温まで冷却し、水を加え、そ
してその有機相を分離して通常的に後処理する。段階４．２

【０１４３】

【化５７】上記段階４．１からのシクロヘキセン誘導体１．７１モ
ルを５リットルのエタノールの中に溶解し、５０ｇのＰ
ｄ／Ｃ（５％）を加え、そしてこの混合物を水素化す
る。触媒を濾過分離し、そして濾液を蒸発乾固させる。
残渣を０．５リットルのｎ−ヘプタンの中に溶解し、そ
してシリカゲルを含むガラスフリットを通して吸引濾過
する。その濾液を回転蒸発器の上で蒸発乾固させる。段階４．３

【０１４４】

【化５８】１．５リツトルの１−メチル−２−ピロリジンに１００
ｇのカリウムｔｅｒｔブトキシドを室温において攪拌し
ながら加える。

【０１４５】１．５モルのｔｒａｎｓ−４−プロピルシ
クロヘキシル−３−フルオルベンゼンを加え、そしてそ
の反応混合物に更に５００ｍｌのＮＭＰを加える。この
混合物を次に６０℃において３時間攪拌する。この反応
混合物を氷１．５ｋｇ及び１１５ｍｌのＨＣｌの上に流
し込む。８００ｍｌのｎ−ヘキサンを加え、その有機相
を分離し、そしてその水性相をｎ−ヘキサンで何回も洗
浄する。合一した有機抽出物を通常的に後処理する。段階４．４

【０１４６】

【化５９】０．１２５モルのｔｒａｎｓ−４−プロピルシクロヘキ
シルフルオルベンゼンと、２５０ｍｌのＴＨＦと、及び
０．１３７モルのカリウムｔｅｒｔブトキシドとよりな
る混合物を−１００℃に冷却する。次いで０．１４モル
のｎ−ＢｕＬｉ（ｎ−ヘキサン中１５％濃度）を−９０
℃から−１００℃までにおいて４０分間にわたり滴加す
る。この混合物を次に−１００℃において０．５時間攪
拌し、そして−３５℃まで温め、次いでこの混合物に１
８％濃度の塩酸１００ｍｌを滴加する。更に１８％濃度
塩酸２００ｍｌを加え、そしてその有機相を分離する。
その水性相をトルエンで何回も抽出する。その合一した
有機相を通常的に後処理する。段階４．５

【０１４７】

【化６０】５０ｍｌのエタノールの中の０．０６２モルのｔｒａｎ
ｓ−４−ｎ−プロピルシクロヘキシルベンゼン硼酸に
０．０６２モルの２，６−ジフルオル−４−（２’，
２’，２’−トリフルオルエトキシ）ブロムベンゼン、
１１０ｍｌのトルエン、０．６２モルのテトラキス（ト
リフェニルホスフィン）パラジウム（０）及び炭酸ナト
リウム水溶液（５０ｍｌのＨ₂ Ｏの中の１２．９ｇのＮ
ａ₂ ＣＯ₃ ）を順に加え、そしてこの混合物を還流のも
とに４時間攪拌する。この混合物を氷冷しながら３７％
濃度の塩酸２７ｍｌと水３７ｍｌとよりなる水溶液によ
って酸性化する。その有機相を分離し、そしてその水性
相をトルエンとともに何回も震とうすることによって抽
出する。合一した有機抽出物を次に通常的に後処理す
る。最後にその粗生成物をフラッシユクロマトグラフィ
ー（ヘキサン／酢酸エチル＝３０／１）によって精製す
る。段階４．６

【０１４８】

【化６１】上記段階４．５からの生成物（０．０２モル）を７５ｍ
ｌのＴＨＦの中に溶解し、そして攪拌しながら−７０℃
に冷却する。０．０４５ｍｌのリチウムジイソプロピル
アミドの溶液（２モル／リットル）を−７０℃から−６
５℃までにおいて２０分間にわたり滴加する。この混合
物を更に−６５℃において１時間攪拌し、そして−３０
℃まで加温する。１０％濃度の炭酸水素ナトリウム溶液
３０ｍｌを滴加する。この混合物を水で稀釈してｔｅｒ
ｔブチルメチルエーテルで抽出する。合一した有機抽出
物を水とともに震盪することによって洗浄し、そして硫
酸ナトリウムの上で乾燥させる。その溶媒を回転蒸発器
の上で除去し、そしてその残渣をフラッシュクロマトグ
ラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝３０／１）によって
精製する。Ｃ３６Ｎ７９．９Ｉ；Δｎ＝＋０．１４６、
Δε＝１３．８下記式

【０１４９】

【化６２】の下記の各化合物を同様にして調製する：

【０１５０】

【表１２】

【０１５１】

【表１３】

【０１５２】

【表１４】例５

【０１５３】

【化６３】段階５．１

【０１５４】

【化６４】０．２２モルの４−ｎ−ペンチルフェニル硼酸を１５０
ｍｌのエタノールの中に溶解し、そしてこれに０．２モ
ルの１−ブロム−３，５−ジフルオルベンゼン、４００
ｍｌのトルエン、１．６５ｇのテトラキス（トリフェニ
ルホスフィン）パラジウム（０）及び水１５０ｍｌと５
１，６ｇの炭酸ナトリウムとからなる溶液を順に加え
る。この混合物を次に６５時間にわたり還流し、そして
９００ｍｌの水の中に流し込み、１７０ｍｌのＨＣｌを
氷を加えながら注意深く添加し、そしてその有機相を分
離する。その水性相をトルエンで抽出し、そして合一し
た有機相を水で抽出し、次いで通常的に後処理する。段階５．２

【０１５５】

【化６５】１２５ｍｌのＴＨＦの中の０．０９モルの４−ｎ−ペン
チル−３’，５’−ジフルオルビフェニルを窒素雰囲気
のもとで攪拌しながら−７０℃に冷却する。ｎ−ブチル
リチウム（ｎ−ヘキサン中１５％濃度）の０．１モルを
１時間にわたり滴加し、そしてこの混合物を次に更に１
時間攪拌する。３５ｍｌのＴＨＦの中の０．１モルのヨ
ードを加え、そしてこの混合物を−７０℃において更に
０．５時間攪拌する。この混合物を−５℃まで温め、そ
してまず最初５０ｍｌの水を、次いで３７％濃度の重亜
硫酸ナトリウム溶液５．４ｍｌをその反応混合物に滴加
する。この反応混合物を攪拌しながら４５０ｍｌの水と
２００ｍｌのトルエンとの中に流し込む。その有機相を
分離し、そして通常的に後処理する。段階５．３

【０１５６】

【化６６】１６０ｍｌのＴＨＦの中の０．３６モルの１−（２，
２，２−トリフルオルエトキシ）−４−ブロム−２，６
−ジフルオルベンゼンを攪拌しながらゆっくりと０．３
６モルのマグネシウム切削片及び少量のヨードに窒素雰
囲気のもとで滴加する。この混合物を次に１時間にわた
り還流し、次いでこれを室温まで冷却させて０．４モル
の硼酸トリメチル及び６０ｍｌのＴＨＦを加え、そして
この混合物を１５−２０℃において０．５時間攪拌す
る。２５０ｍｌのｔｅｒｔブチルメチルエーテルを加
え、そしてこの混合物をＨＣｌで酸性化する。その有機
相を分離し、そして通常的に後処理する。段階５．４

【０１５７】

【化６７】３６ｍｌのエタノールの中の０．０５モルの１−（２，
２，２−トリフルオルエトキシ）−２，５−ジフルオル
フェニル−４−硼酸に、０．０４５モルの４−ｎ−ペン
チル−３’，５’−ジフルオル−４’−ヨードビフェニ
ル、８５ｍｌのトルエン、３６ｍｌの水の中に１１．６
ｇの炭酸ナトリウムを含む溶液、及び最後に０．５ｇの
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム
（０）を順に加える。この混合物を４４時間還流し、１
５０ｍｌの水及び２０ｍｌの塩酸を加え、そしてその有
機相を分離する。その水性相をトルエンとともに震盪す
ることにより抽出し、そしてその合一した有機相を次に
通常的に後処理する。この生成物をｎ−ヘキサンから再
結晶する。段階５．５

【０１５８】

【化６８】上記段階５．４からの２，２，２−トリフルオルエトキ
シターフェニルの２３ミリモルを窒素雰囲気のもとに１
２０ｍｌのＴＨＦの中に溶解し、そして−７０℃に冷却
する。これにまず最初リチウムドイソプロピルアミド溶
液（２モル／リットル）の２７ｍｌを攪拌しながら滴加
する。この混合物を−６０℃から−７０℃までにおいて
１時間にわたり攪拌し、そして−３０℃まで温める。飽
和重炭酸ナトリウム溶液によって加水分解した後、その
混合物をｔｅｒｔブチルメチルエーテルで抽出する。そ
の有機相を分離し、水で洗浄し、そして通常的に後処理
する。この生成物をｎ−ペンタンから再結晶する。Ｃ８
２Ｉ；Δｎ＝＋０．２０４、Δε＝２３．４３下記式

【０１５９】

【化６９】の下記の各化合物を同様にして調製する：

【０１６０】

【表１５】

【０１６１】

【表１６】混合物例例Ａ

【０１６２】

【表１７】例Ｂ

【０１６３】

【表１８】例Ｃ

【０１６４】

【表１９】例Ｄ

【０１６５】

【表２０】例Ｅ

【０１６６】

【表２１】例Ｆ

【０１６７】

【表２２】例Ｇ

【０１６８】

【表２３】例Ｈ

【０１６９】

【表２４】例Ｉ

【０１７０】

【表２５】例Ｊ

【０１７１】

【表２６】例Ｋ

【０１７２】

【表２７】例Ｌ

【０１７３】

【表２８】例Ｍ

【０１７４】

【表２９】例Ｎ

【０１７５】

【表３０】例Ｏ

【０１７６】

【表３１】例Ｐ

【０１７７】

【表３２】例Ｑ

【０１７８】

【表３３】例Ｒ

【０１７９】

【表３４】例Ｓ

【０１８０】

【表３５】例Ｔ

【０１８１】

【表３６】例Ｕ

【０１８２】

【表３７】例Ｖ

【０１８３】

【表３８】例Ｗ

【０１８４】

【表３９】例Ｘ

【０１８５】

【表４０】例Ｙ

【０１８６】

【表４１】例Ｚ

【０１８７】

【表４２】例α

【０１８８】

【表４３】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０９Ｋ 19/54 Ｚ 9279−4ＨＧ０２Ｆ 1/13 ５００ (72)発明者ヘルベルトプラハドイツ連邦共和国 64287 ダルムシュタットウィンゲルツベルクシュトラーセ５ (72)発明者エケハルトバルトマンドイツ連邦共和国 64390 エルツハウゼンディーブルガーヴェーク 12アー

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】正の誘電異方性を有する極性化合物の混
合物に基づく液晶媒質において、これが、１つ以上の下
記一般式Ｉ、すなわち【化１】の化合物含み、但しこの式においてＲは水素、又は
置換されていない、又はＣＮ又はＣＦ₃ によってモノ置
換されているか、或いはハロゲンによって少なくともモ
ノ置換されている、１ないし１５個の炭素原子を有する
アルキル基又はアルケニル基であって、これらの基の中
の１つ以上のＣＨ₂ 基はいずれも互いに独立に−Ｏ−、
−Ｓ−、【化２】 −ＣＯ−、−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−ＣＯ−、又は−Ｏ−Ｃ
Ｏ−Ｏ−によって、各酸素原子が互いに直接に結合する
ことがないような態様で置き換えられていることがで
き、Ａ¹ 及びＡ² は互いに独立に、ａ）トランス−１，４−シクロヘキシレン基であって、
このものの非隣接の１つ以上のＣＨ₂ 基は−Ｏ−及び／
又は−Ｓ−により置き換えられていてもよく、ｂ）１，４−フェニレン基であって、このものの１つ又
は２つのＣＨ基はＮにより置き換えられていてもよく、
又はｃ）１，４−シクロヘキセニレン、１，４−ビシクロ
（２・２・２）オクチレン、ピペリジン−１，４−ジイ
ル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナフタレ
ン−２，６−ジイル及び１，２，３，４−テトラヒドロ
ナフタレン−２，６−ジイルよりなる群からの残基であ
り、その際上記のａ）及びｂ）の残基は１個又は２個の
弗素原子によって置換されていることができ、Ｚ¹ 及び
Ｚ² はそれぞれ互いに独立に−ＣＯ−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ
Ｏ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂ −、−ＣＨ₂ ＣＨ₂
−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合であって、
Ｚ¹ 及びＺ² の残基の一方は二者択一的に−（ＣＨ₂）₄
−又は−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂ ＣＨ₂ −であり、Ｘ
は水素又は弗素であり、Ｌ¹ 、Ｌ² 及びＬ³ は互いに独
立に水素又は弗素であり、そしてｍは０又は１であ
ることを特徴とする液晶媒質。
【請求項２】追加的に、下記の各一般式ＩＩ、ＩＩ
Ｉ、ＩＶ及びＶ、すなわち【化３】よりなる群から選ばれる１つ以上の化合物を含み、その
際これらの式においてＲ⁰ は、それぞれ７個までの炭
素原子を有するｎ−アルキル、オキサアルキル、フルオ
ルアルキル又はアルケニルを表わし、Ｘ⁰ はＦ、Ｃ
ｌ、ＣＦ₃ 、ＯＣＦ₃ 、ＯＣＨＦ₂ 、ＯＣＨ＝ＣＦ₂ 、
ＯＣＦ＝ＣＦ₂ 、ＯＣＦＨ＝ＣＦ₂ Ｈ、ＯＣＦ₂ −ＣＦ
₂ Ｈ又はＯＣＨ₂ ＣＦ₃ を表わし、Ｙ¹ 及びＹ² は互い
に独立にＨ又はＦを表わし、そしてｒは０又は１で
ある請求項１の媒質。
【請求項３】追加的に、下記の各一般式ＶＩないしＸ
Ｉ、すなわち【化４】よりなる群から選ばれる１つ以上の化合物を含み、その
際これらの式においてＲ ⁰ 、Ｙ¹ 及びＹ² は、それぞれ
互いに独立に、請求項２において定義した通りであり、
そしてＸ⁰ はＦ、Ｃｌ、ＣＦ₃ 、ＯＣＦ₃ 、ＯＣＨＦ
₂ 、それぞれ７個までの炭素原子を有するアルキル、オ
キサアルキル、フルオルアルキル又はアルケニルを表わ
す、請求項１又は２の媒質。
【請求項４】式ＩないしＶの化合物の合計割合が全混
合物の重量の少なくとも５０％である、請求項２の媒
質。
【請求項５】式Ｉの化合物の割合が全混合物の重量の
３ないし８０％である、請求項２の媒質。
【請求項６】式ＩＩないしＶの化合物の割合が全混合
物の重量の２０ないし８０％である、請求項２ないし４
のいずれかの媒質。
【請求項７】本質的に、一般式ＩないしＸＩの群から
選ばれた化合物を含む、請求項１ないし３のいずれかの
媒質。
【請求項８】下記式Ｉ３、すなわち【化５】の化合物を含み、その際この式においてＲ及びＸは請求
項１に定義した通りであり、そしてＬは水素又は弗素で
ある、請求項１又は２の媒質。
【請求項９】下記式Ｉ６、すなわち【化６】の化合物を含み、その際この式においてＲ及びＸは請求
項１に定義した通りであり、そしてＬは水素又は弗素で
ある、請求項１又は２の媒質。
【請求項１０】請求項１の液晶媒質を電気光学的用途
に使用する方法。
【請求項１１】請求項１の液晶媒質を含む電気光学的
液晶ディスプレー。
【請求項１２】請求項１に記載の一般式Ｉの化合物。
【請求項１３】下記式【化７】においてＲ及びＸが請求項１において定義した通りであ
り、そしてＬがＨ又はＦである化合物。
【請求項１４】下記式Ｉ６【化８】においてＲ及びＸが請求項１に定義した通りである化合
物。