JPH0782097A - 超格子構造を有する強誘電体薄膜及び該薄膜を備える赤外線センサ・圧力センサ - Google Patents
超格子構造を有する強誘電体薄膜及び該薄膜を備える赤外線センサ・圧力センサInfo
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- JPH0782097A JPH0782097A JP5174933A JP17493393A JPH0782097A JP H0782097 A JPH0782097 A JP H0782097A JP 5174933 A JP5174933 A JP 5174933A JP 17493393 A JP17493393 A JP 17493393A JP H0782097 A JPH0782097 A JP H0782097A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電体薄膜において、格子定数の差により、
薄膜表面の面内方向に格子歪による圧力を発生させ、こ
れにより、構成イオンの定常位置の変位を人工的に大き
くすることができる超格子構造を有する強誘電体薄膜並
びに、この薄膜を備える特性の優れた赤外線センサ及び
圧力センサを提供する。 【構成】 異なる格子定数の強誘電体を少なくとも２種
類交互に積層して強誘電体薄膜を構成する。
薄膜表面の面内方向に格子歪による圧力を発生させ、こ
れにより、構成イオンの定常位置の変位を人工的に大き
くすることができる超格子構造を有する強誘電体薄膜並
びに、この薄膜を備える特性の優れた赤外線センサ及び
圧力センサを提供する。 【構成】 異なる格子定数の強誘電体を少なくとも２種
類交互に積層して強誘電体薄膜を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超格子構造を有する強
誘電体薄膜並びにこの強誘電体薄膜を備える赤外線セン
サ及び圧力センサに関する。
誘電体薄膜並びにこの強誘電体薄膜を備える赤外線セン
サ及び圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電体では、正規位置からの各構成原
子の変位量が大きいほど、大きな誘電特性（誘電率及び
自発分極率等）を示すことが知られている。図６及び図
７は、それぞれ代表的な強誘電体であるＰｂＴｉＯ3 及
びＢａＴｉＯ3 の結晶構造の模式図を示し、これらの模
式図及びイオンの変位量から自発分極率が次のように算
出される。 （１） ＰｂＴｉＯ3 の場合 単位胞当たりの双極子モーメントの総和 Ｐ＝８×（２ｅ／８）×０．４７×１０-10 ＋４ｅ×０．３×１０-10 ＝３．４７×１０-28 〔C・m〕 単位胞の体積 Ｖ＝６３．０×１０-30 〔m3 〕 自発分極 Ｐｓ＝５５ 〔μC/cm2 〕 （２） ＢａＴｉＯ3 の場合 単位胞当たりの双極子モーメントの総和 Ｐ＝８×（２ｅ／８）×０．０６１×１０-10 ＋４ｅ×０．１２×１０-10 ＋２×〔（−２ｅ）／２〕×（−０．０３６）×１０-10 ＝１．０８×１０-29 〔C・m〕 単位胞の体積 Ｖ＝６４．３×１０-30 〔m3 〕 よって、自発分極（単位体積当たりの双極子モーメント
の総和）は Ｐｓ＝Ｐ／Ｖ ＝１７ 〔μC/cm2 〕
子の変位量が大きいほど、大きな誘電特性（誘電率及び
自発分極率等）を示すことが知られている。図６及び図
７は、それぞれ代表的な強誘電体であるＰｂＴｉＯ3 及
びＢａＴｉＯ3 の結晶構造の模式図を示し、これらの模
式図及びイオンの変位量から自発分極率が次のように算
出される。 （１） ＰｂＴｉＯ3 の場合 単位胞当たりの双極子モーメントの総和 Ｐ＝８×（２ｅ／８）×０．４７×１０-10 ＋４ｅ×０．３×１０-10 ＝３．４７×１０-28 〔C・m〕 単位胞の体積 Ｖ＝６３．０×１０-30 〔m3 〕 自発分極 Ｐｓ＝５５ 〔μC/cm2 〕 （２） ＢａＴｉＯ3 の場合 単位胞当たりの双極子モーメントの総和 Ｐ＝８×（２ｅ／８）×０．０６１×１０-10 ＋４ｅ×０．１２×１０-10 ＋２×〔（−２ｅ）／２〕×（−０．０３６）×１０-10 ＝１．０８×１０-29 〔C・m〕 単位胞の体積 Ｖ＝６４．３×１０-30 〔m3 〕 よって、自発分極（単位体積当たりの双極子モーメント
の総和）は Ｐｓ＝Ｐ／Ｖ ＝１７ 〔μC/cm2 〕
【０００３】上記の自発分極率の算出値は、実際に観測
されている値に近い値を示している。したがって、大き
な誘電特性を得るには、人工的に結晶を変位させれば良
い。このため、静水圧の実験等が盛んに試みられ、その
圧力効果が報告されている。また、上記の圧力効果とは
別に、特定の元素を組み合わせることにより、単独の化
合物と比較して、きわめて大きな誘電特性を発現するこ
とが知られている（例えば、ＢａＴｉＯ3 とＳｒＴｉＯ
3 、又はＰｂＴｉＯ3 とＰｂＺｒＯ3 等）。
されている値に近い値を示している。したがって、大き
な誘電特性を得るには、人工的に結晶を変位させれば良
い。このため、静水圧の実験等が盛んに試みられ、その
圧力効果が報告されている。また、上記の圧力効果とは
別に、特定の元素を組み合わせることにより、単独の化
合物と比較して、きわめて大きな誘電特性を発現するこ
とが知られている（例えば、ＢａＴｉＯ3 とＳｒＴｉＯ
3 、又はＰｂＴｉＯ3 とＰｂＺｒＯ3 等）。
【０００４】特開平５−７０１０３号公報には、０．０
６Torr以上の酸素雰囲気下で、レーザビームを利用した
蒸着法により、基板上にＰｂＴｉＯ3 、ＢａＴｉＯ3 又
はＬｉＴａＯ3 等の無機誘電体薄膜を製造する方法が記
載されている。また、特開平２−２５８７００号公報に
は、酸素プラズマを用いた真空蒸着法により、基板上に
ＢａＴｉＯ3 の薄膜を形成する方法が記載されている。
６Torr以上の酸素雰囲気下で、レーザビームを利用した
蒸着法により、基板上にＰｂＴｉＯ3 、ＢａＴｉＯ3 又
はＬｉＴａＯ3 等の無機誘電体薄膜を製造する方法が記
載されている。また、特開平２−２５８７００号公報に
は、酸素プラズマを用いた真空蒸着法により、基板上に
ＢａＴｉＯ3 の薄膜を形成する方法が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
静水圧の実験では等方的に材料を加圧することしかでき
ず、１軸方向のみに圧力を負荷することは不可能であっ
た。また、特定の元素を組み合わせる上記の方法では、
これらの元素は固溶体においてはランダムに混合されて
おり、元素の混合様式を人工的に制御することは不可能
であった。
静水圧の実験では等方的に材料を加圧することしかでき
ず、１軸方向のみに圧力を負荷することは不可能であっ
た。また、特定の元素を組み合わせる上記の方法では、
これらの元素は固溶体においてはランダムに混合されて
おり、元素の混合様式を人工的に制御することは不可能
であった。
【０００６】表１は、（Ｂａ1-x Ｓｒx ）ＴｉＯ3 セラ
ミックスにおける誘電特性の組成による変化を示してい
る。この表１から上記のことがわかる。なお、ＳｒＴｉ
Ｏ3：ＢａＴｉＯ3 ＝５０：５０（原子（ａｔ）％）は
ＳｒＴｉＯ3 ：ＢａＴｉＯ3＝６０：４０（wt％）に相
当し、このときの比誘電率（２５℃）は約６００であ
る。
ミックスにおける誘電特性の組成による変化を示してい
る。この表１から上記のことがわかる。なお、ＳｒＴｉ
Ｏ3：ＢａＴｉＯ3 ＝５０：５０（原子（ａｔ）％）は
ＳｒＴｉＯ3 ：ＢａＴｉＯ3＝６０：４０（wt％）に相
当し、このときの比誘電率（２５℃）は約６００であ
る。
【０００７】
【表１】
【０００８】また、特開平５−７０１０３号公報及び特
開平２−２５８７００号公報記載の方法は、基板上に１
種類の無機誘電体薄膜を形成するもので、異なる強誘電
体を少なくとも２種類交互に積層することは、何ら開示
されていない。
開平２−２５８７００号公報記載の方法は、基板上に１
種類の無機誘電体薄膜を形成するもので、異なる強誘電
体を少なくとも２種類交互に積層することは、何ら開示
されていない。
【０００９】本発明は上記の諸点に鑑みなされたもの
で、本発明の第１の目的は、格子定数の異なる２種類以
上の強誘電体を交互に積層した強誘電体超格子を作製し
て、格子定数差により、薄膜表面の面内方向に格子歪に
よる圧力を発生させることが可能であり、これによっ
て、構成イオンの定常位置の変位を人工的に大きくする
ことが可能となる超格子構造を有する強誘電体薄膜を提
供することにある。また、本発明の第２の目的は、上記
の超格子構造を有する強誘電体薄膜から構成される、特
性の優れた赤外線センサ及び圧力センサを提供すること
にある。
で、本発明の第１の目的は、格子定数の異なる２種類以
上の強誘電体を交互に積層した強誘電体超格子を作製し
て、格子定数差により、薄膜表面の面内方向に格子歪に
よる圧力を発生させることが可能であり、これによっ
て、構成イオンの定常位置の変位を人工的に大きくする
ことが可能となる超格子構造を有する強誘電体薄膜を提
供することにある。また、本発明の第２の目的は、上記
の超格子構造を有する強誘電体薄膜から構成される、特
性の優れた赤外線センサ及び圧力センサを提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用】上記の目的を達
成するために、本発明の超格子構造を有する強誘電体薄
膜は、異なる強誘電体を少なくとも２種類積層したこと
を特徴としている。そして、強誘電体のうちの１種類を
ＢａＴｉＯ3 とするのが望ましい。また、ＰｂＴｉＯ3
又は一部の元素をＺｒもしくはＬａで置換した化合物、
すなわち、（Ｐｂx Ｌａ1-x ）( Ｔｉy Ｚｒ1-y ）Ｏ3
（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）とするのが望まし
い。さらには、ＬｉＴａＯ3 又はＴａをＮｂで置換した
化合物、すなわち、Ｌｉ（Ｔａx Ｎｂ1-x ) Ｏ3 （ただ
し、０≦ｘ≦１）とするのが望ましい。
成するために、本発明の超格子構造を有する強誘電体薄
膜は、異なる強誘電体を少なくとも２種類積層したこと
を特徴としている。そして、強誘電体のうちの１種類を
ＢａＴｉＯ3 とするのが望ましい。また、ＰｂＴｉＯ3
又は一部の元素をＺｒもしくはＬａで置換した化合物、
すなわち、（Ｐｂx Ｌａ1-x ）( Ｔｉy Ｚｒ1-y ）Ｏ3
（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）とするのが望まし
い。さらには、ＬｉＴａＯ3 又はＴａをＮｂで置換した
化合物、すなわち、Ｌｉ（Ｔａx Ｎｂ1-x ) Ｏ3 （ただ
し、０≦ｘ≦１）とするのが望ましい。
【００１１】また、固溶体にすることにより大きな誘電
特性を発現する元素が組み合わされる。このような元素
として、Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂ，Ｌｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｌａ，
Ｃａ等を挙げることができる。そして、少なくとも２種
類の強誘電体の格子定数が異なるようにする。なお、格
子定数が異なる２種類以上の化合物のうち、１種類以上
を強誘電体で構成することも可能である。図１は、基板
（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）１０（例えば、ＳｒＴｉＯ3 −
Ｎｂ）上に、ＳｒＴｉＯ3 薄膜１２及びＢａＴｉＯ3 薄
膜１４を複数層積層して形成した超格子構造を有する強
誘電体薄膜の模式図を示している。
特性を発現する元素が組み合わされる。このような元素
として、Ｂａ，Ｓｒ，Ｐｂ，Ｌｉ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｌａ，
Ｃａ等を挙げることができる。そして、少なくとも２種
類の強誘電体の格子定数が異なるようにする。なお、格
子定数が異なる２種類以上の化合物のうち、１種類以上
を強誘電体で構成することも可能である。図１は、基板
（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）１０（例えば、ＳｒＴｉＯ3 −
Ｎｂ）上に、ＳｒＴｉＯ3 薄膜１２及びＢａＴｉＯ3 薄
膜１４を複数層積層して形成した超格子構造を有する強
誘電体薄膜の模式図を示している。
【００１２】図１において、２種類以上の格子定数の差
により、薄膜表面の面内方向に格子歪による圧力を発生
させることが可能である。これにより、構成位置の変位
を人工的に大きくすることができる。また、薄膜超格子
の積層構造によって、薄膜表面に垂直な方向に各元素の
人工的な濃度変調をかけることが可能である。
により、薄膜表面の面内方向に格子歪による圧力を発生
させることが可能である。これにより、構成位置の変位
を人工的に大きくすることができる。また、薄膜超格子
の積層構造によって、薄膜表面に垂直な方向に各元素の
人工的な濃度変調をかけることが可能である。
【００１３】また、これらの効果により、焦電特性及び
圧電特性が改善され、本発明の強誘電体薄膜を使用して
赤外線センサ及び圧力センサ等を構成すると、これらの
センサの特性の向上を図ることができる。
圧電特性が改善され、本発明の強誘電体薄膜を使用して
赤外線センサ及び圧力センサ等を構成すると、これらの
センサの特性の向上を図ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいてさらに詳細
に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるも
のではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変
更して実施することが可能なものである。図２に、実施
例において用いた装置の概略構成を示す。図２におい
て、１は成膜容器（真空チャンバ）、２はレーザ発振
器、３はターゲット（原料化合物）、４は基板、５は酸
素ガス等を導入するガス導入路をそれぞれ示している。
この場合、レーザ発振器２からは、紫外光であるエキシ
マレーザが発振されるようなされており、このレーザビ
ーム６は、レンズ７及び成膜容器１に設けたレーザ導入
口８をそれぞれ通過してターゲット３に照射される。そ
してターゲット３から生成する励起種等が、上記ターゲ
ット３と相対向して配置された基板４に蒸着し、これに
より成膜が行われる。この成膜装置は、エネルギ源（レ
ーザ）２と成膜容器（真空チャンバ）１とが分離してい
るところに特徴があり、このため広範囲のガス圧力（１
０-1 Torr〜常圧）下での成膜が可能となる。上記の装
置において、異なる強誘電体を２種類以上、例えば２種
類基板４上に積層する場合は、以下のようにして行われ
る。真空チャンバ１中に２種類のターゲットＡ，Ｂをセ
ットし、これらに交互にレーザ光を照射することによ
り、Ａ／Ｂ／Ａ／Ｂ…という積層構造を得ることが可能
となる。
に説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるも
のではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変
更して実施することが可能なものである。図２に、実施
例において用いた装置の概略構成を示す。図２におい
て、１は成膜容器（真空チャンバ）、２はレーザ発振
器、３はターゲット（原料化合物）、４は基板、５は酸
素ガス等を導入するガス導入路をそれぞれ示している。
この場合、レーザ発振器２からは、紫外光であるエキシ
マレーザが発振されるようなされており、このレーザビ
ーム６は、レンズ７及び成膜容器１に設けたレーザ導入
口８をそれぞれ通過してターゲット３に照射される。そ
してターゲット３から生成する励起種等が、上記ターゲ
ット３と相対向して配置された基板４に蒸着し、これに
より成膜が行われる。この成膜装置は、エネルギ源（レ
ーザ）２と成膜容器（真空チャンバ）１とが分離してい
るところに特徴があり、このため広範囲のガス圧力（１
０-1 Torr〜常圧）下での成膜が可能となる。上記の装
置において、異なる強誘電体を２種類以上、例えば２種
類基板４上に積層する場合は、以下のようにして行われ
る。真空チャンバ１中に２種類のターゲットＡ，Ｂをセ
ットし、これらに交互にレーザ光を照射することによ
り、Ａ／Ｂ／Ａ／Ｂ…という積層構造を得ることが可能
となる。
【００１５】実施例１ 図２に示す装置を用いて、以下の条件で超格子構造を有
する強誘電体薄膜を作製した。 ターゲット組成：ＳｒＴｉＯ3 及びＢａＴｉＯ3 成膜方法 ：エキシマレーザ（波長：１９３nm）を用い
たアブレーション法、 レーザ強度：約１ J/cm2 周波数 ：１０ Hz 成膜速度 ：０．１μm/hr 成膜温度 ：６００ ℃ ガス圧 ：１×１０-3 Torr 基板 ：Ｎｂドープした単結晶ＳｒＴｉＯ3
する強誘電体薄膜を作製した。 ターゲット組成：ＳｒＴｉＯ3 及びＢａＴｉＯ3 成膜方法 ：エキシマレーザ（波長：１９３nm）を用い
たアブレーション法、 レーザ強度：約１ J/cm2 周波数 ：１０ Hz 成膜速度 ：０．１μm/hr 成膜温度 ：６００ ℃ ガス圧 ：１×１０-3 Torr 基板 ：Ｎｂドープした単結晶ＳｒＴｉＯ3
【００１６】上記の条件で、エキシマレーザアブレーシ
ョン（ａｂｌａｔｉｏｎ）法により、ＳｒＴｉＯ3 薄膜
及びＢａＴｉＯ3 薄膜を交互に積層し、強誘電体超格子
（多層膜）を作製した。特に、積層する各層の厚さを１
０００Aから２０Aまで変化させた。ただし、全体の薄膜
の厚さは４０００Aとなるように積層回数を調整した。
ョン（ａｂｌａｔｉｏｎ）法により、ＳｒＴｉＯ3 薄膜
及びＢａＴｉＯ3 薄膜を交互に積層し、強誘電体超格子
（多層膜）を作製した。特に、積層する各層の厚さを１
０００Aから２０Aまで変化させた。ただし、全体の薄膜
の厚さは４０００Aとなるように積層回数を調整した。
【００１７】図３及び図４に積層する各層の厚さと格子
定数との関係を示した。１０００Aから１００Aにかけて
は、各層の厚さが、薄くなるにしたがって格子定数がＳ
ｒＴｉＯ3 及びＢａＴｉＯ3 ともに変化していることが
分かり、はっきりと格子のミスマッチによる歪の効果が
観測されている。これに対応して、図５に示すように、
誘電特性も変化しており、各層の厚さが薄くなるにした
がって比誘電率が増加している。なお、基板を、Ｐｔ
（白金）をコートした単結晶ＭｇＯとし、他は上記と同
じ条件で実験した場合も、上記とほぼ同じ結果が得られ
た。
定数との関係を示した。１０００Aから１００Aにかけて
は、各層の厚さが、薄くなるにしたがって格子定数がＳ
ｒＴｉＯ3 及びＢａＴｉＯ3 ともに変化していることが
分かり、はっきりと格子のミスマッチによる歪の効果が
観測されている。これに対応して、図５に示すように、
誘電特性も変化しており、各層の厚さが薄くなるにした
がって比誘電率が増加している。なお、基板を、Ｐｔ
（白金）をコートした単結晶ＭｇＯとし、他は上記と同
じ条件で実験した場合も、上記とほぼ同じ結果が得られ
た。
【００１８】比較として、ＳｒＴｉＯ3 （誘電率：３０
０）とＢａＴｉＯ3 （１０００）がコンデンサ的に直列
につながったとして計算される比誘電率の値は４６０で
ある。さらに、表１に示されているように、固溶体のＳ
ｒ0.5 Ｂａ0.5 ＴｉＯ3 の比誘電率は、前述のように約
６００であり、これらと比較しても非常に大きな値が、
このＳｒ，Ｂａの濃度変調を人工的にかけた超格子にお
いて初めて観測された。なお、実施例で示した多層膜の
成膜方法は、レーザアブレーション法に限らず、その他
の成膜方法、例えば高周波（ｒｆ）スパッタリング法、
直流（ｄｃ）スパッタリング法、化学気相蒸着法（ＣＶ
Ｄ）、分子線ビームエピタキシー法、イオンビームスパ
ッタリング法、反応性化学蒸着法等でも適用可能であ
る。
０）とＢａＴｉＯ3 （１０００）がコンデンサ的に直列
につながったとして計算される比誘電率の値は４６０で
ある。さらに、表１に示されているように、固溶体のＳ
ｒ0.5 Ｂａ0.5 ＴｉＯ3 の比誘電率は、前述のように約
６００であり、これらと比較しても非常に大きな値が、
このＳｒ，Ｂａの濃度変調を人工的にかけた超格子にお
いて初めて観測された。なお、実施例で示した多層膜の
成膜方法は、レーザアブレーション法に限らず、その他
の成膜方法、例えば高周波（ｒｆ）スパッタリング法、
直流（ｄｃ）スパッタリング法、化学気相蒸着法（ＣＶ
Ｄ）、分子線ビームエピタキシー法、イオンビームスパ
ッタリング法、反応性化学蒸着法等でも適用可能であ
る。
【００１９】
【発明の効果】本発明は上記のように構成されているの
で、つぎのような効果を奏する。 （１） ２種類以上の強誘電体の格子定数の差により、
薄膜表面の面内方向に格子歪による圧力を発生させるこ
とが可能である。このため、構成イオンの定常位置の変
位を人工的に大きくすることができる。 （２） 薄膜超格子の積層構造によって、薄膜表面に垂
直な方向に各元素の人工的な濃度変調をかけることが可
能である。 （３） 本発明の強誘電体薄膜を使用して赤外線セン
サ、圧力センサ等を構成する場合は、これらのセンサの
焦電特性、圧電特性を改善することができる。
で、つぎのような効果を奏する。 （１） ２種類以上の強誘電体の格子定数の差により、
薄膜表面の面内方向に格子歪による圧力を発生させるこ
とが可能である。このため、構成イオンの定常位置の変
位を人工的に大きくすることができる。 （２） 薄膜超格子の積層構造によって、薄膜表面に垂
直な方向に各元素の人工的な濃度変調をかけることが可
能である。 （３） 本発明の強誘電体薄膜を使用して赤外線セン
サ、圧力センサ等を構成する場合は、これらのセンサの
焦電特性、圧電特性を改善することができる。
【図１】本発明の超格子構造を有する強誘電体薄膜の模
式図である。
式図である。
【図２】実施例において使用した装置を示す概略構成図
である。
である。
【図３】各層の積層厚さと格子定数ａ軸（前後軸）長と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図４】各層の積層厚さと格子定数ｃ軸（上下軸）長と
の関係を示す図である。
の関係を示す図である。
【図５】各層の積層厚さと比誘電率との関係を示す図で
ある。
ある。
【図６】ＰｂＴｉＯ3 の結晶構造の模式図である。
【図７】ＢａＴｉＯ3 の結晶構造の模式図である。
１ 成膜容器（真空チャンバ） ２ レーザ発振器 ３ ターゲット（原料化合物） ４ 基板 ５ ガス導入路 ６ レーザビーム ７ レンズ ８ レーザ導入口 １０ 基板 １２ ＳｒＴｉＯ3 薄膜 １４ ＢａＴｉＯ3 薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｂ 3/00 Ｆ 9059−5Ｇ 3/12 9059−5Ｇ Ｈ０１Ｌ 37/02 41/08
Claims (8)
- 【請求項１】 異なる強誘電体を少なくとも２種類積層
したことを特徴とする超格子構造を有する強誘電体薄
膜。 - 【請求項２】 強誘電体のうちの１種類がＢａＴｉＯ3
であることを特徴とする請求項１記載の超格子構造を有
する強誘電体薄膜。 - 【請求項３】 強誘電体のうちの１種類がＰｂＴｉＯ3
又は（Ｐｂx Ｌａ1- x ）( Ｔｉy Ｚｒ1-y ）Ｏ3 （ただ
し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）であることを特徴とする
請求項１記載の超格子構造を有する強誘電体薄膜。 - 【請求項４】 強誘電体のうちの１種類がＬｉＴａＯ3
又はＬｉ（Ｔａx Ｎｂ1-x ）Ｏ3 （ただし、０≦ｘ≦
１）であることを特徴とする請求項１記載の超格子構造
を有する強誘電体薄膜。 - 【請求項５】 固溶体にすることにより大きな誘電特性
を発現する元素を組み合わせたことを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の超格子構造を有する強誘電体
薄膜。 - 【請求項６】 少なくとも２種類の強誘電体の格子定数
が異なることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記
載の超格子構造を有する強誘電体薄膜。 - 【請求項７】 請求項１〜６のいずれかに記載の強誘電
体薄膜から構成されることを特徴とする赤外線センサ。 - 【請求項８】 請求項１〜６のいずれかに記載の強誘電
体薄膜から構成されることを特徴とする圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174933A JP2651784B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 超格子構造を有する強誘電体薄膜及び該薄膜を備える赤外線センサ・圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174933A JP2651784B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 超格子構造を有する強誘電体薄膜及び該薄膜を備える赤外線センサ・圧力センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0782097A true JPH0782097A (ja) | 1995-03-28 |
| JP2651784B2 JP2651784B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=15987266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5174933A Expired - Lifetime JP2651784B2 (ja) | 1993-06-22 | 1993-06-22 | 超格子構造を有する強誘電体薄膜及び該薄膜を備える赤外線センサ・圧力センサ |
Country Status (1)
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| JP (1) | JP2651784B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007132782A1 (ja) * | 2006-05-12 | 2007-11-22 | National University Corporation Nagoya University | 熱電変換材料、赤外線センサ及び画像作製装置 |
| CN100398690C (zh) * | 2005-03-08 | 2008-07-02 | 电子科技大学 | 具有应力限制层的位移型铁电超晶格薄膜材料及其制备方法 |
| WO2010151010A3 (ko) * | 2009-06-24 | 2011-03-03 | (주)아이뷰테크 | 열전변환장치 및 그 제조 방법 |
| US20160023466A1 (en) * | 2014-07-28 | 2016-01-28 | Ricoh Company, Ltd. | Method of making piezoelectric film, method of making piezoelectric element, liquid discharge head, and image forming apparatus |
| JP2016204189A (ja) * | 2015-04-20 | 2016-12-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体薄膜 |
| JP2021054680A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ナノ結晶及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-06-22 JP JP5174933A patent/JP2651784B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4998897B2 (ja) * | 2006-05-12 | 2012-08-15 | 国立大学法人名古屋大学 | 熱電変換材料及びその製造方法 |
| WO2010151010A3 (ko) * | 2009-06-24 | 2011-03-03 | (주)아이뷰테크 | 열전변환장치 및 그 제조 방법 |
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| JP2021054680A (ja) * | 2019-09-30 | 2021-04-08 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | ナノ結晶及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2651784B2 (ja) | 1997-09-10 |
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