JPH077510B2 - 光学式ピックアップにおけるビームスプリッタの固定構造 - Google Patents
光学式ピックアップにおけるビームスプリッタの固定構造Info
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- JPH077510B2 JPH077510B2 JP63135075A JP13507588A JPH077510B2 JP H077510 B2 JPH077510 B2 JP H077510B2 JP 63135075 A JP63135075 A JP 63135075A JP 13507588 A JP13507588 A JP 13507588A JP H077510 B2 JPH077510 B2 JP H077510B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はコンパクトディスクプレーヤなどに装備される
光学式ピックアップに係り、特に、ビームスプリッタの
傾きに基づく受光素子への戻り光の光軸ずれが低減でき
るような光学式ピックアップにおけるビームスプリッタ
の固定構造に関する。
光学式ピックアップに係り、特に、ビームスプリッタの
傾きに基づく受光素子への戻り光の光軸ずれが低減でき
るような光学式ピックアップにおけるビームスプリッタ
の固定構造に関する。
第５図は従来の光学式ピックアップの光学装置の概略を
示している。
示している。
光学式ピックアップでは、半導体レーザ１から発せられ
回折格子２を通過したレーザビームが、ビームスプリッ
タ３の光分割面（図の場合には半反射面）3aによって直
角方向へ反射される。この反射光はコリメートレンズ４
によって平行ビームとされ、全反射プリズム５にてさら
に直角方向へ反射され、対物レンズ６によって光ディス
クＤの記録面に集光される。この記録面から反射された
ビームは対物レンズ６、全反射プリズム５、コリメート
レンズ４を介して元の経路を戻り、ビームスプリッタ３
の光分割面（半反射面）3aを通過して、凹レンズ７に供
給される。そして凹レンズ７によって戻り光の焦点位置
が伸ばされてピンホトダイオード８に供給され、反射ビ
ームが検知される。なお、凹レンズ７と共にシリンドリ
カルレンズが設けられているのが一般的であるが、図で
は省略している。そして、光ディスクＤの記録面に形成
されているピットによって、変調された反射ビームの光
量が検知されることによって、情報の再生が行なわれ
る。従来は、ビームスプリッタ３の固定は、光学式ピッ
クアップのシャーシ９にビームスプリッタ３の両端を接
着剤によって接着したり、この両端をばねによって押圧
するなどしてなされている。
回折格子２を通過したレーザビームが、ビームスプリッ
タ３の光分割面（図の場合には半反射面）3aによって直
角方向へ反射される。この反射光はコリメートレンズ４
によって平行ビームとされ、全反射プリズム５にてさら
に直角方向へ反射され、対物レンズ６によって光ディス
クＤの記録面に集光される。この記録面から反射された
ビームは対物レンズ６、全反射プリズム５、コリメート
レンズ４を介して元の経路を戻り、ビームスプリッタ３
の光分割面（半反射面）3aを通過して、凹レンズ７に供
給される。そして凹レンズ７によって戻り光の焦点位置
が伸ばされてピンホトダイオード８に供給され、反射ビ
ームが検知される。なお、凹レンズ７と共にシリンドリ
カルレンズが設けられているのが一般的であるが、図で
は省略している。そして、光ディスクＤの記録面に形成
されているピットによって、変調された反射ビームの光
量が検知されることによって、情報の再生が行なわれ
る。従来は、ビームスプリッタ３の固定は、光学式ピッ
クアップのシャーシ９にビームスプリッタ３の両端を接
着剤によって接着したり、この両端をばねによって押圧
するなどしてなされている。
上記の光学式ピックアップの光学装置において、ビーム
スプリッタ３の光分割面3aは対物レンズ６からの戻り光
軸ならびに半導体レーザ１の発光光軸に対して45°の角
度に配置されている。しかしながら、シャーシ９のビー
ムスプリッタ取付部の寸法公差や、ビームスプリッタ３
の取付面と光分割面3aとの平行度の公差、ならびに接着
剤の塗布厚さ寸法のばらつき、さらにはビームスプリッ
タ３の熱膨張や熱収縮によって、光分割面3aの光軸に対
する対向角度が正確に45°にならない場合が生じる。
スプリッタ３の光分割面3aは対物レンズ６からの戻り光
軸ならびに半導体レーザ１の発光光軸に対して45°の角
度に配置されている。しかしながら、シャーシ９のビー
ムスプリッタ取付部の寸法公差や、ビームスプリッタ３
の取付面と光分割面3aとの平行度の公差、ならびに接着
剤の塗布厚さ寸法のばらつき、さらにはビームスプリッ
タ３の熱膨張や熱収縮によって、光分割面3aの光軸に対
する対向角度が正確に45°にならない場合が生じる。
光ディスクＤからの戻り光は光分割面3aのＱ点を透過し
集光点Ｐに集束される。ＱからＰまでの距離は、半導体
レーザ１の発光点０からＱ点までの距離ｌと同じであ
る。またＰ点に集光されるコリメートレンズ４の焦点距
離が、凹レンズ７によってピンホトダイオード８まで伸
ばされている。上記のように、光分割面3aが45°の角度
からさらに角度がずれた対向状態となると、上記集光点
Ｐの位置が第５図の上方あるいは下方にずれて、ピンホ
トダイオード８による検知点が本来の位置から外れ、信
号の再生やトラッキングエラー検知精度の低下などをま
ねくことになる。
集光点Ｐに集束される。ＱからＰまでの距離は、半導体
レーザ１の発光点０からＱ点までの距離ｌと同じであ
る。またＰ点に集光されるコリメートレンズ４の焦点距
離が、凹レンズ７によってピンホトダイオード８まで伸
ばされている。上記のように、光分割面3aが45°の角度
からさらに角度がずれた対向状態となると、上記集光点
Ｐの位置が第５図の上方あるいは下方にずれて、ピンホ
トダイオード８による検知点が本来の位置から外れ、信
号の再生やトラッキングエラー検知精度の低下などをま
ねくことになる。
第６図は、ビームスプリッタ３の光分割面3aが本来の45
°の角度（実線で示す）からさらにθだけ傾斜した場合
（点線3bにて示す）の集光点Ｐ（凹レンズ７がない場合
の集光点）のずれを示しているものである。
°の角度（実線で示す）からさらにθだけ傾斜した場合
（点線3bにて示す）の集光点Ｐ（凹レンズ７がない場合
の集光点）のずれを示しているものである。
半導体レーザ１の発光中心０より発せられるレーザビー
ムの光軸LB1は、ビームスプリッタ３の光分割面3aが正
確に45°の角度にある場合（実線状態の場合）には、光
分割面3aによって垂直方向へ曲げられ、レーザビームLB
2（LB2は光軸を示す）とされる。そして、このレーザビ
ームLB2に基づいた反射光がディスクＤの記録面より再
び反射され、元の経路を戻り、光分割面3aの点Ｑ透過
し、Ｑからｌだけ離れたＰの位置に集光される。しかし
ながら、ビームスプリッタ３の光分割面3aが点線3a′で
示すようにθだけ傾いた場合には、発光光軸LB1と点線
の光分割面3a′とのなす入射角は図に示すよう（45°＋
θ）となる。したがって、点線で示すレーザビームの反
射光軸LB2′と光分割面3a′とのなす反射角も（45°＋
θ）となる。この反射光軸LB2′を含むビームはディス
クＤの記録面にて再び反射され、元の経路を戻り光分割
面3a′上の点Ｑを透過し、点Ｑからｌだけ離れた点P1に
集光される。
ムの光軸LB1は、ビームスプリッタ３の光分割面3aが正
確に45°の角度にある場合（実線状態の場合）には、光
分割面3aによって垂直方向へ曲げられ、レーザビームLB
2（LB2は光軸を示す）とされる。そして、このレーザビ
ームLB2に基づいた反射光がディスクＤの記録面より再
び反射され、元の経路を戻り、光分割面3aの点Ｑ透過
し、Ｑからｌだけ離れたＰの位置に集光される。しかし
ながら、ビームスプリッタ３の光分割面3aが点線3a′で
示すようにθだけ傾いた場合には、発光光軸LB1と点線
の光分割面3a′とのなす入射角は図に示すよう（45°＋
θ）となる。したがって、点線で示すレーザビームの反
射光軸LB2′と光分割面3a′とのなす反射角も（45°＋
θ）となる。この反射光軸LB2′を含むビームはディス
クＤの記録面にて再び反射され、元の経路を戻り光分割
面3a′上の点Ｑを透過し、点Ｑからｌだけ離れた点P1に
集光される。
ここで、光分割面3aが実線で示される位置から点線3a′
で示される位置に傾くことによって、透過光軸LB3がLB
3′に移行する角度（LB3とLB3′とのなす角度）を求め
る。第６図において、点線3a′と反射ビームの光軸LB
2′とのなす反射角は（45°＋θ）であるから、ここに
θを加え、さらに45°を引くことによって求められる。
すなわち、透過光の光軸LB3とLB3′とのなす角は （45°＋θ）＋θ−45°＝２θ となる。これは、光分割面3aがθだけ傾くと、この面に
対する入射角と反射角とが累積されて、透過光軸LB3′
はLB3に対して２θだけ傾斜することを意味している。
よって凹レンズ７がない場合の集光点Ｐ→P1のずれΔｘ
は Δｘ＝l sin2θ となる。
で示される位置に傾くことによって、透過光軸LB3がLB
3′に移行する角度（LB3とLB3′とのなす角度）を求め
る。第６図において、点線3a′と反射ビームの光軸LB
2′とのなす反射角は（45°＋θ）であるから、ここに
θを加え、さらに45°を引くことによって求められる。
すなわち、透過光の光軸LB3とLB3′とのなす角は （45°＋θ）＋θ−45°＝２θ となる。これは、光分割面3aがθだけ傾くと、この面に
対する入射角と反射角とが累積されて、透過光軸LB3′
はLB3に対して２θだけ傾斜することを意味している。
よって凹レンズ７がない場合の集光点Ｐ→P1のずれΔｘ
は Δｘ＝l sin2θ となる。
なお、ビームスプリッタ３が、点Ｑを中心にして時計方
向（第６図と逆側）にθだけ傾いた場合は、前記と同様
に計算して、レーザビームの集光点Ｐのずれ量はl sin2
θとなり、この場合は集光点Ｐが図の下方に移動するこ
とになる。
向（第６図と逆側）にθだけ傾いた場合は、前記と同様
に計算して、レーザビームの集光点Ｐのずれ量はl sin2
θとなり、この場合は集光点Ｐが図の下方に移動するこ
とになる。
このように、ビームスプリッタ３の光分割面3aが本来の
位置からさらにθだけ傾くと、２θの角度に増幅されて
透過光軸LB3′が傾斜し、そして集光点ＰがΔｘだけず
れることになる。このずれによってピンホトダイオード
８による検知点が本来の位置から外れ、検知精度低下を
生じることになる。
位置からさらにθだけ傾くと、２θの角度に増幅されて
透過光軸LB3′が傾斜し、そして集光点ＰがΔｘだけず
れることになる。このずれによってピンホトダイオード
８による検知点が本来の位置から外れ、検知精度低下を
生じることになる。
本発明は上記従来の課題に着目してなされたものであ
り、ビームスプリッタの光分割面が本来の対向角度から
さらに傾いても、レーザビームの集光点の位置ずれを補
正できるようにした光学式ピックアップにおけるビーム
スプリッタの固定構造を提供することにある。
り、ビームスプリッタの光分割面が本来の対向角度から
さらに傾いても、レーザビームの集光点の位置ずれを補
正できるようにした光学式ピックアップにおけるビーム
スプリッタの固定構造を提供することにある。
本発明による光学式ピックアップにおけるビームスプリ
ッタの固定構造は、ディスクに対向する対物レンズから
延びる光軸に対して光分割面が斜めに配置されたビーム
スプリッタが設けられており、且つこの光分割面の透過
方向および光分割面の反射方向のいずれか一方に、発光
素子が配設され、他方に受光素子が配設されている光学
式ピックアップにおいて、前記ビームスプリッタが発光
素子に近い側の端部を支持点として片持ち支持されてい
ることを特徴とするものである。
ッタの固定構造は、ディスクに対向する対物レンズから
延びる光軸に対して光分割面が斜めに配置されたビーム
スプリッタが設けられており、且つこの光分割面の透過
方向および光分割面の反射方向のいずれか一方に、発光
素子が配設され、他方に受光素子が配設されている光学
式ピックアップにおいて、前記ビームスプリッタが発光
素子に近い側の端部を支持点として片持ち支持されてい
ることを特徴とするものである。
また、上記構成に基づき、ビームスプリッタの光分割面
は、対物レンズの光軸の通過線に対して45°の角度に配
置されており、且つ発光素子の発光点からその発光光軸
が光分割面に当たる点までの距離をｌとしたときに、光
分割面の前記発光光軸が当たる点からビームスプリッタ
の支持点までの距離が に設定されていることを特徴としたものである。
は、対物レンズの光軸の通過線に対して45°の角度に配
置されており、且つ発光素子の発光点からその発光光軸
が光分割面に当たる点までの距離をｌとしたときに、光
分割面の前記発光光軸が当たる点からビームスプリッタ
の支持点までの距離が に設定されていることを特徴としたものである。
上記した手段は、ディスクに対向する対物レンズから延
びる光軸に対して光分割面が斜めに配置されたビームス
プリッタが設けられた光学式ピックアップにおいて、ビ
ームスプリッタを発光素子側の端部を支持点として片持
ち支持によって固定している。したがって、ビームスプ
リッタの熱による変形などによって光分割面に本来の角
度からさらに傾きが生じ、この光分割面による反射光な
らびに透過光が本来よりもさらに傾きをもつようになっ
ても、傾きを生じたビームスプリッタの光分割面とレー
ザビームの光軸との交叉位置が前記反射光もしくは透過
光の傾きを打ち消す方向にずらされる。したがって、ビ
ームスプリッタの光分割面に傾きが生じても、そのま
ま、傾きが集光点のずれとして反映されなくなる。すな
わち、ずれが補正された状態で集光点が凹レンズによっ
て伸ばされ、ピンホトダイオードに入光するようにな
る。
びる光軸に対して光分割面が斜めに配置されたビームス
プリッタが設けられた光学式ピックアップにおいて、ビ
ームスプリッタを発光素子側の端部を支持点として片持
ち支持によって固定している。したがって、ビームスプ
リッタの熱による変形などによって光分割面に本来の角
度からさらに傾きが生じ、この光分割面による反射光な
らびに透過光が本来よりもさらに傾きをもつようになっ
ても、傾きを生じたビームスプリッタの光分割面とレー
ザビームの光軸との交叉位置が前記反射光もしくは透過
光の傾きを打ち消す方向にずらされる。したがって、ビ
ームスプリッタの光分割面に傾きが生じても、そのま
ま、傾きが集光点のずれとして反映されなくなる。すな
わち、ずれが補正された状態で集光点が凹レンズによっ
て伸ばされ、ピンホトダイオードに入光するようにな
る。
さらに、光軸に対して光分割面が45°の傾きにて配置さ
れたビームスプリッタが片持ち支持され、且つ発光素子
の発光点からその発光光軸が光分割面に当たる位置をｌ
とした場合に、発光光軸の当たる位置からビームスプリ
ッタの支持点までの距離を とすれば、光分割面からの反射光ならびに透過光の傾斜
による集光点のずれが、光分割面への発光光軸の交叉位
置の逆方向へのずれによってほぼ完全に相殺されるよう
になり、集光点のずれが解消されるようになる。
れたビームスプリッタが片持ち支持され、且つ発光素子
の発光点からその発光光軸が光分割面に当たる位置をｌ
とした場合に、発光光軸の当たる位置からビームスプリ
ッタの支持点までの距離を とすれば、光分割面からの反射光ならびに透過光の傾斜
による集光点のずれが、光分割面への発光光軸の交叉位
置の逆方向へのずれによってほぼ完全に相殺されるよう
になり、集光点のずれが解消されるようになる。
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第１図は本発明に係る光学式ピックアップの光学装置の
構造の概略を示すものである。
構造の概略を示すものである。
本実施例と第５図に示した従来例とは、ビームスプリッ
タ３の固定構造のみが異なっており、他は同様である。
タ３の固定構造のみが異なっており、他は同様である。
本実施例のビームスプリッタ３は光学式ピックアップの
シャーシ９によって、半導体レーザ１に近い側を支持点
Ｂとして片持ちにて支持されている。支持点Ｂでは接着
剤などによってシャーシ９に固定されている。図の実施
例の場合には、ビームスプリッタ３の光分割面3aが、対
物レンズ６方向への反射光軸LB2ならびに半導体レーザ
１からの発光光軸LB1に対して45°の傾きで対向してい
る。
シャーシ９によって、半導体レーザ１に近い側を支持点
Ｂとして片持ちにて支持されている。支持点Ｂでは接着
剤などによってシャーシ９に固定されている。図の実施
例の場合には、ビームスプリッタ３の光分割面3aが、対
物レンズ６方向への反射光軸LB2ならびに半導体レーザ
１からの発光光軸LB1に対して45°の傾きで対向してい
る。
ビームスプリッタ３が、支持点における取付け角度誤差
や、温度変化などによって45°の対向角度からさらにθ
だけ傾いた場合の集光点Ｐのずれに対する補正を第２図
によって説明する。
や、温度変化などによって45°の対向角度からさらにθ
だけ傾いた場合の集光点Ｐのずれに対する補正を第２図
によって説明する。
図中、実線3aは45°の対向角度にあるビームスプリッタ
３の光分割面を示している。この光分割面3aは対物レン
ズ６方向への光軸LB2ならびに半導体レーザ１の発光光
軸LB1に対して45°の傾きとなるように点Ｂにて片持ち
支持されている。また、半導体レーザ１の発光中心０か
ら発せられたレーザビームの光軸LB1がビームスプリッ
タ３の光分割面3a上の点Ｑに当るまでの長さをｌとす
る。さらに本実施例においては、上記Ｑ点からビームス
プリッタ３の支持点Ｂまでの長さが となっている。
３の光分割面を示している。この光分割面3aは対物レン
ズ６方向への光軸LB2ならびに半導体レーザ１の発光光
軸LB1に対して45°の傾きとなるように点Ｂにて片持ち
支持されている。また、半導体レーザ１の発光中心０か
ら発せられたレーザビームの光軸LB1がビームスプリッ
タ３の光分割面3a上の点Ｑに当るまでの長さをｌとす
る。さらに本実施例においては、上記Ｑ点からビームス
プリッタ３の支持点Ｂまでの長さが となっている。
発光中心０より発せられるレーザビームLB1は実線3aで
示す光分割面の点Ｑにおいて反射角45°にて反射され、
この反射光LB2はディスクの反射面によって再び反射さ
れる。そして、元の経路を戻りビームスプリッタ３の光
分割面3a上の点Ｑを通過して点Ｑからｌだけ離れた位置
Ｐに集光される。
示す光分割面の点Ｑにおいて反射角45°にて反射され、
この反射光LB2はディスクの反射面によって再び反射さ
れる。そして、元の経路を戻りビームスプリッタ３の光
分割面3a上の点Ｑを通過して点Ｑからｌだけ離れた位置
Ｐに集光される。
ビームスプリッタ３の光分割面が本来の位置からさらに
反時計方向にθだけ傾斜した状態を点線3a′にて示す。
この場合、半導体レーザ１からの発光光軸LB1は点線の
光分割面3a′に対してＲの位置に当り、反射光軸LB2′
ならびに透過光軸LB3′も点Ｒを通るようになる。この
ように光分割面がθだけ傾いた場合、第６図において示
したように、集光点Ｐは、点Ｒを通る図の水平線Ｆより
も上方へ Δｘ＝l sin2θ だけずれることになる。ところが図の実施例では光分割
面3a′に発光光軸LB1が当たる点がＱ→Ｒで示すように
下方向へΔｙだけ移動することになるため、このΔｙに
よって前記Δｘが相殺される。
反時計方向にθだけ傾斜した状態を点線3a′にて示す。
この場合、半導体レーザ１からの発光光軸LB1は点線の
光分割面3a′に対してＲの位置に当り、反射光軸LB2′
ならびに透過光軸LB3′も点Ｒを通るようになる。この
ように光分割面がθだけ傾いた場合、第６図において示
したように、集光点Ｐは、点Ｒを通る図の水平線Ｆより
も上方へ Δｘ＝l sin2θ だけずれることになる。ところが図の実施例では光分割
面3a′に発光光軸LB1が当たる点がＱ→Ｒで示すように
下方向へΔｙだけ移動することになるため、このΔｙに
よって前記Δｘが相殺される。
ここで、上記のＱ→Ｒの距離Δｙを求める。点Ｑより点
線3a′に垂直を下し、その交点をＳとする。これによっ
て形成された三角形QRSは辺QRの両端に形成される角45
°の直角二等辺三角形となる。QSの長さは となる。したがった、直角二等辺三角形QRSの辺QRの長
さは となる。ここでθをラジアンで表わせば、θは微小角度
であるので、sinθがθとほぼ等しくなる。よって2l si
nθは約2lθである。さらに2lθは約l sin2θとほぼ同
じ値となる。よってQRの距離は、 Δｙ≒l sin2θ となる。これは前記Δｘと同じである。
線3a′に垂直を下し、その交点をＳとする。これによっ
て形成された三角形QRSは辺QRの両端に形成される角45
°の直角二等辺三角形となる。QSの長さは となる。したがった、直角二等辺三角形QRSの辺QRの長
さは となる。ここでθをラジアンで表わせば、θは微小角度
であるので、sinθがθとほぼ等しくなる。よって2l si
nθは約2lθである。さらに2lθは約l sin2θとほぼ同
じ値となる。よってQRの距離は、 Δｙ≒l sin2θ となる。これは前記Δｘと同じである。
すなわち、反射点Ｑ→Ｒのずれ量Δｙは逆方向のΔｘと
相殺される。よって図の実施例の場合、光分割面の傾斜
θによる集光点Ｐのずれはほぼ完全に解消されることに
なる。
相殺される。よって図の実施例の場合、光分割面の傾斜
θによる集光点Ｐのずれはほぼ完全に解消されることに
なる。
一方、第３図に示すようにビームスプリッタ３の光分割
面3aが固定端Ｂを中心にして時計方向にθだけ傾いた場
合（点線3a′で示す）には、半導体レーザ１の発光中心
０から発せられるレーザビームの発光光軸LB1は光分割
面3a′上の点Ｒに入射される。このときのディスクから
の戻り光の集光点のずれも上記と同様にＱ→Ｒによって
解消される。
面3aが固定端Ｂを中心にして時計方向にθだけ傾いた場
合（点線3a′で示す）には、半導体レーザ１の発光中心
０から発せられるレーザビームの発光光軸LB1は光分割
面3a′上の点Ｒに入射される。このときのディスクから
の戻り光の集光点のずれも上記と同様にＱ→Ｒによって
解消される。
この場合、光分割面の時計方向への傾きによって集光点
Ｐは、点Ｒを通る図の水平線Ｆに対して図の下方向へΔ
ｘ＝l sin2θだけずれることになる。ところが、この場
合もQSが となり、QRが となってほぼl sin2θと等しくなる。すなわち、点線の
光分割面3aへの光軸が当たる点Ｒの図の上方への移動に
よって前記Δｘがほぼ相殺されることになり、集光点Ｐ
にずれが生じなくなる。
Ｐは、点Ｒを通る図の水平線Ｆに対して図の下方向へΔ
ｘ＝l sin2θだけずれることになる。ところが、この場
合もQSが となり、QRが となってほぼl sin2θと等しくなる。すなわち、点線の
光分割面3aへの光軸が当たる点Ｒの図の上方への移動に
よって前記Δｘがほぼ相殺されることになり、集光点Ｐ
にずれが生じなくなる。
次に第４図は本発明の他の実施例を示している。
この実施例では、半導体レーザ１から発せられるレーザ
ビームが光分割面3aを通過する方向にコリメートレンズ
４および対物レンズなどが配置されており、光ディスク
からの戻り光が光分割面3aから反射される方向にピンホ
トダイオード８および凹レンズ（図示せず）などが配設
されている。
ビームが光分割面3aを通過する方向にコリメートレンズ
４および対物レンズなどが配置されており、光ディスク
からの戻り光が光分割面3aから反射される方向にピンホ
トダイオード８および凹レンズ（図示せず）などが配設
されている。
この場合も、ビームスプリッタ３は半導体レーザ１に近
い側の端部を支持点Ｂとして片持ちに支持されている。
また、光分割面3aへ発光光軸が当たる点Ｑから支持点Ｂ
までの距離は （ｌは発光点０からＱまでの距離）に設定されている。
この場合も第６図にて説明したように、光分割面3aがθ
だけ傾斜して点線3a′で示す位置になると、集光点Ｐ
が、点Ｒを通る図の水平線に対して図の下方向へΔｘ＝
l sin2θだけずれることになる。ところが、この場合
も、QSが で、QRが となり、Ｑ→Ｒの図の上方へのずれ量がほぼl sin2θと
なるため前記Δｘが相殺され、集光点Ｐのずれはほとん
ど生じなくなる。
い側の端部を支持点Ｂとして片持ちに支持されている。
また、光分割面3aへ発光光軸が当たる点Ｑから支持点Ｂ
までの距離は （ｌは発光点０からＱまでの距離）に設定されている。
この場合も第６図にて説明したように、光分割面3aがθ
だけ傾斜して点線3a′で示す位置になると、集光点Ｐ
が、点Ｒを通る図の水平線に対して図の下方向へΔｘ＝
l sin2θだけずれることになる。ところが、この場合
も、QSが で、QRが となり、Ｑ→Ｒの図の上方へのずれ量がほぼl sin2θと
なるため前記Δｘが相殺され、集光点Ｐのずれはほとん
ど生じなくなる。
以上のように本発明によれば、ビームスプリッタ３が上
下方向のいずれかに傾いて、集光点が下方あるいは上方
にずれても、これとは逆方向に、しかも集光点のずれ量
とほぼ等しい長さだけ、光分割面3aに対するレーザビー
ムの光軸の当たる位置がＱからＲへずらされるようにな
る。したがって、集光点Ｐのずれがほぼ完全な形で除去
でき、ピンホトダイオード８によって正確な検知ができ
るようになる。
下方向のいずれかに傾いて、集光点が下方あるいは上方
にずれても、これとは逆方向に、しかも集光点のずれ量
とほぼ等しい長さだけ、光分割面3aに対するレーザビー
ムの光軸の当たる位置がＱからＲへずらされるようにな
る。したがって、集光点Ｐのずれがほぼ完全な形で除去
でき、ピンホトダイオード８によって正確な検知ができ
るようになる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限られるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
あることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限られるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能で
あることはいうまでもない。
例えば、上記実施例では、ビームスプリッタ３の支持端
Ｂから光分割面3aに発光光軸が当たる点Ｑまでの距離
を、半導体レーザの発光中心から前記Ｑ点までの距離ｌ
の にしているが、このような位置関係になくても、完全に
集光点のずれを補正できないもののある程度のずれの補
正が行なえる。
Ｂから光分割面3aに発光光軸が当たる点Ｑまでの距離
を、半導体レーザの発光中心から前記Ｑ点までの距離ｌ
の にしているが、このような位置関係になくても、完全に
集光点のずれを補正できないもののある程度のずれの補
正が行なえる。
さらに、上記実施例では、ビームスプリッタ３の光分割
面3aが対物レンズ６の光軸に対して45°の傾きをもって
片持ち支持されているが、他の角度であってもよい。こ
の場合、他の部品、例えば半導体レーザ１の配置場所を
変えるなどして対応することができる。
面3aが対物レンズ６の光軸に対して45°の傾きをもって
片持ち支持されているが、他の角度であってもよい。こ
の場合、他の部品、例えば半導体レーザ１の配置場所を
変えるなどして対応することができる。
また、図の実施例ではビームスプリッタ３の光分割面3a
が半反射面であるが、この光分割面3aが偏光反射面であ
っても同じである。
が半反射面であるが、この光分割面3aが偏光反射面であ
っても同じである。
以上のように本発明は、ディスクに対向する対物レンズ
から延びる光軸に対して斜めに配置された光分割面を有
するビームスプリッタが設けられた光学式ピックアップ
において、ビームスプリッタを発光素子側を支持点とし
て片持ち支持している。したがって、ビームスプリッタ
の光分割面に傾きが生じ、この光分割面による反射光軸
もしくは透過光軸が、傾きを生じる前反射光軸もしくは
透過光軸に対して傾きをもつようになっても、傾きを生
じた光分割面に照射されるレーザビーム光軸に当たる位
置が前記反射光軸もしくは透過光軸の傾きを打ち消す方
向にずらされるようになる。そのため、集光点のずれが
補正されて受光素子に送られるようになり、正確な検知
が行なえるようになるという効果が得られる。
から延びる光軸に対して斜めに配置された光分割面を有
するビームスプリッタが設けられた光学式ピックアップ
において、ビームスプリッタを発光素子側を支持点とし
て片持ち支持している。したがって、ビームスプリッタ
の光分割面に傾きが生じ、この光分割面による反射光軸
もしくは透過光軸が、傾きを生じる前反射光軸もしくは
透過光軸に対して傾きをもつようになっても、傾きを生
じた光分割面に照射されるレーザビーム光軸に当たる位
置が前記反射光軸もしくは透過光軸の傾きを打ち消す方
向にずらされるようになる。そのため、集光点のずれが
補正されて受光素子に送られるようになり、正確な検知
が行なえるようになるという効果が得られる。
さらに、ディスクに対向する対物レンズから延びる光軸
に対して45°の傾きにて配置された光分割面を有するビ
ームスプリッタが設けられた光学式ピックアップにおい
て、ビームスプリッタが発光素子側にて片持ち支持され
ているとともに、発光素子の発光点から光分割面への光
軸の入射点との距離をｌとしたときに、光軸の入射点か
ら片持ち支持点までの距離を とすれば、集光点のずれをほぼ完全になくすことができ
るようになる。したがって、ビームスプリッタに傾きが
生じても、これによって生じる集光点のずれを完全に取
り除くことができるという効果が得られる。
に対して45°の傾きにて配置された光分割面を有するビ
ームスプリッタが設けられた光学式ピックアップにおい
て、ビームスプリッタが発光素子側にて片持ち支持され
ているとともに、発光素子の発光点から光分割面への光
軸の入射点との距離をｌとしたときに、光軸の入射点か
ら片持ち支持点までの距離を とすれば、集光点のずれをほぼ完全になくすことができ
るようになる。したがって、ビームスプリッタに傾きが
生じても、これによって生じる集光点のずれを完全に取
り除くことができるという効果が得られる。
第１図は本発明に係る光学式ピックアップの光学装置の
ビームスプリッタの固定構造の側面図、第２図と第３図
はビームスプリッタの光分割面が傾いた場合のレーザビ
ームの集光点の補正がなされる過程を示す説明図、第４
図は本発明の他の実施例において集光点の補正がなされ
る過程を示す説明図、第５図は従来の光学式ピックアッ
プの光学装置を示す説明図、第６図は第５図に示すビー
ムスプリッタの光分割面が傾いた場合の集光点のずれを
示す説明図である。 １……半導体レーザ、３……ビームスプリッタ、3a,3
a′……光分割面、６……対物レンズ、９……シャー
シ、Ｄ……光ディスク、Ｐ……集光点、Ｑ……光分割面
の傾き。
ビームスプリッタの固定構造の側面図、第２図と第３図
はビームスプリッタの光分割面が傾いた場合のレーザビ
ームの集光点の補正がなされる過程を示す説明図、第４
図は本発明の他の実施例において集光点の補正がなされ
る過程を示す説明図、第５図は従来の光学式ピックアッ
プの光学装置を示す説明図、第６図は第５図に示すビー
ムスプリッタの光分割面が傾いた場合の集光点のずれを
示す説明図である。 １……半導体レーザ、３……ビームスプリッタ、3a,3
a′……光分割面、６……対物レンズ、９……シャー
シ、Ｄ……光ディスク、Ｐ……集光点、Ｑ……光分割面
の傾き。
Claims (2)
- 【請求項１】ディスクに対向する対物レンズから延びる
光軸に対して光分割面が斜めに配置されたビームスプリ
ッタが設けられており、且つこの光分割面の透過方向お
よび光分割面の反射方向のいずれか一方に発光素子が配
設され、他方に受光素子が配設されている光学式ピック
アップにおいて、前記ビームスプリッタが発光素子に近
い側の端部を支持点として片持ち支持されていることを
特徴とする光学式ピックアップにおけるビームスプリッ
タの固定構造 - 【請求項２】ビームスプリッタの光分割面は対物レンズ
から延びる光軸に対して45°の角度に配置されており、
且つ発光素子の発光点からその発光光軸が光分割面に当
たる点までの距離をｌとしたときに、光分割面の前記発
光光軸が当たる点からビームスプリッタの支持点までの
距離が に設定されている請求項１記載の光学式ピックアップに
おけるビームスプリッタの固定構造
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135075A JPH077510B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 光学式ピックアップにおけるビームスプリッタの固定構造 |
| KR1019890001361A KR910007910B1 (ko) | 1988-05-31 | 1989-02-04 | 광학식 픽업에 있어서의 비임 스플릿터의 고정구조 |
| US07/315,951 US4973831A (en) | 1988-05-31 | 1989-02-27 | Fixing structure of a one sidedly fixed beam splitter in an optical pickup |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63135075A JPH077510B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 光学式ピックアップにおけるビームスプリッタの固定構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01303629A JPH01303629A (ja) | 1989-12-07 |
| JPH077510B2 true JPH077510B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=15143258
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63135075A Expired - Fee Related JPH077510B2 (ja) | 1988-05-31 | 1988-05-31 | 光学式ピックアップにおけるビームスプリッタの固定構造 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4973831A (ja) |
| JP (1) | JPH077510B2 (ja) |
| KR (1) | KR910007910B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2731405B2 (ja) * | 1988-12-02 | 1998-03-25 | 株式会社リコー | 分離型光ピックアップ装置における光軸ずれ補正方法 |
| DE69217453T2 (de) * | 1991-11-18 | 1997-08-28 | Pioneer Electronic Corp | Optisches Informationsaufnahmegerät mit abgetrennt-eingeordneten Fotodetektoreinrichtungen |
| US20040170109A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-09-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical pickup |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3624284A (en) * | 1966-09-01 | 1971-11-30 | Battelle Development Corp | Photographic record of digital information and playback system including optical scanner |
| NL7215307A (ja) * | 1972-11-11 | 1974-05-14 | ||
| US4037252A (en) * | 1973-11-10 | 1977-07-19 | U.S. Philips Corporation | Apparatus for reading a disc-shaped record carrier with plural scanning spots for stable radial tracking |
| FR2313716A1 (fr) * | 1975-06-03 | 1976-12-31 | Thomson Brandt | Systeme optique de lecture par reflexion d'un support d'information |
| US4201910A (en) * | 1978-03-27 | 1980-05-06 | Innovation Industries, Inc. | Photosensor assembly |
| NL8300291A (nl) * | 1983-01-27 | 1984-08-16 | Philips Nv | Inrichting voor het uitlezen van een optische registratiedrager. |
| JPS59154873A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-03 | Asahi Optical Co Ltd | 画像読取装置 |
| US4677605A (en) * | 1984-07-06 | 1987-06-30 | Storage Technology Partners Ii | Focus acquisition and maintenance for optical disk system |
| US4687916A (en) * | 1984-07-13 | 1987-08-18 | Ricoh Company, Ltd. | Optical pick-up device for both focus and error tracking detection |
| JPS61236035A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-21 | Sony Corp | 光学ヘツド |
| US4792674A (en) * | 1986-07-31 | 1988-12-20 | Pioneer Electronic Corporation | Optical head assembly and element holder with positional adjustment |
-
1988
- 1988-05-31 JP JP63135075A patent/JPH077510B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-02-04 KR KR1019890001361A patent/KR910007910B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1989-02-27 US US07/315,951 patent/US4973831A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR910007910B1 (ko) | 1991-10-04 |
| JPH01303629A (ja) | 1989-12-07 |
| US4973831A (en) | 1990-11-27 |
| KR890017669A (ko) | 1989-12-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |