JPH077225A - 反射鏡 - Google Patents
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- JPH077225A JPH077225A JP5145999A JP14599993A JPH077225A JP H077225 A JPH077225 A JP H077225A JP 5145999 A JP5145999 A JP 5145999A JP 14599993 A JP14599993 A JP 14599993A JP H077225 A JPH077225 A JP H077225A
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Abstract
導体発光素子の光出力の有効な取り出しに不可欠な、光
出射面の低反射率反射鏡を提供する。 【構成】 ZnSe系レーザーダイオード7のへき開し
た端面に、それぞれ発振波長の1/2倍、1/4倍およ
び1/4倍の光学厚さであるAl2 O3 膜8、MgO膜
9およびAl2 O3 膜10を順に設けた反射鏡を形成
し、端面反射率4%を得た。前記積層構造の反射鏡は、
高周波マグネトロンスパッタリングを用いた。
Description
ス材料として期待されるII−VI族化合物半導体を用いた
可視短波長半導体発光素子の光出射面に設ける低反射率
の反射鏡に関する。
物半導体レーザーは、アプライド・フィジクス・レター
ズ第59巻第1272頁(Appl.Phys.Lett.Vol59(1991)1
272)に記載されているように、ZnCdSe/ZnSe
系単一量子井戸構造を用いて、世界で初めて、77Kに
おける490nm(青緑色)のパルス発振が報告された
ことに始まる。ここでは、レーザーの光共振器を構成す
る反射鏡は、結晶をへき開することによって得られるへ
き開面をそのまま利用している。端面での反射率は20
%程度で、発振のしきい値電流は74mAである。
アプライド・フィジクス第30巻第3873頁(Jpn.J.
Appl.Phys.Vol30(1991)3873)に記載されているようなZ
nSeのp−n接合発光ダイオードがある。ここでは、
n型ZnSe基板を用いており、室温で465nm(青
色)の発光をp型側表面からも基板裏面からも取り出す
ことができるが、いずれの表面にも反射率を制御するた
めの層は設けられていない。
化合物半導体素子の表面やへき開面をそのまま用いる
と、素子を構成する半導体材料の屈折率に応じた反射率
しか得られず、レーザー出力や発光ダイオードの光出力
を有効に取り出すことができない。そのため、素子表面
または端面の光出射面に誘電体からなる反射鏡を形成
し、反射率を最適化する必要がある。つまり光出力の取
り出しを行なおうとする面には低反射率の反射鏡を、そ
れ以外の面には高反射率の反射鏡を形成することが望ま
しい。
化合物半導体レーザーなどに用いられている反射鏡の材
料をII−VI族化合物半導体発光素子に適用することが考
えられるが、発光波長領域が異なること、半導体材料の
屈折率が異なることから、そのまま適用することはでき
ない。例えば、アモルファスSiを用いると、500n
mにおいて複素屈折率の虚数部が実数部と同程度にまで
大きくなり、放出光を吸収してしまうため、レーザー光
による素子端面での光学損傷をひきおこす原因となる。
差、素子に対する付着性、結晶性、熱伝導率、硬度、耐
湿性、安定性などは、素子の活性層に対する歪、光損失
の原因としてレーザー動作に影響を与える因子であり、
実用上の観点からも重要である。そのため、これらの因
子を最適化できる材料を見いだすことが必要である。
で、可視短波長領域で使用されるII−VI族化合物半導体
発光素子の最適な動作に不可欠な光出射面に設ける低反
射率の反射鏡を提供することを目的とする。
め、本発明の第1番目の反射鏡は、II-VI 族化合物半導
体からなる発光素子の光出射面に、酸化アルミニウム
(Al2 O3 )、フッ化セリウム(CeF3 )、酸化マ
グネシウム(MgO)、酸化ガドリニウム(Gd
2O3 )及び酸化スカンジウム(Sc2 O3 )から選ば
れる少なくとも1種類の誘電体の層を設けたという構成
を備えたものである。
が、素子の発光波長の1/4、3/4または5/4倍の
光学厚さであることが好ましい。次に本発明の第2番目
の反射鏡は、II-VI 族化合物半導体からなる発光素子の
光出射面に、屈折率の異なる誘電体からなる2層構造の
誘電体層を設けたという構成を備えたものである。
が、II−VI族化合物半導体の表面側から順に酸化チタン
(TiO2 )と二酸化珪素(SiO2 )の組合せ、酸化
ハフニウム(HfO2 )とフッ化マグネシウム(MgF
2 )の組合せ、Gd2 O3 とSiO2 の組合せ、MgO
とAl2 O3 の組合せ、または酸化ジルコニウム(Zr
O2 )とMgF2 の組合せの中から選ばれる少なくとも
1種類の組合せであることが好ましい。
体層の各々の層の厚さが、素子の発光波長の1/4倍の
光学厚さであることが好ましい。次に本発明の第3番目
の反射鏡は、II-VI 族化合物半導体からなる発光素子の
光出射面に、層の厚さが素子の発光波長の1/2倍の光
学厚さであるSiO2 またはAl2 O3 の層を設け、そ
の表面に各々の層の厚さが素子の発光波長の1/4倍の
光学厚さであるTiO2 とSiO2 の組合せ、HfO2
とMgF2 の組合せ、Gd2 O3 とSiO2 の組合せ、
MgOとAl2 O3 の組合せ、またはZrO2 とMgF
2 の組合せの中から選ばれる少なくとも1種類の組合せ
からなる誘電体層を設けて3層構造にしたという構成を
備えたものである。
は、II−VI族化合物半導体が、硫化亜鉛(ZnS)、セ
レン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)、
硫化カドミウム(CdS)またはセレン化カドミウム
(CdSe)の群から選ばれる1種類以上の単体または
これらの単体の混晶であることが好ましい。
いては、II−VI族化合物半導体からなる発光素子が、端
面発光型または面発光型であるレーザーダイオードまた
は発光ダイオードであることが好ましい。
透明である。そのため、発光波長が可視短波長領域に存
在するII-VI 族化合物半導体発光素子に対する低反射率
の反射鏡として用いると、反射鏡を設けない場合よりも
反射率を低くすることができ、小さな電流で大きな光出
力を取り出すことができる。特に、レーザーダイオード
に適用した場合、レーザー光を吸収しないため、光出射
面の熱的な破壊や光電界による損傷を受け難く、より大
きなレーザー出力を取り出すことができる。
は、次の通りである。光が媒質中を伝搬する際、媒質に
変化があると、その界面では反射が起こる。屈折率n0
とn2の媒質の間に屈折率n1 で厚さd1 の薄膜がある
と、これに入射した波長λの光は膜の両界面で反射を繰
り返して多重干渉を起こす。その結果、合成振幅反射係
数r12は、それぞれの界面でのフレネル反射係数を
r1 、r2 として、下記式(数1)と表わせる。ここ
で、fは薄膜内を往復する際の位相の遅れで、垂直入射
の場合、(数2)のように表わせる。
び(数4)と表わされ、これらから膜表面でのエネルギ
ー反射率R1 は(数5)のように求められる。
屈折率側に入射した場合はπ、その逆では0である。し
たがってf=π、すなわち垂直入射光に対して光学厚さ
n1d1 がλ/4である膜は、n0 >n1 >n2 の場合
は両界面からの反射光が逆位相となり、反射減少効果を
もたらす。
合物半導体の屈折率をn0 、誘電体膜の屈折率をn1 と
すると、誘電体膜の厚さがλ/4n1 で、n1 が(数
6)を満たすとき、反射率が0%になる。
1.6〜1.9となる。このような誘電体のうち、II-V
I 族化合物半導体との熱膨張係数差、付着性、結晶性、
熱伝導率、硬度、耐湿性、安定性などを考慮すると、A
l2 O3 、CeF3 、MgO、Gd2 O3 またはSc2
O3 が反射鏡材料として適用できることがわかった。実
用上、厳密に反射率が0%である必要はないので、ま
た、レーザーダイオードでは発振波長が周囲温度によっ
て変化するので、誘電体膜の厚さがλ/4n1 である必
要はない。また、厚さがλ/4n1 では誘電体膜の強度
や信頼性が確保できない場合、3λ/4n1 や5λ/4
n1 の厚さを用いてもよい。
折率をn1 、n2 とする(半導体表面側をn1 とする)
と、誘電体層の各々の層の厚さが発光波長の1/4倍の
光学厚さで、n1 が(数7)または(数8)のいずれか
を満たすとき、反射率が0になる。
I 族化合物半導体との熱膨張係数差、付着性、結晶性、
熱伝導率、硬度、耐湿性、安定性などを考慮すると、半
導体の表面側から順にTiO2 とSiO2 の組合せ、H
fO2 とMgF2 の組合せ、Gd2 O3 とSiO2 の組
合せ、MgOとAl2 O3 の組合せ、またはZrO2と
MgF2 の組合せが反射鏡材料として適用できることが
わかった。実用上、反射率が厳密に0%である必要はな
く、それぞれの膜の厚さを発光波長の1/4倍の光学厚
さ以外の適当な厚さに選ぶことで所望の分光特性の反射
面を得ることができる。
光学厚さであるSiO2 またはAl 2 O3 の層を設けた
3層構成とすると、この低屈折率層により、レーザー損
傷の原因となる半導体と膜の界面での不純物などによる
微小吸収を低減することができる。
半導体発光素子の光出射面に誘電体膜を蒸着することに
より、高品質な反射鏡を得ることができる。ここでいう
高品質とは、作製方法に依存して種々の光損失の原因と
なる、組成・密度の変動や不純物の混入やクラックの発
生が少なく、均質で清浄、平滑であることを指す。蒸着
する方法としては、電子ビーム加熱や抵抗加熱などの真
空蒸着法、高周波(RF)スパッタリング法、低圧プラ
ズマ重合法などを用いることができる。
詳細に説明する。 実施例1 図1は、本発明の一実施例の構成を示す斜視図である。
活性層をZnCdSe、導波層をZnSe、クラッド層
をZnSSeとするII-VI 族化合物半導体レーザーダイ
オード1の片側の出射端面に、発振波長の3/4倍の光
学厚さのCeF 3 膜2を設けた反射鏡を形成した。
リング装置を用いてCeF3 の蒸着を行なった。スパッ
タ源はCeF3 焼結ターゲットである。用いたZnSe
系レーザーダイオードは、300Kでの発振波長が52
0nmであり、この波長での等価屈折率は2.60であ
る。
のアルゴンを用い、ガス圧は1.0Pa、基板温度は1
10℃、CeF3 ターゲットへの印加電力は100Wと
した。この条件で得られるCeF3 膜の発振波長領域に
おける屈折率は1.61である。
した端面に、発振波長の3/4倍の光学厚さ、すなわち
242nmの膜厚のCeF3 膜2を蒸着した。反射鏡を
形成した端面の反射率を測定した結果、520nmにお
いて最小反射率2%が得られ、480〜550nmの広
い波長範囲で、反射率4%以下が得られた。一方、誘電
体膜を蒸着していないへき開しただけの面では、520
nmにおいて反射率は20%であった。
/4倍または5/4倍の光学厚さ、すなわち81nmま
たは404nmとした場合でも同様の効果が得られた。
また、CeF3 の代わりに、Al2 O3 、MgO、Gd
2 O3 またはSc2 O 3 の膜を用いた構成とした場合で
も、本質的に同様の効果が得られた。ただし、Gd2 O
3 またはSc2 O3 を用いた場合、膜厚は信頼性の観点
から、発振波長の3/4倍または5/4倍の光学厚さが
好ましかった。
ZnSe系発光ダイオード3の表面に、TiO2 膜4と
SiO2 膜5をそれぞれ発光波長の1/4倍の光学厚さ
で設けた反射鏡を形成した。
リング装置を用いた。スパッタ源はSiO2 ガラスター
ゲットとTiO2 ターゲットとで構成した。サンプルホ
ルダーはこれに直結した回転軸により、SiO2 ターゲ
ットまたはTiO2 ターゲットのいずれかのターゲット
上方に持ってくることができる。サンプルホルダーの位
置とターゲット上方での滞在時間とは、コンピュータで
制御されている。蒸着中のコンタミネーションを防ぐた
め、各ターゲットにシールド板を設けている。フォトリ
ソグラフィーにより反射鏡のパターンを形成した発光ダ
イオード3を、反射鏡を形成すべき表面を上にしてサン
プルホルダーに固定する。本実施例で用いたZnSe発
光ダイオードは、300Kでの発光波長が505nm
で、この波長領域での屈折率が2.64のものである。
スパッタリングガスには流量2sccmのアルゴンと
0.3sccmの酸素を用い、ガス圧は1.0Pa、基
板温度は110℃、SiO2 ターゲットおよびTiO2
ターゲットへの印加電力は100Wとした。この条件で
得られるSiO2 膜、TiO2 膜の発光波長領域におけ
る屈折率は、それぞれ1.45、2.35である。
ットの上で350秒間滞在させて、膜厚49nmのTi
O2 膜を発光ダイオード表面に蒸着させた。次にサンプ
ルホルダーを回転させ、SiO2 ターゲットの上で28
0秒間滞在させて、TiO2膜の上に、膜厚80nmの
SiO2 膜を蒸着させた。
ーを繰り返し、反射鏡以外の部分にリング状の電極6を
形成し、低反射率反射鏡つき発光ダイオードを作製し
た。反射率を測定した結果、反射鏡のない発光ダイオー
ド表面の反射率は465nmにおいて20%であったの
に対し、反射鏡つき発光ダイオードでは3%であった。
このため同じ条件で動作させたときの発光ダイオードの
光出力は反射鏡なしのものに比べて、反射鏡つきの場合
は1.2倍に増加した。
iO2 の組合せの代わりに、HfO 2 とMgF2 の組合
せ、Gd2 O3 とSiO2 の組合せ、MgOとAl2 O
3 の組合せまたはZrO2 とMgF2 の組合せを用いた
構成とした場合でも、同様の効果が得られた。
ZnSe系レーザーダイオード7のへき開した端面に、
それぞれ発振波長の1/2倍、1/4倍および1/4倍
の光学厚さであるAl2 O3 膜8、MgO膜9およびA
l2 O3 膜10を順に設けた反射鏡を形成した。
リング装置を用いた。スパッタ源はAl2 O3 ターゲッ
トとMgOターゲットとで構成した。用いたZnSe系
レーザーダイオードは、300Kでの発振波長が520
nmであり、この波長での等価屈折率は2.60であ
る。
のアルゴンを用い、ガス圧は1.0Pa、基板温度は1
10℃、Al2 O3 ターゲットおよびMgOターゲット
への印加電力は100Wとした。この条件で得られるA
l2 O3 膜、MgO膜の発振波長領域における屈折率
は、それぞれ1.55、1.68である。
ゲットの上で840秒間滞在させて、膜厚168nmの
Al2 O3 膜を発光ダイオード表面に蒸着させた。次に
サンプルホルダーを回転させ、MgOターゲットの上で
250秒間滞在させて、Al 2 O3 膜の上に、膜厚77
nmのMgO膜を蒸着させた。さらにサンプルホルダー
を回転させ、Al2 O3 ターゲットの上で420秒間滞
在させて、MgO膜の上に、膜厚84nmのAl2 O3
膜を蒸着させた。反射鏡を形成した端面の反射率は、5
20nmにおいて4%であった。
端面に、発振波長の1/4倍の光学厚さであるSiO2
膜とTiO2 膜を交互に5層ずつ蒸着して、反射率99
%の高反射鏡を得た。
ス駆動したところ、反射率4%の端面からのレーザー出
力は、注入電流150mAのとき、10mWに達した。
一方、両端面ともへき開をしただけで誘電体の反射鏡を
形成していないレーザーダイオードに150mAの電流
を注入したときの光出力は5mWであった。
の光学厚さであるAl2 O3 膜の代わりに、発振波長の
1/2倍の光学厚さであるSiO2 膜を用いた構成とし
た場合でも、またその上に設ける2層構造の誘電体層を
MgOとAl2 O3 の組合せの代わりに、HfO2 とM
gF2 の組合せ、Gd2 O3 とSiO2 の組合せ、Ti
O2 とSiO2 の組合せまたはZrO2 とMgF2 の組
合せを用いた構成とした場合でも、同様の効果が得られ
た。
I 族化合物半導体に対して、屈折率の関係、熱膨張係数
差、付着性、結晶性、熱伝導率、硬度、耐湿性、安定性
などを最適化した、1層、2層、または3層からなる誘
電体の低反射率反射鏡材料およびその構成を見いだし
た。これによれば、II-VI 族化合物半導体発光素子から
の光出力を有効に取り出すことができる。
Claims (8)
- 【請求項1】 II-VI 族化合物半導体からなる発光素子
の光出射面に、酸化アルミニウム(Al2 O3 )、フッ
化セリウム(CeF3 )、酸化マグネシウム(Mg
O)、酸化ガドリニウム(Gd2 O3 )及び酸化スカン
ジウム(Sc2 O3)から選ばれる少なくとも1種類の
誘電体の層を設けた反射鏡。 - 【請求項2】 誘電体の層の厚さが、素子の発光波長の
1/4、3/4または5/4倍の光学厚さである請求項
1に記載の反射鏡。 - 【請求項3】 II-VI 族化合物半導体からなる発光素子
の光出射面に、屈折率の異なる誘電体からなる2層構造
の誘電体層を設けた反射鏡。 - 【請求項4】 2層構造の誘電体層が、II−VI族化合物
半導体の表面側から順に酸化チタン(TiO2 )と二酸
化珪素(SiO2 )の組合せ、酸化ハフニウム(HfO
2 )とフッ化マグネシウム(MgF2 )の組合せ、Gd
2 O3 とSiO 2 の組合せ、MgOとAl2 O3 の組合
せ、または酸化ジルコニウム(ZrO2)とMgF2 の
組合せの中から選ばれる少なくとも1種類の組合せであ
る請求項3に記載の反射鏡。 - 【請求項5】 2層構造の誘電体層の各々の層の厚さ
が、素子の発光波長の1/4倍の光学厚さである請求項
4に記載の反射鏡。 - 【請求項6】 II-VI 族化合物半導体からなる発光素子
の光出射面に、層の厚さが素子の発光波長の1/2倍の
光学厚さであるSiO2 またはAl2 O3 の層を設け、
その表面に各々の層の厚さが素子の発光波長の1/4倍
の光学厚さであるTiO2 とSiO2 の組合せ、HfO
2 とMgF2 の組合せ、Gd2 O3 とSiO2 の組合
せ、MgOとAl2 O3 の組合せ、またはZrO2 とM
gF2 の組合せの中から選ばれる少なくとも1種類の組
合せからなる誘電体層を設けて3層構造にした反射鏡。 - 【請求項7】 II−VI族化合物半導体が、硫化亜鉛(Z
nS)、セレン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(Z
nTe)、硫化カドミウム(CdS)またはセレン化カ
ドミウム(CdSe)の群から選ばれる1種類以上の単
体またはこれらの単体の混晶である請求項1、4または
6に記載の反射鏡。 - 【請求項8】 II−VI族化合物半導体からなる発光素子
が、端面発光型または面発光型であるレーザーダイオー
ドまたは発光ダイオードである請求項1、4または6に
記載の反射鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5145999A JPH077225A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5145999A JPH077225A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 反射鏡 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH077225A true JPH077225A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=15397818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5145999A Pending JPH077225A (ja) | 1993-06-17 | 1993-06-17 | 反射鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH077225A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297498A (ja) * | 1994-03-01 | 1995-11-10 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置 |
US5929653A (en) * | 1996-07-30 | 1999-07-27 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit having programmable enabling circuit |
JPH11284271A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
JP2000036633A (ja) * | 1999-07-16 | 2000-02-02 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体レ―ザ |
WO2001041271A1 (fr) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif laser a semi-conducteurs, procede de production de ce dernier et dispositif a disque optique |
JP2004289108A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
WO2021200550A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子、量子カスケードレーザ装置及び量子カスケードレーザ装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-06-17 JP JP5145999A patent/JPH077225A/ja active Pending
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07297498A (ja) * | 1994-03-01 | 1995-11-10 | Seiko Epson Corp | 半導体レーザおよびこれを用いた光センシング装置 |
US5929653A (en) * | 1996-07-30 | 1999-07-27 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit having programmable enabling circuit |
JPH11284271A (ja) * | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
US6370177B1 (en) | 1998-03-30 | 2002-04-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
US6667187B2 (en) | 1998-03-30 | 2003-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser and method of manufacturing the same |
JP2000036633A (ja) * | 1999-07-16 | 2000-02-02 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体レ―ザ |
WO2001041271A1 (fr) * | 1999-11-30 | 2001-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif laser a semi-conducteurs, procede de production de ce dernier et dispositif a disque optique |
US6798811B1 (en) | 1999-11-30 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus |
US7292615B2 (en) | 1999-11-30 | 2007-11-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device, method for fabricating the same, and optical disk apparatus |
JP2004289108A (ja) * | 2002-09-27 | 2004-10-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子 |
WO2021200550A1 (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 量子カスケードレーザ素子、量子カスケードレーザ装置及び量子カスケードレーザ装置の製造方法 |
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Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20060302 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Effective date: 20060518 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 3 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090616 |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 4 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 5 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 6 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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