JPH077195A - 磁気抵抗変換器及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗変換器及びその製造方法Info
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- JPH077195A JPH077195A JP6047325A JP4732594A JPH077195A JP H077195 A JPH077195 A JP H077195A JP 6047325 A JP6047325 A JP 6047325A JP 4732594 A JP4732594 A JP 4732594A JP H077195 A JPH077195 A JP H077195A
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- G—PHYSICS
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-
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 層の平面に垂直に電界を印加して磁気抵抗を
測定する磁気抵抗変換器ならびにそれを製造する方法を
提供する。 【構成】 層に垂直な電子の移動をもたらすことを特徴
とする、異なる磁気特性を有する層の積重ね（磁性金属
多重層）を含む磁気抵抗変換器を提供する。同一の層の
積重ねを通る複数の垂直移動を保証するため、この積重
ねを、２つの電極によって囲み、この片全体の電気伝導
を、ギリシャ・キー・パターンの歯の形に構造をカット
することによって遮断する。 【効果】 磁気センサ応用分野において、読み取ろうと
する磁気記録要素の媒体の近傍に変換器を置くことが可
能になるという長所を有する。たとえば、電極に妨げら
れずに変換器の近傍に磁気テープを置くことが可能であ
る。
測定する磁気抵抗変換器ならびにそれを製造する方法を
提供する。 【構成】 層に垂直な電子の移動をもたらすことを特徴
とする、異なる磁気特性を有する層の積重ね（磁性金属
多重層）を含む磁気抵抗変換器を提供する。同一の層の
積重ねを通る複数の垂直移動を保証するため、この積重
ねを、２つの電極によって囲み、この片全体の電気伝導
を、ギリシャ・キー・パターンの歯の形に構造をカット
することによって遮断する。 【効果】 磁気センサ応用分野において、読み取ろうと
する磁気記録要素の媒体の近傍に変換器を置くことが可
能になるという長所を有する。たとえば、電極に妨げら
れずに変換器の近傍に磁気テープを置くことが可能であ
る。
Description
【０００１】
【０００２】
【従来の技術】本発明は、磁気抵抗変換器と、そのよう
な変換器を製造するための方法とに関する。
な変換器を製造するための方法とに関する。
【０００３】磁性金属多重層での電子の移動が最近研究
されているが、これは、それによってその材料の磁気抵
抗を研究できるからである。この現象は外部磁界の下
で、もしくは、この磁界が存在しない場合には界面の特
性の変動に関連して、材料の抵抗の差から発生する。
されているが、これは、それによってその材料の磁気抵
抗を研究できるからである。この現象は外部磁界の下
で、もしくは、この磁界が存在しない場合には界面の特
性の変動に関連して、材料の抵抗の差から発生する。
【０００４】図１ａでは、たとえばタイプＡ材料が磁性
材料であり、タイプＢ材料が非磁性材料である。
材料であり、タイプＢ材料が非磁性材料である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】実用上の理由から、こ
の測定は、通常は層の平面に平行に電界を印加すること
によってのみ行われる。この場合、拡散距離（５ないし
１００ｎｍ）が層の厚さ（１ないし５ｎｍ）より大きい
場合、電子が界面に達するまでに通る経路が長くなる可
能性がある。したがって、電界を層の平面に垂直に印加
する手法（図１ｂ）は、電子が素早く界面に達するはず
なので、高効率での磁気抵抗の使用にはるかに好ましい
はずである。したがって、この発想は、数年前から広ま
ってはいたが、技術的に達成が非常に困難であり、本発
明の目的は、この困難を迂回する手法にある。
の測定は、通常は層の平面に平行に電界を印加すること
によってのみ行われる。この場合、拡散距離（５ないし
１００ｎｍ）が層の厚さ（１ないし５ｎｍ）より大きい
場合、電子が界面に達するまでに通る経路が長くなる可
能性がある。したがって、電界を層の平面に垂直に印加
する手法（図１ｂ）は、電子が素早く界面に達するはず
なので、高効率での磁気抵抗の使用にはるかに好ましい
はずである。したがって、この発想は、数年前から広ま
ってはいたが、技術的に達成が非常に困難であり、本発
明の目的は、この困難を迂回する手法にある。
【０００６】層の平面に垂直な電流を測定することによ
って機能する実用的な実施態様は、図１ｃに示される形
式になるであろう。
って機能する実用的な実施態様は、図１ｃに示される形
式になるであろう。
【０００７】留意すべき点として、下記が挙げられる。
【０００８】１ 材料の抵抗が低い（約１０-5Ω・ｃ
ｍ）ので、測定すべき抵抗値が非常に低い。
ｍ）ので、測定すべき抵抗値が非常に低い。
【０００９】たとえば
【００１０】
【数１】
【００１１】２ 接触面積が小さい（数μｍ2 ）ので、
接触抵抗Ｒc が非常に高い。
接触抵抗Ｒc が非常に高い。
【００１２】３ この技法はほとんど知られておらず、
困難である。
困難である。
【００１３】４ 大電流を通すことができない（層に平
行な電子移動と比較して）ので、測定すべき電流が少な
い。
行な電子移動と比較して）ので、測定すべき電流が少な
い。
【００１４】５ 普通に考えられる手法では、磁気情報
要素を有する物体を検出デバイスの近くに置くことが困
難である（接点を作るということは、情報を含む媒体を
近傍に置けないことを意味する）。
要素を有する物体を検出デバイスの近くに置くことが困
難である（接点を作るということは、情報を含む媒体を
近傍に置けないことを意味する）。
【００１５】これらの理由から、これまでに大気温度下
での一貫した研究は行われておらず、超伝導接続を使用
することによる低温での測定だけが行われてきたが、こ
れは当然、低温の場の観察だけに限定される。したがっ
て、現在、垂直電子移動の長所を有し、大気温度で動作
するセンサを作る方法は存在しない。
での一貫した研究は行われておらず、超伝導接続を使用
することによる低温での測定だけが行われてきたが、こ
れは当然、低温の場の観察だけに限定される。したがっ
て、現在、垂直電子移動の長所を有し、大気温度で動作
するセンサを作る方法は存在しない。
【００１６】
【課題を解決するための手段】したがって、本発明は、
エッチングによって遮断または開路を得る方法に関す
る。
エッチングによって遮断または開路を得る方法に関す
る。
【００１７】本発明は、異なる磁気特性を有する少なく
とも２タイプの粒子を含む複合材料の少なくとも１つの
層を含む磁気抵抗変換器であって、・複合材料の層を囲
む２層の導電材料と、・前記導電材料の層の平面に沿っ
て互いに離れたゾーン内で前記導電材料の層のうちの少
なくとも一方の上に置かれた少なくとも２つの電極とを
含み、複合材料の層と電極を支持する導電材料の層と
が、前記電極を含む前記ゾーンの間に置かれる少なくと
も１つの電気伝導の遮断を含むことを特徴とする、前記
磁気抵抗変換器に関する。
とも２タイプの粒子を含む複合材料の少なくとも１つの
層を含む磁気抵抗変換器であって、・複合材料の層を囲
む２層の導電材料と、・前記導電材料の層の平面に沿っ
て互いに離れたゾーン内で前記導電材料の層のうちの少
なくとも一方の上に置かれた少なくとも２つの電極とを
含み、複合材料の層と電極を支持する導電材料の層と
が、前記電極を含む前記ゾーンの間に置かれる少なくと
も１つの電気伝導の遮断を含むことを特徴とする、前記
磁気抵抗変換器に関する。
【００１８】前記を適用することによって、磁気抵抗変
換器が、複数の奇数順位および偶数順位の遮断を有し、
偶数順位の遮断は、導電材料の層のうちの１つの電気伝
導を遮断し、奇数順位の遮断は、導電材料のもう１つの
層の電気伝導を遮断する。
換器が、複数の奇数順位および偶数順位の遮断を有し、
偶数順位の遮断は、導電材料の層のうちの１つの電気伝
導を遮断し、奇数順位の遮断は、導電材料のもう１つの
層の電気伝導を遮断する。
【００１９】また、本発明は、ａ）少なくとも、・導電
材料の第１層と、・磁性材料の粒子と非磁性材料の粒子
とを含む複合材料の少なくとも１つの層と、・導電材料
の第２層とからなる積重ねを作るステップと、ｂ）導電
材料の層のうちの１つと複合材料の層とに少なくとも１
つの電気伝導の遮断を作るステップとを含む、磁気抵抗
変換器を製造するための方法に関する。
材料の第１層と、・磁性材料の粒子と非磁性材料の粒子
とを含む複合材料の少なくとも１つの層と、・導電材料
の第２層とからなる積重ねを作るステップと、ｂ）導電
材料の層のうちの１つと複合材料の層とに少なくとも１
つの電気伝導の遮断を作るステップとを含む、磁気抵抗
変換器を製造するための方法に関する。
【００２０】
【実施例】図２ａを参照して、本発明による基本的なデ
バイスの説明を行う。
バイスの説明を行う。
【００２１】このデバイスは、磁性材料の粒子と絶縁材
料または半導体材料の粒子から構成される複合材料の層
１を有する。この層は、導電材料からなる２つの層４お
よび５の間に挟まれている。導電層のうちの１つ、たと
えば層５は、層５の２つの対向する端に置かれる２つの
電極６および７を有する。この電極は、一方が層５の
上、他方が層４の上になるように置くこともできる。た
とえば、電極７は、図２ａの符号７′によって示される
位置に置くこともできる。
料または半導体材料の粒子から構成される複合材料の層
１を有する。この層は、導電材料からなる２つの層４お
よび５の間に挟まれている。導電層のうちの１つ、たと
えば層５は、層５の２つの対向する端に置かれる２つの
電極６および７を有する。この電極は、一方が層５の
上、他方が層４の上になるように置くこともできる。た
とえば、電極７は、図２ａの符号７′によって示される
位置に置くこともできる。
【００２２】この層の積重ねには、少なくとも１つの電
気伝導の遮断が含まれる。この遮断は、層１と、層４お
よび５のうちの少なくとも１つの導電層とに影響する。
気伝導の遮断が含まれる。この遮断は、層１と、層４お
よび５のうちの少なくとも１つの導電層とに影響する。
【００２３】好ましい実用的な実施例では、複数の遮断
（ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ）が計画されている。奇数
順位遮断８．１、８．３および８．５は、導電層５と層
１の中に作られる。偶数順位遮断８．２および８．４
は、導電層４と層１の中に作られる。したがって、電極
６と電極７の間を流れなければならない電流は、異なる
要素１．１ないし１．６を通過しなければならない。
（ｉｎｔｅｒｒｕｐｔｉｏｎ）が計画されている。奇数
順位遮断８．１、８．３および８．５は、導電層５と層
１の中に作られる。偶数順位遮断８．２および８．４
は、導電層４と層１の中に作られる。したがって、電極
６と電極７の間を流れなければならない電流は、異なる
要素１．１ないし１．６を通過しなければならない。
【００２４】したがって、図２ａの構造は、機能的に
は、異なる要素１．１ないし１．６が積み重ねられてい
るかのように動作する。さらに、電極６および７の表面
積は、非常に大きく、したがって、その抵抗は、要素
１．２から要素１．５までの抵抗と比較して非常に低く
なる可能性がある。
は、異なる要素１．１ないし１．６が積み重ねられてい
るかのように動作する。さらに、電極６および７の表面
積は、非常に大きく、したがって、その抵抗は、要素
１．２から要素１．５までの抵抗と比較して非常に低く
なる可能性がある。
【００２５】本発明は、粒子状の材料にも適用できる。
所定の分布に従って層１内に粒子を配置するよう計画す
ることもできる。図２ｂによれば、異なるタイプの粒子
の層が交互に配置されることに注目されたい。
所定の分布に従って層１内に粒子を配置するよう計画す
ることもできる。図２ｂによれば、異なるタイプの粒子
の層が交互に配置されることに注目されたい。
【００２６】たとえば、磁化が固定され、検出しようと
する場に鈍感な粒子２０と、検出しようとする場に敏感
な磁化を有する粒子２１を用意することによって、粒子
２０を有する層と粒子２１を有する層という異なる層が
存在する。十分に薄い層を設けることによって、層の平
面に垂直な方向で、粒子２１が最初に隣接する粒子とし
て粒子２０を有し、その逆も成り立つデバイスを得るこ
とが可能になる。こうすると、同一タイプの粒子間のト
ンネル接合が、この材料を通ってしみ出さなくなる。
する場に鈍感な粒子２０と、検出しようとする場に敏感
な磁化を有する粒子２１を用意することによって、粒子
２０を有する層と粒子２１を有する層という異なる層が
存在する。十分に薄い層を設けることによって、層の平
面に垂直な方向で、粒子２１が最初に隣接する粒子とし
て粒子２０を有し、その逆も成り立つデバイスを得るこ
とが可能になる。こうすると、同一タイプの粒子間のト
ンネル接合が、この材料を通ってしみ出さなくなる。
【００２７】磁界の関数としての抵抗の変化は、図２ｃ
に示される変化の法則に従う。したがって、高感度の検
出をもたらす線形変化のゾーンで機能できるようにする
ための備えがある。この目的のため、連続的な磁界、た
とえば図３のＨbiasを印加し、したがって、この曲線の
線形ゾーンで動作できるようにする。
に示される変化の法則に従う。したがって、高感度の検
出をもたらす線形変化のゾーンで機能できるようにする
ための備えがある。この目的のため、連続的な磁界、た
とえば図３のＨbiasを印加し、したがって、この曲線の
線形ゾーンで動作できるようにする。
【００２８】この連続磁界を印加するのに使用できる手
段は、図３に示される磁化された材料の層１６などの永
久磁石とすることができる。この層１６は、誘導される
磁化の強度に応じ、また、層１の厚さに応じて、薄い層
または厚い層とすることができる。この層は、絶縁層１
７によって層４から絶縁できる。
段は、図３に示される磁化された材料の層１６などの永
久磁石とすることができる。この層１６は、誘導される
磁化の強度に応じ、また、層１の厚さに応じて、薄い層
または厚い層とすることができる。この層は、絶縁層１
７によって層４から絶縁できる。
【００２９】また、層１内に磁界を誘導できるようにす
る導電性のループを設けることも可能である。その場
合、この導電層（図示せず）は、層１６の代わりにな
る。
る導電性のループを設けることも可能である。その場
合、この導電層（図示せず）は、層１６の代わりにな
る。
【００３０】図４ａないし図４ｄを参照して、本発明に
よる製造の方法を説明する。
よる製造の方法を説明する。
【００３１】絶縁材料の基板１０の上に、・導電材料の
層４と、・たとえば異なる磁気特性を有する副層の積重
ねの形で作られる、上記説明の複合材料の層１と、・導
電材料の層５との積重ねを作る。したがって、図４ａの
層の積重ねが得られる。
層４と、・たとえば異なる磁気特性を有する副層の積重
ねの形で作られる、上記説明の複合材料の層１と、・導
電材料の層５との積重ねを作る。したがって、図４ａの
層の積重ねが得られる。
【００３２】この提案の手法が、図４ａに概略的に示さ
れている。これは、良導体である材料Ｃの２層の間に挟
まれた材料ＡおよびＢという多重層から構成される（こ
の多重層を、本明細書では「金属堆積物」と呼ぶ）。
れている。これは、良導体である材料Ｃの２層の間に挟
まれた材料ＡおよびＢという多重層から構成される（こ
の多重層を、本明細書では「金属堆積物」と呼ぶ）。
【００３３】その後、２つの長方形の切込み４０および
４１（図４ｂ）を作って、薄いストリップ（たとえばｌ
＝１μｍ）だけが残るような形で、少なくとも基板１０
まで穴を空ける。ストリップの両側に置かれる電流入力
ゾーン４３および４４は、金属堆積物によって構成さ
れ、低い抵抗Ｒa を得るため大きな寸法を有する。これ
らの入力ゾーンでは、大きな寸法の電極６および７を堆
積でき、したがって、接点の抵抗値Ｒc も小さくするこ
とができる。
４１（図４ｂ）を作って、薄いストリップ（たとえばｌ
＝１μｍ）だけが残るような形で、少なくとも基板１０
まで穴を空ける。ストリップの両側に置かれる電流入力
ゾーン４３および４４は、金属堆積物によって構成さ
れ、低い抵抗Ｒa を得るため大きな寸法を有する。これ
らの入力ゾーンでは、大きな寸法の電極６および７を堆
積でき、したがって、接点の抵抗値Ｒc も小さくするこ
とができる。
【００３４】その後、遮断８．１、８．２、…、８．４
のパターンを横に切り込み、これによって、分析しよう
とする層に対して垂直に電流を流す。図４ｃに示された
例では、集光イオン・ビームを使用して、歯付きパター
ンまたは「ギリシャ・キー（蛇行紋）」パターンが得ら
れるようにストリップに穴を空ける。アパーチャ間の間
隔は、１μｍ未満の距離に短縮することができる。
のパターンを横に切り込み、これによって、分析しよう
とする層に対して垂直に電流を流す。図４ｃに示された
例では、集光イオン・ビームを使用して、歯付きパター
ンまたは「ギリシャ・キー（蛇行紋）」パターンが得ら
れるようにストリップに穴を空ける。アパーチャ間の間
隔は、１μｍ未満の距離に短縮することができる。
【００３５】たとえば、図４ｃの構造は、 ・ストリップの厚さ１：約１μｍ ・ストリップの高さｈ：約２．５μｍ ・ストリップの長さＬ（作られるアパーチャの数によっ
て変化する）：約１０μｍ という寸法を有することができる。
て変化する）：約１０μｍ という寸法を有することができる。
【００３６】次に、図４ｄに、電流のたどる経路を示
す。この例では、金属の多重層を、堆積物の平面に垂直
な電流が４回横断するが、横断の回数は、望みの数に増
加できることが明白である。電流が流れる断面は、小さ
な寸法すなわち、この場合では１μｍの間隔に対して１
μｍのストリップ幅（したがって高い抵抗）を有する。
す。この例では、金属の多重層を、堆積物の平面に垂直
な電流が４回横断するが、横断の回数は、望みの数に増
加できることが明白である。電流が流れる断面は、小さ
な寸法すなわち、この場合では１μｍの間隔に対して１
μｍのストリップ幅（したがって高い抵抗）を有する。
【００３７】もう１つの例の方法は、図５ａないし図５
ｃに概略的に示される動作の実行からなる。
ｃに概略的に示される動作の実行からなる。
【００３８】エッチング（化学的なものかイオン腐食に
よる）され、薄い（約１μｍ）歯状突起（本明細書では
歯と呼ぶ）を有する基板１０の上に、導電材料の第１の
層４と複合材料の層１が堆積されている。図５ａの構造
が得られる。その後、導電材料の第２の層５を堆積する
（図５ｂ）。
よる）され、薄い（約１μｍ）歯状突起（本明細書では
歯と呼ぶ）を有する基板１０の上に、導電材料の第１の
層４と複合材料の層１が堆積されている。図５ａの構造
が得られる。その後、導電材料の第２の層５を堆積する
（図５ｂ）。
【００３９】歯の高さｈは、導電材料の第１の層４の厚
さと層１の厚さの和より大きいが、堆積物全体（第１の
層４、層１および第２の層５）の厚さより小さくなるよ
うに設計されている。歯４８の上に置かれる第１の導電
層４と、歯４８の両脇に置かれる第２の導電層５の間に
は、電気接続がある。これによって、歯の上での電気的
な連続性が保証される。
さと層１の厚さの和より大きいが、堆積物全体（第１の
層４、層１および第２の層５）の厚さより小さくなるよ
うに設計されている。歯４８の上に置かれる第１の導電
層４と、歯４８の両脇に置かれる第２の導電層５の間に
は、電気接続がある。これによって、歯の上での電気的
な連続性が保証される。
【００４０】この場合、図５ｃに示される複合材料の層
１に垂直な電流の経路を得るには、たとえば旧来のリソ
グラフィの技法（または他の手段）によって、図５ｃに
示される溝として遮断８．１および８．３の穴を空けれ
ば十分である。これによって、上で説明した方法によっ
てこの現象を研究できるようになる。
１に垂直な電流の経路を得るには、たとえば旧来のリソ
グラフィの技法（または他の手段）によって、図５ｃに
示される溝として遮断８．１および８．３の穴を空けれ
ば十分である。これによって、上で説明した方法によっ
てこの現象を研究できるようになる。
【００４１】この説明のデバイスは、たとえば、下記の
材料と厚さを用いて作ることができる。
材料と厚さを用いて作ることができる。
【００４２】・導電材料から作られる層４および５：
１．５μｍの厚さを有する銀などの非磁性金属・複合材
料の層１：銀層の厚さを８ｎｍ、コバルト層の厚さを２
ｎｍとすることのできる銀とコバルトの多重層。約４０
層の銀と約４０層のコバルトを交互に設けることができ
る。
１．５μｍの厚さを有する銀などの非磁性金属・複合材
料の層１：銀層の厚さを８ｎｍ、コバルト層の厚さを２
ｎｍとすることのできる銀とコバルトの多重層。約４０
層の銀と約４０層のコバルトを交互に設けることができ
る。
【００４３】このように設計されたデバイスによって、
電極の接触抵抗値Ｒc と、デバイスの敏感なゾーンと電
極の間のアクセス抵抗値Ｒa を、デバイスの全抵抗に関
して最小にすることができる。実際、このデバイスの各
要素の幅ｅは、１μｍ程度とすることができ、複数の要
素が直列に接続されるが、これによって、抵抗値Ｒcお
よびＲa に関してこのデバイスの抵抗がかなり増加す
る。
電極の接触抵抗値Ｒc と、デバイスの敏感なゾーンと電
極の間のアクセス抵抗値Ｒa を、デバイスの全抵抗に関
して最小にすることができる。実際、このデバイスの各
要素の幅ｅは、１μｍ程度とすることができ、複数の要
素が直列に接続されるが、これによって、抵抗値Ｒcお
よびＲa に関してこのデバイスの抵抗がかなり増加す
る。
【００４４】上記では、複合材料の層１は２つの材料
（２タイプの粒子）によって構成されると考えてきた
が、３タイプ以上の材料によって構成される複合材料の
使用が可能であることは明白である。
（２タイプの粒子）によって構成されると考えてきた
が、３タイプ以上の材料によって構成される複合材料の
使用が可能であることは明白である。
【００４５】同様に、ギリシャ・キー・パターン（図４
ｄおよび図５ｃ）を有する構造を設計してきた。しか
し、複合材料の層に垂直な電子の移動を可能にする、他
の形状を設計することが可能である。
ｄおよび図５ｃ）を有する構造を設計してきた。しか
し、複合材料の層に垂直な電子の移動を可能にする、他
の形状を設計することが可能である。
【００４６】
【発明の効果】磁気センサ応用分野において、本発明
は、読み取ろうとする磁気記録要素の媒体の近傍に変換
器を置くことが可能になるという長所を有する。たとえ
ば、電極に妨げられずに変換器の近傍に磁気テープを置
くことが可能である。
は、読み取ろうとする磁気記録要素の媒体の近傍に変換
器を置くことが可能になるという長所を有する。たとえ
ば、電極に妨げられずに変換器の近傍に磁気テープを置
くことが可能である。
【図１ａ】従来技術で周知のデバイスを示す図である。
【図１ｂ】従来技術で周知のデバイスを示す図である。
【図１ｃ】従来技術で周知のデバイスを示す図である。
【図２ａ】本発明のデバイスの実施例を示す図である。
【図２ｂ】本発明のデバイスの実施例を示す図である。
【図２ｃ】本発明のデバイスの実施例を示す図である。
【図３】本発明のデバイスの代替実施例を示す図であ
る。
る。
【図４ａ】本発明のデバイスを製作する方法を示す図で
ある。
ある。
【図４ｂ】本発明のデバイスを製作する方法を示す図で
ある。
ある。
【図４ｃ】本発明のデバイスを製作する方法を示す図で
ある。
ある。
【図４ｄ】本発明のデバイスを製作する方法を示す図で
ある。
ある。
【図５ａ】本発明のデバイスを製作するためのもう１つ
の方法を示す図である。
の方法を示す図である。
【図５ｂ】本発明のデバイスを製作するためのもう１つ
の方法を示す図である。
の方法を示す図である。
【図５ｃ】本発明のデバイスを製作するためのもう１つ
の方法を示す図である。
の方法を示す図である。
１ （複合材料の）層 １．１ないし１．６ 複合材料層の異なる要素 ４ （導電材料の）層 ５ （導電材料の）層 ６ 電極 ７ 電極 ８．１ 奇数順位遮断 ８．３ 奇数順位遮断 ８．５ 奇数順位遮断 ８．２ 偶数順位遮断 ８．４ 偶数順位遮断 １０ 基板 １６ （磁化された材料の）層 １７ 絶縁層 ２０ 粒子 ２１ 粒子 ４０ 切込み ４１ 切込み ４３ 電流入力ゾーン ４４ 電流入力ゾーン ４８ 歯
Claims (21)
- 【請求項１】 異なる磁気特性を有する少なくとも２タ
イプの粒子を含む複合材料の少なくとも１つの層を含む
磁気抵抗変換器であって、 ・複合材料の層を囲む２つの層の導電材料と、 ・前記導電材料の層の平面に沿って互いに離れたゾーン
内で前記導電材料の層のうちの少なくとも一方の上に置
かれた少なくとも２つの電極とを含み、 前記複合材料の層と電極を支持する導電材料の層とが、
前記電極を含む前記ゾーンの間に置かれる少なくとも１
つの電気伝導の遮断を含むことを特徴とする、前記磁気
抵抗変換器。 - 【請求項２】 前記複合材料の層が、少なくとも磁性材
料の粒子と非磁性材料の粒子とを含むことを特徴とす
る、請求項１に記載の変換器。 - 【請求項３】 複数の偶数順位および奇数順位の遮断を
含み、偶数順位の遮断が、導電材料の層のうちの１つの
電気伝導を遮断し、奇数順位の遮断が、導電材料のもう
１つの層の電気伝導を遮断する、請求項１に記載の変換
器。 - 【請求項４】 電極が、導電材料の１つの同一の層に置
かれることを特徴とする、請求項２に記載の変換器。 - 【請求項５】 遮断のそれぞれが、絶縁材料を有するこ
とを特徴とする、請求項２に記載の変換器。 - 【請求項６】 磁性材料の粒子が、超常磁性であること
を特徴とする、請求項２に記載の変換器。 - 【請求項７】 磁性材料の粒子が、非常に弱い保磁場を
有することを特徴とする、請求項２に記載の変換器。 - 【請求項８】 永久バイアス磁界を印加する手段を含
む、請求項２に記載の変換器。 - 【請求項９】 永久磁石を含む、請求項８に記載の変換
器。 - 【請求項１０】 永久磁石が、磁性材料の薄い層によっ
て構成されることを特徴とする、請求項９に記載の変換
器。 - 【請求項１１】 永久磁石が、直流の横切る導電ループ
を有することを特徴とする、請求項９に記載の変換器。 - 【請求項１２】 粒子が、すべて同一の１つの材料から
作られることを特徴とする、請求項２に記載の変換器。 - 【請求項１３】 少なくとも ・検出しようとする場に鈍感な材料から作られる第１タ
イプの粒子と、 ・検出しようとする場に敏感な材料から作られる第２タ
イプの粒子と の２タイプの粒子を含む、請求項２に記載の変換器。 - 【請求項１４】 導電材料の層の平面に平行な、第１タ
イプの粒子の層と第２タイプの粒子の層を交互に有する
ように粒子が分配されることを特徴とする、請求項１３
に記載の変換器。 - 【請求項１５】 第１タイプの粒子の永久磁化が、規定
された方向に平行な向きに向けられることを特徴とす
る、請求項１４に記載の変換器。 - 【請求項１６】 ａ）少なくとも、 ・導電材料の第１層と、 ・磁性材料の粒子と非磁性であり絶縁性または半導体で
ある材料の粒子とを含む複合材料の少なくとも１つの層
と、 ・導電材料の第２層と の積重ねを作るステップと、 ｂ）導電材料の層のうちの１つと複合材料の層とに少な
くとも１つの電気伝導の遮断を作るステップと を含む、磁気抵抗変換器を製造する方法。 - 【請求項１７】 遮断が、エッチングによって作られる
ことを特徴とする、請求項１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 偶数順位の遮断が、導電材料の層のう
ちの１つの電気伝導を遮断し、奇数順位の遮断が、導電
材料のもう１つの層の電気伝導を遮断する、複数の偶数
順位および奇数順位の遮断を作るステップを含む、請求
項１６に記載の方法。 - 【請求項１９】 複合層を作るステップが、磁界に鈍感
な粒子によって形成される材料の副層と、その磁化が磁
界に敏感な粒子によって形成される材料の副層を交互に
作ることによって行われることを特徴とする、請求項１
６に記載の方法。 - 【請求項２０】 導電材料の第１層が、第１層の厚さと
複合材料の層の厚さとの和から３つの層の厚さの和まで
の範囲の高さを有する少なくとも１つの突起を含む絶縁
材料の基板の上に作られることを特徴とする、請求項１
６に記載の方法。 - 【請求項２１】 少なくとも２つの要素を含み、各要素
が、導電材料の２つの層の間に挟まれる、異なる磁気特
性を有する２タイプの材料によって形成される材料の層
を含み、要素が導電材料の層のうちの１つによって２つ
１組に接続され、層の平面に平行な平面に沿った各要素
の断面が１００分の数平方μｍから１０分の数平方μｍ
までの範囲である、磁気抵抗変換器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9303206 | 1993-03-19 | ||
| FR9303206A FR2702919B1 (fr) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | Transducteur magnétorésistif et procédé de réalisation. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH077195A true JPH077195A (ja) | 1995-01-10 |
Family
ID=9445166
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6047325A Pending JPH077195A (ja) | 1993-03-19 | 1994-03-17 | 磁気抵抗変換器及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5474833A (ja) |
| EP (1) | EP0616484A1 (ja) |
| JP (1) | JPH077195A (ja) |
| FR (1) | FR2702919B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6340149A (ja) * | 1986-08-06 | 1988-02-20 | Konica Corp | ハロゲン化銀カラ−写真感光材料の処理方法 |
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| US5585198A (en) * | 1993-10-20 | 1996-12-17 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetorsistance effect element |
| TW279977B (ja) * | 1993-09-24 | 1996-07-01 | Philips Electronics Nv | |
| JPH08510095A (ja) * | 1994-02-21 | 1996-10-22 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁性体の磁化方向を部分的に変える方法及び装置 |
| US5695858A (en) * | 1994-03-23 | 1997-12-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Magnetoresistive element |
| JP2901501B2 (ja) * | 1994-08-29 | 1999-06-07 | ティーディーケイ株式会社 | 磁性多層膜およびその製造方法ならびに磁気抵抗効果素子 |
| WO1996007208A1 (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-07 | Douwe Johannes Monsma | Current conducting structure with at least one potential barrier and method of manufcturing such |
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| JPH11510911A (ja) * | 1996-06-12 | 1999-09-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | 磁気抵抗式磁界センサ |
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| WO2000011664A1 (en) * | 1998-08-25 | 2000-03-02 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Thin film shielded magnetic read head device |
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| JP3958947B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2007-08-15 | アルプス電気株式会社 | 磁気検出素子及びその製造方法 |
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| US4663684A (en) * | 1984-01-27 | 1987-05-05 | Hitachi, Ltd. | Magnetic transducer using magnetoresistance effect |
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| FR2648942B1 (fr) * | 1989-06-27 | 1995-08-11 | Thomson Csf | Capteur a effet magnetoresistif |
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-
1993
- 1993-03-19 FR FR9303206A patent/FR2702919B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-03-07 US US08/206,143 patent/US5474833A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-03-15 EP EP94400559A patent/EP0616484A1/fr not_active Ceased
- 1994-03-17 JP JP6047325A patent/JPH077195A/ja active Pending
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5474833A (en) | 1995-12-12 |
| FR2702919B1 (fr) | 1995-05-12 |
| EP0616484A1 (fr) | 1994-09-21 |
| FR2702919A1 (fr) | 1994-09-23 |
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