JPH0770768A - Formation of inorganic film - Google Patents
Formation of inorganic filmInfo
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- JPH0770768A JPH0770768A JP21981493A JP21981493A JPH0770768A JP H0770768 A JPH0770768 A JP H0770768A JP 21981493 A JP21981493 A JP 21981493A JP 21981493 A JP21981493 A JP 21981493A JP H0770768 A JPH0770768 A JP H0770768A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、固体表面上に所要形状
の無機膜の形成する無機膜の形成方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming an inorganic film having a desired shape on a solid surface.
【０００２】[0002]
【従来の技術】無機薄膜を所要形状に形成するには、無
機薄膜の表面にマスクを形成し化学エッチングまたはス
パッタエッチングを施してからマスクを取り去る方法、
または、有機マスクの開口部に無機物を充填した上有機
マスクを除去する方法（リフトオフ）が一般に行われて
いる。2. Description of the Related Art In order to form an inorganic thin film into a desired shape, a method of forming a mask on the surface of the inorganic thin film, performing chemical etching or sputter etching, and then removing the mask,
Alternatively, a method (lift-off) of filling the opening of the organic mask with an inorganic material and removing the organic mask is generally performed.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】前記の化学エッチング
を用いる方法では、化学的に安定な無機物は加工するこ
とができない。前記のスパッタエッチングを用いる方法
では、材料に対する選択性の幅が小さく、また、通常マ
スク材料自身もエッチングされるため、加工中に無機薄
膜に損傷を受ける場合が生じる。前記のリフトオフにお
いては、化学的に安定な無機物の加工には適している
が、加工精度が化学エッチング及びスパッタエッチング
に比較して劣り、しかも、有機マスクが通常高温に対す
る耐性が無いため薄膜を形成する固体を加熱しながらの
薄膜形成には適さないという欠点があった。The method using the chemical etching described above cannot process a chemically stable inorganic substance. In the method using sputter etching, the selectivity of the material is small, and the mask material itself is usually etched, so that the inorganic thin film may be damaged during processing. The lift-off described above is suitable for processing chemically stable inorganic materials, but the processing accuracy is inferior to that of chemical etching and sputter etching, and a thin film is formed because the organic mask usually has no resistance to high temperatures. However, there is a drawback that it is not suitable for thin film formation while heating the solid.
【０００４】本発明は、従来方法の前記の欠点を解消す
ることができる無機膜の成形方法を提供しようとするも
のである。The present invention is intended to provide a method for forming an inorganic film, which can eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional methods.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の無機膜の形成方
法は、形成される無機薄膜に対応する開口部を有する多
孔質無機マスクを基板表面上に形成し、前記開口部に無
機物を充填して基板表面上に無機薄膜を形成した上、前
記多孔質無機マスクを選択的にエッチングして除去する
ことを特徴とする。According to the method for forming an inorganic film of the present invention, a porous inorganic mask having an opening corresponding to an inorganic thin film to be formed is formed on a surface of a substrate, and the opening is filled with an inorganic substance. Then, an inorganic thin film is formed on the surface of the substrate, and the porous inorganic mask is selectively etched and removed.
【０００６】[0006]
【作用】本発明では、基板表面上に形成された多孔質無
機マスクの開口部に無機物を充填することによって、基
板表面上に所定の形状の無機膜が形成される。その上
で、多孔質無機マスクを選択的にエッチングして除去す
るが、多孔質無機マスクはエッチング液との反応面積が
大きいためにエッチングが速やかに進行して安定した所
定の形状をもつ無機膜を得ることができる。また、多孔
質無機マスクは熱に対する耐性が高く、膜の形成時に基
板を加熱することが可能である。In the present invention, an inorganic film having a predetermined shape is formed on the surface of the substrate by filling the openings of the porous inorganic mask formed on the surface of the substrate with an inorganic substance. Then, the porous inorganic mask is selectively etched and removed. Since the porous inorganic mask has a large reaction area with the etching solution, the inorganic film has a stable predetermined shape because the etching progresses rapidly. Can be obtained. In addition, the porous inorganic mask has high resistance to heat and can heat the substrate when forming the film.
【０００７】本発明では、以上のように化学的に安定な
無機膜の形成可能となり、かつ、無機膜の成膜に際して
加熱しながらの成膜を行うことができる。According to the present invention, a chemically stable inorganic film can be formed as described above, and the inorganic film can be formed while heating.
【０００８】[0008]
【実施例】本発明の一実施例を、図１によって説明す
る。本実施例は、アルミナ基板上に無機薄膜としての細
線の白金抵抗体を形成する方法に係る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This example relates to a method of forming a thin-line platinum resistor as an inorganic thin film on an alumina substrate.
【０００９】本実施例では、アルミナ基板１上に、まず
スパッタによってアルミニウムを成膜する。このアルミ
ニウムの成膜は、４×１０-3 Torr 程度のアルゴンガス
雰囲気中で５００Ｗのスパッタ電力で行なわれ、図１
（ｂ）に示すように、アルミニウムの粒径の荒い多孔質
アルミニウム膜２が成膜される。形成される白金の膜厚
より２倍程度厚くなるように時間を定めてアルミニウム
を成膜した後、図１（ｃ）に示すように、リソグラフィ
によって形成される白金抵抗体のパターンに対応した形
状を多孔質アルミニウム膜２に描き、これに従って同ア
ルミニウム膜２を加工して開口部４を形成して多孔質の
アルミニウム膜のマスク３を形成する。次いで、図１
（ｄ）に示すように、白金を蒸着またはスパッタして開
口部４に白金５を充填すると共に多孔質のアルミニウム
膜のマスク３の上に白金の薄膜７を形成し、その上でリ
ン酸溶液によって多孔質のアルミニウム膜のマスク３を
エッチングし、多孔質のアルミニウム膜のマスク３とそ
の上に形成された白金の薄膜７を除去する。以上のよう
にして、図１（ｅ）に示すように、アルミナ基板５の上
に所定形状を有する薄膜で細線の白金抵抗体６が形成さ
れる。In this embodiment, an aluminum film is first formed on the alumina substrate 1 by sputtering. This aluminum film formation is carried out at a sputtering power of 500 W in an argon gas atmosphere of about 4 × 10 −3 Torr.
As shown in (b), a porous aluminum film 2 having a coarse grain size of aluminum is formed. After forming an aluminum film by setting a time so as to be twice as thick as the film thickness of the platinum film to be formed, as shown in FIG. 1C, a shape corresponding to the pattern of the platinum resistor formed by lithography. Is drawn on the porous aluminum film 2, and the aluminum film 2 is processed accordingly to form the openings 4 to form the mask 3 of the porous aluminum film. Then, FIG.
As shown in (d), platinum is vapor-deposited or sputtered to fill the openings 4 with platinum 5, and a platinum thin film 7 is formed on the porous aluminum film mask 3, and a phosphoric acid solution is then formed. The mask 3 of the porous aluminum film is etched by the method, and the mask 3 of the porous aluminum film and the platinum thin film 7 formed thereon are removed. As described above, as shown in FIG. 1E, the thin-line platinum resistor 6 is formed on the alumina substrate 5 with a thin film having a predetermined shape.
【００１０】本実施例では、アルミナ基板１上に多孔質
のアルミニウム膜よりなるマスク３を用いているので、
緻密な白金の薄膜に対して同マスク３のエッチング液と
の反応面積が大きくエッチングが速やかに進行して安定
した薄膜の白金抵抗体６をアルミナ基板上に容易に形成
することができる。In this embodiment, since the mask 3 made of a porous aluminum film is used on the alumina substrate 1,
With respect to the dense platinum thin film, the reaction area of the mask 3 with the etching solution is large, and the etching progresses rapidly, so that a stable thin film platinum resistor 6 can be easily formed on the alumina substrate.
【００１１】また、白金は、化学的に安定で、化学エッ
チングによる成膜方法は困難であり、またリフトオフに
よる成膜方法も、白金成膜時のアルミナ基板の加熱に対
してマスク材の有機物が劣化するという欠点があるが、
本実施例においては、熱に対する耐性が高い多孔質アル
ミニウム膜のマスクを用いることによって、前記欠点を
除去することが可能である。Further, platinum is chemically stable, and it is difficult to form a film by chemical etching. Also, in the film forming method by lift-off, the organic material of the mask material is not affected by the heating of the alumina substrate during platinum film formation. Although it has the drawback of deterioration,
In this embodiment, the defect can be removed by using a mask made of a porous aluminum film having high heat resistance.
【００１２】[0012]
【発明の効果】以上のように、本発明では、多孔質無機
マスクを用いているために、エッチング液との反応面積
が大きく、同無機マスクのエッチングが速やかに進行し
て化学的に安定な無機膜の加工を容易に行なうことが可
能である。また、多孔質無機マスクは、有機マスクと比
較して熱に対する耐性も高いため、無機膜の形成の際に
加熱処理を行うことが可能である。As described above, according to the present invention, since the porous inorganic mask is used, the reaction area with the etching solution is large, and the etching of the inorganic mask progresses rapidly and is chemically stable. It is possible to easily process the inorganic film. Further, since the porous inorganic mask has higher resistance to heat than the organic mask, it is possible to perform heat treatment when forming the inorganic film.
【図１】図１（ａ）ないし（ｅ）は、本発明の一実施例
の工程を示す説明図である。1 (a) to 1 (e) are explanatory views showing steps of an embodiment of the present invention.
１ アルミナ基板 ２ 多孔質アルミニウム膜 ３ 多孔質のマスク ４ 開口部 ５ 白金 ６ 白金抵抗体 ７ 白金の薄膜 1 Alumina substrate 2 Porous aluminum film 3 Porous mask 4 Opening 5 Platinum 6 Platinum resistor 7 Platinum thin film
Claims (1)
有する多孔質無機マスクを基板表面上に形成し、前記開
口部に無機物を充填して基板表面上に無機薄膜を形成し
た上、前記多孔質無機マスクを選択的にエッチングして
除去することを特徴とする無機膜の形成方法。1. A porous inorganic mask having an opening corresponding to an inorganic thin film to be formed is formed on a substrate surface, and the opening is filled with an inorganic substance to form an inorganic thin film on the substrate surface. A method for forming an inorganic film, which comprises selectively removing the porous inorganic mask by etching.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21981493A JPH0770768A (en) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | Formation of inorganic film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21981493A JPH0770768A (en) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | Formation of inorganic film |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770768A true JPH0770768A (en) | 1995-03-14 |
Family
ID=16741457
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21981493A Withdrawn JPH0770768A (en) | 1993-09-03 | 1993-09-03 | Formation of inorganic film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770768A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012526399A (en) * | 2009-05-08 | 2012-10-25 | １３６６ テクノロジーズ インク． | Porous lift-off layer for selective removal of deposited films |
-
1993
- 1993-09-03 JP JP21981493A patent/JPH0770768A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012526399A (en) * | 2009-05-08 | 2012-10-25 | １３６６ テクノロジーズ インク． | Porous lift-off layer for selective removal of deposited films |
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Legal Events
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