JPH0765693A - 酸化物陰極 - Google Patents
酸化物陰極Info
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/13—Solid thermionic cathodes
- H01J1/14—Solid thermionic cathodes characterised by the material
- H01J1/144—Solid thermionic cathodes characterised by the material with other metal oxides as an emissive material
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸化物陰極を提供する。
【構成】 金属基体、前記金属基体の上部に形成されバ
リウムを主成分とする電子放出物質層およびこれを加熱
する手段を具備する酸化物陰極であり、前記電子放出物
質層の上部にチタニウムを含む物質よりなるＢａ蒸発抑
制層が形成された。 【効果】 これにより、電子放出特性および寿命が向上
された。
リウムを主成分とする電子放出物質層およびこれを加熱
する手段を具備する酸化物陰極であり、前記電子放出物
質層の上部にチタニウムを含む物質よりなるＢａ蒸発抑
制層が形成された。 【効果】 これにより、電子放出特性および寿命が向上
された。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、陰極線管等の電子管に
用いられる酸化物陰極に係り、詳細には電子放出特性が
向上され長い寿命を有する新規な酸化物陰極に関する。
用いられる酸化物陰極に係り、詳細には電子放出特性が
向上され長い寿命を有する新規な酸化物陰極に関する。
【０００２】
【従来技術】従来から電子管の電子銃に使用されてきた
熱電子放出陰極としてはＮｉを主成分とする金属基体の
上にアルカリ土類金属の炭酸塩層を形成させた酸化物陰
極がある。前記陰極では前記アルカリ土類金属の炭酸塩
は電子管製造工程中の排気工程で酸化物の形に変わるの
で酸化物陰極と呼ばれる。
熱電子放出陰極としてはＮｉを主成分とする金属基体の
上にアルカリ土類金属の炭酸塩層を形成させた酸化物陰
極がある。前記陰極では前記アルカリ土類金属の炭酸塩
は電子管製造工程中の排気工程で酸化物の形に変わるの
で酸化物陰極と呼ばれる。
【０００３】このような酸化物陰極は仕事関数が低く
て、比較的に低い温度（７００〜８００℃）で使用でき
るという長所を有する。反面、材料が半導体であり電気
抵抗が大きいので電子放出密度を高めればジュール熱に
よる磁気加熱により材料が蒸発したり溶融され陰極が劣
化するという問題を有しており、また長期間の使用によ
り金属基体と酸化物層の間に中間抵抗層が形成され寿命
が短縮されるという短所を有する。
て、比較的に低い温度（７００〜８００℃）で使用でき
るという長所を有する。反面、材料が半導体であり電気
抵抗が大きいので電子放出密度を高めればジュール熱に
よる磁気加熱により材料が蒸発したり溶融され陰極が劣
化するという問題を有しており、また長期間の使用によ
り金属基体と酸化物層の間に中間抵抗層が形成され寿命
が短縮されるという短所を有する。
【０００４】図１は、従来の酸化物陰極の構造を示す断
面模式図である。一般的な酸化物陰極はシリンダー形の
金属基体２とこれを下部で支持、固定する円管状のスリ
ーブ３、前記スリーブに内蔵される陰極加熱用のヒータ
ー４、そしてアルカリ土類金属の酸化物を主成分とし前
記金属基体２の上部に被覆形成される電子放出物質層１
を具備している。即ち、酸化物陰極は内側の空いたシリ
ンダー形スリーブ３の一端を金属基体２で防ぎスリーブ
３の内側には陰極の加熱のためのヒーター４を挿入し金
属基体２の上部表面には電子放出物質であるアルカリ土
類金属の２元または３元以上の混合酸化物層を被覆して
形成される。
面模式図である。一般的な酸化物陰極はシリンダー形の
金属基体２とこれを下部で支持、固定する円管状のスリ
ーブ３、前記スリーブに内蔵される陰極加熱用のヒータ
ー４、そしてアルカリ土類金属の酸化物を主成分とし前
記金属基体２の上部に被覆形成される電子放出物質層１
を具備している。即ち、酸化物陰極は内側の空いたシリ
ンダー形スリーブ３の一端を金属基体２で防ぎスリーブ
３の内側には陰極の加熱のためのヒーター４を挿入し金
属基体２の上部表面には電子放出物質であるアルカリ土
類金属の２元または３元以上の混合酸化物層を被覆して
形成される。
【０００５】前記構成要素中で金属基体はスリーブの上
部に配置され電子放出物質層を支持する役割をする。こ
れは主に白金やニッケル等の耐熱性の金属材料を使用
し、これの上部に形成されるアルカリ土類金属の酸化物
層の還元を助けるために還元剤成分を１種以上含む合金
となる。還元剤成分としてはＷ、Ｍｇ、ＳｉまたはＺｒ
等の還元性を有する金属が主に用いられ、還元力等によ
り含有量が異なるようになり２種以上を同時に使用し特
性を改善している。
部に配置され電子放出物質層を支持する役割をする。こ
れは主に白金やニッケル等の耐熱性の金属材料を使用
し、これの上部に形成されるアルカリ土類金属の酸化物
層の還元を助けるために還元剤成分を１種以上含む合金
となる。還元剤成分としてはＷ、Ｍｇ、ＳｉまたはＺｒ
等の還元性を有する金属が主に用いられ、還元力等によ
り含有量が異なるようになり２種以上を同時に使用し特
性を改善している。
【０００６】スリーブは金属基体を支持しその内部にヒ
ーターを内蔵する部品であり、これの材料は熱導電性等
の熱的特性を考慮して選択されるが、通常モリブデン、
タンタル、タングステン、ステンレススチール等のよう
な耐熱性金属が使用される。
ーターを内蔵する部品であり、これの材料は熱導電性等
の熱的特性を考慮して選択されるが、通常モリブデン、
タンタル、タングステン、ステンレススチール等のよう
な耐熱性金属が使用される。
【０００７】ヒーターは前記スリーブの内側に設けられ
るが、金属基体を通じてその表面に被覆された電子放出
物質層を加熱することにより、ここから熱電子が放出さ
れるようにする役割をする。主にタングステン材質の金
属線にアルミナ等をコーティングし電気絶縁層を形成さ
せ使用する。
るが、金属基体を通じてその表面に被覆された電子放出
物質層を加熱することにより、ここから熱電子が放出さ
れるようにする役割をする。主にタングステン材質の金
属線にアルミナ等をコーティングし電気絶縁層を形成さ
せ使用する。
【０００８】熱電子を放出する電子放出物質層は、金属
基体の上部表面に形成されるが、これは主にアルカリ土
類金属（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ等）の酸化物層よりなる。前
記酸化物層は先ずアルカリ土類金属炭酸塩の懸濁液を金
属基体上に塗布し真空中でヒーターで加熱し、アルカリ
土類金属の酸化物に変換させて得られたものである。後
で、９００〜１０００℃の高温で部分的に還元させれば
アルカリ土類金属酸化物は活性化され半導体特性を有す
る。
基体の上部表面に形成されるが、これは主にアルカリ土
類金属（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ等）の酸化物層よりなる。前
記酸化物層は先ずアルカリ土類金属炭酸塩の懸濁液を金
属基体上に塗布し真空中でヒーターで加熱し、アルカリ
土類金属の酸化物に変換させて得られたものである。後
で、９００〜１０００℃の高温で部分的に還元させれば
アルカリ土類金属酸化物は活性化され半導体特性を有す
る。
【０００９】前記アルカリ土類金属酸化物としてＢａＯ
単独酸化物よりＳｒＯおよび／またはＣａＯを混入した
ものがさらに向上された電子放出特性を有するが、その
理由は次のようなものだと考えられている。即ち、Ｓｒ
およびＣａは周期率表上でＢａと同族として同一に２価
正イオンとなりＢａ位置を代わりに占めるようになる
が、原子半径が相異なるので微少でありながら周辺を妨
害し、酸素イオンに高い電位を与え不安定にする。これ
は後で高温処理による還元の際、手軽に励起状態となる
ので非常に容易に活性化される。
単独酸化物よりＳｒＯおよび／またはＣａＯを混入した
ものがさらに向上された電子放出特性を有するが、その
理由は次のようなものだと考えられている。即ち、Ｓｒ
およびＣａは周期率表上でＢａと同族として同一に２価
正イオンとなりＢａ位置を代わりに占めるようになる
が、原子半径が相異なるので微少でありながら周辺を妨
害し、酸素イオンに高い電位を与え不安定にする。これ
は後で高温処理による還元の際、手軽に励起状態となる
ので非常に容易に活性化される。
【００１０】活性化の段階中、金属基体に含まれたＳ
ｉ、Ｍｇのような還元剤が拡散されアルカリ土類金属酸
化物の電子放出物質層と金属基体の間の境界面に移動
し、次の式（１）および（２）のようにアルカリ土類の
金属酸化物と反応する。電子放出物質層内のバリウム酸
化物は金属基体中に含まれたＭｇ、Ｓｉ等の還元性金属
との反応により還元され遊離バリウムを生成するが、こ
の遊離バリウムが電子放出の根源となる。
ｉ、Ｍｇのような還元剤が拡散されアルカリ土類金属酸
化物の電子放出物質層と金属基体の間の境界面に移動
し、次の式（１）および（２）のようにアルカリ土類の
金属酸化物と反応する。電子放出物質層内のバリウム酸
化物は金属基体中に含まれたＭｇ、Ｓｉ等の還元性金属
との反応により還元され遊離バリウムを生成するが、こ
の遊離バリウムが電子放出の根源となる。
【００１１】 ＢａＯ＋Ｍｇ→ＭｇＯ＋Ｂａ↑ （１） ４ＢａＯ＋Ｓｉ→Ｂａ2 ＳｉＯ4 ＋２Ｂａ↑ （２） 前記のように、ＢａＯに基づいた遊離バリウムが酸素欠
乏形の半導体の役割をし、結果的に７００〜８００℃の
動作温度で０．５〜０．８Ａ／ｃｍ2 の放出電流が得ら
れる。
乏形の半導体の役割をし、結果的に７００〜８００℃の
動作温度で０．５〜０．８Ａ／ｃｍ2 の放出電流が得ら
れる。
【００１２】ところが、このような酸化物陰極は通常約
７５０℃以上の高い温度で動作するので蒸気圧によりＢ
ａ、ＳｒまたはＣａ等は蒸発され時間が過ぎるにつれ電
子放出能力が段々減少する。
７５０℃以上の高い温度で動作するので蒸気圧によりＢ
ａ、ＳｒまたはＣａ等は蒸発され時間が過ぎるにつれ電
子放出能力が段々減少する。
【００１３】一方、前記反応式から分かるように遊離バ
リウムが生成される時、金属基体中の還元剤が酸化され
ＭｇＯ、Ｂａ2 ＳｉＯ4 等のような酸化物を形成する。
このような金属酸化物は電気的な不導体として電子放出
物質層と金属基体との境界面に蓄積され中間層を形成す
るが、これは一つの障壁としての役割をする。形成され
た障壁はジュール熱を発生させるので動作温度を高め、
Ｍｇ、Ｓｉ等の還元剤の拡散を妨害し電子放出に寄与す
る遊離バリウムの生成を困難にする。それに、蒸発され
るＢａ、ＳｒまたはＣａの再補充を難しくするので、酸
化物陰極の寿命を短縮させる結果をもたらす。前記中間
層は高抵抗を有するので電子放出電流の流れを妨害する
という問題もある。
リウムが生成される時、金属基体中の還元剤が酸化され
ＭｇＯ、Ｂａ2 ＳｉＯ4 等のような酸化物を形成する。
このような金属酸化物は電気的な不導体として電子放出
物質層と金属基体との境界面に蓄積され中間層を形成す
るが、これは一つの障壁としての役割をする。形成され
た障壁はジュール熱を発生させるので動作温度を高め、
Ｍｇ、Ｓｉ等の還元剤の拡散を妨害し電子放出に寄与す
る遊離バリウムの生成を困難にする。それに、蒸発され
るＢａ、ＳｒまたはＣａの再補充を難しくするので、酸
化物陰極の寿命を短縮させる結果をもたらす。前記中間
層は高抵抗を有するので電子放出電流の流れを妨害する
という問題もある。
【００１４】即ち、従来の酸化物陰極においては熱電子
放出温度で持続的に遊離Ｂａが形成され電子放出を可能
にすると同時に一部が蒸発されるが、時間が経過するに
つれ多くの量の遊離Ｂａが蒸発し消耗されれば、陰極の
熱電子放出機能が急激に低下し使用できなくなる状態に
達する。
放出温度で持続的に遊離Ｂａが形成され電子放出を可能
にすると同時に一部が蒸発されるが、時間が経過するに
つれ多くの量の遊離Ｂａが蒸発し消耗されれば、陰極の
熱電子放出機能が急激に低下し使用できなくなる状態に
達する。
【００１５】酸化物陰極の寿命を決定する様々な要因の
中、前述した通り陰極の動作に伴うバリウム含量の減少
や中間層の成長が大きな要因として作用する。これによ
り、電子放出物質成分を変化させたり、その内部に特定
の化合物を含ませることにより、陰極の寿命を向上させ
ると同時に電子放出能力も向上させるための研究が多く
遂行されてきた。
中、前述した通り陰極の動作に伴うバリウム含量の減少
や中間層の成長が大きな要因として作用する。これによ
り、電子放出物質成分を変化させたり、その内部に特定
の化合物を含ませることにより、陰極の寿命を向上させ
ると同時に電子放出能力も向上させるための研究が多く
遂行されてきた。
【００１６】米国特許第４，７９７，５９３号では電子
放出物質層に希土類金属の酸化物を含ませることにより
陰極の電子放出特性と寿命を向上させる技術を述べてい
る。
放出物質層に希土類金属の酸化物を含ませることにより
陰極の電子放出特性と寿命を向上させる技術を述べてい
る。
【００１７】このように酸化物陰極は製造が容易であり
特性が優れて多くの研究の対象となり、また実際に電子
管の電子放出源として広く用いられてきたが、最近スク
リーンの大型化、高画質化の趨勢により電子管の高輝度
化および高精細化が要求されている。これによって、電
子銃の陰極も長寿命でありながら高密度の電子放出能力
を有することが要求されているが、既存の酸化物陰極は
前述したような種々の問題でこのような要求に満足する
ほど応えられず更に多くの改善を必要とする。
特性が優れて多くの研究の対象となり、また実際に電子
管の電子放出源として広く用いられてきたが、最近スク
リーンの大型化、高画質化の趨勢により電子管の高輝度
化および高精細化が要求されている。これによって、電
子銃の陰極も長寿命でありながら高密度の電子放出能力
を有することが要求されているが、既存の酸化物陰極は
前述したような種々の問題でこのような要求に満足する
ほど応えられず更に多くの改善を必要とする。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前述したよ
うな従来の酸化物陰極の特性および問題点を考慮したも
のであり、その目的は電子放出物質層内に別の物質を含
ませたのでなく、電子放出物質層の上部に薄膜層を形成
し遊離Ｂａの蒸発を抑制することにより陰極の電子放出
特性および寿命特性を向上させた長寿命の酸化物陰極を
提供することである。
うな従来の酸化物陰極の特性および問題点を考慮したも
のであり、その目的は電子放出物質層内に別の物質を含
ませたのでなく、電子放出物質層の上部に薄膜層を形成
し遊離Ｂａの蒸発を抑制することにより陰極の電子放出
特性および寿命特性を向上させた長寿命の酸化物陰極を
提供することである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明では金属基体、前記金属基体の上部に形成され
バリウムを主成分とする電子放出物質層および前記電子
放出物質層を加熱するための手段を具備する酸化物陰極
において、前記電子放出物質層の上部にチタニウムを含
む物質よりなるＢａ蒸発抑制層が形成されたことを特徴
とする酸化物陰極を提供する。
に本発明では金属基体、前記金属基体の上部に形成され
バリウムを主成分とする電子放出物質層および前記電子
放出物質層を加熱するための手段を具備する酸化物陰極
において、前記電子放出物質層の上部にチタニウムを含
む物質よりなるＢａ蒸発抑制層が形成されたことを特徴
とする酸化物陰極を提供する。
【００２０】
【作用】本発明の酸化物陰極は電子放出物質層の上部に
チタニウムを含む薄膜を形成することにより、陰極動作
の際Ｂａの蒸発損失を抑制し寿命を延長させる。
チタニウムを含む薄膜を形成することにより、陰極動作
の際Ｂａの蒸発損失を抑制し寿命を延長させる。
【００２１】
【実施例】以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に
説明する。
説明する。
【００２２】図２で本発明による酸化物陰極の構造を概
略的に示した。これを図１に示した従来の酸化物陰極と
比べれば、電子放出物質層１の上部にＢａ蒸発抑制層５
が新たに形成された構造であることが分かる。前記Ｂａ
蒸発抑制層５はＢａ蒸発を抑制することにより陰極の寿
命を延長させる役割をするが、同時にＢａによる電子放
出機能に対する影響が最小化できる層よりなるべきであ
る。
略的に示した。これを図１に示した従来の酸化物陰極と
比べれば、電子放出物質層１の上部にＢａ蒸発抑制層５
が新たに形成された構造であることが分かる。前記Ｂａ
蒸発抑制層５はＢａ蒸発を抑制することにより陰極の寿
命を延長させる役割をするが、同時にＢａによる電子放
出機能に対する影響が最小化できる層よりなるべきであ
る。
【００２３】前述した条件を満たすＢａ蒸発抑制層はチ
タニウムを含む化合物より形成させるが、前記チタニウ
ムを含んだ化合物としてはＣａＴｉＯ3 およびＳｒＴｉ
Ｏ3よりなる群から選択された少なくとも一つを使用す
るのが望ましい。また、前記Ｂａ蒸発抑制層はその厚さ
が１０ないし１００００Åであることが望ましいが、こ
れはその厚さが１０Å未満の場合にはＢａ蒸発抑制効果
が少なく、１００００Åを超過する場合にはＢａの電子
放出に影響を与え電子放出量の減少をもたらすので電子
放出特性向上の効果が却って減少するためである。
タニウムを含む化合物より形成させるが、前記チタニウ
ムを含んだ化合物としてはＣａＴｉＯ3 およびＳｒＴｉ
Ｏ3よりなる群から選択された少なくとも一つを使用す
るのが望ましい。また、前記Ｂａ蒸発抑制層はその厚さ
が１０ないし１００００Åであることが望ましいが、こ
れはその厚さが１０Å未満の場合にはＢａ蒸発抑制効果
が少なく、１００００Åを超過する場合にはＢａの電子
放出に影響を与え電子放出量の減少をもたらすので電子
放出特性向上の効果が却って減少するためである。
【００２４】本発明で電子放出物質として（Ｂａ、Ｓ
ｒ、Ｃａ）ＣＯ3 のような三元炭酸塩とか（Ｂａ、Ｓ
ｒ）ＣＯ3 のような二元炭酸塩が使用できる。この際、
前記三元炭酸塩は通常Ｂａ（ＮＯ3 ）2 、Ｓｒ（Ｎ
Ｏ3 ）2 およびＣａ（ＮＯ3 ）2 のような硝酸塩を純水
に溶解した後、沈殿剤としてＮａ2 ＣＯ3 または（ＮＨ
4 ）2ＣＯ3 等を加え炭酸塩の形で共沈させて得る。製
造された共沈三元炭酸塩を浸漬、スプレー、スパッタリ
ングまたは電着等の方法により金属基体上に適用する。
ｒ、Ｃａ）ＣＯ3 のような三元炭酸塩とか（Ｂａ、Ｓ
ｒ）ＣＯ3 のような二元炭酸塩が使用できる。この際、
前記三元炭酸塩は通常Ｂａ（ＮＯ3 ）2 、Ｓｒ（Ｎ
Ｏ3 ）2 およびＣａ（ＮＯ3 ）2 のような硝酸塩を純水
に溶解した後、沈殿剤としてＮａ2 ＣＯ3 または（ＮＨ
4 ）2ＣＯ3 等を加え炭酸塩の形で共沈させて得る。製
造された共沈三元炭酸塩を浸漬、スプレー、スパッタリ
ングまたは電着等の方法により金属基体上に適用する。
【００２５】次には前記のように形成された炭酸塩被覆
層の上部にＲＦスパッタリング等の方法でＣａＴｉＯ3
および／またはＳｒＴｉＯ3 を１０ないし１００００Å
の厚さで被着させＢａ蒸発抑制層を形成するが前記薄膜
層の形成方法は特別に限定的でない。
層の上部にＲＦスパッタリング等の方法でＣａＴｉＯ3
および／またはＳｒＴｉＯ3 を１０ないし１００００Å
の厚さで被着させＢａ蒸発抑制層を形成するが前記薄膜
層の形成方法は特別に限定的でない。
【００２６】形成された陰極を電子銃に挿入して固定
し、スリーブの内部に陰極加熱用のヒーターを挿入固定
した後、この電子銃を電子管用のバルブに封止させる。
排気工程を通じて真空にし陰極加熱用のヒーターで電子
放出層の炭酸塩を酸化物に分解させ、以後通常の電子管
製造工程により遊離バリウムが生成されるように活性化
処理工程を施し電子放出が可能な状態にする。
し、スリーブの内部に陰極加熱用のヒーターを挿入固定
した後、この電子銃を電子管用のバルブに封止させる。
排気工程を通じて真空にし陰極加熱用のヒーターで電子
放出層の炭酸塩を酸化物に分解させ、以後通常の電子管
製造工程により遊離バリウムが生成されるように活性化
処理工程を施し電子放出が可能な状態にする。
【００２７】以下、本発明の望ましい実施例を通じて本
発明を更に詳細に説明する。下記の実施例は本発明の一
つの例示だけであり、本発明がこれにのみ限られるもの
ではない。
発明を更に詳細に説明する。下記の実施例は本発明の一
つの例示だけであり、本発明がこれにのみ限られるもの
ではない。
【００２８】＜実施例１＞Ｂａ：Ｓｒ：Ｃａの比率が５
０：４０：１０であるＢａ（ＮＯ3 ）2 、Ｓｒ（Ｎ
Ｏ3 ）2 およびＣａ（ＮＯ3 ）2 の混合溶液に、Ｎａ2
ＣＯ3 を加えＢａ、ＳｒおよびＣａの共沈炭酸塩を製造
した。
０：４０：１０であるＢａ（ＮＯ3 ）2 、Ｓｒ（Ｎ
Ｏ3 ）2 およびＣａ（ＮＯ3 ）2 の混合溶液に、Ｎａ2
ＣＯ3 を加えＢａ、ＳｒおよびＣａの共沈炭酸塩を製造
した。
【００２９】前記炭酸塩を有機溶剤に分散させ懸濁液を
製造しこれをスプレー法によりＳｉおよびＭｇを含むＮ
ｉ金属基体の上部表面に塗布し乾燥して塗布層を形成し
た。
製造しこれをスプレー法によりＳｉおよびＭｇを含むＮ
ｉ金属基体の上部表面に塗布し乾燥して塗布層を形成し
た。
【００３０】次には前記塗布層の上部にＲＦスパッタリ
ング法でＣａＴｉＯ3 を５０Åの厚さで被着させＢａ蒸
発抑制層を形成した。
ング法でＣａＴｉＯ3 を５０Åの厚さで被着させＢａ蒸
発抑制層を形成した。
【００３１】＜実施例２＞前記実施例１と同一の方法で
遂行するが、Ｂａ蒸発抑制層としてＳｒＴｉＯ3を５０
００Åの厚さで形成した。
遂行するが、Ｂａ蒸発抑制層としてＳｒＴｉＯ3を５０
００Åの厚さで形成した。
【００３２】前記のように電子放出物質層の上部にＢａ
蒸発抑制層を形成させた酸化物陰極の寿命特性を評価す
るために前記陰極を電子銃に挿入、固定した後、スリー
ブ内部に陰極加熱用のヒーターを挿入、固定した。得ら
れた電子銃を電子管用のバルブに封止した後、排気工程
を通じて真空にするが、この際ヒーターで加熱し電子放
出物質層の炭酸塩を熱分解し酸化物に変換させる。その
次に、通常の電子管製造工程と同一に陰極活性化処理工
程を経た後、電子放出特性を測定した。
蒸発抑制層を形成させた酸化物陰極の寿命特性を評価す
るために前記陰極を電子銃に挿入、固定した後、スリー
ブ内部に陰極加熱用のヒーターを挿入、固定した。得ら
れた電子銃を電子管用のバルブに封止した後、排気工程
を通じて真空にするが、この際ヒーターで加熱し電子放
出物質層の炭酸塩を熱分解し酸化物に変換させる。その
次に、通常の電子管製造工程と同一に陰極活性化処理工
程を経た後、電子放出特性を測定した。
【００３３】電子放出特性は一定の条件で陰極が放出で
きる最大電流を意味するＭＩＫ（Maximum Cathode Curr
ent)という電流量で測定し、陰極寿命特性は一定時間の
間のＭＩＫ維持率として評価される。本発明による酸化
物陰極の寿命特性は装着された陰極を一定時間の間、続
けて動作させながら電子放出電流の減少量を測定して評
価する。
きる最大電流を意味するＭＩＫ（Maximum Cathode Curr
ent)という電流量で測定し、陰極寿命特性は一定時間の
間のＭＩＫ維持率として評価される。本発明による酸化
物陰極の寿命特性は装着された陰極を一定時間の間、続
けて動作させながら電子放出電流の減少量を測定して評
価する。
【００３４】図３はＢａ蒸発抑制層を有しない従来の酸
化物陰極ａと本発明の実施例１により製造された酸化物
陰極ｂの時間経過によるＭＩＫ値の変化を相対値％とし
て示したグラフである。
化物陰極ａと本発明の実施例１により製造された酸化物
陰極ｂの時間経過によるＭＩＫ値の変化を相対値％とし
て示したグラフである。
【００３５】図３から本発明による酸化物陰極が従来の
酸化物陰極に比べ約２０％以上の寿命改善効果を有する
ことが確認できる。
酸化物陰極に比べ約２０％以上の寿命改善効果を有する
ことが確認できる。
【００３６】
【発明の効果】前記のように電子放出物質層の上部にチ
タニウムを含んだ物質層を形成させた本発明の酸化物陰
極は従来の酸化物陰極と比べる時、電子放出特性が向上
され寿命が増加された。
タニウムを含んだ物質層を形成させた本発明の酸化物陰
極は従来の酸化物陰極と比べる時、電子放出特性が向上
され寿命が増加された。
【図１】 従来の酸化物陰極の構造を示す模式断面図で
ある。
ある。
【図２】 本発明による酸化物陰極の構造を示す模式断
面図である。
面図である。
【図３】 従来の酸化物陰極と本発明による酸化物陰極
の時間経過によるＭＩＫ値の変化を示すグラフであり、
ａは従来の酸化物陰極に対し、ｂは本発明による酸化物
陰極に対する。
の時間経過によるＭＩＫ値の変化を示すグラフであり、
ａは従来の酸化物陰極に対し、ｂは本発明による酸化物
陰極に対する。
１…電子放出物質層、 ２…金属基体、 ３…スリーブ、 ４…ヒーター、 ５…Ｂａ蒸発抑制層。
フロントページの続き (72)発明者 孫 景千 大韓民国京畿道水原市八達區遠川洞３−１ 番地 韓國アパート104棟308號 (72)発明者 朱 圭楠 大韓民国ソウル特別市瑞草區瑞草４洞1682 番地 三▲盆▼アパート１棟111號 (72)発明者 李 相▲ウォン▼ 大韓民国京畿道軍浦市衿井洞 ムグンファ アパート126棟1301號
Claims (3)
- 【請求項１】 金属基体の上部に形成されバリウムを主
成分とする電子放出物質層及びこれを加熱する手段を具
備する酸化物陰極において、 前記電子放出物質層の上部にチタニウムを含む物質より
なるＢａ蒸発抑制層の形成されたことを特徴とする酸化
物陰極。 - 【請求項２】 前記Ｂａ蒸発抑制層がＣａＴｉＯ3 およ
びＳｒＴｉＯ3 よりなる群から選択された少なくとも一
つを含むことを特徴とする請求項１記載の酸化物陰極。 - 【請求項３】 前記Ｂａ蒸発抑制層の厚さが１０ないし
１００００Åであることを特徴とする請求項１または２
記載の酸化物陰極。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| KR1019930016347A KR100291903B1 (ko) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 전자관용산화물음극 |
| KR93P16347 | 1993-08-23 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0765693A true JPH0765693A (ja) | 1995-03-10 |
Family
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US5548184A (ja) |
| JP (1) | JPH0765693A (ja) |
| KR (1) | KR100291903B1 (ja) |
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| TW (1) | TW278197B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000039734A (ko) * | 1998-12-15 | 2000-07-05 | 구자홍 | 칼라음극선관용 음극 및 그 제조 방법 |
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-
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- 1993-12-15 CN CN93120838A patent/CN1042871C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-15 JP JP31516293A patent/JPH0765693A/ja active Pending
-
1995
- 1995-08-07 US US08/511,838 patent/US5548184A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000039734A (ko) * | 1998-12-15 | 2000-07-05 | 구자홍 | 칼라음극선관용 음극 및 그 제조 방법 |
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| Publication number | Publication date |
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| KR950006900A (ko) | 1995-03-21 |
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