JPH0760906B2 - 光素子用パツケ−ジ - Google Patents
光素子用パツケ−ジInfo
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- JPH0760906B2 JPH0760906B2 JP4421487A JP4421487A JPH0760906B2 JP H0760906 B2 JPH0760906 B2 JP H0760906B2 JP 4421487 A JP4421487 A JP 4421487A JP 4421487 A JP4421487 A JP 4421487A JP H0760906 B2 JPH0760906 B2 JP H0760906B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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Description
【発明の詳細な説明】 (ア) 技術分野 この発明は、発光ダイオード、レーザダイオード、など
の発行素子、ホトダイオード、アバランシエホトダイオ
ード、ホトトランジスタなどの受光素子などのパツケー
ジに関する。発光素子、受光素子を含めて光素子という
事にする。本発明は、一般に、光素子用パツケージとい
うことができる。
の発行素子、ホトダイオード、アバランシエホトダイオ
ード、ホトトランジスタなどの受光素子などのパツケー
ジに関する。発光素子、受光素子を含めて光素子という
事にする。本発明は、一般に、光素子用パツケージとい
うことができる。
光素子を収容する光素子用パツケージに対して要求され
る主な技術的要素は、 (1) 光を取り入れるか、又は光を取り出すために、
対象となる光に対して透明である光導出入用の構造を有
する事。
る主な技術的要素は、 (1) 光を取り入れるか、又は光を取り出すために、
対象となる光に対して透明である光導出入用の構造を有
する事。
(2) 光素子チツプをダイボンドし、これにワイヤボ
ンドなどの配線を行ない、光素子チツプの電極につなが
るリードを取り出す構造を有する事。
ンドなどの配線を行ない、光素子チツプの電極につなが
るリードを取り出す構造を有する事。
(3) 光素子チツプの耐環境性、信頼性を向上させる
ため、気密封止の構造を有する事。
ため、気密封止の構造を有する事。
などである。この他にも、さまざまな要求が課される。
これらの要求により、多様な形態の光素子用パツケージ
が作製されてきた。
これらの要求により、多様な形態の光素子用パツケージ
が作製されてきた。
(イ) 従来技術 第12図は従来例にかかる光素子用パツケージの縦断面図
である。これはTO−18型のパツケージの中に実装されて
いる。光素子用パツケージとして、最もふつうに使われ
ているものである。
である。これはTO−18型のパツケージの中に実装されて
いる。光素子用パツケージとして、最もふつうに使われ
ているものである。
パツケージ本体41の上にフオトダイオードチツプ3がダ
イボンドされている。リード45はパツケージ本体41の裏
面に接合してある。リード44はパツケージ本体41と絶縁
されており、ガラスなどによりパツケージ本体41に対し
て固着されている。
イボンドされている。リード45はパツケージ本体41の裏
面に接合してある。リード44はパツケージ本体41と絶縁
されており、ガラスなどによりパツケージ本体41に対し
て固着されている。
フオトダイオードチツプ3とリード44の頭部とがワイヤ
6によつて接続されている。
6によつて接続されている。
略円筒形のキヤツプ42は、上頂部に窓があり、窓にはコ
バールガラス43が嵌込んである。
バールガラス43が嵌込んである。
光フアイバ20の端部は、コバールガラス43に近接した位
置に設けられ、ここから光を出射する。この光は、コバ
ールガラス43を通り、フオトダイオードチツプ3に入射
する。
置に設けられ、ここから光を出射する。この光は、コバ
ールガラス43を通り、フオトダイオードチツプ3に入射
する。
これはフオトダイオードの例であるが、発行ダイオード
についても同様の構造のものが作製される。
についても同様の構造のものが作製される。
第13図は他の従来例のフオトダイオードの縦断面図であ
る。これは窓の透明板として、サフアイア板46が用いら
れている。
る。これは窓の透明板として、サフアイア板46が用いら
れている。
このような光素子パツケージはTO18型のパツケージであ
るから、他の半導体素子と形状が同一になり、プリント
基板などへ実装する際も便利である。
るから、他の半導体素子と形状が同一になり、プリント
基板などへ実装する際も便利である。
しかし、光フアイバの端面と、フオトダイオードチツプ
の距離が離れ過ぎる、という欠点がある。
の距離が離れ過ぎる、という欠点がある。
フオトダイオードチツプの電極部とリード44と頭部と
を、ワイヤ6で接続する。これは、上に彎曲した細い金
線である。ワイヤ6にキヤツプ42が接触してはならな
い。このため、コバールガラス43又はサフアイア板46
と、フオトダイオードチツプ3の上面との距離が広くな
りすぎる。そうすると、フオトダイオードチツプ3と光
フアイバ20の端面の距離が大きく開きすぎる、という事
になる。
を、ワイヤ6で接続する。これは、上に彎曲した細い金
線である。ワイヤ6にキヤツプ42が接触してはならな
い。このため、コバールガラス43又はサフアイア板46
と、フオトダイオードチツプ3の上面との距離が広くな
りすぎる。そうすると、フオトダイオードチツプ3と光
フアイバ20の端面の距離が大きく開きすぎる、という事
になる。
第12図、第13図のパツケージは、TO−18型のパツケージ
を利用しており、実装に便利という長所があるが、光フ
アイバとの結合効率が悪いという難点がある。
を利用しており、実装に便利という長所があるが、光フ
アイバとの結合効率が悪いという難点がある。
第14図は第3の従来例を示している。
このパツケージは、TO−46型のパツケージである。パツ
ケージ本体47の中央に上下方向に、貫通穴49が穿孔して
ある。貫通穴49の上端に、フオトダイオードチツプ3が
下向きにダイボンドされている。リード45はパツケージ
本体47に固着してある。リード44は、パツケージ本体47
の通し穴50を通り、絶縁材料によつて封止されている。
ケージ本体47の中央に上下方向に、貫通穴49が穿孔して
ある。貫通穴49の上端に、フオトダイオードチツプ3が
下向きにダイボンドされている。リード45はパツケージ
本体47に固着してある。リード44は、パツケージ本体47
の通し穴50を通り、絶縁材料によつて封止されている。
フオトダイオードチツプ3の電極部と、リード44とがワ
イヤ6によつて接続されている。
イヤ6によつて接続されている。
さらに、キヤツプ48が、パツケージ本体47に対して溶接
される。
される。
光フアイバ20は、パツケージ本体47の下方に設けられ
る。光フアイバ20から出射した光は、貫通穴49を通つて
フオトダイオードチツプ3に入射する。
る。光フアイバ20から出射した光は、貫通穴49を通つて
フオトダイオードチツプ3に入射する。
このパツケージは、汎用のパツケージを利用できるとい
う利点がある。しかし、光フアイバ端部と、フオトダイ
オードチツプの距離が広くて、フオトダイオードチツプ
と光フアイバとの結合効率が悪い、という欠点がある。
う利点がある。しかし、光フアイバ端部と、フオトダイ
オードチツプの距離が広くて、フオトダイオードチツプ
と光フアイバとの結合効率が悪い、という欠点がある。
また、フオトダイオードチツプ3が密封されず、露出し
ているので、特性が劣化する惧れもある。
ているので、特性が劣化する惧れもある。
第15図は第4の従来例を示す。これは、パツケージ本体
47の中央に穿たれた貫通穴49が広くなつている。このた
め光フアイバ20を貫通穴49の中へ挿入する事ができる。
47の中央に穿たれた貫通穴49が広くなつている。このた
め光フアイバ20を貫通穴49の中へ挿入する事ができる。
光フアイバ端面の近傍に、フオトダイオードチツプ3が
位置する。このため、光フアイバとフオトダイオードの
結合効率が極めて良い。
位置する。このため、光フアイバとフオトダイオードの
結合効率が極めて良い。
しかし、フオトダイオードチツプ3が光フアイバ20に接
触し、破損するという惧れがある。また、フオトダイオ
ードチツプ3が保護されておらず、酸化されて、特性が
劣化するという可能性もある。信頼性が低い。
触し、破損するという惧れがある。また、フオトダイオ
ードチツプ3が保護されておらず、酸化されて、特性が
劣化するという可能性もある。信頼性が低い。
第16図は第5の従来例を示している。これは第14図のパ
ツケージを改良したものである。貫通穴49をコバールガ
ラス51によつて封止している。こうすると、フオトダイ
オードチツプ3を密封する事ができる。フオトダイオー
ドチツプ3の酸化や汚染による特性劣化を防ぐことがで
きる。しかし、フオトダイオードと光フアイバの結合効
率が低いという欠点を克服することができない。
ツケージを改良したものである。貫通穴49をコバールガ
ラス51によつて封止している。こうすると、フオトダイ
オードチツプ3を密封する事ができる。フオトダイオー
ドチツプ3の酸化や汚染による特性劣化を防ぐことがで
きる。しかし、フオトダイオードと光フアイバの結合効
率が低いという欠点を克服することができない。
これらの難点を克服するために、本出願人は、第17図に
示すようなフラツトパツケージを発明した(特願昭58−
97628号S58.5.31出願)。
示すようなフラツトパツケージを発明した(特願昭58−
97628号S58.5.31出願)。
これは、TO−18、TO−46といつたような円頭型の汎用パ
ツケージではない。セラミツクを積層してなる矩形のパ
ツケージである。
ツケージではない。セラミツクを積層してなる矩形のパ
ツケージである。
サフアイア板61と、中央に開口を有するセラミツク基板
60とをロウ付けして一体化する。こうすると、サフアイ
ア板61と開口によつてキヤビテイが形成される。
60とをロウ付けして一体化する。こうすると、サフアイ
ア板61と開口によつてキヤビテイが形成される。
セラミツク基板60からサフアイア板61にかけて、ダイボ
ンド用メタライズ配線62が形成してある。このダイボン
ド用メタライズ配線62は、サフアイア板61の中央に於て
欠損部70を有する。欠損部70を通して光が透過できる。
ンド用メタライズ配線62が形成してある。このダイボン
ド用メタライズ配線62は、サフアイア板61の中央に於て
欠損部70を有する。欠損部70を通して光が透過できる。
セラミツク基板60の反対側には、電極用メタライズ配線
63が形成されている。
63が形成されている。
メタライズ配線62、63の外側の端部には、リード64、65
がろう付けしてある。
がろう付けしてある。
セラミツク基板60の上には、矩形状のセラミツク枠66が
メタライズパターンを介して重ねられ固着される。グリ
ーンシートの段階で積層し、同時焼成する事により両者
を固着できる。
メタライズパターンを介して重ねられ固着される。グリ
ーンシートの段階で積層し、同時焼成する事により両者
を固着できる。
以上がパツケージのみの構成である。フオトダイオード
チツプ3を下向きにし、ダイボンド用メタライズ配線62
の上にダイボンドする。例えばAuSu共晶のようなリング
ハンダを用いる。
チツプ3を下向きにし、ダイボンド用メタライズ配線62
の上にダイボンドする。例えばAuSu共晶のようなリング
ハンダを用いる。
フオトダイオードチツプの感受部は、メタライズ配線62
の欠損部70に一致するように重ねる。
の欠損部70に一致するように重ねる。
フオトダイオードチツプ3の電極部と、電極用メタライ
ズ配線63とは、Auなどのワイヤ6によつて接続する。
ズ配線63とは、Auなどのワイヤ6によつて接続する。
さらに、キヤツプセラミツク67を、樹脂又は低融点ガラ
ス68などでセラミツク枠66の上に固着する。
ス68などでセラミツク枠66の上に固着する。
このようなパツケージは、サフアイア板61でチツプ3を
保護し、セラミツク板でチツプを密封している。このた
め、特性が劣化するという事はない。また、光フアイバ
をサフアイア板61に接触させても差支えないのであるか
ら、光フアイバとフオトダイオードチツプの距離を短く
する事ができる。このため、光フアイバとの結合効率が
向上する、という利点がある。
保護し、セラミツク板でチツプを密封している。このた
め、特性が劣化するという事はない。また、光フアイバ
をサフアイア板61に接触させても差支えないのであるか
ら、光フアイバとフオトダイオードチツプの距離を短く
する事ができる。このため、光フアイバとの結合効率が
向上する、という利点がある。
しかし、このパツケージにも次のような欠点があつた。
キヤツプセラミツク67とセラミツク枠66の気密封止に樹
脂を使う場合は、水分の遮断が完全にはできない事があ
る。その上、パツケージ形状が特殊であり、TO−18、TO
−46型のパツケージの形状のように一般的でない。この
ため、汎用性に乏しい。また実装上の煩雑な問題もあ
る。このような問題がある。
脂を使う場合は、水分の遮断が完全にはできない事があ
る。その上、パツケージ形状が特殊であり、TO−18、TO
−46型のパツケージの形状のように一般的でない。この
ため、汎用性に乏しい。また実装上の煩雑な問題もあ
る。このような問題がある。
(ウ) 発明が解決しようとする問題点 従来技術について概観した。TO−18のような汎用パツケ
ージを用いるものは、あふれた形状、寸法のパツケージ
であるから、実装上でも有利であるし、取扱いも単純で
あるという長所がある。たとえば、フオトダイオードや
発光ダイオードの円筒形の空間を有する光コネクタに内
蔵するという事が多い。このような場合、TO−18、TO−
46というような既製のパツケージは便利である。頻用さ
れた光コネクタへ収容できるからである。
ージを用いるものは、あふれた形状、寸法のパツケージ
であるから、実装上でも有利であるし、取扱いも単純で
あるという長所がある。たとえば、フオトダイオードや
発光ダイオードの円筒形の空間を有する光コネクタに内
蔵するという事が多い。このような場合、TO−18、TO−
46というような既製のパツケージは便利である。頻用さ
れた光コネクタへ収容できるからである。
しかし、このような汎用型パツケージは、光フアイバを
パツケージに対向させる時、フオトダイオードチツプ、
或は発光ダイオードチツプと光フアイバ端面の距離が離
れるため、光フアイバとの結合効率が悪いという根本的
な難点があつた。
パツケージに対向させる時、フオトダイオードチツプ、
或は発光ダイオードチツプと光フアイバ端面の距離が離
れるため、光フアイバとの結合効率が悪いという根本的
な難点があつた。
第17図の光素子用パツケージは、光フアイバとの結合効
率が高いけれども、パツケージ形状が特殊なものになる
から、汎用性に欠け、使用しにくいという欠点があつ
た。また樹脂封止とした場合は、気密封止が完全でない
という問題もあつた。
率が高いけれども、パツケージ形状が特殊なものになる
から、汎用性に欠け、使用しにくいという欠点があつ
た。また樹脂封止とした場合は、気密封止が完全でない
という問題もあつた。
第17図のように透明板にダイボンド用メタライズ配線を
形成し、ここに光素子チツプをダイボンドする構造は、
光フアイバとの結合効率を上げるには有利であるが、リ
ードとメタライズ配線とを接続するために、ロウ付けし
なければならず、リードが、下向きの平行2本リード
(又は3本リード)とならない。
形成し、ここに光素子チツプをダイボンドする構造は、
光フアイバとの結合効率を上げるには有利であるが、リ
ードとメタライズ配線とを接続するために、ロウ付けし
なければならず、リードが、下向きの平行2本リード
(又は3本リード)とならない。
また、下面に透明板(サフアイア板61)があるため、こ
れを貫通してリードを立てるという事ができない。
れを貫通してリードを立てるという事ができない。
こういう理由で、リードが水平方向に出る事になる。
そうすると、透明板をリードが貫通する事がなく、しか
も、リードとメタライズ配線とをろう付けしないように
できれば、第17図の利点を生かしながら、汎用金属パツ
ケージタイプ(TO−18、TO−46)の光素子用パツケージ
が得られる事になる。
も、リードとメタライズ配線とをろう付けしないように
できれば、第17図の利点を生かしながら、汎用金属パツ
ケージタイプ(TO−18、TO−46)の光素子用パツケージ
が得られる事になる。
第12図〜第16図の例に於て、リードの一方は、パツケー
ジ本体に固着されていた。これは簡単にできる事であ
る。もう一方のリードは、ガラスなどにより、パツケー
ジ本体と絶縁されながら固定され、かつ、ワイヤによつ
て、光素子キヤツプの電極と接続されていた。これはパ
ツケージで本体が一方の電極になるからである。
ジ本体に固着されていた。これは簡単にできる事であ
る。もう一方のリードは、ガラスなどにより、パツケー
ジ本体と絶縁されながら固定され、かつ、ワイヤによつ
て、光素子キヤツプの電極と接続されていた。これはパ
ツケージで本体が一方の電極になるからである。
第17図のパツケージは透明板(サフアイア板61)を下面
に有するため、下面に平行ピンを立てる事ができない。
チツプを載せた透明板が金属製でないから、パツケージ
が一方の電極を兼ねるというわけにはゆかず、一方のリ
ードをパツケージに対して固着する、というのではいけ
ない。
に有するため、下面に平行ピンを立てる事ができない。
チツプを載せた透明板が金属製でないから、パツケージ
が一方の電極を兼ねるというわけにはゆかず、一方のリ
ードをパツケージに対して固着する、というのではいけ
ない。
リードは必ずメタライズ配線に結合しなければならな
い。
い。
メタライズ配線にリードを固着する場合、電気的接続と
機械的支持の両方をメタライズ配線から得ようとすれ
ば、リードをメタライズ配線に対して広い範囲で接合し
なければならない。
機械的支持の両方をメタライズ配線から得ようとすれ
ば、リードをメタライズ配線に対して広い範囲で接合し
なければならない。
広範囲接合という事になれば、パツケージは大型化す
る。小型、汎用タイプのパツケージにする事が難しい。
る。小型、汎用タイプのパツケージにする事が難しい。
このような問題を解決しなければならない。
(エ) 目的 TO−18型のような金属性の汎用性に富むパツケージを利
用しながら光フアイバとの結合効率の高い光素子用パツ
ケージを提供する事が本発明の目的である。
用しながら光フアイバとの結合効率の高い光素子用パツ
ケージを提供する事が本発明の目的である。
(オ) 構成 汎用パツケージ型とするためには、下方へ平行リードを
出さなければならない。このために透明板は下面にある
のではなく、上面にあるようにすればよい。
出さなければならない。このために透明板は下面にある
のではなく、上面にあるようにすればよい。
そうすると、透明板は、汎用パツケージの、本体ではな
く、金属製キヤツプの方に付けなければならないという
事になる。
く、金属製キヤツプの方に付けなければならないという
事になる。
こうなると、リードと、透明板のメタライズ配線とは上
下に向き合う事になる。上下に対向するから、ワイヤボ
ンデイングでメタライズ配線とリードとを接続するとい
う事ができない。上下に対向するが、キヤツプ、透明板
の方向に対し、リードは直角になる。すると、ロウ付け
によつて、リードに十分な機械的支持を与える、という
事ができない。接合面積が狭いからである。
下に向き合う事になる。上下に対向するから、ワイヤボ
ンデイングでメタライズ配線とリードとを接続するとい
う事ができない。上下に対向するが、キヤツプ、透明板
の方向に対し、リードは直角になる。すると、ロウ付け
によつて、リードに十分な機械的支持を与える、という
事ができない。接合面積が狭いからである。
そこで、リードはパツケージ本体(アイレツトという)
によつて機械的支持を与えるようにする。そうするとメ
タライズ配線とリードとの結合は単に電気的接続を与え
ればよいという事になる。機械的強度が要求されない。
そこで、リードの頭部と、メタライズ配線の両方にハン
ダを塗り、これを互に接触させ加熱してハンダ付けす
る。
によつて機械的支持を与えるようにする。そうするとメ
タライズ配線とリードとの結合は単に電気的接続を与え
ればよいという事になる。機械的強度が要求されない。
そこで、リードの頭部と、メタライズ配線の両方にハン
ダを塗り、これを互に接触させ加熱してハンダ付けす
る。
このようにすると、汎用型のパツケージを用いて、結合
効率の高い光素子用パツマージを得ることができる。
効率の高い光素子用パツマージを得ることができる。
以下、図面によつて、本発明の光素子用パツケージの構
成を説明する。
成を説明する。
第1図は光素子チツプ3を取りつけた本発明の光素子用
パツケージの組立後の縦断面図である。第2図〜第5図
は組立手順を説明する縦断面図である。
パツケージの組立後の縦断面図である。第2図〜第5図
は組立手順を説明する縦断面図である。
パツケージは金属製のキヤツプ1と、アイレツト9より
なる。第12図〜第16図では、パツケージ本体41、47と一
般的に呼んでいたが、ここではアイレツト9と表現す
る。
なる。第12図〜第16図では、パツケージ本体41、47と一
般的に呼んでいたが、ここではアイレツト9と表現す
る。
透明基板2は、パツケージの下にあるをではなく、上に
ある。キヤツプ1の上面の開口7を封ずるように、透明
基板2は低融点ガラス21によつて、キヤツプ1の上面に
固着してある。
ある。キヤツプ1の上面の開口7を封ずるように、透明
基板2は低融点ガラス21によつて、キヤツプ1の上面に
固着してある。
透明基板2の下面には、欠損部8を有するダイボンド用
メタライズパターン4と、ワイヤボンデイング用メタラ
イズパターン5が形成されている。
メタライズパターン4と、ワイヤボンデイング用メタラ
イズパターン5が形成されている。
第7図に透明基板上のダイボンド用メタライズパターン
4、ワイヤボンデイング用メタライズパターン5の平面
図を示す。欠損部8は、これを通つて光が入射し、ある
いは出射する窓である。
4、ワイヤボンデイング用メタライズパターン5の平面
図を示す。欠損部8は、これを通つて光が入射し、ある
いは出射する窓である。
ダイボンド用メタライズパターン4の上には、光素子チ
ツプ3がダイボンドされている。
ツプ3がダイボンドされている。
これまで、フオトダイオードチツプ3と書いてきたが、
本発明は、受光素子、発光素子のいずれに対しても利用
できるので、光素子チツプ3と書く。発光ダイオード、
レーザダイオード、フオトダイオード、アバランシエフ
オトダイオードなどのチツプである。
本発明は、受光素子、発光素子のいずれに対しても利用
できるので、光素子チツプ3と書く。発光ダイオード、
レーザダイオード、フオトダイオード、アバランシエフ
オトダイオードなどのチツプである。
透明基板2はサフアイア板、ガラス板など透明板である
が、チツプを載せるので透明基板と呼ぶ。チツプ自体が
半導体基板と呼ばれることもあるから、「基体」とよん
で区別する。
が、チツプを載せるので透明基板と呼ぶ。チツプ自体が
半導体基板と呼ばれることもあるから、「基体」とよん
で区別する。
光素子チツプ3の電極部と、ワイヤボンデイング用メタ
ライズパターン5とは、ワイヤ6によつて電気的に接続
されている。
ライズパターン5とは、ワイヤ6によつて電気的に接続
されている。
アイレツト9は円板形状の金属又はセラミツクである
が、通し穴10が穿たれ、円周外縁18は段部になつてい
る。
が、通し穴10が穿たれ、円周外縁18は段部になつてい
る。
アイレツト外縁18の上に、キヤツプ外縁17を嵌合し、両
者を固着している。
者を固着している。
通し穴10には、下向き平行のリード15、16が貫通してい
る。リード15、16は、通し穴10に於て、アイレツト9に
対して絶縁体でシール14されている。これがリードの機
械的保持力を与える。
る。リード15、16は、通し穴10に於て、アイレツト9に
対して絶縁体でシール14されている。これがリードの機
械的保持力を与える。
リード15、16の頭部と、ワイヤボンデイング用メタライ
ズパターン5、ダイボンデイング用メタライズパターン
4とは、ハンダ13によつて電気的に接続されている。こ
れが、リードの電気的接続を与える。
ズパターン5、ダイボンデイング用メタライズパターン
4とは、ハンダ13によつて電気的に接続されている。こ
れが、リードの電気的接続を与える。
ハンダのかわりに電導性樹脂を用いる事もできる。簡単
のため、以後単にハンダと書くが、導電性樹脂で置換で
きるものである。
のため、以後単にハンダと書くが、導電性樹脂で置換で
きるものである。
第17図の従来例では、リードの機械的保持と、電気的接
続とが共通であつたから、リードを下向き平行リードと
することが不可能であつた。
続とが共通であつたから、リードを下向き平行リードと
することが不可能であつた。
本発明に於ては、リードの機械的保持と、電気的接続と
を分離したので、下向き平行リードとする事ができる。
を分離したので、下向き平行リードとする事ができる。
ここに、本発明の着想の妙がある。
ただし、キヤツプ1の寸法誤差、キヤツプ1とアイレツ
ト9の取付誤差、リードの寸法誤差透明基体2の取付誤
差などがあつて、リード15、16の頭部の高さと、透明基
板2のメタライズパターン4、5の高さとを、厳密に、
予め一致させるという事ができない。そこで、リードと
メタライズパターンの接続にハンダを用い、ハンダの表
面張力を利用して、高さの誤差を吸収できるようにして
いる。
ト9の取付誤差、リードの寸法誤差透明基体2の取付誤
差などがあつて、リード15、16の頭部の高さと、透明基
板2のメタライズパターン4、5の高さとを、厳密に、
予め一致させるという事ができない。そこで、リードと
メタライズパターンの接続にハンダを用い、ハンダの表
面張力を利用して、高さの誤差を吸収できるようにして
いる。
次に組立の手順を第2図〜第6図によつて説明する。
まず、円形の開口7を中央に有する金属製円筒状のキヤ
ツプ1を製作する。
ツプ1を製作する。
サフアイヤ板、ガラス板などの透明基板2の上に、第7
図に示すような、ダイボンド用メタライズパターン4
と、ワイヤボンデイング用メタライズパターン5とを厚
膜印刷などによつて形成する。
図に示すような、ダイボンド用メタライズパターン4
と、ワイヤボンデイング用メタライズパターン5とを厚
膜印刷などによつて形成する。
ダイボンド用メタライズパターン4は、透明基体2の中
央に、広い正方形のパツド部を有し、この中心にメタラ
イズのない欠損部8を持つている。ワイヤボンデイグ用
メタライズパターン5は、単純な帯状のパターンであ
る。
央に、広い正方形のパツド部を有し、この中心にメタラ
イズのない欠損部8を持つている。ワイヤボンデイグ用
メタライズパターン5は、単純な帯状のパターンであ
る。
メタライズパターンを形成するためには、基板にWをコ
ーテイングし、さらにNiをコーティングする事もある。
外部に露出するパターンの場合は、その上にAuをコーテ
ィングする。これはワイヤボンドするためと、酸化を防
ぐためである。メタライズパターンは印刷法で形成する
事が多く、膜厚は10μm〜30μmと厚いことが多い。
ーテイングし、さらにNiをコーティングする事もある。
外部に露出するパターンの場合は、その上にAuをコーテ
ィングする。これはワイヤボンドするためと、酸化を防
ぐためである。メタライズパターンは印刷法で形成する
事が多く、膜厚は10μm〜30μmと厚いことが多い。
加工の順序を説明する。
メタライズパターンを形成した透明基板2と、キヤツプ
1とを低融点ガラス21によつて固着する。
1とを低融点ガラス21によつて固着する。
さらに、透明基板2のダイボンド用メタライズパターン
4には、受光、発光素子である光素子チツプ3をダイボ
ンドする。
4には、受光、発光素子である光素子チツプ3をダイボ
ンドする。
受光部、発光部の方がボンデイング面となる。この際、
欠損部8と光素子チツプ3の機能領域が合致するように
する。
欠損部8と光素子チツプ3の機能領域が合致するように
する。
このように、透明基板2のキヤツプ1への固着を先に行
なう理由は次のとおりである。
なう理由は次のとおりである。
光素子は、一般に熱に弱い。高温にさらすのは望ましく
ない。キヤツプ1と透明基体2とを低融点ガラス21を融
かして固着するが、低融点といつても、数百度の高温で
あつて、ガラスの熱によつて、光素子が熱損傷を受ける
可能性がある。このため、キヤツプ1に透明基板2を付
けてから、光素子のダイボンド、ワイヤボンドを行な
う。
ない。キヤツプ1と透明基体2とを低融点ガラス21を融
かして固着するが、低融点といつても、数百度の高温で
あつて、ガラスの熱によつて、光素子が熱損傷を受ける
可能性がある。このため、キヤツプ1に透明基板2を付
けてから、光素子のダイボンド、ワイヤボンドを行な
う。
第2図はここまでの工程によつて作られたものを示して
いる。
いる。
光素子チツプ3の上面に設けた電極部が、ダイボンド用
メタライズパターン4に対し、電気的に接続される事に
なる。
メタライズパターン4に対し、電気的に接続される事に
なる。
光素子チツプ3の下面に設けた電極部と、ワイヤボンデ
イング用メタライズパターン5とをAuなどのワイヤ6に
よつてワイヤボンデイングする。
イング用メタライズパターン5とをAuなどのワイヤ6に
よつてワイヤボンデイングする。
第2図はここまでの工程によつて作られたものを示して
いる。
いる。
第3図は、アイレツト9にキヤツプ1を嵌合する直前の
状態を示す。
状態を示す。
透明基板2のダイボンド用メタライズパターン4の端部
と、ワイヤボンデイング用メタライズパターン5の端部
とに、ハンド11、11を盛る。加熱されていて溶融状態に
あるハンダを盛るが、すぐに表面張力で半球形になり、
冷却固化する。
と、ワイヤボンデイング用メタライズパターン5の端部
とに、ハンド11、11を盛る。加熱されていて溶融状態に
あるハンダを盛るが、すぐに表面張力で半球形になり、
冷却固化する。
アイレツト9の通し穴10ヘシール材料とともに、リード
15、16を通す。リード15、16は釘のように頭部の拡がつ
た形状になつている。リード15、16の頭部にも加熱溶融
したハンド12、12を盛る。表面張力により、頭部を囲む
球形状となり、このまゝ冷却固化する。
15、16を通す。リード15、16は釘のように頭部の拡がつ
た形状になつている。リード15、16の頭部にも加熱溶融
したハンド12、12を盛る。表面張力により、頭部を囲む
球形状となり、このまゝ冷却固化する。
リード15、16のアイレツト9の面からの高さは、予め調
整する。キヤツプ1をアイレツト9に嵌合した時に、リ
ード頭部と透明基体2の間隙が1mm程度、或はそれ以下
にしておく。
整する。キヤツプ1をアイレツト9に嵌合した時に、リ
ード頭部と透明基体2の間隙が1mm程度、或はそれ以下
にしておく。
次に第4図に示すように、キヤツプ1をアイレツト9に
嵌合する。キヤツプ外縁17とアイレツト外縁18とを重合
して気密封止する。
嵌合する。キヤツプ外縁17とアイレツト外縁18とを重合
して気密封止する。
メタライズパターン4、5のハンダ11と、リード15、16
の頭部のハンダ12とが接触する状態となる。
の頭部のハンダ12とが接触する状態となる。
これを炉に入れて加熱しハンダリフローを行なう。
ハンダ11、ハンダ12が加熱され溶融されると、これが一
体となる。一体となつて融液となるが、表面張力がある
ので、メタライズパターン4、5とリード15、16間にハ
ンダの橋ができる。このハンダ13が冷却固化すると、第
5図のようになる。ハンダ13は、メタライズパターン
4、5とリード15、16の間隔が多少異なつていても、こ
れらを架橋する事ができる。間隔の誤差をハンダの表面
張力によつて吸収するのである。
体となる。一体となつて融液となるが、表面張力がある
ので、メタライズパターン4、5とリード15、16間にハ
ンダの橋ができる。このハンダ13が冷却固化すると、第
5図のようになる。ハンダ13は、メタライズパターン
4、5とリード15、16の間隔が多少異なつていても、こ
れらを架橋する事ができる。間隔の誤差をハンダの表面
張力によつて吸収するのである。
メタライズパターン4、5とリード15、16の電気的接続
はハンダ13、13によつてなされる。
はハンダ13、13によつてなされる。
メタライズパターン4、5とリード15、16のハンダ付け
面積が狭いから、リード15、16をハンダによつて機械的
保持するという事ができない。
面積が狭いから、リード15、16をハンダによつて機械的
保持するという事ができない。
しかしながら、アイレツト9の通し穴10にシール14によ
つて、リード15、16が固定されている。
つて、リード15、16が固定されている。
パツケージに対するリードの機械的保持は、通し穴10に
於ける固定によつて十分に与えられる。
於ける固定によつて十分に与えられる。
このようにして、透明基板2に光素子チツプ3がダイボ
ンドされ、しかも、TO−18型のパツケージに光素子チツ
プが収容されている、という、所望のパツケージ構造が
得られる。
ンドされ、しかも、TO−18型のパツケージに光素子チツ
プが収容されている、という、所望のパツケージ構造が
得られる。
第6図は本発明の光素子パツケージに対して、光フアイ
バ20を対向させた状態の断面図を示している。
バ20を対向させた状態の断面図を示している。
光フアイバ20の端部は透明基体2の極めて近傍に位置さ
せる事ができる。光素子チツプの機能領域は、透明基板
2の側にある。このため、光フアイバ20の端部と、光素
子チツプの機能領域との間隔は極めて狭いものになる。
せる事ができる。光素子チツプの機能領域は、透明基板
2の側にある。このため、光フアイバ20の端部と、光素
子チツプの機能領域との間隔は極めて狭いものになる。
つまり、光フアイバと光素子との結合効率が高い。
しかも、パツケージは、従来から頻用されるTO−18型に
する事ができる。取扱いに便利で、実装の上でも有利で
ある。
する事ができる。取扱いに便利で、実装の上でも有利で
ある。
(カ) リードとメタライズパターンの接続に関する改
良 リード15、16の頭にハンダ12を盛り、メタライズパター
ン4、5の面にハンダ11を盛る。もちろん、いずれか一
方だけであつてもよい。
良 リード15、16の頭にハンダ12を盛り、メタライズパター
ン4、5の面にハンダ11を盛る。もちろん、いずれか一
方だけであつてもよい。
ハンダ面を接触させて、加熱するとハンダがいつたん溶
融し、表面張力によつて最適の架橋形状になる。この状
態で冷却固化するから、ハンダによる橋ができる。
融し、表面張力によつて最適の架橋形状になる。この状
態で冷却固化するから、ハンダによる橋ができる。
第1図〜第6図に示すように、リード頭を単に釘頭のよ
うにしても、ハンダ13により、リードとメタライズパタ
ーンを架橋する事ができる。
うにしても、ハンダ13により、リードとメタライズパタ
ーンを架橋する事ができる。
ただし、キヤツプをアイレツトに嵌合した時に、ハンダ
11、12が接触していなければならない。
11、12が接触していなければならない。
もしも、離隔していれば、ハンダ11、12が融けても、両
者が一体とならず、架橋構造を作らない。
者が一体とならず、架橋構造を作らない。
嵌合時に於て、ハンダ11、12の接触をより確実にするに
は、弾性機構をリードの頭部とメタライズパターンの間
に介在させればよいのである。
は、弾性機構をリードの頭部とメタライズパターンの間
に介在させればよいのである。
第8図〜第11図は弾性機構を設けたリード、メタライズ
パターンのハンダ付け構造を示している。
パターンのハンダ付け構造を示している。
第8図の改良例に於ては、リード15、16の頭部には弾性
薄片22が形成されている。弾性薄片22の下方は切欠き23
になつている。圧力がかかると、弾性薄片22は下方へ撓
むことができる。
薄片22が形成されている。弾性薄片22の下方は切欠き23
になつている。圧力がかかると、弾性薄片22は下方へ撓
むことができる。
ハンダ11、12がメタライズパターンとリード頭部に盛り
上げられている。キヤツプ1をアイレツト9に嵌合した
時、ハンダ11、12が衝突する。しかし、弾性薄片22が撓
むので、ハンダ11、12が厚くても、キヤツプとアイレツ
トの嵌合の防げとはならない。ハンダ11、12を加熱する
と、これが融けて一体化し、弾性薄片22に押されて拡が
り、広い面に於てメタライズパターンとリード頭部とを
接合する。
上げられている。キヤツプ1をアイレツト9に嵌合した
時、ハンダ11、12が衝突する。しかし、弾性薄片22が撓
むので、ハンダ11、12が厚くても、キヤツプとアイレツ
トの嵌合の防げとはならない。ハンダ11、12を加熱する
と、これが融けて一体化し、弾性薄片22に押されて拡が
り、広い面に於てメタライズパターンとリード頭部とを
接合する。
第9図の改良例に於ては、リードの頭部がコイルスプリ
ング24に賦型されている。コイルスプリング24は圧力に
よつて縮むことができる。メタライズパターンとコイル
スプリングのハンダが接触しても、コイルスプリングが
撓むので、キヤツプ1をアイレツト9へ正しく嵌合でき
る。ハンダが融けると、コイルスプリング24によつて加
圧されて広がり、広い範囲でハンダが固まる。
ング24に賦型されている。コイルスプリング24は圧力に
よつて縮むことができる。メタライズパターンとコイル
スプリングのハンダが接触しても、コイルスプリングが
撓むので、キヤツプ1をアイレツト9へ正しく嵌合でき
る。ハンダが融けると、コイルスプリング24によつて加
圧されて広がり、広い範囲でハンダが固まる。
第10図の改良例に於ては、メタライズパターン4、5の
上にΓ状バネ板25を固着してある。Γ状バネ板25の側
面、リードの側面にハンダを盛り上げておく。これを組
合わせて、加熱すると、ハンダが融け、Γ状バネ板25と
リードとがハンダ付けされる。
上にΓ状バネ板25を固着してある。Γ状バネ板25の側
面、リードの側面にハンダを盛り上げておく。これを組
合わせて、加熱すると、ハンダが融け、Γ状バネ板25と
リードとがハンダ付けされる。
この構造では、Γ状バネ板25の側面にリードの側面が接
触するので、キヤツプ1をアイレツト9に嵌合する際、
ハンダの存在が妨げにはならない。反面、Γ状バネ板25
は、側面方向に弾性力を及ぼすので、バネ板とリードの
ハンダ付きを確実にする。
触するので、キヤツプ1をアイレツト9に嵌合する際、
ハンダの存在が妨げにはならない。反面、Γ状バネ板25
は、側面方向に弾性力を及ぼすので、バネ板とリードの
ハンダ付きを確実にする。
第11図の改良例に於ては、メタライズパターン4、5の
上に、Π状バネ板27を固着してある。Π状バネ板27の内
面にハンダを盛り上げておく。リード側面にもハンダを
盛り上げておく。
上に、Π状バネ板27を固着してある。Π状バネ板27の内
面にハンダを盛り上げておく。リード側面にもハンダを
盛り上げておく。
リードをΠ状バネ板27に下方から挿入して、これを加熱
すると、ハンダが融けて、リードとΠ状バネ板27の間に
拡がる。表面張力で、凹型の適当な形状になる。これを
冷却固化すると、リードとΠ状バネ板27が電気的に接続
される。
すると、ハンダが融けて、リードとΠ状バネ板27の間に
拡がる。表面張力で、凹型の適当な形状になる。これを
冷却固化すると、リードとΠ状バネ板27が電気的に接続
される。
(キ) 実施例 透明基板2として、サフアイア板を用いた。
サフアイア板の上に、第7図のように、中間に欠損部8
を有するダイボンド用メタライズパターン4と、ワイヤ
ボンデイング用メタライズパターン5とをスクリーンを
用いて厚膜印刷する。
を有するダイボンド用メタライズパターン4と、ワイヤ
ボンデイング用メタライズパターン5とをスクリーンを
用いて厚膜印刷する。
このサフアイア板をキヤツプ1に低融点ガラス21で固定
する。サフアイア板のメタライズパターンに、フオトダ
イオードチツプ3をAuSu共晶により固定した。Auワイヤ
6をフオトダイオードチツプ3の電極と、ワイヤポンデ
イング用メタライズパターン5との間にボンデイングす
る。
する。サフアイア板のメタライズパターンに、フオトダ
イオードチツプ3をAuSu共晶により固定した。Auワイヤ
6をフオトダイオードチツプ3の電極と、ワイヤポンデ
イング用メタライズパターン5との間にボンデイングす
る。
他方、ネイルヘツド状に成形したリード14、15を、アイ
レツト9の通し穴10に通して固定した。
レツト9の通し穴10に通して固定した。
このリード14、15の上にAgフイラー入り導電性樹脂を塗
布する。メタライズパターンにも導電性樹脂を塗布す
る。
布する。メタライズパターンにも導電性樹脂を塗布す
る。
アイレツトとキヤツプとを組合わせ、電気溶接によつて
キヤツプとアイレツトとを気密封止する。これをオーブ
ン加熱し、導電性樹脂を溶融固化する。
キヤツプとアイレツトとを気密封止する。これをオーブ
ン加熱し、導電性樹脂を溶融固化する。
このようにして、第1図に示すような光素子パツケージ
を作つた。光フアイバを前面に位置させて、光を通す
と、光は欠損部8を通つてフオトダイオードチツプに入
射した。
を作つた。光フアイバを前面に位置させて、光を通す
と、光は欠損部8を通つてフオトダイオードチツプに入
射した。
(ク) 効果 透明基体の上に光素子チツプをダイボンドしているか
ら、光フアイバの端面と光素子チツプの能動領域との距
離が短くなる。このため光素子と光フアイバとの結合効
率が向上する。
ら、光フアイバの端面と光素子チツプの能動領域との距
離が短くなる。このため光素子と光フアイバとの結合効
率が向上する。
透明基板をパツケージの下ではなく、上に設けるので、
平行リードを下方に向けて出す事ができる。
平行リードを下方に向けて出す事ができる。
リードを下方に出した場合、最も困難な問題は、リード
とメタライズパターンの電気的接続である。ワイヤボン
デイングは使えない。メタライズパターンにリードを押
しつけてロウ付けするという事もできない。
とメタライズパターンの電気的接続である。ワイヤボン
デイングは使えない。メタライズパターンにリードを押
しつけてロウ付けするという事もできない。
このような難点を克服するため、本発明に於ては、ハン
ダや導電性樹脂のように、融けた状態で、表面張力によ
り、任意に変形する事のできるものを用いて、電気的接
続を行なっている。
ダや導電性樹脂のように、融けた状態で、表面張力によ
り、任意に変形する事のできるものを用いて、電気的接
続を行なっている。
汎用性の高いTOタイプのパツケージに、光素子チツプを
実装する事ができる。汎用タイプのパツケージであるか
ら、安価であるし、取扱いも便利である。光コネクタの
中へ収容する際も、既存のものが利用できて、好都合で
ある。
実装する事ができる。汎用タイプのパツケージであるか
ら、安価であるし、取扱いも便利である。光コネクタの
中へ収容する際も、既存のものが利用できて、好都合で
ある。
第1図は本発明の光素子用パツケージの全体の縦断面
図。 第2図はキヤツプに透明基板を付け光素子チツプをダイ
ボンドした状態の縦断面図。 第3図はキヤツプにアイレツトを結合する直前の状態の
縦断面図。 第4図はキヤツプにアイレツトを嵌込んだ直後の状態の
縦断面図。 第5図は加熱されてハンダが一体化した後、固化した状
態の縦断面図。 第6図は完成後の光素子パツケージに光フアイバ端を近
接して設けた状態の縦断面図。 第7図は透明基板の上に形成したメタライズパターンの
平面図。 第8図はリードとメタライズパターンのハンダ付け部分
の改良構造であつてリードに弾性薄片を設けたものの縦
断面図。 第9図はリードとメタライズパターンのハンダ付け部分
の改良構造であつて、リードの頭部にコイルスプリング
を形成したものの縦断面図。 第10図はリードとメタライズパターンのハンダ付け部分
の改良構造であつて、メタライズパターンにΓ状バネ板
を固着しておき、これとリードとをハンダ付けしたもの
の縦断面図。 第11図はリードとメタライズパターンのハンダ付け部分
の改良構造であつて、メタライズパターンにΠ状バネ板
を固着しておき、これとリードとをハンダ付けしたもの
の縦断面図。 第12図は従来の、TO−18型のパツケージを用いた光素子
用パツケージの縦断面図。 第13図は従来例に係るTO−18型のパツケージを用いた光
素子用パツケージの縦断面図。 第14図は従来例に係るTO−46のパツケージを用いた光素
子用パツケージの縦断面図。 第15図は従来例に係るTO−46のパツケージを用いた他の
光素子用パツケージの縦断面図。 第16図は従来例に係るTO−46のパツケージを用いた他の
光素子用パツケージの縦断面図。 第17図は本出願人が先に開発した光素子用セラミツクパ
ツケージの縦断面図。 1……キヤツプ 2……透明基体 3……光素子チツプ 4……ダイボンド用メタライズパターン 5……ワイヤボンデイング用メタライズパターン 6……ワイヤ 7……開口 8……欠損部 9……アイレツト 10……通し穴 11……リードに付けたハンダ又は導電性樹脂 12……メタライズパターンに付けたハンダ又は導電性樹
脂 13……一体化した後のハンダ又は導電性樹脂 14……シール 15、16……リード 17……キヤツプ外縁 18……アイレツト外縁 20……光フアイバ 21……低融点ガラス 22……弾性薄片 23……切欠き 24……コイルスプリング 25……Γ状バネ板 27……Π状バネ板 41……パツケージ本体 42……キヤツプ 43……コバールガラス 44、45……リード 46……サフアイア板 47……パツケージ本体 48……キヤツプ 49……貫通穴 50……通し穴 51……コバールガラス 60……セラミツク基板 61……サフアイア板 62……ダイボンド用メタライズ配線 63……電極用メタライズ配線 64、65……リード 66……セラミツク枠 67……キヤツプセラミツク 68……低融点ガラス 70……欠損部
図。 第2図はキヤツプに透明基板を付け光素子チツプをダイ
ボンドした状態の縦断面図。 第3図はキヤツプにアイレツトを結合する直前の状態の
縦断面図。 第4図はキヤツプにアイレツトを嵌込んだ直後の状態の
縦断面図。 第5図は加熱されてハンダが一体化した後、固化した状
態の縦断面図。 第6図は完成後の光素子パツケージに光フアイバ端を近
接して設けた状態の縦断面図。 第7図は透明基板の上に形成したメタライズパターンの
平面図。 第8図はリードとメタライズパターンのハンダ付け部分
の改良構造であつてリードに弾性薄片を設けたものの縦
断面図。 第9図はリードとメタライズパターンのハンダ付け部分
の改良構造であつて、リードの頭部にコイルスプリング
を形成したものの縦断面図。 第10図はリードとメタライズパターンのハンダ付け部分
の改良構造であつて、メタライズパターンにΓ状バネ板
を固着しておき、これとリードとをハンダ付けしたもの
の縦断面図。 第11図はリードとメタライズパターンのハンダ付け部分
の改良構造であつて、メタライズパターンにΠ状バネ板
を固着しておき、これとリードとをハンダ付けしたもの
の縦断面図。 第12図は従来の、TO−18型のパツケージを用いた光素子
用パツケージの縦断面図。 第13図は従来例に係るTO−18型のパツケージを用いた光
素子用パツケージの縦断面図。 第14図は従来例に係るTO−46のパツケージを用いた光素
子用パツケージの縦断面図。 第15図は従来例に係るTO−46のパツケージを用いた他の
光素子用パツケージの縦断面図。 第16図は従来例に係るTO−46のパツケージを用いた他の
光素子用パツケージの縦断面図。 第17図は本出願人が先に開発した光素子用セラミツクパ
ツケージの縦断面図。 1……キヤツプ 2……透明基体 3……光素子チツプ 4……ダイボンド用メタライズパターン 5……ワイヤボンデイング用メタライズパターン 6……ワイヤ 7……開口 8……欠損部 9……アイレツト 10……通し穴 11……リードに付けたハンダ又は導電性樹脂 12……メタライズパターンに付けたハンダ又は導電性樹
脂 13……一体化した後のハンダ又は導電性樹脂 14……シール 15、16……リード 17……キヤツプ外縁 18……アイレツト外縁 20……光フアイバ 21……低融点ガラス 22……弾性薄片 23……切欠き 24……コイルスプリング 25……Γ状バネ板 27……Π状バネ板 41……パツケージ本体 42……キヤツプ 43……コバールガラス 44、45……リード 46……サフアイア板 47……パツケージ本体 48……キヤツプ 49……貫通穴 50……通し穴 51……コバールガラス 60……セラミツク基板 61……サフアイア板 62……ダイボンド用メタライズ配線 63……電極用メタライズ配線 64、65……リード 66……セラミツク枠 67……キヤツプセラミツク 68……低融点ガラス 70……欠損部
Claims (8)
- 【請求項1】透明基体2と、透明基体2の上に形成され
光を通すべき欠損部8を有し光素子チツプ3をダイボン
ドすべきダイボンド用メタライズパターン4と、透明基
体2の上に形成されたワイヤボンデイング用メタライズ
パターン5と、中央に開口7を有し略円筒形である金属
性のキヤツプ1と、該キヤツプ1に嵌合することができ
通し穴10を穿孔したアイレツト9と、アイレツト9の通
し穴10に絶縁体シール14を介して保持される下向き平行
リード15、16とよりなり、透明基板2のダイボンド用メ
タライズパターン4には光素子チツプ3を、欠損部8を
通して能動領域に光が出入りできるようにダイボンド
し、光素子チツプ3の裏面の電極とワイヤボンデイング
用メタライズパターン5とをワイヤ6によつて接続し、
透明基体2はキヤツプ1に対し開口7の内側に取付け、
リード15、16の頭部はダイボンド用メタライズパターン
4、ワイヤボンデイング用メタライズパターン5に対し
垂直になるようハンダ13又は導電性樹脂により電気的接
続する事を特徴とする光素子用パツケージ。 - 【請求項2】透明基体がサフアイア板であることを特徴
とする特許請求の範囲第(1)項記載の光素子用パツケ
ージ。 - 【請求項3】リード15、16の頭部が釘頭状に拡大してい
る事を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の光素
子用パツケージ。 - 【請求項4】リードの頭部が撓みやすい弾性薄片22とな
つており、ハンダを押圧できる構造となつている事を特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の光素子用パツ
ケージ。 - 【請求項5】リードの頭部がコイルスプリング24となつ
ており、ハンダが融けた時にこれを押圧できる構造とな
つている事を特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載
の光素子用パツケージ。 - 【請求項6】メタライズパターン4、5の裏面にΓ状バ
ネ板25が固着してあり、リード15、16とΓ状バネ板25を
ハンダ又は導電性樹脂により電気的接続している事を特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の光素子用パツ
ケージ。 - 【請求項7】メタライズパターン4、5の裏面にΠ状バ
ネ板27が固着してあり、リード15、16とΠ状バネ板27を
ハンダ又は導電性樹脂により電気的接続している事を特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の光素子用パツ
ケージ。 - 【請求項8】透明基体2がコバールガラスである事を特
徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の光素子用パツ
ケージ。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP4421487A JPH0760906B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 光素子用パツケ−ジ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4421487A JPH0760906B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 光素子用パツケ−ジ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS63211778A JPS63211778A (ja) | 1988-09-02 |
JPH0760906B2 true JPH0760906B2 (ja) | 1995-06-28 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP4421487A Expired - Fee Related JPH0760906B2 (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 光素子用パツケ−ジ |
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-
1987
- 1987-02-27 JP JP4421487A patent/JPH0760906B2/ja not_active Expired - Fee Related
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