JPH0758609B2 - Camera tube - Google Patents
Camera tubeInfo
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- JPH0758609B2 JPH0758609B2 JP2300204A JP30020490A JPH0758609B2 JP H0758609 B2 JPH0758609 B2 JP H0758609B2 JP 2300204 A JP2300204 A JP 2300204A JP 30020490 A JP30020490 A JP 30020490A JP H0758609 B2 JPH0758609 B2 JP H0758609B2
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- film
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- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学像を電気信号に変換する撮像管に関するも
のである。The present invention relates to an image pickup tube for converting an optical image into an electric signal.
近年、光通信技術の研究は急速に進歩し、半導体レーザ
の研究については、発振波長1.55μｍにおける連続発振
の成果が1979年に既に報告されている。この発振波長1.
55μｍは光ファイバの伝送損失が最も少ない波長であ
る。また、この連続発振はInGaAsPを材料とする半導体
レーザによって行われたものであり、その後、実用化に
向けた研究がさらに進められている。一方、このような
光通信技術の発展に伴い、光ファイバやレーザといった
光通信系を正確に評価する装置の実現が強く要求されて
いる。上記半導体レーザを用いた光通信は近赤外光領域
（1.3〜1.55μｍ）で行われ、光通信系の評価は、光電
型撮像管（IRビジコン）を用いて行われている。In recent years, research on optical communication technology has made rapid progress, and as for research on semiconductor lasers, the achievement of continuous oscillation at an oscillation wavelength of 1.55 μm was already reported in 1979. This oscillation wavelength 1.
55 μm is the wavelength with the smallest transmission loss of the optical fiber. Further, this continuous wave oscillation was performed by a semiconductor laser made of InGaAsP, and thereafter, further research for practical use has been further advanced. On the other hand, with the development of such optical communication technology, realization of a device for accurately evaluating an optical communication system such as an optical fiber or a laser is strongly demanded. Optical communication using the semiconductor laser is performed in the near infrared light region (1.3 to 1.55 μm), and evaluation of the optical communication system is performed using a photoelectric imaging tube (IR vidicon).
IRビジコンにおいては、光ファイバ等からの光像がター
ゲットに入射され、このターゲットに光像が結像され
る。この光像は、電子銃からターゲットに電子ビームが
走査されることにより、電気信号に変換される。このよ
うなIRビジコンにおける光通信系の評価は、ターゲット
で変換された上記の電気信号に基づいて行われる。In the IR vidicon, an optical image from an optical fiber or the like is incident on a target and an optical image is formed on this target. This optical image is converted into an electric signal by scanning the electron beam from the electron gun to the target. The evaluation of the optical communication system in such an IR vidicon is performed based on the electric signal converted by the target.
しかしながら、上記従来のIRビジコンは次のような技術
的課題を有していた。つまり、ターゲットに入射する光
の波長が例えば1.1μｍ以上の近赤外領域付近の長い波
長であると、入射した光の全ては光電変換に寄与しなく
なり、入射光の一部はターゲットを透過してメッシュ電
極に到達するようになる。メッシュ電極に到達した入射
光はこの電極表面で反射し、ターゲットに再び戻ってし
まう。このため、メッシュ電極で反射した光とターゲッ
トに入射してきた光とが干渉し合うことになる。この現
象は、ターゲット膜の光吸収係数が小さくなる光波長領
域、つまり、近赤外領域付近における長い波長領域で発
生し、波長が長くなればなるほど顕著になる。また、光
源の光密度が高くなるほど顕著になる。However, the above-mentioned conventional IR vidicon has the following technical problems. That is, if the wavelength of the light incident on the target is a long wavelength near the near-infrared region of 1.1 μm or more, for example, all of the incident light does not contribute to photoelectric conversion, and part of the incident light passes through the target. To reach the mesh electrode. The incident light reaching the mesh electrode is reflected by the surface of this electrode and returns to the target again. Therefore, the light reflected by the mesh electrode and the light incident on the target interfere with each other. This phenomenon occurs in the light wavelength region where the light absorption coefficient of the target film is small, that is, in the long wavelength region near the near infrared region, and becomes more remarkable as the wavelength becomes longer. Further, the higher the light density of the light source, the more remarkable.
この結果、光像が電気信号に変換されて得られる撮像寝
具に疑似信号、つまり、固定ノイズが現れてしまい、正
確な光通信系の評価が妨げられることになる。As a result, a pseudo signal, that is, fixed noise, appears in the imaging bedding obtained by converting the optical image into an electric signal, which hinders accurate evaluation of the optical communication system.
本発明はこのような課題を解消するためになされたもの
で、電子ビームを出射する電子銃と、この電子ビームが
走査されるターゲットと、メッシュ電極とを備えて構成
される撮像管において、メッシュ電極のターゲット側の
表面に金属蒸着膜が形成された多数の凹凸が存在してい
るものである。また、ターゲットの膜厚が波長1.0μｍ
以上の入射光の約90％を吸収する厚さに形成されている
ものである。また、メッシュ電極のターゲット側の表面
に金属蒸着膜が形成された多数の凹凸が存在し、かつ、
ターゲットの膜厚が波長1.0μｍ以上の入射光の約90％
を吸収する厚さに形成されているものである。The present invention has been made to solve such a problem, and in an image pickup tube including an electron gun that emits an electron beam, a target that is scanned by the electron beam, and a mesh electrode, a mesh A large number of irregularities having a metal vapor deposition film formed on the surface of the electrode on the target side are present. Also, the target film thickness is 1.0 μm.
It is formed to a thickness that absorbs about 90% of the above incident light. In addition, there are a large number of irregularities formed with a metal vapor deposition film on the surface of the mesh electrode on the target side, and,
About 90% of incident light with a target film thickness of 1.0 μm or more
Is formed to a thickness that absorbs.
メッシュ電極のターゲット側表面に金属蒸着膜が形成さ
れた多数の凹凸が存在し、メッシュ電極のターゲット側
表面が光学的に荒れているため、ターゲットを透過した
光はこの表面で乱反射し、かつ散乱する。乱反射かつ散
乱した光はターゲットのメッシュ電極側表面に均一に照
射され、メッシュ電極からの戻り光はターゲットの特定
箇所に集中しなくなる。Since the target electrode surface of the mesh electrode has a large number of irregularities formed by a metal deposition film, and the target electrode surface of the mesh electrode is optically rough, the light transmitted through the target is diffusely reflected and scattered by this surface. To do. The diffusely reflected and scattered light is uniformly applied to the surface of the target on the side of the mesh electrode, and the return light from the mesh electrode is not concentrated on a specific portion of the target.
また、ターゲットの膜厚が波長1.0μｍ以上の入射光の
約90％を吸収する厚さに厚く形成されたことにより、タ
ーゲットにおける入射光の吸収量が増加し、ターゲット
を透過する入射光の光量は減少する。In addition, the thickness of the target film is thick enough to absorb about 90% of the incident light with a wavelength of 1.0 μm or more, so that the absorption amount of the incident light in the target is increased and the light amount of the incident light transmitted through the target is increased. Decreases.
また、ターゲット膜厚の増加に伴うターゲット電気抵抗
の増大は、メッシュ電極からの光がターゲットに照射さ
れることにより抑制され、ターゲット電気抵抗の増大に
基づく光検出感度の低下が防止される。Further, the increase in the target electric resistance due to the increase in the target film thickness is suppressed by irradiating the target with the light from the mesh electrode, and the decrease in the photodetection sensitivity due to the increase in the target electric resistance is prevented.
次に、本発明の一実施例にるIRビジコンを光通信系の測
定評価に適用した場合について説明する。第１図は本実
施例によるIRビジコンの概略構造を示す断面図である。Next, a case where the IR vidicon according to one embodiment of the present invention is applied to measurement and evaluation of an optical communication system will be described. FIG. 1 is a sectional view showing a schematic structure of the IR vidicon according to this embodiment.
IRビジコンは、入射光を光電変換して蓄積するターゲッ
ト部１と、読取り用の電子ビームを出す電子銃部２と、
この電子ビームをターゲット面に集束してこの面上を走
査する図示しない集束偏向部とから構成されている。The IR vidicon has a target unit 1 that photoelectrically converts incident light and accumulates it, an electron gun unit 2 that emits an electron beam for reading,
It is composed of a focusing and deflecting unit (not shown) which focuses the electron beam on the target surface and scans the target surface.
ターゲット部１は、光像が結像されるターゲット膜４、
このターゲット膜４の光入射側に設けられたネサ膜５お
よびガラス面板６とから構成されている。ターゲット膜
４はPbO/PbSを材質とする光導電膜であり、その膜厚は
約７μｍと厚く形成されている。この膜厚は、通常のビ
ジコンにおける２〜３μｍの膜厚の約２倍強になってい
る。また、ネサ膜５は透明導電膜である。ターゲット膜
４、ネサ膜５およびガラス面体６は相互に固着されてい
る。これら一体化されたターゲット部１は、信号電極７
およびインジウム金属８によって円筒バルブ９に固着さ
れ、円筒バルブ９内は真空状態に封止されている。ま
た、インジウム金属８はネサ膜５と電気的に接触してお
り、ネサ膜５に生じた撮像信号は信号電極７によって取
り出され、外部の信号増幅回路に出力される。The target portion 1 includes a target film 4 on which an optical image is formed,
The target film 4 is composed of a nesa film 5 and a glass face plate 6 provided on the light incident side. The target film 4 is a photoconductive film made of PbO / PbS and has a large film thickness of about 7 μm. This film thickness is about twice as large as the film thickness of 2-3 μm in a normal vidicon. Moreover, the nesta film 5 is a transparent conductive film. The target film 4, the nesa film 5 and the glass face piece 6 are fixed to each other. The integrated target unit 1 includes a signal electrode 7
And indium metal 8 are fixed to the cylindrical valve 9, and the inside of the cylindrical valve 9 is sealed in a vacuum state. The indium metal 8 is in electrical contact with the nesa film 5, and the image pickup signal generated on the nesa film 5 is taken out by the signal electrode 7 and output to the external signal amplification circuit.
電子銃部２は、電子を放出するカソード電極11、このカ
ソード電極11を加熱するヒータ12、放出された電子の進
行方向を抑制するビーム制御電極13、および電子ビーム
を加速する加速電極14とから構成されている。この電子
銃部２から出射された電子ビームはビームフォーカス電
極15を通過する間に集束偏向部によってその進路が偏向
される。偏向された電子ビームは、ビームフォーカス電
極15の終端部に設けられたメッシュ電極16を通過するこ
とによって速度が急激に低下し、ターゲット膜４に低速
度で一様に到達する。The electron gun unit 2 includes a cathode electrode 11 that emits electrons, a heater 12 that heats the cathode electrode 11, a beam control electrode 13 that suppresses the traveling direction of the emitted electrons, and an acceleration electrode 14 that accelerates the electron beam. It is configured. The path of the electron beam emitted from the electron gun unit 2 is deflected by the focusing deflection unit while passing through the beam focus electrode 15. The deflected electron beam rapidly passes through the mesh electrode 16 provided at the end of the beam focus electrode 15 to rapidly decrease its velocity and uniformly reach the target film 4 at a low velocity.
このメッシュ電極16のターゲット膜４側の表面形状は、
第２図（ａ）の拡大平面図、および同図（ｂ）のIIb−I
Ib線に沿った断面図に示される。メッシュ電極16の表面
上には図示のように多数の突起16aが形成されており、
かつ、この表面にはポーラスAl金属膜が蒸着されてい
る。このため、ターゲット膜４を透過して来た漏洩光
は、多数の突起16aによって乱反射し、かつ、ポーラスA
l金属膜によって散乱する。つまり、メッシュ電極16の
表面は突起16aによって、あるいはポーラスAl金属膜に
よって光学的に荒れている。このようなメッシュ電極16
は次のようにして形成される。まず、格子状に形成され
た約30μｍ角の窓、および直径約３μｍの突起16aを図
示のように備えたメッシュ電極を形成する。次に、この
電極上にポーラスAl金属膜を蒸着する。ポーラスAl金属
膜の蒸着が、タングステン・スパイラスの上に約13mgの
Alワイヤを３本載せて800℃程度に電流加熱し、10-2Tor
rの低真空状態下においてArガスを用いて行われる。The surface shape of the mesh electrode 16 on the target film 4 side is
The enlarged plan view of FIG. 2 (a) and IIb-I of FIG. 2 (b).
Shown in cross-section along line Ib. On the surface of the mesh electrode 16, a large number of protrusions 16a are formed as shown,
A porous Al metal film is vapor-deposited on this surface. Therefore, the leaked light transmitted through the target film 4 is diffusely reflected by the large number of protrusions 16a, and the porous A
l Scattered by the metal film. That is, the surface of the mesh electrode 16 is optically roughened by the protrusion 16a or by the porous Al metal film. Such a mesh electrode 16
Are formed as follows. First, a mesh electrode having a window of about 30 μm square formed in a grid pattern and a protrusion 16a having a diameter of about 3 μm is formed as shown in the figure. Next, a porous Al metal film is vapor-deposited on this electrode. Deposition of a porous Al metal film deposits approximately 13 mg on a tungsten spiral.
Place three Al wires and heat them to about 800 ℃ with current, 10 -2 Tor
It is performed using Ar gas under a low vacuum condition of r.
一方、第２図（ｃ），（ｄ）は従来の通常のメッシュ電
極構造を表しており、同図（ｃ）は拡大平面図、同図
（ｄ）はIId−IId線に沿った断面図を示している。従来
構造のメッシュ電極は図示のように表面形状が平坦であ
る。このため、ターゲット膜を透過した漏洩光は入射角
度に応じて反射され、本実施例におけるメッシュ電極16
のように散乱することはない。On the other hand, FIGS. 2 (c) and 2 (d) show a conventional ordinary mesh electrode structure, FIG. 2 (c) is an enlarged plan view, and FIG. 2 (d) is a sectional view taken along line IId-IId. Is shown. The mesh electrode of the conventional structure has a flat surface shape as shown in the figure. Therefore, the leaked light transmitted through the target film is reflected according to the incident angle, and the mesh electrode 16 in this embodiment is
It does not scatter like.
光通信系の測定評価は、このような構造を有するIRビジ
コンを使用して行われる。第３図はこの評価に用いられ
る測定装置を示している。The measurement and evaluation of the optical communication system is performed using the IR vidicon having such a structure. FIG. 3 shows the measuring device used for this evaluation.
半導体レーザ21から発せられた光信号は、光ファイバ22
およびレンズ23を介して上述したIRビジコン24に入射さ
れる。入射された光は、第１図に示されるガラス面板６
およびネサ膜５を通過してターゲット膜４上に結像す
る。結像した光像はターゲット膜４の光導電効果によ
り、ターゲット膜４の電子銃２側表面にキャリア（ホー
ル）を誘起する。電子銃２から照射された電子ビーム
が、誘起されたこのキャリアに当たり、キャリアが中和
されることによって放電電流が流れ、ネサ膜５に電気信
号が発生する。The optical signal emitted from the semiconductor laser 21 is transmitted to the optical fiber 22.
Then, it is incident on the above-mentioned IR vidicon 24 via the lens 23. The incident light is the glass face plate 6 shown in FIG.
And passes through the nesa film 5 to form an image on the target film 4. The formed optical image induces carriers (holes) on the surface of the target film 4 on the electron gun 2 side due to the photoconductive effect of the target film 4. An electron beam emitted from the electron gun 2 hits the induced carriers, the carriers are neutralized, and a discharge current flows, and an electric signal is generated in the nesa film 5.
この際、ターゲット膜４を透過した光はメッシュ電極16
に到達し、透過光量の約0.1％以上は前述した光学的に
荒れた表面で乱反射および散乱する。乱反射および散乱
した光は均一な光になってターゲット膜４に戻り、ター
ゲット膜４の電子銃２側表面に均一に照射される。従っ
て、メッシュ電極16からの戻り光はターゲット膜４の特
定箇所に集中しなくなる。このため、メッシュ電極16か
ら反射された光はターゲット膜４に入射される光に悪影
響を与えることがなくなり、撮像信号に固定ノイズが従
来のように発生しなくなる。At this time, the light transmitted through the target film 4 receives the mesh electrode 16
Of the transmitted light is diffused and scattered by the above-mentioned optically rough surface. The diffusely reflected and scattered light becomes uniform light, returns to the target film 4, and is uniformly irradiated on the surface of the target film 4 on the electron gun 2 side. Therefore, the return light from the mesh electrode 16 does not concentrate on a specific portion of the target film 4. Therefore, the light reflected from the mesh electrode 16 does not adversely affect the light incident on the target film 4, and fixed noise does not occur in the image pickup signal as in the conventional case.
また、ターゲット膜４は前述したように膜厚が厚く形成
されているため、このターゲット膜４を透過する光量は
少なくなっている。つまり、波長が1.0μｍ以上の入射
光に対し、その約90％はターゲット膜４に吸収される。
このため、ターゲット膜４を透過する光量は従来に比較
してかなり減少する。従って、メッシュ電極16で反射さ
れて戻ってくる光量も極めて減少する。このため、メッ
シュ電極16からの反射光と入射光とが干渉し合うことが
なくなり、このことによって撮像信号に固定ノイズが発
生しなくなる。Further, since the target film 4 is formed thick as described above, the amount of light transmitted through the target film 4 is small. That is, about 90% of incident light having a wavelength of 1.0 μm or more is absorbed by the target film 4.
Therefore, the amount of light transmitted through the target film 4 is considerably reduced as compared with the conventional one. Therefore, the amount of light reflected and returned by the mesh electrode 16 is extremely reduced. Therefore, the reflected light from the mesh electrode 16 and the incident light do not interfere with each other, and as a result, fixed noise does not occur in the image pickup signal.
ところで、ターゲット膜４の電気抵抗はターゲット膜４
の厚さの増加に伴って増大するが、メッシュ電極16から
の光がターゲット膜４に均一に照射されるため、ターゲ
ット膜４の電気抵抗の増大は抑制される。このため、タ
ーゲット膜４の電気抵抗の増大に基づく光検出感度の低
下は防止され、安定した撮像管動作が行われる。By the way, the electric resistance of the target film 4 is
However, since the target film 4 is uniformly irradiated with the light from the mesh electrode 16, the increase in the electrical resistance of the target film 4 is suppressed. Therefore, the decrease in the photodetection sensitivity due to the increase in the electric resistance of the target film 4 is prevented, and the stable operation of the image pickup tube is performed.
このようにネサ膜５には固定ノイズを生じることなく、
かつ、感度良く撮像信号が検出される。検出された撮像
信号は信号電極７を介して第３図に示されるテレビカメ
ラ25に入力される。テレビカメラ25に入力された撮像信
号は、カメラコントロールユニット26および画像処理装
置27によってモニタ信号に変換される。このモニタ信号
がさらにテレビモニタ28に与えられることにより、光フ
ァイバ22を伝播してきた光像は視覚によってとらえら
れ、光通信系の評価が行われる。In this way, no fixed noise is generated in the nesa film 5,
Moreover, the image pickup signal is detected with high sensitivity. The detected image pickup signal is input to the television camera 25 shown in FIG. 3 via the signal electrode 7. The image pickup signal input to the television camera 25 is converted into a monitor signal by the camera control unit 26 and the image processing device 27. By further supplying this monitor signal to the television monitor 28, the optical image propagating through the optical fiber 22 is visually recognized, and the optical communication system is evaluated.
第４図（ａ），（ｂ）はこのテレビモニタ28に現れた本
実施例による測定結果を示している。同図（ｃ），
（ｄ）は上述の測定装置に従来のIRビジコンを使用して
得られた従来の測定結果を示している。また、同図
（ａ），（ｃ）は、半導体レーザ21の発振波長がそれぞ
れ1.3μｍ、レーザ強度がそれぞれ8.0mA、ターゲット電
圧が69.5V,46.5Vに条件下における測定結果である。同
図（ｂ），（ｄ）は、半導体レーザ21の発振波長がそれ
ぞれ1.55μｍ、レーザ強度がそれぞれ20.0mA、ターゲッ
ト電圧が55.4V,37.7Vの条件下における測定結果であ
る。また、各図に大きく円形状に現れたものは測定光3
1、34、37、40であり、これら各測定光のＸ方向および
Ｙ方向の強度分布曲線32,33、35,36、38,39、41,42が各
図に併せて示されている。FIGS. 4 (a) and 4 (b) show the measurement results of this embodiment appearing on the television monitor 28. As shown in FIG. The same figure (c),
(D) shows the conventional measurement result obtained by using the conventional IR vidicon in the above-mentioned measuring device. Further, FIGS. 10A and 10C show the measurement results under the conditions that the oscillation wavelength of the semiconductor laser 21 is 1.3 μm, the laser intensity is 8.0 mA, and the target voltages are 69.5V and 46.5V. FIGS. 7B and 7D show the measurement results under the conditions that the oscillation wavelength of the semiconductor laser 21 is 1.55 μm, the laser intensity is 20.0 mA, and the target voltage is 55.4V and 37.7V. In addition, the large circular shape in each figure is the measurement light 3
1, 34, 37, 40, and the intensity distribution curves 32, 33, 35, 36, 38, 39, 41, 42 of the respective measuring lights in the X and Y directions are also shown in each figure.
同図（ｃ），（ｄ）に示される従来の測定結果において
は、各強度分布曲線38,39、41,42にギザギザとした三角
波様の固定ノイズが現れている。この固定ノイズは、前
述したように、メッシュ電極で反射した光と入射光とが
ターゲット膜において干渉し合うことによって発生する
疑似信号である。これに対して、同図（ａ），（ｂ）に
示される本実施例における測定結果においては、各強度
分布曲線32,33、35,36にノイズは現れておらず、しか
も、感度良く検出されている。これは、メッシュ電極16
のターゲット膜４側表面が前述のように光学的に荒れて
おり、しかも、ターゲット膜４の膜厚が厚く形成されて
いるからである。In the conventional measurement results shown in FIGS. 3C and 3D, each of the intensity distribution curves 38, 39, 41 and 42 shows a fixed noise like a triangular wave which is jagged. This fixed noise is a pseudo signal generated by the interference of the light reflected by the mesh electrode and the incident light on the target film as described above. On the other hand, in the measurement results of the present embodiment shown in FIGS. 9A and 9B, noise does not appear on the intensity distribution curves 32, 33, 35 and 36, and the detection is performed with high sensitivity. Has been done. This is a mesh electrode 16
This is because the surface of the target film 4 side is optically rough as described above, and the target film 4 is formed thick.
以上説明したように本発明によれば、メッシュ電極のタ
ーゲット側表面に金属蒸着膜が形成された多数の凹凸が
存在し、メッシュ電極のターゲット側表面が光学的に荒
れているため、ターゲットを透過した光はこの表面で乱
反射し、かつ散乱する。乱反射かつ散乱した光はターゲ
ットのメッシュ電極側表面に均一に照射され、メッシュ
電極からの戻り光はターゲットの特定箇所に集中しなく
なる。従って、メッシュ電極から反射された光が新たに
ターゲットに入射される光に悪影響を与えることはなく
なり、撮像信号に固定ノイズが従来のように発生しなく
なる。As described above, according to the present invention, the target electrode surface of the mesh electrode has a large number of irregularities on which the metal vapor deposition film is formed, and the target electrode surface of the mesh electrode is optically rough. The reflected light is diffusely reflected and scattered on this surface. The diffusely reflected and scattered light is uniformly applied to the surface of the target on the side of the mesh electrode, and the return light from the mesh electrode is not concentrated on a specific portion of the target. Therefore, the light reflected from the mesh electrode does not adversely affect the light newly incident on the target, and fixed noise does not occur in the image pickup signal as in the conventional case.
また、ターゲットの膜厚が波長1.0μｍ以上の入射光の
約90％を吸収する厚さに厚く形成されたことにより、タ
ーゲットにおける入射光の吸収量が増加し、ターゲット
を透過する入射光の光量は減少する。このため、ターゲ
ット膜において従来のように信号が干渉し合うことがな
くなり、撮像信号に固定ノイズが現れなくなる。In addition, the thickness of the target film is thick enough to absorb about 90% of the incident light with a wavelength of 1.0 μm or more, so that the absorption amount of the incident light in the target is increased and the light amount of the incident light transmitted through the target is increased. Decreases. Therefore, signals do not interfere with each other on the target film as in the conventional case, and fixed noise does not appear in the image pickup signal.
また、ターゲット膜厚の増加に伴うターゲット電気抵抗
の増大は、メッシュ電極からの光がターゲットに照射さ
れることにより抑制され、ターゲット電気抵抗の増大に
基づく光検出感度の低下が防止される。Further, the increase in the target electric resistance due to the increase in the target film thickness is suppressed by irradiating the target with the light from the mesh electrode, and the decrease in the photodetection sensitivity due to the increase in the target electric resistance is prevented.
従って、本発明によれば、正確な光通信系の測定評価を
行うことが可能になる。Therefore, according to the present invention, it is possible to perform accurate measurement and evaluation of the optical communication system.
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の一実施例によるIRビジコンの概略構造
を示す断面図、第２図（ａ），（ｂ）は第１図に示され
た本実施例によるIRビジコンに使用されるメッシュ電極
の電極表面を示す図、第２図（ｃ），（ｄ）は従来のIR
ビジコンに使用されるメッシュ電極の電極表面を示す
図、第３図は光通信系の評価を行うための測定装置の構
成を示す図、第４図（ａ），（ｂ）は本実施例によるIR
ビジコンを使用して得られた測定結果を示す図、第４図
（ｃ），（ｄ）は従来のIRビジコンを使用して得られた
測定結果を示す図である。 １…ターゲット部、２…電子銃部、４…ターゲット膜、
５…ネサ膜、６…ガラス面板、７…信号電極、８…イン
ジウム金属、９…円筒バルブ、11…カソード電極、12…
ヒータ、13…ビーム制御電極、14…加速電極、15…ビー
ムフォーカス電極、16…メッシュ電極。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a sectional view showing a schematic structure of an IR vidicon according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 (a) and 2 (b) are according to the embodiment shown in FIG. Figure showing electrode surface of mesh electrode used for IR vidicon, Figures 2 (c) and (d) are conventional IR
The figure which shows the electrode surface of the mesh electrode used for a vidicon, FIG. 3 is a figure which shows the structure of the measuring device for evaluating an optical communication system, and FIG. 4 (a), (b) is by this Example. IR
The figure which shows the measurement result obtained using a vidicon, FIG.4 (c), (d) is a figure which shows the measurement result obtained using the conventional IR vidicon. 1 ... Target part, 2 ... Electron gun part, 4 ... Target film,
5 ... Nesa film, 6 ... Glass face plate, 7 ... Signal electrode, 8 ... Indium metal, 9 ... Cylindrical bulb, 11 ... Cathode electrode, 12 ...
Heater, 13 ... Beam control electrode, 14 ... Accelerator electrode, 15 ... Beam focus electrode, 16 ... Mesh electrode.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下元 泰治 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−23934（ＪＰ，Ａ) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Taiji Shimomoto 1126-1 Nono-machi, Hamamatsu-shi, Shizuoka Prefecture Hamamatsu Photonics Co., Ltd. (56) References JP-A-60-23934 (JP, A)
Claims (3)
ビームが走査されるターゲットと、このターゲットと前
記電子銃との間に設けられたメッシュ電極とを備えて構
成される撮像管において、 前記メッシュ電極の前記ターゲット側の表面に金属蒸着
膜が形成された多数の凹凸が存在していることを特徴と
する撮像管。1. An image pickup tube comprising an electron gun for emitting an electron beam, a target for scanning with the electron beam, and a mesh electrode provided between the target and the electron gun. An image pickup tube having a large number of concavities and convexities formed with a metal vapor deposition film on the surface of the mesh electrode on the target side.
ビームが走査されるターゲットと、このターゲットと前
記電子銃との間に設けられたメッシュ電極とを備えて構
成される撮像管において、 前記ターゲットの膜厚は波長1.0μｍ以上の入射光の約9
0％を吸収する厚さに形成されていることを特徴とする
撮像管。2. An image pickup tube comprising an electron gun for emitting an electron beam, a target for scanning with the electron beam, and a mesh electrode provided between the target and the electron gun. The film thickness of the target is about 9 for incident light with a wavelength of 1.0 μm or more.
An image pickup tube having a thickness that absorbs 0%.
ビームが走査されるターゲットと、このターゲットと前
記電子銃との間に設けられたメッシュ電極とを備えて構
成される撮像管において、 前記メッシュ電極の前記ターゲット側の表面に金属蒸着
膜が形成された多数の凹凸が存在し、かつ、前記ターゲ
ットの膜厚は波長1.0μｍ以上の入射光の約90％を吸収
する厚さに形成されていることを特徴とする撮像管。3. An image pickup tube comprising an electron gun for emitting an electron beam, a target for scanning with the electron beam, and a mesh electrode provided between the target and the electron gun. The mesh electrode has a large number of concavities and convexities formed with a metal vapor deposition film on the target side surface, and the target has a thickness that absorbs about 90% of incident light having a wavelength of 1.0 μm or more. An image pickup tube characterized by being provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300204A JPH0758609B2 (en) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | Camera tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2300204A JPH0758609B2 (en) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | Camera tube |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171642A JPH04171642A (en) | 1992-06-18 |
| JPH0758609B2 true JPH0758609B2 (en) | 1995-06-21 |
Family
ID=17881983
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2300204A Expired - Fee Related JPH0758609B2 (en) | 1990-11-05 | 1990-11-05 | Camera tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0758609B2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6023934A (en) * | 1983-07-20 | 1985-02-06 | Shizuoka Daigaku | Amorphous silicon imaging tube |
-
1990
- 1990-11-05 JP JP2300204A patent/JPH0758609B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04171642A (en) | 1992-06-18 |
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