JPH0757907B2 - Electroless plating method for electrical insulators - Google Patents
Electroless plating method for electrical insulatorsInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は電気絶縁体への無電解めっき法に関し、紙、
繊維、ガラス、セラミックス、プラスチック等にめっき
を行う際に使用されるものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for electroless plating on an electric insulator, paper,
It is used when plating fibers, glass, ceramics, plastics and the like.
セラミックスやプラスチックス等の電気絶縁体へ無電解
めっきをするには、予め、この絶縁体表面に、触媒とな
るパラジウム等の金属微粒子を形成し、この金属微粒子
を核にして金属析出を可能にしなければならないもので
ある。To electrolessly plate an electrical insulator such as ceramics or plastics, fine particles of metal such as palladium serving as a catalyst are formed in advance on the surface of this insulator, and the metal fine particles serve as nuclei to enable metal deposition. It must be.
このため、従来にあっては、 被めっき物（絶縁体）を強酸性の塩化第一錫溶液に浸漬
したのち水洗し、次いで、強酸性の塩化パラジウム溶液
に浸漬することにより、触媒核を形成していた（米国特
許2702253号公報）。Therefore, in the past, the object to be plated (insulator) was dipped in a strongly acidic stannous chloride solution, washed with water, and then dipped in a strongly acidic palladium chloride solution to form catalyst nuclei. (US Pat. No. 2,702,253).
又、予め、パラジウム、金、白金、銀、銅、ニッケル等
の種々の金属微粒子をコロイド生成等によって、触媒核
として、被めっき物表面に形成する方法も存在した（米
国特許3011920号、特開昭61−194183号、特開昭62−250
180号、特開昭64−68478号）。この他、感受性処理や活
性化処理の活性化強化のため、補足的に還元液で処理す
る方法や水素化硼素アルカリ金属及びパラジウム化合物
を溶解し、しかも活性水のない安定溶液に接触させ、次
に水に触れさせて水素化硼素アルカリ金属の還元力によ
り、パラジウムを還元し、活性核を非導電性物体表面に
作る工夫した活性化処理法など類似の多くの処理法等も
存在している（特開昭50−66439号、特開昭51−61441
号、特開昭56−20034号）。In addition, there is also a method of previously forming various metal fine particles of palladium, gold, platinum, silver, copper, nickel or the like on the surface of an object to be plated as a catalyst nucleus by colloid generation or the like (US Pat. Sho 61-194183, JP 62-250
180, JP-A-64-68478). In addition, in order to enhance the activation of the sensitive treatment and activation treatment, a method of supplementary treatment with a reducing solution or a method of dissolving alkali metal borohydride and palladium compound and contacting with a stable solution without active water, There are many similar treatment methods such as a devised activation treatment method in which palladium is reduced by bringing alkali metal borohydride into contact with water to reduce the active nuclei on the surface of a non-conductive object. (JP-A-50-66439, JP-A-51-61441
No. JP-A-56-20034).
次に、この触媒核はめっき工程中において、溶解したり
脱離したりしやすいものである。このような現象で触媒
核が不均一になると、無電解めっきしても、めっき部は
緻密で均一になりにくく、よって、従来にあっては、緻
密で均一なめっきを得るために、アルゴンガス又は窒素
ガスで脱気した低濃度のストライクめっきでまず処理を
し、金属核に金属を予め析出固定させ、その後に、無電
解めっきを行っていた。Next, the catalyst nuclei are easily dissolved and desorbed during the plating process. When the catalyst nuclei become non-uniform due to such a phenomenon, the plated portion is difficult to be dense and uniform even in electroless plating. Therefore, in the conventional case, in order to obtain dense and uniform plating, argon gas is used. Alternatively, low-strength strike plating degassed with nitrogen gas is first treated to deposit and fix the metal in the metal core in advance, and then electroless plating is performed.
しかしなから、従来にあっては、絶縁体の表面に触媒核
を生成するために、特別の処理を必要とした。However, in the past, a special treatment was required to generate catalyst nuclei on the surface of the insulator.
又、緻密で均一なめっきを得るためには、アルゴンガス
又は窒素ガスで脱気した低濃度のストライクめっきでま
ず処理をし、金属核に金属を予め析出固定させ、その後
に、無電解めっきを行うという複雑な工程を更に必要と
した（サーキットテクノロジイVol.3,No.4（1988）P.20
8〜210）。Further, in order to obtain a dense and uniform plating, the low-strength strike plating degassed with argon gas or nitrogen gas is first treated to deposit and fix the metal on the metal core in advance, and then the electroless plating is performed. It required a more complicated process to perform (Circuit Technology Vol.3, No.4 (1988) P.20.
8 to 210).
このように、従来における絶縁体への無電解めっき法に
あっては、複雑で高コストの前処理や金属核形成工程を
必要とするため、めっき工程の能率を向上させにくいと
ともに、更に、導電体へのめっきのように均一で密着性
が良く、安定した高品質のめっきを得にくいという不都
合を有した。As described above, in the conventional electroless plating method for the insulator, since complicated and high-cost pretreatment and metal nucleation step are required, it is difficult to improve the efficiency of the plating step, As in the case of plating on the body, there was the inconvenience that it was uniform and had good adhesion, and it was difficult to obtain stable, high-quality plating.
この発明の課題はこれらの不都合を解消することであ
る。The object of the present invention is to eliminate these disadvantages.
前記課題を解決するために、これまでの感受性処理や活
性化処理の考え方が入っていない、基本的な原理や手法
の違う水素化硼素化合物が非導電性物体表面に付着する
と現在使用されている無電解メッキ液からの金属析出が
可能である新たな機構を見出し、この発明を完成した。In order to solve the above-mentioned problems, the concept of the conventional susceptibility treatment or activation treatment is not included, and it is currently used that a borohydride compound having a different basic principle and method adheres to the surface of a non-conductive object. The present invention has been completed by finding a new mechanism capable of depositing a metal from an electroless plating solution.
これまで非導電性物体への密着性のよい最善のメッキを
行う方法は前処理による活性金属核生成が唯一の方法と
考えられており、この手法を利用した範疇から出たメッ
キ方法はなかったが、本法はメッキを行うための金属核
を必要としないこれまでの範疇にないものである。Until now, the best method for plating with good adhesion to non-conductive objects was considered to be active metal nucleation by pretreatment, and there was no plating method out of the category using this method. However, this method does not require a metal nucleus for plating, which is beyond the conventional category.
還元剤は非常に多くメッキに使用されており、何拾種類
もあるが水素化硼素化合物以外の現在使われている還元
剤にはこの能力がない。よって、ただ単に、還元力作用
によるものでもなく、非導電性物体界面での水素化硼素
化合物の金属イオンに対する特異な還元反応によるもの
である。Reducing agents are used in large numbers in plating, and although there are many kinds, reducing agents currently used other than boron hydride compounds do not have this ability. Therefore, it is not merely due to the action of reducing power, but due to the specific reduction reaction of the boron hydride compound at the interface of the non-conductive substance with respect to the metal ion.
そして、この発明の構成は、被めっき電気絶縁体に水素
化ほうそ化合物を付着させ、その後、この電気絶縁体を
無電解めっき液に浸漬させることによって電気絶縁体の
水素化ほうそ化合物をかかるめっき液中の金属と反応さ
せ金属核を生成させるとともにこの金属核にただちにメ
ッキを行うことを特徴とする電気絶縁体への無電解めっ
き法である。And the constitution of the present invention applies the hydrogenated halo compound of the electrical insulator by depositing the hydrogenated halo compound on the plated electrical insulator and then dipping the electrical insulator in the electroless plating solution. This is an electroless plating method for an electric insulator, which is characterized by reacting with a metal in a plating solution to generate a metal nucleus and immediately plating the metal nucleus.
又、前記水素化硼素化合物は、一般式一般式MBH4（但
し、Ｍはアルカリ金属、他の原子又は基）又はBH3X（但
し、ＸはBH3に付加する化合物）で示されるものであ
る。The borohydride compound is represented by the general formula MBH 4 (where M is an alkali metal, another atom or group) or BH 3 X (where X is a compound added to BH 3 ). is there.
又、前記水素化硼素化合物の溶媒は、水又は有機溶剤、
又はこれらの混合液でもよい。この場合、有機溶剤はア
ルコール類、アミン類およびアミド類からなるグループ
のいずれかが適している。Further, the solvent of the boron hydride compound is water or an organic solvent,
Alternatively, a mixed solution thereof may be used. In this case, the organic solvent is suitably any of the group consisting of alcohols, amines and amides.
又、前記水素化硼素化合物の溶媒と低沸点有機溶剤とを
同時に使用したり、 前記水素化硼素化合物の溶媒とハロゲン系炭化水素溶剤
とを同時に使用したりすることもできる。Further, the solvent of the boron hydride compound and the low boiling point organic solvent may be used at the same time, or the solvent of the boron hydride compound and the halogenated hydrocarbon solvent may be used at the same time.
又、前記水素化硼素化合物溶液に、添加物として、界面
活性剤、キレート剤および金属塩、金属コロイド又は可
溶性高分子化合物等を添加することもできる。Further, a surfactant, a chelating agent and a metal salt, a metal colloid, a soluble polymer compound or the like can be added as an additive to the boron hydride compound solution.
又、前記電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せしめた
後、液切りをして湿ったままの状態でこの電気絶縁体を
無電解めっき液に浸漬することもできるし、 前記電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せしめ、溶媒
を蒸発乾燥した後、この電気絶縁体を無電解めっき液に
浸漬することもできる。Further, after depositing the boron hydride compound on the electric insulator, the electric insulator can be immersed in an electroless plating solution while being drained and kept wet. It is also possible to deposit the boron hydride compound, evaporate and dry the solvent, and then immerse the electrical insulator in an electroless plating solution.
この発明に係る電気絶縁体への無電解めっき法は、水素
化硼素化合物溶液に被めっき電気絶縁体を接触せしめる
ことによりこの電気絶縁体に水素化硼素化合物を付着せ
しめ、その後、この電気絶縁体を無電解めっき液に浸漬
するものであるため、 絶縁体表面に付着した水素化硼素化合物が、無電解めっ
き液と接したとき、直ちに、水素化硼素化合物がめっき
液中の金属イオンと反応して被めっき物表面に金属核を
形成し、この金属核をベースにして無電解めっきが行わ
れるものである。即ち、本発明の方法は無電解めっき液
中で金属核形成とめっきとを同時に行うものである。The electroless plating method for an electrical insulator according to the present invention comprises depositing an electrical insulator to be plated on a solution of a boron hydride compound to deposit the boron hydride compound on the electrical insulator, and then depositing the electrical insulator on the electrical insulator. Is immersed in the electroless plating solution, the borohydride compound attached to the surface of the insulator immediately reacts with the metal ions in the plating solution when it comes into contact with the electroless plating solution. A metal nucleus is formed on the surface of the object to be plated, and electroless plating is performed based on this metal nucleus. That is, the method of the present invention simultaneously forms metal nuclei and plating in an electroless plating solution.
（１）．水素化硼素化合物としては水素化硼素アルカリ
が好ましい。例えば、水素化硼素ナトリウム、水素化硼
素カリウム、水素化硼素リチウム、水素化硼素セリウム
等である。又、水素化硼素アルカリ中のアルカリ金属を
金属で置換した水素化硼素ニッケル等の水素化硼素金属
等も使用できる。更に、ボランに他の分子が付加したジ
エチルアミノボラン、ジメチルアミノボラン、ヒドラジ
ンボランなどの水素化硼素化合物も使用できる。(1). As the borohydride compound, alkali borohydride is preferable. For example, sodium borohydride, potassium borohydride, lithium borohydride, cerium borohydride and the like. Further, a metal borohydride such as nickel borohydride obtained by substituting the alkali metal in the alkali borohydride with a metal can also be used. Furthermore, boron hydride compounds such as diethylaminoborane, dimethylaminoborane, hydrazineborane, etc., in which other molecules are added to borane can also be used.
（２）．水素化硼素化合物の溶媒としては、水、有機溶
剤、又はこれらの混合液が適している。ここに、有機溶
剤としては、低級アルコール類（メチルアルコール、エ
チルアルコール等）、アミン類（ジメチルアミン、アル
カノールアミン、トリエタノールアミン等）、アミド類
（ジメチルアミド、ホルムアミド、ジメチルアセトアミ
ド等）等が挙げられる。(2). As a solvent for the boron hydride compound, water, an organic solvent, or a mixed solution thereof is suitable. Examples of the organic solvent include lower alcohols (methyl alcohol, ethyl alcohol, etc.), amines (dimethylamine, alkanolamine, triethanolamine, etc.), amides (dimethylamide, formamide, dimethylacetamide, etc.), etc. To be
水素化硼素化合物の濃度は広範囲に変えることができる
が、溶液の重量に対して水素化物の活性水素が0.005〜
0.5重量％であることが好ましい。The concentration of the borohydride compound can be varied over a wide range, but the active hydrogen content of the hydride is 0.005 to the weight of the solution.
It is preferably 0.5% by weight.
又、水素化硼素化合物溶液のPHは、次工程の無電解めっ
き液のPHに基づき、好適なPHに調整することが核形成や
無電解めっき液の安定によい。なお、PHの調整は無電解
めっきに無害な酸、アルカリを使用する。Further, the pH of the boron hydride compound solution is preferably adjusted to a suitable pH based on the pH of the electroless plating solution in the next step for nucleation and stability of the electroless plating solution. The pH is adjusted by using acids and alkalis that are harmless to electroless plating.
又、水素化硼素化合物溶液による絶縁物の処理は、常温
（10〜30℃）で行うのが好ましい。なお、高温で行うこ
ともできる。The treatment of the insulator with the boron hydride compound solution is preferably carried out at room temperature (10 to 30 ° C.). It is also possible to carry out at a high temperature.
（３）．水素化硼素化合物を被めっき面に付着させる処
理は、溶媒に溶解した状態のまま均一に覆われていれば
よいが、より安定した密着性の金属核を得るためには、
溶媒を蒸発させ水素化硼素化合物を被めっき物表面に直
接固着させる方が好ましい。(3). The treatment for depositing the boron hydride compound on the surface to be plated may be such that it is uniformly covered in a state of being dissolved in a solvent, but in order to obtain a metal nucleus with more stable adhesion,
It is preferable to evaporate the solvent and fix the boron hydride compound directly on the surface of the object to be plated.
このためには、エーテル、トルエン、アセトン、キシレ
ン等の低沸点の有機溶剤やトリクロロエチレン、トリク
ロロエタン、四塩化炭素、トリクロロフルオロエタン、
トリクロロフルオロメタン等の不燃性のハロゲン系の炭
化水素溶剤を用いることによって乾燥を容易にすること
ができる。又、これらの有機溶剤を使用した場合、かか
る有機溶剤に溶解したり、有機溶剤が浸透するプラスチ
ック等の絶縁体にあっては、水素化硼素化合物がプラス
チック等の内部にまで浸透し、基体内部に触媒核が形成
されるため、アンカー効果によって密着性を向上させる
ことができる。この作用によって、密着性を良くするた
めに従来常用されたエッチング処理を不用にすることも
できる。ところで、水素化硼素化合物はこれらの有機溶
剤に難溶性であるため、前述可溶性溶剤（アルコール
等）を同時に用いて溶解させることが必要である。かか
る可溶性有機溶剤の併用により不溶性有機溶剤中へ水素
化硼素化合物を任意に溶解させることができる。To this end, low boiling point organic solvents such as ether, toluene, acetone, xylene and trichlorethylene, trichloroethane, carbon tetrachloride, trichlorofluoroethane,
Drying can be facilitated by using a nonflammable halogen-based hydrocarbon solvent such as trichlorofluoromethane. Also, when these organic solvents are used, in the case of insulators such as plastics that are dissolved in such organic solvents or penetrated by the organic solvents, the boron hydride compound penetrates into the inside of the plastics, etc. Since the catalyst nuclei are formed in, the adhesion can be improved by the anchor effect. By this action, it is possible to dispense with the etching treatment conventionally used in order to improve the adhesion. By the way, since the boron hydride compound is hardly soluble in these organic solvents, it is necessary to dissolve it by using the above-mentioned soluble solvent (alcohol etc.) at the same time. By using such a soluble organic solvent in combination, the boron hydride compound can be arbitrarily dissolved in the insoluble organic solvent.
（４）．緻密で密着性の良い金属めっきを得るには、水
素化硼素化合物を被めっき物表面へ均一に付着させるこ
とが必要である。このためには、陰イオン性界面活性剤
（ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等）、陽イオ
ン性界面活性剤（テトラエチルアンモニウムクロライド
等）および非イオン性界面活性剤（ポリオキシエチレン
ノニルフェノールエーテル等）等を0.01〜2.00％添加し
たもので処理すれば、水素化硼素化合物の表面張力が低
下して均一化され、安定した金属核を形成することがで
きる。(4). In order to obtain a dense and highly adherent metal plating, it is necessary to uniformly deposit the boron hydride compound on the surface of the object to be plated. For this purpose, anionic surfactants (sodium dodecylbenzene sulfonate, etc.), cationic surfactants (tetraethylammonium chloride, etc.) and nonionic surfactants (polyoxyethylene nonylphenol ether, etc.) etc. If the treatment is carried out with the addition of ˜2.00%, the surface tension of the boron hydride compound is lowered and uniformized, and stable metal nuclei can be formed.
（５）．金属核形成やめっきの密着性を向上させるに
は、水素化硼素化合物の固定化が重要である。(5). Immobilization of a borohydride compound is important to improve the adhesion of metal nucleation and plating.
よって、水素化硼素化合物の固定化を向上させるため
に、ポリビニルアルコール、イソブチレン無水マレイン
酸共合体、ゼラチン、ベクチン、ポリアクリルアミド、
アルギン酸塩、ポリビニルメチルエーテル、メチルセル
ロースなどの高分子化合物を使用することによって、水
素化硼素化合物を取込み付着力を高めることができる。
しかし、これらの高分子化合物の濃度が高すぎると逆に
密着性を損なうので注意が必要である。使用範囲は50〜
1,000mg/lが好ましい。Therefore, in order to improve the immobilization of the boron hydride compound, polyvinyl alcohol, isobutylene maleic anhydride copolymer, gelatin, bectin, polyacrylamide,
By using a polymer compound such as alginate, polyvinyl methyl ether, and methyl cellulose, it is possible to incorporate a borohydride compound and enhance the adhesive force.
However, if the concentration of these polymer compounds is too high, the adhesion will be adversely affected, so caution is required. Use range is 50 ~
1,000 mg / l is preferred.
（６）．又、キレート力の弱い無電解めっきにおいて
は、無電解めっき初期の金属核形成の時に被めっき面に
固着する金属核のみでなく、めっき中に金属化したコロ
イドが一部遊離することがあり、無電解めっき液の寿命
を短くするものがある。(6). Further, in the electroless plating having a weak chelating force, not only the metal nuclei fixed to the surface to be plated at the time of forming the metal nuclei in the initial stage of the electroless plating, but a part of the metallized colloid may be released during the plating, Some shorten the life of the electroless plating solution.
このような無電解めっき液、例えば、アルカリ性の無電
解銅めっき液等を使用する場合には、キレート剤とし
て、EDTA,トリエタノールアミン等のアミン類、クエン
酸ナトリウム、酒石酸カリウム等の有機酸塩類、シアン
化合物等を水素化硼素化合物液に適量添加すれば無電解
めっき液の寿命を延ばすことができる。Such an electroless plating solution, for example, when using an alkaline electroless copper plating solution, as a chelating agent, EDTA, amines such as triethanolamine, sodium citrate, organic acid salts such as potassium tartrate. By adding an appropriate amount of a cyanide compound or the like to the boron hydride compound solution, the life of the electroless plating solution can be extended.
又、強いキレート剤を水素化硼素化合物溶液に使用すれ
ば、金属塩を還元することなく安定な状態を維持でき
る。このことを利用して、無電解めっきと同一の金属
塩、場合によっては異種の金属塩を水素化硼素化合物へ
添加し、核形成を支援すれば、より安定した緻密な金属
核の生成やめっき被膜を得ることができる。If a strong chelating agent is used in the boron hydride compound solution, the stable state can be maintained without reducing the metal salt. Utilizing this fact, if the same metal salt as in electroless plating, or in some cases a different metal salt, is added to the borohydride compound to support nucleation, more stable and dense metal nucleation and plating can be achieved. A coating can be obtained.
しかし、無電解めっきに用いられるキレート剤によって
は、めっきに悪影響を及ぼすものがあるので注意を要す
る。However, it should be noted that some chelating agents used for electroless plating may adversely affect the plating.
一方、金属コロイドが吸着しやすい被めっき物にあって
は、水素化硼素化合物溶液中に金属塩と弱いキレート
剤、例えば、硫酸ニッケルおよびアンモニアを入れると
微細な金属コロイド状のものが分散し、一層均一性の良
い緻密なめっきが可能になる。これに乾燥工程が入ると
更に緻密で密着性の良いめっき膜を得ることができる。On the other hand, in the object to be plated on which the metal colloid is likely to be adsorbed, when a metal salt and a weak chelating agent such as nickel sulfate and ammonia are added to the borohydride compound solution, a fine metal colloid is dispersed, Dense plating with better uniformity is possible. When a drying process is performed on this, a plating film having higher density and good adhesion can be obtained.
（７）．本発明において使用することができる無電解め
っき液は、酸性からアルカリ性に及び銅、ニッケル、コ
バルト、銀、金、白金等の無電解めっき液、又は、これ
らの金属を基本とした無電解合金めっき液である。(7). The electroless plating solution that can be used in the present invention ranges from acidic to alkaline, electroless plating solutions such as copper, nickel, cobalt, silver, gold and platinum, or electroless alloy plating based on these metals. It is a liquid.
（８）．本発明の無電解めっきにおいて、金属を析出さ
せるために用いられる還元剤としては、次亜リン酸ナト
リウム等のリン系還元剤、ジメチルアミノボラン、水素
化硼素カリウム等の水素化硼素系還元剤、ホルムアルデ
ヒド、ヒドラジン等が存在するが、いずれのものを適用
しても良好な結果が得られる。(8). In the electroless plating of the present invention, as the reducing agent used for depositing a metal, a phosphorus-based reducing agent such as sodium hypophosphite, dimethylaminoborane, a boron hydride-based reducing agent such as potassium borohydride, Although formaldehyde and hydrazine are present, good results can be obtained by applying any of them.
（９）．本発明の被めっき物としては、紙、天然繊維、
合成繊維、ガラス、セラミックス、プラスチックス等の
電気的絶縁物を対象としている。(9). The object to be plated of the present invention includes paper, natural fiber,
It targets electrical insulators such as synthetic fibers, glass, ceramics, and plastics.
（10）．本発明のめっき手順としては、通常の前処理
（被めっき物の油脂などの汚れ除去のための洗浄や金属
の密着性向上のための表面エッチング等）を行い、充分
水洗して処理薬品を除去した後、水素化硼素化合物溶液
中に浸漬し、被めっき面を処理液で湿らせる。次いで、
液切りをして、そのままの状態または溶液を蒸発乾燥さ
せたのち無電解めっき液中に浸漬してめっきを施す方法
が採られる。(Ten). As the plating procedure of the present invention, a usual pretreatment (cleaning for removing stains such as oil and fat on the object to be plated and surface etching for improving adhesion of metal) is performed, and sufficient rinsing with water to remove treatment chemicals. After that, it is immersed in a boron hydride compound solution, and the surface to be plated is moistened with the treatment liquid. Then
The method may be employed in which the liquid is drained, the state is left as it is, or the solution is evaporated and dried, and then immersed in an electroless plating solution to perform plating.
本発明では、被めっき面に付着した水素化硼素化合物に
より無電解めっきで金属核形成を行うものである。この
ため、従来の方法では金属核形成が不十分であったり、
無電解めっきで金属核が脱離して不均一なめっきとなる
ものについては、本法による水素化硼素化合物の付与が
効果を発揮する。即ち、本法による水素化硼素化合物の
付着処理を既存の金属核を損なうことなく行うことがで
き、且つ、無電解めっきで既存の金属核を活性化せしめ
ると共に被めっき物表面に新規な金属核を形成し、密着
性、均一性共に良好なめっきを得ることができる。In the present invention, the metal nuclei are formed by electroless plating with the boron hydride compound attached to the surface to be plated. Therefore, the conventional method is insufficient in the formation of metal nuclei,
For electroless plating in which the metal nuclei are detached to form non-uniform plating, the addition of the boron hydride compound by this method is effective. That is, the adhesion treatment of the borohydride compound according to this method can be performed without damaging the existing metal nuclei, and the existing metal nuclei can be activated by electroless plating and a new metal nuclei can be formed on the surface of the object to be plated. It is possible to obtain a plating having good adhesion and uniformity.
このように本発明は絶縁体表面への密着性の優れためっ
き法として広く利用できる。As described above, the present invention can be widely used as a plating method having excellent adhesion to the surface of an insulator.
ところで、無電解めっきは、めっきをしようとする基体
に付着した金属核にのみ析出してめっきが形成され、他
の基体面（金属核の付着していない）に析出しないもの
である。したがって、金属核が基体に均一の状態で付着
していれば基体とめっきとの物理的な力は大きくなり、
密着力もでるゆえ同じ材質への無電解めっきの均一性は
密着強度で判定できるものである。よって、本発明にあ
っては、後記実施例において示されるように、めっきの
密着強度が優れていることから、めっきの均一性にも優
れていることが明確である。など、実施例にあっては、
引っ張り強度やテープ剥がし試験による密着強度によっ
てめっきの均一性を判定した。By the way, the electroless plating is such that plating is formed only on the metal nuclei attached to the substrate to be plated and the plating is formed, and is not deposited on the other substrate surface (where the metal nuclei are not attached). Therefore, if the metal nuclei are uniformly attached to the substrate, the physical force between the substrate and the plating will increase,
Since the adhesion is also obtained, the uniformity of electroless plating on the same material can be judged by the adhesion strength. Therefore, in the present invention, as shown in the examples described later, it is clear that the plating adhesion is excellent, and thus the plating uniformity is also excellent. Etc. In the example,
The uniformity of plating was judged by the tensile strength and the adhesion strength by the tape peeling test.
次に実施例により本発明を更に詳細に説明する。 Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples.
実施例１ 純水280ml中に46％弗化水素酸50ml、硝酸120ml、31％過
酸化水素水50mlを加えた常温のエッチング液を用意す
る。そして、このエッチング液でチタン酸バリウムセラ
ミックス（10×10×10mm）を30分処理した後、超音波洗
浄器を用いて５分間づつ３回洗浄を繰り返す。その後、
この洗浄したチタン酸バリウムセラミックス（10×10×
10mm）を、水素化硼素カリウム1gが溶解した200mlの水
素化硼素水溶液中に攪拌しながら30秒間浸漬し、セラミ
ックス表面を液に充分ふれさせる。その後、液切りをし
て80℃で10分間乾燥した。次いで、塩化ニッケル30g/l
次亜塩リン酸ナトリウム10g/l、クエン酸ナトリウム10g
/l、PH5.0からなる90℃の無電解ニッケルめっき液500ml
中に浸漬し、30分間めっきを施したものを水洗した後乾
燥した。Example 1 An etching solution at room temperature was prepared by adding 50 ml of 46% hydrofluoric acid, 120 ml of nitric acid and 50 ml of 31% hydrogen peroxide in 280 ml of pure water. Then, barium titanate ceramics (10 × 10 × 10 mm) is treated with this etching solution for 30 minutes, and then the cleaning is repeated 3 times for 5 minutes each using an ultrasonic cleaner. afterwards,
This washed barium titanate ceramics (10 x 10 x
(10 mm) is immersed in 200 ml of an aqueous solution of borohydride in which 1 g of potassium borohydride is dissolved for 30 seconds while stirring, and the surface of the ceramic is sufficiently exposed to the liquid. Then, the solution was drained and dried at 80 ° C. for 10 minutes. Then, nickel chloride 30g / l
Sodium hypophosphite sodium 10g / l, sodium citrate 10g
/ l, 90 ℃ electroless nickel plating solution 500ml consisting of PH5.0
It was immersed in the solution, plated for 30 minutes, washed with water, and then dried.
このめっき面に錫めっき銅線材（φ0.8mm）の平滑にし
た断面をハンダ付けをし、引っ張り試験で密着強度を調
べた。その結果、1.2kg/mm2の密着強度であった。A smooth cross section of a tin-plated copper wire (φ0.8 mm) was soldered to this plated surface, and the adhesion strength was examined by a tensile test. As a result, the adhesion strength was 1.2 kg / mm 2 .
次に、従来の処理法と密着強度を比較するため、センシ
タイジング、アクチベイティング法でめっきを行った。Next, plating was performed by a sensitizing and activating method in order to compare the adhesion strength with the conventional processing method.
そのめっき条件は、水素化硼素水溶液処理のところをの
みをセンシタイジング、アクチベイティング、無電解ニ
ッケルストライクめっき処理に変えたもので他は全て前
述のめっき法と同じ処理をした。As the plating conditions, only the borohydride aqueous solution treatment was changed to sensitizing, activating, electroless nickel strike plating treatment, and the other treatments were the same as the above-mentioned plating method.
変えたところのめっき前処理部分は次の通りである。The changed plating pretreatment part is as follows.
塩化第一錫30g/l、塩酸15ml/lからなる500mlのセンシタ
イジング処理液に常温で３分間浸漬し、１分間の純水洗
浄を３回繰り返し、次いで、塩化パラジウム0.4g/l塩酸
4ml/lの組成の500mlのアクチベイティング処理液に常温
で３分間浸漬し、１分間の純水洗浄を３回繰り返した。
この処理を２回繰り返した後、更に、塩化ニッケル6g/
l、次亜塩リン酸ナトリウム2g/l、クエン酸ナトリウム2
g/l、PH4.5からなる90℃の無電解ニッケルストライクめ
っき液500ml中に窒素ガスを吹き込み脱気したものへ５
分間浸漬した。Soak the sensitizing solution of 500 ml of stannous chloride 30 g / l and hydrochloric acid 15 ml / l at room temperature for 3 minutes, wash with pure water for 1 minute 3 times, then palladium chloride 0.4 g / l hydrochloric acid
It was immersed in 500 ml of an activating solution having a composition of 4 ml / l at room temperature for 3 minutes, and washing with pure water for 1 minute was repeated 3 times.
After repeating this treatment twice, nickel chloride 6g /
l, sodium hypophosphite sodium 2g / l, sodium citrate 2
To degassed by blowing nitrogen gas into 500 ml of 90 ° C electroless nickel strike plating solution consisting of g / l, PH4.5 5
Soaked for a minute.
この従来法の処理で得ためっき面に前述と同様の無電解
ニッケルめっきを施したものへハンダ付け引っ張り試験
を行ったところ、密着強度は1.0kg/mm2の密着強度であ
った。When a soldering tensile test was performed on the plated surface obtained by this conventional treatment and subjected to the same electroless nickel plating as described above, the adhesion strength was 1.0 kg / mm 2 .
この両試験結果を比較すると本発明による処理の法が簡
単である上、密着強度でも優れている。Comparing the results of these two tests, the treatment method according to the present invention is simple and the adhesion strength is excellent.
実施例２ 実施例１と同様のエッチング処理をしたチタン酸バリウ
ムセラミックスを、水素化硼素カリウム1g、酒石酸カリ
ウム9g、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム20mgを
メチルアルコール20％の水溶液200mlに溶解した常温の
キレート・界面活性剤系水素化硼素水溶液中に30秒間浸
漬した。次いで、水洗せずに水切りをして、直ちに硫酸
銅12.5g/l、ホルマリン25g/l、ロッセル塩30g/l、PH12.
3からなる60℃の無電解めっき液500ml中に浸漬し、30分
間めっきを施した。Example 2 Barium titanate ceramics which had been subjected to the same etching treatment as in Example 1 was prepared by dissolving 1 g of potassium borohydride, 9 g of potassium tartrate and 20 mg of sodium dodecylbenzenesulfonate in 200 ml of an aqueous solution of 20% methyl alcohol at room temperature. It was immersed in a surfactant-based boron hydride aqueous solution for 30 seconds. Then, without washing with water, drained, immediately copper sulfate 12.5g / l, formalin 25g / l, Roussel salt 30g / l, PH12.
It was immersed in 500 ml of 60 ° C. electroless plating solution consisting of 3 and plated for 30 minutes.
このめっき試料を実施例１と同様に水洗乾燥したのち、
ハンダ付け引っ張り試験を行った結果、0.8kg/mm2の密
着強度であった。After washing and drying this plated sample in the same manner as in Example 1,
As a result of a soldering tensile test, the adhesion strength was 0.8 kg / mm 2 .
比較のために実施例１と同様、従来法のセンシタイジン
グ、アクチベイティング処理を行い、無電解ニッケルス
トライクめっきと同様に硫酸銅4g/l、ロッセル塩9.5g/
l、ホルマリン10g/l、PH12.3からなる60℃の無電解銅ス
トライクめっき液500ml中に窒素ガスを吹き込み脱気し
たものへ５分間浸漬したのち、上述の無電解銅めっきと
全く同じ条件でめっきした。For comparison, as in Example 1, the conventional sensitizing and activating treatments were performed, and copper sulfate 4 g / l, Rossel salt 9.5 g / l, as in electroless nickel strike plating.
l, formalin 10g / l, PH12.3 at 60 ℃ electroless copper strike plating solution 500ml, nitrogen gas was blown into the degassed thing and immersed for 5 minutes, under the same conditions as the above electroless copper plating Plated.
この結果、密着強度は0.8kg/mm2であり、両めっき法に
差は認められなかった。As a result, the adhesion strength was 0.8 kg / mm 2 , and no difference was observed between the two plating methods.
実施例３ チタン酸バリウムセラミックスを、水素化硼素カリウム
2g、シアン化ナトリウム1g、シアン化銀ナトリウム5gを
20％エチルアルコール水溶液200mlに溶解したキレート
金属系水素化硼素水溶液中に30秒間攪拌しながら浸漬
し、セラミックス表面を液と充分接触させたのち、液切
りをして80℃で10分間乾燥した。次いで、シアン化銀ナ
トリウム14g/l、シアン化ナトリウム6g/l水素化硼素ナ
トリウム4g/lからなる70℃の無電解銀めっき液中に浸漬
し、30分間めっきを施した。Example 3 Barium titanate ceramics is potassium borohydride
2 g, sodium cyanide 1 g, silver cyanide 5 g
The mixture was immersed in a chelating metal-based boron hydride aqueous solution dissolved in 200 ml of a 20% ethyl alcohol aqueous solution for 30 seconds while stirring to bring the ceramic surface into sufficient contact with the solution, then drained and dried at 80 ° C. for 10 minutes. Next, the plate was immersed in an electroless silver plating solution containing 14 g / l of silver sodium cyanide and 6 g / l of sodium cyanide and 4 g / l of sodium borohydride at 70 ° C., and plated for 30 minutes.
このめっき試料を実施例１と同様に水洗乾燥したのち、
ハンダ付け引っ張り試験を行った結果、0.7kg/mm2の密
着強度であった。After washing and drying this plated sample in the same manner as in Example 1,
As a result of a soldering tensile test, the adhesion strength was 0.7 kg / mm 2 .
比較のために同一試料で実施例１と同様に従来からのセ
ンシタイジング、アクチベイティング処理ののち、上述
の試験と全く同じ条件で無電解銀めっきを行ったとこ
ろ、非めっき部分ができて、完全なめっきを施すことが
できなかった。For comparison, the same sample was subjected to conventional sensitizing and activating treatments in the same manner as in Example 1 and then subjected to electroless silver plating under the same conditions as in the above-mentioned test. , It was not possible to apply complete plating.
実施例４ 水素化硼素ナトリウム2gをメチルアルコール30％、アセ
トン30％の水溶液200mlに溶解した有機溶剤系水素化硼
素溶液中に、予め家庭用中性洗剤で脱脂し、純水で充分
洗浄しておいたABS樹脂板（50mm×50mm）を常温で５分
間浸漬し、60℃で30分間乾燥させる。次いで、塩化ニッ
ケル30g/l、マロン酸40g/l、硝酸テルル70mg/l、ジエチ
ルアミンボラン3.5g/l、PH6からなる65℃の無電解ニッ
ケルめっき液中に浸漬し、30分間めっきを施した。Example 4 An organic solvent-based boron hydride solution prepared by dissolving 2 g of sodium borohydride in 200 ml of an aqueous solution of 30% methyl alcohol and 30% acetone was degreased with a household neutral detergent in advance and thoroughly washed with pure water. The ABS resin plate (50 mm x 50 mm) placed is immersed at room temperature for 5 minutes and dried at 60 ° C for 30 minutes. Then, it was immersed in an electroless nickel plating solution of nickel chloride 30 g / l, malonic acid 40 g / l, tellurium nitrate 70 mg / l, diethylamine borane 3.5 g / l and PH6 at 65 ° C., and plating was performed for 30 minutes.
このめっきの密着試験はめっき終了後、充分水洗し、乾
燥した後、碁盤目テスト（めっき基体に施されためっき
に縦横方向に1mm間隔で切込みを入れて、1mmの多数の碁
盤目を作り、粘着テープによる引き剥がし試験を行い、
碁盤目の数の比から密着性を評価する）を行った結果、
引き剥がされるものはなかった。The adhesion test of this plating is, after the completion of plating, thoroughly washed with water and dried, and then a grid pattern test (cuts are made in the plating applied to the plating base at 1 mm intervals in the vertical and horizontal directions to make a number of 1 mm grids, We perform a peeling test with an adhesive tape,
Adhesiveness is evaluated from the ratio of the number of crosses),
Nothing was torn off.
水素化硼素溶液中の溶剤の影響と従来法の密着強度を知
るため、同一試料、同一条件でアセトン溶剤を除いて試
験を行ったものと、実施例１での従来法のセンシタイジ
ング、アクチベイティングに無電解ニッケルストライク
めっき以外の無電解ニッケルめっきなどは全て上述と同
条件で行ったものを作り、比較試験した。In order to know the influence of the solvent in the borohydride solution and the adhesion strength of the conventional method, the same sample and the same conditions were used for the test except the acetone solvent, and the sensitizing and activating of the conventional method in Example 1 were performed. All the electroless nickel plating other than the electroless nickel strike plating and the like were performed under the same conditions as above for the batting, and comparative tests were conducted.
その結果、水素化硼素溶液中の溶剤を除いたものと従来
法でめっきしたものは、50〜60％の碁盤目が引き剥がさ
れた。しかし、溶剤を除いたものと従来法との密着性は
殆ど差は認められなかった。As a result, 50 to 60% of the cross-cuts were peeled off from the solution without the solvent in the boron hydride solution and the product plated by the conventional method. However, there was almost no difference in the adhesiveness between the one without the solvent and the conventional method.
実施例５ 2.5％アンモニア水に硫酸ニッケル1gを溶解した溶液
へ、別にヒドラジンボラン1gを水50mlに溶解させた溶液
を注入し、よく攪拌して金属コロイド系水素化硼素溶液
をつくる。これに、予め家庭用中性洗剤で脱脂し、純水
でよく洗浄したのち乾燥しておいた木綿布（50mm×50m
m）を入れ、常温で攪拌しながら、30秒間浸漬する。次
いで、充分液切りをしたのち、80℃で60分間乾燥して、
硫酸ニッケル25g/l、ピロリン酸ナトリウム50g/l、次亜
リン酸ナトリウム25g/l、PH10.5の無電解ニッケルめっ
き液500ml中に60℃で30分間浸漬し、めっきを施した。Example 5 A solution prepared by dissolving 1 g of hydrazine borane in 50 ml of water was poured into a solution prepared by dissolving 1 g of nickel sulfate in 2.5% aqueous ammonia, and well stirred to prepare a metal colloidal boron hydride solution. A cotton cloth (50mm × 50m) that has been degreased with a household neutral detergent in advance, thoroughly washed with pure water, and then dried.
m) and stir at room temperature for 30 seconds with stirring. Then, after sufficiently draining, dried at 80 ℃ for 60 minutes,
The plating was carried out by immersing in 500 ml of an electroless nickel plating solution of nickel sulfate 25 g / l, sodium pyrophosphate 50 g / l, sodium hypophosphite 25 g / l and PH 10.5 at 60 ° C. for 30 minutes.
めっき後、水洗乾燥してテープ引き剥がし試験を行った
が剥がれなかった。After plating, the tape was peeled off by washing with water and drying, but the tape was not peeled off.
実施例６ クエン酸ナトリウム4gと水素化硼素ナトリウム2gを常温
の純水200mlに溶解した溶液をよく攪拌しながらポリビ
ニルアルコール100mgを添加して溶解させて高分子系水
素化硼素溶液をつくる。次いで、アセトンでよく脱脂し
た石英ガラス板（50mm×25mm）をこの溶液中に入れ、30
秒間液をよく接触させたのち、取り出し、液切りをし
て、80℃で30分間乾燥する。次いで、この石英ガラスを
硫酸コバルト30g/l、次亜リン酸ナトリウム21g/l、クエ
ン酸ナトリウム35g/l、硫酸アンモニウム65g/l、PH8.7
の80℃の無電解コバルトめっき液500mlで30分間めっき
を施した。Example 6 A solution of 4 g of sodium citrate and 2 g of sodium borohydride in 200 ml of pure water at room temperature was added to 100 mg of polyvinyl alcohol with thorough stirring to dissolve the solution to prepare a high molecular borohydride solution. Then, put a quartz glass plate (50 mm × 25 mm) that has been thoroughly degreased with acetone into this solution and
After contacting the liquid well for 2 seconds, remove it, drain the liquid, and dry at 80 ° C for 30 minutes. Then, this quartz glass was cobalt sulfate 30g / l, sodium hypophosphite 21g / l, sodium citrate 35g / l, ammonium sulfate 65g / l, PH8.7
Plating was performed for 30 minutes with 500 ml of 80 ° C. electroless cobalt plating solution.
めっき外観は良好で、フクレやハガレは認められなかっ
た。The plating appearance was good and no blister or peeling was observed.
比較のため、実施例１と同様に、水素化硼素溶液処理の
ところのみ従来法のセンシタイジング、アクチベイテイ
ングに変え、それ以外は上述と同じ条件でめっきを施し
た。このめっき試料はめっき中にフクレを生じ、良好な
密着のめっきは得られなかった。For comparison, as in Example 1, only the treatment with the boron hydride solution was changed to the conventional sensitizing and activating methods, and the plating was performed under the same conditions as above except for the above. In this plated sample, blistering occurred during plating, and plating with good adhesion could not be obtained.
実施例７ ヂメチルホルムアミド5ml、エチルエーテル50ml、水素
化硼素カリウム1gを純水100ml中に入れてよく攪拌し溶
解させたのち、更に、酢酸エチル50mlを加え、よく攪拌
して有機溶剤系水素化硼素溶液を作る。Example 7 5 ml of dimethylformamide, 50 ml of ethyl ether and 1 g of potassium borohydride were put into 100 ml of pure water and well stirred and dissolved, and then 50 ml of ethyl acetate was further added and well stirred to hydrogenate an organic solvent system. Make a boron solution.
この溶液中に、予め、家庭用中性洗剤で脱脂し、洗浄し
ておいたスチレン樹脂板（50mm×20mm）を常温で10分間
浸漬したのち、60℃で30分間乾燥する。次いで、硫酸コ
バルト15g/l、硫酸ニッケル15g/l、次亜リン酸ナトリウ
ム20g/l、硫酸アンモニウム65g/l、PH4.5の無電解コバ
ルトめっき500ml中に80℃で30分間浸漬しめっきを施し
た。A styrene resin plate (50 mm × 20 mm) that has been degreased and washed with a household neutral detergent in advance is immersed in this solution for 10 minutes at room temperature, and then dried at 60 ° C. for 30 minutes. Then, cobalt sulfate 15g / l, nickel sulfate 15g / l, sodium hypophosphite 20g / l, ammonium sulfate 65g / l, PH4.5 electroless cobalt plating 500ml was immersed for 30 minutes at 80 ° C and plated. .
めっきの密着強度はテープ引き剥がし試験で行ったが、
異常は認められなかった。Adhesion strength of plating was done by tape peeling test,
No abnormality was found.
比較試験のため、実施例３と同様に従来法のセンシタイ
ジング、アクチベイテイング処理を入れて、めっきを行
ったが、めっき中にフクレが発生し、良好なめっきは得
られなかった。For comparison, plating was carried out by adding the conventional sensitizing and activating treatments as in Example 3, but blistering occurred during plating, and good plating was not obtained.
本願発明に係わる絶縁体への無電解めっき法は上記のよ
うに構成されているため、予め高価なパラジウムなどの
金属核を付与する方法や金属コロイドを吸着させておく
従来法のような複雑で手間の掛かる処理を行わなくて
も、従来の方法と同等またはそれ以上の均一性、密着性
共に優れためっきを得ることができるものである。Since the electroless plating method for an insulator according to the present invention is configured as described above, it is as complicated as the conventional method of previously providing an expensive metal nucleus such as palladium or the conventional method of adsorbing a metal colloid. It is possible to obtain a plating excellent in uniformity and adhesion, which is equal to or higher than that of the conventional method, without performing a troublesome treatment.
よって、このめっき法を使用すれば、従来の方法と同等
またはそれ以上の均一性、密着性共に優れた無電解めっ
きを、短い作業工程で能率良く行うことができるもので
ある。Therefore, by using this plating method, it is possible to efficiently carry out electroless plating with excellent uniformity and adhesion, which is equal to or better than the conventional method, in a short working process.
また、本願発明にあっては高価なパラジウム等の貴金属
を使用しないため、精算コストを大幅に下げることがで
きる。Further, in the present invention, no expensive noble metal such as palladium is used, so that the settlement cost can be significantly reduced.
また、本願発明にあっては、前処理工程が簡素化される
だけでなく、被メッキ物表面に溶解している水素化硼素
化合物を付着せしめるだけのため浸漬時間等の処理時間
も短縮されるし、均一性改善のための繰り返し処理や密
着性向上のための厄介なストライクメッキ等の処理が不
要になる。Further, in the present invention, not only the pretreatment step is simplified, but also the treatment time such as the dipping time is shortened because only the dissolved boron hydride compound is attached to the surface of the object to be plated. However, repetitive processing for improving uniformity and troublesome processing such as strike plating for improving adhesion become unnecessary.
さらに、本願発明にあっては、前処理工程の錫塩による
感受性処理やパラジウム塩による活性化処理がなくなる
ことによりメッキ皮膜中へのこれらの金属の混入がなく
なり、純度の高い各種の無電解メッキが可能になる。Further, according to the present invention, by eliminating the sensitivity treatment with tin salt and the activation treatment with palladium salt in the pretreatment step, the inclusion of these metals in the plating film is eliminated, and various electroless plating of high purity is achieved. Will be possible.
さらに、本願発明にあっては、これまでの感受性処理や
活性化処理の前処理工程からの塩類の被メッキ物中への
付着がなくなり、プリント基板等の高精度電子製品の性
能向上が期待できる。Further, in the present invention, the adhesion of salts to the plated object from the pretreatment steps of the conventional sensitivity treatment and activation treatment is eliminated, and the performance improvement of high precision electronic products such as printed circuit boards can be expected. .
さらに、本願発明にあっては、被めっき電気絶縁体が、
プラスチック等のように、溶剤により水素化硼素化合物
を浸透させることができるものである場合には、大幅に
密着性を向上させることができ、密着性をよくするため
に従来行われていた種々のエッチング処理は不用とな
る。Furthermore, in the present invention, the plated electrical insulator is
When the borohydride compound can be permeated with a solvent, such as plastic, the adhesion can be significantly improved, and various conventional methods for improving the adhesion can be used. The etching process is unnecessary.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大槻 民夫 静岡県静岡市牧ケ谷550番地 静岡県工業 技術センター内 (72)発明者 菅沼 孝行 静岡県湖西市鷲津836―１ 有限会社鷲津 メッキ工業所内 (72)発明者 加藤 博 静岡県湖西市鷲津836―１ 有限会社鷲津 メッキ工業所内 (56)参考文献 特開 昭50−66439（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−194183（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−68478（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−15701（ＪＰ，Ｂ２) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tamio Otsuki 550 Makigaya, Shizuoka City, Shizuoka Prefecture Shizuoka Industrial Technology Center (72) Inventor Takayuki Suganuma 836-1, Washitsu, Kosai City, Shizuoka Co., Ltd. ) Inventor Hiroshi Kato 836-1, Wazuzu, Kosai City, Shizuoka Co., Ltd. Inside Washizu Plating Industry Co., Ltd. (56) Reference JP-A-50-66439 (JP, A) JP-A-61-194183 (JP, A) JP-A-64 -68478 (JP, A) JP 60-15701 (JP, B2)
Claims (12)
を付着させ、その後、この電気絶縁体を無電解めっき液
に浸漬させることによって電気絶縁体の水素化ほうそ化
合物をかかるめっき液中の金属と反応させ金属核を生成
させるとともにこの金属核にただちにメッキを行うこと
を特徴とする電気絶縁体への無電解めっき法1. A borohydride compound for an electrical insulator is applied to the plated electrical insulator by immersing the hydrogenated halo compound in the plating solution, and then immersing the electrical insulator in an electroless plating solution. Electroless plating method for electrical insulators, characterized in that it reacts with other metals to form metal nuclei and that the metal nuclei are immediately plated.
し、Ｍはアルカリ金属、他の原子又は基）又はBH3X（但
し、ＸはBH3に付加する化合物）で示されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の電気絶縁体への無電
解めっき法。2. The boron hydride compound is represented by the general formula MBH 4 (where M is an alkali metal, another atom or group) or BH 3 X (where X is a compound added to BH 3 ). The electroless plating method for an electric insulator according to claim 1, wherein:
体に付着させる際の溶媒が、水又は有機溶剤であること
を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の電
気絶縁体への無電解めっき法。3. The electrical insulation according to claim 1 or 2, wherein the solvent for adhering the boron hydride compound to the plated electrical insulator is water or an organic solvent. Electroless plating on the body.
体に付着させる際の溶媒が、水と有機溶剤の混合溶液で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項
記載の電気絶縁体への無電解めっき法。4. The solvent according to claim 1, wherein the borohydride compound is attached to the electrical insulator to be plated is a mixed solution of water and an organic solvent. Electroless plating method for electrical insulators.
よびアミド類から構成されるグループのいずれかである
ことを特徴とする特許請求の範囲第３項又は第４項記載
の電気絶縁体への無電解めっき法。5. The electric insulator according to claim 3, wherein the organic solvent is any one of the group consisting of alcohols, amines and amides. Electroless plating method.
体に付着させる際の溶媒と低沸点有機溶剤とを同時に使
用することを特徴とする特許請求の範囲第３項、第４項
又は第５項記載の電気絶縁体への無電解めっき法。6. The solvent according to claim 3, wherein the solvent for depositing the boron hydride compound on the electrical insulator to be plated and the low boiling point organic solvent are used at the same time. 5. An electroless plating method for an electric insulator according to the item 5.
体に付着させる際の溶媒とハロゲン系炭化水素溶剤とを
同時に使用することを特徴とする特許請求の範囲第３
項、第４項又は第５項記載の電気絶縁体への無電解めっ
き法。7. A solvent for adhering the boron hydride compound to an electric insulator to be plated and a halogenated hydrocarbon solvent are used at the same time.
The electroless plating method for an electric insulator according to the item 4, item 4 or item 5.
体に付着させる際の溶液に、添加物として界面活性剤を
添加することを特徴とする特許請求の範囲第３項、第４
項、第５項、第６項又は第７項記載の電気絶縁体への無
電解めっき法。8. A method according to claim 3, wherein a surfactant is added as an additive to the solution for adhering the boron hydride compound to the plated electrical insulator.
The electroless plating method for an electrical insulator according to the item 5, item 5, item 6, or item 7.
体に付着させる際の溶液に、添加物としてキレート剤お
よび金属塩を添加することを特徴とする特許請求の範囲
第３項、第４項、第５項、第６項又は第７項記載の電気
絶縁体への無電解めっき法。9. A chelating agent and a metal salt as an additive are added to a solution for adhering the boron hydride compound to an electric insulator to be plated, as claimed in claims 3 and 4. The electroless plating method for an electrical insulator according to the item 5, item 5, item 6, or item 7.
縁体に付着させる際のに、添加物として金属コロイド又
は可溶性高分子化合物を添加することを特徴とする特許
請求の範囲第３項、第４項、第５項、第６項又は第７項
記載の電気絶縁体への無電解めっき法。10. The method according to claim 3, wherein a metal colloid or a soluble polymer compound is added as an additive when the boron hydride compound is attached to an electric insulator to be plated. The electroless plating method for an electrical insulator according to item 4, item 5, item 6 or item 7.
着せしめた後、液切りをして湿ったままの状態でこの電
気絶縁体を無電解めっき液に浸漬することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の電気絶縁体への無電解めっ
き法。11. A method of depositing a boron hydride compound on the electrical insulator, immersing the electrical insulator in an electroless plating solution while being drained and wet. A method for electroless plating on an electric insulator according to claim 1.
着せしめた後、溶媒を蒸発乾燥した後、この電気絶縁体
を無電解めっき液に浸漬することを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の電気絶縁体への無電解めっき法。12. A method of depositing a boron hydride compound on the electric insulator, evaporating and drying the solvent, and immersing the electric insulator in an electroless plating solution. A method for electroless plating on an electric insulator according to the item.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1243080A JPH0757907B2 (en) | 1989-09-18 | 1989-09-18 | Electroless plating method for electrical insulators |
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