JPH0757603A

JPH0757603A - マイクロリレー

Info

Publication number: JPH0757603A
Application number: JP19735493A
Authority: JP
Inventors: Susumu Hirata; 進平田; Tetsuya Inui; 哲也乾; Yorishige Ishii; 頼成石井; Koji Matoba; 宏次的場; Zenjiro Yamashita; 善二郎山下; Kenji Ota; 賢司太田
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1993-08-09
Filing date: 1993-08-09
Publication date: 1995-03-03

Abstract

(57)【要約】【目的】消費電流が小さくかつ広い温度範囲で使用可
能な小型のマイクロリレーを提供する。【構成】本発明に従うマイクロリレーは、永久磁石１
２０を挟んで対向する位置に２組の固定接点１１０ａ・
１１０ｂ，１１０ｃ・１１０ｄが設けられたフェライト
基板１５０上に、枠部２１０に連結部２３０を介して支
持される可動部２２０が接合されてなる。可動部２２０
は、シリコンから構成される基体部２６０がパーマロイ
から構成される磁性体層２４０，２５０に挟み込まれて
なり、磁性体層２４０，２５０上には、連結部２３０を
中心として対向する位置に２組のヒータ対２７１Ｌ・２
７２Ｒ，２７１Ｒ・２７２Ｌが設けられ、ヒータ２７２
Ｌ，２７２Ｒ上には２組の可動接点２２２Ｌ，２２２Ｒ
が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシーンの一
種であるマイクロリレーに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１４は、従来のマイクロリレーの一例
を示す斜視図である。

【０００３】図１４に示すような従来のマイクロリレー
は、面方位（１１０）のシリコン基板５００に異方性エ
ッチングにより深溝加工を施して得られる多数のシリコ
ンフィン５１０の側面に、電解法により金属５２０を電
鋳してバイメタルを形成し、さらに対向するシリコンフ
ィン５１０にそれぞれ電流開閉用の固定接点５４０およ
び可動接点５５０を設けて製作される。

【０００４】このようにして製作される従来のマイクロ
リレーは、以下のように動作する。まず金属５２０を挟
み込むように配置される駆動電極５６０ａ，５６０ｂ間
に電流を流すと、抵抗加熱によるジュール熱が発生して
バイメタル５３０が加熱される。この時、シリコンフィ
ン５１０の線膨張係数（λ_Si）と金属５２０、たとえば
Ｎｉの線膨張係数（λ_Ni）とは異なり、λ_Si＜λ_Niであ
るため、加熱されたバイメタル５３０は矢印で示される
方向に変位する。これにより固定接点５４０と可動接点
５５０が閉成して閉回路に電流が流れる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のようなバイメタ
ルを駆動源とする従来のマイクロリレーには以下のよう
な問題点があった。

【０００６】従来のマイクロリレーは、ラッチ機能を有
していなかったため、回路に電流を流し続けるためには
駆動電極５６０ａ，５６０ｂ間に電流を流し続ける必要
があった。このため、消費電流が大きいという問題があ
った。

【０００７】また、従来のマイクロリレーは、環境温度
の変化によりバイメタル５３０が変位してしまうため誤
動作を生じることがあった。このため、従来のマイクロ
リレーを広範囲の温度条件下で使用することは不可能で
あった。

【０００８】本発明は従来の課題を解消するためになさ
れたものであって、消費電力が小さくかつ広い温度範囲
で使用可能なより小型のマイクロリレーを提供すること
を目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロリ
レーは、複数組の固定接点が設けられたフェライト基板
と、固定接点に対応する複数組の可動接点が設けられた
可動部とを具備してなるマイクロリレーであって、可動
部は、基板上に設けられた枠体に連結部を介して支持さ
れるものであり、かつ可動部は、枠部に連結され、枠部
と同一材料で構成される基体部と、基体部の対向する一
対の主表面上に設けられ、基体部よりも線膨張係数の大
きい材料で構成される一対の磁性体層と、磁性体層のそ
れぞれにおいて、連結部を中心として対向する位置に設
けられる２組のヒータ対と、ヒータ上に設けられる可動
接点とを備え、固定接点が設けられたフェライト基板に
は、連結部を中心とした可動部の変位を保持するための
永久磁石が設けられていることを特徴とする。

【００１０】また本発明に係る好ましい局面において、
枠部に連結される基体部がシリコンから構成されてもよ
い。基体部を構成する材料としてシリコンを用いる場合
には、磁性体層を構成する材料としてパーマロイ等の軟
磁性体材料を好ましく用いることができる。磁性体層を
構成する材料としては、残留磁化の小さいものがより好
ましい。

【００１１】

【作用】本発明に係るマイクロリレーにおいては、可動
部は基板上に設けられた枠部に連結部を介して支持され
るものであり、かつ可動部は、枠部に連結され、枠部と
同一材料で構成される基体部と、基体部の対向する一対
の主表面上に設けられ、基体部よりも線膨張係数の大き
い材料で構成される一対の磁性体層と、磁性体層のそれ
ぞれにおいて、連結部を中心として対向する位置に設け
られる２組のヒータ対と、ヒータ上に設けられる可動接
点とを備えている。

【００１２】このように一対の磁性体層は基体部よりも
線膨張係数の大きい材料で構成されているので、２組の
ヒータ対のうちいずれか１組のヒータ対に電流を流す
と、発生するジュール熱によって電流を流したヒータ対
のそれぞれのヒータ下に設けられた磁性体層に変形が生
じる。この結果、平衡状態にあった可動部は、連結部を
中心として変形した磁性体層から基体部を挟んで対向す
る変形していない磁性体層の方向へ回転する。

【００１３】これにより、可動部の可動接点と基板上の
固定接点とが閉成して電気回路に電流が流れる。このと
き、同時にフェライト基板、永久磁石および可動部の磁
性体層において磁気回路が形成され、可動部の可動接点
が基板上の固定接点に吸着される。よって、その後１組
のヒータ対に流す電流を断っても、可動部の可動接点と
基板上の固定接点が閉成した状態はそのまま安定的に保
持され、もう１組のヒータ対に電流を流すまで電気回路
に電流が流れ続ける。

【００１４】このように、本発明に係るマイクロリレー
では、従来のように電気回路を閉じ続けるためにバイメ
タル部に電流を流し続ける必要がなく、可動部の可動接
点と基板上の固定接点を一旦閉成させれば永久磁石によ
り変位が保持されるため、ヒータ対に流す電流を断って
も電気回路は閉じた状態に保持される。したがって、本
発明に係るマイクロリレーでは、消費電力を小さく抑え
ることができる。

【００１５】また、可動部を取り巻く環境温度が変化し
た場合にも、基体部および基体部よりも線膨張係数の大
きい材料で構成される磁性体層がいずれもほぼ同一温度
になる。したがって、連結部を中心とした可動部全体の
変位量が釣り合って回転運動は０となり、平衡状態が安
定的に保持される。このように、本発明に係るマイクロ
リレーは、環境温度が変化しても誤動作を生じることが
ないので、広い温度範囲で使用することができる。

【００１６】さらに、本発明に係るマイクロリレーで
は、枠体に連結される基体部がシリコンからなること
で、可動部の製作において異方性エッチングを用いた微
細加工を施すことができるため、マイクロリレーをより
小型化することができる。

【００１７】

【実施例】本発明に従う一実施例について図面を参照し
て説明する。

【００１８】図１は、本発明の一実施例に従うマイクロ
リレーの斜視図である。また図２は、図１に示したマイ
クロリレーの構造を示す分解斜視図である。さらに図３
は、図１に示したマイクロリレーの概略的な断面図であ
る。

【００１９】図１および図２を参照して、マイクロリレ
ーは、２組の固定接点が設けられた基板部１００と、基
板部１００の上方に配設され、固定接点に対応する２組
の可動接点が設けられた可動部２２０とから構成され
る。

【００２０】基板部１００は、中央部に二重の溝部が設
けられたフェライト基板１５０と、フェライト基板１５
０の内側の溝部に設置される断面が五角形状の永久磁石
１２０とからなる。フェライト基板１５０表面において
永久磁石１２０を挟んで向かい合う領域には、Ｌ字型の
２組の固定接点１１０ａ・１１０ｂ，１１０ｃ・１１０
ｄが設けられている。さらに、各固定接点１１０ａ，
１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ上には、球状のスペーサ
１３０が１個ずつ設置されている。

【００２１】一方、可動部２２０は、シリコン単結晶か
らなる枠部２１０に連結部２３０を介して支持されてい
る。

【００２２】可動部２２０は、枠部２１０に連結され、
枠部と同一材料すなわちシリコン単結晶で構成される基
体部２６０と、基体部２６０の対向する一対の表面上に
設けられ、パーマロイ等の軟磁性体材料で構成される磁
性体層２４０，２５０とからなる。

【００２３】図３を参照して、可動部２２０の磁性体層
２４０，２５０上には、それぞれ２組のヒータ２７１Ｌ
・２７２Ｒ，２７２Ｌ・２７１Ｒが設けられている。さ
らに、ヒータ２７２Ｌ，２７２Ｒ上には、固定接点１１
０ａ・１１０ｂ，１１０ｃ・１１０ｄにそれぞれ対応す
る２組の可動接点２２２Ｌ，２２２Ｒが設けられてい
る。

【００２４】枠部２１０がスペーサ１３０を介して基板
部１００上に配設され、さらに永久磁石１２０の稜線が
可動部２２０の支点となるように位置合わせされること
により、可動部２２０が基板部１００上に揺動可能に設
置されている。

【００２５】上述のような構造を有するマイクロリレー
のリレー動作について説明する。図４〜図８は、本実施
例のマイクロリレーのリレー動作を示すための概略的な
断面図である。

【００２６】図４に示すように、可動部２２０が永久磁
石１２０上で平衡状態にあるマイクロリレーにおいて、
１組のヒータ２７１Ｌ，２７２Ｒに電流を流す。これに
より、ヒータ２７１Ｌ，２７２Ｒにおいて抵抗加熱によ
るジュール熱が発生する。

【００２７】ここで、可動部２２０の基体部２６０を構
成する材料すなわちシリコン単結晶の線膨張係数
（λ_Si）と、一対の磁性体層２４０，２５０を構成する
材料すなわちパーマロイの線膨張係数（λ_M）とは異な
りλ_Si＜λ_Mであるので、図５に示すように、可動部２
２０において磁性体層２４０のヒータ２７１Ｌの下の領
域および磁性体層２５０のヒータ２７２Ｒの下の領域が
変形する。その結果、平衡状態にあった可動部２２０が
連結部を中心として矢印で示すように反時計回りに回転
するように駆動される。

【００２８】これにより、可動部２２０の可動接点２２
２Ｌとフェライト基板１５０上に設けられた固定接点１
１０ａ・１１０ｂとが閉成して電気回路に電流が流れ
る。

【００２９】このとき同時にフェライト基板１５０、永
久磁石１２０および磁性体層２５０においてフェライト
基板１５０と可動部２２０との間に磁気回路５０ａが形
成される。これにより、可動接点２２２Ｌが固定接点１
１０ａ・１１０ｂに吸着される。よって、その後１組の
ヒータ２７１Ｌ，２７２Ｒに流す電流を断つと、磁性体
層２４０，２５０の変形は解消されるものの、図６に示
すように、可動接点２２２Ｌと１組の固定接点１１０ａ
・１１０ｂとが閉成した状態はそのまま保持され、電気
回路に電流が流れ続ける。

【００３０】さらに、今度はもう１組のヒータ２７１
Ｒ，２７２Ｌに電流を流す。これにより、ヒータ２７１
Ｒ，２７２Ｌにおいて抵抗加熱によるジュール熱が発生
する。

【００３１】ここで、可動部２２０の基体部２６０を構
成する材料すなわちシリコン単結晶の線膨張係数
（λ_Si）と一対の磁性体層２４０，２５０を構成する材
料すなわちパーマロイの線膨張係数（λ_M）とは異なり
λ_Si＜λ_Mであるので、図７に示すように、可動部２２
０において磁性体層２４０のヒータ２７１Ｒの下の領域
および磁性体層２５０のヒータ２７２Ｌの下の領域が変
形する。その結果、可動接点２２２Ｌと１組の固定接点
１１０ａ・１１０ｂとが閉成した状態が解除され、可動
部２２０が連結部を中心として矢印で示すように時計回
りに回転するように駆動される。

【００３２】これにより、可動部２２０の可動接点２２
２Ｒとフェライト基板１５０上に設けられた固定接点１
１０ｃ・１１０ｄとが閉成して、もう一方の電気回路に
電流が流れる。

【００３３】このとき同時にフェライト基板１５０、永
久磁石１２０および磁性体層２５０においてフェライト
基板１５０と可動部２２０との間に磁気回路５０ｂが形
成される。これにより、可動接点２２２Ｒが固定接点１
１０ｃ・１１０ｄに吸着される。よって、その後もう１
組のヒータ２７１Ｒ，２７２Ｌに流す電流を断つと、磁
性体層２４０，２５０の変形は解消されるものの、図８
に示すように、可動接点２２２Ｒと１組の固定接点１１
０ｃ・１１０ｄとが閉成した状態はそのまま保持され、
電気回路に電流が流れ続ける。

【００３４】上述のような動作を繰返すことでリレー動
作を実現することができる。さらに、マイクロリレーの
入力信号、出力信号の例を用いてリレー動作を補足的に
説明する。

【００３５】１組のヒータ２７１Ｌ，２７２Ｒに電流を
ＯＮ，ＯＦＦするスイッチ動作を０，１の矩形パルスで
模式的に表現したものが図９（ａ）のＰ１であり、１組
のヒータ２７１Ｒ，２７２Ｌに電流をＯＮ，ＯＦＦする
スイッチ動作を０，１の矩形パルスで模式的に表現した
ものが図９（ｂ）のＰ２である。

【００３６】ここで、１組のヒータ２７１Ｌ，２７２Ｒ
に電流をＯＮするための信号を「手段１」と呼ぶものと
し、１組のヒータ２７１Ｒ，２７２Ｌに電流をＯＮする
ための信号を「手段２」と呼ぶものとする。

【００３７】図９（ａ）のＰ１に示すように、「手段
１」が入力されると、「手段１」の立ち上がりに応答し
て固定接点１１０ａ・１１０ｂと可動接点２２２Ｌが閉
成され、閉回路に電流が流れる。

【００３８】この状態をＯＮ状態で模式的に表現したも
のが、図９（ｃ）のＰ３に示す「状態１」である。図９
（ｃ）のＰ３に示すように、「状態１」は、次にもう１
組のヒータ２７１Ｒ，２７２Ｌに電流をＯＮするための
信号すなわち「手段２」が入力されるまで任意の時間期
間保持される。

【００３９】図９（ｂ）のＰ２に示すように、「手段
２」が入力されると、「手段２」の立ち上がりに応答し
て、図９（ｃ）のＰ３に示すように「状態１」が解除さ
れるとともに固定接点１１０ｃ・１１０ｄと可動接点２
２２Ｒが閉成され、別の閉回路に電流が流れる。

【００４０】この状態をＯＮ状態で模式的に表現したも
のが、図９（ｄ）のＰ４に示す「状態２」である。図９
（ｄ）のＰ４に示すように、「状態２」は、次にもう１
組のヒータ２７１Ｌ，２７２Ｒに電流をＯＮするための
信号すなわち「手段１」が入力されるまで任意の時間期
間保持される。

【００４１】このように、「手段１」、「手段２」を交
互に入力することで、その立ち上がりに応答して「状態
２」から「状態１」に、あるいは「状態１」から「状態
２」にリレーされる。

【００４２】次に、上述のような構造を有するマイクロ
リレーの温度適応性について説明する。

【００４３】たとえば、本実施例のマイクロリレーで
は、温度２５℃の常温で平衡状態にある可動部２２０を
温度７５℃の高温条件下においた場合には、基体部２６
０および一対の磁性体層２４０，２５０はいずれも同じ
温度７５℃になる。このため、連結部２３０を中心とし
て対向する磁性体層における変位量がほぼ等しくなり、
時計回りへ回転する力と反時計回りへ回転する力とが釣
り合って可動部２２０の回転量は０となる。このよう
に、本実施例のマイクロリレーは環境温度が変化して
も、平衡状態を安定的に保持することができるので誤動
作することはない。

【００４４】本実施例のマイクロリレーは、以下のよう
な方法により製造することができる。

【００４５】まず、基板部１００の製造工程について図
面に基づいて説明する。図１０（ａ）〜図１０（ｄ）
は、基板部１００の製造方法を工程順に示した平面図お
よび断面図である。

【００４６】図１０（ａ）に示すように、フェライトか
らなる基板１５０の主表面に絶縁膜としてＳｉＯ₂膜４
１０をスパッタ法により成膜する。

【００４７】次に、図１０（ｂ）に示すように、このＳ
ｉＯ₂膜４１０上にＡｕ層を蒸着し、さらにＡｕ層上に
フォトレジスト膜を塗布し、形成すべき固定接点の形状
に対応したパターンを形成する。このパターンに従いイ
オンミリングによりＡｕ層のエッチングを行い、基板１
５０主表面の四隅にＬ字型の固定接点１１０ａ，１１０
ｂ，１１０ｃ，１１０ｄを形成する。

【００４８】次に、図１０（ｃ）に示すように、基板１
５０の主表面中央にダイシングによって二重の溝部４３
０，４４０を形成する。外側の溝部４３０は、リレー動
作時に磁気回路を形成するためのものであり、中央部の
溝部４４０は永久磁石を装着するためのものである。

【００４９】さらに、図１０（ｄ）に示すように、中央
部の溝部４４０に予め所定の形状に加工した永久磁石１
２０を装着する。以上のようにしてフェライト基板の中
央部に永久磁石１２０が設けられた基板部１００が形成
される。

【００５０】次に、可動部２２０の製造工程について図
面に基づいて説明する。図１１（Ａ）〜（Ｄ）、図１２
（Ｅ）〜（Ｈ）、図１３（Ｉ）〜（Ｌ）は、枠部２１０
に連結部２３０を介して支持される可動部２２０の製造
方法を工程順に示した上面図、断面図および背面図であ
る。

【００５１】図１１（Ａ）に示すように、シリコンから
なる基板３００の表裏両主面に熱酸化膜３１０を形成す
る。

【００５２】次に、図１１（Ｂ）に示すように、基板３
００の裏面にフォトレジスト膜を塗布し、形成したい枠
部の形状に対応したパターンを形成する。このパターン
に従ってＣＨＦ₃により熱酸化膜３１０のエッチングを
行なう。この結果、基板３００の表面および裏面外周部
に熱酸化膜３１０が残存する。

【００５３】次に、この状態のシリコン基板３００を水
酸化カリウム溶液中に浸漬すると、熱酸化膜３１０が除
去された部分すなわちシリコンが露出した部分がエッチ
ングされる。これにより、図１１（Ｃ）に示すような構
造体３２０が形成される。

【００５４】さらに、シリコンからなる基板３００の表
面上にフォトレジスト膜を塗布し、形成したい可動部お
よび連結部の形状に対応したパターンを形成する。この
パターンに従ってＣＨＦ₃により熱酸化膜３１０のエッ
チングを行なう。この結果、図１１（Ｄ）に示すように
基板３００の表面において領域３１５の熱酸化膜３１０
のみが除去される。

【００５５】次に、図１２（Ｅ）に示すように、このよ
うにして得られた構造体３２０の両面にフォトレジスト
膜３３０を塗布し、形成したい可動部の形状に対応した
パターンを形成する。

【００５６】さらに、図１２（Ｆ）に示すように、上述
のパターンをマスクとしてシリコン基体部の両面にパー
マロイ等の軟磁性体材料を電解めっき法によりめっきす
る。このようにして基体部を挟み込むようにして一対の
磁性体層２４０，２５０を形成する。

【００５７】次に、図１２（Ｇ）に示すように、構造体
３２０の表裏両面にスパッタ法によりＳｉＯ₂膜３５
１，３５２を成膜する。これにより磁性体層２５０，２
４０およびフォトレジスト膜３３０上に絶縁膜が形成さ
れる。

【００５８】次に、構造体３２０の両面にＮｉ層をスパ
ッタ法で成膜する。さらにこのＮｉ層上にフォトレジス
ト膜を塗布し、形成すべきヒータの形状に対応したパタ
ーンを形成する。このパターンに従ってイオンミリング
によりＮｉ層のエッチングを行なう。これにより、図１
２（Ｈ）に示すように、磁性体層２４０，２５０上にヒ
ータ２７１，２７２が形成される。

【００５９】さらに、図１３（Ｉ）に示すように、構造
体３２０の表裏両面に絶縁膜としてＳｉＯ₂膜３７０を
スパッタ法により成膜する。

【００６０】次に、構造体３２０の表面にＡｕ層を蒸着
する。さらにこのＡｕ層上にフォトレジスト膜を塗布
し、形成すべき可動接点の形状に対応したパターンを形
成する。このパターンに従ってイオンミリングによりＡ
ｕ層をエッチングすることにより、図１３（Ｊ）に示す
ような可動接点２２２Ｌ，２２２Ｒが形成される。

【００６１】さらに、図１３（Ｋ）に示すように、構造
体３２０の外周部に設けられた不要なフォトレジスト膜
３３０および絶縁膜をアセトン等の有機溶剤を用いたリ
フト法により剥離する。このようにして得られたシリコ
ン基板３００を水酸化カリウム溶液中に浸漬すると、図
１３（Ｌ）に示すように、熱酸化膜３１０で覆われてい
ない部分すなわちシリコンが露出した領域のシリコン基
板が除去され、図１に示すような枠部２１０に連結部２
３０のみで連結された可動部２２０が得られる。

【００６２】この後、枠部２１０を基板部１００上に所
定の大きさのスペーサ１３０を介してエポキシ樹脂等の
接着剤を用いてあるいはまたその他の有効な手段を用い
て接着すると、図１に示すような本実施例のマイクロリ
レーが完成する。

【００６３】

【発明の効果】本発明に従うマイクロリレーでは、可動
部の可動接点と基板上の固定接点を一旦閉成させれば、
フェライト基板、永久磁石および可動部の磁性体層にお
いて形成される磁気回路によって接着が保持されるた
め、その後ヒータ対に流す電流を断っても、電気回路は
閉じた状態に保持される。このように、本発明に従うマ
イクロリレーにはラッチ機能が付与されるため、消費電
力を小さく抑えることができる。

【００６４】また、本発明に従うマイクロリレーでは、
環境温度が変化しても連結部を中心とした可動部全体の
変位量が釣り合って回転運動は０となり平衡状態が安定
的に保持されるため、誤動作を生じることがない。した
がって、本発明に従うマイクロリレーは広い温度範囲で
使用することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に従うマイクロリレーを示す
斜視図である。

【図２】図１に示したマイクロリレーの構造を示す分解
斜視図である。

【図３】図１に示したマイクロリレーの構造を示す概略
的な断面図である。

【図４】本発明の実施例に従うマイクロリレーのリレー
動作を示す図である。

【図５】本発明の実施例に従うマイクロリレーのリレー
動作を示す図である。

【図６】本発明の実施例に従うマイクロリレーのリレー
動作を示す図である。

【図７】本発明の実施例に従うマイクロリレーのリレー
動作を示す図である。

【図８】本発明の実施例に従うマイクロリレーのリレー
動作を示す図である。

【図９】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施例に従う
マイクロリレーの入力状態を模式的に示すタイミング図
であり、（ｃ）および（ｄ）は、本発明の実施例に従う
マイクロリレーの出力状態を模式的に示すタイミング図
である。

【図１０】本発明の実施例に従うマイクロリレーの基板
部の製造方法を工程順に示す図である。

【図１１】本発明の実施例に従うマイクロリレーの可動
部の製造方法を工程順に示す図である。

【図１２】本発明の実施例に従うマイクロリレーの可動
部の製造方法を工程順に示す図である。

【図１３】本発明の実施例に従うマイクロリレーの可動
部の製造方法を工程順に示す図である。

【図１４】従来のマイクロリレーの構造を示す斜視図で
ある。

【符号の説明】

１００基板部１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ固定接点１２０永久磁石２１０枠部２２０可動部２３０連結部２４０，２５０磁性体層２６０基体部２２２Ｌ，２２２Ｒ可動接点なお、各図中、同一符号は、同一または相当部分を示
す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者的場宏次大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者山下善二郎大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内 (72)発明者太田賢司大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号シャープ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】複数組の固定接点が設けられたフェライ
ト基板と、前記固定接点に対応する複数組の可動接点が設けられた
可動部とを具備してなるマイクロリレーであって、前記可動部は、前記基板上に設けられた枠体に連結部を
介して支持されるものであり、かつ前記可動部は、前記枠部に連結され、前記枠部と同一材料で構成される
基体部と、前記基体部の対向する一対の主表面上に設けられ、前記
基体部よりも線膨張係数の大きい材料で構成される一対
の磁性体層と、前記磁性体層のそれぞれにおいて、前記連結部を中心と
して対向する位置に設けられる２組のヒータ対と、前記ヒータ上に設けられる前記可動接点とを備え、前記固定接点が設けられたフェライト基板には、前記連
結部を中心とした前記可動部の変位を保持するための永
久磁石が設けられていることを特徴とする、マイクロリ
レー。
【請求項２】前記基体部がシリコンからなる、請求項
１に記載のマイクロリレー。