JPH0757580A - 転写用導電性バンプ、導電性バンプ転写用基材および導電性バンプの転写方法 - Google Patents
転写用導電性バンプ、導電性バンプ転写用基材および導電性バンプの転写方法Info
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- JPH0757580A JPH0757580A JP19737493A JP19737493A JPH0757580A JP H0757580 A JPH0757580 A JP H0757580A JP 19737493 A JP19737493 A JP 19737493A JP 19737493 A JP19737493 A JP 19737493A JP H0757580 A JPH0757580 A JP H0757580A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明の転写用導電性バンプＢは、転写部１
と、同一直線上に位置しない３個以上の導電性突起部１
１とを有するものである。また、本発明の導電性バンプ
転写用基材は、上記転写用導電性バンプＢの導電性突起
部１１を離脱可能に支持体に保持してなるものである。
さらに、本発明の導電性バンプの転写方法は、上記導電
性バンプ転写用基材の導電性バンプを被転写体に接合し
た後、支持体を離脱させることを特徴とするものであ
る。 【効果】 導電性バンプを電気回路または電気回路部品
等に容易にかつ高精度で形成できるとともに、半導体等
の実装を確実かつ容易に行うことができる。
と、同一直線上に位置しない３個以上の導電性突起部１
１とを有するものである。また、本発明の導電性バンプ
転写用基材は、上記転写用導電性バンプＢの導電性突起
部１１を離脱可能に支持体に保持してなるものである。
さらに、本発明の導電性バンプの転写方法は、上記導電
性バンプ転写用基材の導電性バンプを被転写体に接合し
た後、支持体を離脱させることを特徴とするものであ
る。 【効果】 導電性バンプを電気回路または電気回路部品
等に容易にかつ高精度で形成できるとともに、半導体等
の実装を確実かつ容易に行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気回路または電気回
路部品等に容易にかつ高精度で形成することが可能な導
電性バンプおよびこの導電性バンプを保持する基材、な
らびに該導電性バンプの形成方法に関する。
路部品等に容易にかつ高精度で形成することが可能な導
電性バンプおよびこの導電性バンプを保持する基材、な
らびに該導電性バンプの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術・発明が解決しようとする課題】近年の技
術の進歩に伴って、電子機器の軽薄短小化が年々進めら
れており、半導体実装の技術分野においては、基板上に
半導体素子を高密度で実装することが強く要望されてい
る。従来、当該分野においては、半導体素子に金属より
なる突起部（バンプ）を形成して接続端子とし、これに
より実装を行っている。このようなバンプによる実装方
法は、半導体素子以外にも各種電気・電子部品の実装密
度を向上させる方法として有用なものである。
術の進歩に伴って、電子機器の軽薄短小化が年々進めら
れており、半導体実装の技術分野においては、基板上に
半導体素子を高密度で実装することが強く要望されてい
る。従来、当該分野においては、半導体素子に金属より
なる突起部（バンプ）を形成して接続端子とし、これに
より実装を行っている。このようなバンプによる実装方
法は、半導体素子以外にも各種電気・電子部品の実装密
度を向上させる方法として有用なものである。
【０００３】ところが、上記のようなバンプを半導体素
子その他の電気・電子部品に直接形成することは技術的
に困難であり、電子機器製造における歩留りの原因とな
るという問題がある。
子その他の電気・電子部品に直接形成することは技術的
に困難であり、電子機器製造における歩留りの原因とな
るという問題がある。
【０００４】そこで、バンプを電気・電子部品に転写法
によって形成することが提案されている。しかしなが
ら、この転写法として現在主に行われている、ＩＴＯガ
ラス上にバンプを形成する方法は、製造コスト、製造方
法、バンプの転写方法等の点で未だ満足できるものでは
ない。
によって形成することが提案されている。しかしなが
ら、この転写法として現在主に行われている、ＩＴＯガ
ラス上にバンプを形成する方法は、製造コスト、製造方
法、バンプの転写方法等の点で未だ満足できるものでは
ない。
【０００５】また、半導体素子を回路基板に実装する際
のアライメントとしては、該基板上のアライメントマー
クを用いるということが行われているが、これによって
は十分な接続信頼性が得られない。
のアライメントとしては、該基板上のアライメントマー
クを用いるということが行われているが、これによって
は十分な接続信頼性が得られない。
【０００６】本発明の目的は、上記のような問題を解消
し、電気回路または電気回路部品等に容易にかつ高精度
で形成することが可能であるとともに、半導体等の実装
における接続信頼性に優れる導電性バンプおよびこの導
電性バンプを保持する基材を提供することにある。ま
た、本発明の他の目的は、導電性バンプを電気回路また
は電気回路部品等に容易にかつ高精度で形成しうる方法
を提供することにある。
し、電気回路または電気回路部品等に容易にかつ高精度
で形成することが可能であるとともに、半導体等の実装
における接続信頼性に優れる導電性バンプおよびこの導
電性バンプを保持する基材を提供することにある。ま
た、本発明の他の目的は、導電性バンプを電気回路また
は電気回路部品等に容易にかつ高精度で形成しうる方法
を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明、即
ち転写部と、同一直線上に位置しない３個以上の導電性
突起部とを有する転写用導電性バンプであって、望まし
くは該導電性突起部が、支持体を貫通しえ、かつ該支持
体に離脱可能に保持されえ、また被接続体のバンプ状導
電性突出体を３点以上の支持点で支持するセルフアライ
メント部となっているものであり、さらに転写部表面に
低融点金属層を有するものである転写用導電性バンプ、
および上記転写用導電性バンプの導電性突起部を離脱可
能に支持体に保持してなる導電性バンプ転写用基材、な
らびに上記導電性バンプ転写用基材の導電性バンプを被
転写体に接合した後、支持体を離脱させることを特徴と
する導電性バンプの転写方法により達成される。
ち転写部と、同一直線上に位置しない３個以上の導電性
突起部とを有する転写用導電性バンプであって、望まし
くは該導電性突起部が、支持体を貫通しえ、かつ該支持
体に離脱可能に保持されえ、また被接続体のバンプ状導
電性突出体を３点以上の支持点で支持するセルフアライ
メント部となっているものであり、さらに転写部表面に
低融点金属層を有するものである転写用導電性バンプ、
および上記転写用導電性バンプの導電性突起部を離脱可
能に支持体に保持してなる導電性バンプ転写用基材、な
らびに上記導電性バンプ転写用基材の導電性バンプを被
転写体に接合した後、支持体を離脱させることを特徴と
する導電性バンプの転写方法により達成される。
【０００８】
【作用】上記転写用導電性バンプにおいては、同一直線
上に位置しない３個以上の導電性突起部によって、被接
続体のバンプ状導電性突出体が３点以上の支持点で支持
され、これによりセルフアライメントが可能となってい
る。また、上記バンプの導電性突起部を離脱可能に支持
体に保持してなる導電性バンプ転写用基材によって、バ
ンプの転写形成が容易なものとなっている。
上に位置しない３個以上の導電性突起部によって、被接
続体のバンプ状導電性突出体が３点以上の支持点で支持
され、これによりセルフアライメントが可能となってい
る。また、上記バンプの導電性突起部を離脱可能に支持
体に保持してなる導電性バンプ転写用基材によって、バ
ンプの転写形成が容易なものとなっている。
【０００９】
【実施例】以下、実施例を示し本発明を具体的に説明す
る。図１は、本発明の転写用導電性バンプの一実施例を
示す模式斜視図である。同図において、Ｂは転写用導電
性バンプを示し、転写部１と、同一直線上に位置しない
３個の導電性突起部１１とを有する構成となっている。
る。図１は、本発明の転写用導電性バンプの一実施例を
示す模式斜視図である。同図において、Ｂは転写用導電
性バンプを示し、転写部１と、同一直線上に位置しない
３個の導電性突起部１１とを有する構成となっている。
【００１０】本発明の転写用導電性バンプは、その転写
部が電気回路または電気回路部品等の被転写体に接合・
転写されるものであり、一方、同一直線上に位置しない
３個以上の導電性突起部が半導体素子等の被接続体のバ
ンプ状導電性突出体との接続部となっているものであ
る。
部が電気回路または電気回路部品等の被転写体に接合・
転写されるものであり、一方、同一直線上に位置しない
３個以上の導電性突起部が半導体素子等の被接続体のバ
ンプ状導電性突出体との接続部となっているものであ
る。
【００１１】上記転写用導電性バンプは、導電性の物質
で構成され、この導電性物質としては、半田、インジウ
ム、錫、鉛等の低融点金属またはこれらよりなる合金等
が好適に使用される。なお、図２の模式断面図に示すよ
うに、上記導電性バンプの転写部表面を上記のような低
融点金属１２１で構成し、それ以外の部分を上記低融点
金属以外の金属１２２で構成して２層構造とすると、転
写部表面の低融点金属１２１により被転写体への接合・
転写がなされるとともに、低融点金属以外の金属１２２
により圧着されることが可能となり好ましい。上記低融
点金属以外の金属１２２としては、該低融点金属１２１
に対しぬれ性の良好な金属が好適に使用され、このよう
な金属として例えば銅、ニッケル等が挙げられる。
で構成され、この導電性物質としては、半田、インジウ
ム、錫、鉛等の低融点金属またはこれらよりなる合金等
が好適に使用される。なお、図２の模式断面図に示すよ
うに、上記導電性バンプの転写部表面を上記のような低
融点金属１２１で構成し、それ以外の部分を上記低融点
金属以外の金属１２２で構成して２層構造とすると、転
写部表面の低融点金属１２１により被転写体への接合・
転写がなされるとともに、低融点金属以外の金属１２２
により圧着されることが可能となり好ましい。上記低融
点金属以外の金属１２２としては、該低融点金属１２１
に対しぬれ性の良好な金属が好適に使用され、このよう
な金属として例えば銅、ニッケル等が挙げられる。
【００１２】上記導電性バンプの転写部の形状は特に限
定されるものではないが、図１に示すようなマッシュル
ーム状とすると、被転写体への接合・転写が行い易いた
め好ましい。
定されるものではないが、図１に示すようなマッシュル
ーム状とすると、被転写体への接合・転写が行い易いた
め好ましい。
【００１３】一方、上記導電性突起部は、導電性バンプ
の転写部以外の部位（例えば図１に示す導電性バンプＢ
の平面部）に３個以上形成されるが、被接続体のバンプ
状導電性突出体を安定して支持できるよう、これら導電
性突起部が同一円周上に位置していることが好ましい。
の転写部以外の部位（例えば図１に示す導電性バンプＢ
の平面部）に３個以上形成されるが、被接続体のバンプ
状導電性突出体を安定して支持できるよう、これら導電
性突起部が同一円周上に位置していることが好ましい。
【００１４】また、上記導電性突起部は、図１に示すよ
うな、被接続体のバンプ状導電性突出体を３点で支持す
る態様以外にも、図３に示すような４点支持型の態様も
可能であるが、突起部の数が多すぎるとその形成が困難
となるため、突起部数は３〜６が好ましい。
うな、被接続体のバンプ状導電性突出体を３点で支持す
る態様以外にも、図３に示すような４点支持型の態様も
可能であるが、突起部の数が多すぎるとその形成が困難
となるため、突起部数は３〜６が好ましい。
【００１５】さらに、上記導電性突起部は、導電性バン
プ転写用基材の支持体に離脱可能に保持されるようにす
るため、支持体を貫通する形状を有することが好まし
く、このような導電性突起部の形状として、例えば図１
に示すような、特定のテーパ角を有する柱状、針状等の
形状が好ましい。なお、本明細書でいうテーパ角とは、
図１に示すような、導電性突起部１１の長さ方向と側面
との角度αのことをいう。このように導電性突起部がテ
ーパ角を有する形状であると、導電性バンプを被転写体
に接合した後に支持体を容易に剥離することができて好
ましい。なお上記テーパ角は、２０°以下、好ましくは
５〜１５°程度であることが望ましい。上記テーパ角が
２０°を越えると、導電性突起部が転写される前に支持
体から離脱するおそれがあるため好ましくない。
プ転写用基材の支持体に離脱可能に保持されるようにす
るため、支持体を貫通する形状を有することが好まし
く、このような導電性突起部の形状として、例えば図１
に示すような、特定のテーパ角を有する柱状、針状等の
形状が好ましい。なお、本明細書でいうテーパ角とは、
図１に示すような、導電性突起部１１の長さ方向と側面
との角度αのことをいう。このように導電性突起部がテ
ーパ角を有する形状であると、導電性バンプを被転写体
に接合した後に支持体を容易に剥離することができて好
ましい。なお上記テーパ角は、２０°以下、好ましくは
５〜１５°程度であることが望ましい。上記テーパ角が
２０°を越えると、導電性突起部が転写される前に支持
体から離脱するおそれがあるため好ましくない。
【００１６】上記転写用導電性バンプは、上記のように
その導電性突起部が支持体に離脱可能に保持されて導電
性バンプ転写用基材とされる。図４はこの導電性バンプ
転写用基材の一例を示す模式断面図であり、転写用導電
性バンプＢの導電性突起部１１が支持体２に保持されて
いる。
その導電性突起部が支持体に離脱可能に保持されて導電
性バンプ転写用基材とされる。図４はこの導電性バンプ
転写用基材の一例を示す模式断面図であり、転写用導電
性バンプＢの導電性突起部１１が支持体２に保持されて
いる。
【００１７】上記支持体としては、電気絶縁性および適
度な可撓性を有するものであればよく、例えばポリエス
テル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、
ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン系樹脂、
フッ素系樹脂等が挙げられる。これらの樹脂のうち、透
明性の樹脂を用いるとバンプ転写時の位置合わせが行い
易く、さらにそのなかでも、ポリイミド系樹脂が耐熱性
や機械的強度に優れるため好適に使用される。
度な可撓性を有するものであればよく、例えばポリエス
テル系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリス
チレン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、
ＡＢＳ樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン系樹脂、
フッ素系樹脂等が挙げられる。これらの樹脂のうち、透
明性の樹脂を用いるとバンプ転写時の位置合わせが行い
易く、さらにそのなかでも、ポリイミド系樹脂が耐熱性
や機械的強度に優れるため好適に使用される。
【００１８】また、上記支持体の厚さは、５〜５００μ
ｍ程度とすることが好ましい。支持体の厚さが５μｍ未
満であると、支持体の耐熱性や機械的強度が不十分とな
り、一方５００μｍを越えると、支持体の可撓性が不十
分となる。
ｍ程度とすることが好ましい。支持体の厚さが５μｍ未
満であると、支持体の耐熱性や機械的強度が不十分とな
り、一方５００μｍを越えると、支持体の可撓性が不十
分となる。
【００１９】図４においては、導電性突起部１１が支持
体２を貫通した状態で離脱可能に保持されているが、導
電性突起部は通常、これを形成すると同時に支持体に保
持される。即ち、支持体に貫通孔を形成し、この貫通孔
に前記導電性物質を該貫通孔の開口部より突出するまで
充填することにより、導電性バンプの導電性突起部およ
び転写部が形成され、同時にこの導電性突起部が支持体
に保持される。
体２を貫通した状態で離脱可能に保持されているが、導
電性突起部は通常、これを形成すると同時に支持体に保
持される。即ち、支持体に貫通孔を形成し、この貫通孔
に前記導電性物質を該貫通孔の開口部より突出するまで
充填することにより、導電性バンプの導電性突起部およ
び転写部が形成され、同時にこの導電性突起部が支持体
に保持される。
【００２０】なおその際、上記貫通孔は、前記したよう
な導電性突起部の形状に対応する形状に形成するように
する。この貫通孔の形成は、機械加工、プラズマ加工、
レーザー加工、光反応性を付与した支持体を用いるリソ
グラフィー等によりなされ、またこの貫通孔への導電性
物質の充填は、ＣＶＤ法、メッキ法等によりなされる。
な導電性突起部の形状に対応する形状に形成するように
する。この貫通孔の形成は、機械加工、プラズマ加工、
レーザー加工、光反応性を付与した支持体を用いるリソ
グラフィー等によりなされ、またこの貫通孔への導電性
物質の充填は、ＣＶＤ法、メッキ法等によりなされる。
【００２１】上記導電性バンプ転写用基材においては、
導電性バンプの転写部を被転写体に接合させた後、導電
性バンプから支持体を離脱させることにより、上記被転
写体上に導電性バンプが転写形成される。図５は、上記
導電性バンプの転写形成方法を示す模式図である。
導電性バンプの転写部を被転写体に接合させた後、導電
性バンプから支持体を離脱させることにより、上記被転
写体上に導電性バンプが転写形成される。図５は、上記
導電性バンプの転写形成方法を示す模式図である。
【００２２】以下、同図に基づいて上記導電性バンプの
転写形成方法をさらに具体的に説明する。まず、図５
（ａ）に示すように、上記導電性バンプ転写用基材Ｓの
導電性バンプＢの転写部を被転写体３の電極部４に接触
させる。ここで、前記したように導電性バンプＢの転写
部が図１に示すようなマッシュルーム状であると、電極
部４への接触および以下に述べる接合が容易に行える。
ついで、図５（ｂ）に示すように、導電性バンプＢを電
極部４に加熱圧着により接合する。ここで、導電性バン
プＢの少なくとも転写部表面が前記したように低融点金
属で構成されているので、上記加熱圧着が容易に行え
る。この後、図５（ｃ）に示すように、導電性バンプ転
写用基材Ｓの支持体２を導電性バンプＢから剥離する。
転写形成方法をさらに具体的に説明する。まず、図５
（ａ）に示すように、上記導電性バンプ転写用基材Ｓの
導電性バンプＢの転写部を被転写体３の電極部４に接触
させる。ここで、前記したように導電性バンプＢの転写
部が図１に示すようなマッシュルーム状であると、電極
部４への接触および以下に述べる接合が容易に行える。
ついで、図５（ｂ）に示すように、導電性バンプＢを電
極部４に加熱圧着により接合する。ここで、導電性バン
プＢの少なくとも転写部表面が前記したように低融点金
属で構成されているので、上記加熱圧着が容易に行え
る。この後、図５（ｃ）に示すように、導電性バンプ転
写用基材Ｓの支持体２を導電性バンプＢから剥離する。
【００２３】上記のような方法によって、被転写体上に
導電性バンプを容易に転写形成することができる。
導電性バンプを容易に転写形成することができる。
【００２４】上記方法により形成された導電性バンプ
は、半導体素子等の被接続体に接続される。図６は、こ
の接続方法を示す模式図である。同図に基づいてこの接
続方法を以下に説明する。まず、図６（ａ）に示すよう
に、被転写体上に前記方法により形成された導電性バン
プの上方に、被接続体のバンプ状導電性突出体を位置さ
せる。このとき、被接続体のバンプ状導電性突出体と被
転写体上の導電性バンプとの位置合わせは厳密に行う必
要はなく、これらが上方から見て部分的に重なりあって
いればよい。ついで、図６（ａ）中の矢印で示すよう
に、被接続体のバンプ状導電性突出体を直下方向に移動
させて被転写体上の導電性バンプの導電性突起物と接触
させた後、水平方向にずらすようにしてアライメントを
行う。この後、図６（ｂ）に示すように、被接続体のバ
ンプ状導電性突出体と被転写体上の導電性バンプとを加
熱圧着により接合する。
は、半導体素子等の被接続体に接続される。図６は、こ
の接続方法を示す模式図である。同図に基づいてこの接
続方法を以下に説明する。まず、図６（ａ）に示すよう
に、被転写体上に前記方法により形成された導電性バン
プの上方に、被接続体のバンプ状導電性突出体を位置さ
せる。このとき、被接続体のバンプ状導電性突出体と被
転写体上の導電性バンプとの位置合わせは厳密に行う必
要はなく、これらが上方から見て部分的に重なりあって
いればよい。ついで、図６（ａ）中の矢印で示すよう
に、被接続体のバンプ状導電性突出体を直下方向に移動
させて被転写体上の導電性バンプの導電性突起物と接触
させた後、水平方向にずらすようにしてアライメントを
行う。この後、図６（ｂ）に示すように、被接続体のバ
ンプ状導電性突出体と被転写体上の導電性バンプとを加
熱圧着により接合する。
【００２５】本発明においては、前記したように被転写
体上に転写形成される導電性バンプが同一直線上に位置
しない３個以上の導電性突起部を有するので、この導電
性突起部により上記のように半導体等の実装を容易に行
うことができる。
体上に転写形成される導電性バンプが同一直線上に位置
しない３個以上の導電性突起部を有するので、この導電
性突起部により上記のように半導体等の実装を容易に行
うことができる。
【００２６】なお、図７に示すように、半導体素子等の
側に本発明の導電性バンプを転写形成し、電気回路また
は電気回路部品の側にバンプ状導電性突出体を形成する
ようにしてもよい。この場合も、前記と同様にして半導
体素子等の実装を容易に行うことができる。
側に本発明の導電性バンプを転写形成し、電気回路また
は電気回路部品の側にバンプ状導電性突出体を形成する
ようにしてもよい。この場合も、前記と同様にして半導
体素子等の実装を容易に行うことができる。
【００２７】また、本発明の転写用導電性バンプ、導電
性バンプ転写用基材および導電性バンプの転写方法は、
半導体素子等の電気・電子部品の実装以外にも、該電気
・電子部品や回路基板等の導通検査を行うテストヘッド
およびその製造方法にも適用することができる。
性バンプ転写用基材および導電性バンプの転写方法は、
半導体素子等の電気・電子部品の実装以外にも、該電気
・電子部品や回路基板等の導通検査を行うテストヘッド
およびその製造方法にも適用することができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明の転写用導電性バンプにおいて
は、同一直線上に位置しない３個以上の導電性突起部に
よってセルフアライメントがなされ、該バンプと半導体
素子等との接続がより確実かつ容易となっている。ま
た、本発明の導電性バンプ転写用基材は、上記導電性バ
ンプの導電性突起部を離脱可能に支持体に保持してなる
ものであるので、バンプの転写形成が容易なものとなっ
ている。したがって、本発明によって、導電性バンプを
電気回路または電気回路部品等に容易にかつ高精度で形
成できるとともに、半導体等の実装を確実かつ容易に行
うことができる。
は、同一直線上に位置しない３個以上の導電性突起部に
よってセルフアライメントがなされ、該バンプと半導体
素子等との接続がより確実かつ容易となっている。ま
た、本発明の導電性バンプ転写用基材は、上記導電性バ
ンプの導電性突起部を離脱可能に支持体に保持してなる
ものであるので、バンプの転写形成が容易なものとなっ
ている。したがって、本発明によって、導電性バンプを
電気回路または電気回路部品等に容易にかつ高精度で形
成できるとともに、半導体等の実装を確実かつ容易に行
うことができる。
【図１】本発明の転写用導電性バンプの一実施例を示す
模式斜視図である。
模式斜視図である。
【図２】本発明の転写用導電性バンプの他の実施例を示
す模式断面図である。
す模式断面図である。
【図３】本発明の転写用導電性バンプの他の実施例を示
す模式斜視図である。
す模式斜視図である。
【図４】本発明の導電性バンプ転写用基材の一例を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図５】本発明の導電性バンプの転写方法の一例を示す
模式断面図である。
模式断面図である。
【図６】導電性バンプを被接続体に接続する方法を示す
模式図である。
模式図である。
【図７】半導体素子の側に導電性バンプを転写形成し、
電気回路または電気回路部品の側にバンプ状導電性突出
体を形成した例を示す模式図である。
電気回路または電気回路部品の側にバンプ状導電性突出
体を形成した例を示す模式図である。
１ 転写部 １１ 導電性突起部 Ｂ 転写用導電性バンプ
Claims (6)
- 【請求項１】 転写部と、同一直線上に位置しない３個
以上の導電性突起部とを有する転写用導電性バンプ。 - 【請求項２】 導電性突起部が、支持体を貫通しえ、か
つ該支持体に離脱可能に保持されうるものである請求項
１記載の転写用導電性バンプ。 - 【請求項３】 導電性突起部が、被接続体のバンプ状導
電性突出体を３点以上の支持点で支持するセルフアライ
メント部となっている請求項１記載の転写用導電性バン
プ。 - 【請求項４】 転写部表面に低融点金属層を有するもの
である請求項１記載の転写用導電性バンプ。 - 【請求項５】 請求項１記載の転写用導電性バンプの導
電性突起部を離脱可能に支持体に保持してなる導電性バ
ンプ転写用基材。 - 【請求項６】 請求項５記載の導電性バンプ転写用基材
の導電性バンプを被転写体に接合した後、支持体を離脱
させることを特徴とする導電性バンプの転写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19737493A JPH0757580A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 転写用導電性バンプ、導電性バンプ転写用基材および導電性バンプの転写方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19737493A JPH0757580A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 転写用導電性バンプ、導電性バンプ転写用基材および導電性バンプの転写方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0757580A true JPH0757580A (ja) | 1995-03-03 |
Family
ID=16373446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19737493A Pending JPH0757580A (ja) | 1993-08-09 | 1993-08-09 | 転写用導電性バンプ、導電性バンプ転写用基材および導電性バンプの転写方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0757580A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100446142C (zh) * | 2004-10-20 | 2008-12-24 | 松下电器产业株式会社 | 开关及其制造方法 |
-
1993
- 1993-08-09 JP JP19737493A patent/JPH0757580A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100446142C (zh) * | 2004-10-20 | 2008-12-24 | 松下电器产业株式会社 | 开关及其制造方法 |
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