JPH0754142A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH0754142A JPH0754142A JP19933193A JP19933193A JPH0754142A JP H0754142 A JPH0754142 A JP H0754142A JP 19933193 A JP19933193 A JP 19933193A JP 19933193 A JP19933193 A JP 19933193A JP H0754142 A JPH0754142 A JP H0754142A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲット5と被処理物3との相対位置を可
変する成膜距離調整手段7、8を有したスパッタ装置1
において、成膜距離調整手段8を容易かつ適切に駆動制
御する。 【構成】 スパッタ条件の変化を検出するスパッタ特性
検出手段として膜厚モニタ9を配設する。この膜厚モニ
タ9の検出信号から成膜スピード演算回路11で成膜ス
ピードを演算し、演算した成膜スピードが所定の設定値
以上ずれた場合に距離駆動回路12を駆動させ、距離調
整手段7、8を動作して、ターゲット5と被処理物3と
を所定間隔になるようにする。
変する成膜距離調整手段7、8を有したスパッタ装置1
において、成膜距離調整手段8を容易かつ適切に駆動制
御する。 【構成】 スパッタ条件の変化を検出するスパッタ特性
検出手段として膜厚モニタ9を配設する。この膜厚モニ
タ9の検出信号から成膜スピード演算回路11で成膜ス
ピードを演算し、演算した成膜スピードが所定の設定値
以上ずれた場合に距離駆動回路12を駆動させ、距離調
整手段7、8を動作して、ターゲット5と被処理物3と
を所定間隔になるようにする。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は例えば、半導体装置の
製造に使用され、半導体ウェーハの処理面に金属薄膜を
形成するスパッタ装置に関する。
製造に使用され、半導体ウェーハの処理面に金属薄膜を
形成するスパッタ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】この種スパッタ装置は被処理物、例えば
半導体ウェーハの金属薄膜の成膜に多用されている。か
かるスパッタ装置は真空チャンバ内にターゲットと呼ば
れる金属塊と被処理物の半導体ウェーハとを対向して配
置させ、これらのターゲットと半導体ウェーハ間に高電
圧を印加すると共に、真空チャンバ内にスパッタガスを
導入する。そして、このスパッタガスをプラズマ化して
プラズマ中のイオンを負電圧の電極であるターゲットに
衝突させてスパッタリングし、陽極側に設けられた半導
体ウェーハの表面に被着させて薄膜を形成する装置であ
る。
半導体ウェーハの金属薄膜の成膜に多用されている。か
かるスパッタ装置は真空チャンバ内にターゲットと呼ば
れる金属塊と被処理物の半導体ウェーハとを対向して配
置させ、これらのターゲットと半導体ウェーハ間に高電
圧を印加すると共に、真空チャンバ内にスパッタガスを
導入する。そして、このスパッタガスをプラズマ化して
プラズマ中のイオンを負電圧の電極であるターゲットに
衝突させてスパッタリングし、陽極側に設けられた半導
体ウェーハの表面に被着させて薄膜を形成する装置であ
る。
【0003】尚、ターゲットの裏面側にはプラズマをタ
ーゲットの表面近傍に閉じこめ、ターゲット面上に高密
度の放電プラズマを集中させて高速スパッタリングを行
なうためのプラズマ制御用マグネットの磁場形成回路や
ターゲットを冷却する冷却機構等が配設される。
ーゲットの表面近傍に閉じこめ、ターゲット面上に高密
度の放電プラズマを集中させて高速スパッタリングを行
なうためのプラズマ制御用マグネットの磁場形成回路や
ターゲットを冷却する冷却機構等が配設される。
【0004】ところで、このようなスパッタ装置は成膜
中、ターゲットの金属塊の表面がプラズマイオンにたた
かれて消耗し、ターゲットと被処理物の半導体ウェーハ
との距離が除々に離れていく。このため、プラズマイオ
ンにより叩きだされた金属分子が半導体ウェーハに到達
するまでの時間や金属分子の飛散する方向が変化して、
半導体ウェーハ上に形成される金属薄膜の膜厚が均一に
形成出来ないといった問題があった。
中、ターゲットの金属塊の表面がプラズマイオンにたた
かれて消耗し、ターゲットと被処理物の半導体ウェーハ
との距離が除々に離れていく。このため、プラズマイオ
ンにより叩きだされた金属分子が半導体ウェーハに到達
するまでの時間や金属分子の飛散する方向が変化して、
半導体ウェーハ上に形成される金属薄膜の膜厚が均一に
形成出来ないといった問題があった。
【0005】このため、ターゲットと被処理物との相対
的な位置を可変する成膜距離調整手段を設けたスパッタ
装置が提案されている(特開平2−298263号公報
参照)。
的な位置を可変する成膜距離調整手段を設けたスパッタ
装置が提案されている(特開平2−298263号公報
参照)。
【0006】このスパッタ装置はターゲットの消耗量に
応じてスパッタガンの位置を調節することで、ターゲッ
トと被処理物との距離、つまり成膜距離を一定に設定し
てスパッタリングすることができる。従って、プラズマ
イオンにより叩きだされた金属分子の飛散時間や飛散方
向が一定となり、常に同様のスパッタ条件が設定でき、
同一ターゲットで多数の半導体ウェーハの成膜を行なう
場合、膜厚等のバラツキが少ない均一な膜を形成するこ
とができる。
応じてスパッタガンの位置を調節することで、ターゲッ
トと被処理物との距離、つまり成膜距離を一定に設定し
てスパッタリングすることができる。従って、プラズマ
イオンにより叩きだされた金属分子の飛散時間や飛散方
向が一定となり、常に同様のスパッタ条件が設定でき、
同一ターゲットで多数の半導体ウェーハの成膜を行なう
場合、膜厚等のバラツキが少ない均一な膜を形成するこ
とができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ス
パッタ装置はターゲットと被処理物間の位置調整をプラ
ズマ発生時間とターゲット消耗量との関係をデータとし
てメモリに記憶し、このメモリの読み出し出力値によっ
てターゲットとウェーハの間隔を調節するものであるか
ら、スパッタ条件が何らかの原因、例えばスパッタガス
圧などが変化すると、膜厚等の均一性や成膜の厚さがず
れる恐れがあり、プラズマ発生時間とターゲット消耗量
との関係を再設定する必要があった。また、位置調整に
一々プラズマ発生時間を管理する必要があり、作業が煩
雑であった。
パッタ装置はターゲットと被処理物間の位置調整をプラ
ズマ発生時間とターゲット消耗量との関係をデータとし
てメモリに記憶し、このメモリの読み出し出力値によっ
てターゲットとウェーハの間隔を調節するものであるか
ら、スパッタ条件が何らかの原因、例えばスパッタガス
圧などが変化すると、膜厚等の均一性や成膜の厚さがず
れる恐れがあり、プラズマ発生時間とターゲット消耗量
との関係を再設定する必要があった。また、位置調整に
一々プラズマ発生時間を管理する必要があり、作業が煩
雑であった。
【0008】従って、本発明は上記問題点に鑑みなされ
たものであり、プラズマ発生時間とターゲット消耗量と
の関係データをメモリとして記憶したり、プラズマ発生
時間を一々管理することなく、均一に成膜できるスパッ
タ装置を提供することを目的としている。
たものであり、プラズマ発生時間とターゲット消耗量と
の関係データをメモリとして記憶したり、プラズマ発生
時間を一々管理することなく、均一に成膜できるスパッ
タ装置を提供することを目的としている。
【0009】
【課題を解決するための手段】このため、本発明はスパ
ッタ装置に成膜時のスパッタ条件の変化を検出するスパ
ッタ特性検出手段を配設し、このスパッタ特性検出手段
の検出信号が所定レベル内かレベル外かを判定し、レベ
ル外の場合に前記成膜距離調整手段を動作させてターゲ
ットと被処理物との相対的な位置を調節するように構成
したものである。上記成膜時のスパッタ条件の変化とし
て検出するスパッタ特性としては、被処理物の近傍に配
置させた膜厚モニタにより検出される成膜時の成膜スピ
ード、あるいは成膜時のスパッタ中の放電電流が適用さ
れる。これらの成膜スピードやスパッタ中の放電電流
は、ターゲットがスパッタの進行により消耗してターゲ
ットと被処理物との距離が増加すると、成膜スピードや
スパッタ中の放電電流が減少する特性があり、これらの
検出されたスパッタ特性の値が所定の設定値に対して所
定レベル以上偏位した場合には成膜距離が増加したと判
断し、成膜距離調整手段を動作させて、ターゲットと被
処理物との間隔を調節する。
ッタ装置に成膜時のスパッタ条件の変化を検出するスパ
ッタ特性検出手段を配設し、このスパッタ特性検出手段
の検出信号が所定レベル内かレベル外かを判定し、レベ
ル外の場合に前記成膜距離調整手段を動作させてターゲ
ットと被処理物との相対的な位置を調節するように構成
したものである。上記成膜時のスパッタ条件の変化とし
て検出するスパッタ特性としては、被処理物の近傍に配
置させた膜厚モニタにより検出される成膜時の成膜スピ
ード、あるいは成膜時のスパッタ中の放電電流が適用さ
れる。これらの成膜スピードやスパッタ中の放電電流
は、ターゲットがスパッタの進行により消耗してターゲ
ットと被処理物との距離が増加すると、成膜スピードや
スパッタ中の放電電流が減少する特性があり、これらの
検出されたスパッタ特性の値が所定の設定値に対して所
定レベル以上偏位した場合には成膜距離が増加したと判
断し、成膜距離調整手段を動作させて、ターゲットと被
処理物との間隔を調節する。
【0010】すなわち、本発明のスパッタ装置は、真空
チャンバ内にターゲットと被処理物とを対向して配置さ
せ、前記ターゲットをスパッタして被処理物上に金属薄
膜を成膜するスパッタ装置において、前記ターゲットと
被処理物との相対位置を可変する成膜距離調整手段と、
前記金属薄膜の成膜時前記ターゲットと被処理物との相
対位置の変化により特性値変化するスパッタ特性を検出
するスパッタ特性検出手段を配設し、前記スパッタ特性
検出手段の検出信号の変化に基づいて前記成膜距離調整
手段を動作させ、前記ターゲットと被処理物との相対位
置を可変するようにしたことを特徴としている。
チャンバ内にターゲットと被処理物とを対向して配置さ
せ、前記ターゲットをスパッタして被処理物上に金属薄
膜を成膜するスパッタ装置において、前記ターゲットと
被処理物との相対位置を可変する成膜距離調整手段と、
前記金属薄膜の成膜時前記ターゲットと被処理物との相
対位置の変化により特性値変化するスパッタ特性を検出
するスパッタ特性検出手段を配設し、前記スパッタ特性
検出手段の検出信号の変化に基づいて前記成膜距離調整
手段を動作させ、前記ターゲットと被処理物との相対位
置を可変するようにしたことを特徴としている。
【0011】また、前記スパッタ特性検出手段は被処理
物の近傍に配置され、前記被処理物の成膜と同時に成膜
された膜厚量に応じた特性値を出力する膜厚モニタで構
成されたことを特徴としている。
物の近傍に配置され、前記被処理物の成膜と同時に成膜
された膜厚量に応じた特性値を出力する膜厚モニタで構
成されたことを特徴としている。
【0012】また、前記スパッタ特性検出手段は前記成
膜時のスパッタ中の放電電流値を検出する電流検出回路
で構成されたことを特徴としている。
膜時のスパッタ中の放電電流値を検出する電流検出回路
で構成されたことを特徴としている。
【0013】
【作用】上記構成のスパッタ装置はターゲットがスパッ
タの進行により消耗してターゲットと被処理物との距離
が増加して成膜時のスパッタ特性が変化する。このスパ
ッタ特性の変化は成膜時にスパッタ特性検出手段によっ
て検出され、設定値と比較されて、所定レベル以上の偏
位は成膜距離が増加したとして成膜距離調整手段により
ターゲットと被処理物との距離が調節される。スパッタ
特性検出手段に膜厚モニタを用いる場合は膜厚モニタの
膜厚信号により成膜時の成膜スピードが検出され、設定
の成膜スピードと比較される。また、スパッタ特性検出
手段に電流検出回路を用いる場合はスパッタ中の放電電
流が直接検出されて設定のスパッタ放電電流と比較され
る。従って、ターゲットの消耗による成膜距離の変化は
その特性値変化に即応してスパッタ特性検出手段によっ
て検出され、ターゲットと被処理物との距離が調節され
る。
タの進行により消耗してターゲットと被処理物との距離
が増加して成膜時のスパッタ特性が変化する。このスパ
ッタ特性の変化は成膜時にスパッタ特性検出手段によっ
て検出され、設定値と比較されて、所定レベル以上の偏
位は成膜距離が増加したとして成膜距離調整手段により
ターゲットと被処理物との距離が調節される。スパッタ
特性検出手段に膜厚モニタを用いる場合は膜厚モニタの
膜厚信号により成膜時の成膜スピードが検出され、設定
の成膜スピードと比較される。また、スパッタ特性検出
手段に電流検出回路を用いる場合はスパッタ中の放電電
流が直接検出されて設定のスパッタ放電電流と比較され
る。従って、ターゲットの消耗による成膜距離の変化は
その特性値変化に即応してスパッタ特性検出手段によっ
て検出され、ターゲットと被処理物との距離が調節され
る。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。
明する。
【0015】図1は本発明の第1実施例のスパッタ装置
1であり、真空チャンバ2内の一端側に被処理物の半導
体ウェーハ3を保持するための載置台4が設けられてお
り、載置台4と対向する側にターゲット5を備えたスパ
ッタガン6が設けられている。
1であり、真空チャンバ2内の一端側に被処理物の半導
体ウェーハ3を保持するための載置台4が設けられてお
り、載置台4と対向する側にターゲット5を備えたスパ
ッタガン6が設けられている。
【0016】このスパッタガン6は真空チャンバ2内に
伸縮自在に構成されたベロー7が設けられている。ま
た、スパッタガン6の後部には、真空チャンバ2に対し
てスパッタガン6の位置を移動可能とするシリンダ8が
設けられ、シリンダ8を駆動することにより図示矢印方
向にスパッタガン6を移動させ、スパッタガン6の先端
部に設けられたターゲット5と半導体ウェーハ3の距離
が所定量だけ調節可能に構成されている。
伸縮自在に構成されたベロー7が設けられている。ま
た、スパッタガン6の後部には、真空チャンバ2に対し
てスパッタガン6の位置を移動可能とするシリンダ8が
設けられ、シリンダ8を駆動することにより図示矢印方
向にスパッタガン6を移動させ、スパッタガン6の先端
部に設けられたターゲット5と半導体ウェーハ3の距離
が所定量だけ調節可能に構成されている。
【0017】ターゲット5は形成すべき薄膜の材質に応
じて選択された例えばアルミ、ニッケル、コバルトなど
の金属を直径100mm程度の円板状に形成したもので
ある。
じて選択された例えばアルミ、ニッケル、コバルトなど
の金属を直径100mm程度の円板状に形成したもので
ある。
【0018】尚、ターゲット5の裏面側のスパッタガン
6内には、図示しないが、プラズマをターゲット5の表
面近傍に閉じこめ、ターゲット5の面上に高密度の放電
プラズマを集中させて高速スパッタリングを行うための
プラズマ制御用のマグネットやターゲット5を冷却する
冷却機構が配設されている。
6内には、図示しないが、プラズマをターゲット5の表
面近傍に閉じこめ、ターゲット5の面上に高密度の放電
プラズマを集中させて高速スパッタリングを行うための
プラズマ制御用のマグネットやターゲット5を冷却する
冷却機構が配設されている。
【0019】前記載置台4の半導体ウェーハ3の近傍に
は、本発明の特徴要素である薄膜の成膜スピードを検出
するための膜厚モニタ9が配設されている。この膜厚モ
ニタ9は、図示しないが、例えばシリコン基板上に所定
距離離間して一対の電極を設けたものであり、半導体ウ
ェーハ3の成膜と同時に膜厚モニタ9の基板上にも成膜
される。膜厚モニタ9は一対の電極間に膜厚検出回路1
0より所定の測定電圧が印加されると、図2に示すよう
に、成膜の膜厚に応じた電圧の膜厚信号が電極間に検出
される。そして、この膜厚検出回路10で検出された膜
厚信号は成膜スピード演算回路11により、成膜スピー
ドが演算され、設定された成膜スピード値と比較され、
所定レベル以上偏位した場合に距離駆動回路12に駆動
信号を送出する。
は、本発明の特徴要素である薄膜の成膜スピードを検出
するための膜厚モニタ9が配設されている。この膜厚モ
ニタ9は、図示しないが、例えばシリコン基板上に所定
距離離間して一対の電極を設けたものであり、半導体ウ
ェーハ3の成膜と同時に膜厚モニタ9の基板上にも成膜
される。膜厚モニタ9は一対の電極間に膜厚検出回路1
0より所定の測定電圧が印加されると、図2に示すよう
に、成膜の膜厚に応じた電圧の膜厚信号が電極間に検出
される。そして、この膜厚検出回路10で検出された膜
厚信号は成膜スピード演算回路11により、成膜スピー
ドが演算され、設定された成膜スピード値と比較され、
所定レベル以上偏位した場合に距離駆動回路12に駆動
信号を送出する。
【0020】即ち、この成膜スピード演算回路11では
膜厚検出回路10よりの膜厚信号を所定時間間隔で検出
し、その前後の検出信号から単位時間当たりの成膜厚
さ、つまり成膜スピードを演算する。そして、この演算
した成膜スピードをターゲット5と半導体ウェーハ3の
距離が所定の設定距離離間している場合に得られる成膜
スピードと比較して、所定以上偏位している場合はター
ゲット5が消耗していると判定して、距離駆動回路12
に駆動信号を送出する。
膜厚検出回路10よりの膜厚信号を所定時間間隔で検出
し、その前後の検出信号から単位時間当たりの成膜厚
さ、つまり成膜スピードを演算する。そして、この演算
した成膜スピードをターゲット5と半導体ウェーハ3の
距離が所定の設定距離離間している場合に得られる成膜
スピードと比較して、所定以上偏位している場合はター
ゲット5が消耗していると判定して、距離駆動回路12
に駆動信号を送出する。
【0021】距離駆動回路12では成膜スピード演算回
路11の駆動信号によりシリンダ8を駆動してスパッタ
ガン6を所定の設定量だけ移動させ、スパッタガン6の
先端部に設けられたターゲット5を半導体ウェーハ3側
へ移動させるように構成されている。
路11の駆動信号によりシリンダ8を駆動してスパッタ
ガン6を所定の設定量だけ移動させ、スパッタガン6の
先端部に設けられたターゲット5を半導体ウェーハ3側
へ移動させるように構成されている。
【0022】このように構成されたスパッタ装置1はタ
ーゲット5の表面がスパッタの進行によって消耗する
と、ターゲット5と半導体ウェーハ3との間隔が増加し
て成膜スピードが減少する。この成膜スピードの減少は
膜厚モニタ9の基板上に成膜される膜厚の減少となり、
これに接続した膜厚検出回路10の膜厚信号の変化とし
て検出される。そして、この変化した膜厚信号が成膜ス
ピード演算回路11で成膜スピードが演算され、所定値
以上の減少はターゲット5の消耗と判定されて、距離駆
動回路12でシリンダ8が駆動され、成膜距離が所定量
修正される。
ーゲット5の表面がスパッタの進行によって消耗する
と、ターゲット5と半導体ウェーハ3との間隔が増加し
て成膜スピードが減少する。この成膜スピードの減少は
膜厚モニタ9の基板上に成膜される膜厚の減少となり、
これに接続した膜厚検出回路10の膜厚信号の変化とし
て検出される。そして、この変化した膜厚信号が成膜ス
ピード演算回路11で成膜スピードが演算され、所定値
以上の減少はターゲット5の消耗と判定されて、距離駆
動回路12でシリンダ8が駆動され、成膜距離が所定量
修正される。
【0023】また、図2は本発明の第2実施例のスパッ
タ装置13である。
タ装置13である。
【0024】このスパッタ装置13も上記実施例と同様
に、スパッタガン6を真空チャンバ2内に伸縮自在に配
設すると共に、スパッタガン6の後部にシリンダ8を配
設して、スパッタガン6の先端部に設けたターゲット5
と載置台4上に配置した半導体ウェーハ3との距離を調
節可能にした構成のものである。
に、スパッタガン6を真空チャンバ2内に伸縮自在に配
設すると共に、スパッタガン6の後部にシリンダ8を配
設して、スパッタガン6の先端部に設けたターゲット5
と載置台4上に配置した半導体ウェーハ3との距離を調
節可能にした構成のものである。
【0025】このスパッタ装置13において、上記実施
例のスパッタ装置1と異なる点は、成膜時のスパッタ条
件の変化を検出するスパッタ特性検出手段にスパッタ中
の放電電流を検出する電流検出回路14を用いた点、お
よび距離駆動回路12を駆動する手段に、スパッタ中の
放電電流が所定の設定値内か否かを判別し、設定値から
所定値以上偏位した場合に駆動信号を送出する放電電流
判別回路15を用いた点のみであり、その他の構成は上
記スパッタ装置1と同じである。従って、同じ機能部品
は図1と同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
例のスパッタ装置1と異なる点は、成膜時のスパッタ条
件の変化を検出するスパッタ特性検出手段にスパッタ中
の放電電流を検出する電流検出回路14を用いた点、お
よび距離駆動回路12を駆動する手段に、スパッタ中の
放電電流が所定の設定値内か否かを判別し、設定値から
所定値以上偏位した場合に駆動信号を送出する放電電流
判別回路15を用いた点のみであり、その他の構成は上
記スパッタ装置1と同じである。従って、同じ機能部品
は図1と同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
【0026】即ち、電流検出回路14は、図示しない
が、ターゲット5に電圧を印加するスパッタリング電源
の回路に接続され、この電源回路の電流をスパッタリン
グ中の放電電流Iとして検出する。この放電電流Iは陽
極と陰極の放電距離Lが増加すると放電インピーダンス
が増加して放電電流Iが図2に示すように減少するもの
であり、成膜距離Lが増大すると放電電流Iが小さくな
る特性を有する。
が、ターゲット5に電圧を印加するスパッタリング電源
の回路に接続され、この電源回路の電流をスパッタリン
グ中の放電電流Iとして検出する。この放電電流Iは陽
極と陰極の放電距離Lが増加すると放電インピーダンス
が増加して放電電流Iが図2に示すように減少するもの
であり、成膜距離Lが増大すると放電電流Iが小さくな
る特性を有する。
【0027】放電電流判別回路15は電流検出回路14
で検出された放電電流検出信号を、ターゲット5と半導
体ウェーハ3の距離が所定の設定距離の場合に得られる
放電電流の設定値と比較して、所定以上偏位している場
合はターゲット5が消耗しているものと判定し、距離駆
動回路12に駆動信号を送出する。
で検出された放電電流検出信号を、ターゲット5と半導
体ウェーハ3の距離が所定の設定距離の場合に得られる
放電電流の設定値と比較して、所定以上偏位している場
合はターゲット5が消耗しているものと判定し、距離駆
動回路12に駆動信号を送出する。
【0028】距離駆動回路12では上記実施例のスパッ
タ装置1と同様にして、シリンダ8を駆動してスパッタ
ガン6を所定の設定量だけ移動させ、スパッタガン6の
先端部に設けられたターゲット5を半導体ウェーハ3側
へ移動させるように構成されている。
タ装置1と同様にして、シリンダ8を駆動してスパッタ
ガン6を所定の設定量だけ移動させ、スパッタガン6の
先端部に設けられたターゲット5を半導体ウェーハ3側
へ移動させるように構成されている。
【0029】かかる構成のスパッタ装置13はターゲッ
ト5の表面がスパッタの進行により消耗すると、ターゲ
ット5と半導体ウェーハ3との距離が増加して放電イン
ピーダンスが増加し、放電電流が減少する。この放電電
流の減少は電流検出回路14で検出され、所定以上の放
電電流の減少はターゲット5の消耗と判定されて、距離
駆動回路12でシリンダ8が駆動され、成膜距離が修正
される。
ト5の表面がスパッタの進行により消耗すると、ターゲ
ット5と半導体ウェーハ3との距離が増加して放電イン
ピーダンスが増加し、放電電流が減少する。この放電電
流の減少は電流検出回路14で検出され、所定以上の放
電電流の減少はターゲット5の消耗と判定されて、距離
駆動回路12でシリンダ8が駆動され、成膜距離が修正
される。
【0030】尚、ターゲット5と半導体ウェーハ3との
距離を調節する機構は上記実施例のようにターゲット5
側を駆動させる構造の他、半導体ウェーハ3を載置する
載置台4側を駆動させる構造など種々の機構に改変する
ことが可能である。
距離を調節する機構は上記実施例のようにターゲット5
側を駆動させる構造の他、半導体ウェーハ3を載置する
載置台4側を駆動させる構造など種々の機構に改変する
ことが可能である。
【0031】
【発明の効果】以上のように、本発明はスパッタ装置に
成膜時のスパッタ条件の変化を検出するスパッタ特性検
出手段を配設し、その検出された信号を所定の設定値と
比較して、所定値以上偏位している場合に成膜距離調整
手段を動作させ、ターゲットと被処理物との相対的な位
置を調節するように構成したから、位置調整が成膜作業
に即応して実施できる。また、位置調整に一々プラズマ
発生時間を管理したり、プラズマ発生時間とターゲット
消耗量との関係を設定する必要がなく、均一な成膜のス
パッタ作業が簡単に行える。
成膜時のスパッタ条件の変化を検出するスパッタ特性検
出手段を配設し、その検出された信号を所定の設定値と
比較して、所定値以上偏位している場合に成膜距離調整
手段を動作させ、ターゲットと被処理物との相対的な位
置を調節するように構成したから、位置調整が成膜作業
に即応して実施できる。また、位置調整に一々プラズマ
発生時間を管理したり、プラズマ発生時間とターゲット
消耗量との関係を設定する必要がなく、均一な成膜のス
パッタ作業が簡単に行える。
【図1】本発明の第1実施例でスパッタ装置の構成を示
す図。
す図。
【図2】図1の膜厚モニタで検出される膜厚信号の特性
図。
図。
【図3】本発明の第2実施例でスパッタ装置の構成を示
す図。
す図。
【図4】図3のスパッタ装置の放電電流の特性図。
1、13 スパッタ装置 2 真空チャンバ 3 被処理物 5 ターゲット 7 ベロー 8 シリンダ 9 膜厚モニタ 10 膜厚検出回路 11 成膜スピード演算回路 12 距離駆動回路 14 電流検出回路 15 放電電流判別回路
Claims (3)
- 【請求項1】 真空チャンバ内にターゲットと被処理物
とを対向して配置させ、前記ターゲットをスパッタして
被処理物上に金属薄膜を成膜するスパッタ装置におい
て、前記ターゲットと被処理物との相対位置を可変する
成膜距離調整手段と、前記金属薄膜の成膜時前記ターゲ
ットと被処理物との相対位置の変化により特性値変化す
るスパッタ特性を検出するスパッタ特性検出手段を配設
し、前記スパッタ特性検出手段の検出信号の変化に基づ
いて前記成膜距離調整手段を動作させ、前記ターゲット
と被処理物との相対位置を可変するようにしたことを特
徴とするスパッタ装置。 - 【請求項2】 前記スパッタ特性検出手段は被処理物の
近傍に配置され、前記被処理物の成膜と同時に成膜され
た膜厚量に応じた特性値を出力する膜厚モニタで構成さ
れたことを特徴とする請求項1記載のスパッタ装置。 - 【請求項3】 前記スパッタ特性検出手段は前記成膜時
のスパッタ中の放電電流値を検出する電流検出回路で構
成されたことを特徴とする請求項1記載のスパッタ装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19933193A JPH0754142A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19933193A JPH0754142A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | スパッタ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0754142A true JPH0754142A (ja) | 1995-02-28 |
Family
ID=16406023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19933193A Withdrawn JPH0754142A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0754142A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101009642B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치 및 이를 갖는마그네트론 스퍼터링 설비 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP19933193A patent/JPH0754142A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101009642B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치 및 이를 갖는마그네트론 스퍼터링 설비 |
US8882976B2 (en) | 2008-07-09 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Magnetron unit moving apparatus for preventing magnetization and magnetron sputtering equipment having the same |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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