JPH0754142A - スパッタ装置 - Google Patents
スパッタ装置Info
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- JPH0754142A JPH0754142A JP19933193A JP19933193A JPH0754142A JP H0754142 A JPH0754142 A JP H0754142A JP 19933193 A JP19933193 A JP 19933193A JP 19933193 A JP19933193 A JP 19933193A JP H0754142 A JPH0754142 A JP H0754142A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ターゲット５と被処理物３との相対位置を可
変する成膜距離調整手段７、８を有したスパッタ装置１
において、成膜距離調整手段８を容易かつ適切に駆動制
御する。 【構成】 スパッタ条件の変化を検出するスパッタ特性
検出手段として膜厚モニタ９を配設する。この膜厚モニ
タ９の検出信号から成膜スピード演算回路１１で成膜ス
ピードを演算し、演算した成膜スピードが所定の設定値
以上ずれた場合に距離駆動回路１２を駆動させ、距離調
整手段７、８を動作して、ターゲット５と被処理物３と
を所定間隔になるようにする。
変する成膜距離調整手段７、８を有したスパッタ装置１
において、成膜距離調整手段８を容易かつ適切に駆動制
御する。 【構成】 スパッタ条件の変化を検出するスパッタ特性
検出手段として膜厚モニタ９を配設する。この膜厚モニ
タ９の検出信号から成膜スピード演算回路１１で成膜ス
ピードを演算し、演算した成膜スピードが所定の設定値
以上ずれた場合に距離駆動回路１２を駆動させ、距離調
整手段７、８を動作して、ターゲット５と被処理物３と
を所定間隔になるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は例えば、半導体装置の
製造に使用され、半導体ウェーハの処理面に金属薄膜を
形成するスパッタ装置に関する。
製造に使用され、半導体ウェーハの処理面に金属薄膜を
形成するスパッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種スパッタ装置は被処理物、例えば
半導体ウェーハの金属薄膜の成膜に多用されている。か
かるスパッタ装置は真空チャンバ内にターゲットと呼ば
れる金属塊と被処理物の半導体ウェーハとを対向して配
置させ、これらのターゲットと半導体ウェーハ間に高電
圧を印加すると共に、真空チャンバ内にスパッタガスを
導入する。そして、このスパッタガスをプラズマ化して
プラズマ中のイオンを負電圧の電極であるターゲットに
衝突させてスパッタリングし、陽極側に設けられた半導
体ウェーハの表面に被着させて薄膜を形成する装置であ
る。
半導体ウェーハの金属薄膜の成膜に多用されている。か
かるスパッタ装置は真空チャンバ内にターゲットと呼ば
れる金属塊と被処理物の半導体ウェーハとを対向して配
置させ、これらのターゲットと半導体ウェーハ間に高電
圧を印加すると共に、真空チャンバ内にスパッタガスを
導入する。そして、このスパッタガスをプラズマ化して
プラズマ中のイオンを負電圧の電極であるターゲットに
衝突させてスパッタリングし、陽極側に設けられた半導
体ウェーハの表面に被着させて薄膜を形成する装置であ
る。
【０００３】尚、ターゲットの裏面側にはプラズマをタ
ーゲットの表面近傍に閉じこめ、ターゲット面上に高密
度の放電プラズマを集中させて高速スパッタリングを行
なうためのプラズマ制御用マグネットの磁場形成回路や
ターゲットを冷却する冷却機構等が配設される。
ーゲットの表面近傍に閉じこめ、ターゲット面上に高密
度の放電プラズマを集中させて高速スパッタリングを行
なうためのプラズマ制御用マグネットの磁場形成回路や
ターゲットを冷却する冷却機構等が配設される。
【０００４】ところで、このようなスパッタ装置は成膜
中、ターゲットの金属塊の表面がプラズマイオンにたた
かれて消耗し、ターゲットと被処理物の半導体ウェーハ
との距離が除々に離れていく。このため、プラズマイオ
ンにより叩きだされた金属分子が半導体ウェーハに到達
するまでの時間や金属分子の飛散する方向が変化して、
半導体ウェーハ上に形成される金属薄膜の膜厚が均一に
形成出来ないといった問題があった。
中、ターゲットの金属塊の表面がプラズマイオンにたた
かれて消耗し、ターゲットと被処理物の半導体ウェーハ
との距離が除々に離れていく。このため、プラズマイオ
ンにより叩きだされた金属分子が半導体ウェーハに到達
するまでの時間や金属分子の飛散する方向が変化して、
半導体ウェーハ上に形成される金属薄膜の膜厚が均一に
形成出来ないといった問題があった。
【０００５】このため、ターゲットと被処理物との相対
的な位置を可変する成膜距離調整手段を設けたスパッタ
装置が提案されている（特開平２−２９８２６３号公報
参照）。
的な位置を可変する成膜距離調整手段を設けたスパッタ
装置が提案されている（特開平２−２９８２６３号公報
参照）。
【０００６】このスパッタ装置はターゲットの消耗量に
応じてスパッタガンの位置を調節することで、ターゲッ
トと被処理物との距離、つまり成膜距離を一定に設定し
てスパッタリングすることができる。従って、プラズマ
イオンにより叩きだされた金属分子の飛散時間や飛散方
向が一定となり、常に同様のスパッタ条件が設定でき、
同一ターゲットで多数の半導体ウェーハの成膜を行なう
場合、膜厚等のバラツキが少ない均一な膜を形成するこ
とができる。
応じてスパッタガンの位置を調節することで、ターゲッ
トと被処理物との距離、つまり成膜距離を一定に設定し
てスパッタリングすることができる。従って、プラズマ
イオンにより叩きだされた金属分子の飛散時間や飛散方
向が一定となり、常に同様のスパッタ条件が設定でき、
同一ターゲットで多数の半導体ウェーハの成膜を行なう
場合、膜厚等のバラツキが少ない均一な膜を形成するこ
とができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記ス
パッタ装置はターゲットと被処理物間の位置調整をプラ
ズマ発生時間とターゲット消耗量との関係をデータとし
てメモリに記憶し、このメモリの読み出し出力値によっ
てターゲットとウェーハの間隔を調節するものであるか
ら、スパッタ条件が何らかの原因、例えばスパッタガス
圧などが変化すると、膜厚等の均一性や成膜の厚さがず
れる恐れがあり、プラズマ発生時間とターゲット消耗量
との関係を再設定する必要があった。また、位置調整に
一々プラズマ発生時間を管理する必要があり、作業が煩
雑であった。
パッタ装置はターゲットと被処理物間の位置調整をプラ
ズマ発生時間とターゲット消耗量との関係をデータとし
てメモリに記憶し、このメモリの読み出し出力値によっ
てターゲットとウェーハの間隔を調節するものであるか
ら、スパッタ条件が何らかの原因、例えばスパッタガス
圧などが変化すると、膜厚等の均一性や成膜の厚さがず
れる恐れがあり、プラズマ発生時間とターゲット消耗量
との関係を再設定する必要があった。また、位置調整に
一々プラズマ発生時間を管理する必要があり、作業が煩
雑であった。
【０００８】従って、本発明は上記問題点に鑑みなされ
たものであり、プラズマ発生時間とターゲット消耗量と
の関係データをメモリとして記憶したり、プラズマ発生
時間を一々管理することなく、均一に成膜できるスパッ
タ装置を提供することを目的としている。
たものであり、プラズマ発生時間とターゲット消耗量と
の関係データをメモリとして記憶したり、プラズマ発生
時間を一々管理することなく、均一に成膜できるスパッ
タ装置を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このため、本発明はスパ
ッタ装置に成膜時のスパッタ条件の変化を検出するスパ
ッタ特性検出手段を配設し、このスパッタ特性検出手段
の検出信号が所定レベル内かレベル外かを判定し、レベ
ル外の場合に前記成膜距離調整手段を動作させてターゲ
ットと被処理物との相対的な位置を調節するように構成
したものである。上記成膜時のスパッタ条件の変化とし
て検出するスパッタ特性としては、被処理物の近傍に配
置させた膜厚モニタにより検出される成膜時の成膜スピ
ード、あるいは成膜時のスパッタ中の放電電流が適用さ
れる。これらの成膜スピードやスパッタ中の放電電流
は、ターゲットがスパッタの進行により消耗してターゲ
ットと被処理物との距離が増加すると、成膜スピードや
スパッタ中の放電電流が減少する特性があり、これらの
検出されたスパッタ特性の値が所定の設定値に対して所
定レベル以上偏位した場合には成膜距離が増加したと判
断し、成膜距離調整手段を動作させて、ターゲットと被
処理物との間隔を調節する。
ッタ装置に成膜時のスパッタ条件の変化を検出するスパ
ッタ特性検出手段を配設し、このスパッタ特性検出手段
の検出信号が所定レベル内かレベル外かを判定し、レベ
ル外の場合に前記成膜距離調整手段を動作させてターゲ
ットと被処理物との相対的な位置を調節するように構成
したものである。上記成膜時のスパッタ条件の変化とし
て検出するスパッタ特性としては、被処理物の近傍に配
置させた膜厚モニタにより検出される成膜時の成膜スピ
ード、あるいは成膜時のスパッタ中の放電電流が適用さ
れる。これらの成膜スピードやスパッタ中の放電電流
は、ターゲットがスパッタの進行により消耗してターゲ
ットと被処理物との距離が増加すると、成膜スピードや
スパッタ中の放電電流が減少する特性があり、これらの
検出されたスパッタ特性の値が所定の設定値に対して所
定レベル以上偏位した場合には成膜距離が増加したと判
断し、成膜距離調整手段を動作させて、ターゲットと被
処理物との間隔を調節する。
【００１０】すなわち、本発明のスパッタ装置は、真空
チャンバ内にターゲットと被処理物とを対向して配置さ
せ、前記ターゲットをスパッタして被処理物上に金属薄
膜を成膜するスパッタ装置において、前記ターゲットと
被処理物との相対位置を可変する成膜距離調整手段と、
前記金属薄膜の成膜時前記ターゲットと被処理物との相
対位置の変化により特性値変化するスパッタ特性を検出
するスパッタ特性検出手段を配設し、前記スパッタ特性
検出手段の検出信号の変化に基づいて前記成膜距離調整
手段を動作させ、前記ターゲットと被処理物との相対位
置を可変するようにしたことを特徴としている。
チャンバ内にターゲットと被処理物とを対向して配置さ
せ、前記ターゲットをスパッタして被処理物上に金属薄
膜を成膜するスパッタ装置において、前記ターゲットと
被処理物との相対位置を可変する成膜距離調整手段と、
前記金属薄膜の成膜時前記ターゲットと被処理物との相
対位置の変化により特性値変化するスパッタ特性を検出
するスパッタ特性検出手段を配設し、前記スパッタ特性
検出手段の検出信号の変化に基づいて前記成膜距離調整
手段を動作させ、前記ターゲットと被処理物との相対位
置を可変するようにしたことを特徴としている。
【００１１】また、前記スパッタ特性検出手段は被処理
物の近傍に配置され、前記被処理物の成膜と同時に成膜
された膜厚量に応じた特性値を出力する膜厚モニタで構
成されたことを特徴としている。
物の近傍に配置され、前記被処理物の成膜と同時に成膜
された膜厚量に応じた特性値を出力する膜厚モニタで構
成されたことを特徴としている。
【００１２】また、前記スパッタ特性検出手段は前記成
膜時のスパッタ中の放電電流値を検出する電流検出回路
で構成されたことを特徴としている。
膜時のスパッタ中の放電電流値を検出する電流検出回路
で構成されたことを特徴としている。
【００１３】
【作用】上記構成のスパッタ装置はターゲットがスパッ
タの進行により消耗してターゲットと被処理物との距離
が増加して成膜時のスパッタ特性が変化する。このスパ
ッタ特性の変化は成膜時にスパッタ特性検出手段によっ
て検出され、設定値と比較されて、所定レベル以上の偏
位は成膜距離が増加したとして成膜距離調整手段により
ターゲットと被処理物との距離が調節される。スパッタ
特性検出手段に膜厚モニタを用いる場合は膜厚モニタの
膜厚信号により成膜時の成膜スピードが検出され、設定
の成膜スピードと比較される。また、スパッタ特性検出
手段に電流検出回路を用いる場合はスパッタ中の放電電
流が直接検出されて設定のスパッタ放電電流と比較され
る。従って、ターゲットの消耗による成膜距離の変化は
その特性値変化に即応してスパッタ特性検出手段によっ
て検出され、ターゲットと被処理物との距離が調節され
る。
タの進行により消耗してターゲットと被処理物との距離
が増加して成膜時のスパッタ特性が変化する。このスパ
ッタ特性の変化は成膜時にスパッタ特性検出手段によっ
て検出され、設定値と比較されて、所定レベル以上の偏
位は成膜距離が増加したとして成膜距離調整手段により
ターゲットと被処理物との距離が調節される。スパッタ
特性検出手段に膜厚モニタを用いる場合は膜厚モニタの
膜厚信号により成膜時の成膜スピードが検出され、設定
の成膜スピードと比較される。また、スパッタ特性検出
手段に電流検出回路を用いる場合はスパッタ中の放電電
流が直接検出されて設定のスパッタ放電電流と比較され
る。従って、ターゲットの消耗による成膜距離の変化は
その特性値変化に即応してスパッタ特性検出手段によっ
て検出され、ターゲットと被処理物との距離が調節され
る。
【００１４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。
明する。
【００１５】図１は本発明の第１実施例のスパッタ装置
１であり、真空チャンバ２内の一端側に被処理物の半導
体ウェーハ３を保持するための載置台４が設けられてお
り、載置台４と対向する側にターゲット５を備えたスパ
ッタガン６が設けられている。
１であり、真空チャンバ２内の一端側に被処理物の半導
体ウェーハ３を保持するための載置台４が設けられてお
り、載置台４と対向する側にターゲット５を備えたスパ
ッタガン６が設けられている。
【００１６】このスパッタガン６は真空チャンバ２内に
伸縮自在に構成されたベロー７が設けられている。ま
た、スパッタガン６の後部には、真空チャンバ２に対し
てスパッタガン６の位置を移動可能とするシリンダ８が
設けられ、シリンダ８を駆動することにより図示矢印方
向にスパッタガン６を移動させ、スパッタガン６の先端
部に設けられたターゲット５と半導体ウェーハ３の距離
が所定量だけ調節可能に構成されている。
伸縮自在に構成されたベロー７が設けられている。ま
た、スパッタガン６の後部には、真空チャンバ２に対し
てスパッタガン６の位置を移動可能とするシリンダ８が
設けられ、シリンダ８を駆動することにより図示矢印方
向にスパッタガン６を移動させ、スパッタガン６の先端
部に設けられたターゲット５と半導体ウェーハ３の距離
が所定量だけ調節可能に構成されている。
【００１７】ターゲット５は形成すべき薄膜の材質に応
じて選択された例えばアルミ、ニッケル、コバルトなど
の金属を直径１００ｍｍ程度の円板状に形成したもので
ある。
じて選択された例えばアルミ、ニッケル、コバルトなど
の金属を直径１００ｍｍ程度の円板状に形成したもので
ある。
【００１８】尚、ターゲット５の裏面側のスパッタガン
６内には、図示しないが、プラズマをターゲット５の表
面近傍に閉じこめ、ターゲット５の面上に高密度の放電
プラズマを集中させて高速スパッタリングを行うための
プラズマ制御用のマグネットやターゲット５を冷却する
冷却機構が配設されている。
６内には、図示しないが、プラズマをターゲット５の表
面近傍に閉じこめ、ターゲット５の面上に高密度の放電
プラズマを集中させて高速スパッタリングを行うための
プラズマ制御用のマグネットやターゲット５を冷却する
冷却機構が配設されている。
【００１９】前記載置台４の半導体ウェーハ３の近傍に
は、本発明の特徴要素である薄膜の成膜スピードを検出
するための膜厚モニタ９が配設されている。この膜厚モ
ニタ９は、図示しないが、例えばシリコン基板上に所定
距離離間して一対の電極を設けたものであり、半導体ウ
ェーハ３の成膜と同時に膜厚モニタ９の基板上にも成膜
される。膜厚モニタ９は一対の電極間に膜厚検出回路１
０より所定の測定電圧が印加されると、図２に示すよう
に、成膜の膜厚に応じた電圧の膜厚信号が電極間に検出
される。そして、この膜厚検出回路１０で検出された膜
厚信号は成膜スピード演算回路１１により、成膜スピー
ドが演算され、設定された成膜スピード値と比較され、
所定レベル以上偏位した場合に距離駆動回路１２に駆動
信号を送出する。
は、本発明の特徴要素である薄膜の成膜スピードを検出
するための膜厚モニタ９が配設されている。この膜厚モ
ニタ９は、図示しないが、例えばシリコン基板上に所定
距離離間して一対の電極を設けたものであり、半導体ウ
ェーハ３の成膜と同時に膜厚モニタ９の基板上にも成膜
される。膜厚モニタ９は一対の電極間に膜厚検出回路１
０より所定の測定電圧が印加されると、図２に示すよう
に、成膜の膜厚に応じた電圧の膜厚信号が電極間に検出
される。そして、この膜厚検出回路１０で検出された膜
厚信号は成膜スピード演算回路１１により、成膜スピー
ドが演算され、設定された成膜スピード値と比較され、
所定レベル以上偏位した場合に距離駆動回路１２に駆動
信号を送出する。
【００２０】即ち、この成膜スピード演算回路１１では
膜厚検出回路１０よりの膜厚信号を所定時間間隔で検出
し、その前後の検出信号から単位時間当たりの成膜厚
さ、つまり成膜スピードを演算する。そして、この演算
した成膜スピードをターゲット５と半導体ウェーハ３の
距離が所定の設定距離離間している場合に得られる成膜
スピードと比較して、所定以上偏位している場合はター
ゲット５が消耗していると判定して、距離駆動回路１２
に駆動信号を送出する。
膜厚検出回路１０よりの膜厚信号を所定時間間隔で検出
し、その前後の検出信号から単位時間当たりの成膜厚
さ、つまり成膜スピードを演算する。そして、この演算
した成膜スピードをターゲット５と半導体ウェーハ３の
距離が所定の設定距離離間している場合に得られる成膜
スピードと比較して、所定以上偏位している場合はター
ゲット５が消耗していると判定して、距離駆動回路１２
に駆動信号を送出する。
【００２１】距離駆動回路１２では成膜スピード演算回
路１１の駆動信号によりシリンダ８を駆動してスパッタ
ガン６を所定の設定量だけ移動させ、スパッタガン６の
先端部に設けられたターゲット５を半導体ウェーハ３側
へ移動させるように構成されている。
路１１の駆動信号によりシリンダ８を駆動してスパッタ
ガン６を所定の設定量だけ移動させ、スパッタガン６の
先端部に設けられたターゲット５を半導体ウェーハ３側
へ移動させるように構成されている。
【００２２】このように構成されたスパッタ装置１はタ
ーゲット５の表面がスパッタの進行によって消耗する
と、ターゲット５と半導体ウェーハ３との間隔が増加し
て成膜スピードが減少する。この成膜スピードの減少は
膜厚モニタ９の基板上に成膜される膜厚の減少となり、
これに接続した膜厚検出回路１０の膜厚信号の変化とし
て検出される。そして、この変化した膜厚信号が成膜ス
ピード演算回路１１で成膜スピードが演算され、所定値
以上の減少はターゲット５の消耗と判定されて、距離駆
動回路１２でシリンダ８が駆動され、成膜距離が所定量
修正される。
ーゲット５の表面がスパッタの進行によって消耗する
と、ターゲット５と半導体ウェーハ３との間隔が増加し
て成膜スピードが減少する。この成膜スピードの減少は
膜厚モニタ９の基板上に成膜される膜厚の減少となり、
これに接続した膜厚検出回路１０の膜厚信号の変化とし
て検出される。そして、この変化した膜厚信号が成膜ス
ピード演算回路１１で成膜スピードが演算され、所定値
以上の減少はターゲット５の消耗と判定されて、距離駆
動回路１２でシリンダ８が駆動され、成膜距離が所定量
修正される。
【００２３】また、図２は本発明の第２実施例のスパッ
タ装置１３である。
タ装置１３である。
【００２４】このスパッタ装置１３も上記実施例と同様
に、スパッタガン６を真空チャンバ２内に伸縮自在に配
設すると共に、スパッタガン６の後部にシリンダ８を配
設して、スパッタガン６の先端部に設けたターゲット５
と載置台４上に配置した半導体ウェーハ３との距離を調
節可能にした構成のものである。
に、スパッタガン６を真空チャンバ２内に伸縮自在に配
設すると共に、スパッタガン６の後部にシリンダ８を配
設して、スパッタガン６の先端部に設けたターゲット５
と載置台４上に配置した半導体ウェーハ３との距離を調
節可能にした構成のものである。
【００２５】このスパッタ装置１３において、上記実施
例のスパッタ装置１と異なる点は、成膜時のスパッタ条
件の変化を検出するスパッタ特性検出手段にスパッタ中
の放電電流を検出する電流検出回路１４を用いた点、お
よび距離駆動回路１２を駆動する手段に、スパッタ中の
放電電流が所定の設定値内か否かを判別し、設定値から
所定値以上偏位した場合に駆動信号を送出する放電電流
判別回路１５を用いた点のみであり、その他の構成は上
記スパッタ装置１と同じである。従って、同じ機能部品
は図１と同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
例のスパッタ装置１と異なる点は、成膜時のスパッタ条
件の変化を検出するスパッタ特性検出手段にスパッタ中
の放電電流を検出する電流検出回路１４を用いた点、お
よび距離駆動回路１２を駆動する手段に、スパッタ中の
放電電流が所定の設定値内か否かを判別し、設定値から
所定値以上偏位した場合に駆動信号を送出する放電電流
判別回路１５を用いた点のみであり、その他の構成は上
記スパッタ装置１と同じである。従って、同じ機能部品
は図１と同じ参照符号を付して、その説明を省略する。
【００２６】即ち、電流検出回路１４は、図示しない
が、ターゲット５に電圧を印加するスパッタリング電源
の回路に接続され、この電源回路の電流をスパッタリン
グ中の放電電流Ｉとして検出する。この放電電流Ｉは陽
極と陰極の放電距離Ｌが増加すると放電インピーダンス
が増加して放電電流Ｉが図２に示すように減少するもの
であり、成膜距離Ｌが増大すると放電電流Ｉが小さくな
る特性を有する。
が、ターゲット５に電圧を印加するスパッタリング電源
の回路に接続され、この電源回路の電流をスパッタリン
グ中の放電電流Ｉとして検出する。この放電電流Ｉは陽
極と陰極の放電距離Ｌが増加すると放電インピーダンス
が増加して放電電流Ｉが図２に示すように減少するもの
であり、成膜距離Ｌが増大すると放電電流Ｉが小さくな
る特性を有する。
【００２７】放電電流判別回路１５は電流検出回路１４
で検出された放電電流検出信号を、ターゲット５と半導
体ウェーハ３の距離が所定の設定距離の場合に得られる
放電電流の設定値と比較して、所定以上偏位している場
合はターゲット５が消耗しているものと判定し、距離駆
動回路１２に駆動信号を送出する。
で検出された放電電流検出信号を、ターゲット５と半導
体ウェーハ３の距離が所定の設定距離の場合に得られる
放電電流の設定値と比較して、所定以上偏位している場
合はターゲット５が消耗しているものと判定し、距離駆
動回路１２に駆動信号を送出する。
【００２８】距離駆動回路１２では上記実施例のスパッ
タ装置１と同様にして、シリンダ８を駆動してスパッタ
ガン６を所定の設定量だけ移動させ、スパッタガン６の
先端部に設けられたターゲット５を半導体ウェーハ３側
へ移動させるように構成されている。
タ装置１と同様にして、シリンダ８を駆動してスパッタ
ガン６を所定の設定量だけ移動させ、スパッタガン６の
先端部に設けられたターゲット５を半導体ウェーハ３側
へ移動させるように構成されている。
【００２９】かかる構成のスパッタ装置１３はターゲッ
ト５の表面がスパッタの進行により消耗すると、ターゲ
ット５と半導体ウェーハ３との距離が増加して放電イン
ピーダンスが増加し、放電電流が減少する。この放電電
流の減少は電流検出回路１４で検出され、所定以上の放
電電流の減少はターゲット５の消耗と判定されて、距離
駆動回路１２でシリンダ８が駆動され、成膜距離が修正
される。
ト５の表面がスパッタの進行により消耗すると、ターゲ
ット５と半導体ウェーハ３との距離が増加して放電イン
ピーダンスが増加し、放電電流が減少する。この放電電
流の減少は電流検出回路１４で検出され、所定以上の放
電電流の減少はターゲット５の消耗と判定されて、距離
駆動回路１２でシリンダ８が駆動され、成膜距離が修正
される。
【００３０】尚、ターゲット５と半導体ウェーハ３との
距離を調節する機構は上記実施例のようにターゲット５
側を駆動させる構造の他、半導体ウェーハ３を載置する
載置台４側を駆動させる構造など種々の機構に改変する
ことが可能である。
距離を調節する機構は上記実施例のようにターゲット５
側を駆動させる構造の他、半導体ウェーハ３を載置する
載置台４側を駆動させる構造など種々の機構に改変する
ことが可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明はスパッタ装置に
成膜時のスパッタ条件の変化を検出するスパッタ特性検
出手段を配設し、その検出された信号を所定の設定値と
比較して、所定値以上偏位している場合に成膜距離調整
手段を動作させ、ターゲットと被処理物との相対的な位
置を調節するように構成したから、位置調整が成膜作業
に即応して実施できる。また、位置調整に一々プラズマ
発生時間を管理したり、プラズマ発生時間とターゲット
消耗量との関係を設定する必要がなく、均一な成膜のス
パッタ作業が簡単に行える。
成膜時のスパッタ条件の変化を検出するスパッタ特性検
出手段を配設し、その検出された信号を所定の設定値と
比較して、所定値以上偏位している場合に成膜距離調整
手段を動作させ、ターゲットと被処理物との相対的な位
置を調節するように構成したから、位置調整が成膜作業
に即応して実施できる。また、位置調整に一々プラズマ
発生時間を管理したり、プラズマ発生時間とターゲット
消耗量との関係を設定する必要がなく、均一な成膜のス
パッタ作業が簡単に行える。
【図１】本発明の第１実施例でスパッタ装置の構成を示
す図。
す図。
【図２】図１の膜厚モニタで検出される膜厚信号の特性
図。
図。
【図３】本発明の第２実施例でスパッタ装置の構成を示
す図。
す図。
【図４】図３のスパッタ装置の放電電流の特性図。
1、13 スパッタ装置 2 真空チャンバ 3 被処理物 5 ターゲット 7 ベロー 8 シリンダ 9 膜厚モニタ 10 膜厚検出回路 11 成膜スピード演算回路 12 距離駆動回路 14 電流検出回路 15 放電電流判別回路
Claims (3)
- 【請求項１】 真空チャンバ内にターゲットと被処理物
とを対向して配置させ、前記ターゲットをスパッタして
被処理物上に金属薄膜を成膜するスパッタ装置におい
て、前記ターゲットと被処理物との相対位置を可変する
成膜距離調整手段と、前記金属薄膜の成膜時前記ターゲ
ットと被処理物との相対位置の変化により特性値変化す
るスパッタ特性を検出するスパッタ特性検出手段を配設
し、前記スパッタ特性検出手段の検出信号の変化に基づ
いて前記成膜距離調整手段を動作させ、前記ターゲット
と被処理物との相対位置を可変するようにしたことを特
徴とするスパッタ装置。 - 【請求項２】 前記スパッタ特性検出手段は被処理物の
近傍に配置され、前記被処理物の成膜と同時に成膜され
た膜厚量に応じた特性値を出力する膜厚モニタで構成さ
れたことを特徴とする請求項１記載のスパッタ装置。 - 【請求項３】 前記スパッタ特性検出手段は前記成膜時
のスパッタ中の放電電流値を検出する電流検出回路で構
成されたことを特徴とする請求項１記載のスパッタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19933193A JPH0754142A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | スパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19933193A JPH0754142A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | スパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0754142A true JPH0754142A (ja) | 1995-02-28 |
Family
ID=16406023
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19933193A Withdrawn JPH0754142A (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | スパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0754142A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101009642B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치 및 이를 갖는마그네트론 스퍼터링 설비 |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP19933193A patent/JPH0754142A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101009642B1 (ko) * | 2008-07-09 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 자화 방지용 마그네트론 부 이송 장치 및 이를 갖는마그네트론 스퍼터링 설비 |
| US8882976B2 (en) | 2008-07-09 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Magnetron unit moving apparatus for preventing magnetization and magnetron sputtering equipment having the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001031 |