JPH075324A - ビームスプリッタ及び光学的情報記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光学的情報記録再生装置の光ヘッドに設けら
れたビームスプリッタの反射率及び位相差の入射角依存
性を小さくする。 【構成】 １対の基板５１，５２間に設けられた誘電体
多層膜５３を、屈折率の異なる３種類の材料Ｔ_iＯ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、Ｍ_gＦ₂の層を交互に積層して構成し、ブリュー
スタ角を複数とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光ヘッドに設けられ、
光記録媒体からの反射光を分離するビームスプリッタ、
特に反射率などの入射角依存性の小さいビームスプリッ
タと、このビームスプリッタを備えた光学的情報記録再
生装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ等の
磁性部材からなるディスクを垂直方向に磁化して情報を
記録し、また、これを読み取る光磁気方式の記録再生装
置（以下、ＭＯドライバ）が知られている。かかるＭＯ
ドライバは、ディスク上にレーザビームを照射すること
によって、ディスクにキュリー点以上のエネルギを与え
て、外部磁場の磁性方向に応じた磁性をディスクの垂直
方向に与えることによって情報を記録する。また、ディ
スクに記録された情報の読み取りは、ディスクの磁性方
向に応じてレーザビームの偏光面がカー効果によってわ
ずかに回転することを利用して、ディスクからの反射光
のＰ偏光成分、Ｓ偏光成分の変化を検出する。

【０００３】図１６は、かかるＭＯドライバの一例の構
成を示すブロック図であり、図においては磁場変調方式
のＭＯドライバが例示されている。図において、ディス
ク１は、スピンドルモータ２によって回転されており、
ディスク１の記録面側（図においては下面）には、レー
ザビームを照射する光ヘッド１００が、ディスク１の反
記録面側（図においては上面）には、外部磁場を発生す
る磁気ヘッド３００が、それぞれ設けられている。光ヘ
ッド１００は、ディスク１の半径方向に図示しないキャ
リッジによって移動される。光ヘッド１００には、レー
ザビームを出射するための半導体レーザダイオード（以
下、ＬＤ）１１と、ＬＤ１１から出射された発散光をほ
ぼ平行な光束にするためのコリメータレンズ１５と、光
束を複数の回折光に分岐するグレーティング素子（以
下、グレーティング）１６が設けられている。グレーテ
ィング１６を介した出射光は、ビームスプリッタ１３を
介して対物レンズ１２に導かれ、ディスク１上に集光さ
れる。

【０００４】なお、グレーティング１６は、トラッキン
グサーボ方式として、周知な３ビーム法を使用する場合
に必要なものであり、プッシュブル法等の１ビーム方式
のトラッキングサーボ方式を用いる場合には、グレーテ
ィング１６を設ける必要はない。

【０００５】一方、ディスク１を反射した反射光は、対
物レンズ１２を介してビームスプリッタ１３に導かれ、
光路を曲げられた後、λ／２板１７に入射されて偏光面
が４５゜回転させられる。反射光は、さらに集光レンズ
１８によって集光光束とされた後、シリンドリカルレン
ズ１９によって非点収差が与えられ、偏光ビームスプリ
ッタ（以下、ＰＢＳ）１４に導かれる。ＰＢＳ１４は、
反射光の例えばＰ偏光成分を透過し、Ｓ偏光成分を反射
して、それぞれの成分の光を分離し、分離された各偏光
成分の光は、受光素子２０，２１にそれぞれ導かれる。

【０００６】ディスク１に記録された情報は、受光素子
２０の出力と受光素子２１の出力との差を演算して得ら
れ、また一方の受光素子（図示の例では受光素子２０）
を適宜分割して、受光したビームの分布、強度などから
フォーカスサーボ、トラッキングサーボなどに必要なエ
ラー信号が生成される。

【０００７】なお、ここでは、これら光ヘッド１００の
うち、特にコリメータレンズ１５からビームスプリッタ
１３を経由し、対物レンズ１２に至る光学系を集光光学
系と称し、ビームスプリッタ１３を反射した後、受光素
子２０、２１に至るまでの光学系を受光光学系と称す
る。

【０００８】一方、磁気ヘッド３００は、外部磁場を与
えるためのコイル３１と、コイル３１に流す電流を与え
るドライバ３２が設けられ、ドライバ３２は、エンコー
ダ３３によって変調された変調信号に基づいて、コイル
３１に供給する電流の極性を制御する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記のＭＯドライバに
おいては、ビームスプリッタ１３は平行光路中に配置さ
れているが、光学ヘッドを小型化するために、図１７に
示すように、図１６におけるコリメータレンズ１５及び
集光レンズ１８を省略し、ビームスプリッタ１３を発散
もしくは収束光路中に配置することが望まれる。しかし
ながら、従来のビームスプリッタ１３は、図１８及び図
１９に示すように、三角柱状の１対の基板５１，５２の
対向面間に、２種類の材料からなる誘電体膜５３ａ，５
２ｂが交互に積層されてなる誘電体多層膜５３が挟持さ
れ、接着剤層５４で接着固定されていた。

【００１０】上記構成のビームスプリッタ１３による
と、個々の膜境界における反射率特性はすべて同じであ
り、この１種類の反射率特性の干渉効果を考慮して積層
された構成となっている。ここでＰ偏光の反射率特性に
着目してみると、図２０に破線Ｒ_Pで示すように、その
特性は入射角度θによって反射率Ｒがゼロになる入射角
度、すなわちブリュースタ角θ_Bを有する。

【００１１】ブリュースタ角θ_Bは、図２１に示すよう
に、屈折率ｎ_sの１対の基板６１，６２間にそれぞれ屈
折率ｎ_x、ｎ_yの膜６３ａ，６３ｂが交互に積層された多
層膜６３が挟持されているとき、膜６３ａを通る光の法
線とのなす角θ_Bが膜６３ｂに対 する膜６３ａのブリュ
ースタ角である。また基板６１を通って多層膜６３に入
射する角θ_Bαが、ブリュースタ角θ_Bの多層膜６３への
入射角に換算した値、すなわち、対基板換算ブリュース
タ角である。

【００１２】ブリュースタ角θ_Bが所望の入射角範囲内
に存在するときは、ブリュースタ角θ_Bについては多層
膜５３を何層積層してもＰ偏光反射率はゼロとなるた
め、入射角範囲で所望のＰ偏光反射率Ｒ_pを得ることが
できない。また、たとえブリュースタ角θ_Bを入射角範
囲外に設定しても、１つの境界における反射率及びＰ偏
光とＳ偏光との位相差の入射角依存性が傾きがあるた
め、少ない層数で広い入射角範囲において反射率を安定
させることは困難であった。なお、図２０に示す実線Ｒ
_sは、Ｓ偏光の反射率特性を示す。

【００１３】本発明は、このような状況に鑑みてなされ
たもので、反射率及び位相差の入射角依存性の小さいビ
ームスプリッタ、及び前記ビームスプリッタを備えた光
学的情報記録再生装置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載のビームスプリッタは、基板５１，
５２と、基板５１，５２上に形成された光学多層膜とし
ての誘電体多層膜５３とを備えるビームスプリッタにお
いて、誘電体多層膜５３は少なくとも３種類の材料を含
むことを特徴とする。

【００１５】請求項２に記載のビームスプリッタは、誘
電体多層膜５３は、 θ₀ ：誘電体多層膜に入射する光の入射角範囲の中心値 θ_B1：隣接する２種類の誘電体膜間の第１の境界におけ
る対基板換算ブリュースタ角 θ_B2：隣接する他の２種類の誘電体膜間の第２の境界に
おける対基板換算ブリュースタ角 ｎ_s ：基板の屈折率 Ｒ₀₁：第１の境界における入射角０での反射率 Ｒ₀₂：第２の境界における入射角０での反射率 φ₀ ：４５゜＋ａｒｃｓｉｎ｛（１／ｎ_s）ｓｉｎ（θ₀
−４５゜）｝ φ_B1：４５゜＋ａｒｃｓｉｎ｛（１／ｎ_s）ｓｉｎ（θ
_B1−４５゜）｝ φ_B2：４５゜＋ａｒｃｓｉｎ｛（１／ｎ_s）ｓｉｎ（θ
_B2−４５゜）｝ としたとき、 φ₀ ＋３゜≦φ_B1 φ₀ −１０゜≦φ_B2≦φ₀ Ｒ₀₁≧０．５％ Ｒ₀₂≧０．５％ の関係を満たす、少なくとも３種類の材料を含むことを
特徴とする。

【００１６】請求項３に記載のビームスプリッタは、φ
_B1、φ_B2は、 ｜φ_B1−φ_B2｜≧５゜ の関係を満たし、誘電体多層膜５３は、少なくとも６層
以上により構成されていることを特徴とする。

【００１７】請求項４に記載のビームスプリッタは、φ
₀、φ_B1、φ_B2は、 φ₀−φ_B2＜φ_B1−φ₀ の関係を満たすことを特徴とする。

【００１８】請求項５に記載のビームスプリッタは、第
１の境界の数が、第２の境界の数より多く、誘電体多層
膜５３は、少なくとも６層以上により構成されているこ
とを特徴とする。

【００１９】請求項６に記載のビームスプリッタは、基
板５１，５２の屈折率ｎ_sは、１．６以上であることを
特徴とする。

【００２０】請求項７に記載のビームスプリッタは、少
なくとも３種類の材料は、主成分として、Ｔｉの酸化
物、Ａｌの酸化物、Ｍｇのフッ化物、Ｈｆの酸化物、Ｓ
ｉの酸化物のうちの任意の３種類を含んでいることを特
徴とする。

【００２１】請求項８に記載のビームスプリッタは、少
なくとも３種類の材料は、主成分として、Ｔｉの酸化
物、Ａｌの酸化物、Ｍｇのフッ化物の３種類であること
を特徴とする。

【００２２】請求項９に記載のビームスプリッタは、少
なくとも３種類の材料は、主成分として、Ｔｉの酸化
物、Ａｌの酸化物、Ｓｉの酸化物の３種類であることを
特徴とする。

【００２３】請求項１０に記載のビームスプリッタは、
誘電体多層膜は、θ₀、θ_B1、θ_B2、ｎ_s、Ｒ₀₁、Ｒ₀₂、
φ₀、φ_B1、φ_B2を、それぞれ請求項２に記載の値とし
たとき、 φ₀＋３゜≦φ_B1 φ₀≦φ_B2≦φ₀＋２５゜ Ｒ₀₁≧０．８％ Ｒ₀₂≧０．８％ φ_B1≧φ_B2 の関係を満たす、少なくとも３種類の材料を含むことを
特徴とする。

【００２４】請求項１１に記載のビームスプリッタは、
Ｒ₀₁、Ｒ₀₂は、 ｜Ｒ₀₁−Ｒ₀₂｜＞２．５％ の関係を満たすことを特徴とする。

【００２５】請求項１２に記載のビームスプリッタは、
第１の境界の数が、第２の境界の数より多く、誘電体多
層膜５３は、少なくとも６層以上により構成されている
ことを特徴とする。

【００２６】請求項１３に記載のビームスプリッタは、
基板５１，５２の屈折率ｎ_sは、１．６未満であること
を特徴とする。

【００２７】請求項１４に記載のビームスプリッタは、
少なくとも３種類の材料は、主成分として、Ｔｉの酸化
物、Ａｌの酸化物、Ｍｇのフッ化物、Ｈｆの酸化物、Ｓ
ｉの酸化物のうちの任意の３種類を含んでいることを特
徴とする。

【００２８】請求項１５に記載のビームスプリッタは、
少なくとも３種類の材料は、主成分として、Ｔｉの酸化
物、Ａｌの酸化物、Ｍｇのフッ化物の３種類であること
を特徴とする。

【００２９】請求項１６に記載のビームスプリッタは、
少なくとも３種類の材料は、主成分として、Ｔｉの酸化
物、Ａｌの酸化物、Ｓｉの酸化物の３種類であることを
特徴とする。

【００３０】請求項１７に記載のビームスプリッタは、
第１の境界と前記第２の境界の和は、誘電体多層膜中に
存在する境界の中で、最も数が多いことを特徴とする。

【００３１】請求項１８に記載のビームスプリッタは、
少なくとも３種類の材料をａ，ｂ，ｃとしたとき、第１
の境界は材料ａとｂとの境界であり、第２の境界は材料
ａとｃとの境界であることを特徴とする。

【００３２】請求項１９に記載のビームスプリッタは、
材料ａの層の数が最も多いことを特徴とする。

【００３３】請求項２０に記載のビームスプリッタは、
第１の境界及び第２の境界の境界数が、それぞれ第１の
境界、第２の境界以外の境界の境界数より多いことを特
徴とする。

【００３４】請求項２１に記載のビームスプリッタは、
材料ｂとｃとの境界が全くないことを特徴とする。

【００３５】請求項２２に記載のビームスプリッタは、
材料ｂとｃとの境界が１つであることを特徴とする。

【００３６】請求項２３に記載のビームスプリッタは、
少なくとも３種類の材料をａ，ｂ，ｃとしたとき、誘電
体多層膜５３において、ａ，ｂ，ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，
ｂの順に構成された層群を少なくとも１つ含んでいるこ
とを特徴とする。

【００３７】請求項２４に記載のビームスプリッタは、
誘電体多層膜５３は、ａ，ｂ，ｃ各材料層をそれぞれ複
数層含んでおり、ａ，ｂ，ｃのうち少なくとも１種類以
上の材料層において、複数層のうち少なくとも１層以上
がａ，ｂ，ｃと異なる材料層で置換された構成であるこ
とを特徴とする。

【００３８】請求項２５に記載のビームスプリッタは、
材料ａは主成分がＴｉの酸化物であり、材料ｂは主成分
がＡｌの酸化物であり、材料ｃは主成分がＭｇのフッ化
物であることを特徴とする。

【００３９】請求項２６に記載のビームスプリッタは、
材料ａは主成分がＴｉの酸化物であり、材料ｂは主成分
がＡｌの酸化物であり、材料ｃは主成分がＳｉの酸化物
であることを特徴とする。

【００４０】請求項２７に記載のビームスプリッタは、
請求項２４において、置換する材料層は、ａ，ｂ，ｃ各
材料層の中で最も屈折率が高い材料層であることを特徴
とする。

【００４１】請求項２８に記載のビームスプリッタは、
請求項２４において、置換される材料層は、主成分がＨ
ｆの酸化物であることを特徴とする。

【００４２】請求項２９に記載の光学的情報記録再生装
置は、光記録媒体としてのディスク１に光ビームを照射
する発光素子としてのＬＤ１１と、発散もしくは収束光
路中に配置され、ディスク１からの反射光を分離する請
求項１乃至２８のいずれかに記載のビームスプリッタ１
３と、ビームスプリッタ１３を透過もしくは反射した光
を受光する受光素子２０，２１とを備えることを特徴と
する。

【００４３】

【作用】上記構成のビームスプリッタにおいては、基板
５１，５２上に形成された誘電体多層膜５３において、
屈折率の異なる３種類以上の材料を用い、その材料を適
宜選定配置することにより、ブリュースタ角θ_Bは、２
つ以上存在させることができる。この結果、多層膜５３
を何層積層しても、Ｐ偏光反射率がゼロになるというこ
とはなく、また、広い入射角範囲で反射率及び位相差の
特性を安定させることができる。

【００４４】

【実施例】以下、本発明のビームスプリッタの実施例を
図面を参照して説明する。

【００４５】本実施例では、基板上に形成された誘電体
多層膜を、屈折率の異なる３種類以上の材料を用いて構
成する。これらの材料として下記の条件を満たすφ_B1，
φ_B2を有する材料を選定する。 φ_B1≧φ₀ ＋３゜ φ₀ −１０゜≦φ_B2≦φ₀＋２５゜ φ_B1≧φ_B2 φ_B1≦φ₀の場合 φ_B1−φ₀≧φ₀−φ_B2 φ_B2≦φ₀＋１０゜の場合 φ_B1−φ_B2≧５゜ ただし、 φ₀ ＝４５゜＋ａｒｃｓｉｎ｛（１／ｎ_s）ｓｉｎ（θ₀
−４５゜）｝ φ_B1＝４５゜＋ａｒｃｓｉｎ｛（１／ｎ_s）ｓｉｎ（θ
_B1−４５゜）｝ φ_B2＝４５゜＋ａｒｃｓｉｎ｛（１／ｎ_s）ｓｉｎ（θ
_B2−４５゜）｝ θ₀ ：入射角範囲の中心値（誘電体多層膜への入射角） θ_B1、θ_B2：下記の式で表わされる異なる屈折率ｎ_x、
ｎ_yを有する２つの誘電体膜における境界のブリュース
タ角（誘電体多層膜への入射角） θ_B＝ａｒｃｓｉｎ｛（ｎ_x／ｎ_s）ｓｉｎ（ａｒｃｔａ
ｎ（ｎ_Y／ｎ_X））｝ ｎ_s ：基板の屈折率

【００４６】また、前記θ_B1，θ_B2のブリュースタ角を
有する膜境界における入射角０゜での反射率Ｒ₀₁，Ｒ₀₂
が下記条件を満たす。 Ｒ₀₁≧０．５％（φ_B2＜φ₀＋５゜） Ｒ₀₁≧０．８％（φ_B2≧φ₀＋５゜） Ｒ₀₂≧０．５％（φ_B2＜φ₀＋５゜） Ｒ₀₂≧０．８％（φ_B2≧φ₀＋５゜） φ_B1−φ_B2＜５゜の場合 ｜Ｒ₀₁−Ｒ₀₂｜≧１％

【００４７】φ_B2≦φ₀の場合、ブリュースタ角θ_B1を
有する境界（以下、境界Ａ）をブリュースタ角θ_B2を有
する境界（以下、境界Ｂ）より多くする。

【００４８】３種類の膜材料ａ，ｂ，ｃで構成する場
合、境界Ａの材料をａとｂ、境界Ｂの材料をａとｃとし
たとき、ｂとｃの境界を境界Ａおよび境界Ｂより少なく
する。

【００４９】４種類以上の膜材料で構成する場合、境界
Ａの材料をａとｂ、境界Ｂの材料をｃとｄとすると、そ
のほかの境界がａとｂおよびｃとｄの境界より少なくす
る。

【００５０】各膜厚を任意にする。

【００５１】ここで、２つの誘電体膜の境界の反射率の
入射角依存性は、図２に示すような特性を有する。尚、
図２では、隣接する誘電体膜として、Ｔ_iＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃
（境界Ａ）及びＴ_iＯ₂−Ｍ_gＦ₂（境界Ｂ）の場合を示
し、前者のブリュースタ角はθ_B1、後者のブリュースタ
角はθ_B2である。尚、図３は、図２の要部拡大図であ
る。

【００５２】図２、図３に示すように、Ｐ偏光反射率Ｒ
_Pはブリュースタ角において０となり、それより小さい
角度では単調減少、それより大きい角度では単調増加す
る。また、Ｐ偏光反射率は、ブリュースタ角より小さい
角度の単調減少部分では角度変化に対して傾きが小さ
く、ブリュースタ角より大きい角度の単調増加部分では
傾きが大きい。さらに、ブリュースタ角より小さい角度
では、Ｐ偏光とＳ偏光の反射率の差は小さい。

【００５３】上記のように構成されたビームスプリッタ
によると、下記の効果が得られる。 （１）３種類以上の膜材料を用いることにより、必然的
にブリュースタ角は２つ以上存在し、何層積層してもＰ
偏光反射率が０になるということはなくなる。 （２）φ_B2≦φ₀の場合 （２−１）２つのブリュースタ角θ_B1，θ_B2が、入射角
範囲の中心値θ₀を挟んでいるので、入射角範囲内にお
いて、図３のように、境界Ａの単調減少部分と境界Ｂの
単調増加部分が打ち消しあって、広い入射角範囲で安定
した特性が得られる。（２−２）入射角範囲内において
境界ＡのＰ偏光反射率は境界Ｂに比べ小さいので、境界
Ａの数が境界Ｂの数より多くすることにより、より少な
い層数で安定した特性が得られる。（２−３）φ₀−φ
_B2＜φ_B1−φ₀すなわちθ₀−θ_B2＜θ_B1−θ₀の条件で
あれば、入射角範囲内において境界ＡのＰ偏光反射率が
大きくなり、より少ない膜数で安定した特性が得られ
る。（２−４）φ_B1とφ_B2（θ_B1とθ_B2）の差がある程
度大きくないと、θ_B1，θ_B2付近のＰ偏光反射率が上が
らない。したがって、１０乃至２０層の誘電体多層膜に
おいてＰ偏光反射率１５〜３０％を得るためには、φ_B1
とφ_B2との差は５゜以上必要である。（２−５）１０乃
至２０層の誘電体多層膜においてＰ偏光反射率１５乃至
３０％を得るためには、入射角範囲内におけるＰ偏光反
射率Ｒ_Pがある程度必要である。入射角範囲内でのＰ偏
光反射率Ｒ_Pは入射角０における反射率Ｒ₀に比べて小さ
くなるが、Ｒ₀₁≧０．５％（φ_B2＜φ₀＋５°）、Ｒ₀₁
≧０．８％、Ｒ₀₂≧０．５％（φ_B2＜φ₀＋５°）、Ｒ
₀₂≧０． ８％（φ_B2≧φ₀＋５°）の条件であれば、前
記特性は容易に得られる。 （３）φ_B2≧φ₀の場合 （３−１）２つのブリュースタ角θ_B1，θ_B2の両方とも
が大きすぎると、入射角範囲内におけるＰ偏光とＳ偏光
の反射率の差がなくなるために分離できなくなる。した
がって、Ｐ偏光反射率１５〜３０％、Ｓ偏光反射率９０
％以上にするためには、ある程度小さくなければいけな
い。φ_B2≦φ₀＋２５゜であれば前記特性は満足でき
る。（３−２）φ_B1とφ_B2の差が小さい（５゜未満）場
合、Ｒ₀₁とＲ₀₂の差が１％以上あれば、２つの境界の反
射率の入射角依存性の傾きの差がある程度大きくなり、
少ない膜数で広い範囲で安定した特性が得られる。（３
−３）一般的なビームスプリッタとしてφ₀＝θ₀＝４５
°というものがある。このようなビームスプリッタにお
いては、φ_B2＜φ₀の条件を満たす境界を有する２つの
誘電体材料に一般的な、屈折率１．３５〜２．３の材料
を用いるためには、屈折率が１．６以上の高価な基板、
例えばＳＦ系の基板等を用いる必要がある。しかし、φ
_B2≧φ₀の条件であれば、屈折率１．５程度の安価な基
板、例えばＢＫ−７等で実現できる。 （４）前記条件で膜材料を選定し、構成することにより
設計された構成が最適なものかどうか、あるいはその構
成で所望の特性が得られるかどうかの判断が容易にで
き、効率的に設計ができる。また、材料的な発展も望め
る。 （５）膜構成としては、一般的に周期構造が容易に考え
られる。３種類の材料をａ，ｂ，ｃ、ａとｂの境界を前
記境界Ａ、ａとｃの境界を前記境界Ｂとしたとき、ａ，
ｂ，ｃの順の周期構造の場合、必要な境界Ａ、境界Ｂの
ほかにｂとｃの境界が同程度含まれる。したがって、層
数が必然的に多くなる。そこで、境界Ａ，境界Ｂを多く
した周期構造でない構成とすることで、より少ない層数
で安定した特性が得られる。 （６）周期構造の場合、広い入射角範囲で反射率、Ｐ偏
光とＳ偏光の位相差を安定にしようとすると、自由度が
少なく、必然的に層数が増える。しかも、一般的に層数
が２０層以上になると作製が困難となる。従って、周期
構造においても膜厚を任意にすることで、自由度が大き
くなり、層数を減らすことができる。

【００５４】

【表１】

【００５５】次に、本発明の具体的な実施例について説
明する。図１及び表１に本発明の第１の実施例の構成を
示す。図１において、図２０に示す従来例の部分に対応
する部分には同一符号を付して示す。本実施例における
設計波長は７９０ｎｍであり、屈折率１．７６の１対の
基板（ＳＦ−１１）５１，５２間に、３種類の材料Ｔ_i
Ｏ₂（５３ａ）、Ａｌ₂Ｏ₃（５３ｂ）、Ｍ_gＦ₂（５３
ｃ）が積層されてなる誘電体多層膜５３が挟持され、接
着剤層５４で接着固定されている。多層膜５３の層数は
１１層であり、各層の膜厚は異なっている。また膜５３
ａと５３ｂとの境界Ａは６つ、膜５３ａと５３ｃとの境
界Ｂは４つある。さらに、境界Ａにおける対基板換算ブ
リュースタ角θ_B1は図３に示すように５０．２゜、境界
Ｂにおける対基板換算ブリュースタ角θ_B2は４２．５゜
であり、２つの対基板換算ブリュースタ角θ_B1，θ_B2は
入射角範囲の中心値θ₀（４５゜）を挟むようになって
いる。

【００５６】ここで、それぞれの境界Ａ、ＢにおけるＰ
偏光反射率Ｒ_Pの入射角依存性は、図３に示すようにそ
れぞれの対基板換算ブリュースタ角θ_B1，θ_B2において
０となり、それよりも小さい入射角では単調に減少し、
それよりも大きい入射角では単調に増加する。また対基
板換算ブリュースタ角θ_Bより大きい入射角範囲の単調
増加部分における曲線の傾きは、対基板換算ブリュース
タ角θ_Bより小さい入射角範囲の単調減少部分の曲線の
傾きより大きい。

【００５７】従って、３種類の材料で膜５３ａ，５３
ｂ，５３ｃを構成することにより、対基板換算ブリュー
スタ角θ_Bをθ_B1、θ_B2と２つ有するので、入射角によ
りＰ偏光反射率Ｒ_Pが０となることはない。また、２つ
のブリュースタ角θ_B1，θ_B2が入射角範囲の中心値θ₀
を挟んでいるため、境界Ａの単調減少部分と境界Ｂの単
調増加部分とが打ち消し合って、入射角範囲内で安定し
た反射率特性を得ることができる。

【００５８】さらに、入射角範囲内においての反射率特
性曲線の傾きの小さい単調減少部分を有する境界Ａを、
傾きの大きい単調増加部分を有する境界Ｂより多くする
ことにより、少ない層数で中心値θ₀以上と以下の入射
角における反射率のバランスをとることができる。ま
た、２つの対基板換算ブリュースタ角θ_B1，θ_B2は、そ
れぞれ５０．２゜，４２．５゜であり、θ_B1がθ₀に対
してθ_B2より離れており、入射角範囲内における単調減
少部分の反射率が大きくなっているため、より少ない層
数で反射率のバランスをとることができる。

【００５９】上記実施例によれば、少ない層数の誘電体
多層膜５３を有するビームスプリッタにより、広い範囲
の入射角において反射率、位相差の特性を一定に保つこ
とができる。すなわち、図４及び図５にそれぞれ反射率
及び位相差の入射角依存性を示すように、入射角４５゜
±５．７゜において、反射率Ｒ_P＝１８％±５％、Ｒ_S＞
９５％、位相差＝１５゜±５゜となっている。

【００６０】

【表２】

【００６１】図６及び表２に本発明の第２の実施例の構
成を示す。本実施例は誘電体多層膜５３の構成を、Ｔ_i
Ｏ₂，Ａｌ₂Ｏ₃，Ｔ_iＯ₂，Ｍ_gＦ₂，Ｔ_iＯ₂，Ａｌ₂Ｏ₃の
２周期を基本としたものである。本実施例による反射率
及び位相差の入射角依存性も第１の実施例の場合と同様
に図４、５に示すようになる。

【００６２】

【表３】

【００６３】図７及び表３に本発明の第３の実施例を示
す。本実施例は誘電体多層膜５３の構成を、Ｔ_iＯ₂，Ａ
ｌ₂Ｏ₃，Ｍ_gＦ₂の３種類の３周期を基本としたものであ
る。本実施例では各膜厚を任意に最適化することによ
り、膜数の少ない誘電体多層膜を実施することができ
る。本実施例による反射率及び位相差の入射角依存性を
それぞれ図８及び図９に示す。

【００６４】

【表４】

【００６５】図１０及び表４に本発明の第４の実施例の
構成を示す。本実施例は、設計波長を７９０ｎｍ、基板
ＢＫ−７の屈折率を１．５とし、誘電体多層膜５３の材
料としてＴ_iＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｍ_gＦ₂の３種類を用いて構
成し、境界はすべてＴ_iＯ₂とＡｌ₂Ｏ₃の境界Ａ、Ｔ_iＯ₂
とＭ_gＦ₂の境界Ｂとし、それぞれの境界Ａ、Ｂにおける
対基板換算ブリュースタ角θ_B1，θ_B2をそれぞれ６４．
３゜及び５２．５゜としたものである。２つのブリュー
スタ角θ_B1，θ_B2は入射角範囲の中心値θ₀（４５゜）
より大きい値である。図１１及び図１２に３波長７８
０，７９０，８００ｎｍにおける、それぞれ反射率及び
位相差の入射角依存性を示す。

【００６６】上記各実施例で示した誘電体多層膜５３を
有するビームスプリッタを光ヘッドに用いたＭＯドライ
バの構成例を図１８に示す。

【００６７】次に、上記実施例に示した誘電体多層膜５
３を構成する材料の選択について、さらに補足説明す
る。

【００６８】従来、通常は、誘電体多層膜５３を、高屈
折率材料と低屈折率材料との２種類の材料で構成してい
た。この結果、ブリュースタ角θ_Bが、使用する入射角
範囲内に存在するので、何層積層しても、Ｐ偏光反射率
Ｒ_Pがほぼ０度となる入射角が存在し、入射角依存性を
有する。

【００６９】本発明においては、３種類以上の材料の内
に中間屈折率材料を用いることにより、一方の境界では
Ｒ_Pがほぼ０度となっても、他方の境界ではＲ_Pが０度と
ならず、入射角依存性を少なくしている。

【００７０】ここで、比較的少ない積層数で、より高い
反射率Ｒ_Pを得るためには、３種類の材料のうちの２種
類として、屈折率差の大きい高屈折率材料と低屈折率材
料を用いるとよい。高屈折率材料としては、ＴｉＯ
₂（Ｎ＝２．２６）、低屈折率材料としては、ＭｇＦ
₂（Ｎ＝１．３９）を選ぶことにより、容易に成膜がで
き、しかも大きな屈折率差を得ることができる。

【００７１】ＴｉＯ₂とＭｇＦ₂の中間の屈折率を有し、
容易に成膜できる材料としては、Ａｌ₂Ｏ₃がある。他に
中間屈折率材料としては、ＺｒＯ₂や、ＺｒＯ₂と他の物
質との混合物も考えられるが、ＺｒＯ₂は不均質性を有
するため、Ａｌ₂Ｏ₃を用いることが好ましい。また、蒸
着材料としては、金属材料もあるが、金属材料は光の吸
収に問題があるので、上記の誘電体材料を用いた。

【００７２】次に、各材料の境界の数について説明す
る。図３に示すように、ＴｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃（境界Ａ）
のブリュースタ角θ_B1と、ＴｉＯ₂−ＭｇＦ₂（境界Ｂ）
のブリュースタ角θ_B2が、中心入射角θ₀を挟む場合、
ＴｉＯ₂とＭｇＦ₂の境界においては、入射角がθ_B2より
大きくなると、反射率Ｒ_Pは、急激に大きくなる。従っ
て、ＴｉＯ₂とＭｇＦ₂の境界の数を多くすると、必然的
に反射率Ｒ_Pの入射角依存性が大きくなる。この問題を
解決するために、本発明では、ＴｉＯ₂とＭｇＦ₂の境界
の数を、ＴｉＯ₂とＡｌ₂Ｏ₃の境界の数より多くして、
入射角依存性を低減した。

【００７３】また、図１３に示すように、基板５１，５
２の屈折率Ｎ_sが１．５であり、ブリュースタ角θ_B1，
θ_B2が中心入射角θ₀を挟まない場合においても、図３
に示す場合と同様に、ＴｉＯ₂とＡｌ₂Ｏ₃の境界におけ
る反射率Ｒ_Pの入射角依存性が、ＴｉＯ₂とＭｇＦ₂の境
界における反射率Ｒ_Pの入射角依存性よりも小さいの
で、ＴｉＯ₂とＭｇＦ₂の境界の数よりもＴｉＯ₂とＡｌ₂
Ｏ₃の境界の数を多くしている。

【００７４】Ａｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂の境界を用いることも
考えられるが、この場合、ＴｉＯ₂とＭｇＦ₂の境界に比
べて反射率Ｒ_Pが小さいため、ある程度以上の反射率Ｒ_P
を得るためには、ＴｉＯ₂とＭｇＦ₂の境界を境界を用い
た方が、境界における反射率Ｒ_Pは、屈折率差が大きい
ほど大きいため、層数を少なくすることができる。ま
た、ある程度以上の反射率、例えば１５％，３０％を得
るためには、少なくとも６層以上の多層膜が必要とな
る。

【００７５】次に、３種類の多層膜の材料ａ，ｂ，ｃ
を、それぞれＴｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＭｇＦ₂としたとき、
表１乃至表４に示す多層膜の構成は、下記の通りとな
る。 表１：ａ，ｃ，ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂ，ａ，ｂ，ａ 表２：ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂ，ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，
ｂ，ａ 表３：ａ，ｂ，ｃ，ａ，ｂ，ｃ，ａ，ｂ，ｃ，ａ 表４：ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂ，ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，
ｂ，ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂ，ａ

【００７６】上記の構成において、表３の構成を除け
ば、ａ，ｂ，ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂとなる層群を少な
くとも１ヶ所含んでいる。このように、ａ，ｂ，ａ，
ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂの層群を用いることにより、設計が
容易になる。

【００７７】上記のａ，ｂ，ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂか
らなる層群を基本とした構成として、ａ，ｃ，ａ，ｂ，
ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂ，ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂ，
ａ，ｂ，ａからなる１９層の層群が考えられる。このよ
うな構成においても、前述の各実施例と同様に、各膜厚
を最適化することにより、入射角依存性の少ない特性を
有するビームスプリッタを有することができる。

【００７８】上記１９層の層群をＧとするとき、層群Ｇ
の構成においては、Ａｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ₂、すなわち、ｂ
とｃの境界を含んでいないが、例えば第１５層目のａを
１層省略すれば、第１４層目のｃと第１６層目のｂが接
することになり、ｂとｃの境界が１つ存在することにな
る。このような構成においても、各層の膜厚を最適化す
ることにより、前述の各実施例と同様の特性を得ること
ができる。このような構成により、、Ａｌ₂Ｏ₃とＭｇＦ
₂の境界を１ヶ所用いることで、より層数の少ない構成
で、入射角依存性の少ない特性を有するビームスプリッ
タを得ることができる。

【００７９】また、上記の１９層の層群Ｇの構成におい
て、ある層を他の材料層に置換することでも、同様の特
性を得ることができる。例えば、接着剤層５４と隣接す
る層５３ａをＴｉＯ₂から耐接着剤特性の良好な材料、
例えばＨｆＯ₂（Ｎ＝２．０７）に置換することができ
る。さらに、接着剤層５４と隣接する層５３ａのみなら
ず、他の層においても、ａ，ｂ，ｃ以外の材料に置換す
ることができる。

【００８０】表５に示す構成は、前述の層群Ｇの構成を
基本とし、接着剤層５４と隣接する層５３ａをＴｉＯ₂
からＨｆＯ₂に置換し、さらに、５３ｃのＭｇＦ₂を全て
ＳｉＯ₂（Ｎ＝１．４６）に置換した第５の実施例であ
る。この場合の基板５１，５２の屈折率Ｎ_s＝１．５と
する。即ち、第５の実施例では、ＨｆＯ₂、ＴｉＯ₂、Ａ
ｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂の４種類の材料を使用している。

【００８１】

【表５】

【００８２】上記第５の実施例に示す構成の誘電体多層
膜５３の反射率特性および位相差特性を、それぞれ図１
４および図１５に示す。図１４、図１５から明らかなよ
うに、反射率および位相差の入射角依存性の小さい特性
を得ることができる。尚、この構成においても、第１５
層のＴｉＯ₂を省略しても、ほぼ同等の特性を得ること
ができる。

【００８３】上記各実施例に示した材料は、下記に示す
ような材料と置換して使用してもよい。 （１）ＭｇＯ（Ａｌ₂Ｏ₃と同程度の屈折率） （２）ＺｎＳ（ＴｉＯ₂と同程度の屈折率） （３）ＩｎＯ₃（ＨｆＯ₂と同程度の屈折率） （４）ＺｎＯ（ＨｆＯ₂と同程度の屈折率） （５）ＺｒＯ₂（ＨｆＯ₂と同程度の屈折率） （６）Ｔａ₂Ｏ₅（ＴｉＯ₂とＨｆＯ₂の間の屈折率） （７）ＺｒＯ₂ＴｉＯ₂（ＴｉＯ₂とＨｆＯ₂の間の屈折
率）

【００８４】上記各材料は、それぞれに対応する各実施
例に示した材料に屈折率が近いので、置換して最適設計
することにより、同様の効果が得られる。また、上記各
材料、またはそれらの混合物を任意に３種類選択した場
合にも、同様の効果が得られる。さらに、下記の各材料
も、それぞれＡｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＨｆＯ₂と同程度の屈
折率のものを選択して最適設計することにより、同様の
効果が得られる。ＡｌＦ₃、ＣｅＦ₃、ＣｅＯ₂、Ｇｄ₂Ｏ
₃、ＬａＦ₃、ＬｉＦ、ＮｄＦ₃、Ｎｄ₂Ｏ₃、ＰｂＣｌ₂、
ＰｂＦ₂、ＰｂＯ、ＳｉＯ、Ｓｉ₂Ｏ₃、ＴｉＯ等

【００８５】さらに、基板５１，５２の屈折率Ｎ_sは、
どのような値であってもよいが、特に、Ｎ_sがほぼ１．
５の硝材、例えばＢＫ−７は、安価で取扱いが容易であ
る。従って、ＢＫ−７で構成された基板を用いることに
より、安価で、安定した特性を有し、量産性に優れたビ
ームスプリッタを得ることができる。尚、ＢＫ−７以外
の硝材、例えばＳＦ系の硝材では、研磨表面にヤケと呼
ばれる現象が発生するため、安定した特性を得ることが
困難であり、取扱い性、量産性が劣る。

【００８６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のビームス
プリッタ及び光学的情報記録再生装置によれば、基板上
に形成された誘電体多層膜を屈折率の異なる３種類以上
の材料を用い、その材料を所定の条件で選定配置するよ
うにしたので、反射率及び位相差の入射角依存性を小さ
くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のビームスプリッタの第１の実施例の構
成を示す縦断面図である。

【図２】図１の隣接する誘電体膜間の反射率特性を示す
線図である。

【図３】図２の要部拡大図である。

【図４】本発明のビームスプリッタの第１の実施例によ
る反射率特性を示す線図である。

【図５】本発明のビームスプリッタの第１の実施例によ
り位相差特性を示す線図である。

【図６】本発明のビームスプリッタの第２の実施例の構
成を示す縦断面図である。

【図７】本発明のビームスプリッタの第３の実施例の構
成を示す縦断面図である。

【図８】図７に示すビームスプリッタの反射率特性を示
す線図である。

【図９】図７に示すビームスプリッタの位相差特性を示
す線図である。

【図１０】本発明のビームスプリッタの第４の実施例の
構成を示す縦断面図である。

【図１１】図１０に示すビームスプリッタの反射率特性
を示す線図である。

【図１２】図１０に示すビームスプリッタの位相差特性
を示す線図である。

【図１３】Ｎ_s＝１．５のときの隣接する誘電体膜間の
反射率特性を示す線図である。

【図１４】本発明のビームスプリッタの第５の実施例に
よる反射率特性を示す線図である。

【図１５】本発明のビームスプリッタの第５の実施例に
よる位相差特性を示す線図である。

【図１６】従来のＭＯドライバの一例の構成を示すブロ
ック図である。

【図１７】本発明のＭＯドライバの一例の構成を示すブ
ロック図である。

【図１８】従来のビームスプリッタの一例の構成を示す
説明図である。

【図１９】図１８の誘電体多層膜の一例の構成を示す縦
断面図である。

【図２０】従来のビームスプリッタの反射率の入射角依
存性を説明する線図である。

【図２１】ブリュースタ角の説明図である。

【符号の説明】

５１，５２ 基板 ５３ 誘電体多層膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安田 成留 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内

Claims (29)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、 前記基板上に形成された光学多層膜と を備えるビームスプリッタにおいて、 前記光学多層膜は、少なくとも３種類の材料を含むこと
   を特徴とするビームスプリッタ。
2. 【請求項２】 前記光学多層膜は、 θ₀ ：光学多層膜に入射する光の入射角範囲の中心値 θ_B1：隣接する２種類の光学薄膜間の第１の境界におけ
   る対基板換算ブリュースタ角 θ_B2：隣接する他の２種類の光学薄膜間の第２の境界に
   おける対基板換算ブリュースタ角 ｎ_s ：基板の屈折率 Ｒ₀₁：第１の境界における入射角０での反射率 Ｒ₀₂：第２の境界における入射角０での反射率 φ₀ ＝４５゜＋ａｒｃｓｉｎ｛（１／ｎ_s）ｓｉｎ（θ₀
   −４５゜）｝ φ_B1＝４５゜＋ａｒｃｓｉｎ｛（１／ｎ_s）ｓｉｎ（θ
   _B1−４５゜）｝ φ_B2＝４５゜＋ａｒｃｓｉｎ｛（１／ｎ_s）ｓｉｎ（θ
   _B2−４５゜）｝ としたとき、 φ₀ ＋３゜≦φ_B1 φ₀ −１０゜≦φ_B2≦φ₀ Ｒ₀₁≧０．５％ Ｒ₀₂≧０．５％ の関係を満たす、少なくとも３種類の材料を含むことを
   特徴とする請求項１に記載のビームスプリッタ。
3. 【請求項３】 前記φ_B1、φ_B2は、 ｜φ_B1−φ_B2｜≧５゜ の関係を満たし、前記光学多層膜は、少なくとも６層以
   上により構成されていることを特徴とする請求項２に記
   載のビームスプリッタ。
4. 【請求項４】 前記φ₀、φ_B1、φ_B2は、 φ₀−φ_B2＜φ_B1−φ₀ の関係を満たすことを特徴とする請求項２または３に記
   載のビームスプリッタ。
5. 【請求項５】 前記第１の境界の数が、前記第２の境界
   の数より多く、前記光学多層膜は、少なくとも６層以上
   により構成されていることを特徴とする請求項２、３ま
   たは４に記載のビームスプリッタ。
6. 【請求項６】 前記基板の屈折率ｎ_sは、１．６以上で
   あることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載
   のビームスプリッタ。
7. 【請求項７】 前記少なくとも３種類の材料は、主成分
   として、Ｔｉの酸化物、Ａｌの酸化物、Ｍｇのフッ化
   物、Ｈｆの酸化物、Ｓｉの酸化物のうちの任意の３種類
   を含んでいることを特徴とする請求項１乃至６のいずれ
   かに記載のビームスプリッタ。
8. 【請求項８】 前記少なくとも３種類の材料は、主成分
   として、Ｔｉの酸化物、Ａｌの酸化物、Ｍｇのフッ化物
   の３種類であることを特徴とする請求項１乃至７のいず
   れかに記載のビームスプリッタ。
9. 【請求項９】 前記少なくとも３種類の材料は、主成分
   として、Ｔｉの酸化物、Ａｌの酸化物、Ｓｉの酸化物の
   ３種類であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれ
   かに記載のビームスプリッタ。
10. 【請求項１０】 前記光学多層膜は、θ₀、θ_B1、
    θ_B2、ｎ_s、Ｒ₀₁、Ｒ₀₂、φ₀、φ_B1、φ_B2をそれぞれ請
    求項２に記載の値としたとき、 φ₀＋３゜≦φ_B1 φ₀≦φ_B2≦φ₀＋２５゜ Ｒ₀₁≧０．８％ Ｒ₀₂≧０．８％ φ_B1≧φ_B2 の関係を満たす、少なくとも３種類の材料を含むことを
    特徴とする請求項１に記載のビームスプリッタ。
11. 【請求項１１】 前記Ｒ₀₁、Ｒ₀₂は、 ｜Ｒ₀₁−Ｒ₀₂｜＞２．５％ の関係を満たすことを特徴とする請求項１０に記載のビ
    ームスプリッタ。
12. 【請求項１２】 前記第１の境界の数が、前記第２の境
    界の数より多く、前記光学多層膜は、少なくとも６層以
    上により構成されていることを特徴とする請求項２また
    は請求項１０または請求項１１に記載のビームスプリッ
    タ。
13. 【請求項１３】 前記基板の屈折率ｎ_sは、１．６未満
    であることを特徴とする請求項１または請求項１０乃至
    １２のいずれかに記載のビームスプリッタ。
14. 【請求項１４】 前記少なくとも３種類の材料は、主成
    分として、Ｔｉの酸化物、Ａｌの酸化物、Ｍｇのフッ化
    物、Ｈｆの酸化物、Ｓｉの酸化物のうちの任意の３種類
    を含んでいることを特徴とする請求項１または請求項１
    ０乃至１３のいずれかに記載のビームスプリッタ。
15. 【請求項１５】 前記少なくとも３種類の材料は、主成
    分として、Ｔｉの酸化物、Ａｌの酸化物、Ｍｇのフッ化
    物の３種類であることを特徴とする請求項１または請求
    項１０乃至１４のいずれかに記載のビームスプリッタ。
16. 【請求項１６】 前記少なくとも３種類の材料は、主成
    分として、Ｔｉの酸化物、Ａｌの酸化物、Ｓｉの酸化物
    の３種類であることを特徴とする請求項１または請求項
    １０乃至１４のいずれかに記載のビームスプリッタ。
17. 【請求項１７】 前記第１の境界と前記第２の境界の和
    は、前記光学多層膜中に存在する境界の中で、最も数が
    多いことを特徴とする請求項２乃至１６のいずれかに記
    載のビームスプリッタ。
18. 【請求項１８】 前記少なくとも３種類の材料をａ，
    ｂ，ｃとしたとき、前記第１の境界は材料ａとｂとの境
    界であり、前記第２の境界は材料ａとｃとの境界である
    ことを特徴とする請求項２乃至１７のいずれかに記載の
    ビームスプリッタ。
19. 【請求項１９】 前記材料ａの層の数が最も多いことを
    特徴とする請求項１８に記載のビームスプリッタ。
20. 【請求項２０】 前記第１の境界及び前記第２の境界の
    境界数が、それぞれ前記第１の境界、前記第２の境界以
    外の境界の境界数より多いことを特徴とする請求項１８
    記載のビームスプリッタ。
21. 【請求項２１】 前記材料ｂとｃとの境界が全くないこ
    とを特徴とする請求項１８記載のビームスプリッタ。
22. 【請求項２２】 前記材料ｂとｃとの境界が１つである
    ことを特徴とする請求項１８記載のビームスプリッタ。
23. 【請求項２３】 前記少なくとも３種類の材料をａ，
    ｂ，ｃとしたとき、前記光学多層膜において、ａ，ｂ，
    ａ，ｂ，ａ，ｃ，ａ，ｂの順に構成された層群を少なく
    とも１つ含んでいることを特徴とする請求項１乃至２２
    のいずれかに記載のビームスプリッタ。
24. 【請求項２４】 前記光学多層膜は、ａ，ｂ，ｃ各材料
    層をそれぞれ複数層含んでおり、ａ，ｂ，ｃのうち少な
    くとも１種類以上の材料層において、複数層のうち少な
    くとも１層以上がａ，ｂ，ｃと異なる材料層で置換され
    た構成であることを特徴とする請求項１乃至２３のいず
    れかに記載のビームスプリッタ。
25. 【請求項２５】 前記材料ａは主成分がＴｉの酸化物で
    あり、前記材料ｂは主成分がＡｌの酸化物であり、前記
    材料ｃは主成分がＭｇのフッ化物であることを特徴とす
    る請求項１８乃至２４のいずれかに記載のビームスプリ
    ッタ。
26. 【請求項２６】 前記材料ａは主成分がＴｉの酸化物で
    あり、前記材料ｂは主成分がＡｌの酸化物であり、前記
    材料ｃは主成分がＳｉの酸化物であることを特徴とする
    請求項１８乃至２４のいずれかに記載のビームスプリッ
    タ。
27. 【請求項２７】 請求項２４において、置換される材料
    層は、ａ，ｂ，ｃ各材料層の中で最も屈折率が高い材料
    層であることを特徴とする請求項２４乃至２６のいずれ
    かに記載のビームスプリッタ。
28. 【請求項２８】 請求項２４において、置換する材料層
    は、主成分がＨｆの酸化物であることを特徴とする請求
    項２４乃至２７のいずれかに記載のビームスプリッタ。
29. 【請求項２９】 光記録媒体に光ビームを照射する発光
    素子と、 発散もしくは収束光路中に配置され、前記光記録媒体か
    らの反射光を分離する、請求項１乃至２８のいずれかに
    記載のビームスプリッタと前記ビームスプリッタを透過
    もしくは反射した光を受光する受光素子とを備えること
    を特徴とする光学的情報記録再生装置。