JPH0752267B2 - Method for manufacturing reflective liquid crystal display device - Google Patents
Method for manufacturing reflective liquid crystal display deviceInfo
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- JPH0752267B2 JPH0752267B2 JP5042889A JP5042889A JPH0752267B2 JP H0752267 B2 JPH0752267 B2 JP H0752267B2 JP 5042889 A JP5042889 A JP 5042889A JP 5042889 A JP5042889 A JP 5042889A JP H0752267 B2 JPH0752267 B2 JP H0752267B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、プロジェクション表示デバイスに利用するア
クティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスの製造方
法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a reflective liquid crystal display device having an active element used for a projection display device.
従来の技術 近年、アクティブ素子を利用した液晶表示デバイスはポ
ケットテレビまたは情報端末として利用されるようにな
ってきた。2. Description of the Related Art In recent years, liquid crystal display devices using active elements have come to be used as pocket televisions or information terminals.
以下に従来の反射型液晶表示デバイスの製造方法につい
て説明する。A conventional method for manufacturing a reflective liquid crystal display device will be described below.
第２図は従来の反射型液晶表示デバイスの製造工程の流
れ図である。１は絶縁基板、２は配線電極およびスイッ
チング素子、３は絶縁体層、４は反射画素電極、５は対
向透明基板、６は対向共通電極、７はブラックマトリッ
クス、８はシール材である。FIG. 2 is a flow chart of a manufacturing process of a conventional reflective liquid crystal display device. 1 is an insulating substrate, 2 is a wiring electrode and a switching element, 3 is an insulating layer, 4 is a reflective pixel electrode, 5 is an opposing transparent substrate, 6 is an opposing common electrode, 7 is a black matrix, and 8 is a sealing material.
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスの製造
方法について説明する。A method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device configured as above will be described.
まず、絶縁基板１に配線電極およびスイッチング素子２
を形成した後、絶縁体層３を成膜し、反射画素電極を形
成する工程を行う。その後、配向膜を形成し、ラビング
を行う（配向処理）。一方、対向透明基板５に透明な対
向共通電極６を成膜した後、ブラックマトリックス７を
形成する工程を行う。さらに、これに配向処理を行い、
上記の２つの基板を張り合わせ装置を用いて反射画素電
極とブラックマトリックスの位置関係を調整（アライメ
ント）した後、シール材８で固定する。最後に、液晶を
注入して、感電に封止して完成する。First, the wiring electrode and the switching element 2 are formed on the insulating substrate 1.
After forming, the insulating layer 3 is formed and a step of forming a reflective pixel electrode is performed. After that, an alignment film is formed and rubbing is performed (alignment treatment). On the other hand, after forming the transparent counter common electrode 6 on the counter transparent substrate 5, a step of forming the black matrix 7 is performed. Furthermore, this is subjected to orientation treatment,
After the positional relationship between the reflective pixel electrode and the black matrix is adjusted (aligned) by using a bonding device, the above two substrates are fixed by the sealing material 8. Finally, liquid crystal is injected, and electric shock is applied to complete the process.
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の従来の製造方法では、反射画素電極
とブラックマトリックスの位置調整の工程が煩雑であ
り、さらに、反射画素電極とブラックマトリックスの形
状が微細になってくると正確な調整が容易でない。However, in the above-described conventional manufacturing method, the process of adjusting the positions of the reflective pixel electrode and the black matrix is complicated, and further, when the shapes of the reflective pixel electrode and the black matrix become finer, they are accurate. Adjustment is not easy.
本発明は上記従来の課題を解決するものでブラックマト
リックスを反射画素電極と同時に形成することができ、
工程の簡略化を実現することのできる反射型液晶表示デ
バイスの製造方法を提供することを目的とする。The present invention solves the above conventional problems, and a black matrix can be formed simultaneously with a reflective pixel electrode,
An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a reflective liquid crystal display device that can realize simplification of the process.
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の反射型液晶表示デバ
イスの製造方法は、スイッチング素子と反射画素電極と
の中間層である黒色絶縁体をエッチングによりパターン
形成することにより、ブラックマトリックスを反射画素
電極、スイッチング素子を具備した基板に形成する工程
から構成されている。Means for Solving the Problems In order to achieve this object, a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device of the present invention is to form a pattern by etching a black insulator which is an intermediate layer between a switching element and a reflective pixel electrode. , A black matrix is formed on a substrate having reflective pixel electrodes and switching elements.
作用 この方法によって、ブラックマトリックスを反射画素電
極と同時に形成することができ、工程の簡略化、デバイ
スの微細化を実現することのできる。さらに、ブラック
マトリックスが反射画素電極と同じ高さであるため、配
向処理工程での電極の端部のかけを防ぐことが出来る。By this method, the black matrix can be formed at the same time as the reflective pixel electrode, so that the process can be simplified and the device can be miniaturized. Further, since the black matrix has the same height as the reflective pixel electrode, it is possible to prevent the end portions of the electrodes from being hooked in the alignment treatment step.
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例における反射
型液晶表示デバイスの製造方法の工程を示すものであ
る。第１図において、11は絶縁基板、12は配線電極およ
びスイッチング素子として薄膜トランジスタ（以下、TF
T）、13は黒色絶縁体層としてPrMnO3、14はレジスト、1
5は反射画素電極としてアルミニウムである。FIGS. 1 (a) to 1 (e) show steps of a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device in one embodiment of the present invention. In FIG. 1, 11 is an insulating substrate, 12 is a thin film transistor (hereinafter referred to as TF) as a wiring electrode and a switching element.
T), 13 is PrMnO 3 as a black insulator layer, 14 is a resist, 1
Reference numeral 5 is aluminum as a reflective pixel electrode.
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスの製造
方法について、スイッチング素子の形成までの工程は従
来例の工程と同様である。第１図（ａ）はPrMnO3をスパ
ッタにて成膜後、コンタクトホールを形成する。第１図
（ｂ）はその後、レジストパターンを形成し、これをマ
スクにして、反応性イオンエッチングによりくぼみを形
成する。第１図（ｃ）は次に、この基板上にスパッタに
よって反射画素電極用にアルミニウムをくぼみの分だけ
の厚みに成膜する。第１図（ｄ）はそして、レジストを
取り除いて、レジスト上に成膜されたアルミニウムを取
り除く（リフトオフ）ことにより、PrMnO3が露出させて
反射画素電極を分離する。ここで反射画素電極とブラッ
クマトリックスが同時に形成されることになる。第１図
（ｅ）はこれに配向処理を行う。一方、対向共通電極の
みが具備された対向透明基板を形成し、これらを張り合
わせ、シーリング、液晶注入など従来の製造方法と同様
の一連の工程を経て完成する。In the method of manufacturing the reflection type liquid crystal display device configured as described above, the steps up to the formation of the switching element are the same as the steps of the conventional example. In FIG. 1A, a contact hole is formed after forming PrMnO 3 by sputtering. After that, in FIG. 1B, a resist pattern is formed, and using this as a mask, a recess is formed by reactive ion etching. In FIG. 1 (c), aluminum is then deposited on this substrate by sputtering to have a thickness corresponding to the depressions for the reflective pixel electrode. In FIG. 1 (d), the resist is removed, and aluminum formed on the resist is removed (lift-off) to expose PrMnO 3 and separate the reflective pixel electrode. Here, the reflective pixel electrode and the black matrix are simultaneously formed. In FIG. 1 (e), alignment treatment is performed on this. On the other hand, an opposing transparent substrate having only an opposing common electrode is formed, and these are bonded together, and a series of steps similar to the conventional manufacturing method such as sealing and liquid crystal injection are performed to complete the process.
以上のように本実施例によれば、黒色絶縁体PrMnO3をパ
ターン形成する工程により、対向透明基板上にブラック
マトリックスの形成工程が削減でき、TFTアレイ側基板
と対向透明基板とのアライメントが不用となり、製造工
程の簡略化と反射画素電極の微細化が図れる。さらに、
ブラックマトリックスを反射画素電極間に直に形成でき
るために光の内部への進入を完全に抑えることができ、
スイッチング素子の光伝導による漏れ電流を防ぐことが
できる。As described above, according to the present embodiment, the step of patterning the black insulator PrMnO 3 can reduce the step of forming the black matrix on the counter transparent substrate, and the alignment between the TFT array side substrate and the counter transparent substrate is unnecessary. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the reflective pixel electrode can be miniaturized. further,
Since the black matrix can be formed directly between the reflective pixel electrodes, it is possible to completely suppress the ingress of light,
Leakage current due to photoconduction of the switching element can be prevented.
なお、リフトオフを用いて反射画素電極を分離したが、
アルミニウムのエッチバック法、あるいは、機械研磨に
よる工程を用いてもよい。Although the reflective pixel electrode was separated using lift-off,
An aluminum etch-back method or a mechanical polishing step may be used.
発明の効果 以上のように本発明は反射型液晶表示デバイスの製造方
法において、スイッチング素子と反射画素電極との中間
層である黒色絶縁体をエッチングによりパターン形成す
ることにより、ブラックマトリックスを反射画素電極、
スイッチング素子を具備した基板に形成する方法によ
り、対向透明基板上にブラックマトリックスの形成工程
が削減でき、TFT側基板と対向透明基板とのアライメン
トが不用となり、製造工程の簡略化によるコストの削減
と反射画素電極の微細化による集積度の向上が図れる。
さらに、ブラックマトリックスを反射画素電極間に直に
形成できるために光の内部への進入を完全に抑えること
ができ、スイッチング素子の光伝導による漏れ電流を防
ぐことができるなど、数々の優れた効果を得ることので
きる反射型液晶表示デバイスの製造方法を実現できるも
のである。As described above, according to the present invention, in the method of manufacturing the reflective liquid crystal display device, the black matrix, which is an intermediate layer between the switching element and the reflective pixel electrode, is patterned by etching, thereby forming the black matrix in the reflective pixel electrode. ,
By the method of forming on the substrate equipped with the switching element, the step of forming the black matrix on the counter transparent substrate can be reduced, the alignment between the TFT side substrate and the counter transparent substrate becomes unnecessary, and the cost can be reduced by simplifying the manufacturing process. The integration degree can be improved by miniaturizing the reflective pixel electrode.
Furthermore, since the black matrix can be formed directly between the reflective pixel electrodes, it is possible to completely prevent the intrusion of light into the interior, and to prevent leakage current due to photoconduction of the switching element. It is possible to realize a method for manufacturing a reflective liquid crystal display device capable of obtaining the above.
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの製造方法の工程流れ図、第２図は従来の反射型液
晶表示デバイスの製造方法の工程流れ図である。 11……ガラス基板、12……TFTおよび配線電極、13……P
rMnO3、14……レジスト、15……アルミニウム。FIG. 1 is a process flow chart of a method of manufacturing a reflective liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a process flow chart of a method of manufacturing a conventional reflective liquid crystal display device. 11 …… Glass substrate, 12 …… TFT and wiring electrode, 13 …… P
rMnO 3 , 14 …… resist, 15 …… aluminum.
Claims (1)
デバイスの製造法であって、スイッチング素子と反射画
素電極との中間層である黒色絶縁体をエッチングにより
パターン形成することにより、ブラックマトリックスを
反射画素電極、スイッチング素子を具備した基板に形成
することを特徴とする反射型液晶表示デバイスの製造方
法。1. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device having a switching element, wherein a black insulator, which is an intermediate layer between a switching element and a reflective pixel electrode, is patterned by etching to reflect a black matrix. A method of manufacturing a reflective liquid crystal display device, which comprises forming the substrate on which pixel electrodes and switching elements are provided.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5042889A JPH0752267B2 (en) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | Method for manufacturing reflective liquid crystal display device |
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| JP5042889A JPH0752267B2 (en) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | Method for manufacturing reflective liquid crystal display device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02230127A JPH02230127A (en) | 1990-09-12 |
| JPH0752267B2 true JPH0752267B2 (en) | 1995-06-05 |
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| JP5042889A Expired - Fee Related JPH0752267B2 (en) | 1989-03-02 | 1989-03-02 | Method for manufacturing reflective liquid crystal display device |
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| KR100239778B1 (en) | 1996-12-03 | 2000-01-15 | 구본준 | Lcd device and its manufacturing method |
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| KR100462861B1 (en) * | 2002-04-15 | 2004-12-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | Flat Panel Display with Black Matrix and Fabrication Method thereof |
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- 1989-03-02 JP JP5042889A patent/JPH0752267B2/en not_active Expired - Fee Related
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