JPH07508860A - Thin film heat treatment equipment - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 簿膜熱処理装置 発明の分野 本発明は熱処理装置に関し、特にフォイルシートまたは半導体の製造工程におい て、一定の温度にウェーハを加熱することによる、二次的に形成された空間を利 用したホイルシート熱処理装置に関する。[Detailed description of the invention] Membrane heat treatment equipment field of invention The present invention relates to a heat treatment apparatus, particularly for use in the manufacturing process of foil sheets or semiconductors. By heating the wafer to a constant temperature, the space created secondarily can be utilized. The present invention relates to a foil sheet heat treatment apparatus used in the present invention.

発明の背景 業務用の半導体製造において、熱処理工程は、ウェーハ上に付着した後に接着す る薄い金属膜の質を改良するために、または高温度のヒーターテーブル上で連続 してウェーハを加熱することによりアルミニウム膜を一様にするために行われる 。このことは、ウェーハ上のシリコンに接続されるデバイスの電極がアルミニウ ムでコートされる場合にアルミニウム膜が低温度で形成された後に、自己拡散を 誘導する。Background of the invention In commercial semiconductor manufacturing, a heat treatment process is used to bond the wafer after it has been deposited. to improve the quality of thin metal films, or continuously on a high-temperature heater table. This is done to homogenize the aluminum film by heating the wafer with . This means that the device electrodes connected to the silicon on the wafer are made of aluminum. After the aluminum film is formed at low temperature, self-diffusion Induce.

図１は半導体製造において熱処理を行う熱処理装置の一例を示す。FIG. 1 shows an example of a heat treatment apparatus that performs heat treatment in semiconductor manufacturing.

この装置において、ハウジング（１１）の周囲にそって位置するフランジ（１１ ａ）が真空チェンバ（１００）の下部にあるハウジングフランジ（１０１）に固 定され、ヒーターテーブル（１２）がハウジング（１１）の中空の中央部分（１ ｌ　ｂ）に据え付けられている。さらに、クランプ（１５）がヒーターテーブル （１２）上に配置されたウェーハ（２００）を保持するためにハウジング（１１ ）のフランジの部分（１１ａ）に据え付けられる。クランピング装置（１５）は 、昇降装置Ｎｏ、１（１６）により上昇したクランブロンド（１５ａ）が上下に スライドできるように、ハウジング（１１）のフランジの部分（１１ａ）に据え 付けられる。トロイダルクランプ（１７）は図２に示されているように、クラン プロッド（１５ａ）と交差するところで、固定され、取り付けられる。固定マニ ピュレータ（図示せず）から供給されるウェーハ（２００）を受け取るために、 センターロッド（１８）が、昇降装置Ｎｏ、２（１９）によりヒーターテーブル （１２）の表面から一定の長さのところで、下降したり突き出たりするようにヒ ーターテーブル（１２）に据え付けられている。ここで、昇降装置Ｎｏ。In this device, a flange (11) located along the periphery of the housing (11) a) is fixed to the housing flange (101) at the bottom of the vacuum chamber (100). the heater table (12) is located in the hollow central part (1) of the housing (11). l b). Furthermore, the clamp (15) is connected to the heater table. (12) a housing (11) for holding a wafer (200) disposed thereon; ) is installed on the flange part (11a). The clamping device (15) , Cranblonde (15a) raised by lifting device No. 1 (16) moves up and down. It is installed on the flange part (11a) of the housing (11) so that it can slide. Can be attached. The toroidal clamp (17) is attached to the clamp as shown in Figure 2. It is fixed and attached where it intersects the prod (15a). fixed mani to receive a wafer (200) supplied from a purulator (not shown); The center rod (18) is moved to the heater table by lifting device No. 2 (19). At a certain length from the surface of (12), installed on the computer table (12). Here, the lifting device No.

１およびＮｏ、２（１６，１９）はベローズで、その端部はクランプ（１５ａ） およびセンターロッド（１８）に連結されている。1 and No. 2 (16, 19) are bellows, the ends of which are clamps (15a) and a center rod (18).

在来の熱処理装置を使用してウェーハ（２００）を加熱するために、クランプ（ １７）がヒーターテーブル（１２）から一定の距離のところに位置するように、 クランプロッド（１５ａ）は昇降装置Ｎｏ、１（１６）にょり上昇する。さらに 、ヒーターテーブル（１２）に据え付けられたセンターロッド（１８）は、セン ターロッドがヒーターテーブル（１２）の表面から突き出るように、昇降装置Ｎ ｏ、２（１９）により、持ち上がる。A clamp (200) is used to heat the wafer (200) using conventional heat treatment equipment. 17) is located at a certain distance from the heater table (12). The clamp rod (15a) is raised by the lifting device No. 1 (16). moreover , the center rod (18) installed on the heater table (12) The lifting device N is installed so that the tarrod protrudes from the surface of the heater table (12). o, 2 (19) lifts it up.

ウェーハ（２００）がこの段階で固定マニピュレータによりセンターロッド（１ ８）へと供給されたとき、センターロッド（１８）は昇降装置Ｎｏ、２（１９） により下がる。熱処理用のウェーハ（２００）がヒーターテーブル（１２）の上 に置かれたとき、昇降装置（１６）はクランプロッド（１５ａ）を下げ、これに よりクランプロッドの端部に据え付けられたクランプ（１７）はヒーターテーブ ル（１２）の表面に接近し、ウェーハ（２００）の縁がヒーターテーブル（１２ ）に留め付けられる。ウェーハ（２００）がヒーターテーブル（１２）に固定さ れると、電気加熱ワイヤー（これはヒーターテーブル（１２）に埋め込まれ、固 定された加熱装置である）は一定の温度でウェーハ（２００）を処理するための 熱を発生する。At this stage, the wafer (200) is attached to the center rod (1) by the fixed manipulator. 8), the center rod (18) is connected to the lifting device No. 2 (19). It goes down. A wafer (200) for heat treatment is placed on the heater table (12) , the lifting device (16) lowers the clamp rod (15a) and The clamp (17) installed at the end of the clamp rod is attached to the heater table. The edge of the wafer (200) approaches the surface of the heater table (12). ) to be fastened to. The wafer (200) is fixed on the heater table (12). Once installed, the electric heating wire (this is embedded in the heater table (12) and fixed is a fixed heating device) for processing the wafer (200) at a constant temperature. Generates heat.

しかし、前述したようにウェーハ（２００）用の熱処理装置を使用するとき、ヒ ーターテーブル（１２）の表面およびクランプ（１７）に固定したウェーハ（２ ００）が熱処理工程中、真空チェンバー（１００）に露出するので、以下の問題 が生じる。However, as mentioned above, when using a heat treatment equipment for wafers (200), The wafer (2) fixed on the surface of the motor table (12) and the clamp (17) 00) is exposed to the vacuum chamber (100) during the heat treatment process, so the following problems occur. occurs.

第１に、ウェーハの底部分がヒーターテーブルの上面と接し、テーブルの上面が 真空チェンバーに露出するので、ウェーハのすべての部分は一様な温度に加熱で きない。First, the bottom of the wafer touches the top of the heater table, and the top of the table Because it is exposed to the vacuum chamber, all parts of the wafer can be heated to a uniform temperature. I can't.

第２に、ヒーターテーブルの真空チェンバーへの露出により生ずる顕著な熱の損 失が、多量な熱を放出する装置を必要とする。Second, there is significant heat loss caused by exposing the heater table to the vacuum chamber. This requires equipment that releases large amounts of heat.

第３に、ウェーハを低温度から高温度に加熱するための時間が非常にかかる。Third, it takes a lot of time to heat the wafer from a low temperature to a high temperature.

第４に、長いウェーハ加熱時間が不純物吸収率を増加させるので、ウェーハの表 面での金属膜（たとえば、アルミニウム膜）の拡散は遅延し、したがって、生産 性の改良が達成できない。Fourth, the long wafer heating time increases the impurity absorption rate, so the surface of the wafer The diffusion of metal films (e.g. aluminum films) on surfaces is delayed and therefore the production Sexual improvement cannot be achieved.

本発明は、金属シートまたはウェーハを一様な温度に加熱することにより、そし て不純物吸収率が金属シートまたはウェーハ表面で鋭く減少することができるよ うに熱処理装置内に第２の空間を形成することにより、上記問題を解決するよう に設計されている。The present invention provides a method for heating a metal sheet or wafer to a uniform temperature. as the impurity absorption rate can decrease sharply at the metal sheet or wafer surface. The above problem can be solved by forming a second space in the sea urchin heat treatment equipment. It is designed to.

本発明の他の目的は、二次的に形成された空間（これは加熱時間を短くする）を 利用するフォイルシート熱処理装置を提供し、ヒーターテーブルの加熱効率、続 いて金属シートまたはウェーハを高温に加熱することを改良することにより生産 性を増加させることである。Another object of the invention is to reduce the secondary formed space (which reduces heating time). We provide foil sheet heat treatment equipment to utilize, improve the heating efficiency of the heater table, and produced by improving the heating of metal sheets or wafers to high temperatures. It is to increase sex.

発明の概要 上記目的を解決するために、本発明は熱放射を防止する装置を備え、その装置は ヒーターテーブルの表面上に形成される第２の空間を利用し、ヒーターテーブル を真空チェンバーに隣接して備え付けることにより、ヒーターテーブルの上面で ウェーハフォイルシートを取り囲む。Summary of the invention In order to solve the above object, the present invention comprises a device for preventing heat radiation, the device comprising: By using the second space formed on the surface of the heater table, By installing the heater next to the vacuum chamber, the Surround the wafer foil sheet.

図面の簡単な説明 本発明は以下で非限定の実施例および以下の添付図面とともに詳説する。Brief description of the drawing The invention will be described in detail below in conjunction with non-limiting examples and the accompanying drawings in which: FIG.

図１は在来の加熱処理装置の断面を示す。FIG. 1 shows a cross section of a conventional heat treatment apparatus.

図２は図１から取り出したクランプの斜視図を示す。FIG. 2 shows a perspective view of the clamp taken from FIG.

図３は本発明にしたがって、二次的に形成され空間を使用するフォイルプレート 加熱処理装置の、一部切り欠きされた斜視図を示す。FIG. 3 shows a foil plate using secondary formed spaces in accordance with the present invention. FIG. 2 shows a partially cutaway perspective view of a heat treatment apparatus.

図４は本発明にしたがって、二次的に形成された空間を使用するフォイル膜加熱 処理装置の断面図を示し、動作状態を図示する。FIG. 4 shows foil membrane heating using a secondarily formed space in accordance with the present invention. Figure 3 shows a cross-sectional view of the processing device, illustrating its operating state.

図５は二次的に形成された空間を使用する熱処理装置内の放射熱防止装置の、一 部切り欠きされた斜視図を示−す。Figure 5 shows one example of a radiation heat prevention device in a heat treatment equipment that uses a secondary space. A perspective view with a portion cut away is shown.

図６は図２に図示された他の側内における放射熱防止装置の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the radiant heat protection device within the other side illustrated in FIG. 2;

図７は、在来の熱処理装置、および本発明に基づいて二次的に形成された空間を 使用するフォイルシート熱処理装置により加熱されるウェーハの温度と時間との 間の関係のグラフである。FIG. 7 shows a conventional heat treatment apparatus and a space secondarily formed according to the present invention. The temperature and time of the wafer heated by the foil sheet heat treatment equipment used It is a graph of the relationship between

図で使用される符号の簡単な説明 ２１、ヒーターテーブル　２２．ハウジング　２３６加熱ベース　３０．受は入 れ装置　３３．センターロッド　３４０ベローズ　３３ａ、ビン　４０．放射熱 装置　４１．ロッド　４６．キャップ　４６ａ、キャップの主体　４６ｂ。Brief explanation of symbols used in figures 21. Heater table 22. Housing 236 Heating base 30. The reception is in Device 33. Center rod 340 bellows 33a, bottle 40. radiant heat Device 41. Rod 46. Cap 46a, main body of the cap 46b.

キャップの溶接部分　４６ｃ、上面部 発明の詳細な説明 図３および図４は本発明の熱処理装置を図示する。Welded part of cap 46c, top part Detailed description of the invention 3 and 4 illustrate the heat treatment apparatus of the present invention.

熱処理装置は、真空チェンバー（１００Ｌ真空チエンバー（１００）に据え付け られたヒーターテーブル（２１）および埋め込まれ、固定された電気加熱ワイヤ ー（２１ａ）　、ウェーハ（２００）を収納するためにヒーターテーブル（２１ ）の中心に据え付けられた受け入れ装置（３０）から成る。熱放射防止装置（４ ０）が、ヒーターテーブル（２１）に隣接して据え付けられた昇降装置にヒータ ーの表面を接触させ、またはそれらを離すことにより真空チェンバー（１００） 内に選択的に第２の空間を形成する。The heat treatment equipment is installed in a vacuum chamber (100L vacuum chamber (100) embedded heater table (21) and embedded and fixed electric heating wires - (21a), a heater table (21a) to store the wafer (200) ) consists of a centrally mounted receiving device (30). Heat radiation prevention device (4 0) is a heater mounted on a lifting device installed adjacent to the heater table (21). vacuum chamber (100) by bringing the surfaces of the selectively forming a second space within.

ヒーターテーブル（２１）を真空チェンバー（１００）の内側に据え付けると、 中空センター（２２ａ）をもつハウジング（２２）のフランジ（２２ｂ）が真空 チェンバー（１００）の取り付はフランジ（１０１）に固定され、これによりハ ウジング（２２）の上方部分は真空チェンバー（１００）の内側に位置する。熱 ベース（２３）はハウジング（２２）の下方部分が気密にシールされるように、 ハウジング（２２）の下方部分に据えつけられている。加熱装置、電気加熱ワイ ヤー（２１ａ）を埋め込み式に有するヒーターテーブル（２１）は、周囲にそっ て位置するビン（２ｌ　ｂ）によりハウジング（２２）の中空のセンター（２２ ａ）の上方部分のところに据え付けられている。この場合、テーブルに隣接して 据え付けられたハロゲンランプが、熱発生装置として使用できる。When the heater table (21) is installed inside the vacuum chamber (100), The flange (22b) of the housing (22) with a hollow center (22a) The attachment of the chamber (100) is fixed to the flange (101), which allows the The upper part of the housing (22) is located inside the vacuum chamber (100). heat The base (23) is arranged such that the lower part of the housing (22) is hermetically sealed. It is installed in the lower part of the housing (22). Heating device, electric heating wire The heater table (21) having a built-in layer (21a) is placed close to the surrounding area. The hollow center (22) of the housing (22) is a) is installed at the upper part. In this case, adjacent to the table An installed halogen lamp can be used as a heat generating device.

受は入れ装置（３０）はマニピュレータ（図示せず）から供給されたフォイルシ ートまたはウェーハ（２００）を受け入れるため、そしてヒーターテーブル（２ １）の上面で熱処理すべく、ヒーターテーブル（２１）の上面にそれを配置する ために、ヒーターテーブル（２１）の中空センター上に据え付けられている。円 筒状案内穴（３１）が上のヒーターテーブル（２１）の中心に対し垂直に形成さ れ、案内穴（３１）の上方部分はヒーターテーブル（２１）の中心から一定の間 隔をおいて形成された少なくとも三つの貫通空間（３ｄ）に連結されている。セ ンターロッド（３３）の端部分（上下にスライドできるように熱ベース（２３） に据えつけられている）は案内穴（３１）に位置する。貫通空間（３２）を通っ てスライドできるビン（３３ａ）はセンターロッド（３３）の端部に据えつけら れている。センターロッド（３３）の下方端部はベローズ（３４ａ）、熱ベース （２３）に固定された昇降装置Ｎｏ、２（３４）に連結されている。The receiving device (30) receives a foil sheet supplied from a manipulator (not shown). for receiving chips or wafers (200) and a heater table (200). 1) Place it on the top surface of the heater table (21) for heat treatment on the top surface Therefore, it is installed on the hollow center of the heater table (21). circle A cylindrical guide hole (31) is formed perpendicularly to the center of the upper heater table (21). The upper part of the guide hole (31) is located a certain distance from the center of the heater table (21). It is connected to at least three through spaces (3d) formed at intervals. Se The end part of the center rod (33) (the thermal base (23) so that it can slide up and down ) is located in the guide hole (31). Through the penetration space (32) A bottle (33a) that can be slid by is installed at the end of the center rod (33). It is. The lower end of the center rod (33) has a bellows (34a) and a thermal base. It is connected to the lifting device No. 2 (34) fixed to (23).

熱放射防止装置（４０）は、真空チェンバー（１００）内のヒーターテーブル（ ２１）の上面に位置するフォイルシートまたはウェーハ（２００）を選択的に包 み込む第２の空間を形成し、ヒーターテーブル（２１）から生じた熱の逃げを妨 げる。複数のロッド（４１）が、それらがベローズ（４５ａ）、フランジの下方 部分に据え付けられた昇降装置Ｎｏ、　１により上昇するようにハウジング（２ ２ａ）の下方フランジ（２ｌ　ｂ）に据え付けられている。ウェーハを留め付け るために使用されるクランプ（４９）、およびヒーターテーブル（２１）の上面 と一緒になって真空チェンバー（１００）内に空間を形成するキャップ（４６） が、ロッド（４１）の端部に据え付けられている。図５に示されているように、 キャップ（４６）は円筒状主体（４６ａ）、主体（４６ａ）の周囲で直径方向に 一定の距離伸長して各クランプ（４９）の表面に付着する固定部分、および主体 （４６ａ）と隣接した上面部（４６Ｃ）から成る。キャップ（４６）はウェーハ （２００）を取り囲むためにロッド（４１）の端部に直接据え付けられている。The heat radiation prevention device (40) includes a heater table ( 21) selectively wrapping the foil sheet or wafer (200) located on the top surface. A second space is formed in which the heat generated from the heater table (21) is prevented from escaping. Geru. A plurality of rods (41) are arranged below the bellows (45a) and the flange. The housing (2) is raised by lifting device No. 1 installed in the It is installed on the lower flange (2l b) of 2a). fasten the wafer clamp (49) used for a cap (46) which together forms a space within the vacuum chamber (100); is installed at the end of the rod (41). As shown in Figure 5, The cap (46) has a cylindrical main body (46a), and the cap (46) has a cylindrical main body (46a). a fixed part that extends a certain distance and attaches to the surface of each clamp (49); and a main body. (46a) and an adjacent upper surface portion (46C). The cap (46) is a wafer (200) is mounted directly on the end of the rod (41) to surround it.

さらに、キャップ（４６）にはガス６流出開口部（４７）が設けられている。上 記円筒状の主体（４６ａ）の上部縁がその上面部と連続的にではあるが、一定の 間隔で溶接されることが望ましい。また、内表面上にコートされる反射膜がウェ ーハを加熱する際に反射熱を収束させるドーム形となるように、キャップ（４６ ）の内表面（４６）がドーム形に形成されていることが望ましい。Furthermore, the cap (46) is provided with a gas 6 outlet opening (47). Up Although the upper edge of the cylindrical main body (46a) is continuous with the upper surface part, it has a certain shape. It is desirable to weld at intervals. In addition, the reflective film coated on the inner surface The cap (46 ) is preferably dome-shaped.

反射性膜（４８）がヒーターテーブルの上面と向かい合うキャップの内側に形成 されることが望ましく、これにより、ヒーターテーブル（２１）の表面に逃げる 熱を反射できる。A reflective coating (48) is formed on the inside of the cap facing the top surface of the heater table. It is desirable that the It can reflect heat.

図６に示されているように、キャップ（４６）の他の実施例はキャップ（４６） の内側に、熱発生装置（５０）を備えている。電気ヒーター（５１）またはハロ ゲンランプ熱発生装置（５０）がキャップ（４６）の内面に据え付けられている 。キャップ（４６）の上側もまた、ウェーハ（２００）の熱処理のための第２の 空間内に一定量のガスを導入するためにガス注入管が設けられる。As shown in FIG. 6, another embodiment of the cap (46) is a cap (46). A heat generating device (50) is provided inside. Electric heater (51) or halo A Genlamp heat generating device (50) is installed on the inner surface of the cap (46). . The upper side of the cap (46) also has a second cap for heat treatment of the wafer (200). A gas injection tube is provided to introduce a certain amount of gas into the space.

熱処理装置はハウジング（２２）のフランジに据え付けられた昇降装置Ｎｏ、　 １によりキャップを上昇する。続いて、キャップは第２の空間を形成するために ヒーターテーブル（２１）と密着するようになる。しかし、ヒーターテーブル（ ２２）をキャップ（４６）の上に持ち上げることができ、空間を形成できるいろ いろな種類の昇降装置を使用することができる。The heat treatment device is a lifting device No. installed on the flange of the housing (22). 1 raises the cap. Subsequently, the cap is inserted to form a second space. It comes into close contact with the heater table (21). However, the heater table ( 22) can be lifted above the cap (46) to create a space. Various types of lifting devices can be used.

以下で、本発明に基づいた熱処理装置の操作を説明すフォイルシートまたはウェ ーハ（２００）を熱処理するために、一定の真空圧が昇降装置Ｎｏ、　１および Ｎｏ、２（４５，３４）、ベローズ（４５ａ、３４ａ）に適用され、そのためロ ッド（４１）およびセンターロッド（３３）はその容積を減することで持ち上が る。このようにすることにより、センターロッド（３３）の端部に位置するビン （３３ａ）がヒーターテーブル（２１）の表面の上に、ヒーターテーブル（２１ ）の空間（３２）を通って突き出し、熱放射防止装置（４０）のキャップ（４６ ）はヒーターテーブル（２１）の上面から離れ、一定の距離のところに位置する 。この状態で、図示されてはいないが、フォイルシートまたはウェーハがマニピ ュレータにより、ヒーターテーブル（２７）の上面の上に突き出たセンターロッ ドの三つのビン（３３ａ）の面に供給される。したがって、一定の真空圧が、ベ ロー　ズ（３４ａ）の内部容積を増加させるためにセンターロッド（３３）のベ ローズ（３４ａ）にかけられる。センターロッドが下がり、次にセンターロッド （３３）の端部上のピン（３３ａ）はフォイルシートまたはウェーハ（２００） をヒーターテーブル（２１）の上に配置するために空間（３２）を通って没する 。ベローズ（４５ａ）、昇降装置Ｎｏ、　１はクランプ（４９）によりウェーハ （２００）の縁を押しっけ、キャップ（４６）およびウェーハ（２００）を取り 囲む第２の空間を形成するために、上述したように、ロッド（４１）を下げるよ うに操作する。In the following, a foil sheet or wafer will be used to explain the operation of the heat treatment apparatus according to the invention. In order to heat treat the No. 2 (45, 34), applied to bellows (45a, 34a) and therefore The rod (41) and center rod (33) can be lifted by reducing their volumes. Ru. By doing this, the bottle located at the end of the center rod (33) (33a) is placed on the surface of the heater table (21). ) and protrudes through the space (32) of the heat radiation prevention device (40). ) is located at a certain distance from the top surface of the heater table (21). . In this state, although not shown, the foil sheet or wafer is The center rod protruding above the top surface of the heater table (27) is It is supplied to the surfaces of the three bins (33a) of the card. Therefore, a constant vacuum pressure The base of the center rod (33) is designed to increase the internal volume of the rose (34a). It is hung on a rose (34a). The center rod goes down, then the center rod The pin (33a) on the end of (33) is a foil sheet or wafer (200) through the space (32) to place it on the heater table (21). . Bellows (45a), lifting device No. 1 is used to hold the wafer by clamp (49) (200) and remove the cap (46) and wafer (200). In order to form a second enclosing space, the rod (41) is lowered as described above. operate the sea urchin.

ヒーターテーブル（２１）へのウェーハ（２００）の固定が完了したとき、ヒー ターテーブル（２１）に埋め込まれた電気加熱ワイヤー（２１ａ）がウェーハ（ ２００）を加熱するためのエネルギーを発生する。When the fixing of the wafer (200) to the heater table (21) is completed, the heater The electric heating wire (21a) embedded in the tartable (21) heats the wafer ( 200).

加熱操作において、ウェーハ（２００）は、キャップ（４６）をヒーターテーブ ル（２１）の表面に密接させることにより真空チェンバー（１００）内に形成さ れる第２の空間内で加熱される。したがって、ウェーハ（２００）の加熱時間を 在来の方法での時間と比較して短くできるばかりでなく、ウェーハ（２００）を 一様な温度の加熱することができる。このことを詳説するために、ウェーハ（２ ００）はキャップ（４６）により取り囲まれている。このキャップはヒーターテ ーブル（２１）の表面から生じた熱を真空チェンバー（１００）内に逃げること を妨げ、キャップ（４６）内に熱を収束させる。In the heating operation, the wafer (200) is placed on the heater table with the cap (46) formed in the vacuum chamber (100) by bringing it into close contact with the surface of the vacuum chamber (21). The second space is heated. Therefore, the heating time of the wafer (200) is Not only can the time be reduced compared to the conventional method, but the wafer (200) Can be heated to a uniform temperature. To explain this in detail, we will use a wafer (2 00) is surrounded by a cap (46). This cap is for heating heat generated from the surface of the cable (21) to escape into the vacuum chamber (100). and concentrate the heat within the cap (46).

特に、キャップ（４６）の内面が反射膜（４８）でコートされるので、ウェーハ （２００）はヒーターテーブル（２１）の表面から生じ、キャップ（４６）の内 面に形成された反射膜（４８）上で反射した熱により暖められる。ヒーターテー ブル（２１）のガス供給管からの加熱されたガスはキャップ（４６）の内側部分 へと拡散し、次にキャップ（４６）の主体（４６ａ）と上面部（４６Ｃ）との間 に形成されたガス流出開口部を通って排気され、ウェーハ（２００）を一様な温 度の加熱する。最後に、真空チェンバー（１００）の表面による不純物の吸収は 減少する。In particular, since the inner surface of the cap (46) is coated with a reflective film (48), the wafer (200) originates from the surface of the heater table (21) and is inside the cap (46). It is warmed by the heat reflected on the reflective film (48) formed on the surface. heater table The heated gas from the gas supply pipe of the bull (21) is transferred to the inner part of the cap (46). and then between the main body (46a) and the upper surface (46C) of the cap (46). The gas is evacuated through an exit opening formed in the wafer (200) to provide a uniform temperature to the wafer (200). Heating to a degree. Finally, the absorption of impurities by the surface of the vacuum chamber (100) is Decrease.

本発明の他の実施例においてキャップ（４６）の内側に電気加熱ワイヤー（５１ ）のような熱発生装置（５０）を据え付けた場合、ウェーハ（２００）の上面お よび下面はヒーターテールプル（２１）および電気加熱ワイヤー（５１）により 加熱され、二重の加熱効果を与える。In another embodiment of the invention, an electric heating wire (51) is placed inside the cap (46). ) If a heat generating device (50) such as and the lower surface are heated by heater tail pull (21) and electric heating wire (51). heated, giving a double heating effect.

図７に示されているように、本発明者による実験にしたがい、ウェーハの加熱処 理時間は在来の装置（図では曲線Ｂ）による場合と比較して本発明の熱処理装置 を使用すると（図では曲線Ａ）短くできる。As shown in Figure 7, according to the experiment conducted by the present inventor, the wafer was heated. The heat treatment time of the present invention is longer than that of conventional equipment (curve B in the figure). (curve A in the figure) can be shortened.

ウェーハの熱処理が完了したとき、ロッドがつぎに、ヒーターテーブル（２１） をキャップ（４６）から離すために移送装置により持ち上げられる。センターロ ッド（３３）はセンタ、−ロッドの端部に据え付けられたビンによりウェーハ（ ２００）を持ち上げるために、ベローズ（３３ａ）により上昇し、上昇したウェ ーハ（２００）は上記マニピュレータにより排出される。When the heat treatment of the wafer is completed, the rod is then moved to the heater table (21). is lifted by a transfer device to separate it from the cap (46). centerro The rod (33) is located at the center of the wafer (33) by means of a bin installed at the end of the rod. 200), the bellows (33a) raises the raised wafer. -ha (200) is discharged by the manipulator.

本発明の熱処理装置はフォイルシートまたはウェーハの熱処理に必要な時間を減 じ、したがって、生産性を改ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、２ ＋００ ＦＩＧ、５ ＦＩＧ、６The heat treatment apparatus of the present invention reduces the time required for heat treatment of foil sheets or wafers. Therefore, the productivity is changed to FIG, I FIG.2 +00 FIG.5 FIG.6

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] １．ウェーハまたはフォイルシートを加熱するための薄膜熱処理装置であって、 真空チェンバーと、 真空チェンバーの内側に位置するヒーターテーブルと、 ヒーターテーブルに近接して据え付けられ、ヒーターテーブルの上に密接して配 置されるフォイルシートまたはウェーハを取り囲むことによりヒーターテーブル の上に気密な空間を形成する熱放射防止装置と、から成る薄膜熱処理装置。1. A thin film heat treatment apparatus for heating a wafer or foil sheet, the apparatus comprising: vacuum chamber and a heater table located inside the vacuum chamber; installed in close proximity to the heater table; Heater table by surrounding the foil sheet or wafer placed A thin film heat treatment device consisting of a heat radiation prevention device that forms an airtight space above the device. ２．請求項１に記載の薄膜熱処理装置であって、熱放射防止装置が縁、およびそ の縁に溶接される上面部を有する円筒状主体、円筒状主体の周囲で放射状に突き 出る固定部を有するキャップ、並びにヒーターテーブルの表面の上方にキャップ を持ち上げる、キャップの固定部に溶接される昇降装置を備える、ところの薄膜 熱処理装置。2. 2. The thin film heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat radiation prevention device is located at the edge and at the edge thereof. A cylindrical body with a top surface welded to the edge of the body, with radial butts around the cylindrical body. A cap with a fixed part that protrudes, as well as a cap above the surface of the heater table. A thin film with a lifting device welded to the fixing part of the cap to lift it. Heat treatment equipment. ３．請求項２に記載の薄膜熱処理装置であって、キャップの内面がドーム形に形 成される、ところの薄膜熱処理装置。3. 3. The thin film heat treatment apparatus according to claim 2, wherein the inner surface of the cap has a dome shape. Thin film heat treatment equipment is created. ４．請求項３に記載の薄膜熱処理装置であって、ヒーターテーブルの上面に面し た、上面部の内面が反射膜でコートされる、ところの薄膜熱処理装置。4. 4. The thin film heat treatment apparatus according to claim 3, wherein the thin film heat treatment apparatus faces the top surface of the heater table. In addition, there is a thin film heat treatment device in which the inner surface of the upper surface is coated with a reflective film. ５．請求項３に記載の薄膜熱処理装置であって、さらにキャップの上面部の内側 部分に位置する熱発生装置から成る、薄膜熱処理装置。5. 4. The thin film heat treatment apparatus according to claim 3, further comprising: A thin film heat treatment device consisting of a heat generating device located in a section. ６．請求項２に記載の薄膜熱処理装置であって、ある量のガスがキャップにより 形成される第２に空間内に導入され得るように、キャップは注入管を備える、と ころの薄膜熱処理装置。6. 3. The thin film heat treatment apparatus of claim 2, wherein the amount of gas is supplied by the cap. the cap comprises an injection tube so that it can be introduced into the second space formed; Thin film heat treatment equipment for rollers. ７．請求項１に記載の薄膜熱処理装置であって、熱発生装置がさらに、電気加熱 ワイヤーまたはハロゲンランプから成る、ところの薄膜熱処理装置。7. 2. The thin film heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the heat generation device further comprises electric heating. A thin film heat treatment device consisting of a wire or halogen lamp. ８．請求項７に記載の薄膜熱処理装置であって、キャップがガス流出開口部を有 する、ところの薄膜熱処理装置。8. 8. The thin film heat treatment apparatus according to claim 7, wherein the cap has a gas outlet opening. Thin film heat treatment equipment. ９．請求項８に記載の薄膜熱処理装置であって、ガス流出開口部がキャップの主 体から上面部に不連続に溶接される、ところの薄膜熱処理装置。9. 9. The thin film heat treatment apparatus according to claim 8, wherein the gas outlet opening is located in the main part of the cap. Thin film heat treatment equipment that welds discontinuously from the body to the upper surface.